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JPH07126832A - スパッタ装置 - Google Patents

スパッタ装置

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Publication number
JPH07126832A
JPH07126832A JP26934693A JP26934693A JPH07126832A JP H07126832 A JPH07126832 A JP H07126832A JP 26934693 A JP26934693 A JP 26934693A JP 26934693 A JP26934693 A JP 26934693A JP H07126832 A JPH07126832 A JP H07126832A
Authority
JP
Japan
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plate
pedestal
deposition
sputtering
target
Prior art date
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Granted
Application number
JP26934693A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3563095B2 (ja
Inventor
Junichi Uchida
淳一 内田
Kimiyuki Ishimaru
公行 石丸
Koichi Koyanagi
好一 小柳
Satoshi Suzuki
智 鈴木
Jiro Sakaguchi
二郎 坂口
Tadao Sakamoto
忠夫 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP26934693A priority Critical patent/JP3563095B2/ja
Publication of JPH07126832A publication Critical patent/JPH07126832A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3563095B2 publication Critical patent/JP3563095B2/ja
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スパッタ対象物に付着する異物を減少させる
ことにより、歩留向上、装置停止時間の短縮、ランニン
グコストの低減を実現することが可能なスパッタ技術を
提供する。 【構成】 ウェハ9が載置されるペデスタル7の周囲の
可動防着板6cの高さをウェハ9の位置よりも寸法dだ
け低くするとともに、ペデスタル7におけるウェハ9の
載置領域の外縁部7cは、その外径寸法が当該ウェハ9
の外径よりも小さくなるように段差部7dが彫り込まれ
ている。可動防着板6cおよびペデスタル7の角部に
は、丸め加工R1,R2,R4,R5が施され、目的の
ウェハ9以外のペデスタル7や可動防着板6cに付着し
た薄膜の剥落がおこりにくくしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ技術に関し、
特に、半導体集積回路の製造プロセスにおける薄膜形成
工程等に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年では、半導体集積回路の高集積化に
伴って、たとえば配線工程では、スパッタ装置による高
融点金属/Al u i /高融点金属の三層構造からな
る積層膜が、回路の信頼度上の要請に呼応して必要とな
り、たとえば、0.5μmプロセスではTi W/Al u
i /Ti Wの三層膜を配線材として使用している。
【0003】ところで、スパッタ処理中は、目的のウェ
ハ表面と同時に処理室の内壁面にもスパッタによる薄膜
が形成され、当該内壁面に付着した薄膜は剥落して異物
となってウェハに付着する懸念がある。その対策とし
て、従来では、たとえば、TiW用スパッタ処理室で
は、スパッタリング空間から処理室の内壁面を隠蔽する
防着板の表面にAl 材のブラスト処理を施すことによ
り、Ti W膜の剥落を防止しようとする対策が主流であ
った。
【0004】なお、半導体集積回路の製造プロセスにお
けるスパッタ技術については、たとえば、株式会社工業
調査会、昭和61年11月18日発行、「電子材料」1
986年11月号P134〜P139、等の文献に記載
がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、防着板の表面処理による異物低減には配慮して
いるものの、防着板の形状については考慮されていな
い。
【0006】このため、Ti W用スパッタ室の防着板か
ら堆積膜剥がれによるウェハ付着異物が多発して、防着
板を短周期で交換しなければならず、防着板の交換頻度
の増大に起因する装置停止や防着板の再生加工処理費用
の増大等によって高ランニングコストになっていた。
【0007】本発明の目的は、スパッタ対象物に付着す
る異物を減少させることにより、歩留向上、装置停止時
間の短縮、ランニングコストの低減を実現することが可
能なスパッタ技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0010】すなわち、請求項1記載の発明は、処理室
内に配置され、スパッタ対象物を支持する台座と、この
台座の上方にスパッタ対象物に対向するように配置され
たターゲットと、ターゲットとスパッタ対象物とが対向
するスパッタリング空間から処理室の壁面を隠蔽する防
着板とを備えたスパッタ装置において、防着板における
台座の周辺領域を、スパッタ対象物よりも低くしたもの
である。
【0011】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載のスパッタ装置において、台座がスパッタ対象物の背
面を点接触で支持する構成とし、台座の口径を、スパッ
タ対象物の口径よりも小さくしたものである。
【0012】また、請求項3記載の発明は、請求項1ま
たは2記載のスパッタ装置において、スパッタリング空
間に暴露される防着板の端縁部を丸め構造にしたもので
ある。
【0013】また、請求項4記載の発明は、請求項1,
2または3記載のスパッタ装置において、防着板を、タ
ーゲット近傍に位置する第1の防着板と、それ以外の第
2の防着板に分離し、第1の防着板のみを接地したもの
である。
【0014】また、請求項5記載の発明は、請求項1,
2,3または4記載のスパッタ装置において、ターゲッ
トとスパッタ対象物および第1の防着板との間にスパッ
タ電圧を印加する第1の電源と、スパッタ対象物と第2
の防着板との間に電界を印加する第2の電源とを備えた
ものである。
【0015】また、請求項6記載の発明は、請求項1,
2,3,4または5記載のスパッタ装置において、防着
板は、台座が昇降する貫通孔が開設された第3の防着板
と、この第3の防着板と台座との間隙を隠蔽する第4の
防着板とからなるものである。
【0016】また、請求項7記載の発明は、請求項1,
2,3,4または5記載のスパッタ装置において、防着
板は、台座が昇降する貫通孔が開設された第5の防着板
と、台座の側に固定されて当該台座とともに移動する第
6の防着板と、第5の防着板と第6の防着板の間隙を隠
蔽する第7の防着板とからなるものである。
【0017】また、請求項8記載の発明は、請求項1,
2,3,4または5記載のスパッタ装置において、防着
板は、筒状の第8の防着板と、台座の側に固定されて当
該台座とともに移動するとともに、外縁部が第8の防着
板に非接触に嵌合する第9の防着板とからなるものであ
る。
【0018】
【作用】上記した請求項1記載の発明によれば、スパッ
タ対象物を支持する台座の周辺部における防着板の高さ
がスパッタ対象物よりも低い位置にあるので、当該防着
板から剥落する薄膜が異物となってスパッタ対象物に降
り注ぐことが回避され、スパッタ対象物に対する付着異
物を確実に減少させることができる。
【0019】また、請求項2記載の発明によれば、台座
の口径がスパッタ対象物よりも小さいので、当該台座の
周辺部から剥落する薄膜が異物となって上部のスパッタ
対象物に付着しにくくなり、スパッタ対象物に対する付
着異物を減少させることができる。
【0020】また、請求項3記載の発明によれば、スパ
ッタリング空間に暴露される防着板の端縁部が丸め構造
を呈するので、当該端縁部におけるスパッタによる薄膜
の付着状態が安定となり、付着した薄膜の剥落に起因す
る異物の増大を防止できる。
【0021】また、請求項4記載の発明によれば、ター
ゲットの近傍に位置する、すなわちスパッタ対象物から
離れた位置にある第1の防着板を接地することにより、
スパッタによる薄膜の堆積が当該第1の防着板に対して
集中しやすくなり、スパッタ対象物に近い第2の防着板
に対する薄膜の付着量が相対的に減少するので、第2の
防着板からの薄膜の剥落に起因するスパッタ対象物への
異物付着量が減少するる。
【0022】また、請求項5記載の発明によれば、スパ
ッタ対象物の近傍の第2の防着板に印加される電界によ
って、当該第2の防着板に対するスパッタプロセス中の
荷電粒子等の付着が減少し、スパッタ対象物に対する異
物の付着を減少させることができる。
【0023】また、請求項6記載の発明によれば、第4
の防着板の高さをスパッタ対象物の高さよりも低くする
ことで、第4の防着板から剥落する異物がスパッタ対象
物に付着することを防止できる。
【0024】また、請求項7記載の発明によれば、第5
の防着板と第6の防着板の間隙を隠蔽する第7の防着板
の位置をスパッタ対象物の高さよりも低く、しかも遠く
に設定することで、スパッタ対象物に対する異物の付着
を減少させることができる。
【0025】また、請求項8記載の発明によれば、第8
の防着板と第9の防着板との嵌合位置がスパッタ対象物
から離れるので、スパッタ対象物に対する異物の付着を
減少させることができる。
【0026】これにより、スパッタ対象物に対する付着
異物の低減、防着板の交換周期延長が可能となり、歩留
向上、装置停止時間の短縮、ランニングコスト低減を実
現することができる。
【0027】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
【0028】(実施例1)図1は、本発明の一実施例で
あるスパッタ装置の一部を取り出して示す略断面図であ
り、図2は、その全体構成の一例を示す略断面図であ
る。
【0029】処理室3の内部には、昇降機構21によっ
て上下動されるペデスタル7が設けられ、複数の支持ピ
ン7aによってウェハ9が載置される。ペデスタル7に
はリフトピン8が貫通する貫通孔8aが設けられてお
り、リフトピン8は昇降機構22によってペデスタル7
とは独立に上下動する構造となっている。
【0030】ペデスタル7の上方には、ターゲット5が
対向して配置されており、当該ターゲット5の背面側に
はモータ4a,歯車4bによって回転駆動される回転永
久磁石4が設けられている。
【0031】処理室3の側面部には、ウェハ9の搬送動
作を行うロボット2を備えた搬送室1が接続されてお
り、ペデスタル7の降下位置の高さに開設された搬送口
1aを通じてペデスタル7に対するウェハ9の載置およ
び取り出し操作が行われる。搬送口1aは、開閉機構2
3によって開閉され、搬送時以外は、処理室3内の気密
性が保たれる。
【0032】また、処理室3には、ガス供給管10が接
続されており、たとえばアルゴンガス等のスパッタガス
10aが当該処理室3の内部に導入される。
【0033】処理室3の内部には、ターゲット5と上昇
状態のペデスタル7との間に形成されるスパッタ空間を
取り囲むようにカップ状の防着板6が設けられており、
当該防着板6の上端縁は、処理室に固定されている。防
着板6とターゲット5との間には、絶縁碍子24を介し
絶縁されスパッタ電圧11が印加される。
【0034】防着板6の下端中央部には、ターゲット5
の側にリング状に折り返された折り返し壁6aを有する
貫通穴6bが開設されており、ウェハ9を載置したペデ
スタル7は、当該貫通穴6bを通じて昇降することによ
り、スパッタ空間に出入りする。
【0035】防着板6の折り返し壁6aは、当該防着板
6とは独立なドーナツ状の可動防着板6cの嵌合溝6d
に嵌合する構造となっている。可動防着板6cの内周縁
の下面にはペデスタル7の外周部に突設された段構造7
bを挟むように内突起6eおよび当該内突起よりも高い
外突起6fが形成されており、外突起6fがペデスタル
7に当接した状態で、内突起6eおよび外突起6fとペ
デスタル7側の段構造7bとの間には、入り組んだ断面
形状を有する空間が形成される。
【0036】この場合、可動防着板6cの上面は、ペデ
スタル7に当接した状態のとき、当該ペデスタル7に載
置されたウェハ9の高さよりも寸法dだけ低くなるよう
に全体の寸法が設定されているとともに、内突起6eを
含む内周縁、さらには、外側に張り出した外周縁には、
丸め加工R1,丸め加工R2が施されている。また、カ
ップ状の防着板6のコーナ部および折り返し壁6aにも
それぞれ丸め加工R3および丸め加工R4が施されてい
る。
【0037】ペデスタル7におけるウェハ9の載置領域
の外縁部7cは、その外径寸法が当該ウェハ9の外径よ
りも小さく、すなわちターゲット5側からみて当該ウェ
ハ9の陰に隠れるように段差部7dが彫り込まれている
とともに、丸め加工R5が施されている。
【0038】以下、本実施例のスパッタ装置の作用の一
例について説明する。
【0039】まず、ペデスタル7およびリフトピン8を
降下させる。この時、可動防着板6cは、嵌合溝6dの
底部が折り返し壁6aの上端に当接する高さまで降下す
る。
【0040】次に、搬送口1aを開放し、ロボット2に
よって未処理のウェハ9を処理室3の内部におけるペデ
スタル7の直上部に搬入し、ペデスタル7の上部に突出
しているリフトピン8に受け渡し、ペデスタル7を静か
にに上昇させることによって、ウェハ9をペデスタル7
の複数の支持ピン7a上に載置するとともに搬送口1a
を閉じ、更に、ペデスタル7を上昇させることによっ
て、ウェハ9をスパッタ空間に移動させる。この時、ペ
デスタル7の外縁部に、可動防着板6cの外突起6fが
当接することによって、当該可動防着板6cは、図1に
例示される高さまで持ち上げられ、その状態で静止す
る。
【0041】その後、たとえば、処理室3を高真空(1
-6Pa台)に排気して残留ガスを除去した後、Ar
のスパッタガス10a(10-1Pa台)を媒介としてタ
ーゲット5(カソード)と、ウェハ9および防着板6,
可動防着板6c(アノード)間にスパッタ電圧11を印
加し、このスパッタ電圧11による電場と回転永久磁石
4の磁場が直交する所でマグネトロン放電12を発生さ
せる。このマグネトロン放電12で発生したスパッタガ
スイオン13はターゲット5に衝突して、当該ターゲッ
ト5を構成する物質の粒子14を飛散させる。この粒子
14がウェハ9上に堆積して成膜する。
【0042】この時、マグネトロン放電12を取り囲む
ウェハ9以外の防着板6,可動防着板6cにも同時に薄
膜が堆積し、剥落した当該薄膜は、従来では、異物とな
ってウェハ9の表面に付着し、製品不良等の原因となっ
ていた。
【0043】ところが、本実施例の場合には、ウェハ9
が載置されたペデスタル7の周辺に位置する可動防着板
6cの高さが、ウェハ9よりも寸法dだけ低くされてい
るため、当該可動防着板6cから剥離した薄膜が異物と
なってウェハ9の表面に付着することが防止される。
【0044】また、ペデスタル7におけるウェハ9の載
置領域の外縁部7cの外径がウェハ9の外径よりも小さ
くなるように、段差部7dが彫り込まれているため、ペ
デスタル7におけるウェハ9の外側領域で薄膜の剥離が
発生しても当該薄膜が異物となってウェハ9に付着する
ことが防止される。
【0045】さらに、防着板6,可動防着板6c、さら
にはペデスタル7におけるマグネトロン放電12の暴露
部に丸め加工R1〜R5を施したことにより、当該部位
における薄膜の付着状態が安定し、付着薄膜の剥離が生
じにくくなる。
【0046】これらのことにより、本実施例のスパッタ
装置では、防着板6,可動防着板6c等からウェハ9へ
の異物の付着が確実に減少し、当該異物に起因する製品
不良の発生を確実に防止できるとともに、防着板6,可
動防着板6c等の交換頻度が減少し、スパッタ工程にお
ける原価低減が実現できる。
【0047】(実施例2)図3は、本発明の他の実施例
であるスパッタ装置の一部を取り出して示す略断面図で
あり、図4は、その全体構成の一例を示す略断面図であ
る。
【0048】この実施例2の場合には、処理室3の側に
上縁部が固定されたカップ状の防着板61と、ペデスタ
ル70の側に固定され、当該ペデスタル70とともに上
下動する可動防着板62と、防着板61と可動防着板6
2の間隙を覆う防着板63とで構成されているところ
が、前記実施例1の場合と異なる。
【0049】すなわち、防着板61は、中央部に貫通孔
61bが開設されているとともに、当該貫通孔61bの
内周縁は、ターゲット5の側に折り返された折り返し壁
61aとなっている。
【0050】可動防着板62は、ペデスタル70の側に
固定される内周縁および外周縁の各々に、ターゲット5
の側への折り返し壁62aおよび折り返し壁62bが形
成されたドーナツ状を呈している。
【0051】防着板63は、内周縁および外周縁の各々
に、折り返し壁63aおよび折り返し壁63bが形成さ
れた断面が逆U字形のドーナツ形を呈しており、当該折
り返し壁63aおよび折り返し壁63bの間に、防着板
61の折り返し壁61aと、可動防着板62の折り返し
壁62bを入り込ませることにより、可動防着板62の
防着板61に対する自由な上下動を拘束することなく、
両者の間隙をマグネトロン放電12から隠蔽する構造と
なっている。
【0052】すなわち、防着板63は、外側の折り返し
壁63bの先端部を全周にわたって防着板1の底部に当
接させた状態で設置され、ペデスタル70とともに上下
動する可動防着板62の折り返し壁62bは、通常のス
パッタ操作が行われる高さにペデスタル70が上昇した
位置で、防着板63の内側の折り返し壁63aと防着板
61の折り返し壁61aとの間の空間に非接触に入り込
み、これにより、マグネトロン放電12が形成されるス
パッタ空間から、防着板61および可動防着板62,ペ
デスタル70の下側の空間を確実に隠蔽する動作を行
う。
【0053】ペデスタル70に載置されたウェハ9の周
辺部の可動防着板62および防着板63の位置は、最も
高い防着板63の頂部でも、当該ウェハ9の平面よりも
寸法d1だけ低くなるように設定されている。また、マ
グネトロン放電12に臨む防着板61,可動防着板6
2,防着板63の屈曲部には、丸め加工R6,丸め加工
R7,丸め加工R8,丸め加工R9が施されている。
【0054】また、ペデスタル70の外径は、ウェハ9
の外径よりも小さく設定され、その外周縁には丸め加工
R10が施されている。
【0055】このように、本実施例のスパッタ装置の場
合にも、ウェハ9の周辺の可動防着板62および防着板
63の高さが、当該ウェハ9の高さよりも低く設定され
ているので、可動防着板62および防着板63に付着し
た薄膜が剥離した場合でも、異物となって上側のウェハ
9に付着する確率が小さくなり、ウェハ9における付着
異物を確実に減少させることが可能となる。
【0056】また、防着板61,可動防着板62,防着
板63、さらには、ペデスタル70の外縁部のような薄
膜の付着領域の角部に丸め加工R6〜R10を施したの
で、当該各部位における薄膜の付着状態が安定し、薄膜
の剥落に起因する異物の発生が減少する。また、防着板
61,可動防着板62,防着板63等の交換頻度も減少
する。
【0057】(実施例3)図5は、本発明のさらに他の
実施例であるスパッタ装置の要部を示す略断面図であ
る。
【0058】この実施例3の場合には、上端縁が処理室
の側に固定されたほぼ筒状の防着板64と、ペデスタル
71の側に支持され、当該ペデスタル71とともに上下
動する可動防着板65とを備えている。
【0059】防着板64の下端部は、内側にほぼ水平に
折り曲げられて遮蔽壁64aをなしている。
【0060】可動防着板65は、ペデスタル71の段差
部71aに沿って、外側ほど低くなるように(段差部7
1aの水平部でウェハ9よりも寸法d2だけ低くなるよ
うに)成形され、外周部は、防着板64の遮蔽壁64a
を包むように略U字形の屈曲成形された屈曲壁65aを
呈している。すなわち、本実施例の場合には、固定の防
着板64と、可動防着板65のガス導入部72は、ウェ
ハ9の外周から最も遠くに位置する構造となっている。
【0061】また、ペデスタル71における段差部71
aは、ウェハ9の直下の中央部71bの外径がウェハ9
の外径よりも小さくなるように形成されている。中央部
71bの外縁部、さらには、段差部71aの角部には、
丸め加工R11,丸め加工R12,丸め加工R13が施
され、同様に、可動防着板65の屈曲壁65aの角部、
防着板64の角部にも、丸め加工R14,丸め加工R1
5,丸め加工R16が施されている。
【0062】このように、本実施例の場合にも、ウェハ
9の周辺に位置する可動防着板65の位置がウェハ9の
位置よりも低くなるように設定されているとともに、異
物の発生しやすい防着板64と可動防着板65とのガス
導入部72がウェハ9から最も遠い位置にあるので、防
着板64,可動防着板65に付着した薄膜の剥離に起因
する異物の飛散によるウェハ9への付着がしにくくな
り、付着異物を減少させることができる。
【0063】さらに、ペデスタル71や、防着板64,
可動防着板65の角部に丸め加工R11〜R16が施さ
れているので、薄膜の付着状態が安定となり、防着板6
4,可動防着板65等における薄膜の剥離によって発生
する異物を減少させることができる。
【0064】(実施例4)図6は、本発明のさらに他の
実施例であるスパッタ装置の構成の一例を示す略断面図
である。
【0065】この実施例4の場合には、実施例2の構成
における防着板61を、ターゲット5の近傍のアースシ
ールド66と、通常の防着板としてのシールドカバー6
7に分離したところが、実施例2の場合と異なってい
る。
【0066】すなわち、アースシールド66は絶縁碍子
24によってターゲット5と電気的に分離され、さらに
シールドカバー67は絶縁碍子25によってターゲット
5およびアースシールド66の双方から電気的に分離さ
れている。また、ターゲット5の近傍のアースシールド
66の下端縁には、丸め加工R17が施されている。
【0067】そして、スパッタ電圧11は、アースシー
ルド66とターゲット5との間に印加され、それによっ
てスパッタが行われる。
【0068】また、この場合、ウェハ9と、アースシー
ルド66以外のシールドカバー67,防着板63,可動
防着板62との間には、粒子付着阻止電圧15が印加さ
れており、電荷を持った粒子16を反発することによ
り、シールドカバー67,防着板63,可動防着板62
に対する薄膜付着を起こりにくくして、ウェハ9以外の
領域への薄膜の形成を抑制する構成となっている。
【0069】このように、本実施例のスパッタ装置で
は、ターゲット5の近傍のアースシールド66を、シー
ルドカバー67,防着板63,可動防着板62等から電
気的に分離したため、目的のウェハ9以外では、当該ウ
ェハ9から遠い位置にあるアースシールド66に薄膜の
形成が起こりやすくなり、また、下端縁に丸め加工R1
7が施されていることにより、薄膜の付着状態が安定化
し、当該アースシールド66からの薄膜の剥落に起因す
るウェハ9への異物の付着量は少なくなる。
【0070】また、ウェハ9の近傍のシールドカバー6
7,防着板63,可動防着板62等には、粒子付着阻止
電圧15が印加されることによって薄膜の形成が抑制さ
れているので、当該領域からの薄膜の剥落に起因する、
ウェハ9への異物付着量は減少する。
【0071】これにより、異物低減によるウェハ9の歩
留向上およびアースシールド66を、シールドカバー6
7,防着板63,可動防着板62等の部品の交換周期の
延長ができる。
【0072】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0073】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0074】すなわち、本発明のスパッタ装置によれ
ば、スパッタ対象物に付着する異物を減少させることに
より、歩留向上、装置停止時間の短縮、ランニングコス
トの低減を実現することができる、という効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1であるスパッタ装置の一部を
取り出して示す略断面図である。
【図2】その全体構成の一例を示す略断面図である。
【図3】本発明の実施例2であるスパッタ装置の一部を
取り出して示す略断面図である。
【図4】その全体構成の一例を示す略断面図である。
【図5】本発明の実施例3であるスパッタ装置の要部を
示す略断面図である。
【図6】本発明の実施例4であるスパッタ装置の構成の
一例を示す略断面図である。
【符号の説明】
