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JPH0634405B2 - 薄膜光起電力デバイス - Google Patents

薄膜光起電力デバイス

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Publication number
JPH0634405B2
JPH0634405B2 JP61119425A JP11942586A JPH0634405B2 JP H0634405 B2 JPH0634405 B2 JP H0634405B2 JP 61119425 A JP61119425 A JP 61119425A JP 11942586 A JP11942586 A JP 11942586A JP H0634405 B2 JPH0634405 B2 JP H0634405B2
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JP
Japan
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layer
zinc oxide
copper
deposited
indium
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JP61119425A
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JPS61279181A (ja
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ロバート・ディー・ワイティング
リチャード・アール・ポター
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SHIIMENSU SOORAA IND LP
Original Assignee
SHIIMENSU SOORAA IND LP
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Filing date
Publication date
Application filed by SHIIMENSU SOORAA IND LP filed Critical SHIIMENSU SOORAA IND LP
Publication of JPS61279181A publication Critical patent/JPS61279181A/ja
Publication of JPH0634405B2 publication Critical patent/JPH0634405B2/ja
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    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/167—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising Group I-III-VI materials, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は化合物半導体から形成された薄膜光起電力デバ
イスに関し、特に第１半導体層として二セレン化インジ
ウム銅（ＣＩＳ）を有し、さらに受光面を形成する半導
体が主として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含むようなデバイス
に関する。
本発明に関連すると思われる公知の光電池構造は硫化カ
ドミウムの一つまたはそれ以上の層との接合を形成する
二セレン化インジウム銅の第１の層を含む。そのような
電池は米国特許第４，３３５，２６６号明細書にかなり
詳細に論じられている。この特許明細書を本発明の理解
のため参照する。そのような化合物半導体電池の効率は
種々の改良がなされるにつれて徐々に増大しそれにつれ
て製造コストも減少する傾向にある。
米国特許第４，３３５，２６６号により開示される基本
的な改良は、沈着されるときに硫化カドミウム層に悪影
響を与えないように二セレン化インジウム銅の層を形成
することである。米国特許第４，３３５，２６６号では
過剰の銅を有する第１の領域及びそれが不足している第
２の領域よりなる２つの異なる領域にこのＣＩＳ層を沈
着している。二層間の拡散は、硫化カドミウムが沈着さ
れるべき表面またはその近傍における純粋な銅の小塊の
形成のような欠陥を避けながら均一なＣＩＳ構造を達成
すると言われる。そのような銅小塊及びその他の欠陥の
ために完成した装置の後面電極に対しあとから沈着され
た硫化カドミウム層が短絡を起こしやすくなる。
米国特許第４，３３５，２６６号にもとづくＣＩＳ層の
改良にもかかわらず２つの異なる領域で電池の硫化カド
ミウム部分を沈着する必要性はなくなっていない。すな
わち、第１がｎ型導電性及び高い抵抗率を示す本質的に
純粋な硫化カドミウムの０．５〜１．５ミクロンの層で
ある。この領域の高い抵抗率特性はＣＩＳ層中の純銅ま
たは金属性のセレン化銅の小塊のような欠陥の影響を制
限するのに必要であると信じられる。硫化カドミウム層
は次に、低い抵抗率を提供するために適当にドープ処理
された硫化カドミウムの２〜４ミクロンの厚さの層の沈
着により完成される。
そのようなＣＩＳ−ＣｄＳ電池において種々の改良がな
されたけれども、いくつかの基本的な問題が残ってい
る。一つの問題は入射光が活性な接合領域に到達する前
に、比較的に厚い硫化カドミウム層によって入射光のか
なりの量が吸収されることである。これは必然的に装置
の効率を減少する。さらにカドミウムが高い毒性の重金
属であることは周知である。完成された装置中のカドミ
ウムは環境にまたは使用者になんらかの危険を与える証
拠はないけれどもその材料は製造工程中或る種の危険を
生ずることはたしかである。したがって、カドミウムを
導入する装置を製造する人への危険を避けるためにそし
て環境への害を避けるために費やさなければならない余
分な時間及び装置により製造コストが増大する。
ＣｄＳの使用で生ずる問題のいつくはヘテロ接合がＣＩ
ＳとＺｎＯとの間に設けられた装置において解消され
た。例えばこのことはThin Film Solids，９０（１９８
２）第４１９頁〜第４２３頁M.S.Tomar及びF.J.Garcia
によるZnO/p-CuInSe２Thin Film Solar Cell Prepared
Entirely by Spray Pyrolysis 及びSERI／STR-2１１−
２２４７の１９８４年３月の最終リポート「化学的蒸着
された二セレン化インジウム銅薄膜の材料研究（Chemic
al Vapor Deposited Copper Indium Diselenide Thin F
ilm Materials Research）」に示される。トマー（Tome
r）による前掲刊行文献において、ＺｎＯは３５０℃〜
５５０℃の温度でスプレー熱分解によりＳｎＯ２被覆ガ
ラス基板上に沈着された。ＣＩＳ層の同様な沈着後、約
２％の効率を有する光起電力応答が測定された。前掲Ｓ
ＥＲＩリポートにおいて、近接した空間の化学的蒸気輸
送技術により沈着されたＣＩＳ膜上にＺｎＯ膜のイオン
ビームのスパッタリングにより２〜３％の範囲の効率が
達成された。したがって薄膜ＣＩＳヘテロ接合電池にお
いてＺｎＯがＣｄＳの代わりに用いられた場合に商業上
の実施での効率が達成されることができることはこれら
の参考文献のいずれにも示されていない。
本発明の概要 したがって、本発明の目的は主として酸化亜鉛を含む第
２の層との接合を形成する二セレン化インジウム銅から
主としてなる第１の層を有する改良されたヘテロ接合光
起電力デバイス（photovoltaic device）を提供するこ
とである。
本発明による光起電力デバイスは主として二セレン化イ
ンジウム銅から形成された半導体材料の第１の薄膜層及
び主として酸化亜鉛を含む半導体材料の第２の薄膜層を
含む。好ましい形態として、酸化亜鉛材料は２つの層で
形成され、その第１の層は高い抵抗率の酸化亜鉛の比較
的に薄い層からなり、その第２の層はドープ処理されて
低い抵抗率を与える酸化亜鉛の比較的に厚い第２の層で
ある。本発明のなお別の好ましい形態として酸化亜鉛は
低温化学的蒸着法により沈着される。
図面の記載 本発明は添付図面を参照し好ましい態様の以下の詳細な
記載を読むことによりよりよく理解される。
第１図は二セレン化インジウム銅層上に沈着された単一
の酸化亜鉛層を有する参考例の横断面図でありそして 第２図は酸化亜鉛層が異なる抵抗率を有する２つの層と
して沈着された本発明の実施の１例を示す横断図面であ
る。
好ましい態様の記載 ここで第１図に関して本発明による光電池１０の一部分
の横断面図が提供される。電池１０は約１〜３ミリメー
ターの厚さであるガラス基板１２上に構造的に支持され
ている。後方接触子は基板１２上に沈着された金属層１
４からなる。好ましい態様において層１４は約０．２〜
２ミクロンの厚さにスパッタリングにより沈着されたモ
リブデンである。デバイス１０の第１の活性領域は好ま
しい態様において主として約０．２〜２ミクロンの厚さ
を有するｐ型の二セレン化インジウム銅である半導体層
１６を含む。デバイス１０の第２の活性領域は約０．５
〜２ミクロンの厚さを有する半導体層１８を含む。この
態様において層１８は例えば約２．０×１０-3オーム−
cmより低いそして好ましくは１．０×１０-3オーム−cm
より低い比較的に低い抵抗率を与えるために適当にドー
プ処理された主としてｎ型の酸化亜鉛からなる。デバイ
スは例えばスパッタリング、蒸着またはメッキにより沈
着しうるアルミニウムよりなる狭い金属細片の形の１連
の前面接触子すなわち前面電極２０により完成される。
第１図において例示されるようにつくられたデバイスは
機能的であることが判明しているけれどもその光起電力
効率はむしろ低い。これは前記米国特許第４，３３５，
２６６号のＣＩＳ−ＣｄＳデバイスについて有したと丁
度同じようなデバイス上への有害作用を有するＣＩＳ層
１６における欠陥によるものであると信じられる。この
時点で「完全な」ＣＩＳ層を沈着しうるかあるいはその
ような層の後処理がすべての欠陥を除去しうるかは示さ
れなかった。この結果本発明者等はＣＩＳ層中の欠陥を
克服するために本発明のデバイスにおいて高い抵抗率の
酸化亜鉛層を導入することが好ましいことを知った。
第２図に関して酸化亜鉛層が２つの異なる層として沈着
される本発明が例示される。第２図において、デバイス
２２は第１図の基板１２と同じでありうるガラス基板２
４上に構成される。同様に、モリブデン層２６及びＣＩ
Ｓ層２８は第１図の層１４及び１６と同じであってよ
い。しかしながら、第１図の単一の酸化亜鉛層１８を用
いる代わりにデバイス２２は第１の高い抵抗率の酸化亜
鉛層３０及び第２の低い抵抗率の酸化亜鉛層３２を導入
する。層３０は１００〜２０００オングストロームの範
囲の厚さを有しうる一方層３２は約１０，０００オング
ストロームの厚さを有する。高い抵抗率の層３０は本質
的に純粋な酸化亜鉛材料の使用により達成され、一方で
層３２は低い抵抗率を達成させるためにドープ処理され
る。好ましくは層３０は層３２の抵抗率の約２００倍の
抵抗率を有する。例えば層３２が約１×１０-3オーム−
cmの好ましい抵抗率を有する場合、層３０は約０．２オ
ーム−cmの抵抗率を有する。第１図の態様におけるよう
にデバイス２２は一連の前面接触子すなわち前面電極３
４により完成される。
上に示しているように第１図の層１２、１４及び１６及
び第２図の層２４、２６及び２８は本質的に同じであり
したがって本質的に同じ方法でつくることができる。例
えば上に示されるように、第２図の層２６は典型的には
モリブデンであり、これは０．２〜２ミクロンの厚さに
スパッタリングによりガラス基板２４上に適用すること
ができる。二セレン化インジウム銅層２８は所望ならば
上記米国特許第４，３３５，２６６号の方法に従って沈
着することができる。しかしながら、本発明の図示の例
は異なる方法により沈着された二セレン化インジウム銅
層２８を用いてつくられた。これらの方法において、層
２８は金属層２６上に約２０００オングストロームの膜
の厚さに銅をまず沈着することによりつくることができ
る。そのあとに、インジウムが約４０００オングストロ
ームの厚さに銅膜上に沈着される。これらの層の厚さは
約１．０の所望の原子比を提供する。銅及びインジウム
層は両方とも水溶液からの電気沈着により及び固定ター
ゲットからのスパッタリングにより沈着された。したが
ってどちらかの方法により銅及びインジウムを沈着した
後「セレン化」により二セレン化インジウム銅半導体層
２８が形成される。この方法は約１時間アルゴン中に希
釈された約３％Ｈ２Ｓｅを含むガスの存在下に基板を約
４００℃に加熱しそしてその後、同じ温度でさらに２時
間その材料を焼きもどすことを包含する。この方法にお
いて、銅及びインジウムは相互拡散し、一方ではセレン
は銅及びインジウムの両方中に拡散しそしてそれらと反
応する。その結果約１ミクロンの厚さを有する二セレン
化インジウム銅の膜が形成される。
ここで第２図に関連して、二セレン化インジウム銅上に
酸化亜鉛膜を沈着する好ましい方法が示される。この方
法は化学的蒸着（ＣＶＤ）または低温化学的蒸着（ＬＴ
ＣＶＤ）と称する。この方法において、膜２６及び２８
を有する基板２４は加熱された支持体上で真空室に置か
れる。その室は次に真空排気され、基板温度が約１５０
℃に調節されそして約２０分間放置して安定化される。
約９２９．０３cm2（約１平方フイート）の面積を有す
る基板上に高い抵抗率の酸化亜鉛層３０を形成するため
に８sccm（標準立法センチ／分）のジエチル亜鉛、１０
sccmのH2O 及び１８６sccmのアルゴンが０．８６トルの
圧力で基板を横切って流され、一方で初期の温度が維持
された。ジエチル亜鉛及びH2O の流速は飽和と推定する
不活性担体ガス流の流速から判断された。２〜６分の沈
着時間の間、高い抵抗率の酸化亜鉛膜は７００〜２００
０オングストロームの範囲の厚さに沈着されることがで
きる。得られたＺｎＯ膜は本明細書において純粋なまた
は本質的に純粋なＺｎＯと称されるけれどもＨ２Ｏが材
料に若干の水素を与えそしてこれは恐らく抵抗率に若干
の作用を有することが認められよう。所望の厚さの高い
抵抗率の層３０が沈着されたときに、酸化亜鉛の低い抵
抗率の層３２の沈着が、単に反応性ガス混合物を変化さ
せることにより開始される。ドープ処理層３２は８sccm
のジエチル亜鉛、10sccmのＨ２Ｏ、０．０７５sccmのＢ
２Ｈ６及び２００sccmのアルゴンを含む反応性ガスを用
いて形成される。約１ミクロンの厚さを有する高い導電
率の層32は約30分間の処理時間でこれらの条件下沈着す
ることができる。
特定のパラメータがＬＴＣＶＤ法の例示のために示され
たけれども、良好なＺｎＯ膜はある範囲の条件にわたっ
て達成することができる。基板温度は６０℃〜３５０℃
そして好ましくは１００℃〜２００℃にわたって変化さ
せることができる。３５０℃の水準でさえ、これは透明
な導電体を沈着する他の方法に比較して低い温度の処理
でありしたがって半導体に使用するのに十分に適してい
る。真空システム圧は０．１トル〜２トルにわたって変
化させることができ、この範囲は高い真空とは考えられ
ない。しかしながらその室は沈着条件が確立されるまえ
にその室からすべての周囲のガスを除去するために高い
真空水準を具現することができるものでなければならな
い。式Ｒ２Ｚｎ（但し、Ｒは低級アルキル基である）を
有する他の有機亜鉛化合物、例えばジメチル亜鉛（ＣＨ
３）２Ｚｎは上に特定されたジエチル亜鉛（Ｃ２Ｈ５）
２Ｚｎの代わりに用いることができる。Ｏ２ガスのよう
な他の酸素源は好ましい態様において使用されたＨ２Ｏ
の代わりに有用であり得る。他の不活性ガス例えばヘリ
ウムまたは窒素でさえ有機亜鉛化合物及び水の担体とし
てアルゴンの代わりに使用することが出来る。有機亜鉛
化合物蒸気及び水蒸気は好ましくはその化合物または脱
イオン水の貯槽中に不活性ガスを吹きこむことにより真
空室中に導入される。１．０より大きい水対有機亜鉛化
合物のモル比は適当な反応条件を提供するために好まし
い。
第１図に関連して、酸化亜鉛槽１８は第２図の層３２に
相当しそして同じ方法で沈着することが出来る。即ち第
１図のデバイスは第２の層３０に相当する高い抵抗率の
層の沈着が省かれる以外は上記方法によりつくられる。
第１図及び第２図の両方のデバイスは層１８または３２
それぞれの上部表面に金属電極２０，３４の沈着により
完成される。この電極は任意の周知の方法により沈着さ
れたアルミニウムまたは銀から形成することができる。
４平方センチの面積を有する幾つかの試験デバイスが第
２図について前述したとおりにしてつくられた。層３０
は約７００オングストロームの概算された厚さを有し、
一方では層３２は約１ミクロンの厚さを有した。１００
Ｗ／cm２の太陽放射水準で、銅及びインジウムが電気沈
着されたデバイスは６〜７パーセントの効率を有しそし
て銅及びインジウムがスパッタリングされたデバイスは
７％を越える効率を有した。１００〜２００オングスト
ロームの範囲の高い抵抗率の層を有する同様なデバイス
はまたかなりの光起電力応答性を示した。同様に高い抵
抗率の酸化亜鉛層を使用しない第１図によるデバイスは
しかしながら非常に低い効率を有する光起電力応答を示
した。そのような低い効率は二セレン化インジウム銅層
中の欠陥によるものであると信じられる。
第１図及び第２図の層１６及び２８のそれぞれは二セレ
ン化インジウム銅として特定されるけれども、種々の他
の材料が、種々の目的のためにこの層と合金化されるこ
とができることが認められよう。例えばアルミニウム、
ガリウム、テルルまたは硫黄が禁止帯の幅を調節するた
めに二セレン化インジウム銅中に含有されることができ
ることが知られておりそしてそのような合金化合物質は
本発明の目的のために二セレン化インジウム銅と均等で
あると考えられる。同様に、最終層の品質を改良するた
めに、例えば純銅小塊を排除するための試みにおいて、
銅インジウム及びセレンの正確な比を調節することがで
きる。
同様に、第１図の層１８及び第２図の層３０及び３２は
酸化亜鉛であるとして示されたけれども、種々の材料を
種々の目的のために導入することが認められよう。例え
ば第１図の層１８及び第２図の層３２は硼素で処理する
ことができる。同様に、好ましい態様において酸化亜鉛
を沈着するために使用された特定の反応ガスはこれらの
層において或る量の水素ドープ処理を生ずると信じられ
る。水素はＨ２ＯとＢ２Ｈ６ガスの両方により提供され
る。硼素は通常半導体の導電性を増大すると考えられる
が、このことがＺｎＯの場合事実であるかどうか確かで
なくそしてＢ２Ｈ６ガスにより与えられた余分な水素が
低い抵抗率の主な源であり得ると思われる。ＺｎＯの抵
抗率はまたアルミニウムを単独で用いるかまたは水素と
組み合わせて用いてドープ処理することにより減少させ
ることができる。さらに、第２図の層３０及び層３２中
の硫黄の存在はデバイスの開回路電圧を改良することが
できそしてそれにより全体的効率を改良すると信じられ
る。硫黄は酸化亜鉛膜が被着されるＣＶＤ法において使
用される反応性ガス中に硫化水素（Ｈ２Ｓ）ガスを単に
含有させることにより層中に導入させることができる。
同様に、ＺｎＯ層へのセレン及びテルルの添加は性能を
改良することができそして反応性ガス混合物中にＨ２Ｓ
ｅまたはＨ２Ｔｅを含有させることにより達成させるこ
とが出来る。得られた膜は依然として本発明による実質
的に酸化亜鉛であると考えられる。
上記記載において、ＣＩＳ層はｐ型導電性のものである
として言及されそしてｎ型導電性のものであるＺｎＯと
その物理的界面での接合を形成すると考えられる。しか
しながらＣＩＳデバイスにおける接合は実際にはＣＩＳ
層の大半と、透明層に接触する表面での薄いｎ型ＣＩＳ
層との間の埋込みホモ接合である形跡がある。そのよう
なｎ型ＣＩＳ層はあとでの処理工程、例えば加熱により
生じたＣＩＳ層の表面からセレンの損失により形成され
る可能性がある。これはＺｎＯの低温の化学的蒸着が好
ましくそしてより良好な結果を与えると信じされる理由
の一つである。
本発明は特定の構造に関連して説明され且つ記載された
けれども特許請求の範囲に規定された本発明の範囲内で
適宜変更及び修正がなされることができることは明らか
であろう。
【図面の簡単な説明】
第１図は二セレン化インジウム銅層上に沈着された単一
の酸化亜鉛層を有する参考例の横断面図でありそして 第２図は酸化亜鉛層が異なる抵抗率を有する２つの層と
して沈着された本発明の実施の１例を示す横断面図であ
る。 １０……光起電力デバイス、１２……ガラス基板、１４
……金属層、１６……二セレン化インジウム銅層、１８
……酸化亜鉛層、２０……前面電極、２２……光起電力
デバイス、２４……ガラス基板、２６……モリブデン
層、２８……二セレン化インジウム銅層、３０……高抵
抗率酸化亜鉛層、３２……低抵抗率酸化亜鉛層、３４…
…前面電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−151089（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−154293（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−31584（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】二セレン化インジウム銅半導体の第１の層
    と、この第１の層に接触する高い抵抗率の酸化亜鉛半導
    体の第２の層と、この第２の層と接触する低い抵抗率の
    酸化亜鉛半導体の第３の層とを含む薄膜光起電力デバイ
    ス。
  2. 【請求項２】前記第３の層として化学的蒸着法により形
    成された層を有し、且つこの第３の層は酸化亜鉛半導体
    を蒸着するのに使用される反応性ガス混合物中にＢ２Ｈ
    ６を含有させることにより得られた低い抵抗率を有する
    特許請求の範囲第１項記載のデバイス。
  3. 【請求項３】前記第２の層として低温化学的蒸着法によ
    り形成された層を有する特許請求の範囲第１項記載のデ
    バイス。
JP61119425A 1985-06-04 1986-05-26 薄膜光起電力デバイス Expired - Lifetime JPH0634405B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/740,946 US4612411A (en) 1985-06-04 1985-06-04 Thin film solar cell with ZnO window layer
US740946 1985-06-04

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5264074A Division JP2651886B2 (ja) 1985-06-04 1993-09-29 薄膜光起電力デバイスの沈着方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61279181A JPS61279181A (ja) 1986-12-09
JPH0634405B2 true JPH0634405B2 (ja) 1994-05-02

Family

ID=24978718

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61119425A Expired - Lifetime JPH0634405B2 (ja) 1985-06-04 1986-05-26 薄膜光起電力デバイス
JP5264074A Expired - Lifetime JP2651886B2 (ja) 1985-06-04 1993-09-29 薄膜光起電力デバイスの沈着方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5264074A Expired - Lifetime JP2651886B2 (ja) 1985-06-04 1993-09-29 薄膜光起電力デバイスの沈着方法

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US (1) US4612411A (ja)
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