JPH07105322B2 - アライメント装置 - Google Patents
アライメント装置Info
- Publication number
- JPH07105322B2 JPH07105322B2 JP17571585A JP17571585A JPH07105322B2 JP H07105322 B2 JPH07105322 B2 JP H07105322B2 JP 17571585 A JP17571585 A JP 17571585A JP 17571585 A JP17571585 A JP 17571585A JP H07105322 B2 JPH07105322 B2 JP H07105322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- alignment
- scanning
- charged beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プロキシミティ露光転写方式によるマスクア
ライナにおけるマスクとウエハとのアライメント装置に
関する。
ライナにおけるマスクとウエハとのアライメント装置に
関する。
［従来の技術］ ICからLSI、そして超LSIへと半導体装置の微細化に伴な
い、マスクアライナ等の露光装置も露光用光源光の短波
長化が検討され、Ｘ線露光技術に関する多くの提案がな
されている。Ｘ線露光技術においては0.5μｍ以下の線
幅の実現に見合った0.15μｍ以下のアライメント精度が
要求されるとされている。一般に露光装置におけるアラ
イメント方法としては、従来より光学的手法が用いられ
てきたが、Ｘ線露光法がマスクとウエハのプロキシミテ
ィ露光であるため、光学的手法によるアライメント方式
では光の干渉が原因となってアライメントマークから安
定した検出信号を得ることが難しく、アライメント精度
の向上が困難であった。
い、マスクアライナ等の露光装置も露光用光源光の短波
長化が検討され、Ｘ線露光技術に関する多くの提案がな
されている。Ｘ線露光技術においては0.5μｍ以下の線
幅の実現に見合った0.15μｍ以下のアライメント精度が
要求されるとされている。一般に露光装置におけるアラ
イメント方法としては、従来より光学的手法が用いられ
てきたが、Ｘ線露光法がマスクとウエハのプロキシミテ
ィ露光であるため、光学的手法によるアライメント方式
では光の干渉が原因となってアライメントマークから安
定した検出信号を得ることが難しく、アライメント精度
の向上が困難であった。
一方、光学的手法によらないアライメント方法として電
子線を用いる方式もあるが、数10kVに加速した電子線で
も数μｍ厚のマスク基板を容易に通過できないため、ウ
エハ上のアライメントマークをマスクを通して検出する
ことが不可能であり、マスクとウエハとの重ね合せのア
ライメントには光学的方式のようには適用できず、アラ
イメント精度向上の面でも問題が生じていた。
子線を用いる方式もあるが、数10kVに加速した電子線で
も数μｍ厚のマスク基板を容易に通過できないため、ウ
エハ上のアライメントマークをマスクを通して検出する
ことが不可能であり、マスクとウエハとの重ね合せのア
ライメントには光学的方式のようには適用できず、アラ
イメント精度向上の面でも問題が生じていた。
［発明が解決すべき問題点］ 本発明は、前述の従来技術の欠点を除去して、マスクと
ウエハのプロキシミティ露光に適用しても高精度の高速
アライメントを達成することのできるアライメント装置
を提供することを目的とするものである。
ウエハのプロキシミティ露光に適用しても高精度の高速
アライメントを達成することのできるアライメント装置
を提供することを目的とするものである。
［問題点の解決手段］ この目的を達成するため本発明では、 所定間隙を介して配置されるマスクとウエハを、ウエハ
上に形成されたアライメントマークに基づいて位置合わ
せするアライメント装置において、 集束した荷電ビームを生成するビーム生成手段と、 該ビーム生成手段で生成された集束荷電ビームを偏向す
ることによって、マスクの所定個所に形成された荷電ビ
ーム透過性の限定領域の近傍を走査するための、前記ビ
ーム生成手段とマスクとの間に設けられたビーム走査手
段と、 該ビーム走査手段による集束荷電ビームの走査によっ
て、前記マスクの限定領域の周辺部もしくは前記ウエハ
のアライメントマークから放出される電子を検出するた
めの、前記ビーム生成手段とマスクとの間に設けられた
検出手段と、 該検出手段での検出に基づいてマスクおよびウエハの位
置情報を得て、これに基づいてマスクとウエハとを相対
変位させる手段と を有することを特徴とする。
上に形成されたアライメントマークに基づいて位置合わ
せするアライメント装置において、 集束した荷電ビームを生成するビーム生成手段と、 該ビーム生成手段で生成された集束荷電ビームを偏向す
ることによって、マスクの所定個所に形成された荷電ビ
ーム透過性の限定領域の近傍を走査するための、前記ビ
ーム生成手段とマスクとの間に設けられたビーム走査手
段と、 該ビーム走査手段による集束荷電ビームの走査によっ
て、前記マスクの限定領域の周辺部もしくは前記ウエハ
のアライメントマークから放出される電子を検出するた
めの、前記ビーム生成手段とマスクとの間に設けられた
検出手段と、 該検出手段での検出に基づいてマスクおよびウエハの位
置情報を得て、これに基づいてマスクとウエハとを相対
変位させる手段と を有することを特徴とする。
本発明で用いられる荷電ビームは電子線に限定されず、
集束イオンビームを用いても同様に実施可能である。
集束イオンビームを用いても同様に実施可能である。
本発明ではマスクと対象物とが重ね合わされた状態でマ
スクを通して対象物上のアライメントマークを集束荷電
ビームで走査検出するが、マスクの位置情報は荷電ビー
ムにより前記限定領域の境界または限定領域近傍のマス
ク面上に形成した別のマークを走査検出すればよく、こ
れにより対象物上のアライメントマークの位置をマスク
位置との相対的な位置情報として検出できる。
スクを通して対象物上のアライメントマークを集束荷電
ビームで走査検出するが、マスクの位置情報は荷電ビー
ムにより前記限定領域の境界または限定領域近傍のマス
ク面上に形成した別のマークを走査検出すればよく、こ
れにより対象物上のアライメントマークの位置をマスク
位置との相対的な位置情報として検出できる。
また本発明ではマスクとして、荷電ビーム不透過性のマ
スク基板に転写パターンが描画され、更に転写パターン
に対して予じめ定められた位置関係で基板の所定個所に
荷電ビーム透過性の限定領域が設けられたマスクが使用
される。
スク基板に転写パターンが描画され、更に転写パターン
に対して予じめ定められた位置関係で基板の所定個所に
荷電ビーム透過性の限定領域が設けられたマスクが使用
される。
前記限定領域は、具体的にはマスク基板に穿たれた貫通
孔であり、場合によってはこの貫通孔を荷電ビーム透過
性の膜で塞いでもよい。
孔であり、場合によってはこの貫通孔を荷電ビーム透過
性の膜で塞いでもよい。
前記限定領域の形成位置は、好ましくは転写パターンの
スクライブライン上であり、別の例ではスクライブライ
ンの延長線上位置で転写パターン外の位置である。
スクライブライン上であり、別の例ではスクライブライ
ンの延長線上位置で転写パターン外の位置である。
Ｘ線露光用のマスクとしては、マスク基板は波長1nm付
近のＸ線に対して良好な透過性をもつ材質で構成され、
スクライブラインを含めた描画パターンは前記Ｘ線に対
して不透過性の材料で形成される。
近のＸ線に対して良好な透過性をもつ材質で構成され、
スクライブラインを含めた描画パターンは前記Ｘ線に対
して不透過性の材料で形成される。
前記集束ビーム発生手段は、例えば電子銃のような電子
線発生源またはイオンビーム発生源とそれらの集束用レ
ンズ手段とを含む。
線発生源またはイオンビーム発生源とそれらの集束用レ
ンズ手段とを含む。
［作 用］ この構成によれば、集束荷電ビームによってマスクの限
定領域の周辺部が照射されると共に、限定領域を通過し
てウエハ上に形成したアライメントマークも走査され
る。また、検出手段がマスクよりもビーム生成源側に設
けられているため、マスクからの放出電子とウエハから
の放出電子の両方が検出され、マスクの位置情報とウエ
ハの位置情報の両方が同時に得られ、より高い精度の位
置合わせが行われる。また、荷電ビームの使用により光
の干渉によるアライメント精度の制限がなく、実質的に
0.15μｍ以下のアライメント精度の達成が可能となり、
またマスク自体も荷電ビーム透過性の限定領域、例えば
貫通孔を所定個所に設けるだけで既存のマスクを利用で
き、さらにプロキシミティ露光方式に対して光学的アラ
イメトン方式と大差なく容易に適用可能な装置構成が採
用できるものである。
定領域の周辺部が照射されると共に、限定領域を通過し
てウエハ上に形成したアライメントマークも走査され
る。また、検出手段がマスクよりもビーム生成源側に設
けられているため、マスクからの放出電子とウエハから
の放出電子の両方が検出され、マスクの位置情報とウエ
ハの位置情報の両方が同時に得られ、より高い精度の位
置合わせが行われる。また、荷電ビームの使用により光
の干渉によるアライメント精度の制限がなく、実質的に
0.15μｍ以下のアライメント精度の達成が可能となり、
またマスク自体も荷電ビーム透過性の限定領域、例えば
貫通孔を所定個所に設けるだけで既存のマスクを利用で
き、さらにプロキシミティ露光方式に対して光学的アラ
イメトン方式と大差なく容易に適用可能な装置構成が採
用できるものである。
本発明の一層の理解のために本発明の実施例を示せば以
下の通りである。
下の通りである。
［実施例］ 第１図においてマスク１はXYステージ９上に保持された
ウエハ３に対して微小間隙を介して重ね合わされてい
る。例えばＸ線露光装置の場合、マスク１は波長1nm程
度のＸ線に対して透過性の良い材質からなるマスク基板
２の上に、Ｘ線不透過性の材料で転写パターンＰおよび
それを仕切るスクライブラインＳを描画してなるもので
（第2a,2b図参照）、マスク１とウエハ３との間隙は数
μｍ〜数十μｍの微小間隙に設定され、しかもマスクと
ウエハの二平面を高精度で位置合わせしたのち露光が行
なわれる。第2a図に示すように、実施例ではマスク１の
スクライブラインＳ上に荷電ビーム透過性の限定領域と
しての微小な貫通孔Ｈが設けてある。この貫通孔Ｈは、
第2b図に示すようにスクライブラインＳの延長線上のパ
ターンＰ以外の部分に設けてもよい。第2a図では貫通孔
Ｈを誇張して画いてあるが、これは第3a図のようにスク
ライブラインＳの線幅より小さい貫通孔Ｈである。尚、
第3a図でＨ′はマスク基板部分の貫通孔部分であり、こ
のように孔Ｈ′より孔Ｈを小口径とするのは例えばAuや
Taなどの荷電ビーム不透過性材料であるスクライブライ
ン形成膜によって貫通孔の口縁を集束荷電ビームに対し
てシャープエッジにするためである。また第3a図で貫通
孔Ｈの中に見える丸はウエハ３上に形成されているアラ
イメントマークであり、この部分の縦断面が第４図に示
されている。第４図では集束荷電ビームとしての電子線
５が走査のために振られている様子も示され、またウエ
ハ３の表面にフォトレジスト層15が形成されていること
も示されている。
ウエハ３に対して微小間隙を介して重ね合わされてい
る。例えばＸ線露光装置の場合、マスク１は波長1nm程
度のＸ線に対して透過性の良い材質からなるマスク基板
２の上に、Ｘ線不透過性の材料で転写パターンＰおよび
それを仕切るスクライブラインＳを描画してなるもので
（第2a,2b図参照）、マスク１とウエハ３との間隙は数
μｍ〜数十μｍの微小間隙に設定され、しかもマスクと
ウエハの二平面を高精度で位置合わせしたのち露光が行
なわれる。第2a図に示すように、実施例ではマスク１の
スクライブラインＳ上に荷電ビーム透過性の限定領域と
しての微小な貫通孔Ｈが設けてある。この貫通孔Ｈは、
第2b図に示すようにスクライブラインＳの延長線上のパ
ターンＰ以外の部分に設けてもよい。第2a図では貫通孔
Ｈを誇張して画いてあるが、これは第3a図のようにスク
ライブラインＳの線幅より小さい貫通孔Ｈである。尚、
第3a図でＨ′はマスク基板部分の貫通孔部分であり、こ
のように孔Ｈ′より孔Ｈを小口径とするのは例えばAuや
Taなどの荷電ビーム不透過性材料であるスクライブライ
ン形成膜によって貫通孔の口縁を集束荷電ビームに対し
てシャープエッジにするためである。また第3a図で貫通
孔Ｈの中に見える丸はウエハ３上に形成されているアラ
イメントマークであり、この部分の縦断面が第４図に示
されている。第４図では集束荷電ビームとしての電子線
５が走査のために振られている様子も示され、またウエ
ハ３の表面にフォトレジスト層15が形成されていること
も示されている。
アライメントマーク14と貫通孔Ｈの組合せは第3a図の例
に限定されるものではなく、例えば第3b図に示すように
ウエハ上のマーク14aに対応した形状の四つの矩形の貫
通孔Haを形成してもよい。
に限定されるものではなく、例えば第3b図に示すように
ウエハ上のマーク14aに対応した形状の四つの矩形の貫
通孔Haを形成してもよい。
いずれにせよマスク１にはウエハ３のアライメントマー
ク14又は14aの線幅より細く集束した電子線５が容易に
通過できる大きさの貫通孔ＨまたはHaが１ケ所以上設け
られている。
ク14又は14aの線幅より細く集束した電子線５が容易に
通過できる大きさの貫通孔ＨまたはHaが１ケ所以上設け
られている。
第１図に戻って、電子銃４から発生した電子線はレンズ
６を通って細い集束電子線５となり、偏向器７を通って
XY方向に走査のために偏向される。レンズ６の条件を制
御することにより電子線５は貫通孔近傍のマスク面上に
も或いはウエハ３の表面上にも集束でき、従ってマスク
面上の貫通孔Ｈの口縁またはその近辺のマスク面上に設
けたマークと、ウエハ３上のアライメントマーク14との
双方を点状に集束した電子線５で走査可能である。偏向
器７による電子線５の走査により、それぞれマスク１の
貫通孔口縁（又はマーク）とウエハ３のアライメントマ
ーク14から発生する二次電子や反射電子を検出器８で検
出する。偏向器７は、制御部10から偏向アンプ11を介し
て走査信号を受けて前記の走査を行ない、検出器８は検
出信号を検出アンプ12を介して制御部10に与え、制御部
10ではこれら走査信号と検出信号とからマスク１とウエ
ハ３とのマーク位置のずれ量を正確に求め、このずれ量
がステージ９の変位量となるようにステージ駆動部13を
制御することでマスク１とウエハ３とのアライメントを
行なう。
６を通って細い集束電子線５となり、偏向器７を通って
XY方向に走査のために偏向される。レンズ６の条件を制
御することにより電子線５は貫通孔近傍のマスク面上に
も或いはウエハ３の表面上にも集束でき、従ってマスク
面上の貫通孔Ｈの口縁またはその近辺のマスク面上に設
けたマークと、ウエハ３上のアライメントマーク14との
双方を点状に集束した電子線５で走査可能である。偏向
器７による電子線５の走査により、それぞれマスク１の
貫通孔口縁（又はマーク）とウエハ３のアライメントマ
ーク14から発生する二次電子や反射電子を検出器８で検
出する。偏向器７は、制御部10から偏向アンプ11を介し
て走査信号を受けて前記の走査を行ない、検出器８は検
出信号を検出アンプ12を介して制御部10に与え、制御部
10ではこれら走査信号と検出信号とからマスク１とウエ
ハ３とのマーク位置のずれ量を正確に求め、このずれ量
がステージ９の変位量となるようにステージ駆動部13を
制御することでマスク１とウエハ３とのアライメントを
行なう。
本実施例ではマスク１の数十μｍ幅のスクライブライン
Ｓ上にアライメントマーク位置を設定しているので、広
いウエハ面上を正確にアライメントしながらマスクパタ
ーンの露光領域をステップ移動することができる。尚、
この場合、第2b図のようにパターン外に貫通孔Ｈを配置
するならばＨの位置はスクライブラインの延長線上でし
かも最も近いスクライブラインとの間隔をスクライブラ
インピッチと等しくした位置とすれば同様のステップ露
光毎のアライメントが実現できる。
Ｓ上にアライメントマーク位置を設定しているので、広
いウエハ面上を正確にアライメントしながらマスクパタ
ーンの露光領域をステップ移動することができる。尚、
この場合、第2b図のようにパターン外に貫通孔Ｈを配置
するならばＨの位置はスクライブラインの延長線上でし
かも最も近いスクライブラインとの間隔をスクライブラ
インピッチと等しくした位置とすれば同様のステップ露
光毎のアライメントが実現できる。
本発明において、マスク側のアライメントマークとして
は貫通孔Ｈ又はHaの口縁、すなわち前記限定領域の境界
を利用すればよく、その位置および形状精度が充分でな
い場合には、荷電ビームの走査範囲内で貫通孔近傍に描
画した別のマークを用いてもよい。尚、第3a,3b図に示
したようにスクライブラインＳの描画パターン膜に貫通
孔Ｈ又はHaを形成すれば、それ自体がマスクのアライメ
ントマークとなり得ることは容易に理解できよう。
は貫通孔Ｈ又はHaの口縁、すなわち前記限定領域の境界
を利用すればよく、その位置および形状精度が充分でな
い場合には、荷電ビームの走査範囲内で貫通孔近傍に描
画した別のマークを用いてもよい。尚、第3a,3b図に示
したようにスクライブラインＳの描画パターン膜に貫通
孔Ｈ又はHaを形成すれば、それ自体がマスクのアライメ
ントマークとなり得ることは容易に理解できよう。
また集束電子線によるマスクとウエハのアライメントマ
ーク検出において、マスクとウエハのギャップの大きさ
に応じてレンズ６の集束条件を変えることができるが、
集束電子線は焦点深度が深いため、レンズ条件を一定に
したまま両者の走査を行なってもよい。
ーク検出において、マスクとウエハのギャップの大きさ
に応じてレンズ６の集束条件を変えることができるが、
集束電子線は焦点深度が深いため、レンズ条件を一定に
したまま両者の走査を行なってもよい。
前述の実施例ではマーク検出を検出器８により二次電子
や反射電子を捕えて行なう場合を示したが、マスクやウ
エハに入射する電子線の吸収電流をマーク検出信号に用
いてもよい。
や反射電子を捕えて行なう場合を示したが、マスクやウ
エハに入射する電子線の吸収電流をマーク検出信号に用
いてもよい。
またアライメントマーク位置はスクライブライン上また
はその延長線上に限るものではなく、例えば一括転写露
光方式の場合は、アライメントマーク位置、従って限定
領域の位置を任意に選ぶことができる。
はその延長線上に限るものではなく、例えば一括転写露
光方式の場合は、アライメントマーク位置、従って限定
領域の位置を任意に選ぶことができる。
本発明は荷電ビームとして電子線やイオンビームを利用
できさえすればＸ線露光装置に限らず、光、電子、イオ
ンなどによるマスクを用いたプロキシミティ露光システ
ムのアライメントに広く利用可能である。
できさえすればＸ線露光装置に限らず、光、電子、イオ
ンなどによるマスクを用いたプロキシミティ露光システ
ムのアライメントに広く利用可能である。
また前記限定領域としての貫通孔を、荷電ビームが充分
通過できる厚さの有機または無機物質製の膜で覆って塞
いでもよく、さらにマスク側アライメントマークとして
の貫通孔を第４図のようにウエハ側でなくビーム入射側
に配置して、マスクのアライメントマークの検出が容易
になるようにしてもよい。
通過できる厚さの有機または無機物質製の膜で覆って塞
いでもよく、さらにマスク側アライメントマークとして
の貫通孔を第４図のようにウエハ側でなくビーム入射側
に配置して、マスクのアライメントマークの検出が容易
になるようにしてもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、集束荷電ビームに
よってマスクの限定領域の周辺部を照射すると共に、限
定領域を通過してウエハ上に形成したアライメントマー
クも走査し、また、検出手段をマスクよりもビーム生成
源側に設けるようにしたため、マスクからの放出電子と
ウエハからの放出電子の両方を同時に検出してマスクの
位置情報とウエハの位置情報の両方を同時に得ることが
でき、より高い精度の位置合わせを行うことができる。
また、光を利用したアライメント法での干渉による影響
等の欠点を排除することができる。
よってマスクの限定領域の周辺部を照射すると共に、限
定領域を通過してウエハ上に形成したアライメントマー
クも走査し、また、検出手段をマスクよりもビーム生成
源側に設けるようにしたため、マスクからの放出電子と
ウエハからの放出電子の両方を同時に検出してマスクの
位置情報とウエハの位置情報の両方を同時に得ることが
でき、より高い精度の位置合わせを行うことができる。
また、光を利用したアライメント法での干渉による影響
等の欠点を排除することができる。
第１図は本発明を実施するためのアライメント装置の一
実施例を示す概念図、第2a図は本発明に使用するマスク
の一実施例を示す概略平面図、第2b図はマスクの別の実
施例を示す概略平面図、第3a図はマスクの貫通孔部分の
拡大図、第3b図は別の実施例に係るマスク貫通孔部分の
拡大図、第４図は第3a図のIV−IV線矢視断面図である。 1:マスク、2:マスク基板、3:ウエハ、 4:電子銃、5:電子線、6:レンズ、 7:偏向器、8:検出器、9:ステージ、 10:制御部、13:ステージ駆動部、 14:ウエハのアライメントマーク、 S:スクライブライン、H:貫通孔、 P:描画パターン。
実施例を示す概念図、第2a図は本発明に使用するマスク
の一実施例を示す概略平面図、第2b図はマスクの別の実
施例を示す概略平面図、第3a図はマスクの貫通孔部分の
拡大図、第3b図は別の実施例に係るマスク貫通孔部分の
拡大図、第４図は第3a図のIV−IV線矢視断面図である。 1:マスク、2:マスク基板、3:ウエハ、 4:電子銃、5:電子線、6:レンズ、 7:偏向器、8:検出器、9:ステージ、 10:制御部、13:ステージ駆動部、 14:ウエハのアライメントマーク、 S:スクライブライン、H:貫通孔、 P:描画パターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ
Claims (4)
- 【請求項１】所定間隙を介して配置されるマスクとウエ
ハを、ウエハ上に形成されたアライメントマークに基づ
いて位置合わせするアライメント装置において、 集束した荷電ビームを生成するビーム生成手段と、 該ビーム生成手段で生成された集束荷電ビームを偏向す
ることによって、マスクの所定個所に形成された荷電ビ
ーム透過性の限定領域の近傍を走査するための、前記ビ
ーム生成手段とマスクとの間に設けられたビーム走査手
段と、 該ビーム走査手段による集束荷電ビームの走査によっ
て、前記マスクの限定領域の周辺部もしくは前記ウエハ
のアライメントマークから放出される電子を検出するた
めの、前記ビーム生成手段とマスクとの間に設けられた
検出手段と、 該検出手段での検出に基づいてマスクおよびウエハの位
置情報を得て、これに基づいてマスクとウエハとを相対
変位させる手段と を有することを特徴とするアライメント装置。 - 【請求項２】荷電ビーム走査によって、ウエハのアライ
メントマーク位置を検出してウエハの位置情報を得るも
のである特許請求の範囲第１項に記載のアライメント装
置。 - 【請求項３】荷電ビーム走査によって、マスクの前記限
定領域の境界を検出してマスクの位置情報を得るもので
ある特許請求の範囲第１項に記載のアライメント装置。 - 【請求項４】荷電ビーム走査によって、マスクの前記限
定領域の周辺に形成されているマークを検出してマスク
の位置情報を得るものである特許請求の範囲第１項に記
載のアライメント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17571585A JPH07105322B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | アライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17571585A JPH07105322B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | アライメント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236820A JPS6236820A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH07105322B2 true JPH07105322B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16000970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17571585A Expired - Fee Related JPH07105322B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | アライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105322B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246458A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Nec Corp | マスク目合せパターン |
| JP2003057853A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Orc Mfg Co Ltd | 整合マークおよび整合機構ならびに整合方法 |
| CN112624036A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-04-09 | 浙江大学 | 电子束或离子束在绝缘材料表面成像或微纳加工的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51148370A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-20 | Fujitsu Ltd | Electron ray exposure method |
| JPS5251874A (en) * | 1975-10-22 | 1977-04-26 | Jeol Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS61114528A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム転写露光方法 |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP17571585A patent/JPH07105322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6236820A (ja) | 1987-02-17 |
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