JPH0661800A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
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- JPH0661800A JPH0661800A JP4214099A JP21409992A JPH0661800A JP H0661800 A JPH0661800 A JP H0661800A JP 4214099 A JP4214099 A JP 4214099A JP 21409992 A JP21409992 A JP 21409992A JP H0661800 A JPH0661800 A JP H0661800A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発振回路、特に差動回路をリング状に接続した
リングオシレータに関し、消費電力の増大を招くことな
く十分な出力振幅を得ることが可能な発振回路を実現す
ること。 【構成】コンデンサC1を介してエミッタが互いに接続
された第1、第2のトランジスタQ1,Q2と、該第
1、第2のトランジスタQ1,Q2のエミッタに接続さ
れた電流量可変の定電流源I1と、該第1、第2のトラ
ンジスタQ1,Q2のコレクタにそれぞれ接続された第
1、第2の負荷Rv1,Rv2とを有する差動回路1
と、該トランジスタQ1,Q2のコレクタ電圧を基とす
る該差動回路1の出力信号を発振出力として検出する検
出手段2と、該定電流源I1の制御により生じた電流の
減少に応じて該負荷Rv1,Rv2の抵抗値を増大させ
る制御手段3とを備え、該差動回路1の入力端子INに
入力した入力信号の反転出力信号を該入力端子INに帰
還させる。
リングオシレータに関し、消費電力の増大を招くことな
く十分な出力振幅を得ることが可能な発振回路を実現す
ること。 【構成】コンデンサC1を介してエミッタが互いに接続
された第1、第2のトランジスタQ1,Q2と、該第
1、第2のトランジスタQ1,Q2のエミッタに接続さ
れた電流量可変の定電流源I1と、該第1、第2のトラ
ンジスタQ1,Q2のコレクタにそれぞれ接続された第
1、第2の負荷Rv1,Rv2とを有する差動回路1
と、該トランジスタQ1,Q2のコレクタ電圧を基とす
る該差動回路1の出力信号を発振出力として検出する検
出手段2と、該定電流源I1の制御により生じた電流の
減少に応じて該負荷Rv1,Rv2の抵抗値を増大させ
る制御手段3とを備え、該差動回路1の入力端子INに
入力した入力信号の反転出力信号を該入力端子INに帰
還させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発振回路、特に差動回路
をリング状に接続したリングオシレータに関する。パソ
コンの動作には、一定のクロック周波数を発生する発振
回路が不可欠である。この発振回路には、従来水晶発振
器が用いられることが一般的であった。
をリング状に接続したリングオシレータに関する。パソ
コンの動作には、一定のクロック周波数を発生する発振
回路が不可欠である。この発振回路には、従来水晶発振
器が用いられることが一般的であった。
【0002】一方で近年は、ノート型パソコンのような
携帯型のパソコンが普及してきている。このようなパソ
コンでは、携帯型であるが故に消費電力の低減が大きな
課題となっている。この消費電力の低減を実現する一つ
の手段として、キーボードからの入力が一定時間無い場
合にクロック周波数を低下させることで消費電力の抑制
を図る技術が利用されている。この様な技術を利用する
場合、発振回路としては、発振周波数の変化が原理的に
不可能な水晶発振器よりも、VCO(Voltage Controll
edOscillator)の様に周波数の変化が可能な発振回路の
方が適当である。
携帯型のパソコンが普及してきている。このようなパソ
コンでは、携帯型であるが故に消費電力の低減が大きな
課題となっている。この消費電力の低減を実現する一つ
の手段として、キーボードからの入力が一定時間無い場
合にクロック周波数を低下させることで消費電力の抑制
を図る技術が利用されている。この様な技術を利用する
場合、発振回路としては、発振周波数の変化が原理的に
不可能な水晶発振器よりも、VCO(Voltage Controll
edOscillator)の様に周波数の変化が可能な発振回路の
方が適当である。
【0003】
【従来の技術】第7図は、VCOの一種であるリングオ
シレータ(Ring Oscillator )を示すブロック図であ
る。本図において、31は差動回路、32はレベルコン
バータ回路、34は増幅回路を示している。また第8図
は、差動回路31の具体例を示す回路図である。
シレータ(Ring Oscillator )を示すブロック図であ
る。本図において、31は差動回路、32はレベルコン
バータ回路、34は増幅回路を示している。また第8図
は、差動回路31の具体例を示す回路図である。
【0004】差動回路31は第一、第二の差動回路31
a、31bを接続して構成されており、ロジック的には
スルー回路を形成している。第一の差動回路31aは、
エミッタ間をコンデンサC1を介して接続したトランジ
スタQ1、Q2 、トランジスタQ1、Q2 のエミッタに
接続した定電流源I1、トランジスタQ1、Q2 のコレ
クタに接続した負荷抵抗からなっており、第二の差動回
路31bは、エミッタを相互接続したトランジスタQ
3、Q4、トランジスタQ3、Q4のエミッタに接続し
た定電流源I2、トランジスタQ3、Q4のコレクタに
接続した負荷抵抗R1、R2からなっている。
a、31bを接続して構成されており、ロジック的には
スルー回路を形成している。第一の差動回路31aは、
エミッタ間をコンデンサC1を介して接続したトランジ
スタQ1、Q2 、トランジスタQ1、Q2 のエミッタに
接続した定電流源I1、トランジスタQ1、Q2 のコレ
クタに接続した負荷抵抗からなっており、第二の差動回
路31bは、エミッタを相互接続したトランジスタQ
3、Q4、トランジスタQ3、Q4のエミッタに接続し
た定電流源I2、トランジスタQ3、Q4のコレクタに
接続した負荷抵抗R1、R2からなっている。
【0005】このリングオシレータは、差動回路31を
3段接続し、最終段の差動回路31の相補(反転)信号
を初段の差動回路31に帰還させたものである。この構
成によりこのリングオシレータは、各差動回路31間に
所定の振幅、周波数にて変化する信号を生成するもので
ある。そしてこの信号は、レベルコンバータ回路32に
よって取り出され、次段回路にあわせて出力振幅が変換
される。
3段接続し、最終段の差動回路31の相補(反転)信号
を初段の差動回路31に帰還させたものである。この構
成によりこのリングオシレータは、各差動回路31間に
所定の振幅、周波数にて変化する信号を生成するもので
ある。そしてこの信号は、レベルコンバータ回路32に
よって取り出され、次段回路にあわせて出力振幅が変換
される。
【0006】一方その周波数は、差動回路31の動作速
度によって実質的に制御することができる。すなわち差
動回路31を構成する第一の差動回路31aは、コンデ
ンサC1とトランジスタQ1、Q2のエミッタ抵抗とに
よるCR時定数を持っている。差動回路31の動作速度
はこの時定数に依存するため、この時定数を変化させる
ことにより差動回路31の動作速度を変化させることが
できる。差動回路31の動作速度を変化させることは各
差動回路31間に現れる信号の変化速度を変化させるこ
とになるため、結果として発振周波数を制御することが
できる。
度によって実質的に制御することができる。すなわち差
動回路31を構成する第一の差動回路31aは、コンデ
ンサC1とトランジスタQ1、Q2のエミッタ抵抗とに
よるCR時定数を持っている。差動回路31の動作速度
はこの時定数に依存するため、この時定数を変化させる
ことにより差動回路31の動作速度を変化させることが
できる。差動回路31の動作速度を変化させることは各
差動回路31間に現れる信号の変化速度を変化させるこ
とになるため、結果として発振周波数を制御することが
できる。
【0007】尚、定電流源I1に流れる電流を変化させ
ればトランジスタのエミッタ抵抗もそれに反比例して変
化するため、時定数の制御は定電流源I1の制御にて行
うことができる。例えば発振周波数を高くする場合は、
定電流源I1の制御により定電流源I1に流れる電流を
増加させる。するとそれに反比例してトランジスタのエ
ミッタ抵抗は減少し、CR時定数は小さくなる。この結
果差動回路31の動作速度は増加して、発振周波数は増
大する。
ればトランジスタのエミッタ抵抗もそれに反比例して変
化するため、時定数の制御は定電流源I1の制御にて行
うことができる。例えば発振周波数を高くする場合は、
定電流源I1の制御により定電流源I1に流れる電流を
増加させる。するとそれに反比例してトランジスタのエ
ミッタ抵抗は減少し、CR時定数は小さくなる。この結
果差動回路31の動作速度は増加して、発振周波数は増
大する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら発振周波
数を低下させることを考慮した場合、定電流源I1に流
れる電流を減少させることは必然的に出力振幅の低下を
招くことになる。例えばパソコンの通常動作時に8MH
zの周波数を発振し、無入力時に2MHzまで周波数を
低下させることを考えると、その出力振幅は200mV
〔p−p〕程度であったのが50mV〔p−p〕まで低
下する。この結果、低周波動作時の出力信号をレベルコ
ンバータ回路32にて検出することが困難になるという
問題が起きてしまった。
数を低下させることを考慮した場合、定電流源I1に流
れる電流を減少させることは必然的に出力振幅の低下を
招くことになる。例えばパソコンの通常動作時に8MH
zの周波数を発振し、無入力時に2MHzまで周波数を
低下させることを考えると、その出力振幅は200mV
〔p−p〕程度であったのが50mV〔p−p〕まで低
下する。この結果、低周波動作時の出力信号をレベルコ
ンバータ回路32にて検出することが困難になるという
問題が起きてしまった。
【0009】このため従来では、第4図に示すようにレ
ベルコンバータ回路32の前段に増幅回路34を介在さ
せ、振幅の低下した出力信号を増幅するようにしてい
る。この構造により、このリングオシレータは出力信号
の安定した検出を行うことができる。しかしながらこの
増幅回路34の存在は、新たな問題を発生させてしまっ
た。増幅回路の如き電力消費の大きな回路を各差動回路
31間に介在させることは、消費電力の大きな増大につ
ながるのである。ノート型パソコンへの適用などを考慮
すれば低消費電力化が不可欠である本回路において、こ
の消費電力の増大は大きな問題であった。
ベルコンバータ回路32の前段に増幅回路34を介在さ
せ、振幅の低下した出力信号を増幅するようにしてい
る。この構造により、このリングオシレータは出力信号
の安定した検出を行うことができる。しかしながらこの
増幅回路34の存在は、新たな問題を発生させてしまっ
た。増幅回路の如き電力消費の大きな回路を各差動回路
31間に介在させることは、消費電力の大きな増大につ
ながるのである。ノート型パソコンへの適用などを考慮
すれば低消費電力化が不可欠である本回路において、こ
の消費電力の増大は大きな問題であった。
【0010】本発明は、消費電力の増大を招くことなく
十分な出力振幅を得ることが可能な発振回路を提供する
ことを目的とする。
十分な出力振幅を得ることが可能な発振回路を提供する
ことを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題はコンデンサを
介してエミッタが互いに接続された第1、第2のトラン
ジスタと、該第1、第2のトランジスタのエミッタに接
続された電流量可変の定電流源と、該第1、第2のトラ
ンジスタのコレクタにそれぞれ接続された第1、第2の
負荷とを有する差動回路と、該トランジスタのコレクタ
電圧を基とする該差動回路の出力信号を発振出力として
検出する検出手段と、該定電流源の制御により生じた電
流の減少に応じて該負荷の抵抗値を増大させる制御手段
とを備え、該差動回路の入力端子に入力した入力信号の
反転出力信号を該入力端子に帰還させた発振回路によっ
て達成される。
介してエミッタが互いに接続された第1、第2のトラン
ジスタと、該第1、第2のトランジスタのエミッタに接
続された電流量可変の定電流源と、該第1、第2のトラ
ンジスタのコレクタにそれぞれ接続された第1、第2の
負荷とを有する差動回路と、該トランジスタのコレクタ
電圧を基とする該差動回路の出力信号を発振出力として
検出する検出手段と、該定電流源の制御により生じた電
流の減少に応じて該負荷の抵抗値を増大させる制御手段
とを備え、該差動回路の入力端子に入力した入力信号の
反転出力信号を該入力端子に帰還させた発振回路によっ
て達成される。
【0012】
【作用】第1図は本発明の基本原理図であり、(a)は
そのブロック図を、(b)はその差動回路を示してい
る。図中1は差動回路、2は検出手段、3は負荷制御手
段である。 本発明では、発振周波数を低下させるため
に定電流源I1に流れる電流を減少させると、それに応
じて負荷Rv1、Rv2の抵抗値が増大するように負荷
制御手段3が動作する。このため負荷Rv1、Rv2に
流れる電流自体は減少しても、一定の出力振幅を得るこ
とが可能となる。
そのブロック図を、(b)はその差動回路を示してい
る。図中1は差動回路、2は検出手段、3は負荷制御手
段である。 本発明では、発振周波数を低下させるため
に定電流源I1に流れる電流を減少させると、それに応
じて負荷Rv1、Rv2の抵抗値が増大するように負荷
制御手段3が動作する。このため負荷Rv1、Rv2に
流れる電流自体は減少しても、一定の出力振幅を得るこ
とが可能となる。
【0013】また負荷Rv1、Rv2としてはMIS型
トランジスタを適用し、そのゲート電圧を制御すること
によりその抵抗値を制御することが望ましい。またその
制御手段としてはオペアンプを用い、定電流源I1に流
れる電流の減少を検知してその出力電圧を変化させるよ
うにすることが望ましい。
トランジスタを適用し、そのゲート電圧を制御すること
によりその抵抗値を制御することが望ましい。またその
制御手段としてはオペアンプを用い、定電流源I1に流
れる電流の減少を検知してその出力電圧を変化させるよ
うにすることが望ましい。
【0014】
【実施例】第2図は本発明の第1の実施例を示すブロッ
ク図であり、本発明の発振回路であるリングオシレータ
を示している。また第3図はその要部回路図である。図
中11は差動回路、12はレベルコンバータ回路、13
は負荷制御回路である。本発明の差動回路11は、第1
の差動回路11aと第2の差動回路11bとから構成さ
れている。第1の差動回路11aは第1、第2のトラン
ジスタQ1、Q2を有しており、そのエミッタはコンデ
ンサC1を介して互いに接続されている。さらにそのエ
ミッタには、トランジスタに流れる電流を制御するため
の定電流源I1が接続され、コレクタには負荷となるP
型MOSトランジスタM2、M3が接続されている。
ク図であり、本発明の発振回路であるリングオシレータ
を示している。また第3図はその要部回路図である。図
中11は差動回路、12はレベルコンバータ回路、13
は負荷制御回路である。本発明の差動回路11は、第1
の差動回路11aと第2の差動回路11bとから構成さ
れている。第1の差動回路11aは第1、第2のトラン
ジスタQ1、Q2を有しており、そのエミッタはコンデ
ンサC1を介して互いに接続されている。さらにそのエ
ミッタには、トランジスタに流れる電流を制御するため
の定電流源I1が接続され、コレクタには負荷となるP
型MOSトランジスタM2、M3が接続されている。
【0015】第2の差動回路11bは、通常のECL回
路から構成されており、エミッタが接続されたトランジ
スタQ3、Q4と、そのエミッタに共通に接続された定
電流源I3と、そのコレクタにそれぞれ接続された負荷
抵抗R3、R4とを有している。差動回路11の入力端
子IN+、IN−は、第1の差動回路11aのトランジ
スタQ1、Q2のベースにそれぞれ接続され、トランジ
スタQ1、Q2のコレクタは、第2の差動回路のトラン
ジスタQ4、Q3のベースにそれぞれ接続されている。
そしてトランジスタQ4、Q3のコレクタは、出力端子
OUT+、OUT−に接続される。この構成によりこの
差動回路11は、ロジック的にはスルー回路として動作
する。
路から構成されており、エミッタが接続されたトランジ
スタQ3、Q4と、そのエミッタに共通に接続された定
電流源I3と、そのコレクタにそれぞれ接続された負荷
抵抗R3、R4とを有している。差動回路11の入力端
子IN+、IN−は、第1の差動回路11aのトランジ
スタQ1、Q2のベースにそれぞれ接続され、トランジ
スタQ1、Q2のコレクタは、第2の差動回路のトラン
ジスタQ4、Q3のベースにそれぞれ接続されている。
そしてトランジスタQ4、Q3のコレクタは、出力端子
OUT+、OUT−に接続される。この構成によりこの
差動回路11は、ロジック的にはスルー回路として動作
する。
【0016】負荷制御回路13は1つのオペアンプOP
を有しており、その「−」端子には定電流源I2にて流
れる電流が制御された抵抗R1が接続し、その「+」端
子には定電流源I1にて流れる電流が制御されたP型M
OSトランジスタM1が負荷として接続されている。そ
して負荷トランジスタM1及び、前述の差動回路11に
おける負荷トランジスタM2、M3のゲートには、オペ
アンプOPの出力電圧が供給される。
を有しており、その「−」端子には定電流源I2にて流
れる電流が制御された抵抗R1が接続し、その「+」端
子には定電流源I1にて流れる電流が制御されたP型M
OSトランジスタM1が負荷として接続されている。そ
して負荷トランジスタM1及び、前述の差動回路11に
おける負荷トランジスタM2、M3のゲートには、オペ
アンプOPの出力電圧が供給される。
【0017】本発明のリングオシレータは、第2図に示
すように上述の差動回路11を3段接続した構成となっ
ている。そして最終段の差動回路11の出力端子OUT
+を初段の入力端子IN−へ、同じく差動回路11の出
力端子OUT−を初段の入力端子IN+へ接続してい
る。次に本実施例のリングオシレータの動作について説
明する。
すように上述の差動回路11を3段接続した構成となっ
ている。そして最終段の差動回路11の出力端子OUT
+を初段の入力端子IN−へ、同じく差動回路11の出
力端子OUT−を初段の入力端子IN+へ接続してい
る。次に本実施例のリングオシレータの動作について説
明する。
【0018】上述したように、本実施例の差動回路11
自体はスルー動作を行う。しかしながら最終段の出力端
子OUT+が第1段の入力端子IN−へ、同じく出力端
子OUT−が第1段の入力端子IN+へ接続されている
ために、結果として差動回路11の入力端子にはその反
転信号が常に入力されることとなる。このため本実施例
のリングオシレータは、所定の周波数にて発振すること
になる。更にこの出力信号は、レベルコンバータ回路1
2によって外部へ取り出され、次段回路のレベルにあわ
せてその振幅が変換されることになる。
自体はスルー動作を行う。しかしながら最終段の出力端
子OUT+が第1段の入力端子IN−へ、同じく出力端
子OUT−が第1段の入力端子IN+へ接続されている
ために、結果として差動回路11の入力端子にはその反
転信号が常に入力されることとなる。このため本実施例
のリングオシレータは、所定の周波数にて発振すること
になる。更にこの出力信号は、レベルコンバータ回路1
2によって外部へ取り出され、次段回路のレベルにあわ
せてその振幅が変換されることになる。
【0019】この発振周波数を低下させる場合には、各
差動回路11の定電流源I1を制御して、定電流源I1
に流れる電流を減少させる。この結果、電流の減少に反
比例してトランジスタQ1、Q2のエミッタ抵抗は増大
し、エミッタ抵抗とコンデンサC1とで構成されるCR
時定数が増大して差動回路11の動作速度が低下し、発
振周波数が低下する。例えば流れる電流を20μAから
5μA程度まで減少させると、発振周波数は8MHzか
ら2MHz程度まで低下する。
差動回路11の定電流源I1を制御して、定電流源I1
に流れる電流を減少させる。この結果、電流の減少に反
比例してトランジスタQ1、Q2のエミッタ抵抗は増大
し、エミッタ抵抗とコンデンサC1とで構成されるCR
時定数が増大して差動回路11の動作速度が低下し、発
振周波数が低下する。例えば流れる電流を20μAから
5μA程度まで減少させると、発振周波数は8MHzか
ら2MHz程度まで低下する。
【0020】しかしながら電流の減少に伴い、トランジ
スタQ1、Q2のコレクタ電位が上昇し、出力振幅が低
下することが予想される。そこで本実施例では、トラン
ジスタQ1、Q2のコレクタに接続される負荷をP型M
OSトランジスタM2、M3にて構成し、そのゲートを
負荷制御回路13にて制御するようにしている。オペア
ンプOPの「+」端子に接続するトランジスタM1に流
れる電流は、例えば差動回路11における定電流源と同
一の定電流源I1にて制御されており、差動回路11に
流れる電流とリンクして同様に制御される。
スタQ1、Q2のコレクタ電位が上昇し、出力振幅が低
下することが予想される。そこで本実施例では、トラン
ジスタQ1、Q2のコレクタに接続される負荷をP型M
OSトランジスタM2、M3にて構成し、そのゲートを
負荷制御回路13にて制御するようにしている。オペア
ンプOPの「+」端子に接続するトランジスタM1に流
れる電流は、例えば差動回路11における定電流源と同
一の定電流源I1にて制御されており、差動回路11に
流れる電流とリンクして同様に制御される。
【0021】発振周波数低下のため定電流源I1の制御
によりトランジスタM2、M3に流れる電流と共にトラ
ンジスタM1に流れる電流を減少させると、トランジス
タQ1、Q2のコレクタ電位と共にオペアンプOPの
「+」端子の電位も上昇する。この結果、オペアンプO
Pの出力電圧は増大してトランジスタM1、M2、M3
のゲート電圧が高くなり、トランジスタM1、M2、M
3の抵抗値は増大する。従って発振周波数を低下させる
とトランジスタM2、M3に流れる電流自体は減少する
ものの、トランジスタM2、M3の抵抗は逆に高くなる
ため、結果的にトランジスタQ1、Q2のコレクタ電
位、すなわち差動回路11の出力振幅を確保することが
可能となる。
によりトランジスタM2、M3に流れる電流と共にトラ
ンジスタM1に流れる電流を減少させると、トランジス
タQ1、Q2のコレクタ電位と共にオペアンプOPの
「+」端子の電位も上昇する。この結果、オペアンプO
Pの出力電圧は増大してトランジスタM1、M2、M3
のゲート電圧が高くなり、トランジスタM1、M2、M
3の抵抗値は増大する。従って発振周波数を低下させる
とトランジスタM2、M3に流れる電流自体は減少する
ものの、トランジスタM2、M3の抵抗は逆に高くなる
ため、結果的にトランジスタQ1、Q2のコレクタ電
位、すなわち差動回路11の出力振幅を確保することが
可能となる。
【0022】例えば本実施例では、トランジスタM2、
M3に流れる電流を20μAから5μA程度まで減少さ
せることにより発振周波数を8MHzから2MHz程度
まで低下させることができる。しかしながらこのままで
は、その出力振幅は200mV〔p−p〕程度から50
mV〔p−p〕程度まで低下する。このため負荷制御回
路10によりトランジスタM2、M3のゲート電圧を
0.3V程度増加させ、トランジスタM2、M3の抵抗
値をその4倍程度まで増加させるのである。
M3に流れる電流を20μAから5μA程度まで減少さ
せることにより発振周波数を8MHzから2MHz程度
まで低下させることができる。しかしながらこのままで
は、その出力振幅は200mV〔p−p〕程度から50
mV〔p−p〕程度まで低下する。このため負荷制御回
路10によりトランジスタM2、M3のゲート電圧を
0.3V程度増加させ、トランジスタM2、M3の抵抗
値をその4倍程度まで増加させるのである。
【0023】このときオペアンプOPの「+」端子に接
続する負荷トランジスタM1は、原理的には通常の抵抗
でも構わない。しかしながら通常の抵抗を用いると、抵
抗に流れる電流を定電流源I1にて減少させたとき、オ
ペアンプOPの出力電圧が高くなり過ぎる場合がある。
この場合、この過大な電圧増加を引き下げる手段はな
く、抵抗値は増加したままとなってしまう。このため本
実施例では、オペアンプOPの「+」端子に対する負荷
としてトランジスタM1を用いている。すなわちトラン
ジスタM1に流れる電流を減少させたときにオペアンプ
OPの出力電圧が高くなり過ぎると、その過大な電圧は
トランジスタM1のゲートに供給されるため、トランジ
スタM1の抵抗もそれに応じて高くなり、オペアンプO
Pの「+」端子の電位を再度引き下げるのである。この
フィードバック動作により、オペアンプOPの出力電位
を一定値に安定させることが可能となる。
続する負荷トランジスタM1は、原理的には通常の抵抗
でも構わない。しかしながら通常の抵抗を用いると、抵
抗に流れる電流を定電流源I1にて減少させたとき、オ
ペアンプOPの出力電圧が高くなり過ぎる場合がある。
この場合、この過大な電圧増加を引き下げる手段はな
く、抵抗値は増加したままとなってしまう。このため本
実施例では、オペアンプOPの「+」端子に対する負荷
としてトランジスタM1を用いている。すなわちトラン
ジスタM1に流れる電流を減少させたときにオペアンプ
OPの出力電圧が高くなり過ぎると、その過大な電圧は
トランジスタM1のゲートに供給されるため、トランジ
スタM1の抵抗もそれに応じて高くなり、オペアンプO
Pの「+」端子の電位を再度引き下げるのである。この
フィードバック動作により、オペアンプOPの出力電位
を一定値に安定させることが可能となる。
【0024】また、差動回路11の負荷として本実施例
の如くMOSトランジスタを用いると、別の効果を得る
こともできる。第9図は従来の他の問題点を示す説明図
である。通常抵抗は、半導体層内に拡散領域として形成
される。この場合抵抗領域はPN接合にて分離されるこ
とになるが、このPN接合には当然ながら同図に示すよ
うに接合容量が形成される。この接合容量は、差動回路
の動作速度を必要以上に低下させることになってしまう
のである。この動作速度の低下を防ぐためには印加電圧
の増大が必要となり、新たな電力消費を招いてしまうの
である。特にこの問題は、抵抗値を大きくした場合、す
なわち出力振幅を大きく保ちたい場合に顕著となる。
の如くMOSトランジスタを用いると、別の効果を得る
こともできる。第9図は従来の他の問題点を示す説明図
である。通常抵抗は、半導体層内に拡散領域として形成
される。この場合抵抗領域はPN接合にて分離されるこ
とになるが、このPN接合には当然ながら同図に示すよ
うに接合容量が形成される。この接合容量は、差動回路
の動作速度を必要以上に低下させることになってしまう
のである。この動作速度の低下を防ぐためには印加電圧
の増大が必要となり、新たな電力消費を招いてしまうの
である。特にこの問題は、抵抗値を大きくした場合、す
なわち出力振幅を大きく保ちたい場合に顕著となる。
【0025】一方本実施例では負荷としてMOSトラン
ジスタを用いているために、抵抗値の高い場合でもその
面積は小さく保つことができ、接合容量を抑制すること
が可能である。ところで本実施例において、差動回路1
1の出力振幅をどの程度で保つかは負荷トランジスタの
ゲートに印加するゲート電圧で規定される。
ジスタを用いているために、抵抗値の高い場合でもその
面積は小さく保つことができ、接合容量を抑制すること
が可能である。ところで本実施例において、差動回路1
1の出力振幅をどの程度で保つかは負荷トランジスタの
ゲートに印加するゲート電圧で規定される。
【0026】第4図は負荷トランジスタの動作領域を示
す図である。負荷トランジスタの動作領域は、大きく分
けて「抵抗領域」、「定電流領域」、抵抗領域から定電
流領域への「遷移領域」が存在する。同図に示すよう
に、負荷トランジスタに流れる電流が一定であってもゲ
ート電圧によってどの領域も選択することが可能であ
る。
す図である。負荷トランジスタの動作領域は、大きく分
けて「抵抗領域」、「定電流領域」、抵抗領域から定電
流領域への「遷移領域」が存在する。同図に示すよう
に、負荷トランジスタに流れる電流が一定であってもゲ
ート電圧によってどの領域も選択することが可能であ
る。
【0027】この中で実際に負荷として使用できるのは
抵抗領域と遷移領域であるが、抵抗領域よりも遷移領域
の方が抵抗値が高いため、遷移領域を選択すればより大
きな振幅を得ることが可能である。しかしながらこの領
域は、遷移点であるが故に出力信号の歪みが大きい。従
って遷移領域の使用は、パソコンのクロックの如きデジ
タル的な利用をする限りは問題はないが、アナログ的な
利用をする際には多少振幅は小さくなるものの、遷移領
域よりは抵抗領域を使用したほうが得策である。具体的
には、遷移領域を使用する際にはゲート電圧をVcc−
1〜1.5V程度、抵抗領域を使用する際にはゲート電
圧を1/2・Vcc程度とするのが望ましい。
抵抗領域と遷移領域であるが、抵抗領域よりも遷移領域
の方が抵抗値が高いため、遷移領域を選択すればより大
きな振幅を得ることが可能である。しかしながらこの領
域は、遷移点であるが故に出力信号の歪みが大きい。従
って遷移領域の使用は、パソコンのクロックの如きデジ
タル的な利用をする限りは問題はないが、アナログ的な
利用をする際には多少振幅は小さくなるものの、遷移領
域よりは抵抗領域を使用したほうが得策である。具体的
には、遷移領域を使用する際にはゲート電圧をVcc−
1〜1.5V程度、抵抗領域を使用する際にはゲート電
圧を1/2・Vcc程度とするのが望ましい。
【0028】次に、第5図は本発明の第二の実施例を示
すブロック図であり、第6図はその要部回路図である。
図中21は差動回路、22はレベルコンバータ回路、2
3は負荷制御回路である。本実施例の差動回路21は、
第一、第二の差動回路21a、21b自体は前述の第一
の実施例における第一、第二の差動回路11a、11b
と同一である。しかしながらトランジスタQ1、Q2の
コレクタは、第2の差動回路21bのトランジスタQ
3、Q4のベースにそれぞれ接続されており、差動回路
21はインバータ回路を形成している。
すブロック図であり、第6図はその要部回路図である。
図中21は差動回路、22はレベルコンバータ回路、2
3は負荷制御回路である。本実施例の差動回路21は、
第一、第二の差動回路21a、21b自体は前述の第一
の実施例における第一、第二の差動回路11a、11b
と同一である。しかしながらトランジスタQ1、Q2の
コレクタは、第2の差動回路21bのトランジスタQ
3、Q4のベースにそれぞれ接続されており、差動回路
21はインバータ回路を形成している。
【0029】そして本実施例のリングオシレータは、上
述のインバータ回路を奇数段直列に接続して構成され
る。このとき最終段のインバータの出力端子OUT+は
第1段の入力端子IN+へ、同じく差動回路の出力端子
OUT−を第1段の入力端子IN−へ接続される。次に
本実施例の動作について説明する。
述のインバータ回路を奇数段直列に接続して構成され
る。このとき最終段のインバータの出力端子OUT+は
第1段の入力端子IN+へ、同じく差動回路の出力端子
OUT−を第1段の入力端子IN−へ接続される。次に
本実施例の動作について説明する。
【0030】上述したように、本実施例の差動回路21
自体はインバータ動作を行う。そしてこのインバータ回
路が奇数段接続されていることにより、結果として差動
回路21の入力端子にはその反転信号が常に入力される
こととなる。このため本実施例のリングオシレータは、
所定の周波数にて発振する。尚、差動回路21及び負荷
制御回路23の動作は前述の第一の実施例と同様であ
る。
自体はインバータ動作を行う。そしてこのインバータ回
路が奇数段接続されていることにより、結果として差動
回路21の入力端子にはその反転信号が常に入力される
こととなる。このため本実施例のリングオシレータは、
所定の周波数にて発振する。尚、差動回路21及び負荷
制御回路23の動作は前述の第一の実施例と同様であ
る。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
振周波数を低下させても出力振幅が低下しないため、増
幅回路を用いる必要がない。このため本発明では、消費
電力の抑制はもちろん、チップ面積の増大を防止するこ
とが可能である。
振周波数を低下させても出力振幅が低下しないため、増
幅回路を用いる必要がない。このため本発明では、消費
電力の抑制はもちろん、チップ面積の増大を防止するこ
とが可能である。
【図1】本発明の基本原理図であり、(a)はブロック
図、(b)は差動回路を示している。
図、(b)は差動回路を示している。
【図2】本発明の第一の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図3】図2の要部回路図を示している。
【図4】本発明に用いる負荷トランジスタの動作領域を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図5】本発明の第二の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図6】図5の要部回路図を示している。
【図7】従来のリングオシレータを示すブロック図であ
る。
る。
【図8】従来の差動回路を示している。
【図9】従来の他の問題点を説明するための図である。
1,11,21,31 差動回路 2 検出手段 12,22,32 レベルコンバータ回路 3 負荷制御手段 13,23 負荷制御回路 34 増幅回路
Claims (4)
- 【請求項1】 コンデンサを介してエミッタが互いに接
続された第1、第2のトランジスタと、該第1、第2の
トランジスタのエミッタに接続された電流量可変の定電
流源と、該第1、第2のトランジスタのコレクタにそれ
ぞれ接続された第1、第2の負荷とを有する差動回路
と、 該トランジスタのコレクタ電圧を基とする該差動回路の
出力信号を発振出力として検出する検出手段と、 該定電流源の制御により生じた電流の減少に応じて該負
荷の抵抗値を増大させる制御手段とを備え、 該差動回路の入力端子に入力した入力信号の反転出力信
号を該入力端子に帰還させたことを特徴とする発振回
路。 - 【請求項2】 前記第1、第2の負荷はMIS型トラン
ジスタであり、前記制御手段は該トランジスタのゲート
電圧を制御することを特徴とする請求項1記載の発振回
路。 - 【請求項3】 前記制御手段は、所定の電圧が印加され
る第一の入力端子と、前記定電流源に流れる電流の減少
に応じて印加電圧が高くなる第二の入力端子とを有する
オペアンプを備え、該オペアンプの出力端子は前記負荷
であるMIS型トランジスタのゲートに接続されたこと
を特徴とする請求項2記載の発振回路。 - 【請求項4】 前記オペアンプの第二の入力端子には、
前記定電流源と同様に制御された定電流源によって流れ
る電流が制御されたMIS型トランジスタが接続され、
該MIS型トランジスタのゲートには該オペアンプの出
力端子が接続されたことを特徴とする請求項3記載の発
振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214099A JPH0661800A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214099A JPH0661800A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661800A true JPH0661800A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16650212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4214099A Withdrawn JPH0661800A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555035B2 (en) | 2000-03-21 | 2003-04-29 | Toshiba Machine Co., Ltd. | Method for injection molding |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP4214099A patent/JPH0661800A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555035B2 (en) | 2000-03-21 | 2003-04-29 | Toshiba Machine Co., Ltd. | Method for injection molding |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |