JPH0652585A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH0652585A JPH0652585A JP22481592A JP22481592A JPH0652585A JP H0652585 A JPH0652585 A JP H0652585A JP 22481592 A JP22481592 A JP 22481592A JP 22481592 A JP22481592 A JP 22481592A JP H0652585 A JPH0652585 A JP H0652585A
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- Japan
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- filler
- resin layer
- film thickness
- layer
- magneto
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チルト角が小さく、浮上式磁気ヘッドの吸着
や接触がなく、かつ上部保護層の膜厚変動の影響の小さ
な光磁気ディスクを提供する。 【構成】 光磁気ディスクの表面を、フィラー無添加の
下部樹脂層とフィラーを添加した上部樹脂層の2層で保
護し、フィラーの平均粒径aを1〜9μm、フィラー濃
度xを0.5〜40wt%、上部樹脂層の膜厚yを2〜
13μmで、かつy/a≧1.45+0.033x とす
る。
や接触がなく、かつ上部保護層の膜厚変動の影響の小さ
な光磁気ディスクを提供する。 【構成】 光磁気ディスクの表面を、フィラー無添加の
下部樹脂層とフィラーを添加した上部樹脂層の2層で保
護し、フィラーの平均粒径aを1〜9μm、フィラー濃
度xを0.5〜40wt%、上部樹脂層の膜厚yを2〜
13μmで、かつy/a≧1.45+0.033x とす
る。
Description
【0001】
【発明の利用分野】この発明は、磁界変調記録方式で用
いる光磁気ディスクの、樹脂保護層に関する。
いる光磁気ディスクの、樹脂保護層に関する。
【0002】
【従来技術】光磁気ディスクの樹脂保護層にフィラーを
含有させ、適度な表面粗さを付与することが知られてい
る。 (1) 特開平2−40149号公報: 紫外線硬化樹
脂に潤滑剤とフィラーを混入する。 (2) 特開平3−157836号公報: 紫外線硬化樹
脂にフィラーと静電防止剤と潤滑剤を含有させる。 (3) 特開平3−157837号公報: 紫外線硬化樹
脂にフィラーと静電防止剤と潤滑剤を含有させ、樹脂保
護層はフィラーなしの下部層とフィラー等を含有させた
上部層の2層とする。 (4) 特開平4−64936号公報: 紫外線硬化樹
脂にフィラーを添加し、表面粗さRaを10〜50nm
とする。
含有させ、適度な表面粗さを付与することが知られてい
る。 (1) 特開平2−40149号公報: 紫外線硬化樹
脂に潤滑剤とフィラーを混入する。 (2) 特開平3−157836号公報: 紫外線硬化樹
脂にフィラーと静電防止剤と潤滑剤を含有させる。 (3) 特開平3−157837号公報: 紫外線硬化樹
脂にフィラーと静電防止剤と潤滑剤を含有させ、樹脂保
護層はフィラーなしの下部層とフィラー等を含有させた
上部層の2層とする。 (4) 特開平4−64936号公報: 紫外線硬化樹
脂にフィラーを添加し、表面粗さRaを10〜50nm
とする。
【0003】上記の(1)〜(3)の技術では、フィラーの平
均粒径が1μm以下と小さいため必要な表面粗さが得ら
れず、潤滑剤を樹脂保護層に添加して、浮上式磁気ヘッ
ドのヘッドクラッシュやヘッド吸着を防止する。しかし
潤滑剤を添加すると、樹脂保護層の表面硬度が低下する
ため、好ましくない。次に特開平4−64936号公報
では適切な表面粗さが得られるが、樹脂保護層をフィラ
ーを含有させた樹脂の単層とするため、フィラーによっ
て基板に複屈折異常が発生するとともに、高温高湿中等
で光磁気録層に腐食が発生する。
均粒径が1μm以下と小さいため必要な表面粗さが得ら
れず、潤滑剤を樹脂保護層に添加して、浮上式磁気ヘッ
ドのヘッドクラッシュやヘッド吸着を防止する。しかし
潤滑剤を添加すると、樹脂保護層の表面硬度が低下する
ため、好ましくない。次に特開平4−64936号公報
では適切な表面粗さが得られるが、樹脂保護層をフィラ
ーを含有させた樹脂の単層とするため、フィラーによっ
て基板に複屈折異常が発生するとともに、高温高湿中等
で光磁気録層に腐食が発生する。
【0004】
【発明の課題】この発明の課題は、(1) 表面粗さへの
上部樹脂層の膜厚変動の影響が小さく、(2) 潤滑剤な
しで適切な表面粗さを得ることができるとともに、上部
樹脂層の成膜が可能で、(3) 表面粗さがほぼ全面に渡
って均一で、局所的な突起がなく、(4) これらのため
に浮上式磁気ヘッドの吸着やクラッシュがなく、(5)
チルト角が小さく、かつ光磁気記録層の腐食や、基板に
複屈折異常が生じない、光磁気ディスクを提供すること
にある。
上部樹脂層の膜厚変動の影響が小さく、(2) 潤滑剤な
しで適切な表面粗さを得ることができるとともに、上部
樹脂層の成膜が可能で、(3) 表面粗さがほぼ全面に渡
って均一で、局所的な突起がなく、(4) これらのため
に浮上式磁気ヘッドの吸着やクラッシュがなく、(5)
チルト角が小さく、かつ光磁気記録層の腐食や、基板に
複屈折異常が生じない、光磁気ディスクを提供すること
にある。
【0005】
【発明の構成】この発明は、合成樹脂基板の一方の面
に、少なくとも光磁気記録層と樹脂保護層とを、この順
に積層した光磁気ディスクにおいて、前記樹脂保護層
を、フィラー無添加の下部樹脂層と、フィラーを添加し
た上部樹脂層の2層で構成するとともに、下部樹脂層の
膜厚を2〜13μmとし、フィラーの濃度をwt%単位
でx,上部樹脂層の膜厚をμm単位でy,フィラーの平
均粒径をμm単位でaとして、 0.5≦x≦40, 2≦y≦13, 1≦a≦9, y/a≧1.45+0.033x としたことを特徴とする。
に、少なくとも光磁気記録層と樹脂保護層とを、この順
に積層した光磁気ディスクにおいて、前記樹脂保護層
を、フィラー無添加の下部樹脂層と、フィラーを添加し
た上部樹脂層の2層で構成するとともに、下部樹脂層の
膜厚を2〜13μmとし、フィラーの濃度をwt%単位
でx,上部樹脂層の膜厚をμm単位でy,フィラーの平
均粒径をμm単位でaとして、 0.5≦x≦40, 2≦y≦13, 1≦a≦9, y/a≧1.45+0.033x としたことを特徴とする。
【0006】
【発明の作用】発明者の知見によれば、磁界変調記録方
式の光磁気ディスクでは、ディスクの浮上式磁気ヘッド
との接触面の表面粗さRaは、中心線平均粗さで10n
mRa以上が必要である。10nmRa未満では、特に
樹脂保護層表面にタバコのやに等の付着物があるとヘッ
ドの吸着が発生し易い。一方磁気ヘッドの浮上特性を安
定させるには、10nmRa以上の表面粗さがあるだけ
でなく、ディスクの表面粗さが均一であることが必要で
ある。またディスクの量産性を向上させるには、上部樹
脂層の膜厚に対する表面粗さの依存性が小さい方が良
い。表面粗さを均一にしかつ表面粗さの膜厚依存性を小
さくするには、上部樹脂層の膜厚y(μm単位)とフィ
ラーの平均粒径(μm単位)とに、 y/a≧1.45+0.033x (1) の関係を持たせれば良い。式(1)が成立する範囲では、
上部樹脂層の膜厚yがフィラーの平均粒径aに比べて充
分大きいため、上部樹脂層にフィラーによる局部的な突
起がなくなり、ディスクの表面粗さが全面に渡ってほぼ
均一となる。このため浮上量が2μm程度と小さな浮上
式磁気ヘッドを用いても、ディスクのどの点でもヘッド
吸着やヘッドクラッシュがなく、安定にヘッドを浮上さ
せることができる。しかも表面粗さの上部樹脂層の膜厚
への依存性が小さく、膜厚変動による表面粗さの変動を
防止することができる。
式の光磁気ディスクでは、ディスクの浮上式磁気ヘッド
との接触面の表面粗さRaは、中心線平均粗さで10n
mRa以上が必要である。10nmRa未満では、特に
樹脂保護層表面にタバコのやに等の付着物があるとヘッ
ドの吸着が発生し易い。一方磁気ヘッドの浮上特性を安
定させるには、10nmRa以上の表面粗さがあるだけ
でなく、ディスクの表面粗さが均一であることが必要で
ある。またディスクの量産性を向上させるには、上部樹
脂層の膜厚に対する表面粗さの依存性が小さい方が良
い。表面粗さを均一にしかつ表面粗さの膜厚依存性を小
さくするには、上部樹脂層の膜厚y(μm単位)とフィ
ラーの平均粒径(μm単位)とに、 y/a≧1.45+0.033x (1) の関係を持たせれば良い。式(1)が成立する範囲では、
上部樹脂層の膜厚yがフィラーの平均粒径aに比べて充
分大きいため、上部樹脂層にフィラーによる局部的な突
起がなくなり、ディスクの表面粗さが全面に渡ってほぼ
均一となる。このため浮上量が2μm程度と小さな浮上
式磁気ヘッドを用いても、ディスクのどの点でもヘッド
吸着やヘッドクラッシュがなく、安定にヘッドを浮上さ
せることができる。しかも表面粗さの上部樹脂層の膜厚
への依存性が小さく、膜厚変動による表面粗さの変動を
防止することができる。
【0007】表面粗さは、フィラーの平均粒径aと濃度
x,上部樹脂層の膜厚yで定まる。表面粗さを10nm
Ra以上とするには、フィラー含有量xを0.5wt%
以上で平均粒径aを1μm以上とする必要がある。次に
フィラー含有量xが40wt%を超過すると、スピンコ
ート前の粘度が激増しスピンコート不能となる。上部樹
脂層の製法をスピンコートに限定するものではないが、
上部樹脂層の成膜の容易さの点から、フィラー含有量x
の上限を40wt%とする。このためフィラー含有量x
は、0.5〜40wt%となる。フィラーの平均粒径a
が1μm未満では、前記のように10nmRa以上の表
面粗さが得られない。平均粒径aが9μmを越えると、
樹脂保護層の膜厚(下部樹脂層と上部樹脂層の合計)が
15μmを超過する。以下に示すように下部樹脂層には
最低でも2μm以上の膜厚が必要であり、平均粒径aが
9μmを超過すると式(1)を満たすために必要な上部樹
脂層の膜厚yが13μmを超過し、合計膜厚が15μm
を超過する。合計膜厚が15μmを上回ると、チルト角
が5mradを超過する。
x,上部樹脂層の膜厚yで定まる。表面粗さを10nm
Ra以上とするには、フィラー含有量xを0.5wt%
以上で平均粒径aを1μm以上とする必要がある。次に
フィラー含有量xが40wt%を超過すると、スピンコ
ート前の粘度が激増しスピンコート不能となる。上部樹
脂層の製法をスピンコートに限定するものではないが、
上部樹脂層の成膜の容易さの点から、フィラー含有量x
の上限を40wt%とする。このためフィラー含有量x
は、0.5〜40wt%となる。フィラーの平均粒径a
が1μm未満では、前記のように10nmRa以上の表
面粗さが得られない。平均粒径aが9μmを越えると、
樹脂保護層の膜厚(下部樹脂層と上部樹脂層の合計)が
15μmを超過する。以下に示すように下部樹脂層には
最低でも2μm以上の膜厚が必要であり、平均粒径aが
9μmを超過すると式(1)を満たすために必要な上部樹
脂層の膜厚yが13μmを超過し、合計膜厚が15μm
を超過する。合計膜厚が15μmを上回ると、チルト角
が5mradを超過する。
【0008】樹脂保護層の膜厚は、下部樹脂層に2μm
以上が必要で、2μm未満では上部樹脂層のフィラーの
影響で基板に複屈折異常が発生するとともに、光磁気記
録層の腐食が生じ易くなる。また上部樹脂層にも2μm
以上の膜厚が必要で、2μm未満ではクラッシュ時等の
ヘッドとの接触で上部樹脂層が剥離する。次に下部樹脂
層と上部樹脂層の合計膜厚が15μmを越えると、ディ
スクの機械特性の一つであるチルト角が5mradを越
えてしまった。なおISO規格ではチルト角を5mra
d以下と定めている。これらのことから下部樹脂層の膜
厚は2〜13μmとなり、上部樹脂層の膜厚yも2〜1
3μmとなる。
以上が必要で、2μm未満では上部樹脂層のフィラーの
影響で基板に複屈折異常が発生するとともに、光磁気記
録層の腐食が生じ易くなる。また上部樹脂層にも2μm
以上の膜厚が必要で、2μm未満ではクラッシュ時等の
ヘッドとの接触で上部樹脂層が剥離する。次に下部樹脂
層と上部樹脂層の合計膜厚が15μmを越えると、ディ
スクの機械特性の一つであるチルト角が5mradを越
えてしまった。なおISO規格ではチルト角を5mra
d以下と定めている。これらのことから下部樹脂層の膜
厚は2〜13μmとなり、上部樹脂層の膜厚yも2〜1
3μmとなる。
【0009】フィラーの材料には例えば、SiO2,A
l2O3,Si3N4,SiC,CdS,ZnSなどの絶縁
性のセラミック材料や、ITO,Sb−SnO2,Sb2
O3,IrO2,MoO2,NbO2,PtO2,RuO2,
