JPH07105594B2 - 多層絶縁膜の形成方法 - Google Patents
多層絶縁膜の形成方法Info
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- JPH07105594B2 JPH07105594B2 JP6364690A JP6364690A JPH07105594B2 JP H07105594 B2 JPH07105594 B2 JP H07105594B2 JP 6364690 A JP6364690 A JP 6364690A JP 6364690 A JP6364690 A JP 6364690A JP H07105594 B2 JPH07105594 B2 JP H07105594B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 多層セラミックプリント基板に関し、 該セラミックプリント基板上に形成する多層薄膜パター
ン間を絶縁する多層絶縁膜が均一な厚さで得られるのを
目的とし、 基板上に絶縁膜形成材料を塗布後、該基板を所定の温度
と所定の湿度の雰囲気内で所定時間放置して基板上に塗
布形成された絶縁層形成材料を均一に拡散させる拡散塗
布工程、 前記基板を所定の温度で所定時間加熱処理する第１ベー
キング処理工程、 該絶縁膜を所定のパターンに露光および現像して所定の
寸法のビアホールを形成する露光工程および現像工程、 前記基板を不活性ガス雰囲気内で所定の温度で所定時間
加熱処理する第２ベーキング処理工程より成る上記複数
の処理工程を１周期の処理工程として上記基板上に絶縁
膜を多層に塗布する毎に繰り返して行い、上記複数の処
理工程を終了して多層構造に形成した絶縁膜に、不活性
ガス雰囲気内で所定の時間毎に階段状に温度上昇して加
熱する第３ベーキング処理工程を行うことで構成する。
ン間を絶縁する多層絶縁膜が均一な厚さで得られるのを
目的とし、 基板上に絶縁膜形成材料を塗布後、該基板を所定の温度
と所定の湿度の雰囲気内で所定時間放置して基板上に塗
布形成された絶縁層形成材料を均一に拡散させる拡散塗
布工程、 前記基板を所定の温度で所定時間加熱処理する第１ベー
キング処理工程、 該絶縁膜を所定のパターンに露光および現像して所定の
寸法のビアホールを形成する露光工程および現像工程、 前記基板を不活性ガス雰囲気内で所定の温度で所定時間
加熱処理する第２ベーキング処理工程より成る上記複数
の処理工程を１周期の処理工程として上記基板上に絶縁
膜を多層に塗布する毎に繰り返して行い、上記複数の処
理工程を終了して多層構造に形成した絶縁膜に、不活性
ガス雰囲気内で所定の時間毎に階段状に温度上昇して加
熱する第３ベーキング処理工程を行うことで構成する。
本発明は多層セラミック基板上に形成する多層薄膜パタ
ーンを絶縁分離するための多層絶縁膜の形成方法に関す
る。
ーンを絶縁分離するための多層絶縁膜の形成方法に関す
る。
内層導体層を形成した多層セラミックプリント基板上に
多層薄膜パターンを形成する場合に、該薄膜パターンの
層間絶縁膜としてポリイミド樹脂が用いられている。こ
のポリイミド樹脂は粘度が大で、回転塗布装置を用いて
薄層状態に塗布形成でき、また加熱処理することで硬化
して絶縁性を呈し、また紫外線等の光に感光するために
露光現像処理ができて導体層間を接続するビアホールが
容易に形成できる等の多数の利点があるので多層プリン
ト基板に形成する多層薄膜導体層パターンの層間絶縁膜
として注目されている。
多層薄膜パターンを形成する場合に、該薄膜パターンの
層間絶縁膜としてポリイミド樹脂が用いられている。こ
のポリイミド樹脂は粘度が大で、回転塗布装置を用いて
薄層状態に塗布形成でき、また加熱処理することで硬化
して絶縁性を呈し、また紫外線等の光に感光するために
露光現像処理ができて導体層間を接続するビアホールが
容易に形成できる等の多数の利点があるので多層プリン
ト基板に形成する多層薄膜導体層パターンの層間絶縁膜
として注目されている。
従来、このようなポリイミド樹脂を用いて多層絶縁膜を
形成する場合、第８図に示すようにビアホール導体（図
示せず）を有し、表面に二酸化シリコン（SiO2）膜１を
有し、薄膜の導体層パターン２を形成したセラミック基
板３上に粘度が4000〜5000ポイズのポリイミドより成る
第１層絶縁膜４を第６図に示すスピナーのような回転塗
布装置５を用いて10μｍの厚さに塗布形成する。
形成する場合、第８図に示すようにビアホール導体（図
示せず）を有し、表面に二酸化シリコン（SiO2）膜１を
有し、薄膜の導体層パターン２を形成したセラミック基
板３上に粘度が4000〜5000ポイズのポリイミドより成る
第１層絶縁膜４を第６図に示すスピナーのような回転塗
布装置５を用いて10μｍの厚さに塗布形成する。
次いでこの第１層絶縁膜４を第２図に示すように80℃の
温度で30分間ベーキングした後、露光、現像して第１ビ
アホール６を開口た後、第８図に示すようにその上にポ
リイミドよりなる第２層絶縁膜７を前記したスピナーを
用いて10μｍの厚さに回転塗布した後、前記した第２図
に示すような温度プロフィルにてベーキングした後、露
光、現像して第２ビアホール８を開口している。
温度で30分間ベーキングした後、露光、現像して第１ビ
アホール６を開口た後、第８図に示すようにその上にポ
リイミドよりなる第２層絶縁膜７を前記したスピナーを
用いて10μｍの厚さに回転塗布した後、前記した第２図
に示すような温度プロフィルにてベーキングした後、露
光、現像して第２ビアホール８を開口している。
このように第１層絶縁膜４に形成した第１ビアホール６
の直径より第２層絶縁膜７に形成した第２ビアホール８
の直径を大にすることで、該ビアホール内の内壁に、ス
パッタ法による金属膜の導体層が確実に被覆形成される
ようにしている。
の直径より第２層絶縁膜７に形成した第２ビアホール８
の直径を大にすることで、該ビアホール内の内壁に、ス
パッタ法による金属膜の導体層が確実に被覆形成される
ようにしている。
然し、上記したポリイミド樹脂を回転塗布すると、この
ポリイミド樹脂は粘度が4000〜5000ポイズと高いため
に、第７図（ａ）および第７図（ａ）のVII−VII′線断
面図に示すように、セラミック基板３の中心Ｏより放射
線状に筋状の凹部領域９が形成され、塗布形成されたポ
リイミド膜の表面が平坦と成らない問題がある。
ポリイミド樹脂は粘度が4000〜5000ポイズと高いため
に、第７図（ａ）および第７図（ａ）のVII−VII′線断
面図に示すように、セラミック基板３の中心Ｏより放射
線状に筋状の凹部領域９が形成され、塗布形成されたポ
リイミド膜の表面が平坦と成らない問題がある。
また第１層のポリイミド膜を所定のパターンに形成し
て、その上に第２層のポリイミド膜を塗布した場合、第
１層のポリイミド膜が完全に硬化していない半硬化の状
態であることより、第２層のポリイミド膜に含まれ、該
ポリイミド樹脂の溶媒となるＮ−メチルピロリドンが、
第１層のポリイミド膜に吸収されて変形する。
て、その上に第２層のポリイミド膜を塗布した場合、第
１層のポリイミド膜が完全に硬化していない半硬化の状
態であることより、第２層のポリイミド膜に含まれ、該
ポリイミド樹脂の溶媒となるＮ−メチルピロリドンが、
第１層のポリイミド膜に吸収されて変形する。
そのため、第９図（ａ）に示すように第２層のポリイミ
ド膜よりなる第２層絶縁膜７がセラミック基板３の中心
部に向かって凹状に窪んで形成されるので、第２層絶縁
膜７が基板の中央部と周辺部とでは厚さが異なり、第９
図（ｂ）に示す中央部の厚さの薄い第２層絶縁膜のポリ
イミド膜が現像過多になって所定の寸法のビアホールが
形成されない問題がある。
ド膜よりなる第２層絶縁膜７がセラミック基板３の中心
部に向かって凹状に窪んで形成されるので、第２層絶縁
膜７が基板の中央部と周辺部とでは厚さが異なり、第９
図（ｂ）に示す中央部の厚さの薄い第２層絶縁膜のポリ
イミド膜が現像過多になって所定の寸法のビアホールが
形成されない問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、上記した回転塗布し
たポリイミド膜に基板を中心として周囲に放射状に延び
る凹凸形状が形成されないようにし、更に第１層のポリ
イミド膜を確実にベーキングして充分に硬化させるよう
にし、第２層のポリイミド膜を塗布形成した際に、該第
２層のポリイミド膜の溶剤が染み込まないようにした多
層絶縁膜の形成方法を目的とする。
たポリイミド膜に基板を中心として周囲に放射状に延び
る凹凸形状が形成されないようにし、更に第１層のポリ
イミド膜を確実にベーキングして充分に硬化させるよう
にし、第２層のポリイミド膜を塗布形成した際に、該第
２層のポリイミド膜の溶剤が染み込まないようにした多
層絶縁膜の形成方法を目的とする。
上記目的を達成する本発明の多層絶縁膜の形成方法は、
基板上に絶縁膜形成材料を塗布後、該基板を所定の温度
と所定の湿度の雰囲気内で所定時間放置して基板上に塗
布形成された絶縁膜形成材料を均一に拡散させる拡散塗
布工程、 前記基板を所定の温度で所定時間加熱処理する第１ベー
キング処理工程、 該絶縁膜を所定のパターンに露光および現像して所定の
寸法のビアホールを形成する露光工程と現像工程、 前記基板を不活性ガス雰囲気内で所定の温度で所定時間
加熱処理する第２ベーキング処理工程より成る上記複数
の処理工程を１周期の処理工程として上記基板上に絶縁
膜を多層に塗布する毎に繰り返して行い、上記複数の処
理工程を終了して多層構造に形成した絶縁膜に、不活性
ガス雰囲気内で所定の時間毎に階段状に温度上昇して加
熱する第３ベーキング処理工程を行うことを特徴とす
る。
基板上に絶縁膜形成材料を塗布後、該基板を所定の温度
と所定の湿度の雰囲気内で所定時間放置して基板上に塗
布形成された絶縁膜形成材料を均一に拡散させる拡散塗
布工程、 前記基板を所定の温度で所定時間加熱処理する第１ベー
キング処理工程、 該絶縁膜を所定のパターンに露光および現像して所定の
寸法のビアホールを形成する露光工程と現像工程、 前記基板を不活性ガス雰囲気内で所定の温度で所定時間
加熱処理する第２ベーキング処理工程より成る上記複数
の処理工程を１周期の処理工程として上記基板上に絶縁
膜を多層に塗布する毎に繰り返して行い、上記複数の処
理工程を終了して多層構造に形成した絶縁膜に、不活性
ガス雰囲気内で所定の時間毎に階段状に温度上昇して加
熱する第３ベーキング処理工程を行うことを特徴とす
る。
本発明の方法は、ポリイミド膜を塗布した後、基板を所
定の温度と所定の湿度で放置する工程を設け、回転塗布
形成されたポリイミド樹脂が基板の周辺部に均一に拡散
していく拡散塗布工程を設ける。このようにすると回転
塗布されたポリイミド膜が基板上に均一に拡散して拡が
る。
定の温度と所定の湿度で放置する工程を設け、回転塗布
形成されたポリイミド樹脂が基板の周辺部に均一に拡散
していく拡散塗布工程を設ける。このようにすると回転
塗布されたポリイミド膜が基板上に均一に拡散して拡が
る。
また露光現像してビアホールを形成した第１層のポリイ
ミド膜を200℃の高温でかつ不活性ガスの雰囲気内でベ
ーキング処理することで硬化させる。このようにすると
第２層のポリイミド膜を塗布しても、第１層のポリイミ
ド膜が硬化しているので、第２のポリイミド膜に含まれ
る溶剤を吸収することが出来ない。
ミド膜を200℃の高温でかつ不活性ガスの雰囲気内でベ
ーキング処理することで硬化させる。このようにすると
第２層のポリイミド膜を塗布しても、第１層のポリイミ
ド膜が硬化しているので、第２のポリイミド膜に含まれ
る溶剤を吸収することが出来ない。
更に第２層のポリイミド膜にビアホールを現像、露光に
より形成した後、不活性ガス雰囲気内で所定の時間毎に
階段状に温度を上昇させる加熱処理を行うことで、多層
構造に形成された層間絶縁膜をクラックや亀裂が入らな
いようにして確実に硬化することができ、高信頼度の多
層絶縁膜が得られる。
より形成した後、不活性ガス雰囲気内で所定の時間毎に
階段状に温度を上昇させる加熱処理を行うことで、多層
構造に形成された層間絶縁膜をクラックや亀裂が入らな
いようにして確実に硬化することができ、高信頼度の多
層絶縁膜が得られる。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の多層絶縁膜の形成方法の工程を示す説
明図、 第２図は本発明に於ける第１ベーキング工程の温度プロ
フィル図、第３図は本発明に於ける第２ベーキング工程
の温度プロフィル図、 第４図は本発明に於ける第３ベーキング工程の温度プロ
フィル図、 第５図は本発明の方法を説明するプリント基板の要部断
面図である。
明図、 第２図は本発明に於ける第１ベーキング工程の温度プロ
フィル図、第３図は本発明に於ける第２ベーキング工程
の温度プロフィル図、 第４図は本発明に於ける第３ベーキング工程の温度プロ
フィル図、 第５図は本発明の方法を説明するプリント基板の要部断
面図である。
第５図では図面を簡単にするために基板の上部に絶縁膜
を形成した状態を示したが、基板の下部にも同様な絶縁
膜が形成されているものとする。
を形成した状態を示したが、基板の下部にも同様な絶縁
膜が形成されているものとする。
第１図、および第５図に図示するように、内部に導体層
11を形成したビアホール12を有するセラミック基板13に
設けた導体層パターン14上にSiO2膜15を介して第１層ポ
リイミド膜16をスピナーを用いて10μｍの厚さに塗布形
成する塗布工程101を実施する。
11を形成したビアホール12を有するセラミック基板13に
設けた導体層パターン14上にSiO2膜15を介して第１層ポ
リイミド膜16をスピナーを用いて10μｍの厚さに塗布形
成する塗布工程101を実施する。
次いで第１図に示すように上記ポリイミド膜を形成した
基板を22±３℃の温度、45±５％の湿度で５分間静置す
る拡散塗布工程102を実施する。
基板を22±３℃の温度、45±５％の湿度で５分間静置す
る拡散塗布工程102を実施する。
このような温湿度の環境で基板を静置するとクラック等
が入らない状態で基板の四方にポリイミド膜が緩く拡散
して均一な厚さとなる。
が入らない状態で基板の四方にポリイミド膜が緩く拡散
して均一な厚さとなる。
次いで第１図、および第２図に於けるように上記第１層
のポリイミド膜を80℃の温度で30分間、大気中の雰囲気
でベーキングする第１ベーキング工程103を実施する。
のポリイミド膜を80℃の温度で30分間、大気中の雰囲気
でベーキングする第１ベーキング工程103を実施する。
次いで第１図に示すように、上記第１層のポリイミド膜
を所定のパターンに露光する露光工程104を実施する。
を所定のパターンに露光する露光工程104を実施する。
次いで第１図、および第５図に示すように上記露光した
第１層のポリイミド膜を現像液で現像処理する現像工程
105を実施して所定の寸法の第１のビアホール17を形成
する。
第１層のポリイミド膜を現像液で現像処理する現像工程
105を実施して所定の寸法の第１のビアホール17を形成
する。
次いで、第１図、および第３図に示すように、上記現像
処理して第１ビアホール17を開口した第１層ポリイミド
膜16を酸素ガスの含有量が5ppm以下の窒素ガス雰囲気内
で200℃の温度で60分間ベーキングする第２ベーキング
工程106を実施して該ポリイミド膜16を確実に硬化させ
る。
処理して第１ビアホール17を開口した第１層ポリイミド
膜16を酸素ガスの含有量が5ppm以下の窒素ガス雰囲気内
で200℃の温度で60分間ベーキングする第２ベーキング
工程106を実施して該ポリイミド膜16を確実に硬化させ
る。
次いで第１図、および第４図に示すように第２層のポリ
イミド膜18をスピナーを用いて10μｍの厚さに回転塗布
する塗布工程101を実施する。
イミド膜18をスピナーを用いて10μｍの厚さに回転塗布
する塗布工程101を実施する。
次いで前記した第１図に示す拡散塗布工程102を再度行
う。
う。
次いで前記した第１図、第２図に示す第１のベーキング
工程103を再度実施する。
工程103を再度実施する。
次いで前記した第１図、および第４図に示すように第２
層ポリイミド膜18に露光工程104と現像工程105を再度実
施して前記第１のビアホールよた直径の大きい第２のビ
アホール19を形成する。
層ポリイミド膜18に露光工程104と現像工程105を再度実
施して前記第１のビアホールよた直径の大きい第２のビ
アホール19を形成する。
次いで前記した第１図、および第３図に示すように第２
ベーキング工程106を再度実施する。
ベーキング工程106を再度実施する。
次いで第１図、および第４図に示すように該基板を30分
毎に温度が所定の値に階段状に上昇する第３ベーキング
工程107を実施する。
毎に温度が所定の値に階段状に上昇する第３ベーキング
工程107を実施する。
この階段状に温度を上げてベーキングを行うことで絶縁
膜にクラック等が入らない状態で硬化することができ
る。
膜にクラック等が入らない状態で硬化することができ
る。
このようにすれば、多層構造に形成された絶縁膜に開口
部の寸法が異なる第１および第２図のビアホールが精度
良く形成でき、このようなビアホール内にはスパッタ法
により導体層が亀裂を発生しない状態でビアホールの内
壁を充分被覆するようになるので高信頼度の多層プリン
ト基板が得られる。
部の寸法が異なる第１および第２図のビアホールが精度
良く形成でき、このようなビアホール内にはスパッタ法
により導体層が亀裂を発生しない状態でビアホールの内
壁を充分被覆するようになるので高信頼度の多層プリン
ト基板が得られる。
また上記のようにすると凹凸やうねりの無い状態で層間
絶縁膜が精度良く所定の厚さに形成でき、この上に形成
される導体層パターンも厚さの変動が無い状態で得られ
るので、該導体層パターンの抵抗値が部分的に変動する
ような不都合が解消され、高信頼度の多層セラミックプ
リント基板が得られる。
絶縁膜が精度良く所定の厚さに形成でき、この上に形成
される導体層パターンも厚さの変動が無い状態で得られ
るので、該導体層パターンの抵抗値が部分的に変動する
ような不都合が解消され、高信頼度の多層セラミックプ
リント基板が得られる。
なお、本実施例では第２、第３のベーキング処理工程で
窒素ガスを用いたが、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガ
スを用いても良い。
窒素ガスを用いたが、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガ
スを用いても良い。
またこの第２、第３のベーキング工程で酸素濃度を5ppm
以下の濃度に抑えることで、導体層パターン14が酸化す
るようなことは無い。
以下の濃度に抑えることで、導体層パターン14が酸化す
るようなことは無い。
なお、本実施例では２層構造の絶縁膜の形成の場合につ
い述べたが、新たな絶縁膜を塗布する毎に第１図の拡散
塗布工程102から第２ベーキング工程106迄の工程を繰り
返して行い、最終的に第３ベーキング工程107を実施す
るようにすると良い。
い述べたが、新たな絶縁膜を塗布する毎に第１図の拡散
塗布工程102から第２ベーキング工程106迄の工程を繰り
返して行い、最終的に第３ベーキング工程107を実施す
るようにすると良い。
以上の説明から明らかなように、本発明の多層絶縁層の
形成方法によれば、該絶縁層が平坦な状態で得られ、ま
た形成されるビアホールも所定の寸法で高精度に形成さ
れる効果がある。
形成方法によれば、該絶縁層が平坦な状態で得られ、ま
た形成されるビアホールも所定の寸法で高精度に形成さ
れる効果がある。
第１図は本発明の多層絶縁膜の形成方法の工程を示す説
明図、 第２図は第１ベーキング工程の温度プロフィル図、 第３図は第２ベーキング工程の温度プロフィル図、 第４図は第２ベーキング工程の温度プロフィル図、 第５図は本発明の方法を説明するプリント基板の要部断
面図、 第６図は従来の方法の説明図、 第７図（ａ）は従来の方法による絶縁膜の平面図、 第７図（ｂ）は第７図（ａ）のVII−VII′線断面図、 第８図は多層絶縁膜の形成方法を示す断面図、 第９図は従来の方法に於ける不都合な状態を示す断面図
である。 図において、 11は導体層、12はビアホール、13セラミック基板、14は
導体層パターン、15はSiO2膜、16は第１層ポリイミド
膜、17は第１ビアホール、18第２層ポリイミド膜、19は
第２ビアホール、101は塗布工程、102は拡散塗布工程、
103は第１ベーキング工程、104は露光工程、105は現像
工程、106は第２ベーキング工程、107は第３ベーキング
工程を示す。
明図、 第２図は第１ベーキング工程の温度プロフィル図、 第３図は第２ベーキング工程の温度プロフィル図、 第４図は第２ベーキング工程の温度プロフィル図、 第５図は本発明の方法を説明するプリント基板の要部断
面図、 第６図は従来の方法の説明図、 第７図（ａ）は従来の方法による絶縁膜の平面図、 第７図（ｂ）は第７図（ａ）のVII−VII′線断面図、 第８図は多層絶縁膜の形成方法を示す断面図、 第９図は従来の方法に於ける不都合な状態を示す断面図
である。 図において、 11は導体層、12はビアホール、13セラミック基板、14は
導体層パターン、15はSiO2膜、16は第１層ポリイミド
膜、17は第１ビアホール、18第２層ポリイミド膜、19は
第２ビアホール、101は塗布工程、102は拡散塗布工程、
103は第１ベーキング工程、104は露光工程、105は現像
工程、106は第２ベーキング工程、107は第３ベーキング
工程を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−202939（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−36591（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−94346（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】基板（13）上に絶縁膜形成材料を塗布後、
該基板を所定の温度と所定の湿度の雰囲気内で所定時間
放置して基板上に塗布形成された絶縁膜形成材料を均一
に拡散させる拡散塗布工程（102）、 前記基板（13）を所定の温度で所定時間加熱処理する第
１ベーキング工程（103）、 該絶縁膜を所定のパターンに露光および現像して所定の
寸法のビアホールを形成する露光工程（104）と現像工
程（105）、 前記基板を不活性ガス雰囲気内で所定の温度で所定時間
加熱処理する第２ベーキング工程（106）より成る上記
複数の処理工程を１周期の処理工程として上記基板上に
絶縁膜を塗布する毎に繰り返して行い、上記複数の処理
工程を終了して多層構造に形成した絶縁膜に、不活性ガ
ス雰囲気内で所定の時間毎に階段状に温度上昇して加熱
する第３ベーキング工程（107）を行うことを特徴とす
る多層絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】前記拡散塗布工程（102）に於ける基板を
設置する雰囲気の温度が22±３℃で、湿度が45±５％で
あることを特徴とする請求項（１）記載の多層絶縁膜の
形成方法。 - 【請求項３】前記２および第３ベーキング工程（106,10
7）に用いる不活性ガスが、酸素含有量が5ppm以下の不
活性ガスであることを特徴とする請求項（１）記載の多
層絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6364690A JPH07105594B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 多層絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6364690A JPH07105594B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 多層絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263393A JPH03263393A (ja) | 1991-11-22 |
| JPH07105594B2 true JPH07105594B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=13235325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6364690A Expired - Fee Related JPH07105594B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 多層絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105594B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3067021B2 (ja) | 1998-09-18 | 2000-07-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 両面配線基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6364690A patent/JPH07105594B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03263393A (ja) | 1991-11-22 |
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