JPH07104215B2

JPH07104215B2 - 加熱装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07104215B2
Application number: JP2213674A
Authority: JP
Inventors: 昭彦 ▲吉▼田
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1990-08-14
Filing date: 1990-08-14
Publication date: 1995-11-13
Anticipated expiration: 2010-11-13
Also published as: JPH0495832A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は加熱装置およびその製造方法に関するものであ
る。

（従来の技術及びその問題点）スーパークリーン状態を必要とする半導体製造用装置で
は、デポジション用ガス、エッチング用ガス、クリーニ
ング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガス等の腐食性ガ
スが使用されている。このため、ウエハーをこれらの腐
食性ガスに接触させた状態で加熱するための加熱装置と
して、抵抗発熱体の表面をステンレススチール、インコ
ネル等の金属により被覆した従来のヒーターを使用する
と、これらのガスの曝露によって、塩化物、酸化物、弗
化物等の粒径数μｍの、好ましくないパーティクルが発
生する。

そこで、デポジション用ガス等に曝露される容器の外側
に赤外線ランプを設置し、容器外壁に赤外線透過窓を設
け、グラファイト等の耐食性良好な材質からなる被加熱
体に赤外線を放射し、被加熱体の上面に置かれたウエハ
ーを加熱する、間接加熱方式のウエハー加熱装置が開発
されている。ところがこの方式のものは、直接加熱式の
ものに比較して熱損失が大きいこと、温度上昇に時間が
かかること、赤外線透過窓へのCVD膜の付着により赤外
線の透過が次第に妨げられ、赤外線透過窓で熱吸収が生
じて窓が加熱すること等の問題があった。

（発明に至る経過）上記の問題を解決するため、新たに円盤状の緻密質セラ
ミックス内に抵抗発熱体を埋設し、このセラミックスヒ
ーターをグラファイトのケースに保持した加熱装置につ
いて検討した。その結果この加熱装置は、上述のような
問題点を一掃した極めて優れた装置であることが判明し
た。

しかし、更に研究を進める過程で、セラミックスヒータ
ーの半導体ウエハー加熱面の温度測定に問題があること
が解った。

すなわち、例えば従来の金属ヒーターでは熱電対がヒー
ター内部にほぼ完全に埋め込まれ、熱電対の一端はウエ
ハー加熱面付近に位置し、熱電対の他端は容器外へと取
り出されている。従って熱電対は容器内部に露出してお
らず、特に誤動作を起すおそれもなかった。

これに対し、上記したような円盤状セラミックスヒータ
ーの場合には、このヒーター本体に熱電対の一端を直接
取り付ける必要があった。そして、このような加熱装置
は、通常の一定圧力で使用する場合には大きな問題はな
いが、容器の内部を圧力変化させた場合には熱電対に誤
動作を生ずることがあり、正確なヒーター温度の制御が
行えないという問題が生じた。

（発明が解決しようとする課題）本発明の課題は、半導体製造装置内において、ガス圧力
が変動するときにも、正確に温度測定を行うことがで
き、従ってヒーターの温度を正確に制御することがで
き、しかも半導体製造装置内を汚染するおそれもない、
加熱装置及びその製造方法を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明は、内部の圧力が変化する半導体製造装置の内部
に収容するための加熱装置であって：非金属無機質部材
の内部に抵抗発熱体が埋設されている非金属無機質ヒー
ター；半導体製造装置内に設置された熱電対；及び熱電
対の少なくとも熱接点を被覆し、その熱電対を非金属無
機質ヒーターへ接合するガラス接合層を有しており、非
金属無機質ヒーターに設けられた接合用孔に熱接点が挿
入されており、この接合用孔内で熱接点と非金属無機質
ヒーターとの間にガラス接合層が充填されており、かつ
熱接点とガラス接合層とが直接接触していることを特徴
とする、加熱装置に係るものである。

また、本発明は、内部の圧力が変化する半導体製造装置
の内部に収容するための加熱装置を製造する方法であっ
て：抵抗発熱体が非金属無機質部材の内部に埋設されて
いる非金属無機質ヒーターに設けられた接合用孔の底部
に、接合用ガラスの小片を収容する工程；及び、この接
合用ガラスの小片を加熱して軟化又は溶融させ、接合用
孔の底部へと向かって働く力によって熱電対の熱接点を
接合用孔の底部に位置させ、これにより少なくとも熱接
点を被覆するガラス接合層を形成し、熱電対と非金属無
機質部材とを接合する工程を有する、加熱装置の製造方
法に係るものである。

温度測定の対象となる非金属無機質部材は一般のアルミ
ナ、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化アルミニウ
ム等のセラミックス及び半導体材料であるシリコン、ガ
リウム、砒素及びこれらの無機物質を含有する複合物を
包含する。非金属無機質部材に抵抗発熱体を埋設するの
で、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム等が好ま
しく、特に耐熱衝撃性の高い窒化珪素、サイアロンが好
ましい。

「ナトリウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しな
い」とは、ナトリウムとカリウムとをいずれも不可避的
不純物としてしか含有しないことをいう。更に具体的に
は、不純物として混入するナトリウム、カリウムをいず
れも酸化物換算で0.1重量％以下とするのが好ましく、
0.01重量％以下とするのが更に好ましい。

（実施例）第１図において、１は半導体製造用熱CVDに使用される
容器、２はその内部のケース３に取付けられたウエハー
加熱用のヒーター本体であり、その大きさは例えば４〜
８インチとしてウエハーを設置可能なサイズとしてお
く。

容器１の内部にはガス供給孔４から熱CVD用のガスが供
給され、吸引孔５から真空ポンプにより内部の空気が排
出される。非金属無機質ヒーター２は窒化珪素のような
緻密でガスタイトな非金属無機質基体６の内部に抵抗発
熱体７をスパイラル状に埋設したもので、その中央及び
端部のケーブル８を介して外部から電力が供給され、非
金属無機質ヒーター２を例えば1100℃程度に加熱するこ
とができる。９はケース３の上面を覆う水冷ジャケット
10付のフランジであり、Ｏリング11により容器１の側壁
との間をシールされ、容器１の天井面を構成している。

非金属無機質ヒーター２の背面12には、熱電対19が第２
図に拡大して示すように接合されている。

即ち、金属部17aにガラス、セラミックス等の無機質絶
縁体からなる絶縁シール17bを固定したハーメチックシ
ール17を、容器のフランジ９に固定し、この絶縁シール
17bに線状導体18を固定し、この線状導体18の容器内側
端部にそれぞれ（＋）側金属線15、（−）側金属線16を
接続、固定する。

一方、好ましくは窒化珪素からなり、二列の貫通孔14a
を有する絶縁管14を、ヒーター背面12側に開口した接合
用孔20内に挿入し、二列の貫通孔14aにそれぞれ金属線1
5又は16を挿通させる。熱接点24は接合用孔20の底面に
位置させ、金属線15,16と接合用孔20との間隙、及び絶
縁管14と接合用孔20との間隙にはガラス接合層13を形成
し、熱接点24を完全に被覆すると共に、熱電対19の先端
部分と絶縁管14とをヒーター２に接合、固定する。金属
線15,16は、貫通孔14a内ではほぼ直線状とし、絶縁管14
とハーメチックシール17との間では螺旋状に巻回させ
る。

本実施例に係る半導体ウエハー加熱装置又は半導体ウエ
ハー加熱用非金属無機質ヒーターの温度測定装置によれ
ば、以下の効果を奏しうる。

（１）本発明者は上記した熱電対の誤動作の原因を追
求した結果、特に真空中の場合、熱電対の周囲のガス分
子の挙動は大気圧〜1torrの真空状態においては粘性流
域にあるが、真空度が高まると分子流域に移行し、これ
に伴って熱電対の周囲における熱移動の態様が大幅に変
化するため、正確な温度測定ができなくなることを知っ
た。また粘性流域においても、大きい圧力変動による温
度測定誤動作が存在することが判った。

また、一般に温度測定の対象物が金属材料である場合に
は、熱電対を直接ろう付けや溶接により金属ヒーターに
取り付けることが可能であるが、上記のように温度測定
の対象物が非金属無機質ヒーターの場合には、直接的な
取り付けが不可能である。このために従来考えうる方法
は、非金属無機質ヒーターの孔に熱電対を機械的に押し
つける方法だけであり、非金属無機質ヒーターとの間の
熱移動は圧力変化をするガスに依存していることを知っ
た。

この点、本実施例においては、熱電対19の熱接点24をガ
ラス接合層13によって被覆しているので、仮に容器１の
内部が圧力変動しても、熱接点24付近はこの影響を受け
ず、常に安定した温度検出が可能である。って本実施例
の加熱装置は、高真空度中で非金属無機質ヒーターの温
度を正確に制御することができる。

（２）例えば、1M、4M、16Mなどの極めて高密度の半
導体の製造装置に適用するには、従来は問題とならなか
ったような微小部位からも半導体ウエハー汚染を生じう
るという問題もある。

この点、本実施例において、ガラス接合層13を、ナトリ
ウムとカリウムとをいずれも実質的に含有しないガラス
で形成したところ、高密度半導体のウエハーも汚染する
ことなく加熱できた。

このガラスにおいては、更に不純物であるMgO、CaOの量
を0.2重量％以下、更には0.01重量％以下に抑えること
が好ましい。更には、アルカリ金属元素、アルカリ土類
金属元素の不純物量を、いずれも0.1重量％以下、更に
は0.01重量％以下に抑えることが好ましい。従来よりも
高密度の半導体の製造装置においては、ガラス接合層の
ような微小部位に存在する元素として、ナトリウム、カ
リウムほどではないが、これらの各元素も、半導体欠陥
を引き起すような汚染の原因となりうるからである。

（３）熱電対19の先端部分と非金属無機質ヒーター２
との接合をガラスによって行っているので、気密性が高
く、またこの接合部分の耐熱性、安定性が高い。

ガラスの熱膨張率は、温度変化の耐久性の面から基材６
と適合していることが望ましい。

（４）非金属無機質材料として窒化珪素を採用する
と、ヒーターの強度が高く、窒化珪素の熱膨脹率の小さ
さからヒーターの耐熱衝撃性も高く、高温への急熱、急
冷を繰り返して行ってもヒーターが破損しない。また、
窒化珪素が耐食性に優れていることから、熱CVD装置内
等の腐食性ガス条件下でもヒーターの耐久性が高く、寿
命が長くなる。

（５）本実施例の加熱装置によれば、ヒーター材料と
して非金属無機質材料を使用しているので、従来の金属
ヒーターの場合のような汚染を防止できる。また、容器
１内に設置した円盤状ヒーターで半導体ウエハーを直接
加熱するので、間接加熱方式の場合のような熱効率の悪
化の問題を解決できる。

（６）熱電対19を構成する金属線15,16は脆く、応力
によって折れ易い。

この点、本実施例によれば、絶縁管14とハーメチックシ
ール17との間で螺旋状に金属線15,16を巻回させている
ので、ハーメチックシール17へのセッティング等の際に
金属線15,16の変形の余地が大きく、金属線15,16が断線
し難い。

（７）絶縁管14の二列の貫通孔14aにそれぞれ金属線1
5又は16を挿通させているので、この部分で金属線15と1
6が接触し、ショートするのを防止できる。

（８）絶縁管14の一端を接合用孔20内に挿入し、固定し
てあるので、絶縁管14の端部が接合用孔20の内周面によ
って位置決めされるため、絶縁管14をヒーター背面12に
対して垂直方向に固定するのが容易である。また、絶縁
管14に図面において左右方向のモーメントが加わって
も、ガラス接合層13に過大な応力が加わり難く、これに
よりガラス接合層にクラックが発生するのを防止でき
る。

（９）接合用孔20の深さＬとセラミックスヒーター２
の厚さｄとの関係は、L/dを百分率比で10％以上とする
ことが好ましく、50％以上とすると更に好ましい。これ
により熱接点24により検出した温度と、ウエハー加熱面
の真の温度との偏差を小さくすることができる。

なお、接合用孔20が実質的に非金属無機質ヒーター２を
その厚さ方向に貫通していてもよい。ここで、実質的に
貫通するとは、接合用孔20の底部20aがウエハー加熱面
側にごく僅かな面積だけ点的に現れる場合も含む趣旨で
ある。

ガラス接合層13の材質としては、B₂O₃含有量50重量％以
下のSiO₂−B₂O₃系ガラスが好ましい。B₂O₃含有量が50重
量％を越えると、接合時にクラックが発生したり、ガラ
スの吸湿量が多くなる傾向がある。

また、ガラス接合層13の材質として、石英ガラス、オキ
シナイトライドガラスが強度、耐熱衝撃性、気密性等の
点で好ましい。

ウエハー加熱面は平滑面とすることが好ましく、特にウ
エハー加熱面にウエハーが直接セットされる場合には、
平面度を500μｍ以下としてウエハーの裏面へのデポジ
ション用ガスの侵入を防止する必要がある。

抵抗発熱体７としては、高融点でありしかも窒化珪素等
との密着性に優れたタングステン、モリブデン、白金等
を使用することが適当である。

第１図の例ではウエハー加熱面を下向きにしたが、ウエ
ハー加熱面を上向きにしてもよい。

第２図の例では、ハーメチックシール17をフランジ９に
溶接等によって固定するが、ハーメチックシール17を別
体の固定用フランジに溶接し、この固定用フランジをフ
ランジ９に対して接合し、固定用フランジとフランジ９
との間をＯ−リング等でシールしてもよい。

次に、ガラス接合層の形成方法について述べる。

まず、例えば窒化珪素製のヒーター２の背面12側に接合
用孔20を設け、この底部20aに、接合用ガラスの小片を
設置する。

この小片の上に、熱電対19の熱接点24をセットする。

次いでこの小片を加熱して小片を溶融又は軟化させ、接
合用孔20の底部20aへと向って働く力によって熱接点を
底部20aに位置させる。底部20aに向って働く力は、熱電
対19の自重であってもよいが、好ましくは、熱電対19を
下方へと押圧する。これにより、溶融又は軟化した接合
用ガラスが、熱電対の先端部分と接合用孔20内周面との
間に回り込む。この状態で放冷すると、熱電対の先端部
分と接合用孔20との間にガラス接合層13が形成され、両
者の間が気密に接合される。

接合用ガラス小片として、溶融ガラスを急冷して粘度を
調節したガラスフリットを使用することもできる。更
に、ラス接合層のガラスを結晶化させることもできる。

接合用ガラス小片を軟化又は溶融させるとき、ガラス小
片の軟化点以上で雰囲気を減圧（好ましくは0.1torr以
下）とすると、ガラス接合層中に気泡が残留しないの
で、ガラス接合層にクラックが発生するのを防止でき
る。

第３図、第４図はそれぞれ他の実施例による、熱電対接
合部分の拡大断面図である。第２図のものと同一機能部
材には同一符号を付し、その説明は省略する。

第３図の例においては、絶縁管14を接合用孔20内へと挿
入せず、接合用孔20の上にガラス接合層13で固定する。
また、第４図の例においては、絶縁管14を使用せず、一
対の金属線15,16をそれぞれハーメチックシール17から
ガラス接合層13まで螺旋状に巻回する。

上記各例において、ウエハー加熱用非金属無機質ヒータ
ーの形状は、円形ウエハーを均等に加熱するためには円
盤状とするのが好ましいが、他の形状、例えば四角盤
状、六角盤状等としてもよい。

こうしたヒーターは、プラズマエッチング装置、光エッ
チング装置等における加熱装置に対しても適用可能であ
る。

以下、具体的な実験例について述べる。

実験例１（セラミックスヒーターと熱電対とのガラス接合及び温
度測定）第１図に示す窒化珪素製セラミックスヒーターに各種熱
電対を下記ガラスにより接合した。１×10^-5torrの真空
容器内で接合した熱電対の測定温度により制御し、セラ
ミックスヒーターを700℃まで加熱し、温度が一定にな
った時にArガスを導入し、容器内を10torrにした時の測
定温度の変化ΔＴを測定した。接合部分の形状は第２図
に従い、窒化珪素製絶縁管を用いた。結果を第１表に示
す。

SiO₂−B₂O₃系ガラス下記に示す各種組成を有するSiO₂−B₂O₃系ガラスを用い
た。

ガラスは電子天秤により所定量を秤量し、アルミナ製乳
鉢、乳棒により混合粉砕し、白金るつぼに入れ、1600℃
で溶融し、溶融物を水中投下し、ガラスフリットを作製
した。ガラスより均質にするため、作製したガラスフリ
ットをアルミナ製乳鉢、乳棒により粉砕し、白金製るつ
ぼに入れ1600℃で再溶融し、溶融物をステンレス製型に
入れて固化し、型から取り出した後、φ3mm、長さ6mmの
小片に加工した。また、粉砕し、フリットも用意した。

このガラス小片を接合用孔の底に入れ、その上に熱電対
を置き、フリットは孔とシースの隙間に詰め、セットし
た。室温で接合電気炉内を真空にし、室温から1200℃ま
で300℃/htで昇温し、1200℃で1hr維持した後、1400℃
まで200℃/hrで昇温し、昇温中に電気炉内にN₂を導入
し、３気圧まで加圧した。1400℃で3hr維持したのち、
降温した。降温中800℃から400℃までは１℃/hrで降温
し、ガラスの歪み取りを行った。

ガラス組成 SB−1:SiO₂ 80重量％ B₂O₃ 20重量％ SB−2:SiO₂ 70重量％ B₂O₃ 30重量％ SB−3:SiO₃ 60重量％ B₂O₃ 40重量％ SB−4:SiO₂ 50重量％ B₂O₃ 50重量％ SB−5:SiO₂ 40重量％ B₂O₃ 60重量％石英ガラス（SI）石英ガラスフリットを用意した。接合はSiO₂−B₂O₃系ガ
ラスと同じ方法で行ったが、接合時の最高加熱温度は16
00℃とした。

オキシナイトライドガラス電子天秤により所定量秤量し、アルミナ製乳鉢、乳棒に
より混合粉砕し、窒化ほう素ルツボに入れ、1600℃、
N₂、2atmの雰囲気で溶融し、電気炉内で急冷しガラスを
得た。窒化ほう素ルツボ中のガラスをSiO₂−B₂O₃系ガラ
スと同様に小片に加工し、接合した、接合は室温から14
00℃まで1atmのN₂雰囲気で実施した。

組成は以下の通りとした。

ON−1:SiO₃ 40重量％ Y₂O₃ 50重量％ AlN 10重量％ ON−2:SiO₂ 30重量％ Y₂O₃ 50重量％ AlN 20重量％（熱電対） PT−1:白金70wt％，ロジウム30wt％合金（＋）−白金94
wt％，ロジウム6wt％合金（−） PT−2:白金87wt％，ロジウム13wt％合金（＋）−白金
（−） PT−3:白金90wt％，ロジウム10wt％合金（＋）−白金
（−） WR−1:タングステン95wt％，レニウム5wt％合金（＋）
−タングステン75wt％，レニウム26wt％合金（−） WR−2:タングステン97wt％，レニウム3wt％合金（＋）
−タングステン75wt％，レニウム25wt％合金（−） WR−3:タングステン90wt％，レニウム10wt％合金（＋）
−タングステン74wt％，レニウム26wt％合金（−）ここで、WR−３の（＋）側ではレニウムの量を多くして
あるが、これにより（＋）側の金属線の靱性が高まり、
折れにくくなる。

試料No.1〜11では温度変化ΔＴを0.4℃以下に抑えるこ
とができ、温度を一定に制御できたが、比較例の試料N
o.13ではΔＴが9.2℃と大きく、熱電対でヒーター出力
を制御しているため、温度が一定になるまで10数分必要
であった。

実験例２実験例１において試料No.1の組成のガラスを使用し、不
純物濃度の異なる原料からガラスを作製し、窒化珪素製
ヒーターに、これらのガラスを用いて上記の方法に従っ
て温度測定用熱電対WR−２を接合した。このヒーターの
ウエハー加熱面にシリコンウエハーを置き、800℃で１
時間加熱し、シリコンウエハーのヒーターに当接した側
の面について、SIMS（二次イオン質量分析法）でNa,K,M
g,Caを分析した。

その結果、酸化物換算でNa₂O,K₂Oが0.2wt％〜0.5wt％含
まれる場合は、シリコンウエハ表面から内部にNa,Kの拡
散が認められたが、0.01wt％〜0.1wt％では表面に僅か
に検出されたものの内部への拡張は見られなかった。0.
01wt％以下では全く検出されなかった。

同様に、酸化物換算でMgO,CaOが0.3wt％〜0.5wt％含ま
れる場合は、シリコンウエハ表面から内部にMg,Caの拡
散が認められたが、0.2wt％〜0.01wt％では表面に僅か
に検出されたものの内部への拡散は見られなかった。0.
01wt％では全く検出されなかった。

シリコンウエハにアルカリ金属、アルカリ土類金属ある
いはFeなどの遷移金属が入ると、シリコン中に不純物欠
陥を形成するため好ましくない。

その内、特にNa,Kは微量でも不純物欠陥を形成するた
め、特に好ましくない。

実験例３実験例１の試料No.1のガラスを用い、熱電対WR−１を接
合し、ガラス接合時に雰囲気を減圧にした場合（0.1tor
r）と減圧にしない場合の各試料を作成し、それぞれに
ついて室温と700℃との間で昇降温を行い、容器内を圧
力変化させた時の温度変化を測定した。減圧にしない場
合ガラス中に気泡が多く残留した。試験の結果、減圧に
しない場合は、180回目で８℃の温度変化を生じた。試
験後、接合ガラスにクラックが発生していた。減圧にし
た場合は200回以上温度変化は無かった。

実験例４実験例１の試料No.1のガラスを用い、窒化珪素製円盤状
セラミックスヒーター２の厚みｄを20mmとし、接合用孔
20の径を3.0mmとし、熱電対として実験例１のWR−１を
使用した。そして、熱電対の先端部分と接合用孔とを上
記のガラスにより接合し、１×10^-5torrの真空容器内
で、熱電対の測定温度で制御し、セラミックスヒーター
を700℃まで加熱した。

一方、透明な石英窓を容器に設け、赤外線放射温度計で
ウエハー加熱面での温度を測定し、熱電対による測定温
度と赤外線放射温度計による測定温度との偏差ΔＴを得
た。結果を第２表に示す。

第２表から解るように、熱電対を接合用孔内に挿入して
ガラス接合することが好ましく、更にL/dを10％以上と
することが好ましい。

（発明の効果）本発明に係る加熱装置及びその製造方法によれば、熱電
対の少なくとも熱接点をガラス接合層によって被覆して
いるので、容器の内部の圧力が変化してもガラスの気密
性から熱接点の周囲の環境は変化せず、従って常に安定
した温度測定が可能である。

また、非金属無機質ヒーターの温度を安定して測定でき
ることにより、容器内の圧力が大きく変化しても、非金
属無機質ヒーターの温度を正確に制御することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は非金属無機質ヒーターを容器内に設置した状態
を示す概略断面図、第２図、第３図、第４図はそれぞれ熱電対とセラミック
スヒーターとの接合部周辺を示す拡大断面図である。２……円盤状非金属無機質ヒーター７……抵抗発熱体、９……フランジ 12……ヒーター背面、13……ガラス接合層 14……絶縁管、14a……貫通孔 15……（＋）側の金属線、16……（−）側の金属線 17……ハーメチックシール、18……線状導体 19……熱電対、20……接合用孔 20a……接合用孔の底部、24……熱接点ｄ……セラミックスヒーターの厚みＬ……接合用孔の深さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部の圧力が変化する半導体製造装置の内
部に収容するための加熱装置であって：非金属無機質部材の内部に抵抗発熱体が埋設されている
非金属無機質ヒーター；前記半導体製造装置内に設置された熱電対；及び前記熱電対の少なくとも熱接点を被覆し、その熱電対を
前記非金属無機質ヒーターへ接合するガラス接合層を有
しており、前記非金属無機質ヒーターに設けられた接合用孔に前記
熱接点が挿入されており、この接合用孔内で前記熱接点
と非金属無機質ヒーターとの間に前記ガラス接合層が充
填されており、かつ前記熱接点と前記ガラス接合層とが
直接接触していることを特徴とする、加熱装置。
【請求項２】前記ガラス接合層が、ナトリウムとカリウ
ムとをいずれも実質的に含有しないガラスからなる、請
求項１記載の加熱装置。
【請求項３】前記ガラスが、B₂O₃含有量が50重量％以下
のSiO₂−B₂O₃系ガラスである、請求項１記載の加熱装
置。
【請求項４】前記ガラスが石英ガラスまたはオキシナイ
トライドガラスである、請求項１記載の加熱装置。
【請求項５】前記非金属無機質部材がセラミックスから
なる、請求項１記載の加熱装置。
【請求項６】前記熱電対を構成する一対の金属線が、そ
れぞれ絶縁管内に収容されており、かつこの絶縁管の端
部が前記ガラス接合層によって前記非金属無機質部材に
対して接合されていることを特徴とする、請求項１記載
の加熱装置。
【請求項７】前記絶縁管の端部が前記接合用孔内に挿入
されており、この端部が前記接合用孔の内周面によって
位置決めされていることを特徴とする、請求項６記載の
加熱装置。
【請求項８】前記絶縁管内に二列の貫通孔が形成されて
おり、一方の貫通孔に熱電対を構成する正の金属線が挿
通されており、他方の貫通孔に熱電対を構成する負の金
属線が挿通されていることを特徴とする、請求項６また
は７記載の加熱装置。
【請求項９】内部の圧力が変化する半導体製造装置の内
部に収容するための加熱装置を製造する方法であって：抵抗発熱体が非金属無機質部材の内部に埋設されている
非金属無機質ヒーターに設けられた接合用孔の底部に、
接合用ガラスの小片を収容する工程；及びこの接合用ガラスの小片を加熱して軟化又は溶融させ、
前記接合用孔の底部へと向かって働く力によって熱電対
の熱接点を前記底部に位置させ、これにより少なくとも
前記熱接点を被覆するガラス接合層を形成し、前記熱電
対と前記非金属無機質部材とを接合する工程を有する、
加熱装置の製造方法。
【請求項１０】前記熱接点を被覆するガラス接合層を形
成するに際し、前記小片を前記接合用ガラスの軟化点以
上の温度で保持した状態で雰囲気を減圧にする、請求項
９記載の加熱装置の製造方法。