JPH07179403A - 第三アミンの精製法 - Google Patents
第三アミンの精製法Info
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- JPH07179403A JPH07179403A JP6223508A JP22350894A JPH07179403A JP H07179403 A JPH07179403 A JP H07179403A JP 6223508 A JP6223508 A JP 6223508A JP 22350894 A JP22350894 A JP 22350894A JP H07179403 A JPH07179403 A JP H07179403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkyl
- primary
- cycloalkyl
- secondary amines
- tertiary amine
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C209/00—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C209/82—Purification; Separation; Stabilisation; Use of additives
- C07C209/84—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 第一および第二アミンから第三アミンを精製
する方法を提供する。 【構成】 上記方法は、第三アミンおよび第一および第
二アミンを含有する精製すべき混合物から、一般式Ｉ、
例えばジメチルシクロヘキシルアミン の第三アミンを、一般式ＩＩ、例えばメチルホルメート のカルボキシレートを使用して、０〜２００℃の温度範
囲で１〜２００バールの圧力で処理する。
する方法を提供する。 【構成】 上記方法は、第三アミンおよび第一および第
二アミンを含有する精製すべき混合物から、一般式Ｉ、
例えばジメチルシクロヘキシルアミン の第三アミンを、一般式ＩＩ、例えばメチルホルメート のカルボキシレートを使用して、０〜２００℃の温度範
囲で１〜２００バールの圧力で処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カルボキシレートで処
理することにより第三アミン中の第一および第二アミン
の含量を減少する方法に関する。
理することにより第三アミン中の第一および第二アミン
の含量を減少する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】製造条件により、第三アミン中に少量の
第一および第二アミンが存在する。しばしば沸点の差が
きわめてわずかであるために、蒸留による精製は多くの
場合に多くの経費をかけてのみ可能である。しかしなが
ら、第二アミンの含量はニトロソアミン形成の危険のた
めに特に好ましくない。
第一および第二アミンが存在する。しばしば沸点の差が
きわめてわずかであるために、蒸留による精製は多くの
場合に多くの経費をかけてのみ可能である。しかしなが
ら、第二アミンの含量はニトロソアミン形成の危険のた
めに特に好ましくない。
【０００３】第一または第二アミンを回避するために、
西ドイツ特許出願公開第３９４２７９３号明細書におい
て、ホルムアルデヒドまたはブチルアルデヒドのような
アルデヒドを添加することが推奨されている。
西ドイツ特許出願公開第３９４２７９３号明細書におい
て、ホルムアルデヒドまたはブチルアルデヒドのような
アルデヒドを添加することが推奨されている。
【０００４】これらの方法は好ましくないアミンのパー
セントの低下を可能にするが、ＮＨ基とアルデヒドを反
応させることにより生じる水を蒸留技術により除去する
ことがきわめて困難である。更に、生じるイミンまたは
エナミンを水の存在下で加熱すると、第一または第二ア
ミンおよびアルデヒドへの再会合を生じる。
セントの低下を可能にするが、ＮＨ基とアルデヒドを反
応させることにより生じる水を蒸留技術により除去する
ことがきわめて困難である。更に、生じるイミンまたは
エナミンを水の存在下で加熱すると、第一または第二ア
ミンおよびアルデヒドへの再会合を生じる。
【０００５】西ドイツ特許出願公開第３０２６７６５号
明細書は、有機無水物の添加により第一または第二アミ
ン含量の低下が可能であることを示唆している。更に、
無水物とＮＨ基の反応がカルボン酸を分離してアミドを
生じる。この方法の欠点はカルボン酸の遊離であり、こ
れが第三アミンと塩を形成し、従って収率の損失を生じ
る。
明細書は、有機無水物の添加により第一または第二アミ
ン含量の低下が可能であることを示唆している。更に、
無水物とＮＨ基の反応がカルボン酸を分離してアミドを
生じる。この方法の欠点はカルボン酸の遊離であり、こ
れが第三アミンと塩を形成し、従って収率の損失を生じ
る。
【０００６】東ドイツ特許第２９８５０３号明細書によ
れば、第一または第二アミンを除去するためにイソシア
ネートを使用する。しかしながら、この方法はイソシア
ネートが有毒であり、従って超化学量論的量で添加すべ
きでないという欠点を有する。
れば、第一または第二アミンを除去するためにイソシア
ネートを使用する。しかしながら、この方法はイソシア
ネートが有毒であり、従って超化学量論的量で添加すべ
きでないという欠点を有する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、前記の欠点を克服することであった。
は、前記の欠点を克服することであった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題は、第一および
第二アミンから、一般式Ｉ：
第二アミンから、一般式Ｉ：
【０００９】
【化３】
【００１０】［式中、 Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ2〜Ｃ
20−ジアルキルアミノ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、Ｃ1〜Ｃ
10−アルコキシ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、Ｃ2〜Ｃ20−ヒ
ドロキシアルキル、Ｃ3〜Ｃ12−シクロアルキル、Ｃ4〜
Ｃ20−シクロアルキルアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニ
ル、Ｃ4〜Ｃ30−ジアルキルアミノアルケニル、Ｃ3〜Ｃ
30−アルコキシアルケニル、Ｃ3〜Ｃ20−ヒドロキシア
ルケニル、Ｃ5〜Ｃ20−シクロアルキルアルケニル、ま
たはＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ2〜Ｃ8-ジアルキルアミノ、C1〜Ｃ8
−アルコキシ、ヒドロキシ、Ｃ3〜Ｃ8−シクロアルキル
またはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキルにより１〜
５置換されていてもよいアリールまたはＣ7〜Ｃ20−ア
ラルキルを表す］で示される第三アミンを精製する方法
において、第三アミンおよび第一および第二アミンを含
有する精製すべき混合物を、一般式ＩＩ：
20−ジアルキルアミノ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、Ｃ1〜Ｃ
10−アルコキシ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、Ｃ2〜Ｃ20−ヒ
ドロキシアルキル、Ｃ3〜Ｃ12−シクロアルキル、Ｃ4〜
Ｃ20−シクロアルキルアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニ
ル、Ｃ4〜Ｃ30−ジアルキルアミノアルケニル、Ｃ3〜Ｃ
30−アルコキシアルケニル、Ｃ3〜Ｃ20−ヒドロキシア
ルケニル、Ｃ5〜Ｃ20−シクロアルキルアルケニル、ま
たはＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ2〜Ｃ8-ジアルキルアミノ、C1〜Ｃ8
−アルコキシ、ヒドロキシ、Ｃ3〜Ｃ8−シクロアルキル
またはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキルにより１〜
５置換されていてもよいアリールまたはＣ7〜Ｃ20−ア
ラルキルを表す］で示される第三アミンを精製する方法
において、第三アミンおよび第一および第二アミンを含
有する精製すべき混合物を、一般式ＩＩ：
【００１１】
【化４】
【００１２】［式中、 Ｒ4およびＲ5は水素原子、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ3〜
Ｃ12−シクロアルキル、Ｃ4〜Ｃ20−シクロアルキルア
ルキル、またはＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ3〜Ｃ8−シクロ
アルキルまたはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキルに
より１〜５置換されていてもよいアリールまたはＣ7〜
Ｃ20−アラルキルを表す］で示されるカルボキシレート
を使用して０〜２００℃の温度範囲で、１〜２００バー
ルの圧力で処理することにより解決される。
Ｃ12−シクロアルキル、Ｃ4〜Ｃ20−シクロアルキルア
ルキル、またはＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ3〜Ｃ8−シクロ
アルキルまたはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキルに
より１〜５置換されていてもよいアリールまたはＣ7〜
Ｃ20−アラルキルを表す］で示されるカルボキシレート
を使用して０〜２００℃の温度範囲で、１〜２００バー
ルの圧力で処理することにより解決される。
【００１３】本発明の方法は以下のように実施すること
ができる。
ができる。
【００１４】第三アミンＩおよび第一および第二アミン
を含有する精製すべき混合物を、０〜２００℃、有利に
は２０〜１５０℃、更に有利には３０〜１３０℃の温度
範囲で、１〜２００バール、有利には１〜１０バールの
圧力で、更に有利には大気圧（標準圧）でカルボキシレ
ートＩＩを添加することにより処理することができる。
を含有する精製すべき混合物を、０〜２００℃、有利に
は２０〜１５０℃、更に有利には３０〜１３０℃の温度
範囲で、１〜２００バール、有利には１〜１０バールの
圧力で、更に有利には大気圧（標準圧）でカルボキシレ
ートＩＩを添加することにより処理することができる。
【００１５】こうして形成された第一および第二アミン
のアルキルアミドは、通常の精製技術により、たとえば
蒸留により分離することができる。反応中に遊離したア
ルコールＲ5ＯＨおよび過剰のカルボキシレート（Ｉ
Ｉ）もたとえば蒸留により分離することができる。
のアルキルアミドは、通常の精製技術により、たとえば
蒸留により分離することができる。反応中に遊離したア
ルコールＲ5ＯＨおよび過剰のカルボキシレート（Ｉ
Ｉ）もたとえば蒸留により分離することができる。
【００１６】第一および第二アミンの反応の後で、第三
アミンをたとえば蒸留により反応混合物から分離するこ
とができる。
アミンをたとえば蒸留により反応混合物から分離するこ
とができる。
【００１７】一般に、カルボキシレートＩＩを第一およ
び第二アミンに５：１〜１：１、有利には２：１〜１．
１：１のモル比で添加する。
び第二アミンに５：１〜１：１、有利には２：１〜１．
１：１のモル比で添加する。
【００１８】第一および第二アミンの量は、たとえばガ
スクロマトグラフィーにより、または第一および第二ア
ミンから二硫化炭素との反応により得られたチオ酸の滴
定により決定することができる。
スクロマトグラフィーにより、または第一および第二ア
ミンから二硫化炭素との反応により得られたチオ酸の滴
定により決定することができる。
【００１９】特に適当なカルボキシレートＩＩはアルキ
ルカルボキシレート、たとえばＣ1〜Ｃ20−アルキルＣ1
〜Ｃ20−アルキルカルボキシレート、有利にはＣ1〜Ｃ8
−アルキルＣ1〜Ｃ8−アルキルカルボキシレート、たと
えばメチルブチレート、エチルブチレート、メチルプロ
ピオネート、エチルプロピオネート、メチルアセテー
ト、エチルアセテート、メチルホルメートおよびエチル
ホルメートであり、有利にはメチルホルメートである。
ルカルボキシレート、たとえばＣ1〜Ｃ20−アルキルＣ1
〜Ｃ20−アルキルカルボキシレート、有利にはＣ1〜Ｃ8
−アルキルＣ1〜Ｃ8−アルキルカルボキシレート、たと
えばメチルブチレート、エチルブチレート、メチルプロ
ピオネート、エチルプロピオネート、メチルアセテー
ト、エチルアセテート、メチルホルメートおよびエチル
ホルメートであり、有利にはメチルホルメートである。
【００２０】メチルホルメートの高い反応性は、ほとん
どまたは全く加熱せずに本発明で提案された精製を実施
することを可能にするが、高められた温度で実施するこ
とも可能である。
どまたは全く加熱せずに本発明で提案された精製を実施
することを可能にするが、高められた温度で実施するこ
とも可能である。
【００２１】第三アミンＩと第一および第二アミンの混
合物は、一般にアルデヒドまたはケトンを使用した還元
によるアルキル化により第一アミンを製造する場合に、
ニトリル水素化の場合に、またはアルコールを使用した
アミンのアルキル化の場合に、たとえばシクロヘキシル
アミンをメタノールと反応させる場合に、またはアジポ
ジニトリルをジメチルアミンと反応させる場合に得られ
る。
合物は、一般にアルデヒドまたはケトンを使用した還元
によるアルキル化により第一アミンを製造する場合に、
ニトリル水素化の場合に、またはアルコールを使用した
アミンのアルキル化の場合に、たとえばシクロヘキシル
アミンをメタノールと反応させる場合に、またはアジポ
ジニトリルをジメチルアミンと反応させる場合に得られ
る。
【００２２】化合物ＩおよびＩＩ中の置換基Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は以下のものを表す。
Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は以下のものを表す。
【００２３】Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、Ｃ1〜Ｃ
20−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ8−アルキル、更に有利
にはＣ1〜Ｃ4−アルキル、たとえばメチル、エチル、ｎ
