JPH07188907A - Laser thin film forming method and thin film forming apparatus - Google Patents
Laser thin film forming method and thin film forming apparatusInfo
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- JPH07188907A JPH07188907A JP33442293A JP33442293A JPH07188907A JP H07188907 A JPH07188907 A JP H07188907A JP 33442293 A JP33442293 A JP 33442293A JP 33442293 A JP33442293 A JP 33442293A JP H07188907 A JPH07188907 A JP H07188907A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 真空チャンバ１内に配置されたターゲット11
にレーザ光20を照射して加熱させるとともに、この加熱
により蒸発された原料粒子を基板12の表面に蒸着させる
際に、基板12を透光性材料で構成するとともに、この基
板12をレーザ光20の透過窓４とターゲット11との間に配
置して、この基板11を透過したレーザ光20によりターゲ
ット11を加熱蒸発させる薄膜形成方法である。
【効果】 蒸着原料から蒸発した原料粒子の殆どが基板
に付着し、透過窓などの光学系に付着することがなくな
り、したがって光学系を清浄する必要がないので、基板
の成膜を連続して行うことができるとともに、クリーニ
ング装置なども必要としない。
(57) [Abstract] [Structure] Target 11 placed in vacuum chamber 1
The substrate 12 is made of a light-transmissive material when the raw material particles evaporated by the heating are vapor-deposited on the surface of the substrate 12, and the substrate 12 is irradiated with the laser beam 20. The thin film forming method is arranged between the transmission window 4 and the target 11 and heats and evaporates the target 11 by the laser light 20 transmitted through the substrate 11. [Effect] Most of the raw material particles evaporated from the vapor deposition raw material do not adhere to the substrate and adhere to the optical system such as the transmission window. Therefore, it is not necessary to clean the optical system. It can be done and does not require a cleaning device or the like.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を使用して、
透明導電性薄膜などの薄膜を形成する薄膜形成方法およ
び薄膜形成装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention uses laser light to
The present invention relates to a thin film forming method and a thin film forming apparatus for forming a thin film such as a transparent conductive thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、レーザ光を使用した薄膜形成装置
としては、例えば特公平５−４１７００号公報に開示さ
れたものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a thin film forming apparatus using a laser beam, for example, there is one disclosed in Japanese Patent Publication No. 5-41700.
【０００３】この薄膜形成装置は、図３に示すように、
真空チャンバ６１内に、蒸着原料（以下、ターゲットと
いう）５１および基板５２とを所定距離だけ離して配置
するとともに、レーザ光５３を第１平面鏡６２および透
過窓６３を介して、真空チャンバ６１内に入射し、そし
て真空チャンバ６１内に入射されたレーザ光５３を第２
平面鏡６４を介して、回転されるターゲット５１の表面
に照射し、ターゲット５１を蒸発させて基板５２の表面
に原料粒子を蒸着させるようにしたものである。This thin film forming apparatus, as shown in FIG.
A vapor deposition material (hereinafter referred to as a target) 51 and a substrate 52 are arranged in the vacuum chamber 61 with a predetermined distance therebetween, and a laser beam 53 is introduced into the vacuum chamber 61 via a first plane mirror 62 and a transmission window 63. The laser light 53 that has entered the vacuum chamber 61
The surface of the rotated target 51 is irradiated with the light through the plane mirror 64 to evaporate the target 51 and deposit the raw material particles on the surface of the substrate 52.
【０００４】また、この薄膜形成装置には、透過窓６
３、真空チャンバ６１内の第２平面鏡６４などからなる
光学系の汚れを検出するためのモニタリング装置７１が
具備されている。例えば、このモニタリング装置７１
は、真空チャンバ６１内に入射する前のレーザ光５３の
強度を検出する第１検出センサ７２と、第２平面鏡６４
から反射されたレーザ光５３の強度を検出する第２検出
センサ７３と、これら両検出センサ７２，７３からの強
度を入力するとともに、両レーザ光５３の強度を比較す
る制御装置７４とから構成されている。Further, in this thin film forming apparatus, the transmission window 6
3. A monitoring device 71 for detecting dirt on the optical system including the second plane mirror 64 in the vacuum chamber 61 is provided. For example, this monitoring device 71
Is a first detection sensor 72 that detects the intensity of the laser light 53 before it enters the vacuum chamber 61, and a second plane mirror 64.
The second detection sensor 73 detects the intensity of the laser light 53 reflected from the second detection sensor 73, and the control device 74 which inputs the intensities from both the detection sensors 72 and 73 and compares the intensities of the two laser lights 53. ing.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の薄膜形成装置の
構成によると、ターゲット５１と基板５２との間隔が常
に一定であるため、蒸着が進むにつれてターゲット５１
と基板５２表面との距離が変化して、蒸着効率（ターゲ
ットの消耗と成膜量との関係）が悪くなるという問題が
あり、また蒸発した原料粒子が、透過窓６３、第２平面
鏡６４などの光学系に付着して、モニタリング装置７１
により汚れが検出された場合には、光学系を清浄にする
必要が生じ、したがって連続的に成膜を行うことができ
ないという問題があった。According to the structure of the thin film forming apparatus described above, the distance between the target 51 and the substrate 52 is always constant.
There is a problem that the vapor deposition efficiency (relationship between the consumption of the target and the film formation amount) is deteriorated due to the change in the distance between the substrate 52 and the surface of the substrate 52, and the vaporized raw material particles are transmitted through the transmission window 63, the second plane mirror 64, etc. Attached to the optical system of the monitoring device 71
Therefore, when the stain is detected, it is necessary to clean the optical system, so that there is a problem in that continuous film formation cannot be performed.
【０００６】そこで、本発明は上記問題を解消し得るレ
ーザによる薄膜形成方法および薄膜形成装置を提供する
ことを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a thin film forming method and a thin film forming apparatus using a laser which can solve the above problems.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザによる薄膜形成方法は、真空チャン
バ内に配置された蒸着原料にレーザ光を照射して加熱さ
せるとともに、この加熱により蒸発された原料粒子を基
板の表面に蒸着させる際に、基板を透光性材料で構成す
るとともに、この基板をレーザ光の透過窓と蒸着原料と
の間に配置して、この基板を透過したレーザ光により上
記蒸着原料を加熱蒸発させる方法である。In order to solve the above problems, a thin film forming method using a laser according to the present invention irradiates a vapor deposition material placed in a vacuum chamber with laser light to heat it, and evaporates by this heating. When the deposited raw material particles are vapor-deposited on the surface of the substrate, the substrate is made of a translucent material, and the substrate is placed between the laser light transmission window and the vapor deposition raw material, and the laser beam transmitted through the substrate is transmitted. It is a method of heating and evaporating the above vapor deposition material by light.
【０００８】また、上記課題を解決するため、本発明の
レーザによる薄膜形成装置は、真空チャンバの壁部にレ
ーザ光の透過窓を設け、この真空チャンバ内の上記透過
窓に対応する位置に、蒸着原料を移動部材を介して、透
過窓に対して接近離間自在に設けるとともに、基板を透
過窓と蒸着原料との間でかつ蒸着原料の表面に沿って基
板を移動自在に設け、上記真空チャンバ内の基板よりも
透過窓側位置に基板加熱用の加熱器を設け、かつ上記基
板をレーザ光を通過させ得る透光性材料で構成したもの
である。In order to solve the above problems, the thin film forming apparatus using a laser of the present invention is provided with a laser beam transmission window on the wall of the vacuum chamber, and a position corresponding to the transmission window in the vacuum chamber is provided. The vapor deposition material is provided to be movable toward and away from the transmission window through a moving member, and the substrate is provided to be movable between the transmission window and the vapor deposition material and along the surface of the vapor deposition material. A heater for heating the substrate is provided at a position closer to the transmission window than the substrate inside, and the substrate is made of a translucent material that allows laser light to pass therethrough.
【０００９】[0009]
【作用】上記の構成によると、蒸着原料と透過窓との間
の空間部に蒸着される基板を配置するとともに、レーザ
光を基板内を通過させて蒸着原料に照射するようにして
いるので、蒸着原料から蒸発した原料粒子の殆どが基板
に付着し、透過窓などの光学系に付着することがない。According to the above construction, the substrate to be vapor-deposited is arranged in the space between the vapor deposition material and the transmission window, and the laser light is passed through the substrate to irradiate the vapor deposition material. Most of the material particles evaporated from the evaporation material adhere to the substrate and do not adhere to the optical system such as the transmission window.
