[go: up one dir, main page]

JPH0688802A - 雰囲気センサ - Google Patents

雰囲気センサ

Info

Publication number
JPH0688802A
JPH0688802A JP2045992A JP2045992A JPH0688802A JP H0688802 A JPH0688802 A JP H0688802A JP 2045992 A JP2045992 A JP 2045992A JP 2045992 A JP2045992 A JP 2045992A JP H0688802 A JPH0688802 A JP H0688802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
substrate
thin film
detection
cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2045992A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3083901B2 (ja
Inventor
Junji Manaka
順二 間中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Seiki Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Seiki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Seiki Co Ltd filed Critical Ricoh Seiki Co Ltd
Priority to JP04020459A priority Critical patent/JP3083901B2/ja
Publication of JPH0688802A publication Critical patent/JPH0688802A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3083901B2 publication Critical patent/JP3083901B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検出用室から外気に連通する通気孔を簡易で
高精度にし、安価で特性のバラツキを小さくし、高感度
で安定した検出特性を与える。 【構成】 シリコン(100)基板10上に同形の凹部
状の参照用室14と検出用室15とを異方性エッチング
加工し、同時に検出用室15に基板10面に延びる通気
孔溝16を設ける。通気孔溝16は、カバー18を基板
10の検出用室15上に接合されることにより一部閉止
されるが、開口16aを残して検出用室15と外気とを
連通する。また、参照用室14と検出用室15内の発熱
抵抗体は凹部上に薄膜絶縁体の架橋支持部に支持された
薄膜絶縁体11上に細線状に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は、雰囲気センサの構造に関し、よ
り詳細には、温度センサ,ガスセンサ等の雰囲気ガスを
検知する雰囲気センサの構造に関する。
【0002】
【従来技術】従来、ガスセンサとして、金属酸化物半導
体の内部に電極と、電極を兼ねたヒータを内蔵し、該金
属酸化物半導体をヒータにより加熱した時に該金属酸化
物半導体の抵抗値が該金属酸化物半導体の表面でのガス
吸着によって下がることを利用したものが提案されてい
るが、消費電力が大きく、乾電池駆動には適さないとい
う問題があった。この点を改良すべく、架橋構造や片持
梁構造等、空気中に張り出させた橋架部を設け、この橋
架部の上に金属酸化物半導体を形成するようにし、もっ
て、熱容量を可及的に小さくして応答特性を上げ、且つ
消費電力を低下させる試みが成されている。
【0003】一方、ガスセンサにおいては、同様の構造
をもつ検出器を2個設け、一方の検出器を周囲雰囲気に
接触させてガス検出用として用い、他方の検出器を周囲
雰囲気に接触させない密封構造とし、この密封構造の検
出器にて周囲の温度を検出して温度補償をすることが行
なわれている。
【0004】図3(a),(b)は、特開平3−927
54号公報に開示された絶対湿度センサの一例を示す平
面図及び断面図で、図示のように、シリコンからなる第
1の基板1に、薄膜抵抗発熱体よりなる検出素子3を設
置する凹部6,7を形成し、基板1の表面に絶縁保護膜
を形成した上、薄膜抵抗発熱体よりなる検出素子3を前
記凹部に架橋支持するよう設置する。
【0005】上記のように構成することにより、熱容量
を小さくした検出素子3の熱が直接基板に熱伝導するの
を抑えて、基板で構成した空間の気体の熱伝導により熱
平衝を保ち、小電力化と応答の高速化を図ることができ
るようにしている。
【0006】また、第2の基板2にも基板1に対応する
位置に前記検出素子3用の空間を作るための凹部6,7
と、検出素子3のパッド部9を露出させるための切欠き
部を形成しておき、更に、基板2に接合用の低融点ガラ
スペースト5を図に斜線で示すパターンにスクリーン印
刷した上、前記ペースト中の溶剤を仮焼成で蒸発させ、
続いて参照素子の空間に封入する乾燥空気か一定の既知
の湿度の空気雰囲気中で、基板の1と2を対向させ、図
示のようにそれぞれの凹部で薄膜発熱体の検出素子3を
囲む空間を作る配置にした上、加熱で低融点ガラスを融
解して基板を接合させる。
【0007】以上の接合により、参照側の空間6は外気
と遮断され常に一定の雰囲気に保たれる。この気密封止
される雰囲気は必ずしも大気圧でなくてもよい。このと
き同時に形成される検出側の空間7は対向する位置に接
合部の隙間で形成した通気孔8が構成される。
【0008】以上のようにして構成にした湿度センサ
は、2つの検出素子3に電力によって一定のエネルギー
を供給して自己加熱させると、それぞれ参照用空間6と
検出用空間7の水蒸気量、即ち、絶対湿度に対応する空
間の熱伝導度によって放熱し、一定の温度になって、そ
れぞれ一定の抵抗値をもつので、その差をブリッジ回路
の非平衝電位の出力として検出して絶対湿度を計測する
ことができる。
【0009】上述の従来の雰囲気センサは、参照側の空
間6と検出側の空間7とは、基板1と基板2との凹部6
および7とで形成され、その内容積は等しく、小さい。
参照側の空間6は密閉されていて、薄膜発熱体3の熱が
外部に発放されにくいのに加えて、内壁面は熱輻射によ
り加熱され、検出側の空間7へ熱伝達されるので検出側
の空間6へ温度影響を及ぼす。検出側の空間7と参照側
の空間6との距離が近い程影響が大きく、雰囲気が一定
であっても温度平衡状態とはなりにくく、時間経過とと
もにバランスがずれ易い。しかも、基板2の熱容量が大
きいので、徐々にバランスがくずれていく経時変化があ
る。
【0010】また、通気孔8は低融点ガラスを融解し、
接合した接合部でガラス厚さにより通気孔8の断面積,
検出側の空間6および参照用の空間7の容積が規定され
るので、ガラス厚さの変化により特性のバラツキも大き
くなる。通気孔8を検出側の空間7の基板2に設ける他
の方法もあるが、このときの通気孔8の孔径は板厚に比
し小さいので、簡易なエッチング加工による孔加工では
精度が上がらず、精度を上げようとするとコスト高にな
る。
【0011】図4は、従来の検出側の空間の他の通気孔
を示す図で、検出側の空間6の基板1と基板2との凹部
形状に寸法差を与えて、寸法差に応じた通気孔8の大き
さとするものである。しかし、基板2は検出側の空間6
における薄膜発熱体3のカバーとなるものであるから、
通気孔8の大きさは極小にとどめなければならず、この
ような通気孔8を精度良く製作するためには高いコスト
となる。
【0012】
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、(1)検出用室から外気に連通する通気孔を高
精度で安価に加工し、製品の特性上のバラツキを小さく
すること、更には、(2)高感度で長期安定した特性の
雰囲気センサを提供することを目的とするものである。
【0013】
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、(1)
同形の凹部を有する基板と、該基板の各々の凹部上に架
橋支持される薄膜絶縁体と、各々の薄膜絶縁体上に形成
された抵抗の等しい発熱抵抗体と、前記凹部を覆被する
カバーとからなり、一方の凹部を密閉して参照用室と
し、他方の凹部を外気に導通する検出用室として、前記
参照用室と検出用室との前記発熱抵抗体の放熱量の差に
基づいて雰囲気を検知する雰囲気センサにおいて、前記
検出用室の凹部から外気への導通を基板凹部底面から表
面に到る通気孔溝を介して行い、該通気孔溝を基板凹部
壁面に形成し、カバー外部に開口したこと、更には、
(2)前記(1)において、前記発熱抵抗体を、参照用
室および検出用室上で架橋される架橋支持部よりも大き
い辺を有する略々正方形の発熱部薄膜絶縁体上に設けた
ことを特徴とするものである。以下、本発明の実施例に
基づいて説明する。
【0014】図1(a),(b)は、本発明における雰
囲気センサを説明するための図で、(a)図は(b)図
の矢視B−B線平面図、(b)図は(a)図のA−A線
断面図であり、図中、10は基板、11は薄膜絶縁体、
12,13は発熱抵抗体、14は参照用室、15は検出
用室、16は通気孔溝、16aは開口、17,18はカ
バーである。
【0015】図示の基板10は結晶面が(100)のシ
リコン(Si)の平板で、上面にSiO2の薄膜絶縁体1
1を形成し、更に金属薄膜を蒸着,CVD,スパッタリ
ング等の方法により成膜する。金属薄膜は発熱抵抗体1
2,13を形成するためのもので、酸化に安定な白金等
の金属が使用される。その後、フォトリソグラフィ,異
方性エッチングなどにより、凹形状の参照用室14と、
凹部上に架橋した薄膜絶縁体11上に発熱抵抗体12を
形成する。これと同時に、前記参照用室14と同一凹形
状の検出用室15と、凹部上に架橋した薄膜絶縁体11
上に発熱抵抗体12と同一抵抗の発熱抵抗体13を形成
する。
【0016】検出用室15には、凹部の壁面に凹部底面
より基板10の上部面に延びる通気孔溝16が設けられ
ている。該通気孔溝16は、前記凹形状を異方性エッチ
ングするとき、同時に形成される。通気孔溝16の側壁
面を(111)面に選べば凹部形状の面に平行した同一
深さの同一矩形断面の通気孔溝16が形成される。
【0017】次に、参照用室14上部には凹部をもった
カバー17が基板10上に薄膜絶縁体11を介して覆被
固着され、同様に検出用室15の上部にもカバー17と
同一形状のカバー18が基板10上に覆被固着される。
このとき、検出用室15のカバー17は通気孔溝16の
一部を開口16aして低融点ガラス等で固着される。固
着面のガラス層は通気孔溝16の軸方向に厚さをもって
いるので、ガラス層の厚さに多小のバラツキがあっても
開口16aの面積は変らない。通気孔溝16を検出用室
15内周の対称位置に均等に設けておけば、溝の深さが
一定に加工されているので、カバー17の固着位置が多
少ずれても開口16aの総和の面積は一定となる。
【0018】図2は、検出用室15の詳細な平面図で、
図中、19は発熱部薄膜絶縁体、20,21は架橋支持
部で、図中、図1と同じ作用をする部分には、図1と同
一の参照番号を付している。
【0019】基板10には凹部の検出用室15と通気孔
溝16とが形成されるが、薄膜絶縁体11は、検出用室
15の上部に略々正方形の発熱部薄膜絶縁体19と、該
発熱部薄膜絶縁体19を検出用室15の外周面に架橋支
持する架橋支持部20,21の部分が残される。この架
橋支持部20,21の幅は、発熱部薄膜絶縁体19の一
辺よりも狭少である。一方、発熱部薄膜絶縁体19上に
はこれより僅かに小さい面積に発熱抵抗体13が形成さ
れ、対向した架橋支持部21上のリード部13bと基板
10上のパッド部13aとに接続される。
【0020】発熱抵抗体13は、例えばジグザグ状に連
続した細い抵抗線を形成するので、抵抗値を大きくする
ことができ、高感度にすることができる。また、発熱抵
抗体13は架橋支持部21の長さだけ基板10より離間
しているので、発熱抵抗体13を加熱しても基板10へ
の熱伝達が小さく、発熱抵抗体13の全面に亘って均一
に加熱され、一定の発熱分布となる。この結果、図3に
示した従来の検出用室15の上部対称軸に直線状に配設
された発熱抵抗体3と比べると、高感度で安定した雰囲
気ガスを高精度で計測できる。
【0021】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、(1)検出用室の通気孔を、該検出用室の凹部を形
成するために、シリコン基板を異方エッチングすると同
時に加工することができるので加工工数も少なく、しか
も通気孔の開口面積の精度も高くできるので、品質の揃
った雰囲気センサを安価に製造することができる。
(2)発熱抵抗体を基板より離間して架橋される発熱部
薄膜絶縁体上に設けたので熱干渉が小さく、均一な温度
分布をもった高感度の雰囲気センサを提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明における雰囲気センサを説明するため
の図である。
【図2】 検出用室15の詳細な平面図である。
【図3】 従来の絶対湿度センサの一例を示す平面図及
び断面図である。
【図4】 従来の検出側の空間の他の通気孔を示す図で
ある。
【符号の説明】
10…基板、11…薄膜絶縁体、12,13…発熱抵抗
体、14…参照用室、15…検出用室、16…通気孔
溝、16a…開口、17,18…カバー。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同形の凹部を有する基板と、該基板の各
    々の凹部上に架橋支持される薄膜絶縁体と、各々の薄膜
    絶縁体上に形成された抵抗の等しい発熱抵抗体と、前記
    凹部を覆被するカバーとからなり、一方の凹部を密閉し
    て参照用室とし、他方の凹部を外気に導通する検出用室
    として、前記参照用室と検出用室との前記発熱抵抗体の
    放熱量の差に基づいて雰囲気を検知する雰囲気センサに
    おいて、前記検出用室の凹部から外気への導通を基板凹
    部底面から表面に到る通気孔溝を介して行い、該通気孔
    溝を基板凹部壁面に形成し、カバー外部に開口したこと
    を特徴とする雰囲気センサ。
  2. 【請求項2】 前記発熱抵抗体を、参照用室および検出
    用室上で架橋される架橋支持部よりも大きい辺を有する
    略々正方形の発熱部薄膜絶縁体上に設けたことを特徴と
    する請求項1記載の雰囲気センサ。
JP04020459A 1992-01-08 1992-01-08 雰囲気センサ Expired - Fee Related JP3083901B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04020459A JP3083901B2 (ja) 1992-01-08 1992-01-08 雰囲気センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04020459A JP3083901B2 (ja) 1992-01-08 1992-01-08 雰囲気センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0688802A true JPH0688802A (ja) 1994-03-29
JP3083901B2 JP3083901B2 (ja) 2000-09-04

Family

ID=12027666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04020459A Expired - Fee Related JP3083901B2 (ja) 1992-01-08 1992-01-08 雰囲気センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3083901B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168649A (ja) * 2008-01-17 2009-07-30 Ishizuka Electronics Corp 傍熱型感温抵抗素子、及び傍熱型感温抵抗素子を用いた絶対湿度センサ
WO2011043258A1 (ja) * 2009-10-05 2011-04-14 北陸電気工業株式会社 ガスセンサ素子及びその製造方法
JP2012037374A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Toyota Central R&D Labs Inc 薄膜メンブレン構造体及び半導体式薄膜ガスセンサ
CN102375001A (zh) * 2010-08-18 2012-03-14 横河电机株式会社 热导率检测器以及使用了该检测器的气相色谱仪
JP2016017926A (ja) * 2014-07-11 2016-02-01 Tdk株式会社 ガスセンサ
JP2017173128A (ja) * 2016-03-24 2017-09-28 ヤマハファインテック株式会社 ガスセンサ
WO2018191009A1 (en) * 2017-04-11 2018-10-18 Invensense, Inc. Gas sensing method and device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014041164A (ja) * 2013-12-05 2014-03-06 New Cosmos Electric Corp ガス検知素子

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168649A (ja) * 2008-01-17 2009-07-30 Ishizuka Electronics Corp 傍熱型感温抵抗素子、及び傍熱型感温抵抗素子を用いた絶対湿度センサ
WO2011043258A1 (ja) * 2009-10-05 2011-04-14 北陸電気工業株式会社 ガスセンサ素子及びその製造方法
JP2011080809A (ja) * 2009-10-05 2011-04-21 Hokuriku Electric Ind Co Ltd ガスセンサ素子及びその製造方法
CN102575999A (zh) * 2009-10-05 2012-07-11 北陆电气工业株式会社 气体传感器元件及其制造方法
US9176084B2 (en) 2009-10-05 2015-11-03 Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. Gas sensor element and manufacturing method of the same
JP2012037374A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Toyota Central R&D Labs Inc 薄膜メンブレン構造体及び半導体式薄膜ガスセンサ
CN102375001A (zh) * 2010-08-18 2012-03-14 横河电机株式会社 热导率检测器以及使用了该检测器的气相色谱仪
JP2016017926A (ja) * 2014-07-11 2016-02-01 Tdk株式会社 ガスセンサ
JP2017173128A (ja) * 2016-03-24 2017-09-28 ヤマハファインテック株式会社 ガスセンサ
WO2018191009A1 (en) * 2017-04-11 2018-10-18 Invensense, Inc. Gas sensing method and device
EP4191238A1 (en) * 2017-04-11 2023-06-07 InvenSense, Inc. Gas sensing method and device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3083901B2 (ja) 2000-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0376721B1 (en) Moisture-sensitive device
US6840103B2 (en) Absolute humidity sensor
JP4307738B2 (ja) 圧力センサ
JPH0688802A (ja) 雰囲気センサ
JP3386250B2 (ja) 熱依存性検出装置
JPH06102227A (ja) 雰囲気センサの構造
JPH06118047A (ja) 雰囲気センサの構造
JP3040867B2 (ja) 多用途センサ
JP3345695B2 (ja) 加速度センサ
JP3358684B2 (ja) 熱依存性検出装置
KR100331809B1 (ko) 박막형 절대습도 센서
JP2725965B2 (ja) 赤外線センサ
JPH0795054B2 (ja) 湿度センサ
JP2860086B2 (ja) 湿度センサ用マイクロキャップ及び湿度センサ
JPH04235338A (ja) 湿度センサ
JPH0795002B2 (ja) センサ素子
JP2793615B2 (ja) 赤外線センサ
JPH06258268A (ja) センサ
JPS63265125A (ja) 非接触型半導体温度センサ
JP3118667B2 (ja) 絶対湿度センサ
JPS58102144A (ja) ガスセンサ
JP2890287B2 (ja) センサ回路
JP2938687B2 (ja) センサー
KR20010045476A (ko) 볼로메터 센서
JP2735423B2 (ja) 湿度センサー

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080630

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080630

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090630

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees