JPH07162054A - Method of forming piezoelectric thin film - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、圧電薄膜材料をスパ
ッタリングすることにより基板上に圧電薄膜を形成する
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a piezoelectric thin film on a substrate by sputtering a piezoelectric thin film material.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】表面波
フィルタなどの表面波装置には、ガラスなどからなる基
板上に圧電薄膜を形成した構造のものがある。このよう
な構造の表面波装置における場合のように、基板上に所
定のパターンの圧電薄膜を形成する方法としては、通
常、以下の二つの方法が用いられている。2. Description of the Related Art Some surface acoustic wave devices such as surface acoustic wave filters have a structure in which a piezoelectric thin film is formed on a substrate made of glass or the like. As in the case of the surface acoustic wave device having such a structure, the following two methods are usually used for forming the piezoelectric thin film having a predetermined pattern on the substrate.
【０００３】圧電薄膜材料をスパッタリングすること
により、基板全体に圧電薄膜を形成した後、部分的にエ
ッチングして所望のパターンの圧電薄膜を得る方法。 図８に示すように、所望の圧電薄膜パターンに対応し
た窓５２を有する金属製のマスク（例えばステンレス製
のマスク）５１を基板５３上に置いてその上から圧電薄
膜材料をスパッタリングすることにより所望のパターン
の圧電薄膜５４（図９）を得る方法。A method of obtaining a piezoelectric thin film having a desired pattern by forming a piezoelectric thin film on the entire substrate by sputtering a piezoelectric thin film material and then partially etching it. As shown in FIG. 8, a metal mask (for example, a stainless steel mask) 51 having a window 52 corresponding to a desired piezoelectric thin film pattern is placed on a substrate 53, and the piezoelectric thin film material is sputtered to form a desired mask. A method for obtaining the piezoelectric thin film 54 (FIG. 9) having the pattern of FIG.
【０００４】しかし、の方法は、基板全体に圧電薄膜
を成膜した後エッチングするようにしているため、基板
全体に歪が生じやすく、基板の割れが生じやすいという
問題点があり、また、エッチング工程を必要とするた
め、工程が複雑になり、コストの増大を招くという問題
点がある。However, in the method (1), since the piezoelectric thin film is formed on the entire substrate and then etching is performed, there is a problem that strain is likely to occur on the entire substrate and the substrate is easily cracked. Since the process is required, the process is complicated and the cost is increased.
【０００５】また、の方法においては、圧電薄膜５４
が、マスク５１の窓５２を通して圧電薄膜材料をスパッ
タリングすることにより形成されるが、マスク５１の窓
５２の内周面５２ａが基板５３の主表面に対して垂直で
あるため、図９に示すように、圧電薄膜５４の端面５４
ａが、基板５３の主表面に対してほぼ垂直に立ち上がっ
た状態に形成される。In the method (1), the piezoelectric thin film 54
Is formed by sputtering the piezoelectric thin film material through the window 52 of the mask 51. Since the inner peripheral surface 52a of the window 52 of the mask 51 is perpendicular to the main surface of the substrate 53, as shown in FIG. The end face 54 of the piezoelectric thin film 54
a is formed in a state of rising substantially vertically to the main surface of the substrate 53.
【０００６】したがって、スパッタリング時やスパッタ
リング後の冷却により、基板５３と圧電薄膜５４の熱膨
張率の差により生じる歪が圧電薄膜５４の端部に集中
し、基板５３が割れやすくなる。したがって、基板の厚
みを大きくするなど、基板寸法を大きくして強度を増大
させることが必要になり、素子の取れ個数が少なくなる
ばかりでなく、歩留りや生産性が悪くなるという問題点
がある。Therefore, during the sputtering or cooling after the sputtering, the strain generated by the difference in the coefficient of thermal expansion between the substrate 53 and the piezoelectric thin film 54 is concentrated on the end portion of the piezoelectric thin film 54, and the substrate 53 is easily cracked. Therefore, it is necessary to increase the strength by increasing the size of the substrate such as increasing the thickness of the substrate, which not only reduces the number of elements that can be obtained, but also reduces yield and productivity.
【０００７】また、上記圧電薄膜５４の端面５４ａが基
板５３の主面に対しほぼ垂直であるため、表面波フィル
タなどの表面波装置に応用した場合に、圧電薄膜５４の
端面５４ａにて表面波の反射が発生し、この反射によ
り、振幅特性にリップルなどの不要波が発生するという
問題点がある。Further, since the end surface 54a of the piezoelectric thin film 54 is substantially perpendicular to the main surface of the substrate 53, when applied to a surface wave device such as a surface wave filter, a surface wave is generated at the end surface 54a of the piezoelectric thin film 54. However, there is a problem that unnecessary waves such as ripples are generated in the amplitude characteristic due to the reflection of the light.
【０００８】また、これらの問題点を解決するために、
実開昭６２−１０５２１号公報には、圧電薄膜の表面波
の進行方向の両端部の厚み及び幅を、表面波の進行方向
に向って漸減させることにより、端部における表面波の
反射を減少させてリップルなどの不要波の発生を抑える
とともに、基板に加わる歪を減少させるようにした表面
波装置が開示されているが、圧電薄膜の表面波の進行方
向の両端部以外の部分においては、厚みを漸減させた両
端部の寸法比などにより歪の加わり方が小さい場合に
も、基板に加わる歪を必ずしも十分に低減することがで
きず、基板に割れが発生する場合があり、信頼性が必ず
しも十分ではないという問題点がある。Further, in order to solve these problems,
In Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-10521, the thickness and width of both ends of the piezoelectric thin film in the traveling direction of the surface wave are gradually reduced in the traveling direction of the surface wave to reduce the reflection of the surface wave at the end portion. While suppressing the generation of unnecessary waves such as ripples, the surface acoustic wave device that reduces the strain applied to the substrate is disclosed. Even if the amount of strain is small due to the dimensional ratio of the both ends where the thickness is gradually reduced, the strain applied to the substrate cannot always be sufficiently reduced, and cracks may occur in the substrate, resulting in unreliable reliability. There is a problem that it is not always sufficient.
【０００９】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、基板に大きな歪が加わることを抑制して基板の割
れを防止することができるとともに、表面波フィルタな
どの表面波装置に応用した場合に、リップルなどの不要
波の発生を防止することが可能な圧電薄膜の形成方法を
提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems, and can prevent the substrate from being cracked by preventing a large strain from being applied to the substrate and applied to a surface wave device such as a surface wave filter. In this case, an object of the present invention is to provide a method for forming a piezoelectric thin film that can prevent the generation of unnecessary waves such as ripples.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の圧電薄膜の形成方法は、基板上に置かれ
たマスクの窓を通して圧電薄膜材料をスパッタリングす
ることにより圧電薄膜を形成する圧電薄膜の形成方法に
おいて、窓の略全周に、他の部分より低い段部が連続し
て形成されたマスクを、前記段部の形成された面が圧電
薄膜を形成すべき基板に対向するように施し、マスクの
上から圧電薄膜材料をスパッタリングすることにより、
略全周において厚みが周辺方向に向って漸減する圧電薄
膜を基板上に形成することを特徴とする。In order to achieve the above object, a method of forming a piezoelectric thin film according to the present invention forms a piezoelectric thin film by sputtering a piezoelectric thin film material through a window of a mask placed on a substrate. In the method for forming a piezoelectric thin film, a mask in which a step portion lower than other portions is continuously formed over substantially the entire circumference of a window is provided, and a surface on which the step portion is formed faces a substrate on which the piezoelectric thin film is to be formed. And then sputtering the piezoelectric thin film material from above the mask,
It is characterized in that a piezoelectric thin film is formed on a substrate, the thickness of which gradually decreases in the peripheral direction over substantially the entire circumference.
【００１１】また、前記段部の平面形状を、波形の形状
としたことを特徴とする。Further, it is characterized in that the planar shape of the step portion is a corrugated shape.
【００１２】[0012]
【作用】窓の略全周に、他の部分より低い段部が連続し
て形成されたマスクを、該段部の形成された方の面が圧
電薄膜を形成すべき基板に対向するように施し、マスク
の上から圧電薄膜材料をスパッタリングすることによ
り、圧電薄膜材料が、マスクの窓を通って基板表面に付
着するとともに、マスクの窓の段部と基板の間にまで廻
り込む。したがって、マスクの窓に対応する部分に形成
される圧電薄膜は、中央部ではその厚みがほぼ均一であ
り、周辺部では略全周において厚みがその周辺方向に向
って漸減した状態に形成される。A mask having a step portion continuously lower than other portions is formed on substantially the entire circumference of the window so that the surface on which the step portion is formed faces the substrate on which the piezoelectric thin film is to be formed. By applying and sputtering the piezoelectric thin film material from above the mask, the piezoelectric thin film material adheres to the substrate surface through the window of the mask and also wraps around between the step portion of the mask window and the substrate. Therefore, the piezoelectric thin film formed in the portion corresponding to the window of the mask has a substantially uniform thickness in the central portion, and is formed in the peripheral portion such that the thickness gradually decreases in the peripheral direction in the substantially entire circumference. .
【００１３】したがって、スパッタリング時に、圧電薄
膜の周辺部近傍において、基板と圧電薄膜の熱膨張率の
差によって生じる歪が緩和され、基板に割れが発生する
ことを防止するとともに、表面波フィルタなどの表面波
装置に応用した場合に、振幅特性にリップルなどの不要
波が発生することを防止できるようになる。Therefore, at the time of sputtering, near the peripheral portion of the piezoelectric thin film, the strain caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the substrate and the piezoelectric thin film is mitigated to prevent the substrate from cracking, and the surface wave filter or the like is prevented. When applied to a surface wave device, it becomes possible to prevent generation of unnecessary waves such as ripples in amplitude characteristics.
【００１４】また、平面形状が波形の段部を形成するこ
とにより、圧電薄膜材料がマスクの窓の段部と基板の間
に廻り込みすぎて、意図したパターンと異なるパターン
に圧電薄膜が形成されることを防止して、コンパクトで
歪の少ない圧電薄膜を確実に形成することができるよう
になる。Further, by forming the stepped portion having a corrugated planar shape, the piezoelectric thin film material wraps too much between the stepped portion of the window of the mask and the substrate, and the piezoelectric thin film is formed in a pattern different from the intended pattern. It is possible to reliably form a piezoelectric thin film that is compact and has little distortion.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１はこの実施例において用いたマスクを示す図
であり、(ａ)は底面図、(ｂ)は断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B are views showing a mask used in this embodiment, where FIG. 1A is a bottom view and FIG. 1B is a sectional view.
【００１６】この実施例の圧電薄膜の形成方法において
用いたマスク１はステンレス製で、図１に示すように、
長方形の窓２を有しており、窓２の下面側の全周には、
平面形状が波形（サインカーブ状）の、マスク１の下面
の他の部分より低い段部３が形成されている。なお、こ
のマスク１においては、段部３の深さＤが各部分で同一
になるように構成されている。The mask 1 used in the method for forming the piezoelectric thin film of this embodiment is made of stainless steel, and as shown in FIG.
It has a rectangular window 2, and the entire circumference of the lower surface of the window 2 is
A step portion 3 having a corrugated planar shape (sine curve shape) and lower than other portions of the lower surface of the mask 1 is formed. In this mask 1, the depth D of the step portion 3 is the same in each portion.
【００１７】また、このマスク１の窓２は、エッチング
により形成されており、段部３は、マスク１の一方の面
から他方の面にまで達しないように、ハーフエッチング
を行うことにより、マスク１の厚みＴの半ばにまで達す
るように形成されている。なお、段部３の形成方法及び
深さはこれに限定されるものではなく、他の方法により
形成することも可能である。The window 2 of the mask 1 is formed by etching, and the step portion 3 is half-etched so that the step portion 3 does not reach from the one surface to the other surface of the mask 1 to form the mask. It is formed so as to reach the middle of the thickness T of 1. The method and depth of forming the stepped portion 3 are not limited to this, and it is possible to form it by another method.
【００１８】なお、マスクは、それぞれに単一の窓を設
けたものに限られるものではなく、所定の形状（例え
ば、５０mm×５０mmの正方形）のステンレス板に複数個
の窓をマトリックス状に設けるように構成することも可
能である。The mask is not limited to one provided with a single window for each, but a plurality of windows are provided in a matrix on a stainless plate having a predetermined shape (for example, a square of 50 mm × 50 mm). It can also be configured as follows.
【００１９】次に、上記マスクを用いてガラス製の基板
上に圧電薄膜を形成する工程について説明する。Next, a process of forming a piezoelectric thin film on a glass substrate using the above mask will be described.
【００２０】まず、図２に示すように、基板１１上の所
定の位置に、段部３が形成された面を下向きにしてマス
ク１を配置し、窓２を通して、圧電薄膜材料（この実施
例ではＺｎＯ）をスパッタリングすることにより、図３
に示すように、基板１１上の、マスク１の窓２に対応す
る部分に圧電薄膜材料を付着させる。そして、このと
き、マスク１の窓２の周囲には、上述の平面形状が波形
の段部３が形成されているため、圧電薄膜材料が段部３
の内側にまで廻り込み、中央部１２ａではその厚みがほ
ぼ均一であり、周辺部１２ｂでは略全周で厚みがその周
辺方向に向って漸減した形状の圧電薄膜１２が形成され
る。First, as shown in FIG. 2, the mask 1 is arranged at a predetermined position on the substrate 11 with the surface on which the step portion 3 is formed facing downward, and the piezoelectric thin film material (this embodiment By sputtering ZnO).
As shown in, the piezoelectric thin film material is attached to the portion of the substrate 11 corresponding to the window 2 of the mask 1. At this time, since the step portion 3 having a corrugated planar shape is formed around the window 2 of the mask 1, the piezoelectric thin film material is formed into the step portion 3.
The piezoelectric thin film 12 is formed in such a manner that the thickness thereof is substantially uniform in the central portion 12a and that the thickness is gradually reduced in the peripheral portion 12b in the peripheral direction in the peripheral portion 12a.
【００２１】また、上記実施例では、窓２の周囲に平面
形状が波形の段部３が形成されたマスク１が用いられて
いるため、圧電薄膜材料がマスク１の窓２の段部３と基
板１１の間に廻り込みすぎることを防止して、コンパク
トで歪の少ない圧電薄膜１２を確実に形成することがで
きる。Further, in the above embodiment, since the mask 1 in which the step portion 3 having a corrugated planar shape is formed around the window 2, the piezoelectric thin film material is used as the step portion 3 of the window 2 of the mask 1. The piezoelectric thin film 12 that is compact and has less distortion can be reliably formed by preventing it from wrapping around between the substrates 11.
【００２２】なお、上記実施例では、窓２の周囲に、平
面形状が波形（サインカーブ状）の段部３を形成したマ
スク１を用いた場合について説明したが、段部３の具体
的形状については特別の制約はなく、図１(ａ)に示した
形状のほかにも、図４(ａ)に示すような円弧を繰り返し
て並べたような形状、(ｂ)に示すようなパルス波形状、
(ｃ)に示すような三角波形状など、種々の形状に構成す
ることが可能であり、この発明における波形の形状とは
これらの形状をも含むものである。In the above embodiment, the case where the mask 1 in which the planar shape is a corrugated (sine curve) step portion 3 is formed around the window 2 has been described, but the concrete shape of the step portion 3 is described. There is no special restriction for the shape, in addition to the shape shown in FIG. 1 (a), a shape in which arcs are repeatedly arranged as shown in FIG. 4 (a), and a pulse wave as shown in (b). shape,
Various shapes such as a triangular wave shape as shown in (c) can be formed, and the waveform shape in the present invention includes these shapes as well.
【００２３】また、上記実施例では、深さＤ（図１
(ｂ)）が各部で同じである段部３を形成した場合につい
て説明したが、段部３の深さＤは、各部で同一にしなけ
ればならないものではなく、例えば、図５に示すよう
に、周辺方向に向って浅くなる（すなわちＤが小さくな
る）ような形状とすることも可能である。In the above embodiment, the depth D (see FIG.
The case where (b)) forms the stepped portion 3 having the same in each portion has been described. However, the depth D of the stepped portion 3 does not have to be the same in each portion. For example, as shown in FIG. It is also possible to have a shape that becomes shallower in the peripheral direction (that is, D becomes smaller).
【００２４】さらに、上記実施例では、平面形状が長方
形の窓２を有するマスク１を用いた場合について説明し
たが、マスク１の窓２の形状はこれに限られるものでは
なく、形成すべき圧電薄膜のパターンに応じて、図６に
示すように、平面形状が円形や楕円形で、段部３を有す
る窓２を形成することも可能であり、さらにその他の形
状とすることも可能である。Further, in the above embodiment, the case where the mask 1 having the window 2 having a rectangular plane shape is used has been described, but the shape of the window 2 of the mask 1 is not limited to this, and the piezoelectric to be formed. Depending on the pattern of the thin film, as shown in FIG. 6, it is possible to form the window 2 having a circular or elliptical planar shape and the stepped portion 3, and it is also possible to adopt another shape. .
【００２５】なお、この発明は、さらにその他の点にお
いても上記実施例に限定されるものではなく、発明の要
旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが
できる。The present invention is not limited to the above embodiment in other points as well, and various applications and modifications can be added within the scope of the gist of the invention.
【００２６】なお、この発明の圧電薄膜の形成方法は、
具体的には、例えば、図７に示すような表面波装置の圧
電薄膜を形成する場合に適用することが可能である。The method of forming the piezoelectric thin film of the present invention is as follows.
Specifically, for example, it can be applied when forming a piezoelectric thin film of a surface acoustic wave device as shown in FIG. 7.
【００２７】この表面波装置は、ガラス製の基板２１の
主表面に蒸着された電極用金属をフォトエッチングする
ことにより、櫛歯状の入力側インターディジタル電極２
２、出力側インターディジタル電極２３を形成するとと
もに、入力側インターディジタル電極２２の引出し電極
２４及び２５、出力側インターディジタル電極２３の引
出し電極２６及び２７を形成し、上記入力側インターデ
ィジタル電極２２及び出力側インターディジタル電極２
３上に、スパッタリングにより、ＺｎＯなどの圧電薄膜
２８を形成した後、上記引出し電極２４，２５，２６及
び２７にそれぞれリード端子２９，３０，３１及び３２
を半田付けし、ガラス基板２１の外部を外装材（図示せ
ず）で被覆することにより製造されている。In this surface acoustic wave device, the interdigital electrode 2 on the input side in the shape of a comb is formed by photoetching the electrode metal deposited on the main surface of the glass substrate 21.
2. The output side interdigital electrode 23 is formed, the lead electrodes 24 and 25 of the input side interdigital electrode 22 and the lead electrodes 26 and 27 of the output side interdigital electrode 23 are formed, and the input side interdigital electrode 22 and Output side interdigital electrode 2
After forming a piezoelectric thin film 28 of ZnO or the like on the substrate 3 by sputtering, lead electrodes 29, 30, 31 and 32 are respectively attached to the lead electrodes 24, 25, 26 and 27.
Is soldered and the outside of the glass substrate 21 is covered with an exterior material (not shown).
【００２８】そして、上記表面波装置においては、入力
側インターディジタル電極２２にて発生した表面波が、
ガラス基板２１及び圧電薄膜２８を、矢印Ａで示すよう
に、櫛歯状の入力側インターディジタル電極２２に対し
て直角な方向に伝搬し、出力側インターディジタル電極
２３で検出されるように構成されている。In the surface acoustic wave device, the surface acoustic wave generated at the input side interdigital electrode 22 is
As shown by arrow A, the glass substrate 21 and the piezoelectric thin film 28 propagate in a direction perpendicular to the interdigital electrode 22 on the input side having a comb shape and are detected by the interdigital electrode 23 on the output side. ing.
【００２９】また、超音波顕微鏡の音響レンズ用のトラ
ンスデューサとして、サファイア基板上に、例えば円形
のＺｎＯ薄膜を形成したものが用いられているが、この
ＺｎＯ薄膜の形成方法に、この発明を適用することによ
り、コンパクトで歪のない圧電薄膜を確実に形成するこ
とができる。As a transducer for an acoustic lens of an ultrasonic microscope, a circular ZnO thin film formed on a sapphire substrate is used, and the present invention is applied to the method of forming this ZnO thin film. As a result, it is possible to reliably form a compact and strain-free piezoelectric thin film.
【００３０】[0030]
【発明の効果】上述のように、この発明の圧電薄膜の形
成方法は、窓の略全周に、他の部分より低い段部が連続
して形成されたマスクを、該段部の形成された面が圧電
薄膜を形成すべき基板に対向するように施し、マスクの
上から圧電薄膜材料をスパッタリングすることにより、
厚みが周辺方向に向って漸減する圧電薄膜を基板上に形
成するようにしているので、スパッタリング時に、圧電
薄膜の周辺部近傍において基板と圧電薄膜の熱膨張率の
差によって生じる歪を緩和して、基板の割れを防止する
ことが可能になるとともに、表面波フィルタなどの表面
波装置に応用した場合におけるリップルなどの不要波の
発生を防止することができる。As described above, according to the method of forming a piezoelectric thin film of the present invention, a mask in which a step portion lower than other portions is continuously formed is formed on the substantially entire circumference of the window. The surface is made to face the substrate on which the piezoelectric thin film is to be formed, and by sputtering the piezoelectric thin film material from above the mask,
Since the piezoelectric thin film whose thickness gradually decreases in the peripheral direction is formed on the substrate, the strain caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the substrate and the piezoelectric thin film is relaxed in the vicinity of the peripheral portion of the piezoelectric thin film during sputtering. It is possible to prevent the substrate from cracking and to prevent the generation of unnecessary waves such as ripples when applied to a surface wave device such as a surface wave filter.
【００３１】また、平面形状が波形の段部を形成するこ
とにより、圧電薄膜材料がマスクの窓の段部と基板の間
に廻り込みすぎて、意図したパターンと異なるパターン
に圧電薄膜が形成されてしまうことを防止して、コンパ
クトで歪の少ない圧電薄膜を確実に形成することができ
る。Further, by forming the step portion having a corrugated planar shape, the piezoelectric thin film material wraps too much between the step portion of the window of the mask and the substrate, and the piezoelectric thin film is formed in a pattern different from the intended pattern. It is possible to reliably prevent the formation of a compact and thin piezoelectric thin film.
【図１】この発明の一実施例において用いたマスクを示
す図であり、(ａ)は底面図、(ｂ)は(ａ)のｂ−ｂ線によ
る断面図である。1A and 1B are views showing a mask used in an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a bottom view and FIG. 1B is a sectional view taken along line bb of FIG.
【図２】この発明の一実施例にかかる圧電薄膜の形成方
法を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a method of forming a piezoelectric thin film according to an embodiment of the present invention.
【図３】この発明の一実施例にかかる圧電薄膜の形成方
法により形成された圧電薄膜を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a piezoelectric thin film formed by a method for forming a piezoelectric thin film according to an embodiment of the present invention.
【図４】(ａ)，(ｂ)，(ｃ)はいずれもマスクの窓に形成
された段部の平面形状の他の例を示す図である。4 (a), (b), and (c) are diagrams showing another example of the planar shape of the step portion formed in the window of the mask.
【図５】マスクの窓に形成された段部の断面形状の他の
例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing another example of the cross-sectional shape of the step formed in the window of the mask.
【図６】(ａ)，(ｂ)はいずれもマスクの窓の他の形状を
示す図である。6 (a) and 6 (b) are diagrams showing other shapes of the window of the mask.
【図７】この発明の圧電薄膜の形成方法を適用した表面
波装置の例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing an example of a surface acoustic wave device to which the method for forming a piezoelectric thin film of the present invention is applied.
【図８】従来の圧電薄膜の形成方法を示す図であり、
(ａ)は平面図、(ｂ)は断面図である。FIG. 8 is a diagram showing a conventional method for forming a piezoelectric thin film,
(a) is a plan view and (b) is a sectional view.
【図９】従来の圧電薄膜の形成方法により形成された圧
電薄膜を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a piezoelectric thin film formed by a conventional piezoelectric thin film forming method.
１ マスク ２ 窓 ３ 段部 １１ 基板 １２ 圧電薄膜 Ｄ 段部の深さ Ｔ マスクの厚み 1 Mask 2 Window 3 Step 11 Substrate 12 Piezoelectric Thin Film D Step Depth T Mask Thickness
Claims (2)
電薄膜材料をスパッタリングすることにより圧電薄膜を
形成する圧電薄膜の形成方法において、 窓の略全周に、他の部分より低い段部が連続して形成さ
れたマスクを、前記段部の形成された面が圧電薄膜を形
成すべき基板に対向するように施し、マスクの上から圧
電薄膜材料をスパッタリングすることにより、略全周に
おいて厚みが周辺方向に向って漸減する圧電薄膜を基板
上に形成することを特徴とする圧電薄膜の形成方法。1. A method of forming a piezoelectric thin film by forming a piezoelectric thin film by sputtering a piezoelectric thin film material through a window of a mask placed on a substrate, wherein a step portion lower than other portions is provided on substantially the entire circumference of the window. A continuously formed mask is applied so that the surface on which the stepped portion is formed faces the substrate on which the piezoelectric thin film is to be formed, and the piezoelectric thin film material is sputtered from above the mask to give a thickness over substantially the entire circumference. A method of forming a piezoelectric thin film, which comprises forming a piezoelectric thin film on a substrate, the piezoelectric thin film gradually decreasing in a peripheral direction.
たことを特徴とする請求項１記載の圧電薄膜の形成方
法。2. The method for forming a piezoelectric thin film according to claim 1, wherein the planar shape of the step portion is a wavy shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34014093A JPH07162054A (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Method of forming piezoelectric thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34014093A JPH07162054A (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Method of forming piezoelectric thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162054A true JPH07162054A (en) | 1995-06-23 |
Family
ID=18334113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34014093A Pending JPH07162054A (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Method of forming piezoelectric thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07162054A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030594A (en) * | 1998-06-02 | 2000-01-28 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonator structure |
| EP1061645A3 (en) * | 1999-06-14 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
| WO2002103900A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Ube Electronics, Ltd. | Thin-film piezoelectric resonator |
| EP1126601A3 (en) * | 2000-02-04 | 2006-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of isolation for acoustic resonator devices |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP34014093A patent/JPH07162054A/en active Pending
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| US6996882B2 (en) | 1999-06-14 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a surface acoustic wave element |
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| KR100745428B1 (en) * | 2000-02-04 | 2007-08-02 | 루센트 테크놀러지스 인크 | Method of isolation for acoustic resonator devices |
| US7296329B1 (en) | 2000-02-04 | 2007-11-20 | Agere Systems Inc. | Method of isolation for acoustic resonator device |
| WO2002103900A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Ube Electronics, Ltd. | Thin-film piezoelectric resonator |
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