−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、
ｓ−ブチルおよびｔ−ブチル、Ｃ3〜Ｃ12−シクロアル
キル、有利にはＣ3〜Ｃ8−シクロアルキル、更に有利に
はＣ5〜Ｃ8−シクロアルキル、たとえばシクロペンチル
およびシクロヘキシル、Ｃ4〜Ｃ20−シクロアルキルア
ルキル、有利にはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキ
ル、更に有利にはＣ4〜Ｃ8−シクロアルキルアルキル、
例えばシクロヘキシルメチルおよびシクロヘキシルエチ
ル、アリール、たとえばフェニル、１−ナフチルおよび
２−ナフチル、有利にはフェニル、Ｃ7〜Ｃ20−アラル
キル、有利にはＣ7〜Ｃ12−フェニルアルキル、更に有
利にはベンジル、フェニルメチル、およびフェニルエチ
ル、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ2〜Ｃ8−ジアルキルアミ
ノ、Ｃ1〜Ｃ8−アルコキシ、ヒドロキシ、Ｃ3〜Ｃ8−シ
クロアルキルまたはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキ
ルにより１〜５置換されたアリール、Ｃ1〜Ｃ4−アルキ
ル、Ｃ2〜Ｃ4−ジアルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキ
シ、ヒドロキシ、Ｃ5〜Ｃ8−シクロアルキル、またはＣ
4〜Ｃ8−シクロアルキルアルキルにより１〜３置換され
たフェニル、たとえばメチルフェニル、ジメチルフェニ
ルおよびトリメチルフェニル、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ
2〜Ｃ8−ジアルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ8−アルコキシ、ヒ
ドロキシ、Ｃ3〜Ｃ8−シクロアルキルまたはＣ4〜Ｃ12
−シクロアルキルアルキルにより１〜５置換されたＣ7
〜Ｃ20−アラルキル、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、Ｃ2〜Ｃ4−
ジアルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ヒドロキ
シ、Ｃ5〜Ｃ8−シクロアルキルまたはＣ4〜Ｃ8−シクロ
アルキルアルキルにより１〜３置換されたＣ7〜Ｃ20−
アラルキル、たとえば３，４−ジメトキシフェニルエチ
ルを表すかまたは、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、Ｃ2〜Ｃ20−
ジアルキルアミノ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、有利にはＣ2
〜Ｃ10−ジアルキルアミノ−Ｃ2〜Ｃ7−アルキル、たと
えばジメチルアミノエチル、ジメチルアミノプロピル、
ジメチルアミノブチル、ジメチルアミノペンチル、ジメ
チルアミノヘキシル、ジメチルアミノヘプチル、ジエチ
ルアミノエチル、ジエチルアミノプロピル、ジエチルア
ミノブチル、ジエチルアミノペンチル、ジエチルアミノ
ヘキシル、ジエチルアミノヘプチル、ジプロピルアミノ
エチル、ジプロピルアミノプロピル、ジプロピルアミノ
ブチル、ジプロピルアミノペンチル、ジプロピルアミノ
ヘキシル、ジプロピルアミノヘプチル、Ｃ1〜Ｃ10−ア
ルコキシ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ6−
アルコキシ−Ｃ2〜Ｃ5−アルキル、たとえばメトキシエ
チル、メトキシプロピル、エトキシエチル、エトキシプ
ロピル、プロポキシエチルおよびプロポキシプロピル、
Ｃ2〜Ｃ20−ヒドロキシアルキル、有利にはＣ1〜Ｃ8−
ヒドロキシアルキル、更に有利にはＣ1〜Ｃ4−ヒドロキ
シアルキル、たとえばヒドロキシメチル、２−ヒドロキ
シエチル、２−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシプ
ロピル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、有利にはＣ2〜Ｃ8−
アルケニル、更に有利にはＣ2〜Ｃ4−アルケニル、たと
えばビニルおよびアリル、Ｃ4〜Ｃ30−ジアルキルアミ
ノアルケニル、有利にはＣ4〜Ｃ16−ジアルキルアミノ
アルケニル、更に有利にはＣ4〜Ｃ12−ジアルキルアミ
ノアルケニル、Ｃ3〜Ｃ30−アルコキシアルケニル、有
利にはＣ3〜Ｃ16−アルコキシアルケニル、更に有利に
はＣ3〜Ｃ12−アルコキシアルケニル、Ｃ3〜Ｃ20−ヒド
ロキシアルケニル、有利にはＣ2〜Ｃ8−ヒドロキシアル
ケニル、更に有利にはＣ2〜Ｃ8−ヒドロキシアルケニ
ル、Ｃ5〜Ｃ20−シクロアルキルアルケニル、有利には
Ｃ5〜Ｃ12−シクロアルキルアルケニル、更に有利には
Ｃ5〜Ｃ12−シクロアルキルアルケニルを表し、Ｒ4およ
びＲ5が水素原子を表す。
20−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ8−アルキル、更に有利
にはＣ1〜Ｃ4−アルキル、たとえばメチル、エチル、ｎ
−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、
ｓ−ブチルおよびｔ−ブチル、Ｃ3〜Ｃ12−シクロアル
キル、有利にはＣ3〜Ｃ8−シクロアルキル、更に有利に
はＣ5〜Ｃ8−シクロアルキル、たとえばシクロペンチル
およびシクロヘキシル、Ｃ4〜Ｃ20−シクロアルキルア
ルキル、有利にはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキ
ル、更に有利にはＣ4〜Ｃ8−シクロアルキルアルキル、
例えばシクロヘキシルメチルおよびシクロヘキシルエチ
ル、アリール、たとえばフェニル、１−ナフチルおよび
２−ナフチル、有利にはフェニル、Ｃ7〜Ｃ20−アラル
キル、有利にはＣ7〜Ｃ12−フェニルアルキル、更に有
利にはベンジル、フェニルメチル、およびフェニルエチ
ル、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ2〜Ｃ8−ジアルキルアミ
ノ、Ｃ1〜Ｃ8−アルコキシ、ヒドロキシ、Ｃ3〜Ｃ8−シ
クロアルキルまたはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキ
ルにより１〜５置換されたアリール、Ｃ1〜Ｃ4−アルキ
ル、Ｃ2〜Ｃ4−ジアルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキ
シ、ヒドロキシ、Ｃ5〜Ｃ8−シクロアルキル、またはＣ
4〜Ｃ8−シクロアルキルアルキルにより１〜３置換され
たフェニル、たとえばメチルフェニル、ジメチルフェニ
ルおよびトリメチルフェニル、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ
2〜Ｃ8−ジアルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ8−アルコキシ、ヒ
ドロキシ、Ｃ3〜Ｃ8−シクロアルキルまたはＣ4〜Ｃ12
−シクロアルキルアルキルにより１〜５置換されたＣ7
〜Ｃ20−アラルキル、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、Ｃ2〜Ｃ4−
ジアルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ヒドロキ
シ、Ｃ5〜Ｃ8−シクロアルキルまたはＣ4〜Ｃ8−シクロ
アルキルアルキルにより１〜３置換されたＣ7〜Ｃ20−
アラルキル、たとえば３，４−ジメトキシフェニルエチ
ルを表すかまたは、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、Ｃ2〜Ｃ20−
ジアルキルアミノ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、有利にはＣ2
〜Ｃ10−ジアルキルアミノ−Ｃ2〜Ｃ7−アルキル、たと
えばジメチルアミノエチル、ジメチルアミノプロピル、
ジメチルアミノブチル、ジメチルアミノペンチル、ジメ
チルアミノヘキシル、ジメチルアミノヘプチル、ジエチ
ルアミノエチル、ジエチルアミノプロピル、ジエチルア
ミノブチル、ジエチルアミノペンチル、ジエチルアミノ
ヘキシル、ジエチルアミノヘプチル、ジプロピルアミノ
エチル、ジプロピルアミノプロピル、ジプロピルアミノ
ブチル、ジプロピルアミノペンチル、ジプロピルアミノ
ヘキシル、ジプロピルアミノヘプチル、Ｃ1〜Ｃ10−ア
ルコキシ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ6−
アルコキシ−Ｃ2〜Ｃ5−アルキル、たとえばメトキシエ
チル、メトキシプロピル、エトキシエチル、エトキシプ
ロピル、プロポキシエチルおよびプロポキシプロピル、
Ｃ2〜Ｃ20−ヒドロキシアルキル、有利にはＣ1〜Ｃ8−
ヒドロキシアルキル、更に有利にはＣ1〜Ｃ4−ヒドロキ
シアルキル、たとえばヒドロキシメチル、２−ヒドロキ
シエチル、２−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシプ
ロピル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、有利にはＣ2〜Ｃ8−
アルケニル、更に有利にはＣ2〜Ｃ4−アルケニル、たと
えばビニルおよびアリル、Ｃ4〜Ｃ30−ジアルキルアミ
ノアルケニル、有利にはＣ4〜Ｃ16−ジアルキルアミノ
アルケニル、更に有利にはＣ4〜Ｃ12−ジアルキルアミ
ノアルケニル、Ｃ3〜Ｃ30−アルコキシアルケニル、有
利にはＣ3〜Ｃ16−アルコキシアルケニル、更に有利に
はＣ3〜Ｃ12−アルコキシアルケニル、Ｃ3〜Ｃ20−ヒド
ロキシアルケニル、有利にはＣ2〜Ｃ8−ヒドロキシアル
ケニル、更に有利にはＣ2〜Ｃ8−ヒドロキシアルケニ
ル、Ｃ5〜Ｃ20−シクロアルキルアルケニル、有利には
Ｃ5〜Ｃ12−シクロアルキルアルケニル、更に有利には
Ｃ5〜Ｃ12−シクロアルキルアルケニルを表し、Ｒ4およ
びＲ5が水素原子を表す。
【００２４】第三アミンＩは、溶剤、抽出剤として、フ
ッ素化塩素化炭化水素を含まないポリウレタンフォーム
の触媒として、エポキシ樹脂の触媒として、腐食防止
剤、殺菌剤、除草剤および薬剤のための中間生成物とし
て適当である（Kirk-Othmer,Encyclopedia of Chemical
Technology,第２巻、１９７８、第３版、J.Wiley andS
ons,New York、２７９頁以下）。
ッ素化塩素化炭化水素を含まないポリウレタンフォーム
の触媒として、エポキシ樹脂の触媒として、腐食防止
剤、殺菌剤、除草剤および薬剤のための中間生成物とし
て適当である（Kirk-Othmer,Encyclopedia of Chemical
Technology,第２巻、１９７８、第３版、J.Wiley andS
ons,New York、２７９頁以下）。
【００２５】
例１ ジメチルシクロヘキシルアミン９５％、メチルシクロヘ
キシルアミン２．５％およびシクロヘキシルアミン２．
５％の混合物に、ＮＨ官能基１モルに対してメチルホル
メート１．１モルを加え、その後混合物を２時間加熱し
て沸騰させた。蒸留の後で、９９．５％より高い純度を
有するジメチルシクロヘキシルアミンが９７％より高い
収率で得られた。
キシルアミン２．５％およびシクロヘキシルアミン２．
５％の混合物に、ＮＨ官能基１モルに対してメチルホル
メート１．１モルを加え、その後混合物を２時間加熱し
て沸騰させた。蒸留の後で、９９．５％より高い純度を
有するジメチルシクロヘキシルアミンが９７％より高い
収率で得られた。
【００２６】例２ 種々の第一および第二アミンを有する未精製のテトラメ
チルヘキサメチレンジアミンの粗製混合物に、ＮＨ官能
基１モルに対してメチルホルメート１．１モルを加え、
混合物を２時間で９０℃に加熱した。蒸留の後で、テト
ラメチルヘキサメチレンジアミンが第一および第二アミ
ンを含まない形で得られた。
チルヘキサメチレンジアミンの粗製混合物に、ＮＨ官能
基１モルに対してメチルホルメート１．１モルを加え、
混合物を２時間で９０℃に加熱した。蒸留の後で、テト
ラメチルヘキサメチレンジアミンが第一および第二アミ
ンを含まない形で得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クラウス ペーター シュタートラー ドイツ連邦共和国 ノイシュタット イム デッペルター 11
Claims (1)
- 【請求項１】 第一および第二アミンから、一般式Ｉ： 【化１】 ［式中、 Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ2〜Ｃ
20−ジアルキルアミノ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、Ｃ1〜Ｃ
10−アルコキシ−Ｃ2〜Ｃ10−アルキル、Ｃ2〜Ｃ20−ヒ
ドロキシアルキル、Ｃ3〜Ｃ12−シクロアルキル、Ｃ4〜
Ｃ20−シクロアルキルアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニ
ル、Ｃ4〜Ｃ30−ジアルキルアミノアルケニル、Ｃ3〜Ｃ
30−アルコキシアルケニル、Ｃ3〜Ｃ20−ヒドロキシア
ルケニル、Ｃ5〜Ｃ20−シクロアルキルアルケニル、ま
たはＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ2〜Ｃ8−ジアルキルアミ
ノ、Ｃ1〜Ｃ8−アルコキシ、ヒドロキシ、Ｃ3〜Ｃ8−シ
クロアルキルまたはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキ
ルにより１〜５置換されていてもよいアリールまたはＣ
7〜Ｃ20−アラルキルを表す］で示される第三アミンを
精製する方法において、第三アミンおよび第一および第
二アミンを含有する精製すべき混合物を、一般式ＩＩ： 【化２】 ［式中、 Ｒ4およびＲ5は水素原子、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ3〜
Ｃ12−シクロアルキル、Ｃ4〜Ｃ20−シクロアルキルア
ルキル、またはＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ3〜Ｃ8−シクロ
アルキルまたはＣ4〜Ｃ12−シクロアルキルアルキルに
より１〜５置換されていてもよいアリールまたはＣ7〜
Ｃ20−アラルキルを表す］で示されるカルボキシレート
を使用して０〜２００℃の温度範囲で、１〜２００バー
ルの圧力で処理することを特徴とする、第三アミンの精
製法。
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