【００１０】また、蒸着原料は移動部材により、基板表
面に対して接近離間自在に構成されているので、蒸着原
料が減少した場合でも、基板表面と蒸着原料との間の距
離を、一定に保持することができる。Further, since the vapor deposition material can be moved toward and away from the substrate surface by the moving member, the distance between the substrate surface and the vapor deposition material can be kept constant even when the vapor deposition material decreases. can do.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
基づき説明する。図１および図２において、１は排気通
路２を介して真空装置（図示せず）に接続された真空チ
ャンバで、その上壁部１ａには、レーザ光の導入枠３が
左右の幅方向でもって設けられるとともに、この導入枠
３の上傾斜部にはレーザ光の通過穴３ａが形成されてい
る。そして、この通過穴３ａには、透光性材料からなる
透過窓４が設けられており、また上記導入枠３の側部に
は、ガス導入管５が接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIGS. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a vacuum chamber connected to a vacuum device (not shown) through an exhaust passage 2, and a laser beam introduction frame 3 is arranged in a left-right width direction on an upper wall portion 1a thereof. The introduction hole 3 is provided with a laser beam passage hole 3a in the upper inclined portion. A transmission window 4 made of a translucent material is provided in the passage hole 3a, and a gas introduction pipe 5 is connected to a side portion of the introduction frame 3.
【００１２】上記真空チャンバ１内の導入枠３に対応す
る位置には、移動台（移動部材）６を介して蒸着原料
（以下、ターゲットという）１１が載置されており、ま
たこの移動台６は、駆動機構（図示しないが、モータ、
ねじ機構などを使用したもの）により、矢印ａ，ｂ方向
で示すように、前後および昇降自在にされている。A vapor deposition material (hereinafter, referred to as a target) 11 is placed at a position corresponding to the introduction frame 3 in the vacuum chamber 1 through a moving table (moving member) 6, and the moving table 6 is also placed. Is a drive mechanism (not shown, motor,
By using a screw mechanism or the like), it can be moved forward and backward and up and down as shown by the directions of arrows a and b.
【００１３】そして、真空チャンバ１内においては、蒸
着される基板１２が、通過枠３とターゲット１１との間
でかつ上壁部１ａと平行に、すなわち水平方向ｃに移動
し得るように移動トレイ（図示せず）に支持されてい
る。また、上壁部１ａの導入枠３の前後部の下面位置に
は基板１２を加熱するための加熱器（ヒータ）７が配置
されている。In the vacuum chamber 1, a moving tray is provided so that the substrate 12 to be vapor-deposited can move between the passage frame 3 and the target 11 and in parallel with the upper wall portion 1a, that is, in the horizontal direction c. It is supported by (not shown). Further, a heater (heater) 7 for heating the substrate 12 is arranged at the lower surface positions of the front and rear portions of the introduction frame 3 of the upper wall portion 1a.
【００１４】また、上記導入枠３の上傾斜壁面には、真
空チャンバ１の幅方向でガイド部材（例えば、ガイドレ
ール）２１が設けられるとともに、このガイド部材２１
には、透過窓４から真空チャンバ１内にレーザ光２０を
照射するためのレーザ照射器２２が幅方向ｄで移動自在
に案内されており、したがってレーザ照射器２２から照
射されるレーザ光２０は、矢印ｄにて示すように、上記
ターゲット１１上を、基板１２の表面に沿って往復移動
し得るように構成されている。A guide member (for example, a guide rail) 21 is provided on the upper inclined wall surface of the introduction frame 3 in the width direction of the vacuum chamber 1, and the guide member 21 is also provided.
A laser irradiator 22 for irradiating the laser light 20 from the transmission window 4 into the vacuum chamber 1 is guided movably in the width direction d. Therefore, the laser light 20 radiated from the laser irradiator 22 is As shown by the arrow d, the target 11 is configured to be capable of reciprocating along the surface of the substrate 12.
【００１５】さらに、上記基板１２は透光性材料で構成
されており、透過窓４もこの基板１２と同一の材料で構
成されている。この基板１２の材料としては、例えばレ
ーザ光２０の波長に対する透過率が、レーザ波長が約0.
3 〜2.0 μm の範囲で、80％以上となるようなものが使
用される。具体的には、例えば石英（コーニング7059，
日本電気硝子ＯＡ−２など）、鉛ガラス、石灰ガラスな
どが使用される。Further, the substrate 12 is made of a translucent material, and the transmission window 4 is also made of the same material as the substrate 12. As the material of the substrate 12, for example, the transmittance for the wavelength of the laser light 20 is about 0.
In the range of 3 to 2.0 μm, a material with 80% or more is used. Specifically, for example, quartz (Corning 7059,
Nippon Electric Glass OA-2), lead glass, lime glass, etc. are used.
【００１６】次に、レーザによる薄膜形成方法について
説明する。まず、真空チャンバ１内の移動台６上に、タ
ーゲット１１を載置するとともに、移動トレイに基板１
２を支持させる。Next, a method of forming a thin film by laser will be described. First, the target 11 is placed on the moving table 6 in the vacuum chamber 1, and the substrate 1 is placed on the moving tray.
Support 2.
【００１７】次に、真空装置により、真空チャンバ１内
を所定の真空度にするとともに、ガス導入管５より所定
の雰囲気ガスを注入し、加熱器７により、基板１２を所
定の温度に加熱する。Next, the inside of the vacuum chamber 1 is made to have a predetermined degree of vacuum by a vacuum device, a predetermined atmosphere gas is injected from the gas introduction pipe 5, and the substrate 12 is heated to a predetermined temperature by the heater 7. .
【００１８】そして、基板１２をターゲット１１上に移
動させるとともに、透過窓４より、所定のレーザ光２２
を真空チャンバ１内に照射する。真空チャンバ１内に照
射されたレーザ光２０は、基板１２を通過してターゲッ
ト１１の表面を加熱する。なお、このとき、レーザ光２
０は、矢印ｄにて示すように、ターゲット１１上を左右
の幅方向で往復移動されて、ターゲット１１の表面を万
遍なく加熱する。Then, the substrate 12 is moved onto the target 11, and a predetermined laser beam 22 is passed through the transmission window 4.
Is radiated into the vacuum chamber 1. The laser light 20 radiated into the vacuum chamber 1 passes through the substrate 12 and heats the surface of the target 11. At this time, the laser light 2
As indicated by arrow d, 0 is reciprocated on the target 11 in the left-right width direction to uniformly heat the surface of the target 11.
【００１９】このようにして、レーザ光２０により加熱
されて蒸発した原料粒子は、基板１２の下面に一様に付
着して、所定の薄膜が蒸着により形成される。勿論、基
板１２は、矢印ｃ方向に所定の速度でもってゆっくりと
移動され、基板１２全体にターゲット１１の蒸着が行わ
れる。In this way, the raw material particles heated and evaporated by the laser beam 20 are uniformly attached to the lower surface of the substrate 12 to form a predetermined thin film by vapor deposition. Of course, the substrate 12 is slowly moved in the direction of arrow c at a predetermined speed, and the target 11 is deposited on the entire substrate 12.
【００２０】また、ターゲット１１の蒸発が進み、基板
１２表面とターゲット１１との距離が変化した場合に
は、矢印ｂに示すように、移動台６を昇降させて、常
に、基板１２表面とターゲット１１との距離が一定とな
るように制御される。なお、ターゲット１１は、移動台
６により、前後方向にも移動されて、ターゲット１１の
表面も万遍に加熱される。When the evaporation of the target 11 progresses and the distance between the surface of the substrate 12 and the target 11 changes, the moving table 6 is moved up and down as shown by an arrow b, and the surface of the substrate 12 and the target 11 are always kept. The distance from 11 is controlled to be constant. The target 11 is also moved in the front-back direction by the moving table 6, and the surface of the target 11 is evenly heated.
【００２１】このように、ターゲット１１と透過窓４と
の間の空間部に、蒸着される基板１２を配置するととも
に、レーザ光２０を基板１２内を通過させてターゲット
１１に照射するようにしているので、ターゲット１１か
ら蒸発した原料粒子の殆どが基板１１に付着し、透過窓
４などの光学系に付着することがなく、したがって従来
例におけるような、光学系を清浄する必要がないので、
基板１２の成膜を連続して行うことができるとともに、
クリーニング装置なども必要としない。Thus, the substrate 12 to be vapor-deposited is arranged in the space between the target 11 and the transmission window 4, and the laser light 20 is passed through the substrate 12 to irradiate the target 11. Since most of the raw material particles evaporated from the target 11 adhere to the substrate 11 and do not adhere to the optical system such as the transmission window 4, it is not necessary to clean the optical system as in the conventional example.
The substrate 12 can be continuously formed, and
No cleaning device is required.
【００２２】また、上述したように、移動台６により、
常に、基板１２表面とターゲット１１との距離を一定に
保持することができるので、蒸着効率を良好な状態に維
持することができる。Further, as described above, by the moving table 6,
Since the distance between the surface of the substrate 12 and the target 11 can always be kept constant, the vapor deposition efficiency can be maintained in a good state.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上のように本発明の構成によると、蒸
着原料と透過窓との間の空間部に、蒸着される基板を配
置するとともに、レーザ光を基板内を通過させて蒸着原
料に照射するようにしているので、蒸着原料から蒸発し
た原料粒子の殆どが基板に付着し、透過窓などの光学系
に付着することがなくなり、したがって従来例のような
光学系を清浄する必要がないので、基板の成膜を連続し
て行うことができるとともに、クリーニング装置なども
必要としない。As described above, according to the structure of the present invention, the substrate to be vapor-deposited is arranged in the space between the vapor-deposition raw material and the transmission window, and the laser light is passed through the substrate to be used as the vapor-deposition raw material. Since the irradiation is performed, most of the raw material particles evaporated from the vapor deposition raw material do not adhere to the substrate and do not adhere to the optical system such as the transmission window. Therefore, it is not necessary to clean the optical system as in the conventional example. Therefore, the substrate can be continuously formed, and a cleaning device or the like is not required.
【００２４】また、蒸着原料は移動部材により、透過窓
に対して、すなわち基板表面に対して接近離間自在に構
成されているので、蒸着原料が減少した場合でも、基板
表面と蒸着原料との間の距離を、常に、一定に保持する
ことができ、したがって蒸着効率を良好な状態に維持す
ることができる。Further, since the vapor deposition raw material is configured to be movable toward and away from the transmission window, that is, the substrate surface by the moving member, even when the vapor deposition raw material is reduced, the vapor deposition raw material can be kept between the substrate surface and the vapor deposition raw material. Can always be kept constant, and therefore the vapor deposition efficiency can be maintained in a good state.
【図１】本発明の一実施例における薄膜形成装置の概略
構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】同実施例における薄膜形成装置の概略構成を示
す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus in the embodiment.
【図３】従来例における薄膜形成装置の概略構成を示す
断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus in a conventional example.
１ 真空チャンバ ３ 導入枠 ３ａ 通過穴 ４ 透過窓 ６ 移動台 ７ 加熱器 １１ ターゲット １２ 基板 ２０ レーザ光 ２２ レーザ照射器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 3 Introduction frame 3a Pass hole 4 Transmission window 6 Moving table 7 Heater 11 Target 12 Substrate 20 Laser light 22 Laser irradiator
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年３月４日[Submission date] March 4, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１５[Name of item to be corrected] 0015
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１５】さらに、上記基板１２は透光性材料で構成
されている。この基板１２の材料としては、例えばレー
ザ光２０の波長に対する透過率が、レーザ波長が約0.3
〜2.0 μm の範囲で、80％以上となるようなものが使用
される。具体的には、例えば石英（コーニング7059，日
本電気硝子ＯＡ−２など）、鉛ガラス、石灰ガラスなど
が使用される。Further, the substrate 12 is made of a translucent material . As the material of the substrate 12, for example, the transmittance for the wavelength of the laser light 20 is about 0.3 for the laser wavelength.
Within the range of up to 2.0 μm, a material with 80% or more is used. Specifically, for example, quartz (Corning 7059, Nippon Electric Glass OA-2, etc.), lead glass, lime glass, etc. are used.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２０[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２０】また、ターゲット１１の蒸発が進み、基板
１２表面とターゲット１１との距離が変化した場合に
は、矢印ｂに示すように、移動台６を昇降させて、常
に、基板１２表面とターゲット１１との距離が一定とな
るように制御される。なお、ターゲット１１は、移動台
６により、レーザ光の往復移動に同期して前後方向（矢
印ａ方向）にも往復移動されて、ターゲット１１の表面
が万遍なく加熱される。 When the evaporation of the target 11 progresses and the distance between the surface of the substrate 12 and the target 11 changes, the moving table 6 is moved up and down as shown by an arrow b, and the surface of the substrate 12 and the target 11 are always kept. The distance from 11 is controlled to be constant. The target 11 is moved in the front-back direction (arrow direction) by the moving table 6 in synchronization with the reciprocating movement of the laser light.
The surface of the target 11 is also reciprocated in the direction of mark a).
