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JPH0685641A - Microwave switch - Google Patents

Microwave switch

Info

Publication number
JPH0685641A
JPH0685641A JP25735892A JP25735892A JPH0685641A JP H0685641 A JPH0685641 A JP H0685641A JP 25735892 A JP25735892 A JP 25735892A JP 25735892 A JP25735892 A JP 25735892A JP H0685641 A JPH0685641 A JP H0685641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
control
switch
circuit
fet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25735892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoyuki Miyata
智之 宮田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP25735892A priority Critical patent/JPH0685641A/en
Publication of JPH0685641A publication Critical patent/JPH0685641A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 MMIC化SPDTスイッチの制御の簡略化
を行う。 【構成】 SPDTスイッチの制御端子4,5の前段に
差動増幅回路等による対称制御電圧発生回路19を内蔵
する。 【効果】 単一電源でSPDTスイッチを制御すること
が可能となると共に、スイッチの制御回路の簡略化を図
ることができる。
(57) [Abstract] [Purpose] The control of the MMIC SPDT switch is simplified. [Structure] A symmetric control voltage generating circuit 19 including a differential amplifier circuit is built in before the control terminals 4 and 5 of the SPDT switch. [Effect] It becomes possible to control the SPDT switch with a single power source, and it is possible to simplify the control circuit of the switch.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波スイッチに
関し、特にMMIC(Microwave MonolithicIntegrated
Circuit)におけるSPDT(Single Pole,Double Thro
w) スイッチの構成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave switch, and more particularly to MMIC (Microwave Monolithic Integrated).
Circuit) SPDT (Single Pole, Double Thro
w) Concerning the switch configuration method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のSPDTスイッチの構成図を図4
に示す。SPDTスイッチは単一の入力端子への入力
を、2つの信号線路の出力端子のいずれかに切り換えて
出力するための高周波スイッチである。図4において、
1は単一の入力端子、2は第1の系路の出力端子,3は
第2の系路の出力端子、6は第1の信号線路をON,O
FFする第1系路スイッチFET、7は第1の系路の出
力を接地する第1系路接地FET、8は第2の信号系路
をON,OFFする第2系路スイッチFET、9は第2
系路の出力を接地するための第2系路接地FET、4は
第1のFET6のゲートに接続された第1の制御端子、
10はゲート抵抗、5は第2のFET8のゲートに接続
された第2の制御端子、11は接地である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a block diagram of a conventional SPDT switch.
Shown in. The SPDT switch is a high-frequency switch for switching the input to a single input terminal to either of the output terminals of two signal lines and outputting it. In FIG.
1 is a single input terminal, 2 is an output terminal of a first system path, 3 is an output terminal of a second system path, 6 is a first signal line ON, O
FF is the first system path switch FET, 7 is the first system ground FET that grounds the output of the first system path, 8 is the second system path switch FET that turns on and off the second signal system path, and 9 is Second
A second system grounded FET 4 for grounding the output of the system path, 4 is a first control terminal connected to the gate of the first FET 6,
Reference numeral 10 is a gate resistance, 5 is a second control terminal connected to the gate of the second FET 8, and 11 is a ground.

【0003】次に動作について説明する。MMICに用
いられるFETには、ノーマリオン形FETがよく用い
られる。ノーマリオン形FETは、ゲート端子に0Vが
印加されるとドレイン端子−ソース端子間が導通し、F
ETがON状態となる。ゲート端子にピンチオフ電圧V
p (例えば−5V)を印加するとドレイン端子−ソース
端子間は非導通となり、FETはOFF状態となる。
Next, the operation will be described. A normally-on type FET is often used as the FET used in the MMIC. In the normally-on type FET, when 0V is applied to the gate terminal, conduction is established between the drain terminal and the source terminal, and F
ET is turned on. Pinch-off voltage V to the gate terminal
When p (for example, -5 V) is applied, the drain terminal and the source terminal become non-conductive, and the FET is turned off.

【0004】図4の回路において、制御端子4に0V
を、制御端子5にVp を印加すると、第1系路スイッチ
FET6及び第2系路接地FET9がON状態となり、
第2系路スイッチFET8及び第1系路接地FET7が
OFF状態となるので、入力端子1と第1の出力端子2
との間が導通し、入力端子1と第2の出力端子3との間
が非導通となり、入力信号が第1の出力端子2に出力さ
れる。
In the circuit of FIG. 4, 0 V is applied to the control terminal 4.
When Vp is applied to the control terminal 5, the first path switch FET 6 and the second path ground FET 9 are turned on,
Since the second system road switch FET8 and the first system ground FET 7 are turned off, the input terminal 1 and the first output terminal 2
Is conducted, the input terminal 1 and the second output terminal 3 are non-conducted, and the input signal is output to the first output terminal 2.

【0005】次に、制御端子4にVp を、制御端子5に
0Vを印加すると、第1系路スイッチFET6及び第2
系路接地FET9がOFF状態となり、第1系路接地F
ET7及び第2系路スイッチFET8がON状態となる
ので、入力端子1と第2の出力端子3との間が導通し、
入力端子1と第1の出力端子2との間が非導通となり、
出力信号は第2の出力端子3に出力される。
Next, when Vp is applied to the control terminal 4 and 0 V is applied to the control terminal 5, the first system path switch FET 6 and the second
The system grounded FET 9 is turned off, and the first system grounded F
Since the ET7 and the second system switch FET8 are turned on, conduction is established between the input terminal 1 and the second output terminal 3,
There is non-conduction between the input terminal 1 and the first output terminal 2,
The output signal is output to the second output terminal 3.

【0006】以上のように、第1の制御端子4及び第2
の制御端子5に、お互いに対称に0V及びVp を印加す
ることによって、入力端子1に入力した高周波信号を、
第1の出力端子2と、第2の出力端子3のいずれかに切
り換えて出力することができる。
As described above, the first control terminal 4 and the second control terminal 4
By applying 0V and Vp symmetrically to the control terminal 5 of, the high frequency signal input to the input terminal 1 is
It is possible to output by switching to either the first output terminal 2 or the second output terminal 3.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のSPDTスイッ
チは以上のように構成されているので、スイッチを駆動
するためには、互いに対称な電圧を得ることのできる2
系統の制御電圧を必要としていた。
Since the conventional SPDT switch is constructed as described above, it is possible to obtain mutually symmetrical voltages in order to drive the switch.
The system control voltage was needed.

【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、対称な2系統の制御信号を必要
とせず、1系統の制御電圧で駆動することのできるマイ
クロ波用SPDTスイッチを得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and does not require symmetrical control signals of two systems, and can be driven by a control voltage of one system. Aim to get.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明に係るSPDT
スイッチは、一対の制御端子の前段に、入力制御信号か
ら正転,反転の一対の制御信号を作成する差動増幅回路
等の対称制御信号作成回路を内蔵したものである。
SOLUTION TO THE PROBLEMS The SPDT according to the present invention
The switch has a symmetrical control signal generating circuit such as a differential amplifier circuit that generates a pair of forward and reverse control signals from an input control signal in front of the pair of control terminals.

【0010】[0010]

【作用】この発明においては、SPDTスイッチでは、
制御端子4と制御端子5には互いに対称な電圧が印加さ
れることに着目し、対称制御信号作成回路により単一制
御電圧入力から対称な2系統の電圧を発生し、SPDT
スイッチの第1の制御端子4と第2の制御端子5とに印
加するから、単一制御電圧でSPDTスイッチを駆動す
ることができる。
In the present invention, in the SPDT switch,
Paying attention to the fact that symmetrical voltages are applied to the control terminal 4 and the control terminal 5, the symmetrical control signal generating circuit generates two symmetrical voltages from a single control voltage input,
Since it is applied to the first control terminal 4 and the second control terminal 5 of the switch, it is possible to drive the SPDT switch with a single control voltage.

【0011】[0011]

【実施例】実施例1.図1は本発明の一実施例によるS
PDTスイッチを示す。図1において、1ないし11は
従来例と同じものを示す。13,14は差動増幅回路1
9を構成する一対のFET、12は各FET13,14
のドレイン抵抗、15は両FET13,14のドレイン
電圧端子、16,17は上記両FET13,14のゲー
トに接続された差動構成のゲート電圧端子、18は接地
であり、19は差動増幅回路よりなる対称制御電圧作成
回路である。
EXAMPLES Example 1. FIG. 1 shows S according to an embodiment of the present invention.
3 shows a PDT switch. In FIG. 1, 1 to 11 are the same as those in the conventional example. 13 and 14 are differential amplifier circuits 1
A pair of FETs forming the 9, and 12 are the FETs 13 and 14
Drain resistance, 15 are drain voltage terminals of both FETs 13 and 14, 16 and 17 are gate voltage terminals of differential configuration connected to the gates of both FETs 13 and 14, 18 is ground, and 19 is a differential amplifier circuit. Is a symmetrical control voltage generating circuit.

【0012】次に動作について説明する。上記差動増幅
回路19において、ドレイン電圧端子15にVcc,ゲー
ト電圧端子16にV1 ,ゲート電圧端子17にV2 を印
加したとき、端子4及び端子5に発生する電圧をそれぞ
れV3 ,V4 とすると、各端子の電圧の関係は図2とな
る。
Next, the operation will be described. In the above differential amplifier circuit 19, when Vcc is applied to the drain voltage terminal 15, V1 is applied to the gate voltage terminal 16, and V2 is applied to the gate voltage terminal 17, the voltages generated at the terminals 4 and 5 are V3 and V4, respectively. The relationship between the voltages at the terminals is shown in FIG.

【0013】図2に示されるように、差動増幅回路はF
ET13及びFET14のゲート電圧の差(V1 −V2
)によって、端子4及び端子5の電圧が変化する。
今、V4=Vcc,V3 =0Vとなる(V1 −V2 )を+
V5 ,V4 =0V,V3 =Vccとなる電圧(V1 −V2
)を−V5 とする。端子16と端子17の間の電位差
を+V5 に設定すると端子4にVccが、端子5に0Vが
発生する。逆に、端子16と端子17の間の電位差を−
V5 に設定すると、端子4に0Vが、端子5にVccが発
生する。
As shown in FIG. 2, the differential amplifier circuit has an F
The difference in gate voltage between ET13 and FET14 (V1-V2
) Changes the voltage at terminals 4 and 5.
Now, V4 = Vcc and V3 = 0V (V1-V2) +
Voltages at which V5, V4 = 0V, V3 = Vcc (V1-V2
) Is -V5. When the potential difference between the terminals 16 and 17 is set to + V5, Vcc is generated at the terminal 4 and 0V is generated at the terminal 5. On the contrary, the potential difference between the terminals 16 and 17 is −
When set to V5, 0V is generated at terminal 4 and Vcc is generated at terminal 5.

【0014】よって、端子15に印加するVccをFET
6,7,8,9のピンチオフ電圧Vp に設定し、端子1
7を+V5 に固定し、端子16を0Vと2×(+V5 )
ことで切り換えると、端子4及び5には端子16の状態
によって0VもしくはVp が発生する。すなわち、端子
16への一つの電圧の制御によって、SPDTを駆動す
るのに必要な2種類の電圧を得ることができる。
Therefore, Vcc applied to the terminal 15 is changed to FET
Set to pinch-off voltage Vp of 6, 7, 8 and 9 and
7 is fixed to + V5, terminal 16 is 0V and 2x (+ V5)
Therefore, 0 V or Vp is generated at the terminals 4 and 5 depending on the state of the terminal 16. That is, by controlling one voltage applied to the terminal 16, two kinds of voltages required to drive the SPDT can be obtained.

【0015】従って、以上のように各端子の電圧を設定
し、1つの電圧の制御により対称な制御信号を出力端子
4,5に発生する差動増幅回路19を内蔵してSPDT
スイッチをMMICにより構成することにより、単一電
源で制御可能なSPDTスイッチを実現することができ
る。またこの際、このSPDTスイッチの制御端子を1
つに削減することができるので、制御電圧を発生させる
制御回路の構成を簡略化することができる効果もある。
Therefore, the SPDT is built in by incorporating the differential amplifier circuit 19 which sets the voltage of each terminal as described above and generates a symmetrical control signal at the output terminals 4 and 5 by controlling one voltage.
By configuring the switch with the MMIC, it is possible to realize an SPDT switch that can be controlled by a single power source. At this time, set the control terminal of this SPDT switch to 1
Since the number can be reduced, the structure of the control circuit for generating the control voltage can be simplified.

【0016】実施例2.図3は、本発明の第2の実施例
によるSPDTスイッチを示す。20はインバータ回
路、21は制御電圧入力端子、22は端子21への信号
より端子4,5に対称な制御信号を発生する対称制御電
圧発生回路である。本実施例のように、端子4,5の前
段にインバータ回路20を内蔵すると、端子21に0V
を印加した場合、端子4には0V,端子5にはVp が印
加される。逆に、端子21にVp を印加した場合、端子
4にはVp ,端子5には0Vが印加される。従って、単
一電源でSPDTスイッチを制御するのに必要な2系統
の電圧を得ることができ、単一電源で制御可能なSPD
Tスイッチが実現される。また制御電圧を発生する回路
の構成も非常に簡略化することができる。
Example 2. FIG. 3 shows an SPDT switch according to a second embodiment of the present invention. Reference numeral 20 is an inverter circuit, 21 is a control voltage input terminal, and 22 is a symmetrical control voltage generating circuit for generating a symmetrical control signal to the terminals 4 and 5 from a signal to the terminal 21. If the inverter circuit 20 is built in before the terminals 4 and 5 as in this embodiment, 0 V is applied to the terminal 21.
Is applied, 0 V is applied to the terminal 4 and Vp is applied to the terminal 5. Conversely, when Vp is applied to the terminal 21, Vp is applied to the terminal 4 and 0 V is applied to the terminal 5. Therefore, it is possible to obtain the two voltages required to control the SPDT switch with a single power source, and to control the SPD with a single power source.
A T-switch is realized. Also, the configuration of the circuit that generates the control voltage can be greatly simplified.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、MM
IC化SPDTスイッチにおいて、制御信号を入力する
回路に差動増幅回路等の対称な制御電圧を作成する回路
を内蔵したので、単一制御電圧入力で、スイッチング動
作をさせることが可能になる効果がある。また、SPD
Tスイッチの制御電圧を発生する制御回路の構成を簡略
化することができる利点をも有する。
As described above, according to the present invention, the MM
In the IC-based SPDT switch, a circuit for inputting a symmetrical control voltage such as a differential amplifier circuit is built in a circuit for inputting a control signal, so that a switching operation can be performed with a single control voltage input. is there. Also, SPD
There is also an advantage that the structure of the control circuit for generating the control voltage of the T switch can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例によるSPDTスイッチを示
す回路図。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an SPDT switch according to an embodiment of the present invention.

【図2】差動増幅回路による対称制御電圧発生回路の動
作を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing an operation of a symmetrical control voltage generating circuit using a differential amplifier circuit.

【図3】本発明の第2の実施例によるSPDTスイッチ
を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing an SPDT switch according to a second embodiment of the present invention.

【図4】従来のSPDTスイッチを示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional SPDT switch.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子 2 出力端子 3 出力端子 4 制御端子 5 制御端子 6 第1系路スイッチFET 7 第1系路接地FET 8 第2系路スイッチFET 9 第2系路接地FET 10 ゲート抵抗 11 接地 12 ドレイン抵抗 13 FET 14 FET 15 ドレイン電圧端子 16 ゲート電圧端子 17 ゲート電圧端子 18 接地 19 差動増幅回路による対称制御電圧発生回路 20 インバータ回路 21 制御電圧入力端子 22 対称制御電圧発生回路 1 Input Terminal 2 Output Terminal 3 Output Terminal 4 Control Terminal 5 Control Terminal 6 1st System Road Switch FET 7 1st System Road Ground FET 8 2nd System Road Switch FET 9 2nd System Road Ground FET 10 Gate Resistance 11 Grounding 12 Drain Resistance 13 FET 14 FET 15 Drain voltage terminal 16 Gate voltage terminal 17 Gate voltage terminal 18 Ground 19 Symmetrical control voltage generation circuit by differential amplifier circuit 20 Inverter circuit 21 Control voltage input terminal 22 Symmetrical control voltage generation circuit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 モノリシックマイクロ波集積回路(MM
IC)により構成されるSPDT(Single Pole, Doubl
e Throw )スイッチにおいて、 該SPDTスイッチの制御信号入力部に、制御信号入力
に対し、正転出力と反転出力とからなる対称な制御電圧
を発生する対称制御電圧発生回路を内蔵したことを特徴
とするマイクロ波スイッチ。
1. A monolithic microwave integrated circuit (MM)
SPDT (Single Pole, Doubl)
In the e Throw switch, the control signal input section of the SPDT switch has a built-in symmetric control voltage generation circuit for generating a symmetric control voltage composed of a normal output and an inverted output with respect to the control signal input. Microwave switch to do.
【請求項2】 上記対称制御電圧発生回路は、差動増幅
回路からなるものであることを特徴とする請求項1記載
のマイクロ波スイッチ。
2. The microwave switch according to claim 1, wherein the symmetrical control voltage generating circuit comprises a differential amplifier circuit.
【請求項3】 上記対称制御電圧発生回路は、インバー
タ回路を有してなるものであることを特徴とする請求項
1記載のマイクロ波スイッチ。
3. The microwave switch according to claim 1, wherein the symmetrical control voltage generating circuit has an inverter circuit.
JP25735892A 1992-08-31 1992-08-31 Microwave switch Pending JPH0685641A (en)

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