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JPH07118496B2 - TAB inner lead bump forming device - Google Patents

TAB inner lead bump forming device

Info

Publication number
JPH07118496B2
JPH07118496B2 JP2935591A JP2935591A JPH07118496B2 JP H07118496 B2 JPH07118496 B2 JP H07118496B2 JP 2935591 A JP2935591 A JP 2935591A JP 2935591 A JP2935591 A JP 2935591A JP H07118496 B2 JPH07118496 B2 JP H07118496B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inner lead
bump
piezoelectric element
punch
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2935591A
Other languages
Japanese (ja)
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JPH04245449A (en
Inventor
泰弘 大塚
秀樹 金子
英彦 黒田
憲一 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2935591A priority Critical patent/JPH07118496B2/en
Publication of JPH04245449A publication Critical patent/JPH04245449A/en
Publication of JPH07118496B2 publication Critical patent/JPH07118496B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の実装に用
いられるTAB(Tape・Automated・Bo
nding)用テープキャリアのインナーリード先端部
に、機械的プレス法によりバンプを形成する装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a TAB (Tape / Automated / Bo) used for mounting a semiconductor element.
The present invention relates to an apparatus for forming a bump on the tip of an inner lead of a tape carrier for a tape by a mechanical pressing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体素子をTAB用テープキ
ャリアに実装するには、半導体素子の電極部又はテープ
キャリアのインナーリード先端部のいずれか一方に、バ
ンプとなる突起を形成する必要がある。半導体素子の電
極部にバンプ形成する方法には、例えば、「アイビーエ
ムジャーナル(IBM・Journal)」第8巻(1
964年)102頁に記載のように電極部に直接バンプ
となる突起をメッキ法により形成する方法や、「エレク
トロニック・パッケージング・アンド・プロダクション
(Electronic・Packaging・&・P
roduction)」、1984年12月号,33〜
39頁に記載のようにエッチング技術を用いたペデスタ
ル法、すなわちバンプを形成する部分をマスキングして
おき、他のインナーリード部分をハーフエッチングする
ことにより、30〜40μmの高さの突起を形成する方
法、あるいは「昭和60年度電子通信学会半導体・材料
部門全国大会論文集、講演番号2」(1985年11
月)に記載のようにガラス基板にバンプを形成した後、
電極部にバンプを移し換える方式の転写バンプ法などが
行われている。
2. Description of the Related Art Generally, in order to mount a semiconductor element on a TAB tape carrier, it is necessary to form a bump projection on either the electrode portion of the semiconductor element or the tip of the inner lead of the tape carrier. A method for forming bumps on the electrode portion of a semiconductor element is described in, for example, "IBM Journal", Vol. 8 (1).
(964) p. 102, a method of forming bumps that directly form bumps on the electrode portion by a plating method, or "Electronic Packaging & Production P."
,), December 1984, 33-.
As described on page 39, a pedestal method using an etching technique, that is, a portion where a bump is to be formed is masked and other inner lead portions are half-etched to form a protrusion having a height of 30 to 40 μm. Method, or "The 60th Annual Conference of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan, Semiconductor and Materials Division, Lecture No. 2" (November 1985)
After forming bumps on the glass substrate as described in
A transfer bump method, which is a method of transferring bumps to electrode portions, is used.

【0003】しかし、これらの方法でバンプを形成する
には、高価な露光装置やメッキ装置などの設備が必要と
なるだけでなく、パターンニングのためのリソグラフィ
工程やエッチング工程が必要になるためバンプ形成工程
も長くなる課題がある。
However, in order to form bumps by these methods, not only expensive equipment such as an exposure apparatus and a plating apparatus are required, but also a lithography step and an etching step for patterning are required, so that bumps are required. There is a problem that the forming process also becomes long.

【0004】このため、図7の(a),(b),(c)
(特公昭64−10094号公報参照)に示すように、
金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いてイン
ナーリード先端部にペデスタル25を製作する方法が提
案されている。この方法は、下型26へフィルム27と
インナーリード20とが一体となったテープキャリアを
装着し、上方からインナーリードの幅よりも大きな凸部
28を有する上型29を降下させてインナーリード20
の先端部に溝30をプレス加工によって、形成し、バン
プとなるペデスタル25をインナーリード先端部に形成
する方法である。なお、上型29の凸部28により押圧
されたインナーリード20の溝30の材料の逃げのた
め、幅方向に切欠き31が設けられている。
Therefore, in FIG. 7, (a), (b), (c)
(See Japanese Examined Patent Publication No. 64-10094),
A method of manufacturing the pedestal 25 at the tip of the inner lead using a mechanical press molding technique using a mold has been proposed. In this method, a tape carrier in which a film 27 and an inner lead 20 are integrated is attached to a lower die 26, and an upper die 29 having a protrusion 28 larger than the width of the inner lead is lowered from above to lower the inner lead 20.
In this method, the groove 30 is formed by pressing at the tip of the inner edge of the inner lead, and the pedestal 25 to be a bump is formed at the tip of the inner lead. A notch 31 is provided in the width direction in order to allow the material of the groove 30 of the inner lead 20 pressed by the convex portion 28 of the upper die 29 to escape.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】一般にTAB用のイン
ナーリードは、Cu箔に厚さ1μm程度のAuメッキや
Snメッキが施されたものが用いられ、リードの機械的
な性質はリード材質の大半を占めるCu箔の性質により
決まる。図7に示したような従来のバンプ形成方法で形
成したバンプは、インナーリード材をバンプ材料として
用いるため、Cuバンプとなり、転写バンプ法等で用い
られているAuバンプに比べ、変形が生じにくい剛体構
造のバンプとなる。
Generally, the inner lead for TAB is made of Cu foil with Au plating or Sn plating having a thickness of about 1 μm. The mechanical properties of the lead are almost the same as those of most lead materials. Is determined by the properties of the Cu foil. Since the bump formed by the conventional bump forming method as shown in FIG. 7 uses the inner lead material as the bump material, it becomes a Cu bump and is less likely to be deformed than the Au bump used in the transfer bump method or the like. It becomes a bump with a rigid structure.

【0006】このため図7に示すような従来のバンプで
は、半導体素子のAl電極とAuメッキ付バンプとの熱
圧着接合において、バンプの変形が生じにくいため、A
l電極上に存在する自然酸化膜を十分に破壊することが
できず、Al電極とAuメッキ付バンプを十分な強度で
接合することができなかった。Al電極上の自然酸化膜
を十分に破壊し、接合強度を増加するためには、熱圧着
時の加重を増加することが必要となるが、この場合には
ボンディング圧力が過大となるため、Al電極下のSi
やSiO2膜にクラックが発生する確率が高くなり、接
合の信頼性が低下する課題があった。
Therefore, in the conventional bump as shown in FIG. 7, the bump is less likely to be deformed in thermocompression bonding between the Al electrode of the semiconductor element and the Au-plated bump.
The natural oxide film existing on the l-electrode could not be sufficiently destroyed, and the Al electrode and the Au-plated bump could not be joined with sufficient strength. In order to sufficiently destroy the natural oxide film on the Al electrode and increase the bonding strength, it is necessary to increase the load at the time of thermocompression bonding. Si under the electrode
There is a problem that the probability of cracks occurring in the SiO 2 film and the SiO 2 film increases, and the reliability of bonding decreases.

【0007】そこでこれらの課題を解決するバンプ構造
として、図2(a)に示すような中空構造のバンプ21
や、図2(b)のような中空バンプの中空部の一部に軟
質金属22等を埋め込んだ構造のバンプが考えられる。
バンプの形成は、図5に示すようにポンチ12とダイス
13を用いた機械的プレス法により、インナーリード2
0の先端をプレス成形することにより行う。図2に示す
バンプ21は中空構造のため、図7に示す従来のバンプ
に比べ変形が生じやすく、Al電極下のSiやSiO2
膜にクラックを発生することなく良好な接合を行うこと
ができる。
Therefore, as a bump structure for solving these problems, a bump 21 having a hollow structure as shown in FIG.
Alternatively, a bump having a structure in which the soft metal 22 or the like is embedded in a part of the hollow portion of the hollow bump as shown in FIG.
The bumps are formed by a mechanical pressing method using a punch 12 and a die 13 as shown in FIG.
This is performed by press molding the tip of No. 0. Since the bump 21 shown in FIG. 2 of the hollow structure, deformation is likely to occur compared with the conventional bump shown in FIG. 7, below the Al electrode Si and SiO 2
Good bonding can be performed without cracks in the film.

【0008】ここで、図5のようにしてバンプ21を形
成するためには、ポンチ12を駆動するプレス加工装置
が必要となる。一般に、プレス加工装置は油圧を駆動源
とするため、装置が大型となり高速動作が困難である課
題がある。また、油圧プレスヘッド部の機構が大がかり
となるため、装置コストが高くなるという課題がある。
さらにバンプ形成は、クリーンルーム内で行う必要があ
るが、従来の油圧方式のプレス装置では発塵の問題があ
りクリーンルーム内での使用は困難であった。
Here, in order to form the bump 21 as shown in FIG. 5, a press working device for driving the punch 12 is required. Generally, since the press working apparatus uses hydraulic pressure as a drive source, there is a problem that the apparatus is large and high-speed operation is difficult. In addition, since the mechanism of the hydraulic press head is large, there is a problem that the cost of the apparatus increases.
Further, the bump formation needs to be performed in a clean room, but the conventional hydraulic press device has a problem of dust generation and is difficult to use in the clean room.

【0009】本発明の目的は、このような従来の課題を
解決し、クリーンルーム内で使用でき、高速動作が可能
であり、しかも安価なTABインナーリードのバンプ形
成装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a bump forming apparatus for a TAB inner lead, which solves the conventional problems described above, can be used in a clean room, can operate at high speed, and is inexpensive.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるTABインナーリードのバンプ形成装
置においては、プレスヘッドとダイスとを有し、TAB
用テープキャリアのインナーリード先端近傍に機械的に
プレス法によりバンプを形成するTABインナーリード
のバンプ形成装置であって、プレスヘッドは、積層型圧
電素子とアームとポンチとを有し、積層型圧電素子は、
ポンチの駆動源としてプレスヘッドのヘッドベースに固
定されたものであり、アームは、円弧運動が可能な弾性
ヒンジを介して積層型圧電素子の一端に取り付けられた
ものであり、弾性ヒンジは、積層型圧電素子の微小変位
を拡大してアームに伝達するものであり、ポンチは、ア
ームの先端に、軸心方向が積層型圧電素子の伸縮方向に
対し直角方向となるように取付けられ、ポンチの先端位
置は、弾性ヒンジの回転中心を通り、かつ積層型圧電素
子の伸縮方向と平行な線分上に配置されたものであり、
ダイスは、ポンチの先端に向き合わせてステージ上に配
置されたものである。
In order to achieve the above object, a bump forming apparatus for a TAB inner lead according to the present invention has a press head and a die,
A bump forming apparatus for a TAB inner lead, which mechanically forms bumps near a tip of the inner lead of a tape carrier for press, wherein a press head has a laminated piezoelectric element, an arm and a punch, and a laminated piezoelectric element. The element is
The punch is fixed to the head base of the press head as a driving source, the arm is attached to one end of the laminated piezoelectric element via an elastic hinge capable of circular motion, and the elastic hinge is a laminated The micro-displacement of the die-type piezoelectric element is enlarged and transmitted to the arm. The tip position is located on a line segment that passes through the center of rotation of the elastic hinge and is parallel to the expansion and contraction direction of the laminated piezoelectric element.
The dice are arranged on the stage so as to face the tip of the punch.

