JPH065499A - アパーチャ絞り及びその製造方法ならびにこれを用いた荷電ビーム描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 交換調整が容易なアパーチャ絞りでかつ高精
度並びに高速化電子線描画を行うことを目的とする。 【構成】 複数のアパーチャ絞り４，８を同一固定治具
１７に固定したアパーチャ絞りとこれを交換するための
予備排気室５１と接地線を設けた荷電ビーム描画装置さ
れる。 【効果】 交換時間、調整時間の大幅な短縮化及び高加
速電圧大電流ビームによる高精度な描画が出来、高速処
理が出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造等に
用いる荷電ビーム描画装置のアパーチャ絞りに関する。
特に、複数枚のアパーチャ絞りによりビーム形状制御を
行う可変成形描画装置や複数のパターン形状を内在した
一括図形照射方式の荷電ビーム描画装置のアパーチャ絞
りに係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来の描画装置の荷電ビーム形状を制御
する開口孔アパーチャ絞りは、複数枚構成の場合でも特
開昭５９−１５８５１８号や特開昭６４−２１８５２号
に示されているように各部１枚構成のアパーチャ絞りが
それぞれ単独に筐体内に固定されていた。また、これら
のアパーチャ絞りの固定方法については特に配慮がなさ
れていなかった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術における荷
電ビーム形状を制御する開口孔アパーチャ絞りは、複数
枚で構成されている場合でも、各アパーチャ絞りはそれ
ぞれ単独で筐体内に固定されていた。このために、アパ
ーチャ絞りが汚染や破損した場合の交換は、筐体の真空
を破り、かつ装置筐体を分解しなければならなかった。
さらにアパーチャ絞り交換後の組立ての際には、筐体内
で開口部の位置合わせをしなければならなかった。また
ビーム照射によるアパーチャ絞りの温度上昇について
は、アパーチャ絞りから外への熱伝導については充分な
配慮がなされておらずアパーチャ絞りに照射される電流
を上部のアパーチャ絞りで制限してもアパーチャ絞りに
発生した熱が内部に蓄積されてしまう。従って、徐々に
温度上昇が起こり定常状態に達するまでの間温度上昇に
伴う熱膨張により位置ドリフトが発生する。また、上部
に設けた最も電流吸収の多いアパーチャ絞りについては
その材質が高融点金属に限られていた。この他、ビーム
照射において発生するアパーチャ絞りからの散乱電子に
対して配慮が無されていない。これらの散乱電子は筐体
側壁に衝突し筐体を帯電させたり、筐体表面のコンタミ
ネーションの原因となり試料上のビームドリフトを引き
起こす。

【０００４】しかしながら、半導体素子の微細化に伴
い、形状制御性の高いアパーチャ絞りが必要であると同
時に、生産性の向上を図るために高い電流密度のビーム
が必要となり熱的にも精度的にも安定なアパーチャ絞り
が求められる。

【０００５】本発明の目的は、アパーチャ絞りの交換が
容易でかつ交換後の調整の手間がいらないアパーチャ絞
り及びその製造方法ならびにそれを用いた描画装置を提
供することに有る。同様に、ビーム形状制御精度が高く
かつ熱的にも精度的にも安定したアパーチャ絞り及びそ
の製造方法ならびにそれを用いた描画装置を提供するこ
とに有る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記交換に関する容易性
と精度に関する目的は、複数のアパーチャ絞りを同一固
定治具に固定しておくことで解決される。また、同様
に、ビーム形状制御精度が高くかつ熱的にも精度的にも
安定した特性に関する目的は、アパーチャ絞りを固定治
具に導電性接着剤により接着することおよび所望のビー
ム形状寸法よりも開口寸法が大きくかつ相似形の開口部
を有したアパーチャ絞りを上記アパーチャ絞りの上部あ
るいは下部に設けること、これらのアパーチャ絞りを組
み込んだ固定治具が描画装置内で電気的に接地すること
により解決される。

【０００７】

【作用】本発明では、複数のアパーチャ絞りを同一の固
定治具に固定する。この固定治具への固定は、鏡体内に
組み込む前に行い、予め光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡
等の調整観察装置を用いて精度良く調整しておく事が可
能となる。上記装置を用いた位置合わせでは、固定治具
内でのアパーチャ絞り間の間隔は１センチメートル以内
にすることにより同一焦点内で調整ができるために高精
度の位置合わせが可能である。従って、上記アパーチャ
の交換に当たっては、固定治具ごと筐体から取り出し
て、新しいアパーチャ絞りを内在した固定治具を挿入す
るだけで良い。この交換に当たっては、描画装置に固定
治具が納められる容積の真空予備排気室を設けること
で、筐体の真空を破らずに短時間で交換が可能となる。

【０００８】アパーチャ絞りの固定治具への固定は導電
性接着剤を用いる。通常のネジ等の固定ではアパーチャ
絞りと治具との熱的な接触は点接触となるために、アパ
ーチャ絞り自体放射のみの放熱しかできない。これにた
いし導電性接着剤による固定ではアパーチャ絞りと治具
との接触は面接触となる。導電性接着剤の熱抵抗は０に
等しいのでアパーチャ絞りと治具との温度差もなくな
る。固定治具を金属性とし、描画装置に固定する際に接
地することにより、アパーチャ絞りに蓄積された電荷及
び熱を放出することができる。また、アパーチャ絞りと
固定治具との接触面積を大きくするために、アパーチャ
絞りに格子状の放熱厚膜部を設けて治具に固定するとよ
り伝熱効果が得られる。

【０００９】ビーム成形用のアパーチャ絞りに対し、所
望のビーム寸法より少し大きな開口寸法のアパーチャ絞
りを用意する。所望のビーム形状に成形するアパーチャ
絞り上部にこのアパーチャ絞りを設定した場合の効果は
公知例に示された通りで、上部のアパーチャ絞りで余分
なビームはすべてこのアパーチャ絞りにより、吸収して
しまう。従って、アパーチャ絞りに吸収されるビームは
上のアパーチャ絞りの開口寸法との差分だけとなる。こ
のために、ビーム遮蔽時に発生する熱による温度上昇を
低く抑えられる。さらに公知例とは異なり本発明では、
これらのアパーチャ絞りを一体化し上部のアパーチャ絞
りの放熱も熱伝導により行えるので、公知例で示されて
いるように、上部アパーチャ絞りの材質を高融点金属に
限定しなくても良いためにより加工精度の高い半導体材
料を用いることができる。また、上記アパーチャ絞り間
の側壁は金属で構成される固定治具面で遮蔽されており
かつこの固定治具は電気的に接地されているので、アパ
ーチャエッジで散乱された電子はこの上部アパーチャ絞
りあるいは治具側壁に吸収される。このために、筐体内
への散乱電子を大幅に低減できるので、筐体内に露出し
た絶縁物による帯電が引き起こすビームドリフトをなく
すことができる。成形アパーチャ絞りの下部に同様のア
パーチャ絞りを設置することでアパーチャエッジによる
前方散乱電子についても同様の効果が得られる。

【００１０】また、本発明では一括図形照射法のように
開口形状が任意の場合や多数ある場合についても同様
に、相似形状で開口数と位置が一致したアパーチャ絞り
を設けることにより上記の全ての効果を得ることができ
る。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例について述べる。

【００１２】〈実施例１〉一括図形照射法の描画装置に
適用した場合を例にとる。

【００１３】一括図形照射法では、図４に示すようにま
ず電子源である電子銃１から放射される電子ビーム１６
を偏向器２でアパーチャ絞り４の所望の開口部に照射さ
せた後偏向器６、レンズ５，７により第２成形アパーチ
ャ絞り８上の任意図形形状の開口部により成形されたビ
ームを振り戻し偏向器１０，レンズ１１，１２，１４，
偏向器１３により試料ウェーハ１５上に縮小してパター
ン描画を行うものである。従来の描画装置では、第１の
矩形形状制御アパーチャ４および第２の任意形状制御ア
パーチャ８共に、それぞれ１枚のアパーチャ絞りから構
成されていた。これらのアパーチャ絞りは、加工精度
０．５μｍ以下にするためにシリコン単結晶で作られて
いる。これらのアパーチャ絞りにビームを照射した場
合、形状制御に用いる開口部以外のビームは全てアパー
チャに吸収されてしまう。この吸収されたビームは熱と
なる。第１アパーチャ上に照射されるビーム径が６００
μｍφで加速電圧５０ｋＶ、電流量１５μＡのビームの
場合、アパーチャの温度は８００℃以上の高温となる。
この時熱膨張が発生するために、アパーチャ位置が１０
μｍシフトした。この描画装置の試料上への縮小率は２
５分の１であるので試料上での熱ドリフトは０．４μｍ
となる。最小加工寸法１μｍ以下の描画では位置精度
０．２５μｍ以下が必要となるためにパターン接続不良
が発生した。これに対し第２アパーチャ絞り８では吸収
電流は３．６μＡであるので温度上昇は最大２００℃と
なった。さらに第１アパーチャ４上に１５μＡ以上の電
流量を増すと１４００℃以上の高温となりアパーチャが
溶融した。このビーム電流量は描画処理速度を決めるパ
ラメータで、電流量が多いほど処理速度が速くなるため
に１５μＡ以上に電流量が必要になる。

【００１４】これ防ぐ方法としては、公知例に示されて
いるようにアパーチャ絞り上に開口角の広いアパーチャ
絞り３１１を設けて余分なビームを吸収させる方法が有
る。この方法では、アパーチャ絞り３１１を筐体内に固
定するが下部のアパーチャ絞り４と電子ビームの同一軸
上に位置合わせするためには、筐体を分解して行わなけ
ればならない。またアパーチャ絞り４は複数の開口の異
なる開口部を選択したときやアパーチャ絞り４を交換し
た場合には、その都度アパーチャ絞り３１１とアパーチ
ャ絞り４との位置調整が必要である。上記の使用条件で
の調整は、５０μｍ以下の精度が要求されるために、作
業者の熟練を要するだけでなく調整時間も１時間程度か
かっていた。また、アパーチャ絞り３１１とアパーチャ
絞り４との間に電気配線等の絶縁材料が露出した部分が
有ると２つのアパーチャ絞り間で散乱された電子による
帯電が生じビーム位置がウェーハ１５上で０．３μｍ以
上変動してしまった。また、複数のアパーチャ絞り全部
について外部に熱伝導による放熱経路を設けないと各ア
パーチャ絞りの温度は高熱となり、特に吸収電流の大き
なアパーチャ絞り３１１では１４００℃以上の高温とな
り、高融点金属しか使えない。また、このような条件下
ではアパーチャ絞りの劣化も激しく３ヵ月毎に交換する
必要が有った。さらに、アパーチャ絞り自体を接地しな
いと全体に帯電が生じるためにビームドリフトの問題も
発生した。

【００１５】そこで本発明では、図１，２に示すように
第１成形アパーチャ３，４を２枚構成にし同一の金属製
治具１７に導電性接着剤として銀ペースト５５をアパー
チャ絞りと固定治具の接触面全面に塗布して接着した。
１枚目のアパーチャ３はモリブデン製で開口孔の数と位
置はシリコン製のビーム形状制御用のアパーチャ絞り４
と同じである。開口部の寸法はシリコン製のビーム形状
制御用の開口部１９が１５０μｍ角であるのに対しモリ
ブデン製の開口部１８では２００μｍ角としてある。モ
リブデン製の開口部１８の加工精度は１０μｍで、エッ
ヂラフネスは０．５μｍであった。アパーチャ絞り３と
アパーチャ絞り４との開口部の位置合わせは接着する際
に光学顕微鏡で両方の開口部を観察調整しながら行っ
た。両アパーチャ絞り間の間隔を１センチメートル以下
に設定すると同一焦点位置で１００倍で観察ができるの
で、開口孔の位置ずれは１０μｍ以下に抑えることがで
きた。

【００１６】また本発明による電子ビーム描画装置は、
図１に示すように、予備排気室５１が設けてありアパー
チャ絞りを交換する場合は、上記固定治具１７ごと予備
排気室で真空に排気してから筐体の開閉弁５２を開け、
移動用モータ５３により金属製のホルダ５４に装着す
る。このホルダ５４は接地線５５を通じて接地してあ
る。このために、アパーチャ絞りの交換は数分で完了し
かつアパーチャ間の位置調整は不要である。まず電子銃
１から放射された電子ビームは偏向器２により第１成形
モリブデン製アパーチャ絞り３の所望の位置にある開口
部に照射される。この時のビーム径は６００μｍφであ
る。次に第１成形シリコンアパーチャ４上には２００μ
ｍ角のビームが照射されこのアパーチャ絞りによって１
５０μｍ角に成形される。この時ビーム形状の成形は全
てシリコンアパーチャによる開口部１９で行われている
ので直線性のよいビーム成形が出来る。またシリコンア
パーチャに吸収される電流量は２００μｍ角と１５０μ
ｍ角の差分である１μＡとなりかつ熱は固定治具、接地
線を通して伝導により放熱されるために温度上昇は２０
℃以下となった。この時モリブデンアパーチャ３に殆ど
の電流が吸収されるが、ここで発生する熱も同様に固定
治具、接地線５６を通して熱伝導により放熱されるので
温度上昇は１００℃と低く抑えられた。またアパーチャ
エッジで散乱された電子は導電性であるアパーチャ絞り
や固定治具側面で吸収されてしまうのでドリフトも０．
５μｍ以下の安定したビームを実現出来た。この良好な
特性は６ヵ月以上変化せず、また劣化が生じた場合には
同一アパーチャ絞り内の他の開口部を選択することで少
なくとも１年以上アパーチャ絞りの交換なしに使用でき
た。また、シリコンアパーチャ４とモリブデン製アパー
チャ３を固定治具１７に固定する際に、図１１，１２に
示すようにシリコンアパーチャ絞りの厚膜部４３を格子
状に設定することでアパーチャ絞りないの温度勾配を緩
和でき、さらに固定治具面１７も同様に格子状としアパ
ーチャ絞り面との接触面積を大きくすることでビーム形
状に影響を与えずにより温度上昇を抑えることができ
た。アパーチャ絞りの接着は上記の例と同様に銀ペース
ト５５を用いて格子上の接触面にも塗布して密着性を良
くした結果、温度上昇は１０℃程度に低減できた。

【００１７】〈実施例２〉先の実施例のほかに、図５，
６，７に示すように第２成形アパーチャ絞り８について
も同様にシリコンアパーチャ絞りの上に余分なビームを
遮蔽するアパーチャ絞り９を設定する場合について述べ
る。この場合、上記実施例と同様にシリコンアパーチャ
の開口部２１，２３，２５，２７，２９と相似形で大き
さにおいて一定量の増分を設けるが、開口形状は矩形以
外の任意図形となりかつ最小寸法も１０μｍ以下とな
る。このために、アパーチャ材質は加工性のよいシリコ
ン単結晶を用いるが熱容量を大きくするために通常の倍
である４０μｍの厚さにした。図６，７に２つのシリコ
ンアパーチャを示す。アパーチャパターンは６４メガビ
ットランダムアクセスメモリの配線層のセルパターン２
１を含んでいる。配線部の最小寸法は７．５μｍであ
る。これに対して上に設けるシリコンアパーチャ９はそ
れぞれの相似形状の開口部２０，２２，２４，２６，２
８を内在しているがその最小開口寸法は８．５μｍと所
望のビーム寸法に対して１μｍほど大きく設定してあ
る。このアパーチャ開口部の加工精度は１μｍであり、
実際に作成した開口部の最小加工寸法は９μｍであっ
た。また上下二つの開口部の位置合わせは、１μｍ以内
の精度が必要になる。その位置合わせは走査形顕微鏡あ
るいは、光学式顕微鏡を用いて１０倍から１０００倍の
拡大像により行った。視野内に二つの開口像を得るため
に二つのアパーチャ絞りの間隔は１ｃｍ以内に設定しな
ければならない。

【００１８】この様にして作成したアパーチャ絞り８，
９によりビーム形状制御用のアパーチャに照射される電
流量を低減化できる。すなわち、従来の一括図形照射法
装置では第２成形アパーチャ絞り８上には１２５μｍ角
のビームが照射されるのに対し本発明では、その１０分
の１程度に電流を低減化出来た。このために、加速電圧
５０ｋＶ、電流密度１０Ａ／cm²以上での描画が可能に
なるために、１時間あたりの描画枚数は、６４メガビッ
トランダムアクセスメモリに対してウェーハ２０枚以上
が実現出来た。

【００１９】さらに、高精度描画に適用する場合につい
て述べる。この場合には図１０に示すようにシリコンア
パーチャ４での散乱電子ビーム１６を低減しなくてはな
らない。この場合には試料に本来のパターン以外の領域
に電子線が照射されてしまったり、電子光学鏡体の内壁
に電子線が当たり帯電してしまうために描画精度に影響
が出る。そこで、図１０に示すようにシリコンアパーチ
ャ４の下にもモリブデン製のアパーチャ３３を設けるこ
とによって散乱電子１６６を除去することができた。こ
のモリブデン製のアパーチャ３３はモリブデン製のアパ
ーチャ３と同じものを用いた。これらの開口部１８，１
９，１８１の位置合わせについては、各々別々の固定治
具１７，１７１，１７２に導電性接着剤により固定した
後、まず、開口部１８，１９を光学式顕微鏡により１
７，１７１を微動させて調整して固定する。次にこれら
の開口部に開口部１８１を治具１７２を微動させて合わ
せる。これらのアパーチャ絞り３，４，３３は各々１ｃ
ｍ以内の間隔で設定されているので光学式顕微鏡の同一
焦点上で上記の調整ができた。これらの調整後走査型電
子顕微鏡により開口部１８，１９，１８１が一致してい
ることを確認して用いた。アパーチャ絞りを交換する場
合にはこれら一体化した固定治具ごと交換する。

【００２０】以上の場合のアパーチャ交換に際しても、
実施例１の場合と同様に図１に示した予備排気室を通し
て行うために交換時間は数分で完了しかつアパーチャ絞
り間の位置調整も筐体内では不要である。

【００２１】〈実施例３〉可変成形法の描画装置に適用
した場合を例にとる。

【００２２】図９に従来の可変成形装置、図１，１０に
本発明による可変成形装置を示す。

【００２３】可変成形法は、図９に示すように電子銃１
から発生した電子ビーム１６を第１の矩形アパーチャ４
１で矩形に成形した後、成形レンズ５，７、偏向器６で
第２の矩形アパーチャ２９１上に結像させ任意形状の矩
形ビームとして成形レンズ１２，１４、偏向器１３によ
り試料１５上の任意の位置に描画する。

【００２４】従来のアパーチャ絞り４１はモリブデンで
厚さは５０μｍで開口寸法は２ｍｍ角である。第２成形
アパーチャ絞り２９１は同様に厚さ５０μｍで開口寸法
は２００μｍ角である。これらのアパーチャに５０ｋ
Ｖ，１０Ａ／cm²の電子ビームを照射した場合、温度上
昇は１０００℃以下であり、モリブデンの融点以下であ
るので熱的安定性上は実用上は問題ない。しかしながら
このモリブデンの加工精度は１０μｍ程度ありまたエッ
ヂラフネスは０．３μｍ程度ある。従って、０．３μｍ
以下の微細加工用の描画には精度がでない。他方エッヂ
ラフネスが０．０３μｍ以下の精度で加工が出来るシリ
コン単結晶を用いると温度上昇による融解、ドリフトが
問題になった。

【００２５】本発明では、第１，２アパーチャ４２，２
９２共にシリコン製を採用し、各々のシリコン製のアパ
ーチャ絞りの上にモリブデン製アパーチャ３１，２８１
が設定され同一固定治具に固定されている。第１成形ア
パーチャの開口寸法はモリブデン製が２．１ｍｍ角でシ
リコン製が２．０ｍｍ角である。また第２成形アパーチ
ャも同様に２つのアパーチャ絞り２８１，２９２から構
成される。１枚目のアパーチャ絞り２８１はモリブデン
で厚さは５０μｍで開口寸法は２１０μｍ角である。こ
の下にシリコン製のアパーチャ絞り２９２が設定され同
一固定治具に固定されている。この開口寸法は２００ｍ
ｍ角である。何れの場合も対になるアパーチャ絞り同士
の間隔は１ｃｍ以内に設定してある。これらのアパーチ
ャに５０ｋＶ，１０Ａ／cm²の電子ビームを照射した場
合でも、シリコン製のアパーチャ絞りの温度上昇は２０
℃以内に抑えることが出来、かつ接地線５６により接地
されていることから使用中の帯電の影響もなく０．０１
μｍ以下の精度で描画をすることが出来た。このように
本発明により、使用上の簡便性のみならず、基本的精度
も向上できる。

【００２６】

【発明の効果】本発明は、複合化したアパーチャ絞りを
筐体内での調整なしに使用できるために、簡便性が高い
上に、安定性、精度の上でも従来以上の特性を実現でき
る。この結果、微細性の高い描画を高速で行うことが出
来る。またその加速電圧や電流値の上限はビーム形状制
御用アパーチャの材料に依存せずに決められる。また今
回の実施例では、電子ビームを例に取ったが、イオンビ
ーム等の荷電ビーム描画装置でも同様の効果が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による一括図形描画装置。

【図２】本発明のアパーチャ絞りの断面図。

【図３】本発明のアパーチャ絞りの上面図。

【図４】従来の一括図形描画装置。

【図５】本発明による一括図形描画装置。

【図６】本発明のアパーチャ絞りの断面図。

【図７】第２成形アパーチャ絞りの上面図。

【図８】本発明による可変成形描画装置。

【図９】従来の可変成形描画装置。

【図１０】本発明のアパーチャ絞りの上面図。

【図１１】本発明のアパーチャ絞りと固定治具の断面
図。

【図１２】本発明のアパーチャ絞りと固定治具の上面
図。

【符号の説明】

１…電子銃，２，６，１０，１３，…偏向器，５，７，
１１，１２，１４…成形レンズ，３，３１，３３…モリ
ブデンアパーチャ，４，４１，４２…第１成形アパーチ
ャ絞り，４３…シリコンアパーチャ絞り厚膜部，，４４
…シリコンアパーチャ絞り薄膜部，５１…予備排気室，
５３…移動用モータ，５４…ホルダ，５５…導電性接着
剤，５６…接地線，８，２９１，２９２…第２成形アパ
ーチャ絞り，９…ビーム遮蔽アパーチャ絞り，１５…試
料，１６…電子ビーム，１６６…散乱電子，１７，１７
１，１７２…固定治具，１８，１９，２１，２２，２
３，２４，２５，２６，２７，２８，２９…開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 博之 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所計測器事業部内 (72)発明者 早田 康成 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数枚のアパーチャ絞りを用いて荷電ビー
   ムの形状を制御する荷電ビーム描画装置のアパーチャ絞
   りにおいて、少なくとも２枚以上のアパーチャ絞りが間
   隔をあけて同じ固定治具に固定一体化されていることを
   特徴とするアパーチャ絞り。
2. 【請求項２】荷電ビームの形状を制御する荷電ビーム描
   画装置のアパーチャ絞りにおいてアパーチャ絞りの治具
   への固定に導電性接着剤を用いることを特徴とするアパ
   ーチャ絞りの製造方法。
3. 【請求項３】上記アパーチャの固定治具への固定に導電
   性接着剤を用いることを特徴とした特許請求項第１項記
   載のアパーチャ絞り。
4. 【請求項４】上記アパーチャ絞りのアパーチャ絞りの材
   質が半導体材料あるいは金属材料であり固定治具が金属
   材料で構成されていることを特徴とする特許請求項第１
   項第２項記載のアパーチャ絞り及びその製造方法。
5. 【請求項５】上記アパーチャ絞り間の間隔が１センチメ
   ートル以内であることを特徴とする特許請求項第１項記
   載のアパーチャ絞り。
6. 【請求項６】上記複数のアパーチャ絞りは任意形状の複
   数の開口孔を有したアパーチャ絞りと上記開口孔寸法よ
   り大きな開口寸法でかつ相似形で同じ位置に同じ数の開
   口部を含んだアパーチャ絞りにより構成されていること
   を特徴とした特許請求項第１項第２項記載のアパーチャ
   絞り及びその製造方法。
7. 【請求項７】上記荷電ビームの形状をその開口孔で制御
   するアパーチャ絞りにおいて開口部が薄膜領域に形成さ
   れておりその周囲が格子状の厚膜部で分離されたアパー
   チャ絞りであることを特徴とした特許請求項第１項第２
   項記載のアパーチャ絞り及びその製造方法。
8. 【請求項８】上記開口部が薄膜領域に形成されておりそ
   の周囲が格子状の厚膜部で分離されたアパーチャ絞りを
   同じ格子状の開口部を設けた固定治具に固定することを
   特徴とした特許請求項第１項第２項記載のアパーチャ絞
   り及びその製造方法
9. 【請求項９】荷電ビーム放射源から放射された荷電ビー
   ムを開口部を有した複数のアパーチャ絞り上に照射し荷
   電ビームの形状をその開口孔で制御して試料上にパター
   ン形成する荷電ビーム描画装置において少なくとも２枚
   以上のアパーチャ絞りを間隔をあけて同じ固定治具に固
   定一体化しこの固定治具を電気的に接地した状態で固定
   しかつ固定治具を平面内で移動できる移動機構を設けた
   ことを特徴とする荷電ビーム描画装置。
10. 【請求項１０】上記荷電ビーム描画装置において固定治
    具ごと真空予備排気室を介して交換できる機構を設けた
    ことを特徴とする特許請求項第９項記載の荷電ビーム描
    画装置。