WO2等の導電性酸化物、MoC,NbC,TaC,T
iC,WC等の導電性炭化物、NbN,Ta2N,Ti
N,ZrN,VN等の導電性窒化物等や、メラミンホル
ムアルデヒド,ポリエチレンテレフタレート,ポリウレ
タン,ABS,ポリエチレンホモポリマー,アクリル樹
脂セルロース,ナイロン,ポリカーボネート,ポリエス
テル,ポリエチレン・ステレン重合体,ビニル重合体,
各種共重合体等の樹脂を用い、単独もしくは2種以上混
合して用いる。
l2O3,Si3N4,SiC,CdS,ZnSなどの絶縁
性のセラミック材料や、ITO,Sb−SnO2,Sb2
O3,IrO2,MoO2,NbO2,PtO2,RuO2,
WO2等の導電性酸化物、MoC,NbC,TaC,T
iC,WC等の導電性炭化物、NbN,Ta2N,Ti
N,ZrN,VN等の導電性窒化物等や、メラミンホル
ムアルデヒド,ポリエチレンテレフタレート,ポリウレ
タン,ABS,ポリエチレンホモポリマー,アクリル樹
脂セルロース,ナイロン,ポリカーボネート,ポリエス
テル,ポリエチレン・ステレン重合体,ビニル重合体,
各種共重合体等の樹脂を用い、単独もしくは2種以上混
合して用いる。
【0010】また下部樹脂層、上部樹脂層の樹脂材料
は、アクリル系、エポキシ系、ポリエステル系、アクリ
ル酸エステル系、ウレタンアクリル系等の、紫外線硬化
樹脂や、熱硬化樹脂等があるが、硬化処理が簡単で量産
性に富んだ紫外線硬化樹脂が好ましい。
は、アクリル系、エポキシ系、ポリエステル系、アクリ
ル酸エステル系、ウレタンアクリル系等の、紫外線硬化
樹脂や、熱硬化樹脂等があるが、硬化処理が簡単で量産
性に富んだ紫外線硬化樹脂が好ましい。
【0011】
【実施例】図3に光磁気ディスクの構造を示す。図にお
いて、1はポリカーボネート等の樹脂やガラス等の基板
で、一方の主面上に光磁気記録層2を例えばスパッタリ
ングで形成する。スピンコーティングにより、フィラー
無添加の単味の樹脂からなる下部樹脂層3と、フィラー
を添加した上部樹脂層4を形成する。5は上部樹脂層4
に添加したフィラーである。同様に基板1の他の主面上
に、スピンコーティングにより紫外線硬化樹脂のハード
コート層6を形成する。
いて、1はポリカーボネート等の樹脂やガラス等の基板
で、一方の主面上に光磁気記録層2を例えばスパッタリ
ングで形成する。スピンコーティングにより、フィラー
無添加の単味の樹脂からなる下部樹脂層3と、フィラー
を添加した上部樹脂層4を形成する。5は上部樹脂層4
に添加したフィラーである。同様に基板1の他の主面上
に、スピンコーティングにより紫外線硬化樹脂のハード
コート層6を形成する。
【0012】実施例では、光磁気記録層2に、窒化ケイ
素の第1誘電体層,Gd−Dy−Fe系の光磁気記録
層,窒化ケイ素の第2誘電体層、及びAl反射層を順次
積層したものを用いた。またハードコート層6には、導
電性のアクリル系樹脂を用いた。樹脂保護層は下部樹脂
層3と上部樹脂層4からなり、下部樹脂層3にはウレタ
ンアクリル系の紫外線硬化樹脂を2〜13μm厚に形成
したものを用い、上部樹脂層4にはアクリル系紫外線硬
化樹脂にSiO2フィラー5を含有させて2〜13μm
厚に形成したものを用いた。
素の第1誘電体層,Gd−Dy−Fe系の光磁気記録
層,窒化ケイ素の第2誘電体層、及びAl反射層を順次
積層したものを用いた。またハードコート層6には、導
電性のアクリル系樹脂を用いた。樹脂保護層は下部樹脂
層3と上部樹脂層4からなり、下部樹脂層3にはウレタ
ンアクリル系の紫外線硬化樹脂を2〜13μm厚に形成
したものを用い、上部樹脂層4にはアクリル系紫外線硬
化樹脂にSiO2フィラー5を含有させて2〜13μm
厚に形成したものを用いた。
【0013】下部樹脂層3と上部樹脂層4の合計膜厚は
4〜15μmが好ましく、15μm以上ではチルト角が
増加する。またフィラー5の平均粒径は1〜9μmと
し、上部樹脂層4の膜厚yとフィラー5の平均粒径a、
フィラー5の濃度xは、式(1)を満たすように定める。
なおこの明細書では、膜厚yや平均粒径aはμm単位
で、濃度xはwt%単位で示す。
4〜15μmが好ましく、15μm以上ではチルト角が
増加する。またフィラー5の平均粒径は1〜9μmと
し、上部樹脂層4の膜厚yとフィラー5の平均粒径a、
フィラー5の濃度xは、式(1)を満たすように定める。
なおこの明細書では、膜厚yや平均粒径aはμm単位
で、濃度xはwt%単位で示す。
【0014】光磁気ディスクの特性を評価するため、下
部樹脂層3や上部樹脂層4の膜厚、フィラー5の粒径a
と濃度xを変化させ、表1,表2,図2に示すサンプル
を作製した。なお表面粗さは、触針式の表面粗さ計で1
mm走査し、中心線平均粗さRaを測定した。
部樹脂層3や上部樹脂層4の膜厚、フィラー5の粒径a
と濃度xを変化させ、表1,表2,図2に示すサンプル
を作製した。なお表面粗さは、触針式の表面粗さ計で1
mm走査し、中心線平均粗さRaを測定した。
【0015】
【膜厚とフィラー濃度】下部樹脂層3の膜厚を5μmと
し、上部樹脂層4に含有させるフィラー5の平均粒径a
を1〜9μm、フィラー濃度xを0.3〜45wt%の
範囲で変化させ、上部樹脂層4の膜厚yと表面粗さ(R
a)の関係を調べた。結果の一部を表1に示す。
し、上部樹脂層4に含有させるフィラー5の平均粒径a
を1〜9μm、フィラー濃度xを0.3〜45wt%の
範囲で変化させ、上部樹脂層4の膜厚yと表面粗さ(R
a)の関係を調べた。結果の一部を表1に示す。
【0016】
【表1】 表 1 試料 フィラー平均 濃度 上部樹脂層 y/a y/a 表面粗さ 接触音 判定 粒径a x 膜厚y 実際 理論値 (nmRa) 有無 A−1 1 40 2.5 2.5 2.77 132 有 × A−2 1 40 3.1 3.1 2.77 43 無 ○ A−3 1 40 5.2 5.2 2.77 42 無 ○ A−4 4 10 6.7 1.7 1.78 147 有 × A−5 4 10 7.4 1.9 1.78 90 無 ○ A−6 4 10 10.1 2.5 1.78 82 無 ○ A−7 9 0.5 9.8 1.1 1.47 96 有 × A−8 9 0.5 13.3 1.5 1.47 17 無 ○ A−9 9 0.5 16.2 1.8 1.47 15 無 ○ A−10 4 0.3 6.3 1.6 8 2) × A−11 4 45 1) × A−12 0.5 40 1.5 3.0 7 2) × 1) 粘度が高すぎ、スピンコート不能 2) 樹脂層表面にタバコのやにを付着させた際にヘッド
吸着発生 3) 接触音は浮上テスト時の、磁気ヘッドとの接触によ
る音の有無を示す 4) y/aの理論値は、式(1)でのy/aの下限を示す 5) 判定は、表面粗さと接触音の有無、磁気ヘッドの吸
着の有無、スピンコートの可否に関するもので、最終判
定にはこれ以外にチルト角の検討が必要。
吸着発生 3) 接触音は浮上テスト時の、磁気ヘッドとの接触によ
る音の有無を示す 4) y/aの理論値は、式(1)でのy/aの下限を示す 5) 判定は、表面粗さと接触音の有無、磁気ヘッドの吸
着の有無、スピンコートの可否に関するもので、最終判
定にはこれ以外にチルト角の検討が必要。
【0017】フィラー濃度xが0.3wt%のA−10
では濃度が低いために表面粗さが10nmRa未満であ
り、45wt%のA−11では濃度が高いために樹脂の
粘度が急激に増加しスピンコートが不能となった。この
ことからフィラー濃度xは、0.5〜40wt%に限ら
れた。A−1〜9は表面粗さが10nmRa以上である
が、A−1〜2,A−4〜5,A−7〜8の間で急激な
表面粗さの変化があり、これは式(1)の範囲外から範囲
内の膜厚への変化に対応する。そして式(1)を満たすA
−2〜3,A−5〜6,A−8〜9の中では、上部樹脂
層の膜厚yに対する表面粗さの依存性が小さく、安定な
表面粗さが得られる。これらの試料に浮上量の小さい浮
上式磁気ヘッドを用いて浮上テストを行い、ディスク回
転数を3000rpm,ヘッド荷重を6gf、浮上量を
2μmとすると、式(1)を満たさず膜厚yにより急激な
表面粗さの変化が生じるA−1,4,7ではヘッドとデ
ィスクの接触音が微小に発生した。これに対して式(1)
を満たし、膜厚yに対して表面粗さが安定なA−2,
3,5,6,8,9では接触音は発生せず、安定な浮上
特性を示した。
では濃度が低いために表面粗さが10nmRa未満であ
り、45wt%のA−11では濃度が高いために樹脂の
粘度が急激に増加しスピンコートが不能となった。この
ことからフィラー濃度xは、0.5〜40wt%に限ら
れた。A−1〜9は表面粗さが10nmRa以上である
が、A−1〜2,A−4〜5,A−7〜8の間で急激な
表面粗さの変化があり、これは式(1)の範囲外から範囲
内の膜厚への変化に対応する。そして式(1)を満たすA
−2〜3,A−5〜6,A−8〜9の中では、上部樹脂
層の膜厚yに対する表面粗さの依存性が小さく、安定な
表面粗さが得られる。これらの試料に浮上量の小さい浮
上式磁気ヘッドを用いて浮上テストを行い、ディスク回
転数を3000rpm,ヘッド荷重を6gf、浮上量を
2μmとすると、式(1)を満たさず膜厚yにより急激な
表面粗さの変化が生じるA−1,4,7ではヘッドとデ
ィスクの接触音が微小に発生した。これに対して式(1)
を満たし、膜厚yに対して表面粗さが安定なA−2,
3,5,6,8,9では接触音は発生せず、安定な浮上
特性を示した。
【0018】図2に、フィラー5の平均粒径aを4μm
とした場合について、濃度xや膜厚yと表面粗さとの関
係を示す。なおこれ以外の平均粒径でも、同様の結果が
得られた。図2の枠で示した領域がこの発明の範囲であ
り、領域の左上の曲線は膜厚と表面粗さの関係に急激な
変化が生じる点をつないだものである。図2から明らか
なように、この曲線上の点よりも膜厚yを増すと、表面
粗さの膜厚yへの依存性が減少し、表面粗さがほぼ一定
になる。この曲線上の点をプロットしたものが、式(1)
である。
とした場合について、濃度xや膜厚yと表面粗さとの関
係を示す。なおこれ以外の平均粒径でも、同様の結果が
得られた。図2の枠で示した領域がこの発明の範囲であ
り、領域の左上の曲線は膜厚と表面粗さの関係に急激な
変化が生じる点をつないだものである。図2から明らか
なように、この曲線上の点よりも膜厚yを増すと、表面
粗さの膜厚yへの依存性が減少し、表面粗さがほぼ一定
になる。この曲線上の点をプロットしたものが、式(1)
である。
【0019】図1に、式(1)の意味を示す。図2での表
面粗さと膜厚yとの関係の変曲点の値をプロットする
と、図1の直線付近の7点が得られる。これらの点を直
線近似したものが式(1)であり、その意味は図2の曲線
よりも右側に膜厚があることと同じである。なお発明者
は、フィラー5の平均粒径aを4μm以外として同様の
実験を行ったが、やはり式(1)が成立した。次に表1の
データを実施例と比較例(表1での判定結果)に従って
プロットしたものが、○や▲の記号である。式(1)によ
り、光磁気ディスクの表面粗さに関する特性を表現する
ことができる。表1で示したように、上部樹脂層4の膜
厚yが2μm未満の領域はヘッドの吸着や上部樹脂層4
の剥離が生じ易い領域である。またフィラー濃度が40
%超は、粘度が増しスピンコートが困難になる領域であ
る。さらに膜厚yが13μm超は、膜厚の増加によりチ
ルト角に問題が生じる領域である。
面粗さと膜厚yとの関係の変曲点の値をプロットする
と、図1の直線付近の7点が得られる。これらの点を直
線近似したものが式(1)であり、その意味は図2の曲線
よりも右側に膜厚があることと同じである。なお発明者
は、フィラー5の平均粒径aを4μm以外として同様の
実験を行ったが、やはり式(1)が成立した。次に表1の
データを実施例と比較例(表1での判定結果)に従って
プロットしたものが、○や▲の記号である。式(1)によ
り、光磁気ディスクの表面粗さに関する特性を表現する
ことができる。表1で示したように、上部樹脂層4の膜
厚yが2μm未満の領域はヘッドの吸着や上部樹脂層4
の剥離が生じ易い領域である。またフィラー濃度が40
%超は、粘度が増しスピンコートが困難になる領域であ
る。さらに膜厚yが13μm超は、膜厚の増加によりチ
ルト角に問題が生じる領域である。
【0020】図2に戻り、枠で囲んだ領域の中の鎖線の
右側を示す領域を考える。これは式(1)をさらに限定し
た領域である。フィラー平均粒径をa,フィラー濃度を
x,上部樹脂層4の膜厚をyとすると、この領域は、以
下の不等式(2)で示される。 0.5≦x≦ 1wt%の時 y≧1.4a 1<x≦ 5wt%の時 y≧1.6a 5<x≦10wt%の時 y≧1.9a 10<x≦20wt%の時 y≧2.2a 20<x≦30wt%の時 y≧2.5a 30<x≦40wt%の時 y≧2.8a
右側を示す領域を考える。これは式(1)をさらに限定し
た領域である。フィラー平均粒径をa,フィラー濃度を
x,上部樹脂層4の膜厚をyとすると、この領域は、以
下の不等式(2)で示される。 0.5≦x≦ 1wt%の時 y≧1.4a 1<x≦ 5wt%の時 y≧1.6a 5<x≦10wt%の時 y≧1.9a 10<x≦20wt%の時 y≧2.2a 20<x≦30wt%の時 y≧2.5a 30<x≦40wt%の時 y≧2.8a
【0021】
【膜厚とフィラーの平均粒径】下部樹脂層3と上部樹脂
層4の膜厚を変え、不等式(2)を満たす試料B−1〜6
を作製した。これに関する試験結果を表2に示す。ディ
スクの読み出し面を偏光顕微鏡で観察したところ、下部
樹脂層のないB−6ではフィラー5の存在位置で複屈折
異常が見られたが、他の下部樹脂層のある試料では見ら
れなかった。次に浮上式磁気ヘッドを用いて、コンタク
ト・スタート・ストップテスト(ディスク回転数300
0rpm,ヘッド荷重4gf)を1サイクル13秒で1
0万回行った。上部樹脂層4の膜厚を1.5μmとした
B−1では上部樹脂層4の剥離が生じたが、他の2μm
以上の試料では見られなかった。機械特性の一つである
チルト角は、樹脂保護層の膜厚が15μmを越えるB−
5では5mradを越えたが、膜厚が15μm以下の試
料ではチルト角は5mrad以下であった。なおISO
規格ではチルト角は5mrad以下である。次にこれら
の試料を80℃,90%RHで1000時間投入して、
外観検査を行ったところ、B−6で光磁気記録層2に腐
食が発生したが、他の下部樹脂層3がある試料では腐食
は見られなかった。以上により、信頼性を得るためには
下部樹脂層3の膜厚を2〜13μmとし、上部樹脂層4
の膜厚を2〜13μmとする必要があることが判明し
た。
層4の膜厚を変え、不等式(2)を満たす試料B−1〜6
を作製した。これに関する試験結果を表2に示す。ディ
スクの読み出し面を偏光顕微鏡で観察したところ、下部
樹脂層のないB−6ではフィラー5の存在位置で複屈折
異常が見られたが、他の下部樹脂層のある試料では見ら
れなかった。次に浮上式磁気ヘッドを用いて、コンタク
ト・スタート・ストップテスト(ディスク回転数300
0rpm,ヘッド荷重4gf)を1サイクル13秒で1
0万回行った。上部樹脂層4の膜厚を1.5μmとした
B−1では上部樹脂層4の剥離が生じたが、他の2μm
以上の試料では見られなかった。機械特性の一つである
チルト角は、樹脂保護層の膜厚が15μmを越えるB−
5では5mradを越えたが、膜厚が15μm以下の試
料ではチルト角は5mrad以下であった。なおISO
規格ではチルト角は5mrad以下である。次にこれら
の試料を80℃,90%RHで1000時間投入して、
外観検査を行ったところ、B−6で光磁気記録層2に腐
食が発生したが、他の下部樹脂層3がある試料では腐食
は見られなかった。以上により、信頼性を得るためには
下部樹脂層3の膜厚を2〜13μmとし、上部樹脂層4
の膜厚を2〜13μmとする必要があることが判明し
た。
【0022】フィラー5の平均粒径aについては、表1
の試料A−12の平均粒径0.5μmでは、表面粗さが
10nmRa未満となった。表2の試料B−5の平均粒
径10μmでは、式(1)を満たすためには上部樹脂層4
に13μm超の膜が必要となる。このことからフィラー
5の平均粒径aは1〜9μmがよい。
の試料A−12の平均粒径0.5μmでは、表面粗さが
10nmRa未満となった。表2の試料B−5の平均粒
径10μmでは、式(1)を満たすためには上部樹脂層4
に13μm超の膜が必要となる。このことからフィラー
5の平均粒径aは1〜9μmがよい。
【0023】
【表2】 表2 試料 平均粒径 フィラー濃度 樹 脂 保 護 層 膜 厚 (μm) a(μm)x(wt%) 下部樹脂層 上部樹脂層 合計 B−1 1 40 10 1.5 11.5 B−2 1 40 10 2 12 B−3 1 40 12 12 14 B−4 9 0.5 2 13 15 B−5 10 0.5 2 14 16 B−6 9 0.5 0 12 12 試料 複屈折 ヘッドによる チルト角 (mrad) 判定 異常 上部層の剥離 B−1 無 有 1.4 × B−2 無 無 1.6 ○ B−3 無 無 4.5 ○ B−4 無 無 4.8 ○ B−5 無 無 5.6 × B−6 有 無 4.5 1) × 1) 腐食発生
【0024】
【発明の効果】この発明では、(1) 表面粗さへの上部
樹脂層の膜厚変動の影響が小さく、(2) 潤滑剤なしで
適切な表面粗さを得ることができるとともに、上部樹脂
層の成膜が可能で、(3) 表面粗さがほぼ全面に渡って
均一で、局所的な突起がなく、(4) これらのために浮
上式磁気ヘッドの吸着やクラッシュがなく、(5) チル
ト角が小さく、かつ光磁気記録層の腐食や、基板に複屈
折異常が生じない、光磁気ディスクが得られる。
樹脂層の膜厚変動の影響が小さく、(2) 潤滑剤なしで
適切な表面粗さを得ることができるとともに、上部樹脂
層の成膜が可能で、(3) 表面粗さがほぼ全面に渡って
均一で、局所的な突起がなく、(4) これらのために浮
上式磁気ヘッドの吸着やクラッシュがなく、(5) チル
ト角が小さく、かつ光磁気記録層の腐食や、基板に複屈
折異常が生じない、光磁気ディスクが得られる。
【図1】 実施例での、フィラー濃度xと上部樹脂層
の膜厚yとの関係を示す特性図
の膜厚yとの関係を示す特性図
【図2】 実施例での、上部樹脂層の膜厚yと表面粗
さとの関係を示す特性図
さとの関係を示す特性図
【図3】 実施例の光磁気ディスクの断面図
1 基板 2 光磁気記録層 3 下部樹脂層 4 上部樹脂層 5 フィラー 6 ハードコート層
Claims (1)
- 【請求項1】 合成樹脂基板の一方の面に、少なくとも
光磁気記録層と樹脂保護層とを、この順に積層した光磁
気ディスクにおいて、 前記樹脂保護層を、フィラー無添加の下部樹脂層と、フ
ィラーを添加した上部樹脂層の2層で構成するととも
に、 下部樹脂層の膜厚を2〜13μmとし、 フィラーの濃度をwt%単位でx,上部樹脂層の膜厚を
μm単位でy,フィラーの平均粒径をμm単位でaとし
て、 0.5≦x≦40, 2≦y≦13, 1≦a≦9, y/a≧1.45+0.033x としたことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22481592A JPH0652585A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22481592A JPH0652585A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652585A true JPH0652585A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16819637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22481592A Pending JPH0652585A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001953A (en) * | 1999-03-18 | 1999-12-14 | General Electric Company | Polycarbonates suitable for use in optical articles |
| US6060577A (en) * | 1999-03-18 | 2000-05-09 | General Electric Company | Polycarbonates derived from alicyclic bisphenols |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP22481592A patent/JPH0652585A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001953A (en) * | 1999-03-18 | 1999-12-14 | General Electric Company | Polycarbonates suitable for use in optical articles |
| US6060577A (en) * | 1999-03-18 | 2000-05-09 | General Electric Company | Polycarbonates derived from alicyclic bisphenols |
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