JPH07116610B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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- JPH07116610B2 JPH07116610B2 JP32182187A JP32182187A JPH07116610B2 JP H07116610 B2 JPH07116610 B2 JP H07116610B2 JP 32182187 A JP32182187 A JP 32182187A JP 32182187 A JP32182187 A JP 32182187A JP H07116610 B2 JPH07116610 B2 JP H07116610B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 気相成長法によってウエーハの表面に絶縁膜等を形成す
る熱処理装置に関し、 ウエーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、薄膜形成面に塵埃が付着することの無い装置の
提供を目的とし、 気相成長法によってウエーハの表面に薄膜を形成する縦
型の熱処理装置において、基板ホルダ６によって保持さ
れた被処理ウエーハ５の、上方に配置された加熱部７と
下方に配置されたガス出入部８を有し、空間を介し対向
する加熱部７で間接的にウエーハ５を加熱し、且つガス
出入部８からシャワー状に噴出される反応ガスを、ウエ
ーハ５の下面に吹き付け薄膜を形成するように構成す
る。
る熱処理装置に関し、 ウエーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、薄膜形成面に塵埃が付着することの無い装置の
提供を目的とし、 気相成長法によってウエーハの表面に薄膜を形成する縦
型の熱処理装置において、基板ホルダ６によって保持さ
れた被処理ウエーハ５の、上方に配置された加熱部７と
下方に配置されたガス出入部８を有し、空間を介し対向
する加熱部７で間接的にウエーハ５を加熱し、且つガス
出入部８からシャワー状に噴出される反応ガスを、ウエ
ーハ５の下面に吹き付け薄膜を形成するように構成す
る。
本発明は気相成長法によってウエーハの表面に絶縁膜等
を形成する縦型の熱処理装置に係り、特にウエーハの下
面に薄膜を形成することを可能にした装置に関する。
を形成する縦型の熱処理装置に係り、特にウエーハの下
面に薄膜を形成することを可能にした装置に関する。
気相成長法では通常被処理ウエーハの一方の面が加熱さ
れ、他の面には反応ガスがシャワー状に吹き付けられて
いて、反応ガスが吹き付けられた側のウエーハの面に絶
縁膜等の薄膜が形成される。
れ、他の面には反応ガスがシャワー状に吹き付けられて
いて、反応ガスが吹き付けられた側のウエーハの面に絶
縁膜等の薄膜が形成される。
しかし縦型の熱処理装置において被処理ウエーハの下面
を加熱し、上面に薄膜が形成されるように熱処理装置を
構成すると、熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着し薄膜
の特性を劣化させる場合がある。そこで薄膜形成面に塵
埃が付着することの無い熱処理装置の実現が要望されて
いる。
を加熱し、上面に薄膜が形成されるように熱処理装置を
構成すると、熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着し薄膜
の特性を劣化させる場合がある。そこで薄膜形成面に塵
埃が付着することの無い熱処理装置の実現が要望されて
いる。
第３図は従来の熱処理装置を示す側断面図で、第３図
（ａ）はフェイスダウン方式の装置、第３図（ｂ）はフ
ェイスアップ方式の装置である。なお矢印はガスの流れ
を示す。
（ａ）はフェイスダウン方式の装置、第３図（ｂ）はフ
ェイスアップ方式の装置である。なお矢印はガスの流れ
を示す。
第３図（ａ）に示すフェイスダウン方式の熱処理装置
は、反応室１の上方に配置されたヒータ２と下方に配置
されたガス噴射口３を有し、基板ホルダ４によって保持
された被処理ウエーハ５は、上面が直接ヒータ２に当接
していて均一に加熱される。
は、反応室１の上方に配置されたヒータ２と下方に配置
されたガス噴射口３を有し、基板ホルダ４によって保持
された被処理ウエーハ５は、上面が直接ヒータ２に当接
していて均一に加熱される。
一方ガス噴射口３は多数個の小孔31を具えており小孔31
からシャワー状に噴出された反応ガスは、ウエーハ５の
下面に吹き付けられた後反応室１の底に設けられた排出
口11から排出される。反応ガスにはソースが含まれてお
りウエーハ５の下面に絶縁膜等の薄膜が形成される。
からシャワー状に噴出された反応ガスは、ウエーハ５の
下面に吹き付けられた後反応室１の底に設けられた排出
口11から排出される。反応ガスにはソースが含まれてお
りウエーハ５の下面に絶縁膜等の薄膜が形成される。
このように構成されたフェイスダウン方式の熱処理装置
は、薄膜形成面への塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜
が形成されるが、ヒータに当接しているウエーハの保持
やハンドリングが困難で作業効率が低いため、一般に次
に示すフェイスアップ方式の熱処理装置が用いられてい
る。
は、薄膜形成面への塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜
が形成されるが、ヒータに当接しているウエーハの保持
やハンドリングが困難で作業効率が低いため、一般に次
に示すフェイスアップ方式の熱処理装置が用いられてい
る。
第３図（ｂ）に示すフェイスアップ方式の熱処理装置
は、反応室１の下方に配置されたヒータ２と上方に配置
されたガス噴射口３を有し、ヒータ２に載置された被処
理ウエーハ５の下面は直接ヒータ２に当接していて均一
に加熱される。
は、反応室１の下方に配置されたヒータ２と上方に配置
されたガス噴射口３を有し、ヒータ２に載置された被処
理ウエーハ５の下面は直接ヒータ２に当接していて均一
に加熱される。
ガス噴射口３の小孔31からシャワー状に噴出された反応
ガスは、ウエーハ５の上面に吹き付けられ後反応室１の
底に設けられた排出口11から排出される。反応ガスには
ソースが含まれておりウエーハ５の上面に絶縁膜等の薄
膜が形成される。
ガスは、ウエーハ５の上面に吹き付けられ後反応室１の
底に設けられた排出口11から排出される。反応ガスには
ソースが含まれておりウエーハ５の上面に絶縁膜等の薄
膜が形成される。
フェイスアップ方式の熱処理装置は比較的容易にウエー
ハをハンドリングできるが、熱処理中はウエーハの薄膜
形成面が上向きになっていて塵埃が蓄積しやすく、形成
された薄膜の特性を劣化させるという問題があった。
ハをハンドリングできるが、熱処理中はウエーハの薄膜
形成面が上向きになっていて塵埃が蓄積しやすく、形成
された薄膜の特性を劣化させるという問題があった。
第１図は本発明になる熱処理装置の原理を示す側断面図
である。なお全図を通し同じ対称物は同一記号で表して
いる。
である。なお全図を通し同じ対称物は同一記号で表して
いる。
ウエーハを上方から加熱し下方から反応ガスを吹き付け
るフェイスダウン方式の熱処理装置は、薄膜形成面への
塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜が形成されること
が、従来のフェイスダウン方式の熱処理装置において十
分実証されている。したがってウエーハの保持やハンド
リング等を改良することにより、作業効率が高く熱処理
中に薄膜形成面に塵埃が付着しない装置を実現すること
が可能である。
るフェイスダウン方式の熱処理装置は、薄膜形成面への
塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜が形成されること
が、従来のフェイスダウン方式の熱処理装置において十
分実証されている。したがってウエーハの保持やハンド
リング等を改良することにより、作業効率が高く熱処理
中に薄膜形成面に塵埃が付着しない装置を実現すること
が可能である。
本発明になる熱処理装置はかかる点に着眼してなされた
もので、上記問題点は気相成長法によってウエーハの表
面に薄膜を形成する縦型の熱処理装置において、基板ホ
ルダ６によって保持された被処理ウエーハ５の、上方に
配置された加熱部７と下方に配置されたガス出入部８を
有し、空間を介し対向する加熱部７で間接的にウエーハ
５を加熱し、且つガス出入部８からシャワー状に噴出さ
れる反応ガスを、ウエーハ５の下面に吹き付け薄膜を形
成する本発明の熱処理装置によって解決される。
もので、上記問題点は気相成長法によってウエーハの表
面に薄膜を形成する縦型の熱処理装置において、基板ホ
ルダ６によって保持された被処理ウエーハ５の、上方に
配置された加熱部７と下方に配置されたガス出入部８を
有し、空間を介し対向する加熱部７で間接的にウエーハ
５を加熱し、且つガス出入部８からシャワー状に噴出さ
れる反応ガスを、ウエーハ５の下面に吹き付け薄膜を形
成する本発明の熱処理装置によって解決される。
第１図において上方に設けられ空間を介し対向する加熱
部で、基板ホルダに保持された被処理ウエーハを間接的
に加熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシ
ャワー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウエーハの
下面に薄膜が形成されるように構成することによって、
ウエーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着する
ことの無い熱処理装置を実現することができる。
部で、基板ホルダに保持された被処理ウエーハを間接的
に加熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシ
ャワー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウエーハの
下面に薄膜が形成されるように構成することによって、
ウエーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着する
ことの無い熱処理装置を実現することができる。
以下添付図面により本発明の実施例について説明する。
なお第２図は本発明の一実施例を示す側断面図で矢印は
ガスの流れを示す。
なお第２図は本発明の一実施例を示す側断面図で矢印は
ガスの流れを示す。
第１図において基板ホルダ６によって保持された被処理
ウエーハ５の、上方に配置された加熱部７と下方に配置
されたガス出入部８を有し、空間を介し対向する加熱部
７で間接的にウエーハ５を加熱し、且つガス出入部８か
らシャワー状に噴出される反応ガスを、ウエーハ５の下
面に吹き付け薄膜を形成するように熱処理装置を構成し
ている。
ウエーハ５の、上方に配置された加熱部７と下方に配置
されたガス出入部８を有し、空間を介し対向する加熱部
７で間接的にウエーハ５を加熱し、且つガス出入部８か
らシャワー状に噴出される反応ガスを、ウエーハ５の下
面に吹き付け薄膜を形成するように熱処理装置を構成し
ている。
ウエーハを加熱部に当接せしめ直接加熱すると全体が均
一に加熱されるが、空間を介し対向する加熱部でウエー
ハを間接的に加熱すると、加熱部の各部分において発生
される熱のばらつきや外部温度の影響、ガスの流れの不
均一性等によって、ウエーハに温度差が発生し薄膜の膜
厚がばらつく場合がある。そこで本発明になる熱処理装
置では次の対策が講じられている。
一に加熱されるが、空間を介し対向する加熱部でウエー
ハを間接的に加熱すると、加熱部の各部分において発生
される熱のばらつきや外部温度の影響、ガスの流れの不
均一性等によって、ウエーハに温度差が発生し薄膜の膜
厚がばらつく場合がある。そこで本発明になる熱処理装
置では次の対策が講じられている。
即ち加熱部７をヒータ２と熱反射板71とで構成し、且つ
反応室１を形成するチャンバ12の側壁に沿って熱反射板
72を設けることによって、ヒータ２で発生した熱を熱反
射板71と熱反射板72とで形成される空間に閉じ込めてい
る。
反応室１を形成するチャンバ12の側壁に沿って熱反射板
72を設けることによって、ヒータ２で発生した熱を熱反
射板71と熱反射板72とで形成される空間に閉じ込めてい
る。
またチャンバ12の上面と側壁に設けられたガス導入口13
から反応室１に不活性ガスが導入され、加熱部７と基板
ホルダ６によって保持された被処理ウエーハ５の外側
に、外部温度の影響を遮断する不活性ガスからなる断熱
壁が形成されている。
から反応室１に不活性ガスが導入され、加熱部７と基板
ホルダ６によって保持された被処理ウエーハ５の外側
に、外部温度の影響を遮断する不活性ガスからなる断熱
壁が形成されている。
更にガス噴射口３とその周囲に設けられたガス排出部81
とでガス出入部８を構成し、ガス噴射口３に設けられた
多数個の小孔31から反応ガスを噴出すると共に、ガス排
出部81に設けられた多数個の吸込孔82から反応ガスや不
活性ガスを一様に排出している。
とでガス出入部８を構成し、ガス噴射口３に設けられた
多数個の小孔31から反応ガスを噴出すると共に、ガス排
出部81に設けられた多数個の吸込孔82から反応ガスや不
活性ガスを一様に排出している。
このように熱反射板を設けて熱をその内部に閉じ込める
と共に、その周囲に不活性ガスからなる断熱壁を形成し
て外部温度の影響を遮断し、且つガスがよどむことなく
ウエーハの周囲を一様に流れるように構成することによ
って、空間を介し対向する加熱部でウエーハを間接的に
加熱しても、ウエーハを均一に加熱することが可能にな
り薄膜の膜厚を均一化することができる。
と共に、その周囲に不活性ガスからなる断熱壁を形成し
て外部温度の影響を遮断し、且つガスがよどむことなく
ウエーハの周囲を一様に流れるように構成することによ
って、空間を介し対向する加熱部でウエーハを間接的に
加熱しても、ウエーハを均一に加熱することが可能にな
り薄膜の膜厚を均一化することができる。
第２図は上記原理に基づいて構成された熱処理装置で、
基板ホルダ６は中心に設けられ回動自在に軸止された回
転軸61の周囲に、６個のウエーハ５を装着できるウエー
ハ保持部62が形成されており、基板ホルダ６の上方には
６個のウエーハ５を同時に加熱できる加熱部７が配設さ
れている。
基板ホルダ６は中心に設けられ回動自在に軸止された回
転軸61の周囲に、６個のウエーハ５を装着できるウエー
ハ保持部62が形成されており、基板ホルダ６の上方には
６個のウエーハ５を同時に加熱できる加熱部７が配設さ
れている。
加熱部７はヒータ２と熱反射板71とで構成されており、
チャンバ12の側壁に沿って熱反射板72が設けられてい
る。またチャンバ12の上面と側壁に設けられたガス導入
口13から不活性ガスが導入されており、加熱部７と基板
ホルダ６によって保持された被処理ウエーハ５の外側
に、外部温度の影響を遮断する不活性ガスからなる断熱
壁が形成されている。
チャンバ12の側壁に沿って熱反射板72が設けられてい
る。またチャンバ12の上面と側壁に設けられたガス導入
口13から不活性ガスが導入されており、加熱部７と基板
ホルダ６によって保持された被処理ウエーハ５の外側
に、外部温度の影響を遮断する不活性ガスからなる断熱
壁が形成されている。
一方５個のウエーハ保持部62に対向するガス出入部８が
基板ホルダ６の下方に設けられており、ガス噴射口３の
小孔からシャワー状に噴出された反応ガスをウエーハ５
に吹き付けると共に、ガス排出部81に設けられた多数個
の吸込孔から反応ガスや不活性ガスを排出している。な
お図示の如くガス排出部81から離れた部分において反応
室１の底部に、不活性ガスの排出口を設けることはガス
のよどみを無くす上で有効である。
基板ホルダ６の下方に設けられており、ガス噴射口３の
小孔からシャワー状に噴出された反応ガスをウエーハ５
に吹き付けると共に、ガス排出部81に設けられた多数個
の吸込孔から反応ガスや不活性ガスを排出している。な
お図示の如くガス排出部81から離れた部分において反応
室１の底部に、不活性ガスの排出口を設けることはガス
のよどみを無くす上で有効である。
そして昇降機構91と移送機構92からなるハンドリング機
構９が、ガス出入部８の設けられていない１個のウエー
ハ保持部62に対向して設けられており、昇降機構91が上
昇して処理済みのウエーハ５を持ち上げると、移送機構
92の先端がそれを把持し反応室１の外部に移送する。ま
た移送機構92の先端に把持され反応室１に移送された処
理前のウエーハ５は、昇降機構91の上に載置され昇降機
構91を下降させることによってウエーハ保持部62に装着
される。
構９が、ガス出入部８の設けられていない１個のウエー
ハ保持部62に対向して設けられており、昇降機構91が上
昇して処理済みのウエーハ５を持ち上げると、移送機構
92の先端がそれを把持し反応室１の外部に移送する。ま
た移送機構92の先端に把持され反応室１に移送された処
理前のウエーハ５は、昇降機構91の上に載置され昇降機
構91を下降させることによってウエーハ保持部62に装着
される。
ハンドリング機構９によってウエーハ５を移送している
間も、ガス出入部８に対向しているウエーハ５に薄膜が
形成されており、処理前のウエーハ５が回転軸61の回転
により反応室１の内部を一巡してくる間に、、所定の膜
厚を有する薄膜がウエーハ５の下面に形成され、ハンド
リング機構９によって反応室１の外に取り出される。な
おハンドリング機構９によってウエーハ５を移送してい
る間は反応ガスの噴出を停止し、ガス出入部８に対向す
る全ての位置にウエーハ５が下り込まれた後、一斉に反
応ガスを噴出させてガス出入部８に対向する５個のウエ
ーハ５に、同時に所定の膜厚を有する薄膜を形成するこ
とも可能である。
間も、ガス出入部８に対向しているウエーハ５に薄膜が
形成されており、処理前のウエーハ５が回転軸61の回転
により反応室１の内部を一巡してくる間に、、所定の膜
厚を有する薄膜がウエーハ５の下面に形成され、ハンド
リング機構９によって反応室１の外に取り出される。な
おハンドリング機構９によってウエーハ５を移送してい
る間は反応ガスの噴出を停止し、ガス出入部８に対向す
る全ての位置にウエーハ５が下り込まれた後、一斉に反
応ガスを噴出させてガス出入部８に対向する５個のウエ
ーハ５に、同時に所定の膜厚を有する薄膜を形成するこ
とも可能である。
このように上方に設けられ空間を介し対向する加熱部
で、基板ホルダに保持された被処理ウエーハを間接的に
加熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシャ
ワー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウエーハの下
面に薄膜が形成されるように構成することによって、ウ
エーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極めて
高く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着するこ
との無い熱処理装置を実現することができる。またヒー
タとガス噴射口の間に高周波を印加することによって、
プラズマ気相成長用の熱処理装置を構成することも可能
である。
で、基板ホルダに保持された被処理ウエーハを間接的に
加熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシャ
ワー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウエーハの下
面に薄膜が形成されるように構成することによって、ウ
エーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極めて
高く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着するこ
との無い熱処理装置を実現することができる。またヒー
タとガス噴射口の間に高周波を印加することによって、
プラズマ気相成長用の熱処理装置を構成することも可能
である。
上述の如く本発明によればウエーハの保持やハンドリン
グが容易で作業効率が極めて高く、薄膜形成面に塵埃が
付着することの無い装置を提供することができる。
グが容易で作業効率が極めて高く、薄膜形成面に塵埃が
付着することの無い装置を提供することができる。
第１図は本発明になる熱処理装置の原理を示す側断面
図、 第２図は本発明の一実施例を示す側断面図、 第３図は従来の熱処理装置を示す側断面図、 である。図において １は反応室、２はヒータ、 ３はガス噴射口、５はウエーハ、 ６は基板ホルダ、７は加熱部、 ８はガス出入部、９はハンドリング機構、 12はチャンバ、13はガス導入口、 31は小孔、61は回転軸、 62はウエーハ保持部、71、72は熱反射板、 81はガス排出部、82は吸込孔、 91は昇降機構、92は移送機構、 をそれぞれ表す。
図、 第２図は本発明の一実施例を示す側断面図、 第３図は従来の熱処理装置を示す側断面図、 である。図において １は反応室、２はヒータ、 ３はガス噴射口、５はウエーハ、 ６は基板ホルダ、７は加熱部、 ８はガス出入部、９はハンドリング機構、 12はチャンバ、13はガス導入口、 31は小孔、61は回転軸、 62はウエーハ保持部、71、72は熱反射板、 81はガス排出部、82は吸込孔、 91は昇降機構、92は移送機構、 をそれぞれ表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】気相成長法によってウエーハの表面に薄膜
を形成する縦型の熱処理装置において、 基板ホルダ（６）によって保持された被処理ウエーハ
（５）の、上方に配置された加熱部（７）と下方に配置
されたガス出入部（８）を有し、 空間を介し対向する該加熱部（７）で間接的に該ウエー
ハ（５）を加熱し、且つ該ガス出入部（８）からシャワ
ー状に噴出される反応ガスを、該ウエーハ（５）の下面
に吹き付け薄膜を形成することを特徴とした熱処理装
置。 - 【請求項２】加熱部（７）の周囲に熱反射板（71、72）
を設けると共に、該加熱部（７）と基板ホルダ（６）に
よって保持された被処理ウエーハ（５）の外側に、不活
性ガスからなる断熱壁を形成することによって、温度分
布の均一化を図った特許請求の範囲第１項記載の熱処理
装置。 - 【請求項３】ガス噴射口（３）とガス排出部（81）とで
ガス出入部（８）を形成し、該ガス噴射口（３）を中央
部に配置すると共にその周囲に該ガス排出部（81）を設
け、ウエーハ（５）近傍のガスのよどみを無くした特許
請求の範囲第１項記載の熱処理装置。 - 【請求項４】回動自在に軸止された回転軸（61）を有す
る基板ホルダ（６）に、ハンドリング機構（９）を用い
て処理前のウエーハ（５）を装着し、且つ該ハンドリン
グ機構（９）を用いて該基板ホルダ（６）から、処理済
のウエーハ（５）を取り出す特許請求の範囲第１項記載
の熱処理装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32182187A JPH07116610B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32182187A JPH07116610B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162772A JPH01162772A (ja) | 1989-06-27 |
| JPH07116610B2 true JPH07116610B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=18136795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32182187A Expired - Fee Related JPH07116610B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116610B2 (ja) |
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-
1987
- 1987-12-18 JP JP32182187A patent/JPH07116610B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH01162772A (ja) | 1989-06-27 |
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