JPH0680643B2 - Etching method of silicon oxide film - Google Patents
Etching method of silicon oxide filmInfo
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- JPH0680643B2 JPH0680643B2 JP11261086A JP11261086A JPH0680643B2 JP H0680643 B2 JPH0680643 B2 JP H0680643B2 JP 11261086 A JP11261086 A JP 11261086A JP 11261086 A JP11261086 A JP 11261086A JP H0680643 B2 JPH0680643 B2 JP H0680643B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコン酸化膜のエッチング方法に係り、特
にシリコンおよびレジストとの高選択性エッチングに好
適なシリコン酸化膜のエッチング方法に関するものであ
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for etching a silicon oxide film, and more particularly to a method for etching a silicon oxide film suitable for highly selective etching with silicon and a resist. .
シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするに際
し、エッチングガスとしては、CHF3やCF4+H2混合ガス等
が用いられている。When etching the silicon oxide film with plasma, CHF 3 , CF 4 + H 2 mixed gas or the like is used as an etching gas.
なお、この種の技術に関連するものとしては、例えば、
ソリッド・ステート・エレクトロニクス,18巻（197
5），第1146頁から第1147頁（Solid State Electronic
s,Vol.18（1975）,PP1146-1147），特開昭50-36075号，
特開昭56-158873号等が挙げられる。In addition, as something related to this kind of technology, for example,
Solid State Electronics, Volume 18 (197
5), pp. 1146 to 1147 (Solid State Electronic
s, Vol.18 (1975), PP1146-1147), JP-A-50-36075,
JP-A-56-158873 and the like can be mentioned.
従来のCHF3やCF4+H2混合ガスをエッチングガスに用いた
シリコン酸化膜のエッチングでは、シリコンとの選択比
が10前後、レジストとの選択比は３前後であり、半導体
素子デバイスの信頼性や歩留りが低下する要因となって
いた。In the conventional etching of a silicon oxide film using CHF 3 or CF 4 + H 2 mixed gas as an etching gas, the selectivity ratio with silicon is around 10 and the selectivity ratio with resist is around 3, which shows the reliability of semiconductor device. This has been a factor that reduces the productivity and yield.
本発明の目的は、シリコン酸化膜のシリコンおよびレジ
ストとの高選択性エッチングを可能とすることで、半導
体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上できるシリコン
酸化膜のエッチング方法を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a method for etching a silicon oxide film, which enables highly selective etching of a silicon oxide film with respect to silicon and a resist, thereby improving the reliability and yield of semiconductor device devices.
上記目的は、シリコン酸化膜のエッチングガスとして、
CHF3とCH2F2とO2との混合ガス若しくはCHF3とCH3FとO2
との混合ガスを用いることにより、達成される。The above purpose is as an etching gas for the silicon oxide film,
CHF 3 and CH 2 F 2 and O 2 mixed gas or CHF 3 and CH 3 F and O 2
This is achieved by using a mixed gas of
シリコン酸化膜をエッチングする場合、シリコンおよび
レジストとの選択比を得るために、重合物を生成し易い
ガスをエッチングガスに用いるが、該エッチングガスが
CHF3単独ガスでは、その制御性に限界がある。そこで、
さらに重合物を生成し易いCH2F2若しくはCH3FをCHF3に
添加し、また、生成された重合物を除去するためにO2を
添加することで、シリコン酸化膜のシリコンおよびレジ
ストとの高選択性エッチングを行うことができる。When etching a silicon oxide film, a gas that easily forms a polymer is used as an etching gas in order to obtain a selection ratio between silicon and a resist.
CHF 3 alone gas has limited controllability. Therefore,
Furthermore, CH 2 F 2 or CH 3 F, which easily forms a polymer, is added to CHF 3 , and O 2 is added to remove the generated polymer, thereby forming a silicon oxide film silicon and a resist. Highly selective etching can be performed.
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。CHF3ガ
ス6,CH2F2若しくはCH3Fガス7,O2ガス８をそれぞれ、マ
スフローコントローラ２を介し、エッチングチャンバ１
に導入し、コンダクタンスバルブ３により圧力を調整
し、高周波電源４によりエッチングチャンバ１内にプラ
ズマを発生させエッチングを行う。第１図は平行平板型
バッチ式ドライエッチング装置を例としたが、その他の
ドライエッチング装置においても適用可能である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. CHF 3 gas 6, CH 2 F 2 or CH 3 F gas 7, O 2 gas 8 are respectively fed to the etching chamber 1 via the mass flow controller 2.
Then, the pressure is adjusted by the conductance valve 3, and plasma is generated in the etching chamber 1 by the high frequency power source 4 to perform etching. Although FIG. 1 illustrates the parallel plate type batch type dry etching apparatus as an example, it can be applied to other dry etching apparatuses.
発生したプラズマ中の種々のイオンの化学反応およびス
パッタ作用によりエッチングが進行すると同時に、Ｃ−
Ｈの結合により重合物が形成され、エッチングを阻止し
ようとする機能をもたし、そのバランスをCH2F2ガス７
とO2ガス８あるいはCH3Fガス７とO2ガス８の流量を調整
することにより、ウェハ５のシリコン酸化膜のエッチン
グにおいて、シリコンおよびレジストとの選択性が向上
する。At the same time as the etching proceeds due to the chemical reaction of various ions in the generated plasma and the sputtering action, C-
A polymer is formed by the bonding of H, and it has a function to prevent etching, and the balance is adjusted to CH 2 F 2 gas 7
By adjusting the flow rates of the O 2 gas and the O 2 gas 8 or the CH 3 F gas 7 and the O 2 gas 8, the selectivity between the silicon and the resist in the etching of the silicon oxide film on the wafer 5 is improved.
一例として、CHF3（流量：60SCCM）とCH2F2（流量：20
SCCM）とO2（流量：10SCCM）との混合ガスをエッチング
ガスに用い、また、第１図のエッチング装置を用いてシ
リコン酸化膜のエッチングを実施した結果、シリコンと
の選択比は約15、またレジストとの選択比は約５を得
た。As an example, CHF 3 (flow rate: 60 SCCM ) and CH 2 F 2 (flow rate: 20 SCMO )
The mixed gas of SCCM ) and O 2 (flow rate: 10 SCCM ) was used as the etching gas, and the silicon oxide film was etched using the etching apparatus shown in FIG. 1. As a result, the selectivity to silicon was about 15 The selection ratio with the resist was about 5.
本実施例では、例えば、シリコンとの選択比が約15、レ
ジストとの選択比が約５となり、シリコン酸化膜のシリ
コンおよびレジストとの高選択性エッチングを達成でき
るため、半導体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上さ
せることができる。In this embodiment, for example, the selection ratio with respect to silicon is about 15 and the selection ratio with the resist is about 5, and the highly selective etching of the silicon oxide film with respect to the silicon and the resist can be achieved. And the yield can be improved.
本発明によれば、シリコン酸化膜のプラズマによるエッ
チングでシリコンおよびレジストとの高選択性エッチン
グを達成できるので、半導体素子デバイスの信頼性や歩
留りを向上できるという効果がある。According to the present invention, since highly selective etching of silicon and resist can be achieved by etching the silicon oxide film with plasma, there is an effect that the reliability and yield of the semiconductor element device can be improved.
第１図は、本発明を実施した平行平板型バッチ式ドライ
エッチング装置の一例を示す装置構成図である。 １……エッチングチャンバ、２……マスフローコントロ
ーラ、３……コンダクタンスバルブ、４……高周波電
源、６……CHF3,7……CH2F2若しくはCH3F、８……O2 FIG. 1 is an apparatus configuration diagram showing an example of a parallel plate type batch type dry etching apparatus embodying the present invention. 1 ... Etching chamber, 2 ... Mass flow controller, 3 ... Conductance valve, 4 ... High frequency power supply, 6 ... CHF 3 , 7 ... CH 2 F 2 or CH 3 F, 8 ... O 2
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 仁昭 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 西海 正治 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭55−164077（ＪＰ，Ａ)Front page continuation (72) Inventor Yoshiaki Sato 794 Azuma Higashitoyo, Shimomatsu City, Yamaguchi Prefecture Inside the Kasado Plant, Hitachi, Ltd. Kasado Factory (56) References JP-A-55-164077 (JP, A)
Claims (1)
グする方法において、エッチングガスにCHF3とCH2F2とO
2との混合ガス若しくはCHF3とCH3FとO2との混合ガスを
用いることを特徴とするシリコン酸化膜のエッチング方
法。1. A method of etching a silicon oxide film with plasma, wherein CHF 3 , CH 2 F 2 and O are used as etching gases.
2. A method for etching a silicon oxide film, which uses a mixed gas of 2 or a mixed gas of CHF 3 , CH 3 F and O 2 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261086A JPH0680643B2 (en) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | Etching method of silicon oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261086A JPH0680643B2 (en) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | Etching method of silicon oxide film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269318A JPS62269318A (en) | 1987-11-21 |
| JPH0680643B2 true JPH0680643B2 (en) | 1994-10-12 |
Family
ID=14591039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11261086A Expired - Lifetime JPH0680643B2 (en) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | Etching method of silicon oxide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680643B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19707886C2 (en) * | 1997-02-27 | 2003-12-18 | Micronas Semiconductor Holding | Method for producing contact holes in a semiconductor device |
| US5965035A (en) * | 1997-10-23 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Self aligned contact etch using difluoromethane and trifluoromethane |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11261086A patent/JPH0680643B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62269318A (en) | 1987-11-21 |
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