JPH0659025B2 - Transistor protection circuit - Google Patents
Transistor protection circuitInfo
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- JPH0659025B2 JPH0659025B2 JP60202843A JP20284385A JPH0659025B2 JP H0659025 B2 JPH0659025 B2 JP H0659025B2 JP 60202843 A JP60202843 A JP 60202843A JP 20284385 A JP20284385 A JP 20284385A JP H0659025 B2 JPH0659025 B2 JP H0659025B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、トランジスタを異常電流による破壊から保
護するトランジスタの保護回路に係り、特に、トランジ
スタの二次降伏破壊からの保護に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transistor protection circuit that protects a transistor from damage due to an abnormal current, and more particularly to protection from a secondary breakdown breakdown of the transistor.
第３図に示すトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧
ＶCE−コレクタ電流ＩC 特性において、電圧降伏（一次
降伏：ａ領域）後、さらに電圧を増加させると、電圧、
電流点で低抵抗領域（ｂ領域）へ移行する現象（二次降
伏）が生じる（佐藤、吉田著「ＩＣトランジスタ回路の
信頼性設計」日刊工業新聞社発行Ｐ96〜Ｐ115 に記
載）。In the collector-emitter voltage V CE -collector current I C characteristic of the transistor shown in FIG. 3, when the voltage is further increased after the voltage breakdown (primary breakdown: a region), the voltage becomes
The phenomenon (secondary breakdown) of shifting to the low resistance region (region b) at the current point occurs (described in "Reliability design of IC transistor circuit" by Sato and Yoshida, published by Nikkan Kogyo Shimbun, Ltd., P96 to P115).
二次降伏現象は、トランジスタの一部が何等かの原因に
よって他の部分より温度が上昇すると、その部分に流れ
る電流が増加し、その結果、その部分の電力損失が増加
し、累積的に温度が上昇する。このような現象が持続的
に繰り返されると、局部的に高い温度の領域(hot spot)
ができ、トランジスタが破壊されることになる。なお、
第３図において、ＩC1は一次降伏以前のコレクタ電流、
ＩC2は二次降伏以後のコレクタ電流を示す。The secondary breakdown phenomenon is that when the temperature of one part of a transistor rises above that of another part for some reason, the current flowing through that part increases, resulting in an increase in the power loss of that part and the cumulative temperature rise. Rises. If such a phenomenon is continuously repeated, locally high temperature areas (hot spots)
Can occur and the transistor will be destroyed. In addition,
In FIG. 3, I C1 is the collector current before primary breakdown,
I C2 represents the collector current after the secondary breakdown.
そこで、トランジスタの安全動作領域を測定する場合、
第４図に示すように、トランジスタ２のコレクタ・エミ
ッタ間に可変直流電源４を、エミッタ抵抗６、トランジ
スタ２の保護回路としてスイッチ８および異常電流検出
回路（Ｄ）１０を直列に接続して行っている。そして、
可変直流電源４を可変して任意の電圧ＶCCを印加した場
合に、入力端子１２、１４間にパルス電圧Ｖｉを印加す
るとともに、出力端子１６、１８間に発生するトランジ
スタ２のコレクタ・エミッタ間電圧ＶCEを測定して安全
動作領域を判定する。この場合、異常電流検出回路１０
は、第３図の二次降伏に至る異常点ｃの電流を検出し、
その検出結果によってスイッチ８を開くことにより、ト
ランジスタ２に流れる異常電流を遮断し、トランジスタ
２を二次降伏による破壊から保護している。Therefore, when measuring the safe operating area of a transistor,
As shown in FIG. 4, a variable DC power supply 4 is connected between the collector and the emitter of the transistor 2, an emitter resistor 6, a switch 8 as a protection circuit for the transistor 2 and an abnormal current detection circuit (D) 10 are connected in series. ing. And
When the variable DC power supply 4 is varied and an arbitrary voltage V CC is applied, the pulse voltage V i is applied between the input terminals 12 and 14, and the collector / emitter of the transistor 2 generated between the output terminals 16 and 18 is generated. The inter-voltage V CE is measured to determine the safe operating area. In this case, the abnormal current detection circuit 10
Detects the current at the abnormal point c leading to the secondary breakdown in FIG.
By opening the switch 8 according to the detection result, the abnormal current flowing in the transistor 2 is cut off, and the transistor 2 is protected from damage due to secondary breakdown.
このような二次降伏などの異常領域への突入による破壊
からトランジスタ２を保護する場合、異常電流検出回路
１０の異常点の検出精度が低い場合やスイッチ８の動作
速度が遅い場合には、トランジスタ２を破壊に至らしめ
るおそれがある。When the transistor 2 is protected from damage due to the entry into the abnormal region such as the secondary breakdown, when the detection accuracy of the abnormal point of the abnormal current detection circuit 10 is low or when the operation speed of the switch 8 is slow, the transistor 2 may be destroyed.
そこで、この発明は、トランジスタの異常領域への突入
による破壊から確実に保護できるトランジスタの保護回
路の提供を目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a protection circuit for a transistor, which can surely protect the transistor from being damaged due to rushing into an abnormal region.
この発明のトランジスタの保護回路は、第１図及び第２
図に例示するように、保護すべきトランジスタ（２）に
直列に接続されて前記トランジスタに流れる電流を電圧
に変換する第１の抵抗（２０）と、前記トランジスタに
直列に接続され、遮断時、前記トランジスタに流れる電
流を遮断する第１のトランジスタ（２６、２８）と、ベ
ース・エミッタ間にダイオード（３４、３６）が接続さ
れるとともに、前記第１の抵抗に発生した電圧をベース
・エミッタ間に受け、前記電圧が前記トランジスタの動
作が異常領域に突入する値を超えたとき、導通して定電
流を発生する第２のトランジスタ（３２）と、この第２
のトランジスタに直列に接続され、前記トランジスタの
導通時、前記定電流によって異常領域への突入を表す電
圧を発生する第２の抵抗（４０）と、この第２の抵抗に
発生した電圧を受けて前記第１のトランジスタのベース
に導通に必要な電圧を発生し、前記第１のトランジスタ
を遮断させて保護すべき前記トランジスタに流れる電流
を遮断させるスイッチング回路（動作切換回路４２）と
を備えたことを特徴とする。The transistor protection circuit of the present invention is shown in FIGS.
As illustrated in the figure, a first resistor (20) connected in series with the transistor (2) to be protected to convert a current flowing through the transistor into a voltage, and a first resistor (20) connected in series with the transistor and being cut off, A diode (34, 36) is connected between a base and an emitter of a first transistor (26, 28) for interrupting a current flowing through the transistor, and a voltage generated in the first resistor is applied between the base and the emitter. And a second transistor (32) which conducts to generate a constant current when the voltage exceeds a value at which the operation of the transistor plunges into an abnormal region.
A second resistor (40) that is connected in series with the transistor and that generates a voltage that indicates the inrush to the abnormal region due to the constant current when the transistor is conductive; and a voltage generated in the second resistor. A switching circuit (operation switching circuit 42) for generating a voltage necessary for conduction at the base of the first transistor and for interrupting the first transistor to interrupt the current flowing through the transistor to be protected. Is characterized by.
したがって、この発明のトランジスタの保護回路は、第
１図に示すように、保護すべきトランジスタに流れる電
流を電流検出手段としての第１の抵抗によって検出し、
異常判別手段としての第２のトランジスタによって、第
１の抵抗の出力電圧が所定値以上（たとえば、二次降伏
に至る異常点）か否かを判別し、異常領域への突入時、
定電流を発生させその定電流を抵抗に流し、電圧降下に
よって異常領域への突入を表わす出力を発生させ、この
判別出力によってトランジスタを保護するために設置し
た第１のトランジスタを動作させてトランジスタに流れ
る異常電流を遮断し、トランジスタを保護する。Therefore, as shown in FIG. 1, the transistor protection circuit of the present invention detects the current flowing through the transistor to be protected by the first resistor as the current detection means,
The second transistor as the abnormality determining means determines whether or not the output voltage of the first resistor is equal to or higher than a predetermined value (for example, an abnormal point leading to secondary breakdown), and when the abnormal region is entered,
A constant current is generated, the constant current is passed through a resistor, and an output indicating the entry into an abnormal area is generated by a voltage drop. The discriminant output activates the first transistor installed to protect the transistor, causing the transistor to operate. It blocks the abnormal current that flows and protects the transistor.
そして、この発明のトランジスタの保護回路において、
電流検出手段は、たとえば、抵抗（実施例の抵抗２０）
で構成すれば、簡単な構成によってトランジスタに流れ
る電流を検出することができる。And, in the transistor protection circuit of the present invention,
The current detecting means is, for example, a resistor (resistor 20 of the embodiment).
With this configuration, the current flowing through the transistor can be detected with a simple configuration.
また、この発明のトランジスタの保護回路において、異
常判別手段は、たとえば、電流検出手段の出力電圧が所
定値以上になったとき動作して定電流を発生する定電流
回路を成す第２のトランジスタおよびダイオードからな
る回路と、その定電流出力によって電圧降下を生じさせ
る第２の抵抗とによって構成すれば、異常領域への突入
を速たかに判別することができる。Further, in the transistor protection circuit of the present invention, the abnormality determining means is, for example, a second transistor which forms a constant current circuit which operates when the output voltage of the current detecting means exceeds a predetermined value to generate a constant current. If the circuit is composed of a diode and a second resistor that causes a voltage drop due to its constant current output, it is possible to determine whether or not the entry into the abnormal region is quick.
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明のトランジスタの保護回路の実施例を
示す。FIG. 1 shows an embodiment of a transistor protection circuit of the present invention.
第１図において、任意の電圧を設定可能な可変直流電源
４の正極側には、第１の抵抗としての電流検出抵抗２０
（以下単に抵抗２０という）、および抵抗２２を介して
トランジスタ２のコレクタが接続され、また、可変直流
電源４の負極側には、一定の条件によってトランジスタ
２の電流を遮断する電流遮断手段としての電流遮断回路
２４を介してトランジスタ２のエミッタが接続されてい
る。抵抗２０は、トランジスタ２に流れる電流を電圧に
変換して検出する電流検出手段として設置されたもので
ある。また、電流遮断回路２４は、トランジスタ２より
大なる電流能力を持つスイッチング素子としての第１の
トランジスタ２６、２８からなるベース、コレクタおよ
びエミッタをそれぞれ共通にしたトランジスタ対で構成
されている。In FIG. 1, a current detection resistor 20 as a first resistor is provided on the positive electrode side of the variable DC power source 4 capable of setting an arbitrary voltage.
The collector of the transistor 2 is connected via a resistor (hereinafter simply referred to as a resistor 20) and a resistor 22, and the negative side of the variable DC power supply 4 serves as a current interrupting means for interrupting the current of the transistor 2 under certain conditions. The emitter of the transistor 2 is connected through the current cutoff circuit 24. The resistor 20 is installed as a current detection unit that converts a current flowing through the transistor 2 into a voltage and detects the voltage. Further, the current cutoff circuit 24 is composed of a pair of transistors having a base, a collector and an emitter which are common to each other and which are composed of first transistors 26 and 28 as switching elements having a current capacity higher than that of the transistor 2.
抵抗２０にはトランジスタ２の動作が異常領域に突入し
たことを検出する異常判別回路３０が接続されている。
この異常判別回路３０は、第２のトランジスタ３２、ダ
イオード３４、３６および抵抗３８から定電流回路に第
２の抵抗４０を付加したものである。直列回路を成すダ
イオード３４、３６はトランジスタ３２のエミッタ・ベ
ース間に順方向に接続されており、トランジスタ３２の
バイアス回路を構成している。即ち、トランジスタ３
２、ダイオード３４、３６および抵抗３８からなる定電
流回路は、トランジスタ２に流れる電流をダイオード３
４、３６および抵抗２０に流し、トランジスタ２が異常
領域に突入する電流によって発生する電圧をスレッシュ
ホールド電圧に設定している。したがって、トランジス
タ２が異常領域に突入するとき、トランジスタ２は導通
状態に移行し、その導通電流が抵抗４０に流れ、異常領
域に突入したことを表す電圧が抵抗４０に得られる。An abnormality determination circuit 30 that detects that the operation of the transistor 2 has entered an abnormal region is connected to the resistor 20.
The abnormality determination circuit 30 is configured by adding a second resistor 40 to the constant current circuit from the second transistor 32, the diodes 34 and 36, and the resistor 38. The diodes 34 and 36 that form a series circuit are connected in the forward direction between the emitter and the base of the transistor 32, and form a bias circuit of the transistor 32. That is, the transistor 3
2, a constant current circuit composed of the diodes 34 and 36 and the resistor 38 changes the current flowing through the transistor 2 to the diode 3
The threshold voltage is set to the voltage generated by the current flowing through the transistors 4 and 36 and the resistor 20 and entering the abnormal region. Therefore, when the transistor 2 plunges into the abnormal region, the transistor 2 shifts to the conducting state, the conduction current flows through the resistor 40, and the voltage indicating that the plunging into the abnormal region is obtained at the resistor 40.
定電流による抵抗４０に発生した電圧は、その電圧の発
生に応じて電流遮断回路２４の動作を切り換えるスイッ
チング回路として動作切換回路４２にトリガ入力として
加えられる。動作切換回路４２は、抵抗４０に電圧が発
生した場合、電流遮断回路２４のトランジスタ２６、２
８を遮断状態に移行させるために、トランジスタ２６、
２８のベース電流を解除するとともに、そのベース電位
を低レベルに移行し、また、抵抗４０に電圧が発生して
いない場合、トランジスタ２６、２８にベース電流を供
給し、トランジスタ２６、２８を導通状態にする。The voltage generated in the resistor 40 due to the constant current is applied as a trigger input to the operation switching circuit 42 as a switching circuit that switches the operation of the current cutoff circuit 24 according to the generation of the voltage. The operation switching circuit 42 uses the transistors 26, 2 of the current cutoff circuit 24 when a voltage is generated in the resistor 40.
In order to bring 8 into the cutoff state, the transistor 26,
When the base current of 28 is released, its base potential is shifted to a low level, and when no voltage is generated in the resistor 40, the base current is supplied to the transistors 26 and 28 to make the transistors 26 and 28 conductive. To
以上説明したように、トランジスタ２は、可変直流電源
４による特定の駆動電圧ＶCCを設定するとともに、入力
端子１２にパルス電圧Ｖｉを加えることよって導通状態
となる。この場合、異常判別回路３０の抵抗４０に電圧
が生じていない場合、トランジスタ２６、２８を導通状
態に維持するベース電流が動作切換回路４２から与えら
れ、トランジスタ２６、２８には、トランジスタ２に流
れる電流が同様に流れる。そして、トランジスタ２に流
れる電流が、たとえば、二次降伏などの異常領域に突入
し、その電流値が異常に増加すると、トランジスタ３２
の導通によって抵抗４０に定電流による電圧降下が生
じ、この電圧降下によって、動作切換回路４２は、トラ
ンジスタ２６、２８のベース電流を解除する。この結
果、トランジスタ２６、２８が遮断状態となり、トラン
ジスタ２の電流を解除するため、トランジスタ２は二次
降伏による破壊から保護されることになる。したがっ
て、このような保護回路によれば、安全動作領域を測定
するために、トランジスタ２を二次降伏などの異常領域
に突入させても、その異常状態からトランジスタ２の完
全破壊を防止することができる。As described above, the transistor 2 becomes conductive by setting the specific drive voltage V CC by the variable DC power supply 4 and applying the pulse voltage V i to the input terminal 12. In this case, when no voltage is generated in the resistor 40 of the abnormality determination circuit 30, a base current for maintaining the transistors 26 and 28 in the conductive state is given from the operation switching circuit 42, and the transistors 26 and 28 flow into the transistor 2. The current flows as well. Then, when the current flowing through the transistor 2 rushes into an abnormal region such as secondary breakdown and the current value increases abnormally, the transistor 32
A voltage drop occurs in the resistor 40 due to the constant current due to conduction, and the operation switching circuit 42 releases the base current of the transistors 26 and 28 due to this voltage drop. As a result, the transistors 26 and 28 are turned off, and the current of the transistor 2 is released, so that the transistor 2 is protected from the breakdown due to the secondary breakdown. Therefore, according to such a protection circuit, even if the transistor 2 is rushed into an abnormal region such as a secondary breakdown in order to measure the safe operation region, it is possible to prevent the transistor 2 from being completely destroyed from the abnormal state. it can.
第２図は、第１図に示した動作切換回路４２の具体的な
回路構成例を示す。FIG. 2 shows a specific circuit configuration example of the operation switching circuit 42 shown in FIG.
第２図において、動作切換回路４２は、異常判別回路３
０の抵抗４０の電圧発生に応じて動作が切り換えられる
スイッチング回路としてのフリップフロップ回路４４
と、このフリップフロップ回路４４の出力によってトラ
ンジスタ２６、２８の駆動電流を出力する電流増幅器４
６とから構成されている。フリップフロップ回路４４
は、トランジスタ４８、５０、５２および抵抗５４、５
６、５８、６０で構成され、また、電流増幅器４６はダ
ーリントン接続されたトランジスタ６２、６４および抵
抗６６で構成され、フリップフロップ回路４４および電
流増幅器４６は、可変直流電源６８から加えられる駆動
電圧ＶCC2 で駆動される。In FIG. 2, the operation switching circuit 42 is the abnormality determination circuit 3
A flip-flop circuit 44 as a switching circuit whose operation is switched according to the voltage generation of the resistor 40 of 0
And a current amplifier 4 that outputs the drive current of the transistors 26 and 28 by the output of the flip-flop circuit 44.
6 and 6. Flip-flop circuit 44
Are transistors 48, 50, 52 and resistors 54, 5
6, 58 and 60, the current amplifier 46 is composed of transistors 62 and 64 and a resistor 66 connected in a Darlington connection. Driven by CC2 .
したがって、このような動作切換回路４２によれば、抵
抗４０に電圧が発生していない場合、トランジスタ５２
が遮断状態となり、トランジスタ５０のコレクタ電位は
トランジスタ６２を導通するに必要な電位となる。トラ
ンジスタ５０、５２はＮＯＲ回路を構成しており、トラ
ンジスタ５２の遮断状態によって、トランジスタ６２が
導通すると、同様にトランジスタ６４も導通し、トラン
ジスタ６２、６４によって増幅された電流がトランジス
タ２６、２８のベースに加えられることにより、トラン
ジスタ２６、２８が導通する。このような正常領域での
動作に対し、トランジスタ２が二次降伏に到達すると、
抵抗４０に電圧が発生し、トランジスタ５２が導通する
ので、トランジスタ５０は遮断状態となり、そのコレク
タ電位は負電位に移行することになる。この結果、トラ
ンジスタ６２、６４が遮断状態となって、トランジスタ
２６、２８のベースに加えられていたベース電流が解除
されるので、トランジスタ２６、２８が遮断状態とな
り、トランジスタ２の電流が解除される。したがって、
トランジスタ２の二次降伏による破壊が防止される。Therefore, according to such an operation switching circuit 42, when no voltage is generated in the resistor 40, the transistor 52
Becomes a cutoff state, and the collector potential of the transistor 50 becomes a potential necessary for conducting the transistor 62. The transistors 50 and 52 form a NOR circuit, and when the transistor 52 is turned on due to the cutoff state of the transistor 52, the transistor 64 is also turned on, and the current amplified by the transistors 62 and 64 is the base of the transistors 26 and 28. Is added to the transistors 26 and 28 to make them conductive. When the transistor 2 reaches the secondary breakdown for the operation in such a normal region,
Since a voltage is generated in the resistor 40 and the transistor 52 becomes conductive, the transistor 50 is cut off and its collector potential shifts to a negative potential. As a result, the transistors 62 and 64 are turned off, and the base current applied to the bases of the transistors 26 and 28 is released, so that the transistors 26 and 28 are turned off and the current of the transistor 2 is released. . Therefore,
The breakdown due to the secondary breakdown of the transistor 2 is prevented.
この場合、トランジスタ２の保護を実現するために、ト
ランジスタ２６、２８、３２、４８、５０、５２、６
２、６４はスイッチングスピードの速いものを用いる必
要があり、また、第１図に示した抵抗３８を第２図に示
すように、可変抵抗にすれば、その抵抗値を変化させる
ことによって、トランジスタ３２のスレッシュホールド
電圧を所望の異常電流に対応する電圧に設定することが
できる。なお、トランジスタ３２のベース・エミッタ間
電圧をＶBE、抵抗２０の抵抗値Ｒ20とすると、異常電流
の検出値Ｉは、Ｉ＝ＶBE／Ｒ20で決定される。In this case, in order to realize the protection of the transistor 2, the transistors 26, 28, 32, 48, 50, 52, 6
2 and 64 are required to have a high switching speed, and if the resistance 38 shown in FIG. 1 is changed to a variable resistance as shown in FIG. The threshold voltage of 32 can be set to a voltage corresponding to a desired abnormal current. When the base-emitter voltage of the transistor 32 is V BE and the resistance value R 20 of the resistor 20, the abnormal current detection value I is determined by I = V BE / R 20 .
以上説明したように、この発明によれば、保護すべきト
ランジスタに流れる電流を直列に接続した第１の抵抗に
よって検出し、この第１の抵抗に発生した電圧がトラン
ジスタを異常領域に投入する値を超えたとき（たとえ
ば、二次降伏に至る異常点）、異常領域への突入時、定
電流を発生させ、その定電流を第２のトランジスタに直
列に接続された第２の抵抗に流し、その電圧降下によっ
て異常領域への突入を表わす出力を発生させ、この出力
によってスイッチング回路を動作させて第１のトランジ
スタを遮断して保護すべきトランジスタに流れる電流を
解除でき、二次降伏など想定した異常領域への突入時、
過大電流による破壊からトランジスタを保護することが
できる。As described above, according to the present invention, the current flowing in the transistor to be protected is detected by the first resistor connected in series, and the voltage generated in the first resistor causes the transistor to enter the abnormal region. Is exceeded (for example, an abnormal point leading to secondary breakdown), a constant current is generated at the time of entering the abnormal region, and the constant current is caused to flow in the second resistor connected in series with the second transistor, The voltage drop generates an output indicating the entry into the abnormal region, and the output can operate the switching circuit to shut off the first transistor to release the current flowing in the transistor to be protected, and assume that secondary breakdown occurs. When entering an abnormal area,
The transistor can be protected from damage due to excessive current.
第１図はこの発明のトランジスタの保護回路の実施例を
示す回路図、第２図はこの発明のトランジスタの保護回
路の具体的な回路構成例を示す回路図、第３図はトラン
ジスタのコレクタ・エミッタ間電圧−コレクタ電流特性
を示す図、第４図は従来のトランジスタの保護回路を示
す回路図である。 ２……トランジスタ ２０……第１の抵抗 ２６、２８……第１のトランジスタ ３２……第２のトランジスタ ３４、３６……ダイオード ４０……第２の抵抗 ４２……動作切換回路（スイッチング回路）FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a transistor protection circuit of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a concrete circuit configuration example of the transistor protection circuit of the present invention, and FIG. 3 is a collector / collector of the transistor. FIG. 4 is a diagram showing a voltage-collector current characteristic between emitters, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional transistor protection circuit. 2 ... Transistor 20 ... First resistance 26, 28 ... First transistor 32 ... Second transistor 34, 36 ... Diode 40 ... Second resistance 42 ... Operation switching circuit (switching circuit)
Claims (1)
て前記トランジスタに流れる電流を電圧に変換する第１
の抵抗と、 前記トランジスタに直列に接続され、遮断時、前記トラ
ンジスタに流れる電流を遮断する第１のトランジスタ
と、 ベース・エミッタ間にダイオードが接続されるととも
に、前記第１の抵抗に発生した電圧をベース・エミッタ
間に受け、前記電圧が前記トランジスタの動作が異常領
域に突入する値を超えたとき、導通して定電流を発生す
る第２のトランジスタと、 この第２のトランジスタに直列に接続され、前記トラン
ジスタの導通時、前記定電流によって異常領域への突入
を表す電圧を発生する第２の抵抗と、 この第２の抵抗に発生した電圧を受けて前記第１のトラ
ンジスタのベースに導通に必要な電圧を発生し、前記第
１のトランジスタを遮断させて保護すべき前記トランジ
スタに流れる電流を遮断させるスイッチング回路と、 を備えたことを特徴とするトランジスタの保護回路。1. A first circuit connected in series with a transistor to be protected to convert a current flowing through the transistor into a voltage.
And a first transistor which is connected in series with the transistor and cuts off a current flowing through the transistor when cut off, and a diode connected between the base and the emitter, and a voltage generated in the first resistance. Connected between the second transistor and a second transistor that conducts to generate a constant current when the voltage exceeds a value at which the operation of the transistor plunges into an abnormal region. When the transistor is turned on, the second resistor generates a voltage indicating the inrush to the abnormal region by the constant current, and the second resistor receives the voltage generated on the second resistor to turn on the base of the first transistor. A switching circuit for generating a voltage necessary for the first transistor to shut off the first transistor to shut off the current flowing through the transistor to be protected; A protection circuit for a transistor, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202843A JPH0659025B2 (en) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | Transistor protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202843A JPH0659025B2 (en) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | Transistor protection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS6264120A JPS6264120A (en) | 1987-03-23 |
| JPH0659025B2 true JPH0659025B2 (en) | 1994-08-03 |
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ID=16464110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60202843A Expired - Lifetime JPH0659025B2 (en) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | Transistor protection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659025B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3442019A4 (en) * | 2016-04-06 | 2019-12-04 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | POWER MODULE |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498740U (en) * | 1972-04-26 | 1974-01-25 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60202843A patent/JPH0659025B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6264120A (en) | 1987-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |