JPH07168156A - Liquid crystal element driving method - Google Patents
Liquid crystal element driving methodInfo
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- JPH07168156A JPH07168156A JP31181993A JP31181993A JPH07168156A JP H07168156 A JPH07168156 A JP H07168156A JP 31181993 A JP31181993 A JP 31181993A JP 31181993 A JP31181993 A JP 31181993A JP H07168156 A JPH07168156 A JP H07168156A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、非選択時に自発分極成分の応答可能
時間よりも短い時間幅の交流パルス成分を、反強誘電性
液晶における光透過率の電圧依存性が平坦な値の直流バ
イアス成分に重畳して印加することにより、自発分極成
分の応答に起因する光のリーク及びコントラスト低下の
完全な阻止を図る。
【構成】液晶素子本体の駆動の際に、交差電極の選択時
で該交差電極間を強誘電状態とするとき、該電極間に強
誘電状態の書込用パルスを印加し、該電極間を反強誘電
状態とするとき、電極間を零電位とし、交差電極の非選
択時に、書込用パルスのパルス幅よりも短いパルス幅を
もつ交流パルス成分を選択時における強誘電状態又は反
強誘電状態を保持するための一定極性の直流バイアス成
分(Vo )に重畳して状態保持用パルスを形成し、この
状態保持用パルスを当該交差電極間に印加して反強誘電
性液晶の自発分極成分の応答を阻止した液晶素子の駆動
方法。
(57) [Summary] [Object] The present invention provides an AC pulse component having a time width shorter than the response time of the spontaneous polarization component in the non-selected state with a flat voltage dependence of the light transmittance in the antiferroelectric liquid crystal. By superimposing on the DC bias component of the value and applying it, it is possible to completely prevent the leakage of light and the decrease in contrast due to the response of the spontaneous polarization component. [Structure] When driving the liquid crystal element main body, when the crossing electrodes are made to be in a ferroelectric state at the time of selecting the crossing electrodes, a writing pulse in a ferroelectric state is applied between the electrodes, and When the antiferroelectric state is set, the potential between the electrodes is set to zero, and when the crossing electrodes are not selected, the AC pulse component having a pulse width shorter than the pulse width of the writing pulse is selected. A state-holding pulse is formed by superimposing it on a DC bias component (Vo) of a constant polarity for holding the state, and this state-holding pulse is applied between the crossing electrodes to spontaneously polarize the antiferroelectric liquid crystal. Driving method of liquid crystal element that has blocked the response of.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、反強誘電性液晶を挟持
してなる液晶素子の駆動方法に係わり、特に非選択時に
自発分極成分の応答可能時間よりも短い時間幅で反転す
る交流パルス成分を、反強誘電性液晶における光透過率
の電圧依存性が平坦な値の直流バイアス成分に重畳して
印加することにより、選択時における強誘電状態又は反
強誘電状態を保持し得るようにした液晶素子の駆動方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of driving a liquid crystal element sandwiching an antiferroelectric liquid crystal, and in particular, an AC pulse which is inverted in a time width shorter than the response time of a spontaneous polarization component when not selected. By applying the component by superimposing it on the DC bias component having a flat voltage dependency of the light transmittance of the antiferroelectric liquid crystal, it is possible to maintain the ferroelectric state or the antiferroelectric state at the time of selection. The present invention relates to a method for driving a liquid crystal element.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、液晶を用いた表示分野では、TF
T(thin-film transistor)のような能動素子を用いず
に大容量で鮮明な画像をマトリックス表示するため、強
誘電性液晶ディスプレイ(FLCD:FERRO-ELECTRIC L
IQUID CRYSTAL DISPLAY )及び反強誘電性液晶ディスプ
レイ(AFLCD:ANTIFERRO-ELECTRIC LIQUID CRYSTA
L DISPLAY )が研究開発されている。2. Description of the Related Art Recently, in the field of display using liquid crystal, TF
A ferroelectric liquid crystal display (FLCD: FERRO-ELECTRIC L) is used for displaying a large-capacity and clear image in a matrix without using an active element such as a T (thin-film transistor).
IQUID CRYSTAL DISPLAY) and anti-ferroelectric liquid crystal display (AFLCD: ANTIFERRO-ELECTRIC LIQUID CRYSTA)
L DISPLAY) is being researched and developed.
【0003】この開発状況については文献1(福田敦夫
監修、”次世代液晶ディスプレイと液晶材料”、シーエ
ムシー(株))に詳しく記載されており、特に後者の反
強誘電性液晶ディスプレイは視野角が広く、且つ角度異
存性が少なく、また階調表示の可能性があると述べられ
ている。This development situation is described in detail in Reference 1 (supervised by Atsushi Fukuda, "Next Generation Liquid Crystal Displays and Liquid Crystal Materials", CMC Co., Ltd.). In particular, the latter antiferroelectric liquid crystal display has a viewing angle. Is wide, there is little angular disparity, and there is a possibility of gradation display.
【0004】ここで、反強誘電性液晶(AFLC:ANTI
FERRO-ELECTRIC LIQUID CRYSTAL)は強誘電性液晶(FL
C:FERRO-ELECTRIC LIQUID CRYSTAL)のよりも配向制御
が容易な上、衝撃又はストレスによる層変化に対して自
己修復性を有する利点をもっている。Here, an antiferroelectric liquid crystal (AFLC: ANTI)
FERRO-ELECTRIC LIQUID CRYSTAL) is a ferroelectric liquid crystal (FL).
C: FERRO-ELECTRIC LIQUID CRYSTAL) has the advantage of being easier to control the orientation and having self-healing property against layer change due to impact or stress.
【0005】このAFLCの層構造については前渇書に
記載があるのでその詳細な説明は省略し、ここでは図1
5を用いて簡単に述べる。このAFLCは、図15
(b)に示すように、特に直流電場Eを印加されずに分
子軸1の方向及びそれに付随する自発分極の方向2が層
毎に反転した反強誘電状態(以下、AF状態もしくはS
mCA * という)と、図15(a),(c)に示すよう
に、印加される直流電場Eの極性に対応して自発分極の
方向2が層毎に一致した強誘電状態(以下、F状態とい
う)とのように大きく分けて2つの状態をとり得る。な
お、F状態は印加される直流電場E(電圧)の正又は負
の極性によって2通りの自発分極の方向2をもってい
る。AF状態は電圧の印加がない時にはエネルギー的に
は安定であり、また、自発分極の方向2が混在する程度
に対応して、例えばSmCα* 、SmCβ* 、SmCγ
* 相などの亜種があるといわれている。Since the layer structure of this AFLC is described in the preliminary reference book, its detailed description is omitted here.
5 will be briefly described. This AFLC is shown in FIG.
As shown in (b), the antiferroelectric state (hereinafter, AF state or S state) in which the direction of the molecular axis 1 and the accompanying spontaneous polarization direction 2 are inverted for each layer without applying a DC electric field E in particular.
mC A * ), and as shown in FIGS. 15A and 15C, the ferroelectric state in which the direction 2 of the spontaneous polarization corresponds to each layer according to the polarity of the applied DC electric field E (hereinafter, The F state can be roughly divided into two states. The F state has two spontaneous polarization directions 2 depending on the positive or negative polarity of the applied DC electric field E (voltage). The AF state is energetically stable when no voltage is applied, and corresponds to the degree to which the spontaneous polarization directions 2 are mixed, for example, SmCα * , SmCβ * , and SmCγ.
* It is said that there are subspecies such as phases.
【0006】このように、AFLCは、正又は負の電圧
の印加に対応した2つのF状態と、無電圧に対応した1
つのAF状態との計3つの状態をとり得ることになる。
次に、AFLCDの駆動方法に関係してAFLCの電気
光学的応答を簡単に説明する。図16はこのAFLCに
おける光の透過率の電圧依存性を示す図である。同図に
おいて、AFLCは、印加電圧の零レベル→正極性(プ
ラス)→負極性(マイナス)→零レベルという変化に対
応して光の透過率が2重ヒステリシス特性を示してい
る。As described above, the AFLC has two F states corresponding to the application of a positive or negative voltage, and one F state corresponding to no voltage.
There will be a total of three states, one AF state.
Next, the electro-optical response of AFLC will be briefly described in relation to the driving method of AFLCD. FIG. 16 is a diagram showing the voltage dependence of the light transmittance in this AFLC. In the figure, the AFLC shows a double hysteresis characteristic in light transmittance corresponding to a change in applied voltage from zero level → positive polarity (plus) → negative polarity (minus) → zero level.
【0007】すなわち、まず、ディスプレイ用のAFL
Cは、図17に示すように、電圧無印加状態をオフ
(暗)状態とするように、AF状態における平均分子軸
方向を一方の偏向板の方向に略一致させるように配置さ
れる。これに、例えば数十Hz程度の三角波を印加し
て、同期した光透過率をプロットしたものが図16であ
る。That is, first, an AFL for a display.
As shown in FIG. 17, C is arranged so that the average molecular axis direction in the AF state substantially coincides with the direction of one of the deflecting plates so that the no voltage applied state is turned off (dark). FIG. 16 is a graph in which a synchronized light transmittance is plotted by applying a triangular wave of about several tens Hz to this.
【0008】ここで、印加電圧を零レベルから正極性側
に上げると、AF状態は閾値Vthまで保持され、Vthを
越えると、徐々に一方の自発分極成分が反転して最終的
にVstで正側のF状態に転移する。Here, when the applied voltage is raised from the zero level to the positive polarity side, the AF state is maintained up to the threshold value Vth, and when it exceeds Vth, one spontaneous polarization component is gradually inverted and finally becomes positive at Vst. To the F state on the side.
【0009】一方、このF状態は、印加電圧を低下させ
たとき、Vthより低い電圧Vth′まで保持されるが、こ
のVth′を境に自発分極に徐々に逆方向成分が含まれ、
印加電圧が負極性になるとき、再度AF状態に転移す
る。また、このAF状態は印加電圧の低下に伴って印加
電圧(−Vth)まで保持されるが、この(−Vth)を境
にして負側のF状態に転移する。On the other hand, this F state is maintained up to a voltage Vth 'which is lower than Vth when the applied voltage is lowered, but the spontaneous polarization gradually includes a reverse component at this Vth'.
When the applied voltage has a negative polarity, it transits to the AF state again. Further, this AF state is maintained up to the applied voltage (-Vth) as the applied voltage decreases, but transitions to the negative F state at this (-Vth) boundary.
【0010】なお、正側のF状態の分子軸は図17にお
ける+θ方向を示し、負側のF状態の分子軸は(−θ)
方向を示す。このとき、正側及び負側のF状態は、光の
透過率がほぼ等しいために同じ状態として使用される
が、相違するものとして使用することも可能である。The molecular axis of the F state on the positive side shows the + θ direction in FIG. 17, and the molecular axis of the F state on the negative side is (−θ).
Indicates the direction. At this time, the positive-side and negative-side F states are used as the same state because the light transmittances are substantially equal, but they can also be used as different states.
【0011】図18は、この種の2重ヒステリシス特性
を利用した電圧変調におけるマトリックス駆動用波形を
示す図である(前掲文献1の102頁)。選択時に形成
される各状態は非選択時間にバイアス電圧(DC成分)
を与えて保持するが、このDC成分は一フレーム毎に
(図18では第1フレームと第2フレーム)、全ての基
本信号の極性を反転させて排除される。こうしても、図
16のヒステリシス特性の対称性から、問題ないことは
明らかである。なお、片方のF状態のみを使用しても良
いが、視野角の対称性と層に対する機械的圧力の見地か
ら両方のF状態を均等に使用することが好ましい。FIG. 18 is a diagram showing a matrix driving waveform in the voltage modulation utilizing this type of double hysteresis characteristic (page 102 of the above-mentioned document 1). Each state formed during selection is bias voltage (DC component) during non-selection time
However, this DC component is eliminated by inverting the polarities of all the basic signals for each frame (first frame and second frame in FIG. 18). Even in this case, it is clear that there is no problem from the symmetry of the hysteresis characteristic of FIG. Although only one F state may be used, it is preferable to use both F states evenly from the viewpoint of the symmetry of the viewing angle and the mechanical pressure on the layer.
【0012】F(オン)状態の書込信号3は|Vo +V
D |>|Vst|の条件を満たし、AF(オフ)状態の書
込信号4は|Vo +VN |<|Vth|の条件を満たして
いる。図18中aはバイアス比である。選択時において
は、F状態又はAF状態が各データ電極上に個別に形成
される。しかる後、非選択時においては、印加電圧がV
o (|Vth′|<Vo |<Vth|)に低下するが、ヒス
テリシスのため、例えばF状態が保持される。しかしな
がら、非選択時の印加電圧は非選択信号の電圧Vo を中
心に、書込用のパルス幅と同じ時間幅をかけた振幅Vs
による変動を交流的に続ける。このため、中心電圧Vo
及びその振幅Vsに対応するヒステリシスカーブが平坦
な領域でなく緩やかに変化している場合、この印加電圧
の変動に自発分極成分が応答して光がリークしてしま
う。このことはAF状態についても同様である。この光
のリークを阻止すればコントラストを80〜100程度
に向上し得るが、電圧変調ではリークの阻止が原理的に
困難でコントラストの20〜30程度の低下を招いてい
る問題がある。The write signal 3 in the F (on) state is │Vo + V
D |> | satisfies the condition, the write signal 4 AF (off) state | | Vst meets the condition | Vo + V N | <| Vth. In FIG. 18, a is a bias ratio. At the time of selection, the F state or the AF state is individually formed on each data electrode. Then, when not selected, the applied voltage is V
o (| Vth '| <Vo | <Vth |), but due to hysteresis, for example, the F state is maintained. However, the applied voltage at the time of non-selection is an amplitude Vs obtained by multiplying the voltage Vo of the non-selection signal by the same time width as the pulse width for writing.
The fluctuation due to is continued in an alternating manner. Therefore, the center voltage Vo
In addition, when the hysteresis curve corresponding to the amplitude Vs is not a flat region but is gently changing, the spontaneous polarization component responds to the fluctuation of the applied voltage and light leaks. This also applies to the AF state. If this light leakage is prevented, the contrast can be improved to about 80 to 100, but voltage modulation has a problem that it is difficult in principle to prevent the leakage and the contrast is reduced by about 20 to 30.
【0013】一方、本出願人は、特願平4−29577
1号において、誘電異方性が正でシェブロン構造を保持
する特定のAFLCに対し、パルス幅変調駆動に属する
駆動波形を用いて非選択時に誘電的トルクを作用させる
ことにより、この問題を改善する技術を開示している。On the other hand, the present applicant has filed Japanese Patent Application No. 4-29577.
In No. 1, a specific AFLC having a positive dielectric anisotropy and retaining a chevron structure is subjected to a dielectric torque at the time of non-selection by using a drive waveform belonging to pulse width modulation drive, thereby improving this problem. The technology is disclosed.
【0014】すなわち、非選択時に書込用パルスのパル
ス幅よりも短い時間幅の交流パルスを印加することによ
り、選択時におけるF状態又はAF状態から他方の状態
への移行を阻止する技術である。That is, this is a technique for preventing the transition from the F state or the AF state to the other state at the time of selection by applying an AC pulse having a time width shorter than the pulse width of the writing pulse at the time of non-selection. .
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特願平4
−295771号に開示された技術では、次のような問
題がある。すなわち、特願平4−295771号におい
て印加される交流パルスは、電圧が零レベルを中心にし
て変動するため、F状態とAF状態の自発分極の揺らぎ
を阻止したが、F状態がAF状態へ緩和するのを完全に
は阻止し得ないという問題がある。特に非選択時間(走
査線数)が増すと緩和が甚だしくチラツキが増えてい
る。また、緩和時間を長くするためには、より高周波の
パルスを必要として消費電力がかかるという問題があ
る。加えて、走査信号は5つの出力電圧レベルをもつ高
周波パルスを走査信号とするため、駆動回路が煩雑化す
る問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, Japanese Patent Application No. 4
The technique disclosed in No. 295771 has the following problems. In other words, the AC pulse applied in Japanese Patent Application No. 4-2957571 fluctuates the spontaneous polarization in the F state and the AF state because the voltage fluctuates around the zero level, but the F state changes to the AF state. There is a problem that the relaxation cannot be completely prevented. Especially, when the non-selection time (the number of scanning lines) is increased, the relaxation is extremely great and the flicker increases. Further, in order to lengthen the relaxation time, there is a problem that higher frequency pulses are required and power consumption is required. In addition, since the scanning signal uses a high frequency pulse having five output voltage levels as the scanning signal, there is a problem that the driving circuit becomes complicated.
【0016】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、非選択時に自発分極成分の応答可能時間よりも短い
時間幅の交流パルス成分を、反強誘電性液晶における光
透過率の電圧依存性が平坦な値の直流バイアス成分に重
畳して印加することにより、自発分極成分の応答に起因
する光のリーク及びコントラストの低下を完全に阻止し
得る液晶素子の駆動方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and in the non-selected state, an AC pulse component having a time width shorter than the response time of the spontaneous polarization component is applied to the voltage dependence of the light transmittance of the antiferroelectric liquid crystal. An object of the present invention is to provide a method for driving a liquid crystal element, which can completely prevent leakage of light and reduction in contrast due to the response of a spontaneous polarization component by superimposing and applying on a DC bias component having a flat property. And
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】請求項1に対応する発明
は、カイラルスメクチックCA * 相を呈する反強誘電性
液晶を交差電極間に挟持してなる液晶素子の駆動方法に
おいて、前記液晶素子本体の駆動の際に、前記交差電極
の選択時で、且つ該交差電極間を強誘電状態とすると
き、当該交差電極間に前記強誘電状態の書込用パルスを
印加し、前記交差電極の選択時で、且つ該交差電極間を
反強誘電状態とするとき、当該交差電極間に前記反強誘
電状態の書込用の無電圧状態を形成し、前記交差電極の
非選択時に、前記書込用パルスのパルス幅よりも短いパ
ルス幅をもつ交流パルス成分を前記選択時における強誘
電状態又は反強誘電状態を保持するための一定極性の直
流バイアス成分に重畳して状態保持用パルスを形成し、
この状態保持用パルスを当該交差電極間に印加して前記
反強誘電性液晶の自発分極成分の応答を阻止した液晶素
子の駆動方法である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of driving a liquid crystal element, wherein an antiferroelectric liquid crystal exhibiting a chiral smectic C A * phase is sandwiched between crossing electrodes. When the main body is driven, when the crossing electrodes are selected and when the crossing electrodes are brought into a ferroelectric state, a writing pulse for the ferroelectric state is applied between the crossing electrodes to change the crossing electrodes. When the anti-ferroelectric state is established between the crossing electrodes at the time of selection, a no-voltage state for writing the anti-ferroelectric state is formed between the crossing electrodes, and when the crossing electrodes are not selected, the writing is performed. An AC pulse component having a pulse width shorter than the pulse width of the input pulse is superimposed on a DC bias component having a constant polarity for maintaining the ferroelectric state or the antiferroelectric state at the time of selection to form a state holding pulse. Then
This is a method of driving a liquid crystal element in which the state-holding pulse is applied between the cross electrodes to prevent the spontaneous polarization component of the antiferroelectric liquid crystal from responding.
【0018】また、請求項2に対応する発明は、請求項
1に対応する液晶素子の駆動方法において、前記書込用
パルスのパルス幅をτとしたとき、単位パルス幅τ/n
(n=2、3、4、5、…のうちの一つの整数)をもつ
正並びに負極性の単位パルス及び前記単位パルス幅τ/
nと同一時間幅をもつ零レベル状態の組合わせにより、
前記強誘電状態の書込用パルスを形成するためのオン用
データ信号、前記反強誘電状態を形成するためのオフ用
データ信号、前記交差電極を選択するための選択用走査
信号及び前記交差電極を非選択とするための非選択用走
査信号を個別に形成し、前記オン用データ信号、前記オ
フ用データ信号及び前記選択用走査信号における出力電
圧レベルの数を前記各単位パルス及び前記零レベル状態
に対応して3とし、且つ前記非選択用走査信号に前記直
流バイアス成分を含めるようにした液晶素子の駆動方法
である。According to a second aspect of the present invention, in the method of driving a liquid crystal element according to the first aspect, when the pulse width of the writing pulse is τ, a unit pulse width τ / n
Positive and negative unit pulses having (n = 2, 3, 4, 5, ... Integer) and the unit pulse width τ /
By the combination of zero level states having the same time width as n,
An ON data signal for forming the writing pulse in the ferroelectric state, an OFF data signal for forming the anti-ferroelectric state, a scanning signal for selection for selecting the crossing electrode, and the crossing electrode. Non-selection scanning signals for non-selection are individually formed, and the number of output voltage levels in the ON data signal, the OFF data signal and the selection scanning signal is set to the unit pulse and the zero level. It is a method of driving a liquid crystal element, which is set to 3 in accordance with the state and includes the DC bias component in the non-selection scanning signal.
【0019】請求項3に対応する発明は、請求項1又は
請求項2に対応する液晶素子の駆動方法において、前記
選択用走査信号及び前記非選択用走査信号が一巡するフ
レーム毎に、前記オン用データ信号、前記オフ用データ
信号、前記選択用走査信号及び前記非選択用走査信号の
極性を反転させる液晶素子の駆動方法である。According to a third aspect of the present invention, in the liquid crystal element driving method according to the first or second aspect, the on-state is turned on for each frame in which the selection scanning signal and the non-selection scanning signal make one cycle. Is a method for driving a liquid crystal element in which the polarities of the data signal for scanning, the data signal for turning off, the scanning signal for selection, and the scanning signal for non-selection are inverted.
【0020】請求項4に対応する発明は、請求項1乃至
請求項3のいずれか1項に対応する液晶素子の駆動方法
において、前記選択時の前記交差電極間における前記反
強誘電状態を形成するための無電圧状態の時間幅として
は、前記強誘電性状態を形成するための前記書込用パル
スのパルス幅よりも長くした液晶素子の駆動方法であ
る。According to a fourth aspect of the invention, in the method for driving a liquid crystal element according to any one of the first to third aspects, the antiferroelectric state is formed between the cross electrodes during the selection. The time width of the non-voltage state for this purpose is a driving method of the liquid crystal element in which the pulse width of the write pulse for forming the ferroelectric state is made longer.
【0021】請求項5に対応する発明は、請求項1乃至
請求項4のいずれか1項に対応する液晶素子の駆動方法
において、複数の交差電極間で前記オン用データ信号に
含まれる単位パルスの数を変更し、当該オン用データ信
号に基づいて形成される前記書込用パルスのパルス幅を
変化させ、前記液晶素子本体に階調を表示させる液晶素
子の駆動方法である。According to a fifth aspect of the invention, in the method for driving a liquid crystal element according to any one of the first to fourth aspects, a unit pulse included in the ON data signal between a plurality of cross electrodes. Is changed and the pulse width of the write pulse formed on the basis of the ON data signal is changed to display a gradation on the liquid crystal element body.
【0022】[0022]
【作用】従って、請求項1に対応する発明は以上のよう
な手段を講じたことにより、液晶素子本体の駆動の際
に、交差電極の選択時で、且つ交差電極間を強誘電状態
とするとき、交差電極間に強誘電状態の書込用パルスを
印加し、交差電極の選択時で、且つ交差電極間を反強誘
電状態とするとき、交差電極間に反強誘電状態の書込用
の無電圧状態を形成し、交差電極の非選択時に、書込用
パルスのパルス幅よりも短いパルス幅をもつ交流パルス
成分を選択時における強誘電状態又は反強誘電状態を保
持するための一定極性の直流バイアス成分に重畳して状
態保持用パルスを形成し、この状態保持用パルスを交差
電極間に印加して反強誘電性液晶の自発分極成分の応答
を阻止できるので、非選択時に自発分極成分の応答可能
時間よりも短い時間幅の交流パルス成分を、反強誘電性
液晶における光透過率の電圧依存性が平坦な値の直流バ
イアス成分に重畳して印加することにより、自発分極成
分の応答に起因する光のリーク及びコントラストの低下
を完全に阻止することができる。Therefore, according to the invention corresponding to claim 1, by taking the above-mentioned means, when the liquid crystal element main body is driven, the cross electrodes are selected and the space between the cross electrodes is set to the ferroelectric state. At this time, a pulse for writing in the ferroelectric state is applied between the crossing electrodes, and when the crossing electrodes are selected and the antiferroelectric state is set between the crossing electrodes, for writing in the antiferroelectric state between the crossing electrodes. Of a constant voltage for maintaining the ferroelectric state or the antiferroelectric state at the time of selecting the AC pulse component having the pulse width shorter than the pulse width of the writing pulse when the cross electrode is not selected. A state-holding pulse is formed by superimposing it on the DC bias component of the polarity, and this state-holding pulse can be applied between the cross electrodes to block the response of the spontaneous polarization component of the antiferroelectric liquid crystal. Time shorter than the response time of the polarization component By applying the AC pulse component of the DC bias component having a flat voltage dependence of the light transmittance of the antiferroelectric liquid crystal, the leakage current and contrast of light caused by the response of the spontaneous polarization component The decline can be completely prevented.
【0023】請求項2に対応する発明は、上記書込用パ
ルスのパルス幅をτとしたとき、単位パルス幅τ/n
(n=2、3、4、5、…のうちの一つの整数)をもつ
正並びに負極性の単位パルス及び単位パルス幅τ/nと
同一時間幅をもつ零レベル状態の組合わせにより、強誘
電状態の書込用パルスを形成するためのオン用データ信
号、反強誘電状態を形成するためのオフ用データ信号、
交差電極を選択するための選択用走査信号及び交差電極
を非選択とするための非選択用走査信号を個別に形成
し、オン用データ信号、オフ用データ信号及び選択用走
査信号における出力電圧レベルの数を各単位パルス及び
零レベル状態に対応して3とし、且つ非選択用走査信号
に直流バイアス成分を含めるので、請求項1に対応する
作用に加え、高いコントラストで速い書込みを実行する
ことができ、出力レベル数が少ないので駆動回路が簡単
となる。In the invention corresponding to claim 2, when the pulse width of the write pulse is τ, a unit pulse width τ / n
A combination of positive and negative unit pulses having (n = one of 2, 3, 4, 5, ...) And a zero level state having the same time width as the unit pulse width τ / n gives a strong result. An on-data signal for forming a writing pulse in a dielectric state, an off-data signal for forming an antiferroelectric state,
Output voltage levels of the ON data signal, the OFF data signal, and the selection scan signal are formed by individually forming the selection scan signal for selecting the cross electrode and the non-selection scan signal for deselecting the cross electrode. Is set to 3 corresponding to each unit pulse and zero level state, and the non-selection scanning signal includes a DC bias component. Therefore, in addition to the function corresponding to claim 1, fast writing with high contrast can be performed. Since the number of output levels is small, the driving circuit becomes simple.
【0024】請求項3に対応する発明は、選択用走査信
号及び非選択用走査信号が一巡するフレーム毎に、オン
用データ信号、オフ用データ信号、選択用走査信号及び
非選択用走査信号の極性を反転させるので、請求項1及
び2に対応する作用に加え、液晶の使用状況を均一化し
て視野角依存性を向上させることができる。According to a third aspect of the invention, an ON data signal, an OFF data signal, a selection scanning signal and a non-selection scanning signal are provided for each frame in which the selection scanning signal and the non-selection scanning signal make one cycle. Since the polarity is inverted, in addition to the effect corresponding to the first and second aspects, the usage condition of the liquid crystal can be made uniform and the viewing angle dependency can be improved.
【0025】請求項4に対応する発明は、選択時の交差
電極間における反強誘電状態を形成するための無電圧状
態の時間幅を強誘電性状態を形成するための書込用パル
スのパルス幅よりも長くしたので、請求項1乃至3に対
応する作用に加え、液晶材料の特性に合わせた最小の書
込み時間幅を設定し、より一層の高速書込みを図ること
ができる。According to the fourth aspect of the invention, the time width of the no-voltage state for forming the antiferroelectric state between the cross electrodes at the time of selection is the pulse of the write pulse for forming the ferroelectric state. Since the width is made longer than the width, in addition to the action corresponding to the first to third aspects, the minimum writing time width can be set according to the characteristics of the liquid crystal material, and the writing speed can be further increased.
【0026】請求項5に対応する発明は、複数の交差電
極間でオン用データ信号に含まれる単位パルスの数を変
更し、オン用データ信号に基づいて形成される書込用パ
ルスのパルス幅を変化させ、液晶素子本体に階調を表示
させるので、請求項1乃至4に対応する作用に加え、容
易且つ段階的に階調を表示することができる。According to a fifth aspect of the present invention, the number of unit pulses included in the ON data signal is changed between a plurality of cross electrodes, and the pulse width of the write pulse formed based on the ON data signal is changed. Since the gradation is displayed on the liquid crystal element body by changing, the gradation can be displayed easily and stepwise in addition to the effect corresponding to the first to fourth aspects.
【0027】[0027]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明するが、その前に、本発明の原理を説明す
る。すなわち、本発明はAFLCの層構造と高周波パル
スに対する誘電的応答とを利用しているので、この関係
について簡単に述べる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, but before that, the principle of the present invention will be described. That is, since the present invention utilizes the layer structure of AFLC and the dielectric response to high frequency pulses, this relationship will be briefly described.
【0028】最近のFLC及びAFLCにおけるスメク
チック層のX線回折の実験によると、スメクチック層は
図19(b)に示されるブックシェルフ構造ではなく、
図19(a)に示すように、層の中央付近が“く”の字
型に屈曲したシェブロン構造となっている(テー・ピー
・リーカー他、フィジカル・レビュー・レターズ、59
巻、ページ2658(1987))。According to the X-ray diffraction experiment of the smectic layer in recent FLC and AFLC, the smectic layer is not the bookshelf structure shown in FIG.
As shown in FIG. 19 (a), the chevron structure is formed by bending a V-shape in the vicinity of the center of the layer (Tapee Leeker et al., Physical Review Letters, 59).
Vol., Page 2658 (1987)).
【0029】ここで、シェブロン構造はスメクチックの
層方向がガラス基板から有限な角度αだけ傾いている。
また、液晶の分子軸1は可能な限り、基板に平行になる
傾向をもち、最終的には図20に示すように、液晶の分
子軸1が位置S1 ′及びS2′の傾きで安定する。な
お、この分子軸1とガラス基板とのなす角αをプレチル
ト角という。In the chevron structure, the smectic layer direction is inclined from the glass substrate by a finite angle α.
Further, the molecular axis 1 of the liquid crystal tends to be parallel to the substrate as much as possible, and finally, as shown in FIG. 20, the molecular axis 1 of the liquid crystal is stabilized at the inclinations of the positions S1 'and S2'. The angle α formed by the molecular axis 1 and the glass substrate is called a pretilt angle.
【0030】また、分子軸1の傾き位置S1 ′及びS2
′は構造的に許容された最大振幅の位置S1 及びS2
よりも内側にある。通常、分子軸1が最大振幅位置S1
及びS2 に傾くときにコントラストが最大となるため、
位置S1 ′及びS2 ′の分子軸1の傾きでは所望のコン
トラストを得られない。Further, the tilted positions S1 'and S2 of the molecular axis 1
′ Is the position S1 and S2 of maximum amplitude structurally allowed
More inside. Normally, molecular axis 1 is at maximum amplitude position S1
And the maximum contrast when tilted to S2,
The desired contrast cannot be obtained with the inclination of the molecular axis 1 at the positions S1 'and S2'.
【0031】ところで、各層内の分子軸1をS1 ′又は
S2 ′に拘束する、あるいはプレチルト角αを変化させ
て分子軸1を適正位置に傾かせて拘束(S1 ′→S1 又
はS2 ′→S2 )するための最も確実で液晶種によらな
い汎用的な技術として、誘電的トルクが利用されている
(特願平4−186715号、特願平4−219080
号)。この誘電的トルクはAFLCが直流電場に応答す
る際における電場の振幅とは別の重要なモードである。By the way, the molecular axis 1 in each layer is constrained to S1 'or S2', or the pretilt angle α is changed to tilt the molecular axis 1 to an appropriate position and constrain (S1 '→ S1 or S2' → S2. Dielectric torque is utilized as the most reliable and general-purpose technique for achieving the above) (Japanese Patent Application Nos. 4-186715 and 4-219080).
issue). This dielectric torque is an important mode apart from the amplitude of the electric field when the AFLC responds to the DC electric field.
【0032】例えば、AFLCに印加される直流電場E
の振幅(電圧)が一定のとき、自発分極の完全な反転に
は所定の時間幅(パルス幅)を必要とする。直流電場E
がこのパルス幅より短いとき、自発分極は途中までしか
反転せず、直流電場Eがこのパルス幅よりも大巾に短い
とき、自発分極は応答しない。For example, a DC electric field E applied to the AFLC
When the amplitude (voltage) of is constant, a predetermined time width (pulse width) is required for complete inversion of spontaneous polarization. DC electric field E
When the pulse width is shorter than this pulse width, the spontaneous polarization is inverted only halfway, and when the DC electric field E is much shorter than this pulse width, the spontaneous polarization does not respond.
【0033】このように高い周波数領域をもつ直流電場
Eを印加するとき、AFLCでは誘電的応答が支配的と
なる。なお、自発分極の応答の向き、すなわち分子軸1
の移動の向きは実効電圧に対応させて制御可能である。When a DC electric field E having a high frequency range is applied as described above, the dielectric response becomes dominant in AFLC. The direction of response of spontaneous polarization, that is, molecular axis 1
The moving direction of can be controlled according to the effective voltage.
【0034】誘電的応答が支配的な周波数領域では、分
子軸1の移動の向きは誘電テンソルT={εαβ、α、
β=x,y,z}の固有値における3成分(ε1 ,ε
2 ,ε3 )の大小関係で決定される。ε1 ,ε2 及びε
3 は図21に示す方向をもつ誘電率の値である。In the frequency region where the dielectric response is dominant, the direction of movement of the molecular axis 1 is the dielectric tensor T = {εαβ, α,
Three components (ε 1 , ε) in the eigenvalue of β = x, y, z}
2 , ε 3 ). ε 1 , ε 2 and ε
3 is the value of the dielectric constant having the direction shown in FIG.
【0035】すなわち、分子軸が基板面から立つように
移動するのは、次の(イ),(ロ)のようにε3 及びε
2 のうちの少なくとも一方が残りの2成分よりも大きい
場合である。 (イ)ε3 >ε2 でε3 >ε1 。 (ロ)ε2 >ε3 でε2 >ε1 。That is, the movement of the molecular axis so as to stand from the substrate surface is caused by ε 3 and ε as in the following (a) and (b).
At least one of the two is larger than the remaining two components. (B) ε 3 > ε 2 and ε 3 > ε 1 . (B) ε 2 > ε 3 and ε 2 > ε 1 .
【0036】また、分子軸が基板に平行になるのはαの
大きさにもよるが、(ハ)ε1 が最大の場合である。な
お、ネマチック液晶からの類推により、分子軸1が立つ
のは誘電異方性Δε=ε3 −ε1 が正の場合と考えられ
たが、二軸性を考慮すると、負の誘電異方性をもつ場合
であっても分子軸が立つことがある。The molecular axis is parallel to the substrate when (c) ε 1 is the maximum, although it depends on the size of α. By analogy with nematic liquid crystals, it was considered that the molecular axis 1 stands when the dielectric anisotropy Δε = ε 3 −ε 1 is positive, but in consideration of biaxiality, the negative dielectric anisotropy is considered. Even if it has, the molecular axis may stand.
【0037】FLCにおいて分子軸が基板に平行になっ
てコントラストを向上させるのは、ブックシェルフ構造
をもつ場合である(ジェー・ピ・レ・ペザント他、Liqu
id crystal conference, dijest p17(1984),ジェー・エ
ム・ジアリ、SID85, dijest128(1985) )。ブックシェ
ルフ構造では分子軸が立つのは好ましくないが、シェブ
ロン構造では分子軸が傾く方が望ましい。In FLC, the molecular axis is parallel to the substrate to improve the contrast in the case of having a bookshelf structure (Jepi-Les-Pezant et al., Liqu.
id crystal conference, dijest p17 (1984), JM Jari, SID85, dijest128 (1985)). In the bookshelf structure, it is not preferable that the molecular axis stands, but in the chevron structure, it is preferable that the molecular axis is tilted.
【0038】本発明者の実験によれば、AFLCではシ
ェブロン構造と推定される初期配向状態が通電時間に伴
ってブックシェルフといわれる安定な層構造に変化する
場合もある。この場合、前述した(ロ)の誘電的特性を
もつAFLCが望ましい。一方、シェブロン構造が変化
しない場合は、前述した(イ)又は(ロ)の誘電的特性
をもつAFLCが望ましい。According to the experiments conducted by the present inventor, in AFLC, the initial orientation state, which is presumed to have a chevron structure, may change to a stable layer structure called bookshelf with the passage of current. In this case, an AFLC having the above-mentioned (b) dielectric property is desirable. On the other hand, when the chevron structure does not change, AFLC having the above-mentioned (a) or (b) dielectric characteristics is desirable.
【0039】しかしながらAFLCにおいては、このよ
うな層構造の有様と誘電テンソルの固有値の大小関係と
がFLCほど重要でない。分子軸を層構造に見合うよう
に傾ける強い誘電的トルクを作用させることは重要でな
いことが実験的に確認されるからである。However, in AFLC, the state of such a layer structure and the magnitude relationship of the eigenvalues of the dielectric tensor are not so important as in FLC. This is because it is experimentally confirmed that it is not important to apply a strong dielectric torque that tilts the molecular axis to match the layer structure.
【0040】例えば、図16に示すヒステリシス特性か
ら推測されるように、AFLCでは、シェブロン構造及
びブックシェルフ構造のいずれでも、AF状態、F状態
とも一定極性の適正な直流バイアス成分が印加されたと
き、ほぼ最大のコントラストを与える位置に自動的に分
子軸が拘束されている。また、図16から推測されるよ
うに、AFLCではAF状態及びF状態を夫々同一極性
をもつ直流バイアス成分で保持可能である。FLCでは
同一極性の直流バイアスでは2状態が保持できない。For example, as inferred from the hysteresis characteristics shown in FIG. 16, in AFLC, in both the chevron structure and the bookshelf structure, when an appropriate DC bias component having a constant polarity is applied in both the AF state and the F state. , The molecular axis is automatically constrained at the position that gives almost maximum contrast. Further, as inferred from FIG. 16, in the AFLC, the AF state and the F state can be held by the DC bias components having the same polarity. In FLC, two states cannot be held with a DC bias of the same polarity.
【0041】そこで、本発明においては、AFLCにお
いてAF状態やF状態に対応する直流バイアス成分を印
加することにより、該当するAF状態又はF状態を保持
し、且つこの直流バイアス成分に重畳させて自発分極成
分の応答し得る時間幅よりも短い交流パルス成分を非選
択時に連続的に印加することにより、分子軸の変動を阻
止するという原理が適用される。Therefore, in the present invention, by applying a DC bias component corresponding to the AF state or the F state in the AFLC, the corresponding AF state or F state is held, and the DC bias component is superposed on this DC bias component. The principle of preventing the fluctuation of the molecular axis is applied by continuously applying an AC pulse component shorter than the time width in which the polarization component can respond in the non-selected state.
【0042】次に、このような原理を用いた本発明の実
施例に係る液晶素子について説明する。まず、この液晶
素子は、第1及び第2のガラス基板上にITO(indium
tin oxide)膜がスパッタリング法で成膜され、常法で
あるフォトエッチング法に従って線幅200μmのスト
ライプ状の画素電極が形成されている。Next, a liquid crystal element according to an embodiment of the present invention using such a principle will be described. First, this liquid crystal element is formed by applying ITO (indium) on the first and second glass substrates.
tin oxide) film is formed by a sputtering method, and a pixel electrode in a stripe shape having a line width of 200 μm is formed by a conventional photo-etching method.
【0043】ここで、第1のガラス基板は、画素電極上
にポリイミド膜が形成された後、このポリイミド膜にラ
ビングによる一軸配向処理が施され、第1の透明パネル
が形成される。Here, in the first glass substrate, after the polyimide film is formed on the pixel electrode, the polyimide film is subjected to the uniaxial orientation treatment by rubbing to form the first transparent panel.
【0044】一方、第2のガラス基板は、画素電極上に
フォトレジスト溶液(MP1400、シップレイ(株)
製)がスピンコートされ、常法であるフォトエッチング
法に従って直線状レジスト部が該画素電極と同じピッチ
で該画素電極間に該画素電極に接触しないように形成さ
れ、接着層を有する第2の透明パネル8が形成される。
次に、第1及び第2の透明パネルは互いに画素電極群
が直交するように密着され、1kg/cm2 の圧力で加
圧され、常温から5℃/分の昇温速度で約160℃まで
昇温され、1時間保持された後、冷却され圧力が外され
る。On the other hand, the second glass substrate had a photoresist solution (MP1400, Shipley Co., Ltd.) on the pixel electrode.
The second resist having a bonding layer is formed by spin coating, and linear resist portions are formed at the same pitch as the pixel electrodes so as not to come into contact with the pixel electrodes by the same photoetching method as in the conventional method. The transparent panel 8 is formed.
Next, the first and second transparent panels were adhered to each other so that the pixel electrode groups were orthogonal to each other, and were pressed at a pressure of 1 kg / cm 2 , and the temperature was raised from room temperature to about 160 ° C. at a temperature rising rate of 5 ° C./min. The temperature is raised and maintained for 1 hour, then cooled and the pressure is released.
【0045】このように、第1及び第2の透明パネル間
に1.8μmのギャップを有するマトリックス駆動用の
液晶素子が作成される。こうして作成された液晶素子
は、加熱オーブン中にて約110℃に保持され、次に示
すAFLCが封入口から毛管現象により基板間に導入さ
れた後、60℃まで徐冷して配向したSmCA * 相を得
ると共に、この温度で保持された。しかる後、該液晶素
子はエポキシ樹脂で完全に封入口が封止される。In this way, a matrix driving liquid crystal element having a gap of 1.8 μm between the first and second transparent panels is prepared. The liquid crystal device thus created is maintained at about 110 ° C. in a heating oven after the following AFLC is introduced between the substrates by capillary action from the filling port, SmC A oriented gradually cooled to 60 ° C. * A phase was obtained and held at this temperature. Thereafter, the liquid crystal element is completely sealed with an epoxy resin at the sealing port.
【0046】 (φはベンゼン環を示すものとする)この液晶の相転移
は次に示す通りである。 等方相→102℃→SmC* →70℃→SmCA * →4
0℃→SmX→結晶相 この液晶の誘電テンソルの固有値及びその周波数依存性
は測定困難である。[0046] (Φ means benzene ring) Phase transition of this liquid crystal
Is as shown below. Isotropic phase → 102 ° C → SmC* → 70 ℃ → SmCA * → 4
0 ℃ → SmX → Crystalline eigenvalue of the dielectric tensor of this liquid crystal and its frequency dependence
Is difficult to measure.
【0047】また、この液晶素子は60℃で図16に示
すように光透過率の電圧依存性が2重ヒステリシス特性
となっている。なお、印加電圧は50Vp−pで50H
zの三角波である。図示するように、|Vth|=17
V、|Vth′|=4V、|Vst|=20Vである。Further, this liquid crystal element has a double hysteresis characteristic in the voltage dependency of the light transmittance at 60 ° C. as shown in FIG. The applied voltage is 50Vp-p and 50H.
It is a triangular wave of z. As shown, | Vth | = 17
V, | Vth '| = 4V, | Vst | = 20V.
【0048】さらに、この液晶素子は、図1に示すよう
に、AF状態から一方のF状態への自発分極成分の応答
時間及びこの一方のF状態から他方のF状態への自発分
極成分の応答時間が約0.4msとなっており、他方の
F状態からAF状態への自発分極成分の応答時間が約
0.8msとなっている。すなわち、この液晶素子はF
状態の書込に約0.4msを必要とし、AF状態の書込
に約0.8msを必要としている。Further, in this liquid crystal element, as shown in FIG. 1, the response time of the spontaneous polarization component from the AF state to one F state and the response of the spontaneous polarization component from this one F state to the other F state. The time is about 0.4 ms, and the response time of the spontaneous polarization component from the other F state to the AF state is about 0.8 ms. That is, this liquid crystal element has F
It takes about 0.4 ms to write the state, and about 0.8 ms to write the AF state.
【0049】また、この液晶素子は、誘電的応答が支配
的になるパルス幅が0.2msである。なお、これは安
定なAF状態に前述した0.4msより短いパルス幅の
高周波パルス(50Vp−p)を印加する実験により判
定され、該実験では0.2ms以下のパルス幅のときに
光透過率が印加パルスに追随しなくなったという結果を
得ている。Further, in this liquid crystal element, the pulse width in which the dielectric response is dominant is 0.2 ms. This is determined by an experiment in which a high-frequency pulse (50 Vp-p) having a pulse width shorter than 0.4 ms described above is applied to a stable AF state. In the experiment, the light transmittance is measured when the pulse width is 0.2 ms or less. It has been obtained that the current does not follow the applied pulse.
【0050】また、この実験結果は、書込時のパルス幅
を0.4msとすると、例えば、非選択時のパルス幅を
書込時のパルス幅の1/3以下(0.2ms以下)にし
たとき、分子軸の変動を完全に阻止し、コントラストを
大幅に向上し得ることを示唆している。Further, this experimental result shows that assuming that the pulse width during writing is 0.4 ms, the pulse width during non-selection is, for example, 1/3 or less (0.2 ms or less) of the pulse width during writing. This suggests that the fluctuation of the molecular axis can be completely prevented and the contrast can be significantly improved.
【0051】次に、以上のような液晶素子の駆動方法に
ついて図面を用いて説明する。図2はこの液晶素子を駆
動させるための走査信号及びデータ信号を合成してなる
駆動パルスを示す図であり、図3はこの駆動パルスによ
る液晶素子の駆動を説明するためのタイムチャートであ
る。Next, a method of driving the above liquid crystal element will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a diagram showing a driving pulse formed by combining a scanning signal and a data signal for driving the liquid crystal element, and FIG. 3 is a time chart for explaining the driving of the liquid crystal element by the driving pulse.
【0052】なお、この駆動パルスは、互いに略直交す
るデータ電極及び走査電極に挟持されたAFLCに対
し、データ電極に印加するデータ信号及び走査電極に印
加する走査信号の両信号を合成した際の電位差として印
加されている。This drive pulse is obtained by combining both signals of the data signal applied to the data electrode and the scanning signal applied to the scanning electrode with respect to the AFLC sandwiched between the data electrode and the scanning electrode which are substantially orthogonal to each other. It is applied as a potential difference.
【0053】この駆動パルスの特長は、データ信号、走
査信号とも、書込に必要な最短のパルス幅τの1/n
(=3)のパルス幅と、振幅VD (=Vs )とからなる
単位パルスを組合わせて形成されることである。このた
め、出力電圧レベル数は正レベル、零レベル、負レベル
の3つとなる。なお、ここで、nをパルス比といい、
“単位パルスのパルス幅/書込みに必要な最短のパルス
幅τ”と定める。The characteristic of this driving pulse is that both the data signal and the scanning signal are 1 / n of the shortest pulse width τ required for writing.
It is formed by combining a unit pulse composed of a pulse width of (= 3) and an amplitude V D (= Vs). Therefore, the number of output voltage levels is three, that is, the positive level, the zero level, and the negative level. Here, n is called a pulse ratio,
It is defined as "pulse width of unit pulse / shortest pulse width τ required for writing".
【0054】データ信号及び走査信号は、選択時に合成
されてAF状態又はF状態を他の状態に移行させる最短
のパルス幅τと波高値とを形成し、非選択時に直流バイ
アス電圧Vo の重畳されたパルス幅τ/n(=3)の状
態保持用パルスが印加されるようになっている。なお、
直流バイアス成分Vo の極性はオン状態の書込用パルス
の極性と同一極性とする。また、非選択時の状態保持用
パルスは、光振動の抑止効果を増大させるように光透過
率の追随不能な短い時間幅で反転する完全な交流パルス
として形成されている。すなわち、短く且つ同じ幅のパ
ルスによって光振動を抑止し、さらに、零電圧をとらな
い完全な交流パルスとしたことから誘電状態に対応する
実効値の低下を阻止して、確実に光振動を抑止させるこ
とができる。The data signal and the scanning signal are combined at the time of selection to form the shortest pulse width τ and peak value for shifting the AF state or the F state to another state, and the DC bias voltage Vo is superposed at the time of non-selection. A state-holding pulse having a pulse width τ / n (= 3) is applied. In addition,
The polarity of the DC bias component Vo is the same as the polarity of the writing pulse in the ON state. Further, the non-selected state holding pulse is formed as a complete AC pulse that is inverted in a short time width in which the light transmittance cannot follow so as to increase the effect of suppressing the optical vibration. That is, the optical oscillation is suppressed by a short pulse having the same width, and further, since the complete alternating current pulse that does not take the zero voltage is used, the reduction of the effective value corresponding to the dielectric state is prevented, and the optical oscillation is surely suppressed. Can be made.
【0055】また、選択時にF状態を形成する場合、時
間幅2τの双極性パルスが合成されるが、F状態の形成
に有効な部分は後半の単一パルスのみである。前半の単
一パルスはリセットパルスであって、走査する毎に状態
を他方のF状態に揃える機能をもっている。このリセッ
トパルスは省略可能であるが、階調表示のために挿入さ
れている。Further, when the F state is formed at the time of selection, bipolar pulses having a time width of 2τ are synthesized, but the effective portion for forming the F state is only the latter half single pulse. The single pulse in the first half is a reset pulse, and has a function of aligning the state with the other F state each time scanning is performed. Although this reset pulse can be omitted, it is inserted for gradation display.
【0056】一方、AF状態を形成する場合、選択時に
おける最初と最後のτ/3だけにパルス電圧を印加し、
中間の4τ/3の時間を零電圧としてF状態からAF状
態に移行を実現している。零電圧の時間をパルス幅τよ
りも長くした理由は、前述した通り、AF状態の書込に
必要な時間がF状態の書込に必要な時間より長いからで
ある。一般にはAF書込みに必要な時間幅にこの零電位
の長さを合わせる。On the other hand, when the AF state is formed, the pulse voltage is applied only to the first and last τ / 3 at the time of selection,
The transition from the F state to the AF state is realized by setting the voltage of 4τ / 3 in the middle to zero voltage. The reason why the zero voltage time is set longer than the pulse width τ is that the time required for writing the AF state is longer than the time required for writing the F state, as described above. Generally, the length of this zero potential is adjusted to the time width required for AF writing.
【0057】ここで、振幅VD =Vs =25V、直流バ
イアス成分Vo =12V、パルス幅τ=0.45ms、
パルス幅比n=3として図3の(a),(b)を連結し
た電圧波形を波形発生器で形成して液晶素子に印加した
ところ、明暗のコントラストを80:1とした書込みが
可能であった。また、非選択部の長さを2000ライン
としても完全な書込みが可能であった。さらに、振幅V
D (=Vs )を30Vに上げると、パルス比n=2でも
書き込みが可能であった。Here, the amplitude V D = Vs = 25 V, the DC bias component Vo = 12 V, the pulse width τ = 0.45 ms,
When a pulse width ratio n = 3 and a voltage waveform in which (a) and (b) in FIG. 3 are connected is formed by a waveform generator and applied to a liquid crystal element, writing with a contrast of 80: 1 is possible. there were. Further, complete writing was possible even when the length of the non-selected portion was 2000 lines. Furthermore, the amplitude V
When D (= Vs) was raised to 30V, writing was possible even with a pulse ratio n = 2.
【0058】次に、F状態を形成するためのオン用デー
タ信号に含まれる単位パルスの数に対応して自発分極の
成分比を変化させて階調を制御した。例えば階調性を調
べるために図7のオン用データ信号の後半部分のパルス
を1つ減らした信号列を同様に発生して光透過率を調べ
たところ、該透過率が30%低下し、もう1つパルスを
減らすと、該透過率が70%低下することを確認した。Next, the gradation was controlled by changing the spontaneous polarization component ratio in accordance with the number of unit pulses included in the ON data signal for forming the F state. For example, in order to check the gradation, a signal train in which the number of pulses in the latter half portion of the ON data signal in FIG. 7 is reduced by 1 is generated in the same manner, and the light transmittance is checked. It was confirmed that the transmittance was reduced by 70% when another pulse was reduced.
【0059】上述したように本実施例によれば、非選択
時に自発分極成分の応答可能時間よりも短い時間幅の交
流パルス成分を、反強誘電性液晶における光透過率の電
圧依存性が平坦な値の直流バイアス成分に重畳して印加
することにより、選択時のF状態又はAF状態を誘電的
トルクにより安定化でき、自発分極成分の応答に起因す
る光のリーク及びコントラストの低下を完全に阻止する
ことができる。As described above, according to the present embodiment, the voltage dependence of the light transmittance of the antiferroelectric liquid crystal is flattened when the AC pulse component having a time width shorter than the response time of the spontaneous polarization component is not selected. By superimposing and applying the DC bias component of various values, the F state or AF state at the time of selection can be stabilized by the dielectric torque, and the leakage of light and the deterioration of contrast due to the response of the spontaneous polarization component can be completely eliminated. Can be stopped.
【0060】また、従来にない高コントラストを有し、
且つアナログ階調表示が可能なようにAFLCDを駆動
することができる。液晶素子も廉価であり、駆動部分も
市販の低電圧用MOSLSIを利用して実現することが
できる。Further, it has a high contrast which has never been obtained,
In addition, the AFLCD can be driven so that analog gradation display can be performed. The liquid crystal element is also inexpensive, and the driving part can be realized by using a commercially available low-voltage MOS LSI.
【0061】また、本実施例によれば、振幅VD 及びV
s を同一値として3つの出力レベル数としているが、書
込可能な範囲でVD 及びVs を互いに異なる値にして誘
電的トルクを変化させる場合も考えられるので、あえて
異なる符号を付して説明している。なお、MOSLSI
を用いて3レベルの出力を行い、該出力に外部から直流
バイアス成分Vo を重畳する簡易な構成とできるので、
従来のようにMOSLSI内部から5レベルの出力を行
うよりも、明らかに容易に実現することができる。Further, according to this embodiment, the amplitudes V D and V
Although s has the same value and three output level numbers, it is possible to change the dielectric torque by setting V D and V s to different values within a writable range, and therefore, different reference numerals will be used for description. is doing. In addition, MOSLSI
Since a three-level output is performed by using, and a DC bias component Vo is superposed on the output from the outside, a simple structure can be obtained.
This can obviously be realized more easily than the conventional 5-level output from the inside of the MOSLSI.
【0062】また、本実施例によれば、波形の極性をフ
レームごとに反転して2フレームで1画面を表示するこ
とにより、直流バイアス成分Vo の印加による電荷の片
寄りを回復可能とし、両方のF状態を均等に使用可能と
して視野角依存性を向上させている。Further, according to the present embodiment, the polarity of the waveform is inverted for each frame and one screen is displayed in two frames, so that it is possible to recover the bias of the charge due to the application of the DC bias component Vo, and The F state can be used evenly to improve the viewing angle dependency.
【0063】さらに、本実施例によれば、オン用データ
信号に含まれる単位パルスの数を変化させることによ
り、段階的に階調を表示することができる。なお、階調
表示の際の自発分極成分比の異なる状態は不安定である
が、本実施例によれば、誘電的トルクの作用により安定
化が促進されている。Further, according to the present embodiment, the gradation can be displayed stepwise by changing the number of unit pulses included in the ON data signal. It should be noted that the state in which the ratio of the spontaneous polarization components is different during gradation display is unstable, but according to the present embodiment, stabilization is promoted by the action of the dielectric torque.
【0064】また、図16の破線で示す浅いヒステリシ
ス特性をもつAFLCに対しても、直流バイアス成分を
ヒステリシスの平坦部に選択することにより、安定的に
F状態又はAF状態を書込むことができる。Also for the AFLC having the shallow hysteresis characteristic shown by the broken line in FIG. 16, the F state or the AF state can be stably written by selecting the DC bias component in the flat portion of the hysteresis. .
【0065】なお、上記実施例では、パルス比n=3と
した単位パルスの組み合わせのうちの一つについて説明
したが、これに限らず、パルス比n及び組み合わせを種
々変形して実施できる。例えば、他にパルス比n=2を
3種類、n=3を1種類、n=4を3種類、n=5を2
種類、及びn=6を2種類、それぞれ図4乃至図14に
記載した。ここで、図5、図6、図8、図9及び図14
に示す単位パルスの組合わせは選択信号と非選択信号と
が協同して書込用パルスのパルス幅τを形成する特殊な
タイプである。In the above embodiment, one of the combinations of unit pulses with the pulse ratio n = 3 has been described, but the present invention is not limited to this, and various modifications of the pulse ratio n and combinations can be carried out. For example, in addition, there are 3 types of pulse ratios n = 2, 1 type of n = 3, 3 types of n = 4, and 2 of n = 5.
Two types, type and n = 6, are described in FIGS. 4 to 14, respectively. Here, FIG. 5, FIG. 6, FIG. 8, FIG.
The combination of unit pulses shown in (1) is a special type in which the selection signal and the non-selection signal cooperate to form the pulse width τ of the writing pulse.
【0066】また、零電圧の時間は各パルス比nに対応
して任意に設定可能であり、液晶材料の特性に合わせた
最小の書込み時間幅を設定して、より一層の高速書込み
を図ることができる。例えば、図10の破線で示すよう
に、パルス対11をデータ信号に追加した場合、選択書
込み部分に零電圧部12、非選択部分にパルス13が付
加され、零電圧の時間幅が50%増加する。但し、非選
択部に振幅の大きいパルスが一対増える関係がある。Further, the time of zero voltage can be arbitrarily set corresponding to each pulse ratio n, and the minimum writing time width according to the characteristics of the liquid crystal material is set to achieve even higher speed writing. You can For example, as shown by the broken line in FIG. 10, when the pulse pair 11 is added to the data signal, the zero voltage section 12 is added to the selective write portion and the pulse 13 is added to the non-selected portion, and the time width of the zero voltage is increased by 50%. To do. However, there is a relation that a pair of pulses with large amplitude increases in the non-selection portion.
【0067】さらに、同極性のパルスが振幅の小さい逆
極性のパルスを隔てて連続して印加される場合、実効電
圧が直流バイアス成分から移行して状態を緩和させる可
能性があるが、少なくともパルス比n=6の場合までは
問題ないことを確認している。Further, when pulses of the same polarity are continuously applied with pulses of opposite polarity having a small amplitude, the effective voltage may shift from the DC bias component to alleviate the state. It has been confirmed that there is no problem until the ratio n = 6.
【0068】また、例えばオフ用データ信号の最後のパ
ルスを削除してさらに零電圧の時間幅を長くしてもよ
い。このため、波形の対称性が崩れる場合はフレーム毎
に極性を反転させて波形の対称性を回復すればよい。Further, for example, the last pulse of the OFF data signal may be deleted to further lengthen the zero voltage time width. Therefore, when the symmetry of the waveform is lost, the polarity may be inverted for each frame to restore the symmetry of the waveform.
【0069】さらに、パルス比が偶数の場合、双極性パ
ルス2τのうち、前半部分のみの波形を用いてフレーム
毎に極性反転を行うことにより、本発明を同様に実施
し、走査時間を半減することができる。しかしながら、
この場合、双極性パルス2τの前半部分は階調のための
リセット機能をもっていることから階調表示は不可とな
る。Further, when the pulse ratio is an even number, the polarity inversion is performed for each frame by using only the waveform of the first half portion of the bipolar pulse 2τ, so that the present invention is similarly implemented and the scanning time is halved. be able to. However,
In this case, since the first half of the bipolar pulse 2τ has a reset function for gradation, gradation display is impossible.
【0070】また、上記実施例では、データ信号に含ま
れる単位パルスの数を変化させて階調を表示する場合に
ついて説明したが、これに限らず、単位パルスのパルス
幅を変化させて書込用パルスのパルス幅を変化させるこ
とにより階調を表現するようにしても、本発明を同様に
実施して同様の効果を得ることができる。その他、本発
明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施で
きる。Further, in the above embodiment, the case where the number of unit pulses included in the data signal is changed to display the gradation has been described, but the present invention is not limited to this, and the pulse width of the unit pulse is changed to write. Even if the gradation is expressed by changing the pulse width of the working pulse, the present invention can be similarly implemented and the same effect can be obtained. In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.
【0071】[0071]
【発明の効果】以上説明したように請求項1の発明によ
れば、液晶素子本体の駆動の際に、交差電極の選択時
で、且つ交差電極間を強誘電状態とするとき、交差電極
間に強誘電状態の書込用パルスを印加し、交差電極の選
択時で、且つ交差電極間を反強誘電状態とするとき、交
差電極間に反強誘電状態の書込用の無電圧状態を形成
し、交差電極の非選択時に、書込用パルスのパルス幅よ
りも短いパルス幅をもつ交流パルス成分を選択時におけ
る強誘電状態又は反強誘電状態を保持するための一定極
性の直流バイアス成分に重畳して状態保持用パルスを形
成し、この状態保持用パルスを交差電極間に印加して反
強誘電性液晶の自発分極成分の応答を阻止できるので、
非選択時に自発分極成分の応答可能時間よりも短い時間
幅の交流パルス成分を、反強誘電性液晶における光透過
率の電圧依存性が平坦な値の直流バイアス成分に重畳し
て印加することにより、自発分極成分の応答に起因する
光のリーク及びコントラストの低下を完全に阻止できる
液晶素子の駆動方法を提供できる。As described above, according to the invention of claim 1, when the liquid crystal element main body is driven, when the crossing electrodes are selected and when the crossing electrodes are set to the ferroelectric state, the crossing electrodes are separated from each other. When a cross-electrode is selected and a cross-electrode is set to an anti-ferroelectric state by applying a write pulse in a ferroelectric state to, a no-voltage state for writing in the anti-ferroelectric state is set between the cross-electrodes. A DC bias component of constant polarity for maintaining the ferroelectric state or the antiferroelectric state when the AC pulse component having the pulse width shorter than the pulse width of the writing pulse is formed when the cross electrode is not selected. To form a state-holding pulse and apply this state-holding pulse between the cross electrodes to block the response of the spontaneous polarization component of the antiferroelectric liquid crystal.
By applying an AC pulse component with a time width shorter than the response time of the spontaneous polarization component to the DC bias component with a flat voltage dependence of the light transmittance in the antiferroelectric liquid crystal when not selected, It is possible to provide a method of driving a liquid crystal element that can completely prevent light leakage and reduction in contrast due to the response of the spontaneous polarization component.
【0072】請求項2の発明によれば、上記書込用パル
スのパルス幅をτとしたとき、単位パルス幅τ/n(n
=2、3、4、5、…のうちの一つの整数)をもつ正並
びに負極性の単位パルス及び単位パルス幅τ/nと同一
時間幅をもつ零レベル状態の組合わせにより、強誘電状
態の書込用パルスを形成するためのオン用データ信号、
反強誘電状態を形成するためのオフ用データ信号、交差
電極を選択するための選択用走査信号及び交差電極を非
選択とするための非選択用走査信号を個別に形成し、オ
ン用データ信号、オフ用データ信号及び選択用走査信号
における出力電圧レベルの数を各単位パルス及び零レベ
ル状態に対応して3とし、且つ非選択用走査信号に直流
バイアス成分を含めるので、請求項1の効果に加え、高
いコントラストで速い書込みを実行できる液晶素子の駆
動方法を提供できる。According to the second aspect of the invention, when the pulse width of the write pulse is τ, the unit pulse width τ / n (n
= 1, 2, 3, 4, 5, ...) Positive and negative polarity unit pulses and unit pulse width τ / n and zero level state having the same time width ON data signal for forming the write pulse of
An off data signal for forming an antiferroelectric state, a selection scanning signal for selecting a crossing electrode, and a nonselection scanning signal for deselecting a crossing electrode are individually formed, and an on data signal is formed. The number of output voltage levels in the OFF data signal and the selection scanning signal is set to 3 corresponding to each unit pulse and the zero level state, and the non-selection scanning signal includes a DC bias component. In addition, it is possible to provide a driving method of a liquid crystal element capable of executing fast writing with high contrast.
【0073】請求項3の発明によれば、選択用走査信号
及び非選択用走査信号が一巡するフレーム毎に、オン用
データ信号、オフ用データ信号、選択用走査信号及び非
選択用走査信号の極性を反転させるので、請求項1及び
2の効果に加え、液晶の使用状況を均一化して視野角依
存性を向上できる液晶素子の駆動方法を提供できる。According to the third aspect of the present invention, the ON data signal, the OFF data signal, the selection scanning signal and the non-selection scanning signal are included in each frame in which the selection scanning signal and the non-selection scanning signal make one cycle. Since the polarity is inverted, in addition to the effects of the first and second aspects, it is possible to provide a method of driving a liquid crystal element that can make the usage state of liquid crystal uniform and improve the viewing angle dependency.
【0074】請求項4の発明によれば、選択時の交差電
極間における反強誘電状態を形成するための無電圧状態
の時間幅を強誘電性状態を形成するための書込用パルス
のパルス幅よりも長くしたので、請求項1乃至3の効果
に加え、液晶材料の特性に合わせた最小の書込み時間幅
を設定し、より一層の高速書込みを図り得る液晶素子の
駆動方法を提供できる。According to the invention of claim 4, the time width of the no-voltage state for forming the antiferroelectric state between the cross electrodes at the time of selection is set to the pulse of the write pulse for forming the ferroelectric state. Since the width is longer than the width, in addition to the effects of the first to third aspects, it is possible to provide a method of driving a liquid crystal element in which a minimum writing time width is set in accordance with the characteristics of the liquid crystal material and further high speed writing can be achieved.
【0075】請求項5の発明によれば、複数の交差電極
間でオン用データ信号に含まれる単位パルスの数を変更
し、オン用データ信号に基づいて形成される書込用パル
スのパルス幅を変化させ、液晶素子本体に階調を表示さ
せるので、請求項1乃至4の効果に加え、容易且つ段階
的に階調を表示できる液晶素子の駆動方法を提供でき
る。According to the fifth aspect of the invention, the number of unit pulses included in the ON data signal is changed between the plurality of crossing electrodes, and the pulse width of the writing pulse formed based on the ON data signal is changed. Since the gradation is displayed on the liquid crystal element body by changing the above, it is possible to provide a method of driving the liquid crystal element that can easily and stepwise display the gradation in addition to the effects of the first to fourth aspects.
【図1】本発明の実施例に係る液晶素子の自発分極の応
答時間を説明するためのタイムチャート。FIG. 1 is a time chart for explaining a response time of spontaneous polarization of a liquid crystal element according to an example of the present invention.
【図2】同実施例における液晶素子を駆動させるための
走査信号及びデータ信号を合成してなる駆動パルスを示
す図。FIG. 2 is a diagram showing a drive pulse obtained by combining a scanning signal and a data signal for driving the liquid crystal element in the embodiment.
【図3】同実施例における駆動パルスによる液晶素子の
駆動を設明するためのタイムチャート。FIG. 3 is a time chart for explaining driving of a liquid crystal element by a driving pulse in the example.
【図4】本発明の変形例に係る液晶素子を駆動させるた
めの走査信号及びデータ信号を合成してなる駆動パルス
を示す図。FIG. 4 is a diagram showing drive pulses obtained by combining a scan signal and a data signal for driving a liquid crystal element according to a modification of the present invention.
【図5】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 5 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図6】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 6 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図7】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 7 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図8】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 8 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図9】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 9 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図10】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 10 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図11】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 11 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図12】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 12 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図13】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 13 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図14】本発明の変形例に係る駆動パルスを示す図。FIG. 14 is a diagram showing drive pulses according to a modification of the present invention.
【図15】従来のAFLCのとりえるF状態及びAF状
態の分子の方向と層構造を説明するための図。15A and 15B are views for explaining the directions of molecules and the layer structure in the F state and the AF state which can be obtained by the conventional AFLC.
【図16】従来のAFLCにおける光の透過率の電圧依
存性を示す図。FIG. 16 is a diagram showing voltage dependence of light transmittance in a conventional AFLC.
【図17】従来の液晶と偏光子の配置を説明するための
図。FIG. 17 is a view for explaining the arrangement of a conventional liquid crystal and a polarizer.
【図18】従来の電圧変調におけるマトリックス駆動用
波形を示す図。FIG. 18 is a diagram showing a matrix driving waveform in conventional voltage modulation.
【図19】従来のSmC* 層又はSmCA * 層の断面
図。FIG. 19 is a cross-sectional view of a conventional SmC * layer or SmCA * layer.
【図20】従来のシェブロン構造における分子の位置を
説明するための図。FIG. 20 is a diagram for explaining the positions of molecules in a conventional chevron structure.
【図21】従来のシェブロン構造と液晶分子の3個の誘
電率との幾何学的関係を説明するための図。FIG. 21 is a diagram for explaining a geometrical relationship between a conventional chevron structure and three dielectric constants of liquid crystal molecules.
1…分子軸、2…自発分極の方向、3…F状態の書込信
号、4…AF状態の書込信号、E…直流電場、F…強誘
電性、AF…反強誘電性、α…プレチルト角、Vo …直
流バイアス成分。1 ... Molecular axis, 2 ... Direction of spontaneous polarization, 3 ... Write signal in F state, 4 ... Write signal in AF state, E ... DC electric field, F ... Ferroelectricity, AF ... Antiferroelectricity, α ... Pretilt angle, Vo ... DC bias component.
Claims (5)
反強誘電性液晶を交差電極間に挟持してなる液晶素子の
駆動方法において、 前記液晶素子本体の駆動の際に、 前記交差電極の選択時で、且つ該交差電極間を強誘電状
態とするとき、 当該交差電極間に前記強誘電状態の書込用パルスを印加
し、 前記交差電極の選択時で、且つ該交差電極間を反強誘電
状態とするとき、 当該交差電極間に前記反強誘電状態の書込用の無電圧状
態を形成し、 前記交差電極の非選択時に、前記書込用パルスのパルス
幅よりも短いパルス幅をもつ交流パルス成分を前記選択
時における強誘電状態又は反強誘電状態を保持するため
の一定極性の直流バイアス成分に重畳して状態保持用パ
ルスを形成し、この状態保持用パルスを当該交差電極間
に印加して前記反強誘電性液晶の自発分極成分の応答を
阻止したことを特徴とする液晶素子の駆動方法。1. A method of driving a liquid crystal device, wherein an antiferroelectric liquid crystal exhibiting a chiral smectic C A * phase is sandwiched between crossing electrodes, wherein when the crossing electrodes are selected when driving the liquid crystal device body. And when the crossing electrodes are set to the ferroelectric state, a pulse for writing the ferroelectric state is applied between the crossing electrodes, and when the crossing electrodes are selected, the antiferroelectricity is applied between the crossing electrodes. In this state, a non-voltage state for writing the antiferroelectric state is formed between the crossing electrodes, and has a pulse width shorter than the pulse width of the writing pulse when the crossing electrodes are not selected. An AC pulse component is superposed on a DC bias component of a constant polarity for holding the ferroelectric state or antiferroelectric state at the time of selection to form a state holding pulse, and this state holding pulse is applied between the cross electrodes. Apply the anti-attack Method of driving a liquid crystal element, characterized in that blocked the response of spontaneous polarization components of sexual LCD.
おいて、 前記書込用パルスのパルス幅をτとしたとき、 単位パルス幅τ/n(n=2、3、4、5、…のうちの
一つの整数)をもつ正並びに負極性の単位パルス及び前
記単位パルス幅τ/nと同一時間幅をもつ零レベル状態
の組合わせにより、前記強誘電状態の書込用パルスを形
成するためのオン用データ信号、前記反強誘電状態を形
成するためのオフ用データ信号、前記交差電極を選択す
るための選択用走査信号及び前記交差電極を非選択とす
るための非選択用走査信号を個別に形成し、 前記オン用データ信号、前記オフ用データ信号及び前記
選択用走査信号における出力電圧レベルの数を前記各単
位パルス及び前記零レベル状態に対応して3とし、且つ
前記非選択用走査信号に前記直流バイアス成分を含める
ようにしたことを特徴とする液晶素子の駆動方法。2. The method of driving a liquid crystal element according to claim 1, wherein when the pulse width of the writing pulse is τ, a unit pulse width τ / n (n = 2, 3, 4, 5, ... A positive and negative polarity unit pulse and a zero level state having the same time width as the unit pulse width τ / n to form the writing pulse in the ferroelectric state. ON data signal for forming, an OFF data signal for forming the antiferroelectric state, a selection scanning signal for selecting the crossing electrode, and a non-selecting scanning signal for deselecting the crossing electrode Are individually formed, and the number of output voltage levels in the ON data signal, the OFF data signal, and the selection scanning signal is set to 3 corresponding to each unit pulse and the zero level state, and the non-selection is performed. Direct to the scanning signal for A method for driving a liquid crystal element, characterized in that a current bias component is included.
の駆動方法において、 前記選択用走査信号及び前記非選択用走査信号が一巡す
るフレーム毎に、前記オン用データ信号、前記オフ用デ
ータ信号、前記選択用走査信号及び前記非選択用走査信
号の極性を反転させることを特徴とする液晶素子の駆動
方法。3. The method for driving a liquid crystal element according to claim 1, wherein the ON data signal and the OFF data signal are provided for each frame in which the selection scanning signal and the non-selection scanning signal make one cycle. A method of driving a liquid crystal element, which comprises inverting the polarities of a data signal, the selection scanning signal, and the non-selection scanning signal.
記載の液晶素子の駆動方法において、 前記選択時の前記交差電極間における前記反強誘電状態
を形成するための無電圧状態の時間幅は、前記強誘電性
状態を形成するための前記書込用パルスのパルス幅より
も長くしたことを特徴とする液晶素子の駆動方法。4. The method for driving a liquid crystal element according to claim 1, further comprising: a non-voltage state for forming the antiferroelectric state between the cross electrodes at the time of selection. The time width is longer than the pulse width of the write pulse for forming the ferroelectric state.
記載の液晶素子の駆動方法において、 複数の交差電極間で前記オン用データ信号に含まれる単
位パルスの数を変更し、当該オン用データ信号に基づい
て形成される前記書込用パルスのパルス幅を変化させ、 前記液晶素子本体に階調を表示させることを特徴とする
液晶素子の駆動方法。5. The method for driving a liquid crystal element according to claim 1, wherein the number of unit pulses included in the ON data signal is changed between a plurality of crossing electrodes, A method of driving a liquid crystal element, wherein a pulse width of the write pulse formed based on an ON data signal is changed to display a gradation on the liquid crystal element body.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP31181993A JP3319103B2 (en) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | Driving method of liquid crystal element |
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ID=18021791
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP3319103B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7233306B2 (en) | 2000-04-28 | 2007-06-19 | Fujitsu Limited | Display panel including liquid crystal material having spontaneous polarization |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP31181993A patent/JP3319103B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7233306B2 (en) | 2000-04-28 | 2007-06-19 | Fujitsu Limited | Display panel including liquid crystal material having spontaneous polarization |
| US7830344B2 (en) | 2000-04-28 | 2010-11-09 | Fujitsu Limited | Display panel including liquid crystal material having spontaneous polarization |
Also Published As
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