【0011】[0011]

【作用】本発明のTAB用インナーリードのバンプ形成
装置では、図1に示すように周波数応答特性に優れた積
層型圧電素子16をプレスヘッド11の駆動源に用いて
おり、しかもプレスヘッド11を小型化できるため、高
い周波数でプレスヘッド11を駆動することが可能とな
る。また、弾性ヒンジ17を用いた無摺動案内機構によ
りポンチ12を駆動するため、発塵の問題もなく、クリ
ーンルーム内でバンプ形成が可能となる。さらに、プレ
スヘッド11のメカニズムは極めてシンプルであり、高
価な部品も必要としないため、従来の油圧プレス方式に
比べ、装置の低コスト化を図ることができる。
In the TAB inner lead bump forming apparatus of the present invention, the laminated piezoelectric element 16 having excellent frequency response characteristics is used as the drive source of the press head 11 as shown in FIG. Since the size can be reduced, the press head 11 can be driven at a high frequency. Further, since the punch 12 is driven by the non-sliding guide mechanism using the elastic hinge 17, there is no problem of dust generation, and bumps can be formed in a clean room. Further, since the mechanism of the press head 11 is extremely simple and does not require expensive parts, the cost of the device can be reduced as compared with the conventional hydraulic press system.

【0012】なおポンチ12は、てこの原理を応用した
弾性ヒンジ17により、積層型圧電素子16の微小変位
をバンプ形成を行うのに十分な変位まで拡大して駆動さ
れるため、ポンチ12先端の運動は円弧運動となる。ポ
ンチ12の先端位置が図6に示すように、弾性ヒンジ1
7の回転中心19を通る線分上にない場合には、ポンチ
12の運動方向23とダイス穴の中心軸方向24とが大
きくずれるため、バンプ形成が行えなくなる。一方、図
1に示すように、ポンチ12の先端位置を弾性ヒンジ1
7の回転中心19を通り、かつ積層型圧電素子16の伸
縮方向と平行な線分上に配置した場合には、ポンチ12
の運動方向23とダイス穴の軸心方向24とを近似的に
一致させることができ、安定したバンプ形成が可能とな
る。
Since the punch 12 is driven by an elastic hinge 17 to which the lever principle is applied, the minute displacement of the laminated piezoelectric element 16 is enlarged to a displacement sufficient to form bumps, and therefore, the tip of the punch 12 is driven. The movement is an arc movement. As shown in FIG. 6, the tip position of the punch 12 is an elastic hinge 1.
If it is not on the line segment passing through the rotation center 19 of 7, the movement direction 23 of the punch 12 and the center axis direction 24 of the die hole are largely deviated from each other, and bump formation cannot be performed. On the other hand, as shown in FIG.
When the punch 12 is disposed on a line segment that passes through the rotation center 19 of 7 and is parallel to the expansion / contraction direction of the laminated piezoelectric element 16.
It is possible to approximately match the movement direction 23 of the and the axial direction 24 of the die hole, and it is possible to form stable bumps.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を用い
て詳細に説明する。図1(a),(b)は、それぞれ、
本発明の一実施例で用いたTABインナーリードのバン
プ形成装置の側面図及び上面図を示す。図2(a)は、
本発明の一実施例により形成されたバンプの断面図を、
図3及び図4は、それぞれ本発明の一実施例で用いたポ
ンチ及びダイスの側面図を示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. 1A and 1B respectively show
1A and 1B are a side view and a top view of a TAB inner lead bump forming apparatus used in an embodiment of the present invention. Figure 2 (a) shows
A cross-sectional view of a bump formed according to an embodiment of the present invention,
3 and 4 are side views of punches and dies used in an embodiment of the present invention.

【0014】図1に示すように、本発明によるTABイ
ンナーリードのバンプ形成装置は、プレスヘッド11,
ポンチ12,ダイス13,XYステージ14等から構成
される。プレスヘッド11は、ヘッドベース15、ヘッ
ドベース15に接着固定された積層型圧電素子16、積
層型圧電素子16の一端に弾性ヒンジ17を介して接続
したアーム18から構成される。ポンチ12は、その先
端位置が、弾性ヒンジ17の回転中心19を通り、かつ
積層型圧電素子16の伸縮方向に平行な線分上に位置す
るようにアーム18に固定されている。実施例において
は、プレスヘッド11とダイス13とは、XYステージ
14上に固定されており、TABテープは固定とし、X
Yステージ14を移動することによりインナーリード2
0上に逐次方式でバンプ形成を行った。
As shown in FIG. 1, the TAB inner lead bump forming apparatus according to the present invention comprises a press head 11,
It is composed of a punch 12, a die 13, an XY stage 14, and the like. The press head 11 includes a head base 15, a laminated piezoelectric element 16 adhered and fixed to the head base 15, and an arm 18 connected to one end of the laminated piezoelectric element 16 via an elastic hinge 17. The punch 12 is fixed to the arm 18 so that its tip position passes through the rotation center 19 of the elastic hinge 17 and is located on a line segment parallel to the expansion / contraction direction of the laminated piezoelectric element 16. In the embodiment, the press head 11 and the die 13 are fixed on the XY stage 14, and the TAB tape is fixed.
The inner lead 2 is moved by moving the Y stage 14.
Bumps were sequentially formed on the surface of the substrate.

【0015】図3に示す先端直径φ30μmのポンチ1
2、及び図4に示す穴直径φ45μmのダイス13を用
い、インナーリード幅60μmのTABテープ上にプレ
スヘッド11の駆動周波数を100Hzとしてバンプ形
成を行った。ここで、XYステージ14により、プレス
ヘッド11を隣接するインナーリード20に移動する時
間を含めたバンプ1ケ当たりの形成時間は0.1秒とし
た。その結果、図2(a)に示すような直径φ45μ
m,高さ28μm,高さ精度±0.5μmの均一なバン
プ21を高精度に形成することができた。なお、バンプ
形成はクラス100のクリーンルーム内で行った。
A punch 1 having a tip diameter of 30 μm shown in FIG.
2, and bumps were formed on the TAB tape having an inner lead width of 60 μm with the driving frequency of the press head 11 being 100 Hz, using the die 13 having a hole diameter φ45 μm shown in FIG. Here, the formation time per bump including the time for moving the press head 11 to the adjacent inner lead 20 by the XY stage 14 was set to 0.1 seconds. As a result, the diameter φ45μ as shown in FIG.
It was possible to form a uniform bump 21 with a height of 28 m, a height of 28 μm, and a height accuracy of ± 0.5 μm with high accuracy. The bump formation was performed in a class 100 clean room.

【0016】TABテープのインナーリード部に形成し
たバンプ21を、半導体素子のAl電極部と低温ボンデ
ィング法(素子加熱温度:150℃,加圧用ツール温
度:450℃,圧力:60gf/リード,2秒)により
ギャング方式で接合した結果、半導体素子のAl電極と
強度的にも良好な接続が達成でき、インナーリードのバ
ンプとして十分に使用できることを確認した。また、ボ
ンディング後のSi及びSiO2面には、クラックは発
生していないことを確認した。
The bump 21 formed on the inner lead portion of the TAB tape is bonded to the Al electrode portion of the semiconductor element by a low temperature bonding method (element heating temperature: 150 ° C., pressure tool temperature: 450 ° C., pressure: 60 gf / lead, 2 seconds). As a result of the ganging method according to (1), it was confirmed that a good connection with the Al electrode of the semiconductor element can be achieved, and it can be sufficiently used as a bump for the inner lead. It was also confirmed that no cracks were generated on the Si and SiO 2 surfaces after bonding.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のTABイ
ンナーリードのバンプ形成装置によれば、プレスヘッド
の構造がシンプルなため、装置が安価に製作でき、ま
た、積層型圧電素子を駆動源とする高速動作が可能なプ
レスヘッドを有するため、生産性高くバンプ形成が可能
であり、プレスヘッドには摺動部がないため発塵の問題
がなくクリーンルーム内で使用可能である効果がある。
As described above, according to the bump forming apparatus for TAB inner leads of the present invention, since the structure of the press head is simple, the apparatus can be manufactured inexpensively, and the laminated piezoelectric element is used as the driving source. Since it has a press head capable of high-speed operation, it is possible to form bumps with high productivity, and since the press head has no sliding portion, there is no problem of dust generation and there is an effect that it can be used in a clean room.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】TABインナーリードのバンプ形成装置を示す
図であり、(a)は側面図、(b)は上面図である。
FIG. 1 is a diagram showing a bump forming apparatus for a TAB inner lead, in which (a) is a side view and (b) is a top view.

【図2】(a),(b)は、中空構造バンプの断面図で
ある。
2A and 2B are cross-sectional views of a hollow structure bump.

【図3】本発明の実施例で用いたポンチの側面図であ
る。
FIG. 3 is a side view of a punch used in an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例で用いたダイスの部分断面図を
含む側面図である。
FIG. 4 is a side view including a partial cross-sectional view of a die used in an example of the present invention.

【図5】中空構造バンプの形成方法を示す側面図であ
る。
FIG. 5 is a side view showing a method for forming a hollow structure bump.

【図6】ポンチ先端位置と、ポンチの運動軌跡の関係を
示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a relationship between a punch tip position and a punch movement locus.

【図7】従来のバンプ形成方法を示す図であり、(a)
〜(c)は工程を工程順に示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a conventional bump forming method, (a)
(C) is a figure which shows a process in process order.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 プレスヘッド 12 ポンチ 13 ダイス 14 XYステージ 15 ヘッドベース 16 積層型圧電素子 17 弾性ヒンジ 18 アーム 19 回転中心 20 インナーリード 21 バンプ 22 軟質金属 23 ポンチ運動方向 24 ダイス穴中心軸方向 25 ペデスタル 26 下型 27 フィルム 28 凸部 29 上型 30 溝 31 切欠き 11 Press Head 12 Punch 13 Die 14 XY Stage 15 Head Base 16 Laminated Piezoelectric Element 17 Elastic Hinge 18 Arm 19 Center of Rotation 20 Inner Lead 21 Bump 22 Soft Metal 23 Punch Movement Direction 24 Die Hole Center Axis 25 Pedestal 26 Lower Model 27 Film 28 Convex part 29 Upper mold 30 Groove 31 Notch

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プレスヘッドとダイスとを有し、TAB
用テープキャリアのインナーリード先端近傍に機械的に
プレス法によりバンプを形成するTABインナーリード
のバンプ形成装置であって、プレスヘッドは、積層型圧
電素子とアームとポンチとを有し、積層型圧電素子は、
ポンチの駆動源としてプレスヘッドのヘッドベースに固
定されたものであり、アームは、円弧運動が可能な弾性
ヒンジを介して積層型圧電素子の一端に取り付けられた
ものであり、弾性ヒンジは、積層型圧電素子の微小変位
を拡大してアームに伝達するものであり、ポンチは、ア
ームの先端に、軸心方向が積層型圧電素子の伸縮方向に
対し直角方向となるように取付けられ、ポンチの先端位
置は、弾性ヒンジの回転中心を通り、かつ積層型圧電素
子の伸縮方向と平行な線分上に配置されたものであり、
ダイスは、ポンチの先端に向き合わせてステージ上に配
置されたものであることを特徴とするTABインナーリ
ードのバンプ形成装置。
1. A TAB having a press head and a die.
A bump forming apparatus for a TAB inner lead, which mechanically forms bumps near a tip of the inner lead of a tape carrier for press, wherein a press head has a laminated piezoelectric element, an arm and a punch, and a laminated piezoelectric element. The element is
The punch is fixed to the head base of the press head as a driving source, the arm is attached to one end of the laminated piezoelectric element via an elastic hinge capable of circular motion, and the elastic hinge is a laminated The micro-displacement of the die-type piezoelectric element is enlarged and transmitted to the arm. The tip position is located on a line segment that passes through the center of rotation of the elastic hinge and is parallel to the expansion and contraction direction of the laminated piezoelectric element.
The TAB inner lead bump forming apparatus is characterized in that the die is arranged on the stage so as to face the tip of the punch.
JP2935591A 1991-01-30 1991-01-30 TAB inner lead bump forming device Expired - Lifetime JPH07118496B2 (en)

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JPH04245449A JPH04245449A (en) 1992-09-02
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US6111306A (en) 1993-12-06 2000-08-29 Fujitsu Limited Semiconductor device and method of producing the same and semiconductor device unit and method of producing the same
US5679978A (en) * 1993-12-06 1997-10-21 Fujitsu Limited Semiconductor device having resin gate hole through substrate for resin encapsulation

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