[go: up one dir, main page]

JPH07167892A - Probe assembly, manufacture thereof, and probe card for measurement of ic using the same - Google Patents

Probe assembly, manufacture thereof, and probe card for measurement of ic using the same

Info

Publication number
JPH07167892A
JPH07167892A JP5315180A JP31518093A JPH07167892A JP H07167892 A JPH07167892 A JP H07167892A JP 5315180 A JP5315180 A JP 5315180A JP 31518093 A JP31518093 A JP 31518093A JP H07167892 A JPH07167892 A JP H07167892A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
groove
tip
laminated block
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5315180A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3240793B2 (en
Inventor
Shigeo Ikeda
重男 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP31518093A priority Critical patent/JP3240793B2/en
Publication of JPH07167892A publication Critical patent/JPH07167892A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3240793B2 publication Critical patent/JP3240793B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable easy and inexpensive attainment of a probe assembly for measurement of the characteristics of IC, or the like, which has outer leads formed at a minute pitch. CONSTITUTION:A probe assembly 11 having a construction wherein recessed grooves 5 having uniform depths are formed over the full length of metal layers 2 exposed on at least one plane 4A of a cubic laminated block 4 prepared by laminating a plurality of thin insulating layers 1 and metal layers 2 alternately at a prescribed pitch and the base part 17B of a probe 17 is fixed in each of these recessed grooves 5 over the full length thereof, while the fore end part 17A thereof is made a free end. A probe card is constructed by mounting a plurality of probe assemblies 11 thus constructed on a printed wiring board. Accordingly, a plurality of probes 17, the fore end parts thereof in particular can be arranged and held at a very minute pitch and, moreover, at an equal interval, and furthermore, the probe assemblies of low inductance and low capacitance can be assembled easily relativery and with an excellent yield.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば、極めて高密
度に電子回路が集積され、多数のアウターリードが導出
された半導体集積回路装置(以下、単に「IC」と記
す)の測定用プローブカード、その一部を構成するプロ
ーブ集合体、それらの製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card for measuring, for example, a semiconductor integrated circuit device (hereinafter simply referred to as "IC") in which electronic circuits are integrated with extremely high density and a large number of outer leads are led out. The present invention relates to a probe assembly that constitutes a part of the probe assembly and a method for manufacturing them.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICの特性を測定、評価するものとし
て、弾性を持たせた構造のコンタクトピンを複数本、所
定のピッチで配列し、樹脂で固定したソケット形式のも
のや複数のプローブを所定のピッチで配列し、樹脂で固
定したプローブカード形式のものなどを挙げることがで
きる。
2. Description of the Related Art In order to measure and evaluate the characteristics of ICs, a plurality of contact pins having a structure having elasticity are arranged at a predetermined pitch and fixed in resin in a socket type or a plurality of probes. An example is a probe card type which is arranged at a pitch of and fixed with a resin.

【0003】所が、これらの従来技術は、例えば、幅が
0.12mmの多数のアウターリードが、0.3mmピ
ッチで導出されている超高密度ICの特性を測定できる
ようにするには、コンタクトピンやプローブを高精度
に、しかも、所謂ファインピッチで配列することが難し
く、特に0.3mmピッチ以下に配列、組み立てること
は非常に困難であって、容易に製造することができなか
った。また、少量、多品種生産が困難でもあった。
However, in these conventional techniques, for example, in order to measure the characteristics of an ultra high density IC in which a large number of outer leads having a width of 0.12 mm are led out at a pitch of 0.3 mm, It was difficult to arrange the contact pins and the probes with a high precision and at a so-called fine pitch, and it was very difficult to arrange and assemble the contact pins and the probes with a pitch of 0.3 mm or less, and they could not be easily manufactured. In addition, it was difficult to produce a large number of products in small quantities.

【0004】更にプローブカード形式では、プローブを
放射状に配列しなけばならず、寸法が大きくなり、ま
た、プローブの変形に注意を払わなければならず、保守
管理に困難を伴い、コストが嵩むなどの問題点がある。
Further, in the probe card type, the probes have to be arranged radially, the size becomes large, and the deformation of the probes must be taken care of, which makes maintenance difficult and causes a cost increase. There is a problem.

【0005】そのため、この出願人が出願し、平成5年
2月12日に公開された特開平5−36457号「電子
部品、その応用装置及びそれらの製造方法」に開示され
た発明で、前記諸問題を解決した。
Therefore, in the invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36457, "Electronic parts, applied device and manufacturing method thereof", which was filed by the applicant and published on February 12, 1993, Solved various problems.

【0006】即ち、公開された発明のファインピッチ電
極及びIC測定用ソケットは、その公開公報の図1乃至
図3に示されているように、2種類の異なる材質、例え
ば、厚さ0.15mmのガラスエポキシ樹脂の絶縁層1
と厚さ0.15mmの銅などの金属層2の薄層を複数層
交互に積層して多層積層体3を形成し、これをその積層
方向に、ブロック状に裁断して立方体の積層ブロック4
とし、この積層ブロック4の金属層2にエッチング加工
或いは放電加工を施し、この積層ブロック4の厚さのほ
ぼ50%の金属層2を上方から取り除いて深い凹溝を形
成し、次の工程でこれら凹溝の残りの金属層2に更にエ
ッチング加工或いは放電加工を施して貫通孔5を形成し
て電極保持器6を完成させ、特殊な構造のコンタクトピ
ン7の基部12を前記凹溝に埋設し、その配線端子8を
前記貫通孔5に挿入して、電極集合体20を完成させ、
この電極集合体20を図2に示したソケットベース9の
凹部10に固定して、ファインピッチ電極を有するQF
P型IC測定用ソケットを完成させている。
That is, the disclosed fine pitch electrode and IC measuring socket have two kinds of different materials, for example, a thickness of 0.15 mm, as shown in FIGS. 1 to 3 of the publication. Glass epoxy resin insulation layer 1
And a thin layer of a metal layer 2 such as copper having a thickness of 0.15 mm are alternately laminated to form a multilayer laminate 3, which is cut into blocks in the stacking direction to form a cubic laminated block 4
Then, the metal layer 2 of the laminated block 4 is subjected to etching processing or electric discharge machining, and the metal layer 2 of approximately 50% of the thickness of the laminated block 4 is removed from above to form a deep groove, and in the next step. The metal layer 2 remaining in these grooves is further subjected to etching or electric discharge machining to form the through holes 5 to complete the electrode holder 6, and the base 12 of the contact pin 7 having a special structure is embedded in the grooves. Then, the wiring terminal 8 is inserted into the through hole 5 to complete the electrode assembly 20,
This electrode assembly 20 is fixed in the recess 10 of the socket base 9 shown in FIG. 2 to provide a QF having fine pitch electrodes.
The P-type IC measurement socket has been completed.

【0007】また、前記公開公報の図4及び図5に示さ
れているように、第2の発明のファインピッチ電極及び
IC測定用ソケットとして、前記積層ブロックに凹溝を
形成せず、貫通孔5のみをエッチングで形成し、この貫
通孔5の各々にコンタクトピン7の配線端子8を挿入
し、前記裁断面の各金属層2に、直接、コンタクトピン
7の基部12を接着剤17で接着、固定して、電極集合
体20Aを完成させ、そしてこの電極集合体20Aを4
個、ソケットベース9の4カ所の凹部10に装着、固定
して、ファインピッチ電極を有するQFP型IC測定用
ソケットを完成させている。
Further, as shown in FIGS. 4 and 5 of the above-mentioned publication, the fine pitch electrode and the IC measuring socket of the second invention do not have a concave groove formed in the laminated block and have a through hole. 5 is formed by etching, the wiring terminal 8 of the contact pin 7 is inserted into each of the through holes 5, and the base 12 of the contact pin 7 is directly adhered to each metal layer 2 of the cut surface with the adhesive 17. , And fix it to complete the electrode assembly 20A.
The individual QFP type IC measurement sockets having fine pitch electrodes are completed by mounting and fixing the individual pieces in the recesses 10 at four locations of the socket base 9.

【0008】更にまた、前記公開公報の図6乃至図8に
示されているように、第3の発明のファインピッチ電極
及びIC測定用ソケットとして、配線端子32の他にテ
ストピン36が基部31の下方に形成された特殊構造の
コンタクトピン30を用い、同様に前記積層ブロックを
利用するが、その裁断面の金属層2に凹溝を形成せず、
前記配線端子32を挿入できる貫通孔32と前記テスト
ピン36を挿入でき、コンタクトピン30の振れ止めを
する電極振れ止め兼ガイド孔41をエッチングで形成
し、これらの貫通孔にそれぞれコンタクトピン30の配
線端子32及びテストピン36を挿入し、前記裁断面の
各金属層2に、直接、コンタクトピン30の基部31を
接着剤で接着、固定し、そして各基部31間にエポキシ
樹脂42を充填して各コンタクトピン30がピッチ方向
に振れないように固定して、電極集合体40を完成さ
せ、この電極集合体40を4個、ソケットベース9Aの
4カ所の凹部10に装着、固定して、ファインピッチ電
極を有するQFP型IC測定用ソケット37を完成させ
ている。
Furthermore, as shown in FIGS. 6 to 8 of the publication, as a fine pitch electrode and an IC measuring socket of the third invention, a test pin 36 is provided in addition to the wiring terminal 32 and a base portion 31. Using the contact pin 30 having a special structure formed below the same, and using the laminated block in the same manner, but without forming a concave groove in the metal layer 2 of the cut surface,
A through hole 32 into which the wiring terminal 32 can be inserted and the test pin 36 can be inserted, and an electrode steadying and guide hole 41 for preventing steadying of the contact pin 30 is formed by etching. The wiring terminal 32 and the test pin 36 are inserted, the base 31 of the contact pin 30 is directly adhered and fixed to each metal layer 2 of the cut surface with an adhesive, and the epoxy resin 42 is filled between the bases 31. Then, each contact pin 30 is fixed so as not to swing in the pitch direction to complete the electrode assembly 40. Four of these electrode assemblies 40 are mounted and fixed in the four recesses 10 of the socket base 9A, The QFP type IC measuring socket 37 having fine pitch electrodes has been completed.

【0009】この第3の発明のQFP型IC測定用ソケ
ット37は、図9に示されているように、プローブ形式
のようなIC測定用テスターとしても使用できる応用例
が挙がっている。
As shown in FIG. 9, the QFP type IC measuring socket 37 according to the third aspect of the present invention can be used as an IC measuring tester such as a probe type.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記公開公報
に開示されている実施例のIC測定用ソケットは、いず
れもコンタクトピンを用いており、そしてそれらのコン
タクトピンはテストピンの他に配線端子、連結部、弾性
部、基部などからなる特殊な構造で形成されており、そ
の全長が長く、また、前記各部分に幅があり、従って、
高周波信号に対してインダクタンスが増え、また、前記
各部分に幅があるために、各コンタクトピン間でコンダ
クタンスが増え、更にまたテストピンとICのアウター
リードとが面接触する形式であるため接触面積が大とな
るなどの理由から、多数のアウターリードが0.3mm
ピッチ程度或いはそれ以下の微小間隔で導出されている
高周波信号用の超高密度ICの特性を測定するにはやや
難点がある。
However, all of the IC measuring sockets disclosed in the above publications use contact pins, and these contact pins are used as wiring terminals in addition to test pins. , A connecting portion, an elastic portion, a base portion and the like, which is formed with a special structure and has a long overall length, and each portion has a width, and therefore,
Inductance increases with respect to high-frequency signals, and since each part has a width, conductance increases between contact pins, and since the test pins and the IC outer leads are in surface contact, the contact area is large. Due to the large size, many outer leads have 0.3 mm
There is some difficulty in measuring the characteristics of an ultra-high-density IC for high-frequency signals, which is derived at minute intervals of about the pitch or less.

【0011】従って、高周波信号用のICの特性を極め
て精度良く測定するという観点からは半導体ウエハ状態
におけるICの特性測定に主として用いられているプロ
ーブ形式の測定装置をパッケージされた状態のICの特
性の測定に用いることが望ましい。このプローブ形式の
ものはICのアウターリードをも損傷することが少な
い。
Therefore, from the viewpoint of measuring the characteristics of the IC for high-frequency signals with extremely high accuracy, the characteristics of the IC in a state in which the probe type measuring device mainly used for measuring the characteristics of the IC in the semiconductor wafer state is packaged. It is desirable to use for the measurement of. This probe type does not damage the outer leads of the IC either.

【0012】しかし、複数のプローブを、特にその先端
部を極めて微小なピッチで、しかも等間隔に配列、保持
し、プローブ集合体に組み立てることは非常に困難な作
業で、高度の技術を必要とし、歩留りが悪く、現在発売
されようとしている製品は極めて高価なものとなってい
る。
However, it is very difficult to assemble and arrange a plurality of probes into a probe aggregate by arranging and holding the plurality of probes at an extremely fine pitch and at even intervals, and requires a high level of technology. However, the yield is low, and the products that are about to be released at present are extremely expensive.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】それ故、この発明では、
プローブ集合体を、材質が異なる2種類の薄層が複数層
交互に所定のピッチで積層された立方体状の積層ブロッ
クの少なくとも一平面に露出した前記2種類の内の1種
類の材質の薄層に、その全長にわたって均一な深さの凹
溝と積層ブロックの先端部分の前記1種類の薄層に小径
の貫通孔を形成し、或いは前記先端部の先端面に露出し
た前記凹溝が形成された材質と同質の薄層に所定の深さ
の切欠きを形成し、前記各凹溝にそれぞれプローブの基
部を固定し、前記各貫通孔または切欠きにプローブの先
端部がその積層方向には移動できないが、上下方向には
移動できるように、プローブの各先端部を嵌め込んで構
成し、前記課題を解決した。
Therefore, according to the present invention,
A thin layer of one of the two types of the probe assembly, which is exposed on at least one plane of a cubic laminated block in which a plurality of two types of thin layers of different materials are alternately laminated at a predetermined pitch. A through hole having a small diameter is formed in the one type thin layer at the tip portion of the laminated block, or the groove is exposed at the tip surface of the tip portion. A thin layer of the same quality as the material used to form a notch with a predetermined depth, and fix the base of the probe in each groove, and the tip of the probe in each through hole or notch in the stacking direction. The above problems were solved by fitting each tip of the probe so that it can move in the vertical direction although it cannot move.

【0014】また、この発明では、前記のプローブ集合
体を複数個、直接、或いはプローブ集合体保持器などに
装着して、そのプローブ集合体保持器を、中央部に開口
が開けられ、その周辺部に電気回路が形成された電気回
路配線基板の前記開口周辺部にプローブの各先端部が前
記開口側に位置するように搭載し、各プローブの基部を
前記電気回路に接続してIC測定用プローブカードを構
成し、前記課題を解決した。
Further, according to the present invention, a plurality of the above-mentioned probe aggregates are attached directly or to a probe aggregate retainer or the like, and the probe aggregate retainer is provided with an opening at the center and its periphery. For mounting on an electric circuit wiring board on which an electric circuit is formed, the probe is mounted so that each tip of the probe is located on the opening side, and the base of each probe is connected to the electric circuit for IC measurement. A probe card was constructed to solve the above problems.

【0015】更にまた、この発明では、材質が異なる2
種類の薄層を複数層交互に積層して所定のピッチの多層
積層体を形成し、その多層積層体を、その積層方向に、
所定の長さ、幅、厚さの立方体状の積層ブロックに裁断
し、更にその積層ブロックの長さ方向の一部を全幅にわ
たって、その厚さを薄く加工し、この加工された積層ブ
ロックの必要な面にマスキングを施し、露出した前記2
種類の材質の薄層の内、1種類の薄層を化学的に処理し
て、前記積層ブロックの前記1種類の薄層の全長にわた
って前記積層ブロックの表面からやや窪んだ凹溝と厚さ
が薄い前記積層ブロック部分の先端部に微小な貫通孔ま
たは切欠きを形成し、複数のL字状のプローブの先端部
を前記貫通孔または切欠きに嵌め込むと共に、各プロー
ブの基部を前記各凹溝に固定して、前記プローブ集合体
を製造する方法を採り、前記課題を解決した。
Furthermore, according to the present invention, it is possible to use different materials.
A plurality of types of thin layers are alternately laminated to form a multilayer laminate having a predetermined pitch, and the multilayer laminate is laminated in the laminating direction.
It is necessary to cut a cube-shaped laminated block of a specified length, width, and thickness, and to further reduce the thickness of a part of the laminated block over the entire width to reduce the thickness of the laminated block. 2 exposed by applying masking to the exposed surface
Among the thin layers of different types of material, one type of thin layer is chemically treated to form a groove and a thickness slightly recessed from the surface of the laminated block over the entire length of the one type of thin layer of the laminated block. Minute through holes or cutouts are formed at the tips of the thin laminated block portions, the tips of a plurality of L-shaped probes are fitted into the through holes or cutouts, and the bases of the probes are provided in the recesses. The problem was solved by adopting a method of manufacturing the probe assembly by fixing the probe assembly in a groove.

【0016】[0016]

【作用】従って、この発明によれば、複数のプローブ
を、特にその先端部を極めて微小なピッチで、しかも等
間隔に配列、保持することができ、しかも低インダクタ
ンス、低キャパシタンスのプローブ集合体を比較的容易
に、歩留りよく組み立てることができ、そして量産化も
し易いので、安価にプローブ集合体或いはプローブカー
ドを提供することができる。
Therefore, according to the present invention, a plurality of probes, especially the tips thereof can be arranged and held at an extremely fine pitch and at equal intervals, and a probe assembly having low inductance and low capacitance can be provided. The probe assembly or the probe card can be provided at a low cost because it can be assembled relatively easily with a high yield and can be easily mass-produced.

【0017】[0017]

【実施例】以下、図を用いて、この発明のプローブ集合
体、その製造方法及びそれを用いたIC測定用プローブ
カードの実施例を説明する。先ず、図1乃至図9を用い
てこの発明の第1の実施例を説明する。図1はこの発明
の第1の実施例であるプローブ集合体の製造方法の数工
程を示す斜視図であり、図2は図1の工程に続く工程を
説明するための図であって、エッチングされた半製品の
ベースを示した斜視図であり、図3は図2の工程に続く
工程を説明するための図であって、表面処理を施して完
成されたベースの一部を示した斜視図であり、図4は図
3の工程に続く工程を説明するための図であって、ベー
スにプローブを装着して完成した状態のプローブ集合体
の斜視図であり、図5は図4のプローブ集合体を印刷配
線基板に組み込んだ状態のこの発明の第1の実施例であ
るIC測定用プローブカードの斜視図であり、図6は図
5のA−A線上における断面図であり、図7は図5のB
−B線上におけるプローブ集合体などの一部断面図であ
り、図8は図5に示した構成と異なる構成で図4のプロ
ーブ集合体を印刷配線基板に組み込んだ状態を示したI
C測定用プローブカードの斜視図であり、そして図9は
図8のプローブカードを反転して示した図8のA−A線
上における断面図である。
Embodiments of the probe assembly of the present invention, a method for manufacturing the same, and an IC measuring probe card using the same will be described below with reference to the drawings. First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a perspective view showing several steps of a method for manufacturing a probe assembly according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining steps subsequent to the step of FIG. FIG. 3 is a perspective view showing a base of the manufactured semi-finished product, and FIG. 3 is a view for explaining a step subsequent to the step of FIG. 2, showing a part of the base completed by performing a surface treatment. FIG. 4 is a diagram for explaining a process subsequent to the process of FIG. 3, and is a perspective view of the probe assembly in a state in which the probe is mounted on the base, and FIG. 5 is a view of FIG. It is a perspective view of the probe card for IC measurement which is the 1st Example of this invention in the state which incorporated the probe aggregate | assembly into the printed wiring board, and FIG. 6 is sectional drawing on the AA line of FIG. 7 is B in FIG.
FIG. 9 is a partial cross-sectional view of the probe assembly or the like on line B, and FIG. 8 shows a state in which the probe assembly of FIG. 4 is incorporated in a printed wiring board with a configuration different from that shown in FIG.
9 is a perspective view of a C measurement probe card, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 8 in which the probe card of FIG. 8 is shown in an inverted manner.

【0018】図1Aにおいて、符号1は絶縁層を示す。
この絶縁層1は、接着剤の厚みも含めて0.15mmの
板厚の、例えば、ガラスエポキシ樹脂を用いる。符号2
は金属層を示していて、これもやはり接着剤の厚みも含
めて0.15mmの板厚の、前記絶縁層1と同一面積
の、例えば、電気良導体である銅を用いる。これらを一
枚毎に交互に重ね合わせて接着し、金属層は少なくとも
ICの一辺に導出されているアウターリードの本数に相
当する層数で多層に積層し、絶縁層1は必ず最外層に存
在するように積層して、図示のような多層積層体3に仕
上げる。この工程では、各層間に気泡が生じないように
真空プレスを行いながら接着するとよい。
In FIG. 1A, reference numeral 1 indicates an insulating layer.
For this insulating layer 1, for example, a glass epoxy resin having a plate thickness of 0.15 mm including the thickness of the adhesive is used. Code 2
Indicates a metal layer, which also has a thickness of 0.15 mm including the thickness of the adhesive and has the same area as the insulating layer 1, for example, copper which is a good electric conductor. These are alternately laminated and adhered one by one, and the metal layer is laminated in a multi-layered layer at least as many as the number of outer leads led out to one side of the IC, and the insulating layer 1 is always the outermost layer. Then, the layers are laminated as shown in FIG. In this step, it is advisable to perform bonding while performing vacuum pressing so that no bubbles are generated between the layers.

【0019】次に、同図Aに示したA−A線上で、前記
多層積層体3を、その積層方向に、そしてその長手方向
に直角に裁断して、同図Bに示したような短冊状に切り
出し、更に、同図Cに示したような、一単位の積層ブロ
ック4に裁断する。この裁断された積層ブロック4の構
造は、結果的には、二平面からなり、前記金属層2が断
面角形の金属層になっていて、これら複数の角形金属層
が所定のピッチで互いに平行に配列され、これらの角形
金属層間が絶縁樹脂で埋め尽くされ、これらの角形金属
層と絶縁樹脂とで前記二平面を形成し、前記角形金属層
が両平面にわたって露出している状態になっている。
Next, the multi-layer laminate 3 is cut along the line AA shown in FIG. 7A in the laminating direction and at a right angle to its longitudinal direction, and strips as shown in FIG. It is cut out into a shape and further cut into one unit of laminated blocks 4 as shown in FIG. As a result, the structure of the cut laminated block 4 is composed of two planes, the metal layer 2 is a metal layer having a rectangular cross section, and the plurality of rectangular metal layers are parallel to each other at a predetermined pitch. These prismatic metal layers are arranged and filled with insulating resin, and the prismatic metal layer and the insulating resin form the two planes, and the prismatic metal layers are exposed over both planes. .

【0020】次に、切り出した積層ブロック4の表面を
洗浄し、その上面4Aを除く他の全ての面を、例えば、
レジスト膜で被覆し、図示していないが、エッチング装
置或いは放電加工装置にセットして、この積層ブロック
4を、この上面4Aからエッチング加工或いは放電加工
を施し、図2に示したように、積層ブロック4の全金属
層2の露出面に深さ0.5〜1mm程度の凹溝5を形成
する。これらの凹溝5は、前記多層積層体1及び積層ブ
ロック4の構成から、自ずから等間隔で互いに平行に形
成されている。
Next, the surface of the cut laminated block 4 is washed, and all the other surfaces except the upper surface 4A are cleaned, for example,
Although not shown in the drawing, the layered block 4 covered with a resist film is set in an etching device or an electric discharge machining device, and the laminated block 4 is subjected to etching or electric discharge machining from the upper surface 4A, and laminated as shown in FIG. The groove 5 having a depth of about 0.5 to 1 mm is formed on the exposed surface of the entire metal layer 2 of the block 4. Due to the configurations of the multilayer laminated body 1 and the laminated block 4, the concave grooves 5 are naturally formed in parallel with each other at equal intervals.

【0021】次の工程では、洗浄後、図3に示したよう
に、各凹溝及び積層ブロック4の下面4Bに露出してい
る前記各金属層2の表面にそれぞれ金メッキ層6、7を
施し、更に各金メッキ層6、7の各表面に半田を被着し
て半田層8、9を形成する。これら金メッキ層6及び半
田層8を被着して、前記凹溝5の深さを150μm程度
にする。この実施例では、この図3に示した構造のもの
をベース10と呼称する。
In the next step, after cleaning, as shown in FIG. 3, gold plating layers 6 and 7 are applied to the respective grooves and the surface of each metal layer 2 exposed on the lower surface 4B of the laminated block 4. Further, solder is applied to the surfaces of the gold plating layers 6 and 7 to form solder layers 8 and 9. The gold plating layer 6 and the solder layer 8 are deposited to make the depth of the groove 5 about 150 μm. In this embodiment, the structure shown in FIG. 3 is referred to as a base 10.

【0022】次に、図4に示したように、直径が150
μmの針状のプローブ17の先端部17Aが自由端と
し、その基部17Bをそれぞれ前記各凹溝5に装着し、
半田付けして固定すると、この発明の第1の実施例であ
るプローブ集合体11が完成する。図示のプローブ17
は直線状の構造の針を用いたが、それらの先端部が鉤状
の構造になっているものであってもよい。
Next, as shown in FIG.
The tip portion 17A of the probe 17 in the form of a needle having a diameter of μm is a free end, and the base portion 17B is attached to each of the concave grooves 5,
When soldered and fixed, the probe assembly 11 according to the first embodiment of the present invention is completed. The illustrated probe 17
Although a needle having a linear structure was used, a needle having a hook-like structure may be used.

【0023】図5乃至図7に、この発明の第1のQFP
型IC測定用プローブカード20を示した。このプロー
ブカード20は、中央部に開口12が形成され、その開
口12の各辺に配列された0.3mmピッチで幅が0.
15mmの複数の電極端子13(図7にそれらの一部を
示した)とそれらに接続された配線回路14とが印刷さ
れた印刷配線基板16に前記プローブ集合体11を4個
搭載して構成されている。
5 to 7 show the first QFP of the present invention.
The type IC measurement probe card 20 is shown. The probe card 20 has an opening 12 formed in the center thereof, and each of the openings 12 has a width of 0.
Four probe assemblies 11 are mounted on a printed wiring board 16 on which a plurality of 15 mm electrode terminals 13 (a part of which is shown in FIG. 7) and a wiring circuit 14 connected to them are printed. Has been done.

【0024】前記電極端子13の表面には予め半田層1
5を形成しておく。そのような電極端子13上に、プロ
ーブ17の各先端部17Aが前記開口12側に向き合う
ようにして、プローブ集合体11の下面4Bに露出した
各金属層2に被覆した半田層9が丁度載るように位置合
わして載置し、加熱、溶融して半田付けする。この位置
合わせはICのベアーチップを印刷配線基板に直接半田
付けする技術を応用して行うことができる。
The solder layer 1 is previously formed on the surface of the electrode terminal 13.
5 is formed. The solder layer 9 coated on each metal layer 2 exposed on the lower surface 4B of the probe assembly 11 is just placed on the electrode terminal 13 such that the tip portions 17A of the probe 17 face the opening 12 side. It is aligned and placed as described above, heated, melted and soldered. This alignment can be performed by applying a technique of directly soldering the bare chip of the IC to the printed wiring board.

【0025】このプローブカード20の変形の構成を示
したプローブカード20Aを図8及び図9に示した。こ
のプローブカード20Aは、前記プローブ集合体11に
支持台30を履かせて印刷配線基板16に固定したもの
である。前記支持台30の表面は傾斜面で構成されてい
て、このような支持台30は図1Bの短冊状積層から同
図Cに示した積層ブロック4を裁断する時に、斜めに裁
断することにより得ることができる。そして、この支持
台30はプローブ集合体11のベース10の前記絶縁層
1と金属層2と同様の積層数であるので、両者の各金属
層2を半田付けすることにより結合することができる。
このような支持台30を用いることにより、プローブ1
7の先端部17Aを、図9に示したように、斜め下に傾
斜させることができ、このような構造にすることでそれ
らの先端部17AをQFP型IC100のアウターリー
ド101に接触させ易くなる。なお、符号31はプロー
ブ17の保護板である。
A probe card 20A showing a modified construction of the probe card 20 is shown in FIGS. In this probe card 20A, a support base 30 is put on the probe assembly 11 and fixed to the printed wiring board 16. The surface of the support base 30 is formed by an inclined surface, and such a support base 30 is obtained by obliquely cutting the laminated block 4 shown in FIG. 1B from the laminated stack 4 shown in FIG. 1B. be able to. Since this support base 30 has the same number of laminated layers as the insulating layer 1 and the metal layer 2 of the base 10 of the probe assembly 11, the respective metal layers 2 of both can be joined by soldering.
By using such a support base 30, the probe 1
As shown in FIG. 9, it is possible to incline the tip 17A of the No. 7 diagonally downward, and such a structure facilitates contact of the tip 17A with the outer lead 101 of the QFP IC 100. . Reference numeral 31 is a protective plate of the probe 17.

【0026】次に、図10乃至図16を用いて、この発
明のプローブ集合体、その製造方法及びそれを用いたI
C測定用プローブカードの第2の実施例を説明する。図
10は図1に示した諸工程に続く工程を説明するための
図であって、積層ブロックを切削加工を施した状態の斜
視図であり、図11は図10の工程に続いて切削加工が
施された積層ブロックの一部にレジストを塗布する工程
を説明するための斜視図であり、図12は図11の工程
に続く露光工程を説明するための斜視図であり、図13
は図12の露光で表面がマスキングされた状態の積層ブ
ロックにエッチング加工を施す工程を説明するための斜
視図であり、図14は図13のエッチング加工によって
得られた半製品のベースを示していて、同図Aはその上
面斜視図、同図Bはその下面斜視図、そして同図Cはそ
の先端部の一部の斜視図であり、図15は図14の工程
に続く工程を説明するための図であって、同図Aは図1
4に示したベースにプローブを装着する工程の斜視図、
同図Bは完成した状態のプローブ集合体の斜視図であ
り、図16は図15のプローブ集合体を印刷配線基板に
組み込んだ状態を示したIC測定用プローブカードを示
していて、同図Aはその上面斜視図、同図Bは図AのA
−A線上における断面図である。
Next, with reference to FIGS. 10 to 16, the probe assembly of the present invention, its manufacturing method and I using the same.
A second embodiment of the C measurement probe card will be described. 10 is a view for explaining a step that follows the steps shown in FIG. 1, and is a perspective view of a state in which a laminated block is subjected to cutting processing, and FIG. 11 is a cutting processing subsequent to the step of FIG. 13 is a perspective view for explaining a step of applying a resist to a part of the laminated block subjected to the step, FIG. 12 is a perspective view for explaining an exposure step following the step of FIG. 11, and FIG.
FIG. 14 is a perspective view for explaining a step of etching a laminated block whose surface is masked by the exposure of FIG. 12, and FIG. 14 shows a semi-finished product base obtained by the etching of FIG. FIG. A is a top perspective view thereof, FIG. B is a bottom perspective view thereof, and FIG. C is a perspective view of a part of the tip portion thereof. FIG. 15 illustrates a step following the step of FIG. FIG. 1A is a diagram for
4 is a perspective view of the step of mounting the probe on the base shown in FIG.
16B is a perspective view of the probe assembly in a completed state, and FIG. 16 shows an IC measurement probe card showing a state in which the probe assembly of FIG. 15 is incorporated in a printed wiring board. Is a top perspective view thereof, and FIG. B is A of FIG.
It is sectional drawing on the -A line.

【0027】図10Aに図1の裁断工程で得られた積層
ブロック4を再掲したが、この積層ブロック4の下面4
Bから、点線Pで示した範囲で、その厚さ方向に切削
し、同図Bに示した形状の先端部41と基部42からな
る積層ブロック40に加工する。この場合、複数の積層
ブロック4を一直線状にワックスを用いて台に固定し、
切削すると量産できる。この積層ブロック40の基部4
2の厚さは3mmで、先端部41の厚さは、0.5mm
程度にした。
The laminated block 4 obtained in the cutting step of FIG. 1 is shown again in FIG. 10A.
From B, it is cut in the thickness direction within the range shown by the dotted line P, and processed into a laminated block 40 having a tip portion 41 and a base portion 42 of the shape shown in FIG. In this case, a plurality of laminated blocks 4 are fixed in a straight line to the base using wax,
Mass production is possible by cutting. Base 4 of this laminated block 40
2 has a thickness of 3 mm, and the tip 41 has a thickness of 0.5 mm.
I made it to the degree.

【0028】次に、図11に示したように、この積層ブ
ロック40を洗浄した後、基部42の下面40Bを除
く、金属層2が露出している他の全ての面、即ち、上面
40A、先端部41の先端面40C、背面40D、先端
部41の裏面40E及び基部42の正面40Fにレジス
トを塗布する。
Next, as shown in FIG. 11, after washing the laminated block 40, all the other surfaces except the lower surface 40B of the base 42 where the metal layer 2 is exposed, that is, the upper surface 40A, A resist is applied to the tip surface 40C of the tip portion 41, the back surface 40D, the back surface 40E of the tip portion 41, and the front surface 40F of the base portion 42.

【0029】そして、次に図12の露光工程で、前記先
端部41の金属層2に貫通孔を形成するためのマスク
(図示していない)を用いて、上面40Aのレジスト膜
及び先端部41の裏面40Eのレジスト膜の貫通孔を開
けようとする部分と裏面40Bを覆い、紫外線を露光す
る。そして貫通孔を開ける部分以外のレジストを硬化さ
せ、次に、露光されなかった部分のレジストを除去す
る。
Then, in the exposure step of FIG. 12, a resist film on the upper surface 40A and the tip portion 41 are formed by using a mask (not shown) for forming a through hole in the metal layer 2 of the tip portion 41. The portion of the back surface 40E on which the through holes of the resist film are to be opened and the back surface 40B are covered and exposed to ultraviolet rays. Then, the resist other than the portion where the through hole is to be formed is hardened, and then the resist which is not exposed is removed.

【0030】次に、図13のエッチング工程で、この状
態の積層ブロック40をエッチング液に浸漬し、エッチ
ングを行う。所定の時間経過後、取り出し、洗浄する。
Next, in the etching process of FIG. 13, the laminated block 40 in this state is immersed in an etching solution to perform etching. After a lapse of a predetermined time, it is taken out and washed.

【0031】図14に金属層2がエッチングされた積層
ブロック40(図14A)、即ち、先端部41の各金属
層2にそれぞれ貫通孔46が形成され(図14C)、ま
た、基部42の裏面40Bに露出した各金属層2にそれ
ぞれ凹溝47(図14B)が形成されたベース45が完
成する。これらの貫通孔46は長孔であることが望まし
い。それは、後記の測定時にプローブがICのアウター
リードに当接した場合の衝撃で撓んでも、そのプローブ
の撓みを吸収できる空間が必要なためである。従って、
それらの長い径は短い径の2〜4倍程度とする。短い径
は前記金属層2の厚みで規制され、この実施例は0.1
5mmである。
In FIG. 14, a through hole 46 is formed in each of the laminated blocks 40 (FIG. 14A) in which the metal layer 2 is etched, that is, each metal layer 2 of the tip portion 41 (FIG. 14C), and the back surface of the base portion 42. The base 45 in which the concave groove 47 (FIG. 14B) is formed in each metal layer 2 exposed in 40B is completed. These through holes 46 are preferably long holes. This is because there is a need for a space that can absorb the bending of the probe even if the probe bends due to the impact when it comes into contact with the outer lead of the IC during the measurement described later. Therefore,
Their long diameter is about 2 to 4 times the short diameter. The short diameter is regulated by the thickness of the metal layer 2, and in this embodiment, it is 0.1
It is 5 mm.

【0032】続いて、図15Aに示したように、このベ
ース45の各貫通孔46及び凹溝47にそれぞれプロー
ブ48を装着する。この装着工程の前に、このベース4
5の各凹溝47に金メッキを施して下地層を形成し、更
にその上に銀、インジューム、半田などの接合層を形成
しておく。プローブ48はL字型をしており、その先端
部48Aを前記ベース45の貫通孔46に通し、基部4
8Bを前記各凹溝47に装着する。そしてリフロー炉で
加熱し、取り出せば、各プローブ48が各凹溝47の金
属層2に接合、固定された状態の、この発明の第2のプ
ローブ集合体50が一単位完成する。
Subsequently, as shown in FIG. 15A, the probes 48 are attached to the through holes 46 and the concave groove 47 of the base 45, respectively. Before this mounting process, this base 4
5 is plated with gold to form a base layer, and a bonding layer of silver, indium, solder or the like is further formed thereon. The probe 48 is L-shaped, and its tip portion 48A is passed through the through hole 46 of the base 45 to
8B is mounted in each groove 47. Then, by heating in a reflow furnace and taking out, one unit of the second probe assembly 50 of the present invention in which each probe 48 is bonded and fixed to the metal layer 2 of each groove 47 is completed.

【0033】このプローブ集合体50の各プローブ48
の先端部48Aはベース45の積層方向の動きが相隣る
絶縁層1で規制され、即ち、ピッチ方向には動きが規制
される。しかし、その先端部48Aは凹溝47で固定さ
れた基部48Bを中心にして上下方向に回動することが
できる。即ち、先端部48Aは貫通孔46に遊嵌された
状態になっている。
Each probe 48 of this probe assembly 50
The leading end 48A of the base 45 is restricted in movement in the stacking direction of the base 45 by the insulating layers 1 adjacent to each other, that is, in the pitch direction. However, the tip portion 48A can rotate in the vertical direction around the base portion 48B fixed by the concave groove 47. That is, the tip portion 48A is in a state of being loosely fitted in the through hole 46.

【0034】図15Bには、このプローブ集合体50の
各プローブ48の基部48Bの表面に、符号49で示し
た一枚の保護板を接着し、覆った。この保護板49は必
要に応じてプローブ集合体50に固定する。或る厚みを
持たせれば、印刷配線基板などに固定する場合の支持台
として兼用することができる。
In FIG. 15B, a single protective plate indicated by reference numeral 49 is adhered and covered on the surface of the base portion 48B of each probe 48 of this probe assembly 50. The protective plate 49 is fixed to the probe assembly 50 as needed. If it has a certain thickness, it can also serve as a support base when it is fixed to a printed wiring board or the like.

【0035】図15Aに示したプローブ集合体50を4
個、図16に示した如く、図5で説明したような要領
で、印刷配線基板16に固定する。この場合も、プロー
ブ48の各先端部48Aが開口12側に向き合うように
相対向させてプローブ集合体50を配置し、そしてベー
ス45からはみ出した各プローブ48の基部48Bはカ
ットする。こうしてこの発明の第2のプローブカード2
0Bが完成する。
The probe assembly 50 shown in FIG.
As shown in FIG. 16, the individual pieces are fixed to the printed wiring board 16 in the same manner as described with reference to FIG. Also in this case, the probe aggregates 50 are arranged so that the tip portions 48A of the probes 48 face each other toward the opening 12 side, and the base portions 48B of the probes 48 protruding from the base 45 are cut. Thus, the second probe card 2 of the present invention
OB is completed.

【0036】図17及び図18に、この発明のプローブ
カードの第3の実施例を示した。図17はプローブ集合
体を支持部材に組み込む工程を示していて、同図Aは主
に支持部材の構造を示した斜視図であり、同図Bは同図
Aの支持部材にプローブ集合体を組み込んだ状態を示し
た斜視図であり、図18は図17Bに示した、プローブ
集合体が組み込まれた支持部材を搭載したプローブカー
ドを示していて、同図Aはその斜視図、同図Bは同図A
のA−A線上における断面図である。
17 and 18 show a probe card according to a third embodiment of the present invention. FIG. 17 shows a step of incorporating the probe assembly into a support member, FIG. 17A is a perspective view mainly showing the structure of the support member, and FIG. 17B shows the probe assembly in the support member of FIG. FIG. 18 is a perspective view showing the assembled state, and FIG. 18 shows the probe card equipped with the support member incorporating the probe assembly shown in FIG. 17B, and FIG. A shows the perspective view and FIG. Is A in the figure
3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【0037】図17Aに示したように、支持部材60は
偏平な立方体で構成され、その各辺の上面側部中央に窪
み61が形成され、それらの窪み61の中央部を更に窪
ませた窪み62が形成されている。符号63はビス孔を
指す。
As shown in FIG. 17A, the support member 60 is composed of a flat cube, and a recess 61 is formed at the center of the upper surface side portion of each side of the support member 60. 62 is formed. Reference numeral 63 indicates a screw hole.

【0038】このような構造の支持部材60の前記各窪
み61に、図15Bに示した保護板49付きのプローブ
集合体50を、保護板49を下にして(図17の図示の
状態において)それぞれ嵌め込み、固定すると、同図B
に示したような、プローブ集合体組み込み支持部材60
Aが完成する。
In each of the recesses 61 of the supporting member 60 having such a structure, the probe assembly 50 with the protective plate 49 shown in FIG. 15B is placed with the protective plate 49 down (in the state shown in FIG. 17). When they are fitted and fixed, B in the figure
As shown in FIG.
A is completed.

【0039】このプローブ集合体組み込み支持部材60
Aを配線回路14が予め施された印刷配線基板16Aに
ビスを前記ビス孔63に挿入して固定し、各プローブ4
8の基部48Bをそれぞれ前記配線回路14に接続する
と、この発明の第3のプローブカード20Cが完成す
る。
This probe assembly built-in support member 60
Screws A are inserted into the screw holes 63 and fixed to the printed wiring board 16A on which the wiring circuit 14 is provided in advance.
When the eight base portions 48B are respectively connected to the wiring circuit 14, the third probe card 20C of the present invention is completed.

【0040】図15Bに示したように、保護板49をプ
ローブ集合体50のベース45の基部42の下面42B
に固定した場合は、その下面42Bに露出した金属層2
及びプローブ48の基部48Bが覆われてしまうので、
各金属層2はもはや電気導通部材として機能しない。
As shown in FIG. 15B, the protective plate 49 is attached to the lower surface 42B of the base 42 of the base 45 of the probe assembly 50.
The metal layer 2 exposed on the lower surface 42B of the metal layer 2
Since the base 48B of the probe 48 is covered,
Each metal layer 2 no longer functions as an electrically conductive member.

【0041】従って、このような構成を採る場合には、
前記金属層2は銅のような金属でなくてもよい。それ
故、図1に示した多層積層体3を構成する材料として
は、例えば、絶縁層1にエポキシ系、フェノール系など
の熱硬化性樹脂(例えば、ガラスエポキシ樹脂、PE
T、PI)を用い、金属層2の代わりにビニール系(例
えば、塩化ビニール、酢酸ビニール)、スチロール系な
どの熱可塑性樹脂を用いて、熱硬化性樹脂層と熱可塑性
樹脂層とからなる多層積層体を形成し、これを裁断し
て、図10Bに示したような積層ブロック40を得るこ
とができる。
Therefore, when adopting such a configuration,
The metal layer 2 need not be a metal such as copper. Therefore, as a material for forming the multi-layer laminate 3 shown in FIG. 1, for example, a thermosetting resin such as epoxy-based resin or phenol-based resin (for example, glass epoxy resin, PE) is used for the insulating layer 1.
T, PI) and a thermoplastic resin such as a vinyl type (for example, vinyl chloride or vinyl acetate) or styrene type resin instead of the metal layer 2 is used, and is composed of a thermosetting resin layer and a thermoplastic resin layer. It is possible to form a laminated body and cut it to obtain a laminated block 40 as shown in FIG. 10B.

【0042】図14に示した貫通孔46や凹溝47は前
記熱可塑性樹脂層を溶剤で溶解することにより形成する
ことができる。その溶剤の例としては、メチルエチルケ
トンなどのケトン系溶剤を用いることができる。従っ
て、このこの発明で多層積層体とは絶縁層1と金属層2
とから構成されたものに限定されない。要するに、材質
が異なり、エッチングや溶解の化学的処理で前記貫通孔
46や凹溝47を形成することができる材質であればよ
い。
The through hole 46 and the concave groove 47 shown in FIG. 14 can be formed by dissolving the thermoplastic resin layer with a solvent. As an example of the solvent, a ketone solvent such as methyl ethyl ketone can be used. Therefore, in the present invention, the multi-layer laminate means the insulating layer 1 and the metal layer 2.
It is not limited to those composed of and. In short, any material may be used as long as it is different in material and capable of forming the through hole 46 and the concave groove 47 by chemical treatment such as etching and dissolution.

【0043】次に、図19を用いて、図15Bに示した
この発明の第2のプローブ集合体50の改良型プローブ
集合体50Aを説明する。図15Bに示したプローブ集
合体50は、そのプローブ48の先端部48Aを貫通孔
46に挿入して構成されているが、この構造を採ると先
端部48Aを挿入する手間が掛かり、また先端部41の
位置がベース45の先端部41の先端面40Cから後退
した位置に存在することになり、ICのアウターリード
101の基部に近付け難い。このプローブ48の先端部
41はできるだけアウターリード101の基部に接触さ
せることが望ましく、またプローブカードをコンパクト
に構成することができる。
Next, an improved probe assembly 50A of the second probe assembly 50 of the present invention shown in FIG. 15B will be described with reference to FIG. The probe assembly 50 shown in FIG. 15B is configured by inserting the tip end portion 48A of the probe 48 into the through hole 46, but if this structure is adopted, it takes time and effort to insert the tip end portion 48A, and the tip end portion 48A is also inserted. The position of 41 is located at a position retracted from the tip surface 40C of the tip portion 41 of the base 45, and it is difficult to approach the base portion of the outer lead 101 of the IC. It is desirable that the tip portion 41 of the probe 48 is brought into contact with the base portion of the outer lead 101 as much as possible, and the probe card can be made compact.

【0044】従って、図19に示したプローブ集合体5
0Aは、この点を配慮して構成されたものであって、そ
れは、ベース45の先端部41の各金属層2に貫通孔4
6を形成しないで、先端部41の先端面40Cに露出し
ている各金属層2に切欠き46Aを形成し、これらの切
欠き46Aにそれぞれプローブ48の先端部48Aを嵌
め込むように構成した。このプローブ集合体50Aの他
の構造、構成はプローブ集合体50のそれらと同様であ
る。
Therefore, the probe assembly 5 shown in FIG.
0A is configured in consideration of this point, and it has a through hole 4 in each metal layer 2 of the tip portion 41 of the base 45.
Without forming 6, the notch 46A is formed in each metal layer 2 exposed on the tip surface 40C of the tip 41, and the tip 48A of the probe 48 is fitted into each notch 46A. . Other structures and configurations of this probe assembly 50A are similar to those of the probe assembly 50.

【0045】前記各切欠き46Aの形成は凹溝47の形
成と同時に行うことができる。これらの切欠き46Aは
エッチングにより全て均一な深さに形成することがで
る。この場合、この切欠き46Aの深さは凹溝47の深
さと同程度に形成される。しかし、切欠き46Aはプロ
ーブ48の先端部48Aがベース45の積層方向にずれ
ないように規制する役割を果たせばよく、このためプロ
ーブ48が断面円形であれば、切欠き46Aの深さは少
なくともプローブ48の太さの半分の深さで形成されれ
ばよい。
The notches 46A can be formed at the same time when the groove 47 is formed. These notches 46A can be formed to a uniform depth by etching. In this case, the depth of the notch 46A is formed to be approximately the same as the depth of the concave groove 47. However, the notch 46A only has to play a role of preventing the tip portion 48A of the probe 48 from being displaced in the stacking direction of the base 45. Therefore, if the probe 48 has a circular cross section, the depth of the notch 46A is at least. It may be formed with a depth that is half the thickness of the probe 48.

【0046】図20に、図18に示したプローブカード
20Cの使用方法を示した。このプローブカード20C
は下方から測定しようとするIC100に近づけ、その
IC100のアウターリード101の水平部分の下面に
プローブ48の先端部48Aを当接させて測定する。同
図Bはアウターリード101Aがアウターリードがガル
ウイング型に形成されたIC100を測定する場合のプ
ローブ48の先端部48Aの当接状態を示した。
FIG. 20 shows a method of using the probe card 20C shown in FIG. This probe card 20C
Is brought closer to the IC 100 to be measured from below, and the tip portion 48A of the probe 48 is brought into contact with the lower surface of the horizontal portion of the outer lead 101 of the IC 100 for measurement. FIG. 9B shows the contact state of the tip portion 48A of the probe 48 when the outer lead 101A measures the IC 100 in which the outer lead is formed in a gull wing type.

【0047】図5に図4に示したプローブ集合体11を
印刷配線基板16の配線回路14に直接接続したプロー
ブカード20を示したが、図21にプローブ集合体11
を例に挙げて印刷配線基板16に接続する他の接続構造
を示した。この実施例はその接続部材としてゴムコネク
ターを用い、同図Aにはその一部を拡大した断面図で、
そして同図Bにはゴムコネクターのみの断面側面図を示
した。
FIG. 5 shows the probe card 20 in which the probe assembly 11 shown in FIG. 4 is directly connected to the wiring circuit 14 of the printed wiring board 16. FIG. 21 shows the probe assembly 11.
Another connection structure for connecting to the printed wiring board 16 is shown by way of example. In this embodiment, a rubber connector is used as the connecting member, and FIG.
Further, FIG. B shows a sectional side view of only the rubber connector.

【0048】この実施例では、プローブ集合体11を印
刷配線基板16に接続する手段としてゴムインコネクタ
ー70を用いた。このゴムインコネクター70は、図B
に示したように、断面がほぼ半楕円形をした棒状のゴム
71の表面に細い導線72を細かく平行に印刷したもの
で、このゴムインコネクター70を予め印刷配線基板1
6の所定の位置に接続しておき、その上にプローブ集合
体11の下面4Bを接合させる。このように構成するこ
とにより、複数本の導線72がプローブ集合体11の金
メッキ層7(この場合、半田層9は不要)、即ち、各金
属層2を印刷配線基板16の配線回路14に接続するこ
とができる。この接続構造は図5及び図6に示したよう
な接続構造を採るよりも比較的容易に接続することがで
きる。
In this embodiment, the rubber-in connector 70 is used as a means for connecting the probe assembly 11 to the printed wiring board 16. This rubber-in connector 70 is shown in Figure B.
As shown in FIG. 2, a thin conductive wire 72 is finely printed in parallel on the surface of a rod-shaped rubber 71 having a substantially semi-elliptical cross section.
6 is connected to a predetermined position, and the lower surface 4B of the probe assembly 11 is bonded thereon. With this configuration, the plurality of conducting wires 72 connect the gold plating layer 7 of the probe assembly 11 (in this case, the solder layer 9 is unnecessary), that is, each metal layer 2 to the wiring circuit 14 of the printed wiring board 16. can do. This connection structure can be connected relatively easily as compared with the connection structure shown in FIGS. 5 and 6.

【0049】図22に更に他の接続構造を示した。この
図に示した接続構造のプローブカード20Dは、図4に
示したプローブ集合体11を前記ゴムインコネクター7
0、フレキシブル印刷配線基板80及び図17に示した
支持部材60を用いて印刷配線基板16の配線回路14
へ接続した接続構造で構成されており、図22にはその
一部を斜視図で示しされている。
FIG. 22 shows still another connection structure. In the probe card 20D having the connection structure shown in this figure, the rubber assembly is provided with the probe assembly 11 shown in FIG.
0, the flexible printed wiring board 80 and the wiring member 14 of the printed wiring board 16 using the supporting member 60 shown in FIG.
22 is a perspective view showing a part thereof.

【0050】このプローブカード20Dに用いたフレキ
シブル印刷配線基板80には配線回路81が形成されて
いるが、この配線回路81は、プローブ集合体11の下
面に位置する部分の幅は狭く、しかし、印刷配線基板1
6の周辺部に形成された配線回路14に接続する端部は
幅広く形成されている。このフレキシブル印刷配線基板
80を支持部材60の窪み61の底に固定し、その上に
支持部材73に支持された前記ゴムインコネクター70
を固定する。そしてその上にプローブ集合体11を前記
の要領で搭載し、その上方から抑え板85で抑え、ネジ
86をビス孔63にねじ込んで支持部材73に固定する
接続構造を採っている。
A wiring circuit 81 is formed on the flexible printed wiring board 80 used for this probe card 20D. In this wiring circuit 81, the width of the portion located on the lower surface of the probe assembly 11 is narrow, but Printed wiring board 1
The end portion connected to the wiring circuit 14 formed in the peripheral portion of 6 is formed wide. The flexible printed wiring board 80 is fixed to the bottom of the recess 61 of the support member 60, and the rubber-in connector 70 supported by the support member 73 thereon.
To fix. Then, the probe assembly 11 is mounted thereon in the same manner as described above, and the connecting structure is adopted in which the pressing plate 85 is pressed from above and the screw 86 is screwed into the screw hole 63 and fixed to the support member 73.

【0051】このような接続構造のプローブ集合体を印
刷配線基板16に固定し、フレキシブル印刷配線基板8
0の端末の配線回路81をそれぞれ対応する印刷配線基
板16の配線回路14に接続すると、プローブカード2
0Dが得られる。
The probe assembly having such a connection structure is fixed to the printed wiring board 16, and the flexible printed wiring board 8 is formed.
When the wiring circuit 81 of the terminal 0 of 0 is connected to the wiring circuit 14 of the corresponding printed wiring board 16, the probe card 2
0D is obtained.

【0052】前記実施例に用いたプローブ10、48の
形状はそれらの基部10B、48Bが断面円形の針で示
したが、それが角形ものであってもよい。要は凹溝5、
47に丁度嵌まり込むものであればよい。
The shape of the probes 10 and 48 used in the above-mentioned embodiments is shown by needles whose bases 10B and 48B are circular in cross section, but they may be square. In short, the groove 5,
Anything that fits exactly in 47 may be used.

【0053】以上の説明では、ICチップをパッケージ
し、完成されたICの特性を検査するプローブ集合体、
プローブカード及びその製造方法などについて説明して
きたが、この発明は半導体ウエハの表面に形成された状
態のICチップの特性を検査するプローブ集合体、プロ
ーブカードなどにも適用できることは言うまでもない。
In the above description, the probe assembly for packaging the IC chip and inspecting the characteristics of the completed IC,
Although the probe card and the manufacturing method thereof have been described, it goes without saying that the present invention can also be applied to a probe assembly for inspecting the characteristics of an IC chip formed on the surface of a semiconductor wafer, a probe card, and the like.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、この発明のプロー
ブ集合体、その製造方法及びそれを用いたIC測定用プ
ローブカードは、複数のプローブを、特にその先端部を
極めて微小なピッチで、しかも等間隔に配列、保持する
ことができるので、相隣なるプローブが接触することが
ない。そしてまた、低インダクタンス、低キャパシタン
スのプローブ集合体を比較的容易に、歩留りよく組み立
てることができる。
As described above, the probe assembly of the present invention, the method of manufacturing the same, and the IC measurement probe card using the same include a plurality of probes, particularly the tip portion thereof at an extremely fine pitch, and Since they can be arranged and held at equal intervals, adjacent probes do not come into contact with each other. Moreover, a probe assembly having a low inductance and a low capacitance can be assembled relatively easily and with high yield.

【0055】特に、この発明の製造方法は、プローブを
支持する部材の凹溝の形成をドリルなどで形成する機械
加工で行うのと異なり、微細に、そして一様に形成する
ことができ、そして一度に加工できるので、量産化にも
適し、安価にプローブ集合体或いはプローブカードを製
造することができる。
In particular, the manufacturing method of the present invention can form the concave groove of the member supporting the probe finely and uniformly, unlike the case where machining is performed by forming with a drill or the like, and Since they can be processed at once, they are suitable for mass production, and a probe assembly or probe card can be manufactured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の第1の実施例であるプローブ集合
体の製造方法の数工程を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing several steps of a method of manufacturing a probe assembly according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1の工程に続く工程を説明するための図で
あって、エッチングされた半製品のベースを示した斜視
図である。
2 is a perspective view showing a base of an etched semi-finished product, which is a view for explaining a process subsequent to the process of FIG. 1. FIG.

【図3】 図2の工程に続く工程を説明するための図で
あって、表面処理を施して完成されたベースの一部を示
した斜視図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a step that follows the step of FIG. 2, and is a perspective view showing a part of a base that has been completed by performing a surface treatment.

【図4】 図3の工程に続く工程を説明するための図で
あって、ベースにプローブを装着して完成した状態のプ
ローブ集合体の斜視図である。
FIG. 4 is a view for explaining a step that follows the step of FIG. 3, and is a perspective view of the probe assembly in a state where the probe is mounted on the base and completed.

【図5】 図4のプローブ集合体を印刷配線基板に組み
込んだ状態のこの発明の第1の実施例であるIC測定用
プローブカードの斜視図である。
5 is a perspective view of an IC measurement probe card according to the first embodiment of the present invention in which the probe assembly of FIG. 4 is incorporated in a printed wiring board.

【図6】 図5のA−A線上における断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図7】 図5のB−B線上におけるプローブ集合体な
どの一部断面図である。
7 is a partial cross-sectional view of the probe assembly and the like taken along the line BB of FIG.

【図8】 図5に示した構成と異なる構成で図4のプロ
ーブ集合体を印刷配線基板に組み込んだ状態を示したI
C測定用プローブカードの斜視図である。
8 shows a state in which the probe assembly of FIG. 4 is incorporated in a printed wiring board in a configuration different from that shown in FIG.
It is a perspective view of a C measurement probe card.

【図9】 図8のプローブカードを反転して示した図8
のA−A線上における断面図である。
9 is an inverted view of the probe card of FIG.
3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図10】 図1に示した諸工程に続く工程を説明する
ための図であって、積層ブロックを切削加工を施した状
態の斜視図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a step that follows the steps shown in FIG. 1, and is a perspective view of a state in which a laminated block is subjected to cutting processing.

【図11】 図10の工程に続いて切削加工が施された
積層ブロックの一部にレジストを塗布する工程を説明す
るための斜視図である。
11 is a perspective view for explaining a step of applying a resist to a part of a laminated block which has been subjected to a cutting process following the step of FIG.

【図12】 図11の工程に続く露光工程を説明するた
めの斜視図である。
12 is a perspective view for explaining an exposure process following the process of FIG.

【図13】 図12の露光で表面がマスキングされた状
態の積層ブロックにエッチング加工を施す工程を説明す
るための斜視図である。
13 is a perspective view for explaining a step of performing etching processing on the laminated block whose surface is masked by the exposure of FIG.

【図14】 図13のエッチング加工によって得られた
半製品のベースを示していて、同図Aはその上面斜視
図、同図Bはその下面斜視図、そして同図Cはその先端
部の一部の斜視図である。
14 shows a base of a semi-finished product obtained by the etching process of FIG. 13, in which FIG. A is a top perspective view thereof, FIG. B is a bottom perspective view thereof, and FIG. It is a perspective view of a part.

【図15】 図14の工程に続く工程を説明するための
図であって、同図Aは図14に示したベースにプローブ
を装着する工程の斜視図、同図Bは完成した状態のプロ
ーブ集合体の斜視図である。
15 is a diagram for explaining a process subsequent to the process of FIG. 14, wherein FIG. 15A is a perspective view of a process of mounting the probe on the base shown in FIG. 14, and FIG. 15B is a completed probe. It is a perspective view of an aggregate.

【図16】 図15のプローブ集合体を印刷配線基板に
組み込んだ状態を示したIC測定用プローブカードを示
していて、同図Aはその上面斜視図、同図Bは図AのA
−A線上における断面図である。
16 shows an IC measurement probe card showing a state in which the probe assembly of FIG. 15 is incorporated in a printed wiring board. FIG. 16A is a top perspective view thereof, and FIG.
It is sectional drawing on the -A line.

【図17】 図15Bに示したプローブ集合体を支持部
材に組み込む工程を示していて、同図Aは主に支持部材
の構造を示した斜視図であり、同図Bは同図Aの支持部
材にプローブ集合体を組み込んだ状態を示した斜視図で
ある。
FIG. 17 shows a step of incorporating the probe assembly shown in FIG. 15B into a support member, wherein FIG. A is a perspective view mainly showing the structure of the support member, and FIG. It is a perspective view showing the state where the probe aggregate was incorporated in the member.

【図18】 図17Bに示した、プローブ集合体が組み
込まれた支持部材を搭載した、この発明のIC測定用プ
ローブカードの第3の実施例を示していて、同図Aはそ
の斜視図、同図Bは同図AのA−A線上における断面図
である。
FIG. 18 shows a third embodiment of the IC measurement probe card of the present invention in which the support member incorporating the probe assembly shown in FIG. 17B is mounted, and FIG. FIG. 2B is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図19】 この発明の第2の実施例のプローブ集合体
の一部斜視図である。
FIG. 19 is a partial perspective view of a probe assembly according to a second embodiment of the present invention.

【図20】 図18に示したプローブカードの使用方法
を示していて、同図Aはその断面図、同図Bはアウター
リードがガルウイング型に形成されたICを測定する場
合のプローブの先端部を示した一部拡大断面図である。
20A and 20B show a method of using the probe card shown in FIG. 18, FIG. 20A being a cross-sectional view thereof, and FIG. 20B being a tip portion of a probe when measuring an IC in which outer leads are formed in a gull-wing type. It is a partially expanded sectional view showing.

【図21】 図4に示したプローブ集合体をゴムインコ
ネクターを用いて印刷配線基板へ接続した接続構造を示
していて、同図Aはその一部拡大断面図であり、同図B
はゴムインコネクターのみを示した断面側面図である。
FIG. 21 shows a connection structure in which the probe assembly shown in FIG. 4 is connected to a printed wiring board by using a rubber-in connector, and FIG. 21A is a partially enlarged sectional view thereof, and FIG.
FIG. 6 is a sectional side view showing only a rubber-in connector.

【図22】 図4に示したプローブ集合体をゴムインコ
ネクター及びフレキシブル印刷配線基板を用いて印刷配
線基板へ接続した接続構造を示すプローブカードの一部
斜視図である。
22 is a partial perspective view of a probe card showing a connection structure in which the probe assembly shown in FIG. 4 is connected to a printed wiring board by using a rubber-in connector and a flexible printed wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁層 2 金属層 3 多層積層体 4 積層ブロック 4A 上面 4B 下面 5 凹溝 10 ベース 11 プローブ集合体 12 開口 13 電極端子 14 配線回路 16 印刷配線基板 16A 印刷配線基板 17 プローブ 17A 先端部 17B 基部 20 プローブカード 20A プローブカード 20B プローブカード 20C プローブカード 20D プローブカード 30 支持台 31 保護板 40 積層ブロック 40A 上面 40B 下面 40C 先端面 41 先端部 41A 上面 41B 下面 42 基部 45 ベース 46 貫通孔 46A 切欠き 47 凹溝 48 プローブ 48A 先端部 48B 基部 50 プローブ集合体 50A プローブ集合体 60 支持部材 60A プローブ集合体組み込み支持部材 61 窪み 62 開口 63 ビス孔 70 ゴムインコネクター 71 ゴム 72 導線 80 フレキシブル印刷配線基板 81 配線回路 85 抑え板 100 QFP型IC 101 アウターリード 101A ガルウイング型アウターリード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating layer 2 Metal layer 3 Multilayer laminated body 4 Laminated block 4A Upper surface 4B Lower surface 5 Groove 10 Base 11 Probe assembly 12 Opening 13 Electrode terminal 14 Wiring circuit 16 Printed wiring board 16A Printed wiring board 17 Probe 17A Tip part 17B Base portion 20 Probe card 20A Probe card 20B Probe card 20C Probe card 20D Probe card 30 Support stand 31 Protective plate 40 Laminated block 40A Upper surface 40B Lower surface 40C Tip surface 41 Tip portion 41A Top surface 41B Bottom surface 42 Base portion 45 Base 46 Through hole 46A Groove 47 48 probe 48A tip part 48B base 50 probe assembly 50A probe assembly 60 support member 60A probe assembly built-in support member 61 recess 62 opening 63 screw hole 70 rubber-in connector 71 Rubber 72 Conductive Wire 80 Flexible Printed Wiring Board 81 Wiring Circuit 85 Suppression Plate 100 QFP Type IC 101 Outer Lead 101A Gull Wing Type Outer Lead

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 材質が異なる複数の薄層を複数層交互に
所定のピッチで積層した立方体状の積層ブロックの少な
くとも一平面に露出した前記1種類の材質の薄層部の全
長にわたって、深さが均一な凹溝を形成し、これら全長
の凹溝内にプローブの基部を固定し、先端部は自由端と
したことを特徴とするプローブ集合体。
1. A depth over the entire length of a thin layer portion of the one type of material exposed on at least one plane of a cubic laminated block in which a plurality of thin layers made of different materials are alternately laminated at a predetermined pitch. Forming a uniform groove, the base of the probe is fixed in the groove of the entire length, and the tip end is a free end.
【請求項2】 請求項1に記載の複数の薄層が絶縁層と
金属層とからなり、前記凹溝が形成された材質を金属層
とし、各金属層を電極とし、このプローブ集合体を複数
個、中央部に開口が開けられ、その周辺部に電気回路が
施された電気回路配線基板の前記開口周辺部にプローブ
の先端部が前記開口側に位置するように搭載し、前記各
プローブ集合体の前記電気良導体が被覆された各電極を
それぞれ所定の前記電気回路に直接または弾性コネクタ
ーを介して接続して構成したことを特徴とするIC測定
用プローブカード。
2. The plurality of thin layers according to claim 1 are composed of an insulating layer and a metal layer, the material in which the groove is formed is a metal layer, and each metal layer is an electrode. A plurality of openings are provided in the central part, and an electric circuit wiring board in which an electric circuit is provided in the peripheral part is mounted so that the tip of the probe is located on the opening side in the peripheral part of the opening. An IC measurement probe card, characterized in that each electrode covered with the good electrical conductor of the assembly is connected to the predetermined electric circuit directly or via an elastic connector.
【請求項3】 材質が異なる複数の薄層を複数層交互に
所定のピッチで積層した立方体状の積層ブロックの少な
くとも一平面に露出した前記1種類の材質の薄層部に、
それらの全長にわたって深さが均一な凹溝とそれらの各
先端部分に小径の貫通孔を形成し、或いは前記各凹溝の
長手方向の前記平面と交差する他の平面に露出した前記
凹溝が形成された材質と同様の材質の薄層に一様な切欠
きを形成し、これら全長の凹溝内にそれぞれプローブの
基部を固定し、前記各貫通孔または切欠きにプローブの
先端部が前記積層方向には移動できないが、上下方向に
は移動できるように、プローブの各先端部を嵌め込んで
構成したことを特徴とするプローブ集合体。
3. A thin layer portion of the one type of material exposed on at least one plane of a cubic laminated block in which a plurality of thin layers of different materials are alternately laminated at a predetermined pitch,
A groove having a uniform depth over the entire length thereof and a through hole having a small diameter is formed at each tip portion of the groove, or the groove exposed on another plane intersecting with the plane in the longitudinal direction of each groove. Form a uniform notch in a thin layer of the same material as the material formed, fix the base of the probe in the groove of these full length, respectively, the tip of the probe in each of the through holes or notches A probe assembly characterized in that each tip of the probe is fitted so that it cannot move in the stacking direction but can move in the vertical direction.
【請求項4】 材質が異なる複数の薄層が複数層交互に
所定のピッチで積層され、厚さが厚い部分と厚さが薄い
部分から構成された立方体状の積層ブロックの、前記厚
さ厚い積層ブロックに一平面に露出した前記1種類の材
質の薄層部に、それらの全長にわたって深さが均一な凹
溝を形成し、また、前記厚さが薄い前記積層ブロックの
各先端部分に小径の貫通孔を形成し、或いは前記各先端
部の上面と交差する他の平面に露出した先端面に所定の
切欠きを形成し、前記凹溝の全長にわたって、その中に
それぞれプローブの基部を固定し、前記各貫通孔または
切欠きにプローブの先端部が前記積層方向には移動でき
ないが、上下方向には移動できるように、プローブの各
先端部を嵌め込んで構成したことを特徴とするプローブ
集合体。
4. A cube-shaped laminated block comprising a thick portion and a thin portion, in which a plurality of thin layers made of different materials are alternately laminated at a predetermined pitch A groove having a uniform depth is formed in the thin layer portion of the one kind of material exposed in one plane on the laminated block, and a small diameter is formed at each tip of the laminated block having the thin thickness. A through hole is formed, or a predetermined notch is formed on the tip surface exposed on another plane intersecting the upper surface of each tip, and the probe base is fixed in the groove over the entire length of the groove. The probe is characterized by being fitted into each through hole or notch so that the tip of the probe cannot move in the stacking direction but can move in the vertical direction. Aggregation.
【請求項5】 請求項1、請求項3及び請求項4に記載
のプローブ集合体において、前記各凹溝に固定されたプ
ローブの基部の上から一枚の保護板を合わせたことを特
徴とするプローブ集合体。
5. The probe assembly according to any one of claims 1, 3, and 4, wherein one protective plate is fitted from above the base portion of the probe fixed to each groove. A probe assembly that does.
【請求項6】 請求項1、請求項3乃至請求項5に記載
のプローブ集合体を複数個、プローブ集合体支持部材に
装着し、そのプローブ集合体支持部材を、中央部に開口
が開けられ、その周辺部に電気回路が形成された電気回
路配線基板の前記開口周辺部にプローブの各先端部が前
記開口側に位置するように搭載し、各プローブの基部を
前記電気回路に接続して構成したことを特徴とするIC
測定用プローブカード。
6. A plurality of probe aggregates according to claim 1, and a plurality of probe aggregates according to claim 3 are mounted on a probe aggregate support member, and the probe aggregate support member has a central opening. The probe is mounted on the periphery of the opening of the electric circuit wiring board in which an electric circuit is formed on the periphery thereof so that each tip of the probe is located on the opening side, and the base of each probe is connected to the electric circuit. IC characterized by being configured
Measurement probe card.
【請求項7】 請求項1、請求項3乃至請求項5に記載
のプローブ集合体を複数個、周辺部に電気回路が形成さ
れた電気回路配線基板の中央部にプローブの各先端部が
位置するように弾性コネクター或いはフレキシブル電気
回路配線基板を介して搭載し、固定して構成したことを
特徴とするIC測定用プローブカード。
7. A plurality of probe aggregates according to claim 1, and a plurality of probe aggregates according to claim 5, and each tip portion of the probe is located at a central portion of an electric circuit wiring board on which an electric circuit is formed in a peripheral portion. As described above, an IC measuring probe card is characterized in that it is mounted via an elastic connector or a flexible electric circuit wiring board and fixed.
【請求項8】 材質が異なる複数の薄層を複数層交互に
積層して所定のピッチの多層積層体を形成し、その多層
積層体を、その積層方向に、所定の長さ、幅、厚さの立
方体状の積層ブロックに裁断し、更にその積層ブロック
の長さ方向の一部を全幅にわたって、その厚さを薄く加
工し、この加工された積層ブロックの必要な面にマスキ
ングを施し、露出した前記1種類の材質の薄層を化学的
に処理して、前記積層ブロックの前記1種類の薄層の全
長にわたって前記積層ブロックの表面からやや窪んだ凹
溝と厚さが薄い前記積層ブロック部分に微小な貫通孔ま
たは切欠きを形成し、複数のL字状のプローブの先端部
を前記貫通孔または切欠きに嵌め込むと共に、各プロー
ブの基部を前記各凹溝に固定することを特徴とするプロ
ーブ集合体の製造方法。
8. A plurality of thin layers made of different materials are alternately laminated to form a multilayer laminate having a predetermined pitch, and the multilayer laminate has a predetermined length, width and thickness in the stacking direction. It is cut into a cube-shaped laminated block, and a part of the laminated block in the length direction is processed over its entire width to reduce its thickness, and the necessary surface of this processed laminated block is masked and exposed. The thin layer of the one type of material is chemically treated to form a concave groove slightly recessed from the surface of the laminated block and the laminated block portion having a small thickness over the entire length of the one type of thin layer of the laminated block. Characterized in that minute through holes or notches are formed in each of the plurality of L-shaped probes, the tips of a plurality of L-shaped probes are fitted into the through holes or notches, and the base of each probe is fixed to each of the grooves. To manufacture a probe assembly Law.
JP31518093A 1993-12-15 1993-12-15 Probe assembly, method for manufacturing the same, and probe card for IC measurement using the same Expired - Fee Related JP3240793B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31518093A JP3240793B2 (en) 1993-12-15 1993-12-15 Probe assembly, method for manufacturing the same, and probe card for IC measurement using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31518093A JP3240793B2 (en) 1993-12-15 1993-12-15 Probe assembly, method for manufacturing the same, and probe card for IC measurement using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07167892A true JPH07167892A (en) 1995-07-04
JP3240793B2 JP3240793B2 (en) 2001-12-25

Family

ID=18062390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31518093A Expired - Fee Related JP3240793B2 (en) 1993-12-15 1993-12-15 Probe assembly, method for manufacturing the same, and probe card for IC measurement using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3240793B2 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11102742A (en) * 1997-09-29 1999-04-13 Kiyota Seisakusho:Kk Connector or probe structure
WO2008147084A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Kwang Suk Song Advanced probe pin for semiconductor test
JP2008309534A (en) * 2007-06-13 2008-12-25 Japan Electronic Materials Corp Contact probe and manufacturing method thereof
JP2009513970A (en) * 2005-10-28 2009-04-02 パイコム コーポレイション Probe card and manufacturing method thereof
JP2009265066A (en) * 2008-04-21 2009-11-12 Willtechnology Co Ltd Probe substrate, and probe card including the same
KR100935530B1 (en) * 2008-06-27 2010-01-06 미래산업 주식회사 Probe Block
JP2010019616A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Japan Electronic Materials Corp Contact probe complex, manufacturing method therefor, and manufacturing method of probe card
KR100967351B1 (en) * 2008-06-26 2010-07-05 티에스씨멤시스(주) Multiple connection elements with support
JP2010169637A (en) * 2009-01-26 2010-08-05 Japan Electronic Materials Corp Probe card
KR101480129B1 (en) * 2014-07-09 2015-01-08 주식회사 프로이천 Probe card for wafer testing and printed circuit board thereof
KR102006424B1 (en) * 2018-05-17 2019-08-01 심민섭 Probe card for using high-frequency data signal
KR20230143706A (en) * 2022-04-06 2023-10-13 (주)마이크로컨텍솔루션 Test socket and manufacturing method of test socket

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102511066B1 (en) * 2020-12-31 2023-03-17 (주)마이크로컨텍솔루션 Separate apparatus and test socket

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5487070A (en) * 1977-12-22 1979-07-11 Fujitsu Ltd Simultaneous multi-contact probe
JPS5895580U (en) * 1981-12-21 1983-06-29 カシオ計算機株式会社 Connection structure between electronic components and connectors
JPS63273328A (en) * 1987-05-01 1988-11-10 Tokyo Electron Ltd Probe card
JPH0337571A (en) * 1989-07-03 1991-02-18 Nippon Denshi Zairyo Kk Probe card
JPH0536457A (en) * 1991-03-15 1993-02-12 Sony Corp Electronic component, application device thereof and manufacturing method thereof
JPH05307049A (en) * 1992-04-30 1993-11-19 Nec Kansai Ltd Measuring device for characteristic of semiconductor wafer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5487070A (en) * 1977-12-22 1979-07-11 Fujitsu Ltd Simultaneous multi-contact probe
JPS5895580U (en) * 1981-12-21 1983-06-29 カシオ計算機株式会社 Connection structure between electronic components and connectors
JPS63273328A (en) * 1987-05-01 1988-11-10 Tokyo Electron Ltd Probe card
JPH0337571A (en) * 1989-07-03 1991-02-18 Nippon Denshi Zairyo Kk Probe card
JPH0536457A (en) * 1991-03-15 1993-02-12 Sony Corp Electronic component, application device thereof and manufacturing method thereof
JPH05307049A (en) * 1992-04-30 1993-11-19 Nec Kansai Ltd Measuring device for characteristic of semiconductor wafer

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11102742A (en) * 1997-09-29 1999-04-13 Kiyota Seisakusho:Kk Connector or probe structure
US7975380B2 (en) 2005-10-28 2011-07-12 Phicom Corporation Method of fabricating a probe card
JP2009513970A (en) * 2005-10-28 2009-04-02 パイコム コーポレイション Probe card and manufacturing method thereof
WO2008147084A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Kwang Suk Song Advanced probe pin for semiconductor test
JP2008309534A (en) * 2007-06-13 2008-12-25 Japan Electronic Materials Corp Contact probe and manufacturing method thereof
JP2009265066A (en) * 2008-04-21 2009-11-12 Willtechnology Co Ltd Probe substrate, and probe card including the same
KR100967351B1 (en) * 2008-06-26 2010-07-05 티에스씨멤시스(주) Multiple connection elements with support
KR100935530B1 (en) * 2008-06-27 2010-01-06 미래산업 주식회사 Probe Block
JP2010019616A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Japan Electronic Materials Corp Contact probe complex, manufacturing method therefor, and manufacturing method of probe card
JP2010169637A (en) * 2009-01-26 2010-08-05 Japan Electronic Materials Corp Probe card
KR101480129B1 (en) * 2014-07-09 2015-01-08 주식회사 프로이천 Probe card for wafer testing and printed circuit board thereof
KR102006424B1 (en) * 2018-05-17 2019-08-01 심민섭 Probe card for using high-frequency data signal
KR20230143706A (en) * 2022-04-06 2023-10-13 (주)마이크로컨텍솔루션 Test socket and manufacturing method of test socket

Also Published As

Publication number Publication date
JP3240793B2 (en) 2001-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100508419B1 (en) Contact structure formed by microfabrication process
US7064566B2 (en) Probe card assembly and kit
KR100454546B1 (en) Contact structure having silicon finger contactors and total stack-up structure using same
KR100733945B1 (en) Contact structure having silicon finger contactor and method for manufacturing same
US6114240A (en) Method for fabricating semiconductor components using focused laser beam
US5418471A (en) Adapter which emulates ball grid array packages
KR20010113485A (en) Contact structure and assembly mechanism thereof
JP2000502810A (en) Probe structure having a plurality of individual insulated probe tips protruding from a support surface, apparatus and method for using the same
JP3240793B2 (en) Probe assembly, method for manufacturing the same, and probe card for IC measurement using the same
USRE36442E (en) Adapter which emulates ball grid array packages
KR20000057821A (en) Packaging and interconnection of contact structure
JPH1164425A (en) Method and device for continuity inspection in electronic part
JP3558298B2 (en) Electrode assembly, IC socket, IC tester, and method of manufacturing electrode assembly
US20080197866A1 (en) Method of Manufacturing Needle for Probe Card Using Fine Processing Technology, Needle Manufactured by the Method, and Probe Card Comprising the Needle
JPH10132855A (en) Probe card for ic inspection
JP2976619B2 (en) Semiconductor device inspection apparatus and manufacturing method thereof
US6980015B2 (en) Back side probing method and assembly
JP3246841B2 (en) Probe structure
JP3381375B2 (en) Electrode assembly, manufacturing method thereof, and lead frame using electrode assembly
KR100858027B1 (en) Probe assembly of the probe card and its manufacturing method
KR20170111053A (en) Semiconductor test equipment interface and it's manufacturing method
WO2020203848A1 (en) Inspection jig and inspection device
JP2979289B2 (en) Semiconductor test package with high density array external contacts.
JPH07105416B2 (en) measuring device
JPH09281145A (en) Inspection jig having anisotropic conductive material and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees