[go: up one dir, main page]

JPH07162206A - Filter device with resonator - Google Patents

Filter device with resonator

Info

Publication number
JPH07162206A
JPH07162206A JP34057393A JP34057393A JPH07162206A JP H07162206 A JPH07162206 A JP H07162206A JP 34057393 A JP34057393 A JP 34057393A JP 34057393 A JP34057393 A JP 34057393A JP H07162206 A JPH07162206 A JP H07162206A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transmission line
circuit
filter
band
length
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP34057393A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Kazama
智 風間
Tatsuya Imaizumi
達也 今泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP34057393A priority Critical patent/JPH07162206A/en
Publication of JPH07162206A publication Critical patent/JPH07162206A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make a shift to a passing band abrupt by specifying the length of a distribution constant type transmission line connected between plural trap circuits consisting of series circuits of dielectric resonators and capacitances. CONSTITUTION:A band-pass filter consists of 1st and 2nd TEM-mode coaxial type dielectric resonators 1 and 2 and a multi-layered substrate 3 having a conductor layer and a ground conductor layer for a capacitor in combination. Here, an equivalent circuit of the filter is composed of the 1st and 2nd trap circuits 11 and 12 and the distribution constant type transmission line 13, the circuit 11 consists of the series circuit of the 1st resonator 1 and the capacitance C1 using the capacitor, and the circuit 12 also consists of the series circuit of the 2nd resonator 2 and the capacitance C2, and the circuit 11 is parallel between an input terminal 14 and a ground terminal 15 and the circuit 12 is parallel to the circuit 11 through the transmission line 13. The length D of the transmission line 13 is set to D=A+(lambda/2)n. Here, lambda is the wavelength of a basic wave having the center frequency of a stopping band, (n) is 0 or a plus integer, and A is a value different from 1/4 of the wavelength lambda.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は複数の誘電体共振器を含
むバンドストップフィルタ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a band stop filter device including a plurality of dielectric resonators.

【0002】[0002]

【従来の技術】誘電体共振器とコンデンサとの直列回路
から成るトラップ回路の複数個を信号伝送線路とグラン
ドとの間に接続し、複数個のトラップ回路の相互間の伝
送線路長をλ/4(但し、λは基本波周波数信号の波
長)に設定したバンドストップフィルタは、例えば実開
昭58−16903号公報に開示されている。
2. Description of the Related Art A plurality of trap circuits consisting of a series circuit of a dielectric resonator and a capacitor are connected between a signal transmission line and a ground, and the transmission line length between the plurality of trap circuits is λ / A band stop filter set to 4 (where λ is the wavelength of the fundamental frequency signal) is disclosed in, for example, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 58-16903.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のバ
ンドストップフィルタの周波数特性において、通過帯域
から阻止帯域への変化が急峻であることが望ましい。こ
の急峻の特性を得る方法として、前述の誘電体共振器と
コンデンサとの直列回路から成るトラップ回路の数を増
加させる方法がある。しかし、この方法を採用すると、
部品点数の増加によるコストの上昇及びフィルタ装置の
大型化の問題が生じる。
By the way, in the frequency characteristics of this type of band stop filter, it is desirable that the change from the pass band to the stop band is steep. As a method of obtaining this steep characteristic, there is a method of increasing the number of trap circuits composed of a series circuit of the above-mentioned dielectric resonator and capacitor. However, if this method is adopted,
Due to the increase in the number of parts, there is a problem that the cost is increased and the filter device is enlarged.

【0004】そこで、本発明の目的は、急峻な特性を有
するバンドストップフィルタ装置のコストの低減及び寸
法の縮小を図ることにある。
Therefore, an object of the present invention is to reduce the cost and size of a band stop filter device having steep characteristics.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、誘電体共振器とキャパシタンスとの直列回
路から成るトラップ回路の複数個と、前記複数個のトラ
ップ回路の相互間に接続されたLC分布定数型伝送線路
とを備え、前記伝送線路の長さが、A+(λ/2)n
(但し、ここでλは阻止すべき基本波の波長、nは零又
は正の整数、Aは波長λの1/4と異なる値)に設定さ
れていることを特徴とするバンドストップフィルタ装置
に係わるものである。なお、請求項2に示すように伝送
線路はストリップラインにすることが望ましい。また、
請求項3に示すようにAの値は、波長λの1/4よりも
小さく、1/50以上であること、又は請求項4に示す
ように波長λの1/4よりも大きく、9/20以下であ
ることが望ましい。また、請求項5に示すように請求項
1のAをA1 (但し、A1 はλ/4よりも小さい値)に
設定した第1のフィルタと、AをA2(但しA2 はλ/4
よりも大きい値)に設定した第2のフィルタとの組み合
せでバンドストップフィルタを構成することができる。
According to the present invention for achieving the above object, a plurality of trap circuits each comprising a series circuit of a dielectric resonator and a capacitance are connected to each other and the plurality of trap circuits are connected to each other. LC distributed constant type transmission line, wherein the length of the transmission line is A + (λ / 2) n
(Where λ is the wavelength of the fundamental wave to be blocked, n is zero or a positive integer, and A is a value different from ¼ of the wavelength λ). It is related. It is desirable that the transmission line be a strip line as described in claim 2. Also,
As shown in claim 3, the value of A is smaller than 1/4 of the wavelength λ and is 1/50 or more, or is larger than 1/4 of the wavelength λ and 9 / It is preferably 20 or less. Further, as shown in claim 5, A of claim 1 is set to A1 (where A1 is a value smaller than λ / 4) and A is set to A2 (where A2 is λ / 4).
A band stop filter can be configured by combining with a second filter set to a larger value).

【0006】[0006]

【発明の作用及び効果】本発明に従って、Aの値をλ/
4よりも大きくすると、伝送線路が等価的にキャパシタ
ンスになり、このキャパシタンスとトラップ回路と新し
い共振回路が形成される。この結果、阻止帯域の中心周
波数よりも高域側において阻止帯域から通過帯域へ移行
する周波数特性カーブが急峻になる。また、上記とは逆
に、Aの値をλ/4よりも小さくすると、伝送線路が等
価的にインダクタンスとなり、このインダクタンスとト
ラップ回路とによって新しい共振回路が形成される。こ
の結果、阻止帯域の中心周波数よりも低域側において阻
止帯域から通過帯域へ移行する周波数特性カーブが急峻
になる。従って、請求項1〜4の発明によれば、阻止帯
域が高域側の通過帯域への移り変り又は阻止帯域から低
域側の通過帯域への移り変りが急峻なバンドストップフ
ィルタ装置を提供することができる。また、請求項5の
発明によれば、阻止帯域の高域側と低域側との両方を急
峻にすることができる。
According to the present invention, the value of A is set to λ /
When it is larger than 4, the transmission line becomes a capacitance equivalently, and this capacitance, a trap circuit and a new resonance circuit are formed. As a result, the frequency characteristic curve transitioning from the stop band to the pass band becomes steeper on the higher frequency side than the center frequency of the stop band. On the contrary, when the value of A is smaller than λ / 4, the transmission line equivalently becomes an inductance, and a new resonance circuit is formed by this inductance and the trap circuit. As a result, the frequency characteristic curve transitioning from the stop band to the pass band becomes steeper on the low frequency side of the center frequency of the stop band. Therefore, according to the first to fourth aspects of the invention, it is possible to provide a band stop filter device in which the stop band has a sharp transition to the high-pass band or the transition from the stop band to the low-pass band. it can. Further, according to the invention of claim 5, both the high band side and the low band side of the stop band can be made steep.

【0007】[0007]

【第1の実施例】次に、図1〜図17を参照して本発明
の第1の実施例のTEMモード誘電体共振器を含むバン
ドストップフィルタを説明する。このバンドストップフ
ィルタは図1に示すようにTEMモード同軸型の第1及
び第2の誘電体共振器1、2と、キャパシタンス(コン
デンサ)のための導体層及びグランド導体層等を有する
多層基板3との組み合せによって構成されている。第1
及び第2の誘電体共振器1、2は、図3から明らかなよ
うに比誘電率が約88の柱状又は円筒状磁器から成る誘
電体4と、共振孔5内に設けられた内導体6と、誘電体
4の外周面7に設けられた外導体8とから成る。なお、
内導体6に連続的に接続導体9が設けられている。この
接続導体9は誘電体4の一方の端面を通って外周面7ま
で延在している。また、誘電体4の他方の端面上には内
導体6を外導体8に接続するための短絡導体10が設け
られている。内導体6と、外導体8と、接続導体9と、
短絡導体10は夫々銀ペーストを塗布して焼き付けた導
電体膜又は銅メッキ等で構成することができる。
[First Embodiment] A band stop filter including a TEM mode dielectric resonator according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, this band stop filter is a multi-layer substrate 3 having first and second TEM mode coaxial type dielectric resonators 1 and 2, and a conductor layer for capacitance (capacitor) and a ground conductor layer. It is composed of a combination of. First
As is clear from FIG. 3, the second dielectric resonators 1 and 2 are made of a columnar or cylindrical porcelain having a relative permittivity of about 88, and an inner conductor 6 provided in the resonance hole 5. And an outer conductor 8 provided on the outer peripheral surface 7 of the dielectric 4. In addition,
A connection conductor 9 is continuously provided on the inner conductor 6. The connecting conductor 9 extends to the outer peripheral surface 7 through one end surface of the dielectric 4. A short-circuit conductor 10 for connecting the inner conductor 6 to the outer conductor 8 is provided on the other end surface of the dielectric 4. An inner conductor 6, an outer conductor 8, a connecting conductor 9,
Each of the short-circuit conductors 10 can be composed of a conductor film coated with silver paste and baked, or copper plating or the like.

【0008】第1及び第2の共振器1、2と多層基板3
は、図6に示す等価回路を得るように構成されている。
図6のバンドストップフィルタは、第1及び第2のトラ
ップ回路11、12と分布定数型伝送線路13とから成
る。第1のトラップ回路11は第1の共振器1とキャパ
シタンスC1 との直列回路から成る。第2のトラップ回
路12は第2の共振器2とキャパシタンスC2 との直列
回路から成る。第1及び第2の共振器1、2はキャパシ
タンスCとインダクタンスLとの並列回路で示されてい
る。第1のトラップ回路11は入力端子14とグランド
端子15との間に接続されている。第2のトラップ回路
12は伝送線路13を介して第1のトラップ回路11に
並列に接続されている。即ち、長さDを有する伝送線路
13は入力端子14と出力端子16との間に直列に接続
され且つ第1及び第2のトラップ回路11、12の相互
間に接続されている。伝送線路13の長さDは、このフ
ィルタの阻止帯域の中心周波数を有する基本波の波長λ
の1/4よりも大きく設定されている。即ち、長さDは
A+(λ/2)nで示される式において、nを零とし、
Aをλ/4よりも大きい値にした長さに設定されてい
る。
The first and second resonators 1 and 2 and the multilayer substrate 3
Are configured to obtain the equivalent circuit shown in FIG.
The band stop filter of FIG. 6 includes first and second trap circuits 11 and 12 and a distributed constant type transmission line 13. The first trap circuit 11 comprises a series circuit of the first resonator 1 and the capacitance C1. The second trap circuit 12 comprises a series circuit of the second resonator 2 and the capacitance C2. The first and second resonators 1 and 2 are shown as a parallel circuit of a capacitance C and an inductance L. The first trap circuit 11 is connected between the input terminal 14 and the ground terminal 15. The second trap circuit 12 is connected in parallel to the first trap circuit 11 via the transmission line 13. That is, the transmission line 13 having the length D is connected in series between the input terminal 14 and the output terminal 16 and between the first and second trap circuits 11 and 12. The length D of the transmission line 13 is determined by the wavelength λ of the fundamental wave having the center frequency of the stop band of this filter.
Is set to be larger than 1/4. That is, the length D is expressed by A + (λ / 2) n, where n is zero,
The length is set so that A has a value larger than λ / 4.

【0009】図6のフィルタ回路を構成するための多層
基板3は図1で鎖線で区分して示すように第1及び第2
の誘電体層3a、3bと各種の導体層とを有する。多層
基板3は第1及び第2の誘電体層3a、3bを得るため
のグリーンシート(未焼成磁器シート)に導電性ペース
トを所定パターンに夫々塗布して積層し、焼成したもの
であり、焼成後においては第1及び第2の誘電体層3
a、3bは一体化されているが、ここでは説明の都合上
区分されている。
The multi-layer substrate 3 for constructing the filter circuit of FIG. 6 is divided into first and second layers as shown in FIG.
Of dielectric layers 3a and 3b and various conductor layers. The multilayer substrate 3 is obtained by applying a conductive paste to a green sheet (unfired porcelain sheet) for obtaining the first and second dielectric layers 3a and 3b by applying a conductive paste in a predetermined pattern and laminating and firing. Later on the first and second dielectric layers 3
Although a and 3b are integrated, they are separated here for convenience of description.

【0010】多層基板3の表面17即ち第1の誘電体層
3aの表面には図3に示すようにグランド導体層18と
第1及び第2の接続及びキャパシタンス用導体層19、
20とが設けられている。グランド導体層18は第1及
び第2の共振器1、2の外導体8に対応する部分を有し
て表面17の多くの部分を覆うように形成され、ここに
は図1に示すように半田21によって第1及び第2の共
振器1、2の外導体8が夫々固着されている。第1及び
第2の接続及びキャパシタンス用導体層19、20は第
1及び第2の共振器1、2の接続導体9に対応するよう
に配置され、これ等が半田22で夫々固着されている。
第1の誘電体層3aのグランド導体層18の下にはヴィ
ア(Via)ホール23、24が誘電体層3aの表面か
ら裏面に至るように設けられ、ここには導体が充填され
ている。
On the surface 17 of the multi-layer substrate 3, that is, the surface of the first dielectric layer 3a, as shown in FIG. 3, the ground conductor layer 18 and the conductor layers 19 for the first and second connection and capacitance,
And 20 are provided. The ground conductor layer 18 has a portion corresponding to the outer conductor 8 of the first and second resonators 1 and 2, and is formed so as to cover most of the surface 17, and as shown in FIG. The outer conductors 8 of the first and second resonators 1 and 2 are fixed to each other by the solder 21. The first and second connection and capacitance conductor layers 19 and 20 are arranged so as to correspond to the connection conductors 9 of the first and second resonators 1 and 2, and these are fixed by solder 22 respectively. .
Under the ground conductor layer 18 of the first dielectric layer 3a, via holes 23 and 24 are provided from the front surface to the back surface of the dielectric layer 3a, and are filled with conductors.

【0011】第2の誘電体層3bの表面25には図4に
示すようにグランド接続用導体層26、27、キャパシ
タンス用導体層28、29、及び伝送線路用導体層30
が設けられている。グランド導体層26、、27は図3
のヴィアホール23、24に対応するように配置され、
ここに充填された導体によって表面17のグランド導体
層18に接続されている。キャパシタンス用導体層2
8、29は第1の誘電体層3aの第1及び第2の接続及
びキャパシタンス用導体層19、20に対向配置され、
図6の第1及び第2のキャパシタンスC1 、C2 を形成
する。伝送線路用導体層30は第1及び第2のキャパシ
タンス用導体層28、29間を接続するように配設さ
れ、この長さ(道のり)DはD>λ/4の条件を満足す
るように設定されている。なお、伝送線路用導体層30
は第1の誘電体層3aを介してグランド導体層18に対
向しているので、ストリップライン即ち分布定数伝送線
路として機能し、TEMモード伝送線路13を提供す
る。
As shown in FIG. 4, on the surface 25 of the second dielectric layer 3b, the conductor layers 26 and 27 for ground connection, the conductor layers 28 and 29 for capacitance, and the conductor layer 30 for transmission line are provided.
Is provided. The ground conductor layers 26, 27 are shown in FIG.
It is arranged so as to correspond to the via holes 23 and 24 of
It is connected to the ground conductor layer 18 on the surface 17 by the conductor filled therein. Capacitance conductor layer 2
8 and 29 are arranged to face the first and second connection and capacitance conductor layers 19 and 20 of the first dielectric layer 3a,
Form the first and second capacitances C1 and C2 of FIG. The transmission line conductor layer 30 is disposed so as to connect between the first and second capacitance conductor layers 28 and 29, and the length (path) D thereof satisfies the condition of D> λ / 4. It is set. The conductor layer 30 for the transmission line
Faces the ground conductor layer 18 via the first dielectric layer 3a, and thus functions as a strip line, that is, a distributed constant transmission line, and provides the TEM mode transmission line 13.

【0012】第2の誘電体層3bのグランド接続用導体
層26、27の下にはヴィアホール31、32が設けら
れ、キャパシタンス用導体層28、29の下にはヴィア
ホール33、34が設けられ、導体が充填されている。
第2の誘電体層3bの裏面35即ち多層基板3の裏面に
は図5に示すようにグランド端子導体層36と入力端子
導体層37と出力端子導体層38とが設けられている。
グランド導体層端子36はヴィアホール23、24、3
1、32の導体によって表面のグランド導体層18に接
続されている。入力及び出力端子導体層37、38はヴ
ィアホール33、34の導体によってキャパシタンス用
導体層28、29に接続されている。図5の裏面35の
グランド端子導体層36、入力端子導体層37及び出力
端子導体層38は図6の回路のグランド端子15、入力
端子14及び出力端子16に対応している。
Via holes 31 and 32 are provided below the conductor layers 26 and 27 for ground connection of the second dielectric layer 3b, and via holes 33 and 34 are provided below the conductor layers 28 and 29 for capacitance. Filled with conductor.
As shown in FIG. 5, a ground terminal conductor layer 36, an input terminal conductor layer 37, and an output terminal conductor layer 38 are provided on the back surface 35 of the second dielectric layer 3b, that is, the back surface of the multilayer substrate 3.
The ground conductor layer terminal 36 has via holes 23, 24, 3
The conductors 1 and 32 are connected to the ground conductor layer 18 on the surface. The input and output terminal conductor layers 37 and 38 are connected to the capacitance conductor layers 28 and 29 by the conductors of the via holes 33 and 34. The ground terminal conductor layer 36, the input terminal conductor layer 37, and the output terminal conductor layer 38 on the back surface 35 of FIG. 5 correspond to the ground terminal 15, the input terminal 14, and the output terminal 16 of the circuit of FIG.

【0013】図7の実線A1 は、図6のバンドストップ
フィルタの周波数と減衰量の関係を示す特性曲線であ
り、点線B1 は図6の伝送線路13の長さDをλ/4と
した従来のフィルタの特性曲線である。なお、図6の各
部の定数を詳しく示すと、第1の共振器1の共振周波数
f1 は923MHz、第2の共振器2の共振周波数f2
は923MHz、キャパシタンスC1 の容量は2pF、
キャパシタンスC2 の容量は2pF、伝送線路13の長
さDは0.2777λ(但し、λは1000MHzの基
本波の波長)、伝送線路13の特性インピ−ダンスZ0
は50Ωである。
A solid line A1 in FIG. 7 is a characteristic curve showing the relationship between the frequency and the attenuation amount of the band stop filter in FIG. 6, and a dotted line B1 is a conventional curve in which the length D of the transmission line 13 in FIG. 6 is λ / 4. 3 is a characteristic curve of the filter of FIG. 6 shows in detail the constants of the respective parts, the resonance frequency f1 of the first resonator 1 is 923 MHz, and the resonance frequency f2 of the second resonator 2 is f2.
Is 923 MHz, the capacitance of capacitance C1 is 2 pF,
The capacitance of the capacitance C2 is 2 pF, the length D of the transmission line 13 is 0.2777λ (where λ is the wavelength of the fundamental wave of 1000 MHz), and the characteristic impedance Z0 of the transmission line 13 is
Is 50Ω.

【0014】図7の実線A1 の本発明に従う特性曲線は
点線B1 で示す従来の特性曲線に比べて阻止帯域(減衰
帯域)の中心周波数f0 ′の高域側における立上りが急
峻であり、低域側の立上りが緩やかである。従って、高
域側で急峻に立上ることが要求される回路に使用するこ
とができる。
The characteristic curve of the solid line A1 in FIG. 7 according to the present invention has a steeper rise on the high frequency side of the center frequency f0 'of the stop band (attenuation band) and a lower frequency band than the conventional characteristic curve shown by the dotted line B1. The rising on the side is gentle. Therefore, it can be used in a circuit which is required to rise steeply on the high frequency side.

【0015】図8は図4の伝送線路導体層30の長さD
をλ/4よりも短くした他は図1〜図5と同一構成のバ
ンドストップフィルタの等価回路を示す。このように構
成したフィルタの特性曲線は図9の実線A2 となる。な
お、図9には比較のために伝送線路13の長さDをλ/
4に設定した従来のフィルタの特性曲線が点線B1 で示
されている。図8の各部において、伝送線路13の長さ
D以外の各部の定数は図6と同一であり、Dは0.16
66λである。
FIG. 8 shows the length D of the transmission line conductor layer 30 of FIG.
1 shows an equivalent circuit of a band stop filter having the same configuration as that of FIGS. 1 to 5 except that is shorter than λ / 4. The characteristic curve of the filter constructed in this way becomes a solid line A2 in FIG. In FIG. 9, the length D of the transmission line 13 is λ /
The characteristic curve of the conventional filter set to 4 is shown by the dotted line B1. In each part of FIG. 8, the constants of each part other than the length D of the transmission line 13 are the same as those in FIG. 6, and D is 0.16.
66λ.

【0016】図9の実線A2 で示す本発明に従う特性曲
線は点線B1 で示す従来の特性曲線に比べて、阻止帯域
(減衰帯域)の中心周波数f0 ′よりも低域側における
立上りが急峻であり、高域側において立上りが緩やかで
ある。従って、低域側において急峻な立上りを要求する
回路に適する。
The characteristic curve according to the present invention shown by the solid line A2 in FIG. 9 has a steeper rise on the low frequency side than the center frequency f0 'of the stop band (attenuation band) as compared with the conventional characteristic curve shown by the dotted line B1. , The rising is gentle on the high frequency side. Therefore, it is suitable for a circuit that requires a sharp rise on the low frequency side.

【0017】次に、伝送線路13の長さDを変えること
によって周波数特性が変化する理由を図10〜図19を
参照して説明する。図10は第1及び第2のトラップ回
路11、12のみを示し、図11は図10の回路の周波
数fとリアクタンスXとの関係を示す。各トラップ回路
11、12の共振周波数はf10であり、各誘電体共振器
1、2の共振周波数はf20である。各トラップ回路1
1、12は、この共振周波数f10でリアクタンスXがゼ
ロになり、最大の減衰を示す。共振周波数f10よりも低
域側においてはリアクタンスXがマイナスになる。これ
は各トラップ回路11、12がキャパシタンスとして働
いていることを意味する。逆に、共振周波数f10よりも
高域側ではリアクタンスXがプラスになる。これは各ト
ラップ回路11、12がインダクタンスとして働いてい
ることを意味する。
Next, the reason why the frequency characteristic changes by changing the length D of the transmission line 13 will be described with reference to FIGS. 10 shows only the first and second trap circuits 11 and 12, and FIG. 11 shows the relationship between the frequency f and the reactance X of the circuit of FIG. The resonance frequency of each of the trap circuits 11 and 12 is f10, and the resonance frequency of each of the dielectric resonators 1 and 2 is f20. Each trap circuit 1
The reactances X of Nos. 1 and 12 are zero at this resonance frequency f10 and show maximum attenuation. The reactance X becomes negative on the low frequency side of the resonance frequency f10. This means that each trap circuit 11 and 12 acts as a capacitance. On the contrary, the reactance X becomes positive on the higher frequency side than the resonance frequency f10. This means that each of the trap circuits 11 and 12 works as an inductance.

【0018】ストリップライン(分布定数回路)から成
る伝送線路13の図12の端子14と15の間のリアク
タンスXは周波数によって図13に示すように変化し、
伝送線路13の長さがλ/4においてリアクタンスXは
無限大になり、伝送線路13の長さをλ/4よりも短い
とリアクタンスがプラスになってインダクタンスLとし
て機能し、また伝送線路13の長さがλ/4よりも長と
リアクタンスがマイナスになってキャパシタンスCとし
て機能する。伝送線路13の長さがλ/4又はこの近傍
においては、端子14、15間のリアクタンスが無限大
又は極めて大きな値になるので、第1及び第2のトラッ
プ回路11、12の相互の影響を無視することが可能に
なる。
The reactance X between the terminals 14 and 15 in FIG. 12 of the transmission line 13 consisting of a strip line (distributed constant circuit) changes with frequency as shown in FIG.
When the length of the transmission line 13 is λ / 4, the reactance X becomes infinite, and when the length of the transmission line 13 is shorter than λ / 4, the reactance becomes positive and functions as the inductance L. If the length is longer than λ / 4 and the reactance becomes negative, the capacitance C functions. When the length of the transmission line 13 is λ / 4 or in the vicinity thereof, the reactance between the terminals 14 and 15 has an infinite value or an extremely large value, so that the mutual influence of the first and second trap circuits 11 and 12 is prevented. It becomes possible to ignore.

【0019】なお、伝送線路13の長さをA+(λ/
2)nに設定する場合もAを上述のように設定すると、
同一の作用効果が得られる
The length of the transmission line 13 is A + (λ /
2) If A is set as described above even when setting to n,
The same effect can be obtained

【0020】バンドストップフィルタの入力信号が阻止
帯域の周波数であって、第2のトラップ回路12のリア
クタンスXが共振によってゼロになり、且つ抵抗成分も
ゼロであると仮定すると、伝送線路13の出力端は図1
2に示すようにグランドに接続された状態になる。従っ
て、第1のトラップ回路11に対して伝送線路13が並
列に接続された回路状態になる。次に、このような回路
状態において伝送線路13の長さDを変化させた場合の
周波数特性を説明する。
Assuming that the input signal of the band stop filter has a stop band frequency, the reactance X of the second trap circuit 12 becomes zero due to resonance, and the resistance component is also zero, the output of the transmission line 13 Figure 1 at the end
As shown in 2, it is connected to the ground. Therefore, a circuit state in which the transmission line 13 is connected in parallel to the first trap circuit 11 is established. Next, the frequency characteristics when the length D of the transmission line 13 is changed in such a circuit state will be described.

【0021】図14は伝送線路13の長さDを従来と同
様にλ/4とした場合の等価回路を示す。この場合には
伝送線路13のリアクタンスが阻止帯域又はこの近傍で
大きいので、第1のトラップ回路11のみと考えること
ができ、図15に示す周波数特性を示す。
FIG. 14 shows an equivalent circuit in the case where the length D of the transmission line 13 is λ / 4 as in the conventional case. In this case, since the reactance of the transmission line 13 is large in the stop band or in the vicinity thereof, it can be considered that only the first trap circuit 11 has the frequency characteristic shown in FIG.

【0022】本発明に従って、伝送線路13の長さDを
λ/4よりも長くすると、図12及び図13で説明した
ように伝送線路13をキャパシタンスCと見なすことが
でき、図16に示すように第1のトラップ回路11にこ
のキャパシタンスCが並列接続された状態になる。これ
により、第1のトラップ回路11と伝送線路13に基づ
くキャパシタンスCとの組み合せの共振が図17の阻止
帯域中心周波数f0 よりも高域側の周波数fa で発生す
る。この結果、阻止帯域の高域側の立上りのカーブが実
線で示すように急峻になる。なお、図17において点線
で示す特性曲線は比較のために示す図15と同一の特性
曲線である。
According to the present invention, when the length D of the transmission line 13 is made longer than λ / 4, the transmission line 13 can be regarded as the capacitance C as described with reference to FIGS. 12 and 13, and as shown in FIG. Then, the capacitance C is connected in parallel to the first trap circuit 11. As a result, the resonance of the combination of the first trap circuit 11 and the capacitance C based on the transmission line 13 occurs at the frequency fa higher than the stop band center frequency f0 in FIG. As a result, the rising curve on the high frequency side of the stop band becomes steep as shown by the solid line. The characteristic curve shown by the dotted line in FIG. 17 is the same characteristic curve as that shown in FIG. 15 for comparison.

【0023】伝送線路13の長さDをλ/4よりも短く
すると、伝送線路13は等価的にインダクタンスLとな
る。従って、この場合の共振周波数近傍においての等価
回路は図18になる。これにより、第1のトラップ回路
11と伝送線路13のインダクタンスLとの並列回路か
ら成る共振回路が形成され、この共振が図19で実線で
示すように阻止帯域の中心周波数f0 よりも低域側の周
波数fb で生じ、阻止帯域の低域側の立上りが急峻にな
る。なお、比較のために図19に図15と同一の特性曲
線が点線で示されている。
When the length D of the transmission line 13 is made shorter than λ / 4, the transmission line 13 becomes the inductance L equivalently. Therefore, the equivalent circuit in the vicinity of the resonance frequency in this case is as shown in FIG. As a result, a resonance circuit composed of a parallel circuit of the first trap circuit 11 and the inductance L of the transmission line 13 is formed, and this resonance is lower than the center frequency f0 of the stop band as shown by the solid line in FIG. Occurs at the frequency fb, and the rising edge on the low frequency side of the stop band becomes sharp. For comparison, FIG. 19 shows the same characteristic curve as that of FIG. 15 by a dotted line.

【0024】上述から明らかなように本発明の実施例に
よれば、トラップ回路の数を増やすことのみに頼らない
で、阻止中心周波数の高域側又は低域側の立上りの曲線
を急峻にすることができる。即ち、コストの上昇及び大
型化させずに周波数特性を改善することができる。ま
た、この実施例では、第1及び第2の共振器1、2が互
いに反対の方向性を有して並置されているので、入力端
子間即ち導電層19、20間で空中を伝播して信号が洩
れることが防がれる。また、第1及び第2の共振器1、
2間にキャパシタンスC1 、C2 及び伝送線路13、多
層基板3を使用して形成することが容易になる。
As is apparent from the above, according to the embodiment of the present invention, the rising curve of the blocking center frequency on the high frequency side or the low frequency side is made sharp without relying only on increasing the number of trap circuits. be able to. That is, the frequency characteristics can be improved without increasing the cost and increasing the size. Further, in this embodiment, since the first and second resonators 1 and 2 are juxtaposed with directions opposite to each other, they propagate in the air between the input terminals, that is, between the conductive layers 19 and 20. Signal leakage is prevented. In addition, the first and second resonators 1,
It becomes easy to form between the two using the capacitances C1 and C2, the transmission line 13, and the multilayer substrate 3.

【0025】[0025]

【第2の実施例】次に、図20〜図24を参照して第2
の実施例のバンドストップフィルタを説明する。但し、
図20〜図24及び後述する図25〜図31において、
図1〜図9と共通する部分には同一の符号を付してその
説明を省略する。図20は第2の実施例のバンドストッ
プフィルタを示す。このフィルタは図1のフィルタに第
3の共振器40を付加したものである。第3の共振器4
0は第1及び第2の共振器1、2と同様に図2と同一に
構成されている。図3の共振器40を付加するために多
層基板3には第3の接続及びキャパシタンス用導体層4
1が付加され、ここに第3の共振器40の接続導体9が
半田(図示せず)で接続されている。
[Second Embodiment] Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.
The band stop filter of the embodiment will be described. However,
20 to 24 and FIGS. 25 to 31 described later,
The same parts as those in FIGS. 1 to 9 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. FIG. 20 shows a band stop filter according to the second embodiment. This filter is obtained by adding a third resonator 40 to the filter shown in FIG. Third resonator 4
0 has the same configuration as that of FIG. 2 like the first and second resonators 1 and 2. In order to add the resonator 40 of FIG. 3, the third connection and capacitance conductor layer 4 is provided on the multilayer substrate 3.
1 is added, and the connection conductor 9 of the third resonator 40 is connected thereto by solder (not shown).

【0026】多層基板3には図3〜図5と同一の方法で
図21のフィルタ回路を形成するための第1、第2及び
第3のキャパシタンスC1 、C2 、C3 と、第1及び第
2の伝送線路13、42が設けられている。図21のフ
ィルタ回路は図6のフィルタ回路に第2の伝送線路42
と第3のトラップ回路43とを付加したものである。第
3のトラップ回路43は第3の共振器40と第3のキャ
パシタンスC3 との直列回路から成り、第2の伝送線路
42の出力端子とグランド端子15との間に接続されて
いる。第2の伝送線路42は、第1の伝送線路13と同
様にストリップライン即ちLCの分布定数回路から成
り、第2及び第3のトラップ回路12、43の相互間に
接続されている。第1及び第2の伝送線路13、42の
長さD1 、D2 は共にλ/4(但し、λはフィルタの阻
止帯域の中心周波数の基本波の波長)よりも大きく形成
されている。
The multilayer substrate 3 has first, second and third capacitances C1, C2 and C3 for forming the filter circuit of FIG. 21 in the same manner as in FIGS. 3 to 5 and the first and second capacitances. Transmission lines 13 and 42 are provided. The filter circuit of FIG. 21 is similar to the filter circuit of FIG.
And a third trap circuit 43 are added. The third trap circuit 43 is composed of a series circuit of a third resonator 40 and a third capacitance C3, and is connected between the output terminal of the second transmission line 42 and the ground terminal 15. Like the first transmission line 13, the second transmission line 42 is composed of a strip line, that is, an LC distributed constant circuit, and is connected between the second and third trap circuits 12 and 43. The lengths D1 and D2 of the first and second transmission lines 13 and 42 are both formed to be larger than λ / 4 (where λ is the wavelength of the fundamental wave at the center frequency of the stop band of the filter).

【0027】図22の実線の曲線は図21のフィルタの
周波数特性を示す。但し、図21の各部の定数は次の通
りである。C1 =1.16pF、C2 =1.72pF、
C3=1.63pF、第1、第2及び第3の共振器1、
2、40の共振周波数f1 、f2 、f3 は823MH
z、826MHz、825MHz、第1及び第2の伝送
線路13、42の長さD1 、D2 は共に0.361λ
(但し、λは800MHzの波形の波長)である。図2
2の点線で示す曲線は比較のために図21のD1 及びD
2 をλ/4即ち0.25λとした時の周波数特性を示
す。この比較のための従来のフィルタの各部の定数は次
の通りである。C1 =1.20pF、C2 =2.00p
F、C3 =1.20pF、f1 =824MHz、f2 =
830MHz、f3 =824MHz、D1 =0.25
λ、D2 =0.25λ(但し、λは800MHzの波形
の波長)である。
The solid curve in FIG. 22 shows the frequency characteristic of the filter in FIG. However, the constants of each part in FIG. 21 are as follows. C1 = 1.16pF, C2 = 1.72pF,
C3 = 1.63 pF, the first, second and third resonators 1,
The resonance frequencies f1, f2 and f3 of 2, 40 are 823 MH.
z, 826 MHz, 825 MHz, and the lengths D1 and D2 of the first and second transmission lines 13 and 42 are both 0.361λ.
(Where λ is the wavelength of the waveform of 800 MHz). Figure 2
The curve indicated by the dotted line 2 is D1 and D in FIG. 21 for comparison.
The frequency characteristics when 2 is λ / 4, that is, 0.25λ are shown. The constants of each part of the conventional filter for this comparison are as follows. C1 = 1.20pF, C2 = 2.00p
F, C3 = 1.20 pF, f1 = 824 MHz, f2 =
830MHz, f3 = 824MHz, D1 = 0.25
λ, D2 = 0.25λ (where λ is the wavelength of the 800 MHz waveform).

【0028】図21のフィルタは、図22の実線の特性
曲線と点線の特性曲線との比較から明らかなように図6
のフィルタと同様な作用効果を有する。
The filter of FIG. 21 can be seen from the comparison between the solid line characteristic curve of FIG. 22 and the dotted line characteristic curve of FIG.
It has the same function and effect as the filter of.

【0029】図23は図21に示す構成のフィルタの伝
送線路13、42の長さD1 をλ/4即ち0.25λよ
りも短くしたフィルタを示す。この図23のフィルタの
周波数特性は図24の実線の曲線になる。図23の定数
は、C1 =1.59pF、C2 =3.42pF、C3 =
3.11pF、f1 =817MHz、f2 =860MH
z、f3 =883MHz、D1 =0.0833λ、D2
=0.118λ(但し、λは800MHzの波形の波
長)であった。なお、図24の点線の特性曲線は図22
の点線の特性曲線と同一のものを示す。
FIG. 23 shows a filter in which the length D1 of the transmission lines 13 and 42 of the filter shown in FIG. 21 is shorter than λ / 4, that is, 0.25λ. The frequency characteristic of the filter of FIG. 23 becomes the solid curve of FIG. The constants in FIG. 23 are C1 = 1.59 pF, C2 = 3.42 pF, C3 =
3.11pF, f1 = 817MHz, f2 = 860MH
z, f3 = 883 MHz, D1 = 0.0833λ, D2
= 0.118λ (where λ is the wavelength of the waveform of 800 MHz). The dotted characteristic curve in FIG. 24 is shown in FIG.
The same thing as the dotted characteristic curve is shown.

【0030】図24の実線の特性曲線から明らかなよう
に、図23のフィルタによっても図8のフィルタと同一
の作用効果を得ることができる。
As is clear from the solid curve of FIG. 24, the filter of FIG. 23 can also obtain the same effect as the filter of FIG.

【0031】[0031]

【第3の実施例】次に、図25及び図26に示す第3の
実施例のバンドストップフィルタを示す。このフィルタ
は第1及び第2の誘電体共振器1a、1bを図6に示す
ように変形し、且つ誘電体基板3cの表面に伝送線路用
導体層30を設けた構成になっている。共振器1a、2
aは図2の共振器1、2の一方の端面上の導体層9を除
去した構成になっている。従って、図26では内導体6
と接続導体9aとが電気的に分離され、誘電体4を介し
て互いに対向している。従って、内導体6と接続導体9
aとの間にキャパシタンスC1 、C2 を得ることができ
る。
[Third Embodiment] Next, a band stop filter of a third embodiment shown in FIGS. 25 and 26 will be described. This filter has a configuration in which the first and second dielectric resonators 1a and 1b are modified as shown in FIG. 6, and the transmission line conductor layer 30 is provided on the surface of the dielectric substrate 3c. Resonators 1a, 2
2a has a configuration in which the conductor layer 9 on one end face of the resonators 1 and 2 in FIG. 2 is removed. Therefore, in FIG. 26, the inner conductor 6
And the connection conductor 9a are electrically separated from each other and face each other via the dielectric 4. Therefore, the inner conductor 6 and the connecting conductor 9
Capacitances C1 and C2 can be obtained with a.

【0032】誘電体基板3cの表面には、図1と同様に
グランド導体層18と第1及び第2の接続導体層19、
20が設けられている他にストリップラインから成る伝
送線路用導体層30が設けられ、接続導体層19、20
に接続されている。この導体層30から成る伝送線路の
長さDは第1及び第2の実施例と同様にλ/4よりも大
きいか又は小さい。誘電体基板3cの裏面には図5と同
様にグランド導体層と端子導体層とが設けられ、基板3
cの側面に形成された溝51、52、53の導体によっ
て表面のグランド導体層18、接続導体層19、20に
接続されている。
On the surface of the dielectric substrate 3c, the ground conductor layer 18 and the first and second connection conductor layers 19, as in FIG.
20 is provided, a transmission line conductor layer 30 formed of a strip line is provided, and the connection conductor layers 19 and 20 are provided.
It is connected to the. The length D of the transmission line composed of the conductor layer 30 is larger or smaller than λ / 4 as in the first and second embodiments. A ground conductor layer and a terminal conductor layer are provided on the back surface of the dielectric substrate 3c as in FIG.
The conductors of the grooves 51, 52 and 53 formed on the side surface of c are connected to the ground conductor layer 18 and the connection conductor layers 19 and 20 on the surface.

【0033】第3の実施例のフィルタも基本的には第1
の実施例と同一であるので、これと同一の作用効果を有
する。
The filter of the third embodiment is also basically the first filter.
Since it is the same as the embodiment described above, it has the same effect as this.

【0034】[0034]

【第4の実施例】図27は第4の実施例のフィルタを示
す。この図27のフィルタは図21又は図23のフィル
タに、2次又は3次の高調波をトラップするためにオー
プンスタブ61、62、63を付加したものである。オ
ープンスタブ61、62、63は第1、第2及び第3の
キャパシタンスC1 、C2 、C3 の一端に接続されてい
る。各オープンスタブ61、62、63はストリップラ
インから成り、トラップ回路11、12、43の共振周
波数よりも低域側において等価的にキャパシタとして作
用する。これにより、図28に示す回路と同様の作用効
果を得ることができる。なお、オープンスタブ61、6
2、63以外は図21又は図23と同一であるので、こ
れと同一の作用効果も得られる。
[Fourth Embodiment] FIG. 27 shows a filter according to a fourth embodiment. The filter shown in FIG. 27 is obtained by adding open stubs 61, 62 and 63 to the second or third harmonics in the filter shown in FIG. 21 or 23. The open stubs 61, 62, 63 are connected to one ends of the first, second and third capacitances C1, C2, C3. Each of the open stubs 61, 62, 63 is formed of a strip line, and acts equivalently as a capacitor on the low frequency side of the resonance frequency of the trap circuits 11, 12, 43. As a result, the same effect as that of the circuit shown in FIG. 28 can be obtained. The open stubs 61, 6
21 and FIG. 23 are the same as those of FIGS.

【0035】[0035]

【第5の実施例】図28は図21又は図23のフィルタ
にストレーキャパシタンス71、72、73を付加した
ものである。このストレーキャパシタンス71、72、
73はトラップ回路11、12、43の一端とグランド
との間に生じている。この種のストレーキャパシタンス
71、72、73は図27と同一の作用効果を有する。
なお、このストレーキャパシタンス71、72、73は
多層基板3において必然的に生じるものであってもよい
し、積極的に形成するものであってもよい。
[Fifth Embodiment] FIG. 28 shows a filter obtained by adding stray capacitances 71, 72 and 73 to the filter shown in FIG. 21 or 23. This stray capacitance 71, 72,
73 is generated between one end of the trap circuits 11, 12, 43 and the ground. The stray capacitances 71, 72 and 73 of this kind have the same effects as those in FIG.
The stray capacitances 71, 72, 73 may be necessarily generated in the multilayer substrate 3 or may be positively formed.

【0036】[0036]

【第6の実施例】図29のフィルタは図21又は図23
のフィルタに、2次又は3次の高調波を除去するための
トラップ回路81、82、83を付加したものである。
このトラップ回路81、82、83は主トラップ回路1
1、12、43の一端とグランドとの間に接続され、コ
ンデンサ84、85、86と誘電体共振器87、88、
89との直列回路から成り、2次又は3次の高調波を減
衰させるように設定されている。その他は図21又は図
23と同一であるので、これ等と同一の作用効果を有す
る。なお、図27のスタブ61、62、63、図28の
キャパシタンス71、72、73及び図29のトラップ
回路81、82、83のトラップの特性を伝送線路1
3、42の長さD、D2 の調整で変えることができる。
[Sixth Embodiment] The filter of FIG. 29 is the same as that of FIG.
This filter is provided with trap circuits 81, 82 and 83 for removing the second or third harmonics.
The trap circuits 81, 82 and 83 are the main trap circuit 1
The capacitors 84, 85, 86 and the dielectric resonators 87, 88 are connected between one end of each of the terminals 1, 12, 43 and the ground.
It is composed of a series circuit with 89, and is set to attenuate the second or third harmonic. Others are the same as those in FIG. 21 or FIG. 23, and thus have the same effects as these. Note that the stubs 61, 62 and 63 of FIG. 27, the capacitances 71, 72 and 73 of FIG. 28 and the trap characteristics of the trap circuits 81, 82 and 83 of FIG.
It can be changed by adjusting the lengths D and D2 of 3, 42.

【0037】[0037]

【第7の実施例】図30のバンドストップフィルタは、
図21と同一の第1のバンドストップフィルタ91と図
23のバンドストップフィルタと同一構成の第2のバン
ドストップフィルタ92とを縦続接続した複合型フィル
タである。図30のフィルタは図31に示すように阻止
帯域の高域側と低域側の両方の立上りが急峻になり、極
めて幅の狭い阻止帯域を良好に得ることができる。
[Seventh Embodiment] The band stop filter shown in FIG.
This is a composite filter in which a first band stop filter 91 which is the same as that in FIG. 21 and a second band stop filter 92 which has the same configuration as the band stop filter in FIG. 23 are connected in cascade. As shown in FIG. 31, the filter of FIG. 30 has steep rises on both the high band side and the low band side of the stop band, and an excellent narrow stop band can be obtained.

【0038】[0038]

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 伝送線路13、42を同軸ケーブル等にするこ
ともできる。 (2) 共振器1、2、40をストリップライン型の誘
電体共振器にすることができる。 (3) 共振器1、2、40の長さを基本波の波長λの
1/2に設定し、且つ短絡導体10を省いた構成にする
こともできる。 (4) 共振器1、2、40を誘電体4を角型にした構
成に変形することができる。また、接続導体9を設ける
代りにリード部材を内導体6に接続する構成にすること
ができる。 (5) キャパシタンスC1 、C2 、C3 をチップコン
デンサ等の個別コンデンサとすること、またこのコンデ
ンサの一部又は全部を共振器1、2、40の共振孔5に
挿入することが可能である。 (6) トラップ回路11、12、43と同様なものを
更に付加して4段以上のフィルタにすることができる。 (7) 伝送線路13、42の長さDを好ましくは(1
/50)λ≦D<(1/4)λの範囲、及び(1/4)
λ<D≦(9/20)λの範囲で変えることができる。 (8) 第1の実施例以外の実施例でも伝送線路13の
長さをA+(λ/2)nの式に従うように設定すること
ができる。
MODIFICATION The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and the following modifications are possible. (1) The transmission lines 13 and 42 may be coaxial cables or the like. (2) The resonators 1, 2 and 40 can be stripline dielectric resonators. (3) The length of the resonators 1, 2, 40 may be set to 1/2 of the wavelength λ of the fundamental wave, and the short-circuit conductor 10 may be omitted. (4) The resonators 1, 2 and 40 can be modified into a configuration in which the dielectric 4 is rectangular. Further, instead of providing the connection conductor 9, the lead member may be connected to the inner conductor 6. (5) Capacitances C1, C2, and C3 can be individual capacitors such as chip capacitors, and some or all of these capacitors can be inserted into the resonance holes 5 of the resonators 1, 2, and 40. (6) A filter similar to the trap circuits 11, 12, 43 can be further added to form a filter having four or more stages. (7) The length D of the transmission lines 13 and 42 is preferably (1
/ 50) λ ≦ D <(1/4) λ range, and (1/4)
It can be changed within the range of λ <D ≦ (9/20) λ. (8) In the embodiments other than the first embodiment, the length of the transmission line 13 can be set so as to follow the equation of A + (λ / 2) n.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施例のフィルタを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a filter according to a first embodiment.

【図2】図1の共振器を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the resonator shown in FIG.

【図3】図1の多層基板の表面を示す平面図である。3 is a plan view showing the surface of the multilayer substrate of FIG. 1. FIG.

【図4】図1の第2の誘電体層を示す平面図である。4 is a plan view showing a second dielectric layer in FIG. 1. FIG.

【図5】図1の第2の誘電体層の底面図である。5 is a bottom view of the second dielectric layer of FIG. 1. FIG.

【図6】図1のフィルタの等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the filter of FIG.

【図7】図6のフィルタの周波数特性図である。7 is a frequency characteristic diagram of the filter of FIG.

【図8】図1のフィルタの伝送線路長Dをλ/4よりも
小さくしたフィルタを示す等価回路図である。
8 is an equivalent circuit diagram showing a filter in which the transmission line length D of the filter of FIG. 1 is smaller than λ / 4.

【図9】図8のフィルタの周波数特性図である。9 is a frequency characteristic diagram of the filter of FIG.

【図10】図6又は図8のトラップ回路を示す等価回路
図である。
10 is an equivalent circuit diagram showing the trap circuit of FIG. 6 or FIG.

【図11】図10のトラップ回路の周波数とリアクタン
スとの関係を示す図である。
11 is a diagram showing the relationship between the frequency and reactance of the trap circuit of FIG.

【図12】図6又は図8の伝送線路を示す等価回路図で
ある。
12 is an equivalent circuit diagram showing the transmission line of FIG. 6 or FIG.

【図13】図12の伝送線路の周波数及び伝送線路長と
リアクタンスとの関係を示す図である。
13 is a diagram showing the relationship between the reactance and the frequency and transmission line length of the transmission line of FIG.

【図14】図6又は図8の伝送線路の長さをλ/4と
し、この伝送線路のリアクタンスが無限大の時の状態を
示す回路図である。
14 is a circuit diagram showing a state where the length of the transmission line in FIG. 6 or FIG. 8 is λ / 4 and the reactance of this transmission line is infinite.

【図15】図14の回路の周波数特性図である。15 is a frequency characteristic diagram of the circuit of FIG.

【図16】図6のフィルタ阻止帯域の中心よりも高域側
の周波数における図6の等価回路図である。
16 is an equivalent circuit diagram of FIG. 6 at a frequency higher than the center of the filter stop band of FIG.

【図17】図16の回路の周波数特性図である。17 is a frequency characteristic diagram of the circuit of FIG.

【図18】図8のフィルタの阻止帯域の中心よりも低域
側の周波数における図8の等価回路図である。
18 is an equivalent circuit diagram of FIG. 8 at a frequency lower than the center of the stop band of the filter of FIG.

【図19】図18の回路の周波数特性図である。19 is a frequency characteristic diagram of the circuit of FIG.

【図20】第2の実施例のフィルタを示す平面図であ
る。
FIG. 20 is a plan view showing a filter according to a second embodiment.

【図21】図20のフィルタの伝送線路長がλ/4より
も大きい場合の等価回路図である。
21 is an equivalent circuit diagram when the transmission line length of the filter in FIG. 20 is larger than λ / 4.

【図22】図21のフィルタの周波数特性図である。22 is a frequency characteristic diagram of the filter of FIG. 21. FIG.

【図23】図20のフィルタの伝送線路長がλ/4より
も小さい場合の等価回路図である。
23 is an equivalent circuit diagram when the transmission line length of the filter in FIG. 20 is smaller than λ / 4.

【図24】図23の周波数特性図である。FIG. 24 is a frequency characteristic diagram of FIG. 23.

【図25】第3の実施例のフィルタを示す平面図であ
る。
FIG. 25 is a plan view showing a filter according to a third embodiment.

【図26】図25の共振器の断面図である。26 is a cross-sectional view of the resonator of FIG. 25.

【図27】第4の実施例のフィルタを示す回路図であ
る。
FIG. 27 is a circuit diagram showing a filter according to a fourth embodiment.

【図28】第5の実施例のフィルタを示す回路図であ
る。
FIG. 28 is a circuit diagram showing a filter of the fifth embodiment.

【図29】第6の実施例のフィルタを示す回路図であ
る。
FIG. 29 is a circuit diagram showing a filter of the sixth embodiment.

【図30】第7の実施例のフィルタを示す回路図であ
る。
FIG. 30 is a circuit diagram showing a filter of the seventh embodiment.

【図31】図30のフィルタの周波数特性図である。31 is a frequency characteristic diagram of the filter of FIG. 30. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2 共振器 3 多層基板 11、12 トラップ回路 13 伝送線路 1, 2 Resonator 3 Multilayer substrate 11, 12 Trap circuit 13 Transmission line

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体共振器とキャパシタンスとの直列
回路から成るトラップ回路の複数個と、前記複数個のト
ラップ回路の相互間に接続された分布定数型伝送線路と
を備え、 前記伝送線路の長さが、A+(λ/2)n(但し、ここ
でλは阻止すべき基本波の波長、nは零又は正の整数、
Aは波長λの1/4と異なる値)に設定されていること
を特徴とするバンドストップフィルタ装置。
1. A plurality of trap circuits each comprising a series circuit of a dielectric resonator and a capacitance, and a distributed constant type transmission line connected between the plurality of trap circuits. The length is A + (λ / 2) n (where λ is the wavelength of the fundamental wave to be blocked, n is zero or a positive integer,
A is set to a value different from 1/4 of the wavelength λ).
【請求項2】 前記伝送線路はストリップラインである
請求項1記載のバンドストップフィルタ装置。
2. The band stop filter device according to claim 1, wherein the transmission line is a strip line.
【請求項3】 前記伝送線路の長さは、前記波長λの1
/4よりも小さく、1/50以上であることを特徴とす
る請求項1又は2又は3記載のバンドストップフィルタ
装置。
3. The length of the transmission line is 1 of the wavelength λ.
The band stop filter device according to claim 1, 2 or 3, wherein the band stop filter device is smaller than / 4 and is 1/50 or more.
【請求項4】 前記伝送線路の長さは、前記波長λの1
/4よりも大きく、9/20以下であることを特徴とす
る請求項1又は2又は3記載のバンドパスフィルタ装
置。
4. The length of the transmission line is 1 of the wavelength λ.
4. The bandpass filter device according to claim 1, wherein the bandpass filter device is larger than / 4 and 9/20 or less.
【請求項5】 第1及び第2のフィルタを縦続接続した
バンドストップフィルタ装置であって、 前記第1及び第2のフィルタが、 誘電体共振器とキャパシタンスとの直列回路から成るト
ラップ回路の複数個と、前記複数個のトラップ回路の相
互間に接続された伝送線路とをそれぞれ備え、 前記第1のフィルタの前記伝送線路の長さが、A1 +
(λ/2)n(但し、ここでλは阻止すべき基本波の波
長、nは零又は正の整数、A1 は波長λの1/4よりも
小さい値)に設定されており、前記第2のフィルタの前
記伝送線路がA2+(λ/2)n(但し、ここでλは阻
止すべき基本波の波長、nは零又は正の整数、A2 は波
長λの1/4よりも大きい値)に設定されていることを
特徴とするバンドストップフィルタ装置。
5. A band-stop filter device in which first and second filters are connected in cascade, wherein the first and second filters are a plurality of trap circuits each including a series circuit of a dielectric resonator and a capacitance. And a transmission line connected between the plurality of trap circuits, wherein the length of the transmission line of the first filter is A1 +
(Λ / 2) n (where λ is the wavelength of the fundamental wave to be blocked, n is zero or a positive integer, and A1 is a value smaller than ¼ of the wavelength λ). The transmission line of the second filter has A2 + (λ / 2) n (where λ is the wavelength of the fundamental wave to be blocked, n is zero or a positive integer, and A2 is a value greater than ¼ of the wavelength λ. ) Is set to a band stop filter device.
JP34057393A 1993-12-08 1993-12-08 Filter device with resonator Withdrawn JPH07162206A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34057393A JPH07162206A (en) 1993-12-08 1993-12-08 Filter device with resonator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34057393A JPH07162206A (en) 1993-12-08 1993-12-08 Filter device with resonator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07162206A true JPH07162206A (en) 1995-06-23

Family

ID=18338295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34057393A Withdrawn JPH07162206A (en) 1993-12-08 1993-12-08 Filter device with resonator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07162206A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010124208A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Mitsubishi Electric Corp Polarized bandpass filter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010124208A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Mitsubishi Electric Corp Polarized bandpass filter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050052262A1 (en) Multi-layer band-pass filter
CN103026620B (en) Electrical double filter structure
JPH0443703A (en) Symmetrical strip line resonator
KR0141975B1 (en) Multistage monolithic ceramic bad stop filter with an isolated filter
CN111710943A (en) A Miniature Narrowband Low Bandpass Filter
JP3067612B2 (en) Stacked bandpass filter
WO2021042743A1 (en) Miniature multilayer ceramic bandpass filter
JP5123937B2 (en) How to ground a filter on a flat substrate
JPH04246901A (en) High frequency filter
CN103004014B (en) Electrical filter structure
JPH07162206A (en) Filter device with resonator
CN117176100B (en) Band-pass filter circuit and filter for improving in-band flatness
CN111697293A (en) Miniaturized low-loss LTCC band-pass filter
JP2773590B2 (en) Low-pass filter
JP3176859B2 (en) Dielectric filter
CN115412043B (en) Symmetrical lumped parameter low-pass filter for improving far-end rejection performance
US20240283422A1 (en) Filter, integrated passive device, electronic device and display device
KR100304269B1 (en) Design for the multilayer bandpass filter using tapping method
CN108539357A (en) A kind of micro-strip resonantor and microstrip filter based on buried class finger-cross structure
JP2574464Y2 (en) Filter device having dielectric resonator
KR100501928B1 (en) Second order bandpass filter using capacitively loaded multi-layer 1/4 wavelength resonator
US6943646B2 (en) Isolation of miniature filters
JP3161211B2 (en) Multilayer dielectric filter
JP2025110071A (en) Filter Circuit
JPH0823208A (en) Band pass filter device using dielectric resonator

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010306