JPH07117603B2 - ファラデー回転子の反射防止膜 - Google Patents
ファラデー回転子の反射防止膜Info
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- JPH07117603B2 JPH07117603B2 JP1303365A JP30336589A JPH07117603B2 JP H07117603 B2 JPH07117603 B2 JP H07117603B2 JP 1303365 A JP1303365 A JP 1303365A JP 30336589 A JP30336589 A JP 30336589A JP H07117603 B2 JPH07117603 B2 JP H07117603B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光アイソレータ，光サーキュレータ等に用い
られるファラデー回転子の磁性ガーネット厚膜に被覆す
る反射防止膜に関し更に詳しくはビスマス（Bi）置換磁
性ガーネット厚膜の反射防止膜に関する。
られるファラデー回転子の磁性ガーネット厚膜に被覆す
る反射防止膜に関し更に詳しくはビスマス（Bi）置換磁
性ガーネット厚膜の反射防止膜に関する。
半導体レーザを用いる光ファイバ通信や光計測等におい
て、光コネクタなどの光学部品からの反射光が再び半導
体レーザに戻るとレーザ発振が不安定になり、周波数特
性の劣化や雑音発生の原因となる。そこで、光レーザ発
振を安定に行わせるために反射戻り光を遮断すめ光アイ
ソレータが必要であるが、特に、最近の高速伝送用とし
て実用化の進んでいるDFB（分布帰環:Distributed Feed
−Back）型半導体レーザは、単一モード発振であるため
に反射光に対して非常に敏感であり、高性能な光アイソ
レータが要求される。これにはファラデー回転子が好適
で、このファラデー回転子には、従来、FZ（フローティ
ング ゾーン）法によって育成するYIG（Y3Fe5O12）の
バルク単結晶が用いられてきたが、近年、大量生産が可
能で安価なLPE（液相エピタキシー）法によって育成す
るBi置換磁性ガーネット厚膜が注目されている。さら
に、Bi置換磁性ガーネット厚膜はYIGのバルク単結晶に
比べて、ファラデー回転係数が大きいために膜厚を薄く
することが可能で光アイソレータを小型化することがで
き、且つ価格低下もできる。Bi置換磁性ガーネット厚膜
は、Gd系、YbTb系共にフラックス成分としてPbO−Bi2O3
−B2O3を用い、基板には（GdCa）３（GaMgZr）5O12を用
いてLPE法により、（GdBi）３（FeAlGa）5O12、または
（YbTbBi）3Fe5O12の約500μｍの単結晶膜を育成したの
ち、両面を光学研磨により、ファラデー回転角が45度に
なるような膜厚にされる。さらに、このBi置換磁性ガー
ネット厚膜には、半導体レーザの反射戻り光を遮断する
ための反射防止膜を施す必要があるが、従来は単層のSi
O2膜が用いられている。この反射率が理論上ゼロになる
単層反射防止膜の屈折率は基板の屈折率の平方根で与え
られるが、基板であるBi置換磁性ガーネット厚膜とし
て、もっぱら使用されている（GdBi）（FeAlGa）5O12お
よび（YbTbBi）3Fe5O12のレーザ波長1.31μｍと1.55μ
ｍに対応する屈折率（ｎ）は前者では2.25,2.22、後者
では2.35,2.34である。従って反射防止膜の、屈折率と
しては前者では1.50、後者では1.53が要求される。これ
に対してSiO2膜ではレーザー波長が1.31μｍに対してｎ
＝1.45,1.55μｍに対してｎ＝1.44であり、要求される
ものより小であるが、（GdBi）３（FeAlGa）5O12の厚膜
に被覆した場合、各波長に対する反射率の理論値は0.11
5％と0.116％であり、（YbTbBi）3Fe5O12の場合は0.309
％と0.364％である。前記したDFB型半導体レーザに用い
る光アイソレーターにおいては、この反射防止膜の反射
率が0.1％以下であることが求められており、且つ地下
通信回線や海底通信回線等に用いられるので高温高湿度
に対する耐久性もあわせて要求されている。
て、光コネクタなどの光学部品からの反射光が再び半導
体レーザに戻るとレーザ発振が不安定になり、周波数特
性の劣化や雑音発生の原因となる。そこで、光レーザ発
振を安定に行わせるために反射戻り光を遮断すめ光アイ
ソレータが必要であるが、特に、最近の高速伝送用とし
て実用化の進んでいるDFB（分布帰環:Distributed Feed
−Back）型半導体レーザは、単一モード発振であるため
に反射光に対して非常に敏感であり、高性能な光アイソ
レータが要求される。これにはファラデー回転子が好適
で、このファラデー回転子には、従来、FZ（フローティ
ング ゾーン）法によって育成するYIG（Y3Fe5O12）の
バルク単結晶が用いられてきたが、近年、大量生産が可
能で安価なLPE（液相エピタキシー）法によって育成す
るBi置換磁性ガーネット厚膜が注目されている。さら
に、Bi置換磁性ガーネット厚膜はYIGのバルク単結晶に
比べて、ファラデー回転係数が大きいために膜厚を薄く
することが可能で光アイソレータを小型化することがで
き、且つ価格低下もできる。Bi置換磁性ガーネット厚膜
は、Gd系、YbTb系共にフラックス成分としてPbO−Bi2O3
−B2O3を用い、基板には（GdCa）３（GaMgZr）5O12を用
いてLPE法により、（GdBi）３（FeAlGa）5O12、または
（YbTbBi）3Fe5O12の約500μｍの単結晶膜を育成したの
ち、両面を光学研磨により、ファラデー回転角が45度に
なるような膜厚にされる。さらに、このBi置換磁性ガー
ネット厚膜には、半導体レーザの反射戻り光を遮断する
ための反射防止膜を施す必要があるが、従来は単層のSi
O2膜が用いられている。この反射率が理論上ゼロになる
単層反射防止膜の屈折率は基板の屈折率の平方根で与え
られるが、基板であるBi置換磁性ガーネット厚膜とし
て、もっぱら使用されている（GdBi）（FeAlGa）5O12お
よび（YbTbBi）3Fe5O12のレーザ波長1.31μｍと1.55μ
ｍに対応する屈折率（ｎ）は前者では2.25,2.22、後者
では2.35,2.34である。従って反射防止膜の、屈折率と
しては前者では1.50、後者では1.53が要求される。これ
に対してSiO2膜ではレーザー波長が1.31μｍに対してｎ
＝1.45,1.55μｍに対してｎ＝1.44であり、要求される
ものより小であるが、（GdBi）３（FeAlGa）5O12の厚膜
に被覆した場合、各波長に対する反射率の理論値は0.11
5％と0.116％であり、（YbTbBi）3Fe5O12の場合は0.309
％と0.364％である。前記したDFB型半導体レーザに用い
る光アイソレーターにおいては、この反射防止膜の反射
率が0.1％以下であることが求められており、且つ地下
通信回線や海底通信回線等に用いられるので高温高湿度
に対する耐久性もあわせて要求されている。
しかしながら、現在用いられている電子ビーム蒸着法に
よるSiO2膜では未だ不十分である。
よるSiO2膜では未だ不十分である。
上記問題点を解決するために、本発明の目的は反射率が
0.1％以下で、高温高湿度下での耐久性も優秀なファラ
デー回転子のBi置換磁性ガーネット厚膜の反射防止膜を
提供することにある。
0.1％以下で、高温高湿度下での耐久性も優秀なファラ
デー回転子のBi置換磁性ガーネット厚膜の反射防止膜を
提供することにある。
すなわち、本発明は、 ビスマス置換磁性ガーネット厚膜から成るファラデー回
転子の反射防止膜を前提とし、 上記ビスマス置換磁性ガーネット厚膜の表面に設けられ
る反射防止膜が、 蒸着法により順次成膜された屈折率nAでその光学的膜厚
がnAdAの第１層膜と、屈折率nBでその光学的膜厚がnBdB
の第２層膜及び屈折率nAでその光学的膜厚がnAdAの第３
層膜から成りその屈折率がnEである３層等価膜（但し、
nA＜nE＜nBであり、dAは第１層膜と第３層膜の物理的膜
厚、dBは第２層膜の物理的膜厚を示す）にて構成され、 かつ、上記第１層膜と第３層膜を構成する材料がSiO2で
あり、第２層膜を構成する材料がAl2O3、ZrO2、TiO2、T
a2O5、HfO2及びY2O3の中から選ばれたいずれかの１種で
あると共に、 nA、nB及びnEが下記数式（１）〜（３）を具備すること
を特徴とする。
転子の反射防止膜を前提とし、 上記ビスマス置換磁性ガーネット厚膜の表面に設けられ
る反射防止膜が、 蒸着法により順次成膜された屈折率nAでその光学的膜厚
がnAdAの第１層膜と、屈折率nBでその光学的膜厚がnBdB
の第２層膜及び屈折率nAでその光学的膜厚がnAdAの第３
層膜から成りその屈折率がnEである３層等価膜（但し、
nA＜nE＜nBであり、dAは第１層膜と第３層膜の物理的膜
厚、dBは第２層膜の物理的膜厚を示す）にて構成され、 かつ、上記第１層膜と第３層膜を構成する材料がSiO2で
あり、第２層膜を構成する材料がAl2O3、ZrO2、TiO2、T
a2O5、HfO2及びY2O3の中から選ばれたいずれかの１種で
あると共に、 nA、nB及びnEが下記数式（１）〜（３）を具備すること
を特徴とする。
（但し、nAdA/λ＝δA/2π、nBdB/λ＝δB/2πであり、
かつ、λはレーザ光の使用波長を示す。） 〔作 用〕 本発明にて使用することのできるBi置換磁性ガーネット
厚膜はGd系やYbTb系等があげられ、例えば（GdBi）
３（FeAlGa）5O12や（YbTbBi）3Fe5O12等が好適であ
る。これらは（GdCa）３（GaMgZr）5O12を基板に用いて
LPE法でPbO−Bi2O3−B2O3をフラックスとして約500μｍ
の単結晶を育成し、両面を光学研磨して、ファラデー回
転角が45度になるようにしたものであればよい。
かつ、λはレーザ光の使用波長を示す。） 〔作 用〕 本発明にて使用することのできるBi置換磁性ガーネット
厚膜はGd系やYbTb系等があげられ、例えば（GdBi）
３（FeAlGa）5O12や（YbTbBi）3Fe5O12等が好適であ
る。これらは（GdCa）３（GaMgZr）5O12を基板に用いて
LPE法でPbO−Bi2O3−B2O3をフラックスとして約500μｍ
の単結晶を育成し、両面を光学研磨して、ファラデー回
転角が45度になるようにしたものであればよい。
該３層等価膜は「Thin−film optical filters 2nd ed
n」（H.A.Macleod,Bristol Adam Hilger Ltd p.118〜12
2,1986）に述べられているように、２種類の屈折率が異
なる膜ＡおよびＢを用いて、Ａ−Ｂ−Ａ又はＢ−Ａ−Ｂ
なる３層よりなる膜を形成しＡおよびＢの中間的屈折率
を有する膜となすものである。すなわち、低屈折率膜Ａ
の屈折率をnA、高屈折率膜Ｂの屈折率をnBとし必要とす
る屈折率をnEとする。但し、得られる３層等価膜はＡ−
Ｂ−Ａなる構造を有し、nA＜nE＜nBである。１層目と３
層目の光学的膜厚nAdAと２層目のnBdBは下記数式（１）
〜（３）で示すことができる。
n」（H.A.Macleod,Bristol Adam Hilger Ltd p.118〜12
2,1986）に述べられているように、２種類の屈折率が異
なる膜ＡおよびＢを用いて、Ａ−Ｂ−Ａ又はＢ−Ａ−Ｂ
なる３層よりなる膜を形成しＡおよびＢの中間的屈折率
を有する膜となすものである。すなわち、低屈折率膜Ａ
の屈折率をnA、高屈折率膜Ｂの屈折率をnBとし必要とす
る屈折率をnEとする。但し、得られる３層等価膜はＡ−
Ｂ−Ａなる構造を有し、nA＜nE＜nBである。１層目と３
層目の光学的膜厚nAdAと２層目のnBdBは下記数式（１）
〜（３）で示すことができる。
（但し、nAdA/λ＝δA/2π、nBdB/λ＝δB/2πであり、
かつ、λはレーザ光の使用波長を示す。） 本発明では、SiO2で構成される第１層膜並びに第３層膜
と、Al2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5、HfO2、Y2O3の中から選
ばれた１種にて構成される第２層膜との組み合わせによ
る３層等価膜が適当であるが、上記ビスマス置換磁性ガ
ーネット厚膜の表面との親和性や耐高温高湿度性の点
で、第１層膜、第２層膜、第３層膜がSiO2−Al2O3−SiO
2の順で構成される３層等価膜が望ましい。
かつ、λはレーザ光の使用波長を示す。） 本発明では、SiO2で構成される第１層膜並びに第３層膜
と、Al2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5、HfO2、Y2O3の中から選
ばれた１種にて構成される第２層膜との組み合わせによ
る３層等価膜が適当であるが、上記ビスマス置換磁性ガ
ーネット厚膜の表面との親和性や耐高温高湿度性の点
で、第１層膜、第２層膜、第３層膜がSiO2−Al2O3−SiO
2の順で構成される３層等価膜が望ましい。
本発明の３層等価膜は蒸着法で成膜することが重要であ
るが、特にイオンアシスト蒸着法が好適である。該イオ
ンアシスト蒸着法は、真空蒸着中の低エネルギーイオン
ビームを蒸着前または蒸着中に基板に照射する方法であ
り、基板表面の清浄化、薄膜付着力の向上、充填密度の
向上等に有効である。
るが、特にイオンアシスト蒸着法が好適である。該イオ
ンアシスト蒸着法は、真空蒸着中の低エネルギーイオン
ビームを蒸着前または蒸着中に基板に照射する方法であ
り、基板表面の清浄化、薄膜付着力の向上、充填密度の
向上等に有効である。
〔実施例−１〕 エピタキシャル基板として２インチの（GdCa）３（GaMg
Zr）5O12のウェハーと、フラックス成分としてPbO−Bi2
O3−B2O3とを用いてLPE法によりBi置換磁性ガーネット
厚膜（GdBi）３（FeAlGa）5O12および（YbTbBi）3Fe5O
12をそれぞれ約500μｍの厚さに育成した。エピタキシ
ャル基板とBi置換磁性ガーネット厚膜の界面における反
射損失を除くためにエピタキシャル基板を削除したの
ち、両面を光学研磨によりファラデー回転角が45度とな
るような膜厚にした。これらのBi置換磁性ガーネット厚
膜を洗剤，有機洗剤等を用いて超音波洗浄を行った。次
にSiO2とAl2O3蒸着材料をそれぞれハースに入れイオン
アシスト蒸着装置に設置し、準備したBi置換磁性ガーネ
ット厚膜をセットした後、300℃に加熱しながら、３×1
0-6torrまで排気した。Al2O3の蒸着時には、酸素ガスを
１×10-4torrまで導入した。イオン化ガスには酸素また
はアルゴンまたは酸素とアルゴンの混合ガスを用いた。
第１表に示すようにレーザー光の使用波長1.31μｍと1.
55μｍに対応した３層等価膜のそれぞれの光学的膜厚に
合せるように光学的干渉モニターにより各層の膜厚を制
御しSiO2−Al2O3−SiO2からなる膜を作成した。得られ
た反射防止膜のそれぞれの波長における反射率を測定し
たところ、第１表に示すようにいずれの膜でも0.04〜0.
06％と極めて低い結果であった。
Zr）5O12のウェハーと、フラックス成分としてPbO−Bi2
O3−B2O3とを用いてLPE法によりBi置換磁性ガーネット
厚膜（GdBi）３（FeAlGa）5O12および（YbTbBi）3Fe5O
12をそれぞれ約500μｍの厚さに育成した。エピタキシ
ャル基板とBi置換磁性ガーネット厚膜の界面における反
射損失を除くためにエピタキシャル基板を削除したの
ち、両面を光学研磨によりファラデー回転角が45度とな
るような膜厚にした。これらのBi置換磁性ガーネット厚
膜を洗剤，有機洗剤等を用いて超音波洗浄を行った。次
にSiO2とAl2O3蒸着材料をそれぞれハースに入れイオン
アシスト蒸着装置に設置し、準備したBi置換磁性ガーネ
ット厚膜をセットした後、300℃に加熱しながら、３×1
0-6torrまで排気した。Al2O3の蒸着時には、酸素ガスを
１×10-4torrまで導入した。イオン化ガスには酸素また
はアルゴンまたは酸素とアルゴンの混合ガスを用いた。
第１表に示すようにレーザー光の使用波長1.31μｍと1.
55μｍに対応した３層等価膜のそれぞれの光学的膜厚に
合せるように光学的干渉モニターにより各層の膜厚を制
御しSiO2−Al2O3−SiO2からなる膜を作成した。得られ
た反射防止膜のそれぞれの波長における反射率を測定し
たところ、第１表に示すようにいずれの膜でも0.04〜0.
06％と極めて低い結果であった。
〔実施例−２〕 実施例−１で得られた本発明の反射防止膜と、従来の通
常の電子ビーム蒸着法によるSiO2単層の反射防止膜およ
びイオンアシスト法で得られるSiO2単層の反射防止膜を
準備し、温度85℃，湿度85％の条件下に放置して反射防
止膜の耐久性を測定した。150時間まで放置し、反射防
止膜の中心波長からの移動量を測定した。中心波長は1.
31μｍを用いた。この結果を第１図に示す。
常の電子ビーム蒸着法によるSiO2単層の反射防止膜およ
びイオンアシスト法で得られるSiO2単層の反射防止膜を
準備し、温度85℃，湿度85％の条件下に放置して反射防
止膜の耐久性を測定した。150時間まで放置し、反射防
止膜の中心波長からの移動量を測定した。中心波長は1.
31μｍを用いた。この結果を第１図に示す。
第１図によれば、本発明のSiO2−Al2O3−SiO反射膜はイ
オンアシスト法によるSiO2単層膜と同一の性能を有する
ことが分る。
オンアシスト法によるSiO2単層膜と同一の性能を有する
ことが分る。
本発明の反射防止膜は反射率が0.1％以下と低く、かつ
高温高湿度下における耐久性も優れており、その効果は
大である。
高温高湿度下における耐久性も優れており、その効果は
大である。
【図面の簡単な説明】 第１図は高温高湿度下での反射防止膜の耐久性を示すグ
ラフである。
ラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】ビスマス置換磁性ガーネット厚膜から成る
ファラデー回転子の反射防止膜において、 上記ビスマス置換磁性ガーネット厚膜の表面に設けられ
る反射防止膜が、 蒸着法により順次成膜された屈折率nAでその光学的膜厚
がnAdAの第１層膜と、屈折率nBでその光学的膜厚がnBdB
の第２層膜及び屈折率nAでその光学的膜厚がnAdAの第３
層膜から成りその屈折率がnEである３層等価膜（但し、
nA＜nE＜nBであり、dAは第１層膜と第３層膜の物理的膜
厚、dBは第２層膜の物理的膜厚を示す）にて構成され、 かつ、上記第１層膜と第３層膜を構成する材料がSiO2で
あり、第２層膜を構成する材料がAl2O3、ZrO2、TiO2、T
a2O5、HfO2及びY2O3の中から選ばれたいずれかの１種で
あると共に、 nA、nB及びnEが下記数式（１）〜（３）を具備すること
を特徴とするファラデー回転子の反射防止膜。 （但し、nAdA/λ＝δA/2π、nBdB/λ＝δB/2πであり、
かつ、λはレーザ光の使用波長を示す。） - 【請求項２】上記蒸着法がイオンアシスト蒸着法である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のファラデ
ー回転子の反射防止膜。 - 【請求項３】上記ビスマス置換磁性ガーネットが（GdB
i）３（FeAlGa）5O12であり、かつ、このビスマス置換
磁性ガーネット膜厚の表面に設けられる上記反射防止膜
が、屈折率1.45でその光学的膜厚が0.388のSiO2から成
る第１層膜と、屈折率1.60でその光学的膜厚が0.223のA
l2O3から成る第２層膜及び屈折率1.45でその光学的膜厚
が0.388のSiO2から成る第３層膜にて構成（但し、必要
とする単層反射防止膜の光学的膜厚nd＝λ/4を1.00と
し、ｎ＝1.50、λ＝1.31μｍとする）されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のファラデー回転子の
反射防止膜。 - 【請求項４】上記ビスマス置換磁性ガーネットが（GdB
i）３（FeAlGa）5O12であり、かつ、このビスマス置換
磁性ガーネット膜厚の表面に設けられる上記反射防止膜
が、屈折率1.44でその光学的膜厚が0.388のSiO2から成
る第１層膜と、屈折率1.59でその光学的膜厚が0.223のA
l2O3から成る第２層膜及び屈折率1.44でその光学的膜厚
が0.388のSiO2から成る第３層膜にて構成（但し、必要
とする単層反射防止膜の光学的膜厚nd＝λ/4を1.00と
し、ｎ＝1.49、λ＝1.55μｍとする）されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のファラデー回転子の
反射防止膜。 - 【請求項５】上記ビスマス置換磁性ガーネットが（YbTb
Bi）3Fe5O12であり、かつ、このビスマス置換磁性ガー
ネット膜厚の表面に設けられる上記反射防止膜が、屈折
率1.45でその光学的膜厚が0.308のSiO2から成る第１層
膜と、屈折率1.60でその光学的膜厚が0.382のAl2O3から
成る第２層膜及び屈折率1.45でその光学的膜厚が0.308
のSiO2から成る第３層膜にて構成（但し、必要とする単
層反射防止膜の光学的膜厚nd＝λ/4を1.00とし、ｎ＝1.
53、λ＝1.31μｍとする）されることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のファラデー回転子の反射防止
膜。 - 【請求項６】上記ビスマス置換磁性ガーネットが（YbTb
Bi）3Fe5O12であり、かつ、このビスマス置換磁性ガー
ネット膜厚の表面に設けられる上記反射防止膜が、屈折
率1.44でその光学的膜厚が0.291のSiO2から成る第１層
膜と、屈折率1.59でその光学的膜厚が0.417のAl2O3から
成る第２層膜及び屈折率1.44でその光学的膜厚が0.291
のSiO2から成る第３層膜にて構成（但し、必要とする単
層反射防止膜の光学的膜厚nd＝λ/4を1.00とし、ｎ＝1.
53、λ＝1.55μｍとする）されることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のファラデー回転子の反射防止
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303365A JPH07117603B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | ファラデー回転子の反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303365A JPH07117603B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | ファラデー回転子の反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230701A JPH04230701A (ja) | 1992-08-19 |
| JPH07117603B2 true JPH07117603B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17920115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1303365A Expired - Fee Related JPH07117603B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | ファラデー回転子の反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117603B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013083871A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Tamron Co Ltd | 反射防止膜及び反射防止膜の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09265003A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ファラデー回転子用反射防止膜および光アイソレーター |
| US6853473B2 (en) | 2002-01-24 | 2005-02-08 | Tdk Corporation | Faraday rotator and optical device comprising the same, and antireflection film and optical device comprising the same |
| CN113093315A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-07-09 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 抗反射复合膜及其制备方法 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1303365A patent/JPH07117603B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013083871A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Tamron Co Ltd | 反射防止膜及び反射防止膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04230701A (ja) | 1992-08-19 |
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