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JPH07118285B2 - Method of manufacturing X-ray image intensifier - Google Patents

Method of manufacturing X-ray image intensifier

Info

Publication number
JPH07118285B2
JPH07118285B2 JP61076463A JP7646386A JPH07118285B2 JP H07118285 B2 JPH07118285 B2 JP H07118285B2 JP 61076463 A JP61076463 A JP 61076463A JP 7646386 A JP7646386 A JP 7646386A JP H07118285 B2 JPH07118285 B2 JP H07118285B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
phosphor screen
photocathode
film
image intensifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61076463A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62234847A (en
Inventor
秀郎 阿武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61076463A priority Critical patent/JPH07118285B2/en
Publication of JPS62234847A publication Critical patent/JPS62234847A/en
Publication of JPH07118285B2 publication Critical patent/JPH07118285B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はX線イメージインテンシファイアのとくに入力
蛍光面の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing an X-ray image intensifier, particularly an input phosphor screen.

(従来の技術) X線イメージインテンシファイアの入力蛍光面は第7図
に示すように、アルミニウムよりなる基板(1)の上
に、沃化セシウムを母体とする蒸着蛍光膜(2)および
(3)が堆積されている。上記蒸着蛍光膜の蒸着源はた
とえば沃化セシウムに沃化ナトリウムを沃化セシウムに
対して約10-1モル%の割合で含有させた付活粒状蛍光体
が用いられている。蒸着膜(2)は3.0×10-1Paのアル
ゴンガス雰囲気中で蒸着を行なうことによって、膜厚20
0μmだけ形成されている。蒸着膜(3)は蒸着膜
(2)の上に1×10-3Pa以下の高真空の下で蒸着を行な
うことによって膜厚10μmだけ形成されている。更に蒸
着膜(3)の表面に、酸素雰囲気中でアルミニウムを蒸
着することにより1000Åの膜厚の絶縁保護膜(4)が形
成されている。このような入力蛍光面はイメージインテ
ンシファイアに組込まれ、例えば250℃で10時間の真空
ベーキング工程を経てマルチアルカリ光電面が形成され
る。光電面の形成は例えば160℃の温度で開始される。
しかして、まずSbを蒸着させ、ガラス管壁に付着した膜
の光透過率をモニターしながら所定の透過率に達した所
で蒸着を停止する。次に光電流を観測しながらカリウム
を導入させ、光電流がピークとなる所で導入を中止す
る。次に再びSbを蒸着し、上記した透過率が所定の値に
達した所で蒸着を停止する。次に光電流をモニターしな
がらナトリウムを導入させ、光電流がピークに達した時
に導入を停止する。次に、光電流を観測しながらSbを蒸
着し、光電流がSb蒸着開始直前の値の約1/2となった所
で蒸着を停止し、次に光電流を観測しながらセシウムを
導入させ、光電流がピーク値を示した時点で導入を中止
する。この最後のSbセシウムの蒸発の工程をセシウム導
入により到達する光電流のピーク値が高くなるまでくり
返し行ない、光電面が得られる。この様にして製造した
X線イメージインテンシファイアにAl半価層値7mmの線
質のX線を入射させ、入力面中心部の単位面積当りの平
均光電流(以下入力感度と呼ぶ)を測定したところ、1
0.5×10-12A/mR・min-1の値を得た。
(Prior Art) The input phosphor screen of the X-ray image intensifier is, as shown in FIG. 7, formed on a substrate (1) made of aluminum, a vapor-deposited phosphor film (2) containing cesium iodide (2) and ( 3) has been deposited. As a vapor deposition source for the vapor deposited fluorescent film, for example, an activated granular phosphor containing cesium iodide and sodium iodide in a ratio of about 10 -1 mol% with respect to cesium iodide is used. The vapor-deposited film (2) has a film thickness of 20 by performing vapor deposition in an argon gas atmosphere of 3.0 × 10 -1 Pa.
Only 0 μm is formed. The vapor-deposited film (3) is formed on the vapor-deposited film (2) to a thickness of 10 μm by performing vapor deposition under a high vacuum of 1 × 10 −3 Pa or less. Further, an insulating protective film (4) having a film thickness of 1000 Å is formed on the surface of the vapor deposition film (3) by vapor deposition of aluminum in an oxygen atmosphere. Such an input phosphor screen is incorporated into an image intensifier, and a multi-alkali photocathode is formed through a vacuum baking process at 250 ° C. for 10 hours. The formation of the photocathode is started at a temperature of 160 ° C., for example.
Then, first, Sb is vapor-deposited, and the vapor deposition is stopped when the predetermined transmissivity is reached while monitoring the light transmissivity of the film attached to the glass tube wall. Next, potassium is introduced while observing the photocurrent, and the introduction is stopped when the photocurrent reaches a peak. Next, Sb is vapor-deposited again, and the vapor deposition is stopped when the above-mentioned transmittance reaches a predetermined value. Next, sodium is introduced while monitoring the photocurrent, and the introduction is stopped when the photocurrent reaches a peak. Next, Sb was vapor-deposited while observing the photocurrent, the vapor deposition was stopped when the photocurrent became about half of the value immediately before the start of Sb vapor deposition, and then cesium was introduced while observing the photocurrent. , The introduction is stopped when the photocurrent shows a peak value. This last step of evaporating Sb cesium is repeated until the peak value of the photocurrent reached by the introduction of cesium becomes high, and a photocathode is obtained. The X-ray image intensifier manufactured in this way is irradiated with X-rays with a quality of Al half-value layer of 7 mm, and the average photocurrent per unit area at the center of the input surface (hereinafter referred to as input sensitivity) is measured. I did, 1
A value of 0.5 × 10 −12 A / mR · min −1 was obtained.

しかし、このようにマルチアルカリ光電面を使用すると
充分高い入力感度が得られるが、蛍光面形成工程が非常
に長い時間を要する欠点がある。上記した例では約8時
間を要した。
However, although a sufficiently high input sensitivity can be obtained by using the multi-alkali photocathode as described above, there is a drawback that the phosphor screen forming process requires a very long time. In the above example, it took about 8 hours.

上記問題点を解決する為にマルチアルカリ光電面に代わ
ってバイアルカリ光電面を形成する方法が知られてい
る。以下、その製法について説明する。
In order to solve the above problems, a method of forming a bialkali photocathode instead of the multialkali photocathode is known. The manufacturing method will be described below.

バイアルカリ光電面はマルチアルカリ光電面に比べて3
桁近く面抵抗値が高い為、第7図に示した入力蛍光面に
代って第8図に示した入力蛍光面を使用する必要があ
る。第8図に示した(1)から(3)は第7図に示すも
のと同一である。(5)は透明導電膜であり、300℃に
保たれた蒸着膜(3)の表面に、酸素雰囲気中でインジ
ウムを蒸着することにより形成した膜厚2000Åの酸化イ
ンジウム膜よりなる。第8図に示される入力蛍光面をイ
メージインテンシファイアに組み込み、250℃で10時間
の真空ベーキング処理を経た後バイアルカリ光電面を形
成した。光電面の形成は110℃の温度で行なった。ま
ず、Sbを蒸発させ、ガラス管壁に付着した膜の光透過率
をモニターしながら所定の透過率に達した所で蒸着を停
止した。次に光電流を観測しながらカリウムを導入させ
光電流がピークとなる所で導入を中止した。次に再びSb
を蒸着し、上記した透過率が所定の値に達した所で蒸着
を停止した。次に光電流をモニターしながらセシウムを
導入し、光電流がピークとなるところで導入を中止し
た。
Bialkali photocathode is 3 compared to multialkali photocathode
Since the surface resistance value is close to the order of magnitude, it is necessary to use the input phosphor screen shown in FIG. 8 instead of the input phosphor screen shown in FIG. (1) to (3) shown in FIG. 8 are the same as those shown in FIG. Reference numeral (5) is a transparent conductive film, which is made of an indium oxide film having a thickness of 2000 liters formed by depositing indium in an oxygen atmosphere on the surface of the deposited film (3) kept at 300 ° C. The input phosphor screen shown in FIG. 8 was incorporated into an image intensifier, which was subjected to a vacuum baking treatment at 250 ° C. for 10 hours to form a bialkali photocathode. The photocathode was formed at a temperature of 110 ° C. First, Sb was evaporated, and vapor deposition was stopped when the predetermined transmittance was reached while monitoring the light transmittance of the film attached to the glass tube wall. Next, potassium was introduced while observing the photocurrent, and the introduction was stopped when the photocurrent reached a peak. Then again Sb
Was evaporated, and the evaporation was stopped when the above-mentioned transmittance reached a predetermined value. Next, cesium was introduced while monitoring the photocurrent, and the introduction was stopped when the photocurrent reached a peak.

光電面蒸着に要した時間はわずか3時間であり、マルチ
アルカリ光電面の形成時間(8時間)に比べて大幅に短
縮された。このようにして製造したX線イメージインテ
ンシファイアの入力感度を測定した所、8.5×10-12A/mR
・min-1の値を得た。しかし、この値は前記したマルチ
アルカリ光電面を使ったX線イメージインテンシファイ
アの入力感度に比べて20%低い値となる欠点がある。
The time required for photocathode vapor deposition was only 3 hours, which was significantly shorter than the formation time (8 hours) of the multi-alkali photocathode. When the input sensitivity of the X-ray image intensifier manufactured in this way was measured, it was 8.5 × 10 -12 A / mR.
・ The value of min -1 was obtained. However, this value is 20% lower than the input sensitivity of the X-ray image intensifier using the multi-alkali photocathode described above.

(発明が解決しようとする問題点) 上記したように、バイアルカリ光電面を使用することに
より光電面形成工程が大幅に短縮されるが、入力感度が
20%程度低くなるという問題点がある。低感度となる原
因の一つはNaで活性化されたCsIの蛍光に対する導電膜
の透過率が90%程度であること、およびバイアルカリ光
電面のNaで活性化されたCsIの蛍光に対する感度がマル
チアルカリ光電面のそれに対して90%程度になっている
為である。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, by using a bialkali photocathode, the photocathode formation process is significantly shortened, but the input sensitivity is
There is a problem that it will be about 20% lower. One of the reasons for the low sensitivity is that the transmittance of the conductive film for the fluorescence of Na-activated CsI is about 90%, and the sensitivity of the bialkali photocathode to the fluorescence of CsI activated by Na is This is because it is about 90% of that of the multi-alkali photocathode.

本発明は、蛍光層に含まれる活性物質が表面に析出する
ことによる光電面の感度の低下を抑制し得るX線イメー
ジインテンシファイアの製造方法を提供することを目的
とする。
It is an object of the present invention to provide a method for producing an X-ray image intensifier capable of suppressing a decrease in sensitivity of a photocathode caused by deposition of an active substance contained in a fluorescent layer on the surface.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は、基板上に微量の活性物質を含む沃化セシウム
の蛍光層を付着させるとともにこの蛍光層上に光電面を
積層して入力蛍光面を形成するX線イメージインテンシ
ファイアの製造方法において、入力蛍光面に対し光電面
を形成する前にスパッタリング処理を施すことを特徴と
するものである。
[Structure of the Invention] (Means for Solving Problems) In the present invention, a fluorescent layer of cesium iodide containing a trace amount of an active substance is attached onto a substrate, and a photocathode is laminated on the fluorescent layer for input. In a method of manufacturing an X-ray image intensifier for forming a phosphor screen, a sputtering process is performed on the input phosphor screen before forming a photocathode.

(作用) 第7図並びに第8図に示した入力蛍光面について、イオ
ンマイクロアナライザー(以下IMAと呼ぶ)により表面
に存在する各種元素の深さ方向の濃度分布を測定した。
第7図の入力蛍光面についてIMA分析した結果を第9図
に示す。第8図の入力蛍光面についてIMA分析した結果
を第10図に示す。第9図および第10図で縦軸は元素のモ
ル数に比例する量であり、横軸は各層のスパッタ率が酸
化インジウムと同一であると仮定して、スパッタリング
時間から見積った深さである。第9図および第10図から
わかるように、どちらの場合も表面から200Å以内の領
域に多量のナトリウム元素の析出量がみられる。また、
酸化インジウム又は酸化アルミニウムの層の直下のCsI
層の約5μmの深さの領域にNaが10-2モル%以下しか含
まれないことも確認された。5μmよりも深いCsI層で
は徐々にNa含有量が増し、約10μmより深くなると添加
量10-1モル%に達した。以上の結果から、表面のCsI蒸
着膜中の約10μm層に含まれるNa元素が表面に析出して
いることが確認された。一方、化学分析によりCsI蒸着
膜中のNa濃度は10-1モル%であった。したがって、表面
のNa析出量は0.4μg/cm2と見積られる。このNa析出量は
ほぼ光電面に含まれるアルカリの付着量に匹敵する量で
ある。イメージインテンシファイアに組込まれる前に、
入力蛍光面が大気にさらされることを考えると、析出し
たNa元素は単体金属としてではなく、水酸物を形成し、
この水酸化物の存在により光電面の感度が低くなると考
えられる。本発明は上記着眼点に鑑み表面のNa析出量が
ない入力蛍光面を提供することにより、その上に形成さ
れる光電面の感度を向上させようとするものである。
(Operation) With respect to the input phosphor screen shown in FIGS. 7 and 8, the concentration distribution of various elements existing on the surface in the depth direction was measured by an ion microanalyzer (hereinafter referred to as IMA).
FIG. 9 shows the result of IMA analysis on the input phosphor screen of FIG. FIG. 10 shows the result of IMA analysis on the input phosphor screen of FIG. 9 and 10, the vertical axis represents the amount proportional to the number of moles of the element, and the horizontal axis represents the depth estimated from the sputtering time assuming that the sputter rate of each layer is the same as that of indium oxide. . As can be seen from FIG. 9 and FIG. 10, in both cases, a large amount of sodium element is deposited in the region within 200 Å from the surface. Also,
CsI directly under the indium oxide or aluminum oxide layer
It was also confirmed that Na contained less than 10 -2 mol% in the region of a depth of about 5 μm. In the CsI layer deeper than 5 μm, the Na content gradually increased, and when it became deeper than about 10 μm, the addition amount reached 10 −1 mol%. From the above results, it was confirmed that the Na element contained in the approximately 10 μm layer in the CsI vapor-deposited film on the surface was deposited on the surface. On the other hand, the chemical analysis revealed that the Na concentration in the CsI deposited film was 10 -1 mol%. Therefore, the amount of Na deposited on the surface is estimated to be 0.4 μg / cm 2 . The amount of Na deposited is almost equal to the amount of alkali contained in the photocathode. Before being incorporated into the image intensifier,
Considering that the input phosphor screen is exposed to the atmosphere, the precipitated Na element forms a hydroxide, not as a simple metal,
It is considered that the presence of this hydroxide reduces the sensitivity of the photocathode. In view of the above point of view, the present invention aims to improve the sensitivity of the photocathode formed on the input phosphor screen by providing an input phosphor screen having no Na deposition amount on the surface.

(実施例) 第8図に示される入力蛍光面を第1図に示す真空装置を
用いて、その表面をスパッタリング処理した。入力蛍光
面(6)と対向電極(7)とはほぼ同一の形状を有し、
間隔を20mmにして対向させて配置してある。入力蛍光面
(6)の表面は透明導電膜(5)で覆われているため、
対向電極(7)との間に入力蛍光面側が陰極側となるよ
うに直流電圧1kvを印加し、真空槽(8)にアルゴンガ
スを0.1Torrの圧力となるように導入することにより、
入力蛍光面(6)と対向電極(7)との間で放電が開始
する、生成したアルゴンイオンによって入力蛍光面表面
はスパッタされる。約3分間スパッタした後、入力蛍光
面を取り出し、IMA分析を行なった。その結果を第2図
に示す、スパッタエッチングを行なう前のIMA分析の結
果(第10図)との相違点は表面のNaの析出層がない点で
ある。第8図に示される入力蛍光面を上記したスパッタ
エッチング処理を施した後、イメージインテンシファイ
アに組込み従来の技術通りの方法でバイアルカリ光電面
を形成させた。このイメージインテンシファイアの入力
感度を測定したところ、10.6×10-12A/mR・min-1の値を
得た。従来に比べて+25%の感度向上が得られた。この
入力感度は、マルチアルカリ光電面を使用した従来のイ
メージインテンシファイアの入力感度に匹敵する値であ
る。
(Example) The surface of the input phosphor screen shown in FIG. 8 was subjected to sputtering treatment using the vacuum apparatus shown in FIG. The input phosphor screen (6) and the counter electrode (7) have almost the same shape,
They are arranged facing each other with a gap of 20 mm. Since the surface of the input phosphor screen (6) is covered with the transparent conductive film (5),
By applying a DC voltage of 1 kv between the counter electrode (7) and the cathode side of the input phosphor screen, and introducing argon gas into the vacuum chamber (8) at a pressure of 0.1 Torr,
The surface of the input fluorescent screen is sputtered by the generated argon ions which start the discharge between the input fluorescent screen (6) and the counter electrode (7). After sputtering for about 3 minutes, the input phosphor screen was taken out and IMA analysis was performed. The result is shown in FIG. 2, which differs from the result of IMA analysis before performing sputter etching (FIG. 10) in that there is no Na precipitation layer on the surface. The input phosphor screen shown in FIG. 8 was subjected to the above-described sputter etching treatment and then incorporated into an image intensifier to form a bialkali photocathode by a method according to the conventional technique. When the input sensitivity of this image intensifier was measured, a value of 10.6 × 10 -12 A / mR · min -1 was obtained. A sensitivity improvement of + 25% was obtained compared to the conventional one. This input sensitivity is comparable to the input sensitivity of a conventional image intensifier using a multi-alkali photocathode.

第7図に示した入力蛍光面を第1図に示される真空装置
と同様の装置を用いて、その表面をスパッタリング処理
した。第7図に示した入力蛍光面の表面は高抵抗の酸化
アルミニウム層(4)でおおわれているため、対向電極
(7)との間に交流電圧1kvを印加させた。約6分間ス
パッタした後、入力蛍光面を取り出しIMA分析を行なっ
た。
The surface of the input phosphor screen shown in FIG. 7 was sputtered by using the same device as the vacuum device shown in FIG. Since the surface of the input phosphor screen shown in FIG. 7 is covered with a high-resistance aluminum oxide layer (4), an AC voltage of 1 kv was applied between it and the counter electrode (7). After sputtering for about 6 minutes, the input fluorescent screen was taken out and IMA analysis was performed.

その結果、前記実施例の結果と同様に、表面のNa分析層
がなくなっていた。
As a result, the Na analysis layer on the surface was lost, similar to the result of the above-mentioned example.

第7図に示した入力蛍光面を上記スパッタエッチング処
理を施したのち、イメージインテンシファイアに組み込
み、従来通りの方法でマルチアルカリ光電面を形成させ
た。このイメージインテンシファイアの入力感度を測定
したところ11.6×10-12A/mR・min-1の値を得、従来に比
べて+10%の感度向上が得られた。
The input phosphor screen shown in FIG. 7 was subjected to the above-described sputter etching treatment, and then incorporated into an image intensifier to form a multi-alkali photocathode by a conventional method. When the input sensitivity of this image intensifier was measured, a value of 11.6 × 10 -12 A / mR · min -1 was obtained, and a sensitivity improvement of + 10% was obtained compared to the conventional one.

第3図に他の実施例を示す。(1)および(2)は第7
図に示すものと同一であり、(3a)は沃化ナトリウムを
10-3モル%しか含まない沃化セシウムを1×10-3Pa以下
の高真空の下で蒸着することにより、膜厚10μmだけ形
成した。沃化セシウムに対する沃化ナトリウムの添加量
と蒸着膜の蛍光強度の関係を第4図に示した。第4図か
らわかるように沃化ナトリウムを10-3モル%しか含まな
い蛍光層(3a)はほとんどX線吸収により蛍光を発しな
い。しかしながら、その膜厚は蛍光層(3)に比べて約
1/10と薄いので、入力蛍光面の蛍光強度としては約3%
程度の低下しかなかった。(5)は酸化インジウムの透
明導電膜である。
FIG. 3 shows another embodiment. (1) and (2) are the 7th
(3a) is the same as shown in the figure, sodium iodide
Cesium iodide containing only 10 −3 mol% was vapor-deposited under a high vacuum of 1 × 10 −3 Pa or less to form a film having a thickness of 10 μm. The relationship between the amount of sodium iodide added to cesium iodide and the fluorescence intensity of the deposited film is shown in FIG. As can be seen from FIG. 4, the fluorescent layer (3a) containing sodium iodide only at 10 −3 mol% hardly emits fluorescence due to X-ray absorption. However, its film thickness is about the same as that of the fluorescent layer (3).
Since it is as thin as 1/10, the fluorescence intensity of the input phosphor screen is about 3%
There was only a slight decrease. (5) is a transparent conductive film of indium oxide.

第3図に示した入力蛍光面をIMA分析した結果を第5図
に示した。表面のNa析出層がなくなっている。また、酸
化インジウム層の下のCsI中も5μmの深さまで分析し
たが、NaはCsIに対して10-2モル%以下しか含まれてい
ない。
The result of IMA analysis of the input phosphor screen shown in FIG. 3 is shown in FIG. There is no Na precipitate layer on the surface. In addition, CsI under the indium oxide layer was also analyzed up to a depth of 5 μm, and Na was contained in an amount of 10 −2 mol% or less with respect to CsI.

第3図に示した入力蛍光面をイメージインテンシファイ
アに組み込んで、従来の方法でバイアルカリ光電面を形
成した。このイメージインテンシファイアの入力感度を
測定したところ、10.4×10-12A/mR・min-1の値を得た。
従来に比べて+22%の感度が向上し、マルチアルカリ光
電面を使用した従来のイメージインテンシファイアの入
力感度に匹敵する値となった。
The input phosphor screen shown in FIG. 3 was incorporated into an image intensifier and a bialkali photocathode was formed by a conventional method. When the input sensitivity of this image intensifier was measured, a value of 10.4 × 10 −12 A / mR · min −1 was obtained.
The sensitivity has increased by + 22% compared to the conventional one, which is comparable to the input sensitivity of the conventional image intensifier that uses a multi-alkali photocathode.

第6図に他の実施例を示す。(1)〜(3a)は第3図に
示すものと同一である。(4)は酸化アルミニウムから
なる絶縁性保護膜である。
FIG. 6 shows another embodiment. (1) to (3a) are the same as those shown in FIG. (4) is an insulating protective film made of aluminum oxide.

第6図に示した入力蛍光面をIMA分析した結果、第5図
と同様、表面のNa析出層がなくなっていると同時に酸化
アルミニウム層の下のCsI中にも5μmの深さまで分析
したが、NaはCsIに対して10-2モル%以下しか含まれな
かった。
As a result of IMA analysis of the input phosphor screen shown in Fig. 6, as in Fig. 5, the Na precipitate layer on the surface disappeared, and at the same time, CsI under the aluminum oxide layer was analyzed to a depth of 5 µm. Na contained less than 10 -2 mol% relative to CsI.

第6図に示した入力蛍光面をイメージインテンシファイ
アに組み込んで従来の方法でマルチアルカリを形成し
た。このイメージインテンシファイアの入力感度を測定
したところ、11.0×10-2A/mR・min-1の値を得、従来に
比べて+5%の感度向上が得られた。
The input phosphor screen shown in FIG. 6 was incorporated into an image intensifier to form a multi-alkali by a conventional method. When the input sensitivity of this image intensifier was measured, a value of 11.0 × 10 -2 A / mR · min -1 was obtained, and a sensitivity improvement of + 5% was obtained compared with the conventional one.

第3図及び第6図に示した入力蛍光面では、(3a)はNa
Iを含まないCsI蒸着膜を使用したが、CsI以外でも比較
的柱状構造を示す蒸着物質を(3a)として使用しても同
様の効果が得られ、このような蒸着物質として沃化カリ
ウム、沃化セシウム等のアルカリハライドが好適であ
る。Naを含まない表面層の膜厚は、沃化セシウムの場合
10μmで充分な効果が得られた。この膜厚値は、通常の
医学診断上必要な値である沃化セシウム蛍光膜の膜厚値
200μm〜500μmに比べてわずかに1/20以下の膜厚に相
当し、蛍光膜の解像特性に及ぼす影響は少ない。
In the input phosphor screen shown in FIGS. 3 and 6, (3a) is Na
Although a CsI vapor deposition film containing no I was used, similar effects can be obtained by using a vapor deposition substance having a relatively columnar structure other than CsI as (3a). Alkali halides such as cesium chloride are preferred. The film thickness of the surface layer that does not contain Na is for cesium iodide.
A sufficient effect was obtained at 10 μm. This film thickness value is a value necessary for normal medical diagnosis, and is the film thickness value of the cesium iodide fluorescent film.
It corresponds to a film thickness of 1/20 or less as compared with 200 μm to 500 μm, and has little influence on the resolution property of the fluorescent film.

第8図に示される従来の入力蛍光面に使用された酸化イ
ンジウム導電膜(5)に代わって、錫を16モル%含有す
る酸化インジウム錫をターゲットとして、酸素雰囲気中
で電子ビーム蒸着により酸化インジウム錫の導電膜を形
成させた。形成中の沃化セシウム蒸着膜の温度は300℃
に保った。
Instead of the indium oxide conductive film (5) used for the conventional input phosphor screen shown in FIG. 8, indium tin oxide containing 16 mol% of tin was used as a target, and indium oxide was deposited by electron beam evaporation in an oxygen atmosphere. A conductive film of tin was formed. The temperature of the deposited cesium iodide film during formation is 300 ° C.
Kept at.

この入力蛍光面をIMA分析した結果、表面のNa析出層の
濃度が従来の1/5程度に減少することが確認された。ま
た、この入力蛍光面を水中に浸すことにより剥離させた
酸化インジウム錫の導電膜を透過電子顕微鏡によりTEM
像を観察した結果、平均微結晶サイズが約500Åであ
り、従来の酸化インジウムの膜について同様の方法で観
測した平均微結晶サイズ約380Åに比べて大きいことが
確認された。
As a result of IMA analysis of this input phosphor screen, it was confirmed that the concentration of Na precipitate layer on the surface was reduced to about 1/5 of the conventional concentration. In addition, the conductive film of indium tin oxide peeled off by immersing this input fluorescent screen in water was examined by TEM using a transmission electron microscope.
As a result of observing the image, it was confirmed that the average crystallite size was about 500Å, which was larger than the average crystallite size of about 380Å observed by the same method for the conventional indium oxide film.

この入力蛍光膜をX線イメージインテンシファイアに組
み込み、従来と同様にバイアルカリ光電面を形成させ
た。このX線イメージインテンシファイアの入力感度を
測定した所、10.2×10-2A/mR・minの値となり、従来に
比べて+20%の感度上昇が得られた。
This input phosphor film was incorporated into an X-ray image intensifier to form a bialkali photocathode as in the conventional case. When the input sensitivity of this X-ray image intensifier was measured, the value was 10.2 × 10 -2 A / mR · min, which was a + 20% increase in sensitivity compared with the conventional one.

Naの析出濃度が低下した原因は、導電膜のNaに対する拡
散係数が小さくなるためと考えられる。酸化インジウム
錫の導電膜を500Å以上とすることにより従来に比べて
+20%以上の感度向上が得られるが、この感度向上の原
因の一部は、Na析出層の濃度を低下させる働きにあるた
めと考えられる。
It is considered that the reason for the decrease in the Na precipitation concentration is that the diffusion coefficient of Na in the conductive film decreases. By making the conductive film of indium tin oxide to be 500 Å or more, a sensitivity improvement of + 20% or more can be obtained compared to the conventional one, but part of the reason for this sensitivity improvement is that it reduces the concentration of the Na precipitation layer. it is conceivable that.

また、上記の結果から第7図に示される従来の入力蛍光
面についても従来の絶縁保護膜よりもNaに対する拡散係
数の小さい、言い代えると結晶サイズの大きい結晶膜を
使用することにより感度の向上が得られる。
Further, from the above results, the sensitivity of the conventional input phosphor screen shown in FIG. 7 is also improved by using a crystal film having a smaller diffusion coefficient for Na than the conventional insulating protective film, in other words, having a larger crystal size. Is obtained.

[発明の効果] 本発明は入力蛍光面の光電面が形成される表面にNa元素
の析出層が実質上なくなる結果、光電面の感度を向上さ
せることができ、特にバイアルカリ光電面を使用した場
合の効果が大きい。
EFFECTS OF THE INVENTION The present invention can improve the sensitivity of the photocathode as a result of substantially eliminating the Na element deposition layer on the surface on which the photocathode of the input phosphor screen is formed. The effect is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の入力蛍光面の製造法の一実施例を示す
図、第2図は本発明の入力蛍光面の一実施例のイオンマ
イクロアナライザーによる表面分析結果を示す図、第3
図は本発明の入力蛍光面の一実施例を示す断面図、第4
図は沃化セシウム蛍光体の輝度と添加した沃化ナトリウ
ムの含有率との関係を示す図、第5図は第3図に示した
本発明の入力蛍光面の実施例のイオンマイクロアナライ
ザーによる分析結果を示す図、第6図は本発明の入力蛍
光面の他の実施例を示す断面図、第7図は従来の入力蛍
光面の一実施例を示す断面図、第8図は従来の入力蛍光
面の他の一実施例を示す断面図、第9図は第7図に示さ
れる従来の入力蛍光面のイオンマイクロアナラザーによ
る表面分析結果を示す図、第10図は第8図に示される従
来の入力蛍光面のイオンマイクロアナラザーによる表面
分析結果を示す図である。 (1)……アルミニウム基板、(2)……蒸着蛍光膜、
(3)……蒸着蛍光膜、(3a)……沃化セシウム蒸着膜
(中間膜)、(4)……酸化アルミニウム膜、(5)…
…酸化インジウム膜、(6)……入力蛍光面、(7)…
…対向電極、(8)……真空槽。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a method for manufacturing an input phosphor screen of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a surface analysis result by an ion microanalyzer of an embodiment of the input phosphor screen of the present invention.
FIG. 4 is a sectional view showing an embodiment of an input phosphor screen of the present invention.
The figure shows the relationship between the brightness of the cesium iodide phosphor and the content of the added sodium iodide. FIG. 5 shows the analysis of the input phosphor screen of the present invention shown in FIG. 3 by the ion microanalyzer. FIG. 6 shows a result, FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the input phosphor screen of the present invention, FIG. 7 is a sectional view showing an embodiment of a conventional input phosphor screen, and FIG. 8 is a conventional input phosphor screen. FIG. 9 is a sectional view showing another embodiment of the phosphor screen, FIG. 9 is a diagram showing the result of surface analysis of the conventional input phosphor screen shown in FIG. 7 by an ion microanalyzer, and FIG. 10 is shown in FIG. It is a figure which shows the surface analysis result by the ion microanalyzer of the conventional input fluorescent surface. (1) …… Aluminum substrate, (2) …… Vapor-deposited fluorescent film,
(3) ... Vapor-deposited fluorescent film, (3a) ... Cesium iodide vapor-deposited film (intermediate film), (4) ... Aluminum oxide film, (5) ...
… Indium oxide film, (6) …… Input phosphor screen, (7)…
... Counter electrode, (8) ... vacuum chamber.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に、微量のナトリウムを活性物質と
して含む沃化セシウムの蛍光体層を付着させるととも
に、該蛍光層上に光電面を積層して入力蛍光面を形成す
るX線イメージインテンシファイアの製造方法におい
て、 上記光電面を形成する前に上記入力蛍光面に対してスパ
ッタエッチング処理を施すことを特徴とするX線イメー
ジインテンシファイアの製造方法。
1. An X-ray image in which a phosphor layer of cesium iodide containing a trace amount of sodium as an active substance is adhered on a substrate and a photocathode is laminated on the phosphor layer to form an input phosphor screen. A method of manufacturing an X-ray image intensifier, which comprises subjecting the input phosphor screen to a sputter etching treatment before forming the photocathode.
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