1 搬送室 1a 搬送口 2 ロボット 3 処理室 4 回転永久磁石 4a モータ 4b 歯車 5 ターゲット 6 防着板 6a 折り返し壁 6b 貫通穴 6c 可動防着板 6d 嵌合溝 6e 内突起 6f 外突起 7 ペデスタル 7a 支持ピン 7b 段構造 7c 外縁部 7d 段差部 8 リフトピン 8a 貫通孔 9 ウェハ 10 ガス供給管 10a スパッタガス 11 スパッタ電圧 12 マグネトロン放電 13 スパッタガスイオン 14 粒子 15 粒子付着阻止電圧 16 粒子 21 昇降機構 22 昇降機構 23 開閉機構 24 絶縁碍子 25 絶縁碍子 61 防着板 61a 折り返し壁 61b 貫通孔 62 可動防着板 62a 折り返し壁 62b 折り返し壁 63 防着板 63a 折り返し壁 63b 折り返し壁 64 防着板 64a 遮蔽壁 65 可動防着板 65a 屈曲壁 66 アースシールド 67 シールドカバー 70 ペデスタル 71 ペデスタル 71a 段差部 71b 中央部 72 ガス導入部 R1〜R17 丸め加工
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小柳 好一 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 鈴木 智 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 坂口 二郎 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 坂本 忠夫 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理室内に配置され、スパッタ対象物を
    支持する台座と、この台座の上方に前記スパッタ対象物
    に対向するように配置されたターゲットと、前記ターゲ
    ットと前記スパッタ対象物とが対向するスパッタリング
    空間から前記処理室の壁面を隠蔽する防着板とを備えた
    スパッタ装置であって、前記防着板における前記台座の
    周辺領域を、前記スパッタ対象物よりも低くしたことを
    特徴とするスパッタ装置。
  2. 【請求項2】 前記台座は、前記スパッタ対象物の背面
    を点接触で支持し、前記台座の口径を、前記スパッタ対
    象物の口径よりも小さくしたことを特徴とする請求項1
    記載のスパッタ装置。
  3. 【請求項3】 前記スパッタリング空間に暴露される前
    記防着板の端縁部を丸め構造にしたことを特徴とする請
    求項1または2記載のスパッタ装置。
  4. 【請求項4】 前記防着板を、前記ターゲット近傍に位
    置する第1の防着板と、それ以外の第2の防着板に分離
    し、前記第1の防着板のみを接地してなることを特徴と
    する請求項1,2または3記載のスパッタ装置。
  5. 【請求項5】 前記ターゲットと前記スパッタ対象物お
    よび前記第1の防着板との間にスパッタ電圧を印加する
    第1の電源と、前記スパッタ対象物と前記第2の防着板
    との間に電界を印加する第2の電源とを備えたことを特
    徴とする請求項1,2,3または4記載のスパッタ装
    置。
  6. 【請求項6】 前記防着板は、前記台座が昇降する貫通
    孔が開設された第3の防着板と、この第3の防着板と前
    記台座との間隙を隠蔽する第4の防着板とからなること
    を特徴とする請求項1,2,3,4または5記載のスパ
    ッタ装置。
  7. 【請求項7】 前記防着板は、前記台座が昇降する貫通
    孔が開設された第5の防着板と、前記台座の側に固定さ
    れて当該台座とともに移動する第6の防着板と、前記第
    5の防着板と前記第6の防着板の間隙を隠蔽する第7の
    防着板とからなることを特徴とする請求項1,2,3,
    4または5記載のスパッタ装置。
  8. 【請求項8】 前記防着板は、筒状の第8の防着板と、
    前記台座の側に固定されて当該台座とともに移動すると
    ともに、外縁部が前記第8の防着板に非接触に嵌合する
    第9の防着板とからなることを特徴とする請求項1,
    2,3,4または5記載のスパッタ装置。
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