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JPH0687409B2 - 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 - Google Patents

荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法

Info

Publication number
JPH0687409B2
JPH0687409B2 JP60242471A JP24247185A JPH0687409B2 JP H0687409 B2 JPH0687409 B2 JP H0687409B2 JP 60242471 A JP60242471 A JP 60242471A JP 24247185 A JP24247185 A JP 24247185A JP H0687409 B2 JPH0687409 B2 JP H0687409B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
objective lens
particle beam
charged particle
sample
analyzer
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP60242471A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62100936A (ja
Inventor
和夫 小柳
善美 村山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP60242471A priority Critical patent/JPH0687409B2/ja
Publication of JPS62100936A publication Critical patent/JPS62100936A/ja
Publication of JPH0687409B2 publication Critical patent/JPH0687409B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 イ.産業上の利用分野 本発明は電子線マイクロアナライザとか走査型電子顕微
鏡等の粒子線を用いる分析装置における試料汚染防止方
法に関する。
ロ.従来の技術 電子線マイクロアナライザ等で試料に電子線を当てて分
析を行う場合、真空容器内の残留ガスの吸着によって試
料表面が汚染されることがある。特に試料を低温にして
分析する場合、この吸着汚染が顕著になり、分析上の障
害になる。このような汚染を低減する方法として従来か
ら試料の近傍に試料より低温の物体を配置して汚染物質
を試料よりも先にその低温物体に吸着させてしまう、い
わゆるコールドトラップを配置する方法が用いられてい
る。第2図はそのコールドトラップの一例で、電子光学
系の対物レンズLの下に環状のコールドトラップCを対
物レンズLと同軸的に配置し、コールドトラップを支持
する腕棒を真空容器Vの外に引き出し、液体窒素タンク
Nに結合して、この腕棒を冷却し、熱伝導によってコー
ルドトラップCを冷却すると云う構成である。
上述したような構成で、試料から放射される分析情報線
のうちX線はコールドトラップC、対物レンズLの中心
孔を通って対物レンズの上からX線分光器に入射せしめ
られる。また他の分析情報線である2次電子は試料Sの
側方に配置された2次電子検出器Dに吸引される。この
2次電子の検出に当たってコールドトラップCは2次電
子の検出器Dに向かう径路内に位置することになるた
め、なるべく2次電子の検出を妨害しないよう、小さな
環形に作られることになる。
ハ.発明が解決しようとする問題点 上述したコールドトラップを用いる従来の汚染防止法は
2次電子の検出を妨害しないと云う要請から形状が制限
され、表面積が小さく、外部からの熱伝導による冷却で
あるから充分に冷却することが困難で、表面積不足,低
温不充分であるため、充分な汚染防止効果は得られなか
った。
本発明は簡単な構成で強力な汚染防止効果の得られる方
法を提供しようとするものである。
ニ.問題点解決のための手段 電子光学系の対物レンズに冷媒流通手段を設けて、冷媒
の液化ガスにより対物レンズのヨークを強制的に強冷却
し対物レンズ自身をコールドトラップとした。
ホ.作用 対物レンズは試料に近接して対向しており、試料対向面
は広い面積を持っている。汚染防止能力はトラップの吸
着能力によって決まり、吸着能力は面積が大きい程また
低温である程大きい。本発明の構成では対物レンズ自体
がコールドトラップとなるので面積は従来のコールドト
ラップに比し充分大であり、また対物レンズに冷媒流通
手段を設けて直接冷却するので容易に充分な低温が得ら
れ、しかも試料と対物レンズとの間に別の部材を配置す
るのではないから、2次電子検出に対して全く妨害作用
がない。
ヘ.実施例 第1図は本発明の一実施例を示す。図は電子光学系の対
物レンズだけを示し、Lが対物レンズで、1はそのヨー
ク、2は励磁巻線、4はヨークに設けられた磁気ギャッ
プである。Sは試料であって、Dは2次電子検出器、e
は電子光学系の光軸を示す。ヨーク1の周側内面には銅
管5が沿わせてあって、ヨーク1の内面にロー付けされ
ている。銅管5の両端はヨーク周側壁から外へ引き出さ
れ、一端が真空容器Vの外にある冷媒タンクNに接続さ
れている。冷媒タンクNには冷媒の液化ガスとして液体
窒素が入れてあり、調節弁Bを介して適量ずつ銅管5に
送出される。気化した窒素ガスは銅管5の他端から放出
される。Tはヨーク1に接触させた温度センサで、Mは
温度表示計であり、この温度表示が所望の温度を指すよ
うに手動的に調節弁を調節する。もちろんこの調節は自
動化してもよい。また冷媒は上例では液体窒素を直接用
いているが、本発明では冷媒効果が良いので、銅管5に
は液体窒素そのものでなく、液体窒素その他で冷却され
た他の冷媒を循環させるようにしても良い。
ト.効果 電子線マイクロアナライサ等の対物レンズ(他のレンズ
も同様)は励磁電流によって発熱するので、従来からそ
の温度上昇を抑えるため種々な方法が用いられている。
従って対物レンズを強制的に冷却することは対物レンズ
のレンズ機能上何等の支障もなく、本発明は試料の汚染
防止の効果を得ている上、対物レンズの冷却と云う通常
的な効果も得ている所に一つの特徴があり、対物レンズ
は試料に近接して大きな面積で対向しているので、試料
に対する位置関係から見てもコールドトラップとして最
適の物体であり、情報線検出を妨害することなく、高い
汚染防止効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部縦断側面図、第2図は
従来例の縦断側面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】荷電粒子線の対物レンズのヨークに冷媒流
    通手段を設け、この冷媒流通手段を冷媒用の液化ガス源
    に接続して、対物レンズを強制的に強冷却することによ
    り、前記対物レンズ自身をコールドトラップとして使用
    したことを特徴とする荷電粒子線を用いた分析装置の試
    料汚染防止方法。
JP60242471A 1985-10-28 1985-10-28 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 Expired - Lifetime JPH0687409B2 (ja)

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JPS62100936A JPS62100936A (ja) 1987-05-11
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08273585A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Nec Corp 二次イオン質量分析装置
WO2002001597A1 (en) 2000-06-27 2002-01-03 Ebara Corporation Charged particle beam inspection apparatus and method for fabricating device using that inspection apparatus
WO2002001596A1 (fr) 2000-06-27 2002-01-03 Ebara Corporation Appareil d'inspection d'un faisceau de particules charge et procede de production d'un dispositif utilisant cet appareil
KR100873447B1 (ko) 2000-07-27 2008-12-11 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 시트빔식 검사장치
WO2002037526A1 (en) * 2000-11-02 2002-05-10 Ebara Corporation Electron beam apparatus and method for manufacturing semiconductor device comprising the apparatus
WO2002049065A1 (en) * 2000-12-12 2002-06-20 Ebara Corporation Electron beam device and semiconductor device production method using the device
JP5097512B2 (ja) * 2006-11-21 2012-12-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置
JP5241273B2 (ja) * 2008-02-28 2013-07-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子装置および使用手法
JP5216389B2 (ja) * 2008-04-01 2013-06-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5981850A (ja) * 1982-11-02 1984-05-11 Internatl Precision Inc 電子レンズ

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