Is evenly heated.
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２４[Name of item to be corrected] 0024
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２４】また、蒸着原料は移動部材により、透過窓
に対して、すなわち基板表面に対して接近離間自在に構
成されているので、蒸着原料が減少した場合でも、基板
表面と蒸着原料との間の距離を、常に、一定に保持する
ことができ、したがって蒸着効率を良好な状態に維持す
ることができる。さらに、レーザ走査と蒸着原料の移動
とにより、蒸着原料の利用を著しく改善することができ
る。 Further, since the vapor deposition material is configured to be movable toward and away from the transmission window, that is, the substrate surface by the moving member, even when the vapor deposition material is reduced, the vapor deposition material is kept between the substrate surface and the vapor deposition material. Can always be kept constant, and therefore the vapor deposition efficiency can be maintained in a good state. Furthermore, laser scanning and movement of vapor deposition material
Can significantly improve the use of deposition materials
It
Claims (2)
ーザ光を照射して加熱させるとともに、この加熱により
蒸発された原料粒子を基板の表面に蒸着させる際に、基
板を透光性材料で構成するとともに、この基板をレーザ
光の透過窓と蒸着原料との間に配置して、この基板を透
過したレーザ光により上記蒸着原料を加熱蒸発させるこ
とを特徴とするレーザによる薄膜形成方法。1. A substrate is made of a translucent material when a vapor deposition material disposed in a vacuum chamber is irradiated with laser light to be heated and the material particles evaporated by this heating are vapor-deposited on the surface of the substrate. A method for forming a thin film by a laser, comprising: arranging the substrate between a laser beam transmission window and a vapor deposition raw material, and heating and vaporizing the vapor deposition raw material by the laser light transmitted through the substrate.
設け、この真空チャンバ内の上記透過窓に対応する位置
に、蒸着原料を移動部材を介して、透過窓に対して接近
離間自在に設けるとともに、基板を透過窓と蒸着原料と
の間でかつ蒸着原料の表面に沿って基板を移動自在に設
け、上記真空チャンバ内の基板よりも透過窓側位置に基
板加熱用の加熱器を設け、かつ上記基板をレーザ光を通
過させ得る透光性材料で構成したことを特徴とするレー
ザによる薄膜形成装置。2. A transparent window for laser light is provided on the wall of the vacuum chamber, and the vapor deposition material can be moved toward and away from the transparent window at a position corresponding to the transparent window in the vacuum chamber through a moving member. The substrate is movably provided between the transmission window and the vapor deposition material and along the surface of the vapor deposition material, and a heater for heating the substrate is provided at a position closer to the transmission window than the substrate in the vacuum chamber. And a thin film forming apparatus using a laser, wherein the substrate is made of a translucent material that allows laser light to pass therethrough.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33442293A JPH07188907A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Laser thin film forming method and thin film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33442293A JPH07188907A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Laser thin film forming method and thin film forming apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07188907A true JPH07188907A (en) | 1995-07-25 |
Family
ID=18277203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33442293A Pending JPH07188907A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Laser thin film forming method and thin film forming apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07188907A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014040666A (en) * | 2006-04-17 | 2014-03-06 | Imra America Inc | Method of manufacturing p-type semiconductor zink oxide film, and method of pulse laser deposition using transparent substrate |
| JP2024526518A (en) * | 2021-07-28 | 2024-07-19 | マツクス－プランク－ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウ | Method for coating a coating area on a front surface of a substrate and apparatus for a thermal evaporation system - Patents.com |
| JP2024528365A (en) * | 2021-07-28 | 2024-07-30 | マツクス－プランク－ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウ | Apparatus for a thermal evaporation system and method for coating a coating area on a front surface of a substrate - Patents.com |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33442293A patent/JPH07188907A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014040666A (en) * | 2006-04-17 | 2014-03-06 | Imra America Inc | Method of manufacturing p-type semiconductor zink oxide film, and method of pulse laser deposition using transparent substrate |
| JP2024526518A (en) * | 2021-07-28 | 2024-07-19 | マツクス－プランク－ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウ | Method for coating a coating area on a front surface of a substrate and apparatus for a thermal evaporation system - Patents.com |
| JP2024528365A (en) * | 2021-07-28 | 2024-07-30 | マツクス－プランク－ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウ | Apparatus for a thermal evaporation system and method for coating a coating area on a front surface of a substrate - Patents.com |
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