JPH06331404A - Flow sensor - Google Patents
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- JPH06331404A JPH06331404A JP5118815A JP11881593A JPH06331404A JP H06331404 A JPH06331404 A JP H06331404A JP 5118815 A JP5118815 A JP 5118815A JP 11881593 A JP11881593 A JP 11881593A JP H06331404 A JPH06331404 A JP H06331404A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１，９上に流量検出回路導体３〜５と該
流量検出回路導体３〜５を包む絶縁膜２，６とを設けて
なる流量センサの、前記基板１，９に振動を検知する感
震機構１９を設けてなる。
【効果】 流量センサの基板１，９に、振動を検知する
感震機構１９を設けているため、流量センサおよび感震
センサとしてそれぞれ個別のものを用いるものより、セ
ンサ全体の大きさを小さくできる。また一体化されるこ
とによりセンサの作製工数および装着工数を低減するこ
とができる。
(57) [Summary] [Structure] The above-mentioned substrate 1 of a flow sensor in which flow rate detection circuit conductors 3 to 5 and insulating films 2 and 6 enclosing the flow rate detection circuit conductors 3 to 5 are provided on the substrates 1 and 9. , 9 are provided with a vibration-sensing mechanism 19 for detecting vibrations. [Effect] Since the vibration-sensing mechanism 19 for detecting vibration is provided on the substrates 1 and 9 of the flow sensor, the size of the entire sensor can be reduced as compared with the case where separate sensors are used for the flow sensor and the vibration sensor. . Further, the integration can reduce the man-hours for manufacturing and mounting the sensor.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、流体の流速を検出する
流量センサに、振動を検知する機能を付与したものに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flow sensor for detecting a flow velocity of a fluid, to which a function of detecting vibration is added.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、極めて微少な流体の流速を検出
する流量センサとして、マイクロマシニング技術によ
り、基板上に発熱体と感温抵抗体等の流量検出回路導体
とを設けてなるものがある。この流量センサは、被測流
体が流れる流路中に設けられることにより、感温抵抗体
の上流側と下流側とに流速に応じた温度差による抵抗値
の差が生じることを利用して流量（流速）を検出するも
のである。このような流量センサを使用した計測機器と
して、例えば、家庭用ガスメータがある。この家庭用ガ
スメータでは、ガス使用量を計測するために、また安全
対策用として、微小なガス漏れを検知するために上記流
量センサを用いており、近年では、さらに地震等に対す
る安全性を高めるために、流量センサとは個別に、振動
（地震）を検知するための感震センサを設けているもの
がある。2. Description of the Related Art For example, as a flow rate sensor for detecting an extremely minute flow velocity of a fluid, there is a flow rate sensor in which a heat generating element and a flow rate detecting circuit conductor such as a temperature sensitive resistor are provided on a substrate by a micromachining technique. This flow rate sensor is provided in the flow path of the fluid to be measured, so that the difference in the resistance value due to the temperature difference depending on the flow velocity is generated between the upstream side and the downstream side of the temperature sensitive resistor. (Flow velocity) is detected. As a measuring instrument using such a flow sensor, there is, for example, a household gas meter. This household gas meter uses the above flow rate sensor to measure the amount of gas used and to detect a minute gas leak as a safety measure, and in recent years, to further enhance safety against earthquakes, etc. In some cases, a seismic sensor for detecting vibration (earthquake) is provided separately from the flow rate sensor.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記のように流量セン
サおよび感震センサとして、それぞれ個別のものを用い
ると、これらセンサを合わせた計測機器全体の大きさが
大きくなってしまうという問題があった。したがって、
本発明の目的は、計測機器全体の大きさを大きくするこ
となく、これら計測機器に利用される流量センサにおい
て、振動を検知する機能を同一基板に組込加工した流量
センサを提供することである。If the flow rate sensor and the seismic sensor are individually used as described above, there is a problem that the size of the entire measuring device including these sensors becomes large. . Therefore,
An object of the present invention is to provide a flow rate sensor used in these measurement instruments, without increasing the size of the entire measurement instrument, in which the function of detecting vibration is incorporated and processed on the same substrate. .
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の流量センサは、基板上に流量検出回路導体
を設けて構成してなる流量センサであって、前記基板に
は振動を検知する感震機構を併せて設けてなることを特
徴としている。In order to achieve the above object, a flow rate sensor of the present invention is a flow rate sensor comprising a flow rate detection circuit conductor provided on a substrate, wherein the substrate is free from vibration. The feature is that a seismic sensing mechanism for detection is also provided.
【０００５】[0005]
【作用】本発明の流量センサによれば、流量センサの基
板に、振動を検知する感震機構を併せて設けているた
め、流量センサおよび感震センサとしてそれぞれ個別の
ものを用いる計測機器より、計測機器の大きさを小さく
できる。According to the flow sensor of the present invention, since the vibration sensor mechanism for detecting vibration is also provided on the substrate of the flow sensor, the flow rate sensor and the vibration sensor are different from each other in measuring devices. The size of measuring equipment can be reduced.
【０００６】[0006]
【実施例】以下、本発明の第１実施例による流量センサ
を以下に説明する。第１実施例の流量センサは、図１〜
図３に示すように、第一基板１と、この第一基板１の表
面１ａに形成された絶縁膜２と、この絶縁膜２の表面２
ａに形成された流量検出回路導体３，４，５と、これら
流量検出回路導体３，４，５を覆うように絶縁膜２の表
面２ａに形成された絶縁膜６と、第一基板１の裏面１ｂ
側の絶縁膜７とを有しており、絶縁膜７の第一基板１に
対し反対側には第二基板９が接合されている。なお、こ
の流量センサは、流体がその表面側を所定の方向に流れ
るように設置されるものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A flow sensor according to a first embodiment of the present invention will be described below. The flow rate sensor of the first embodiment is shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, the first substrate 1, the insulating film 2 formed on the surface 1 a of the first substrate 1, and the surface 2 of the insulating film 2
a, the flow rate detection circuit conductors 3, 4, 5 formed on the surface a, the insulating film 6 formed on the surface 2a of the insulation film 2 so as to cover the flow rate detection circuit conductors 3, 4, 5; Back side 1b
The insulating film 7 on the side is provided, and the second substrate 9 is bonded to the opposite side of the insulating film 7 with respect to the first substrate 1. The flow rate sensor is installed so that the fluid flows in a predetermined direction on the surface side.
【０００７】そして、流量検出回路導体３，４，５の裏
側には、第一基板１が部分的に取除かれることにより、
絶縁膜２を裏側に露出させる空間部１０が形成されてい
る。この空間部１０を形成することにより、この空間部
１０に臨む絶縁膜２、流量検出回路導体３，４，５およ
び絶縁膜６で薄膜部１１が構成され、薄膜部１１に構成
した回路導体３，４，５の第一基板１に対する熱的絶縁
が向上される。Then, the first substrate 1 is partially removed on the back side of the flow rate detection circuit conductors 3, 4, and 5 so that
A space 10 is formed to expose the insulating film 2 to the back side. By forming the space portion 10, the insulating film 2, the flow rate detection circuit conductors 3, 4, 5 and the insulating film 6 facing the space portion 10 form the thin film portion 11, and the circuit conductor 3 formed in the thin film portion 11 is formed. , 4, 5 are improved in thermal insulation to the first substrate 1.
【０００８】ここで、流量検出回路導体３，４，５は、
所定量の熱を発生させるヒータ４と、絶縁膜２の表面に
おけるヒータ４の、流体の流れ方向における両側の所定
位置に形成された感温抵抗体３，５（上流側感温抵抗体
３、下流側感温抵抗体５）とよりなり、感温抵抗体３，
５間に流速に応じた温度差による抵抗値の差が生じるこ
とにより、これを利用して流速を検出するようになって
いる。Here, the flow rate detection circuit conductors 3, 4, and 5 are
The heaters 4 that generate a predetermined amount of heat and the temperature-sensitive resistors 3 and 5 (upstream-side temperature-sensitive resistors 3, 5) formed at predetermined positions on both sides of the heater 4 on the surface of the insulating film 2 in the fluid flow direction. Downstream temperature-sensitive resistor 5), temperature-sensitive resistor 3,
A difference in the resistance value due to a temperature difference depending on the flow velocity is generated between the five, and this is utilized to detect the flow velocity.
【０００９】そして、第１実施例において、空間部１０
から離れた第一基板１の裏面１ｂ側には、該裏面１ｂか
ら一段凹んだ第一凹部１２が形成されており、該第一凹
部１２は、平面視略矩形状をなしかつこれに直交する方
向の断面が略台形状をなしている。そして、この第一凹
部１２の開口側に位置する絶縁膜７は、図３に示すよう
に、一つの角部から対角線方向に突出する部分が残され
た状態で第一凹部１２の開口形状に合わせてくり抜かれ
ており、前記突出する部分が片持梁状のカンチレバー１
３となっている。このカンチレバー１３は、根元部分の
幅細の首部１４と、これより幅広の先端側の頭部１５と
からなっており、頭部１５の第一基板１側には、重量部
１６が設けられている。さらに第二基板９の第一基板１
側には、第一凹部１２と位置を合わせて該第一凹部１２
より大きい平面視略矩形状をなす第二凹部１７が、一段
凹んで形成されている。Then, in the first embodiment, the space portion 10
On the back surface 1b side of the first substrate 1 away from the first back surface 1b, there is formed a first recess 12 which is recessed from the back surface 1b by one step. The cross section in the direction is substantially trapezoidal. Then, as shown in FIG. 3, the insulating film 7 located on the opening side of the first concave portion 12 has the opening shape of the first concave portion 12 with a portion protruding from one corner portion in a diagonal direction left. A cantilever 1 which is hollowed out and has a cantilevered protruding portion.
It is 3. This cantilever 13 is composed of a narrow neck portion 14 at the base portion and a head portion 15 on the tip side which is wider than this, and a weight portion 16 is provided on the first substrate 1 side of the head portion 15. There is. Further, the first substrate 1 of the second substrate 9
On the side, the first recess 12 is aligned with the first recess 12.
The second recessed portion 17 having a larger rectangular shape in plan view is formed by recessing one step.
【００１０】そして、上記カンチレバー１３の首部１４
には、振動により生じる歪を電気信号に変換する抵抗体
１８が形成されており、これらカンチレバー１３および
抵抗体１８が感震機構１９を構成している。すなわち、
地震等の振動が生じると、カンチレバー１３の頭部１５
が揺れ、これにより首部１４に変形が生じることになる
ため、該首部１４の抵抗体１８の抵抗値が変化すること
になる。この抵抗値の変化を検出することにより、振動
を検知できることになる。なお、抵抗体１８に代えて、
上記カンチレバー１３の振動による変位を静電容量の変
化により検知することも可能である。The neck portion 14 of the cantilever 13 is
A resistor 18 that converts strain caused by vibration into an electric signal is formed in the, and the cantilever 13 and the resistor 18 constitute a vibration-sensing mechanism 19. That is,
When vibration such as an earthquake occurs, the head 15 of the cantilever 13
Shakes, which causes deformation of the neck portion 14, and thus the resistance value of the resistor 18 of the neck portion 14 changes. Vibration can be detected by detecting the change in the resistance value. Instead of the resistor 18,
It is also possible to detect the displacement of the cantilever 13 due to the vibration based on the change in capacitance.
【００１１】このような構成の第１実施例の流量センサ
によれば、上記のように第一基板１および第二基板９
に、振動を検知する感震機構１９を一体に設けているた
め、流量センサおよび感震センサとしてそれぞれ個別の
ものを用いるものより、計測機器全体の大きさを小さく
できる。またこのように一体化されることによりセンサ
の作製工数および装着工数を低減することができる。さ
らに、流量センサの流量検出回路導体３，４，５の、引
出し線接続用端子等が設けられる基板周縁部分ａを利用
して感震機構を作れるので、センサの小型化が図れる。According to the flow rate sensor of the first embodiment having such a structure, as described above, the first substrate 1 and the second substrate 9 are provided.
In addition, since the vibration-sensing mechanism 19 for detecting vibration is integrally provided, the size of the entire measuring device can be reduced as compared with the case where the flow rate sensor and the vibration-sensing sensor are individually used. Further, such integration can reduce the man-hours for manufacturing and mounting the sensor. Further, since the seismic sensing mechanism can be formed by utilizing the board peripheral portion a of the flow rate detection circuit conductors 3, 4, 5 of the flow rate sensor where the lead wire connecting terminals and the like are provided, the sensor can be miniaturized.
【００１２】ここで、上記流量センサは、例えば以下の
手順で容易に製作できる。まず、図４（ａ）に示すよう
に、第一基板１としてシリコン基板（結晶面＜１００
＞）を用意する。カンチレバー１３の上記重量部１６を
形成するため、該重量部１６の形成位置に不純物をドー
ピングする。これはシリコンへの不純物のドーピング領
域が異方性エッチング液（ＫＯＨ液）によりほとんど除
去されないことを利用する。すなわち、図４（ｂ）に示
すように、まず第一基板１の表面１ａおよび裏面１ｂに
絶縁膜２，７Ａを作製する。この絶縁膜２，７Ａとして
は、例えば酸化シリコン等が採用され、該酸化シリコン
を熱酸化法により第一基板１に形成するのである。裏面
１ｂ側の絶縁膜７Ａの重量部１６の形成領域に対応する
一部をホトリソグラフィにより除去し開口部１６ａを形
成する。次に、第一基板１の絶縁膜７Ａを除去した開口
部１６ａから、図４（ｃ）に示すように、不純物として
例えばボロン等を熱拡散によりドーピングして不純物拡
散領域１６を形成する。そして、その後、マスクとして
用いた裏面１ｂ側の酸化シリコンからなる絶縁膜７Ａを
フッ酸で除去し、図４（ｄ）に示すように、新たに絶縁
膜７を全面に形成する。Here, the flow rate sensor can be easily manufactured by the following procedure, for example. First, as shown in FIG. 4A, as the first substrate 1, a silicon substrate (crystal plane <100
>) Is prepared. In order to form the weight portion 16 of the cantilever 13, the formation position of the weight portion 16 is doped with impurities. This utilizes the fact that the doping region of impurities into silicon is hardly removed by the anisotropic etching solution (KOH solution). That is, as shown in FIG. 4B, first, the insulating films 2 and 7A are formed on the front surface 1a and the back surface 1b of the first substrate 1. As the insulating films 2 and 7A, for example, silicon oxide or the like is adopted, and the silicon oxide is formed on the first substrate 1 by the thermal oxidation method. A part of the insulating film 7A on the back surface 1b corresponding to the formation region of the weight part 16 is removed by photolithography to form the opening 16a. Next, as shown in FIG. 4C, impurities such as boron are doped by thermal diffusion through the opening 16a where the insulating film 7A of the first substrate 1 is removed to form the impurity diffusion region 16. Then, after that, the insulating film 7A made of silicon oxide on the back surface 1b side used as the mask is removed with hydrofluoric acid, and a new insulating film 7 is formed on the entire surface as shown in FIG. 4D.
【００１３】そして、図５（ａ）に示すように、絶縁膜
２の表面２ａにヒータ４および感温抵抗体３，５を形成
する金属膜を蒸着し、リソグラフィにより所望の形状に
加工する。金属膜は、Ｎi，Ｎi−Ｆe，Ｐt等を用いて、
真空蒸着法、スパッタ法等により成膜する。次に、図５
（ｂ）に示すように、ヒータ４および感温抵抗体３，５
が形成された絶縁膜２の表面２ａに、絶縁膜６を同様に
形成する。そして、図５（ｃ）に示すように、空間部１
０を形成しようとするヒータ４および感温抵抗体３，５
の裏側の対応する所定位置において絶縁膜７の一部を除
去して開口部１０ａを形成し、シリコン面すなわち第一
基板１の裏面１ｂを露出させる。Then, as shown in FIG. 5A, a metal film for forming the heater 4 and the temperature sensitive resistors 3 and 5 is deposited on the surface 2a of the insulating film 2 and processed into a desired shape by lithography. The metal film is made of Ni, Ni-Fe, Pt, etc.
A film is formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like. Next, FIG.
As shown in (b), the heater 4 and the temperature sensitive resistors 3, 5
The insulating film 6 is similarly formed on the surface 2a of the insulating film 2 on which is formed. Then, as shown in FIG.
The heater 4 and the temperature-sensitive resistors 3 and 5 which try to form 0
A part of the insulating film 7 is removed at a corresponding predetermined position on the back side of to form the opening 10a, and the silicon surface, that is, the back surface 1b of the first substrate 1 is exposed.
【００１４】その後、図６（ａ）に示すように、異方性
エッチングにより、露出している裏面１ｂ側からエッチ
ングを行い、空間部１０が所定の部分まで形成された時
点で、カンチレバー１３の形状（図３参照）に絶縁膜７
の一部を除去して、図６（ｂ）に示すように開口部１３
ａを形成する。そして、さらに異方性エッチングを進め
ると、図６（ｃ）に示すように、空間部１０が形成され
て薄膜部１１が形成されるとともに、カンチレバー１３
上に不純物拡散領域１６を残存させた状態すなわち重量
部１６を形成した状態で第一凹部１２が形成される。な
お、カンチレバー１３の形状は、シリコンの異方性エッ
チングを利用するため、結晶方位＜１１０＞に対して０
でない角度（４５度が好ましい）に形成する必要があ
る。Thereafter, as shown in FIG. 6A, anisotropic etching is performed from the exposed back surface 1b side, and when the space portion 10 is formed to a predetermined portion, the cantilever 13 is formed. Insulation film 7 in shape (see Fig. 3)
Of the opening 13 as shown in FIG. 6 (b).
a is formed. Then, when the anisotropic etching is further advanced, as shown in FIG. 6C, the space portion 10 is formed, the thin film portion 11 is formed, and the cantilever 13 is formed.
The first recess 12 is formed with the impurity diffusion region 16 remaining thereon, that is, with the weight portion 16 formed. The shape of the cantilever 13 is 0 for the crystal orientation <110> because anisotropic etching of silicon is used.
It is necessary to form at a non-angle (preferably 45 degrees).
【００１５】上記カンチレバー１３の首部１４の、重量
部１６に対し反対側の面に、歪を電気信号に変換する抵
抗体１８を形成するための金属膜を蒸着し、ホトリソグ
ラフィにより所望の形状に形成する。抵抗体１８として
は、Ni-Cr、Ni-Cuが用いられる。A metal film for forming a resistor 18 for converting strain into an electric signal is vapor-deposited on the surface of the neck portion 14 of the cantilever 13 opposite to the weight portion 16, and a desired shape is formed by photolithography. Form. As the resistor 18, Ni-Cr or Ni-Cu is used.
【００１６】一方、図７（ａ）に示すように、第二基板
９としてシリコン基板を用意し、該第二基板９に、カン
チレバー１３に位置を合わせて上記と同様、図７（ｂ）
に示すように異方性エッチングにより第二凹部１７を形
成し、接合時の上記抵抗体１８に導通するよう位置を合
わせて、図７（ｃ）に示すように配線用の金属膜２０を
形成する。そして、第一基板１と第二基板９とを、絶縁
膜７を介在させた状態で陽極接合等により張り合わせ
る。On the other hand, as shown in FIG. 7 (a), a silicon substrate is prepared as the second substrate 9, the cantilever 13 is aligned with the second substrate 9, and the same operation as in FIG. 7 (b) is performed.
As shown in FIG. 7, a second recess 17 is formed by anisotropic etching, and the second recess 17 is aligned with the resistor 18 at the time of joining to form a metal film 20 for wiring as shown in FIG. 7C. To do. Then, the first substrate 1 and the second substrate 9 are bonded together by anodic bonding or the like with the insulating film 7 interposed.
【００１７】ここで、異方性エッチング液としては、一
般に用いられているＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を用
いる。このエッチング液はシリコンをエッチングする
が、絶縁膜（窒化シリコン）はエッチングすることな
く、また、ボロンが高濃度でドーピング（１０20ｃ
ｍ-3）されたシリコンの不純物拡散領域１６はエッチン
グ速度が極端（２０倍）に減少し、またシリコンの結晶
軸＜１１１＞方向にはエッチングが進みにくくなってい
る。これにより、ヒータ４および感温抵抗体３，５の裏
側の所定の位置のみを所定の面積だけ取除くことがで
き、またカンチレバー１３上に不純物拡散領域１６すな
わち重量部１６を残存させた状態で第一凹部１２を形成
することができる。また、上記した絶縁膜は、スパッタ
法、プラズマＣＶＤ法等により推積した窒化シリコン、
酸化シリコン等を用いることも可能である。The KOH (potassium hydroxide) solution that is generally used is used as the anisotropic etching solution. Although this etching solution etches silicon, it does not etch the insulating film (silicon nitride), and it is highly doped with boron (10 20 c
The etching rate of the m −3 ) impurity diffusion region 16 of silicon is extremely reduced (20 times), and it is difficult for the etching to proceed in the <111> crystal axis direction of silicon. As a result, only a predetermined position on the back side of the heater 4 and the temperature sensitive resistors 3 and 5 can be removed by a predetermined area, and the impurity diffusion region 16, that is, the weight portion 16 is left on the cantilever 13. The first recess 12 can be formed. In addition, the above-mentioned insulating film is a silicon nitride deposited by a sputtering method, a plasma CVD method, or the like,
It is also possible to use silicon oxide or the like.
【００１８】次に、本発明の第２実施例による流量セン
サを、図８を参照して第１実施例と相違する感震機構２
１を中心に以下に説明する。第２実施例においては、空
間部１０から離れた第一基板１に絶縁膜７を貫通して一
段凹んだ第一凹部２２が形成されており、第二基板９に
は、この第一凹部２２の中央所定範囲に位置を合わせて
第二凹部２３が形成されている。そして、第二凹部２３
の一の側面部からこれに連続する表面にかけて金属パタ
ーン２４を形成し、前記側面部に対向する側面部からこ
れに連続する表面にかけて金属パターン２５を形成し
て、これら金属パターン２４，２５上に金属球２６を、
自重によりその一部を第二凹部２３内に位置させた状態
で搭載して、これら金属パターン２４，２５と金属球２
６とで感震機構２１を構成する。この感震機構２１は、
振動が生じない状態では、金属球２６が金属パターン２
４，２５同士を導通させ、振動により金属球２６が外れ
ると、金属パターン２４，２５同士が電気的に開放され
ることになり、これにより振動を検知することになる。Next, a flow sensor according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The following description will be centered on 1. In the second embodiment, a first recess 22 is formed in the first substrate 1 which is distant from the space 10 so as to penetrate the insulating film 7 and be recessed by one step, and the second recess 9 is formed in the second substrate 9. The second concave portion 23 is formed by aligning the position with a predetermined range in the center of the. Then, the second recess 23
A metal pattern 24 is formed from one side surface part to a surface continuous with the side surface part, and a metal pattern 25 is formed from a side surface part facing the side surface part to a surface continuous with the side surface part. The metal ball 26,
The metal patterns 24, 25 and the metal balls 2 are mounted in a state in which a part of the metal patterns 24 and 25 are positioned by the dead weight in the second recess 23.
The seismic mechanism 21 is composed of 6 and. This seismic mechanism 21
In a state where vibration does not occur, the metal sphere 26 becomes the metal pattern 2
When the metal balls 26 are disengaged from each other by vibrating the four and 25 electrically connected to each other, the metal patterns 24 and 25 are electrically opened to detect the vibration.
【００１９】さらに、本発明の第３実施例による流量セ
ンサを、図９〜図１１を参照して第１実施例と相違する
部分を中心に以下に説明する。第３実施例においては、
第１実施例の、第一基板１の空間部１０と第一凹部１２
とを共用している。すなわち、第一基板１の空間部１０
に位置を合わせて第二基板９に第二凹部１７を設けこれ
ら空間部１０および第二凹部１７内に第１実施例と同様
の感震機構１９を設けている。Further, a flow rate sensor according to a third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 9 to 11 focusing on parts different from the first embodiment. In the third embodiment,
The space 10 and the first recess 12 of the first substrate 1 of the first embodiment.
Is shared with. That is, the space portion 10 of the first substrate 1
A second recess 17 is provided in the second substrate 9 by aligning with the above position, and a vibration-sensing mechanism 19 similar to that of the first embodiment is provided in the space 10 and the second recess 17.
【００２０】このように構成することにより、流量セン
サの熱絶縁のための空間を利用して感震機構が作られる
ことになるのでセンサの小型化が図れる。With this structure, the vibration-sensing mechanism can be made by utilizing the space for thermal insulation of the flow rate sensor, so that the sensor can be miniaturized.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の流量セン
サによれば、基板に、振動を検知する感震機構を一体に
設けているため、流量センサおよび感震センサとしてそ
れぞれ個別のものを用いるものより、計測機器全体の大
きさを小さくできる。また一体化されることによりセン
サの作製工数および装着工数を低減することができる。As described above, according to the flow rate sensor of the present invention, since the substrate is integrally provided with the vibration sensing mechanism for detecting vibrations, the flow rate sensor and the vibration sensing sensor are individually provided. The size of the entire measuring device can be made smaller than that used. Further, the integration can reduce the man-hours for manufacturing and mounting the sensor.
【図１】本発明の第１実施例による流量センサの側断面
図である。FIG. 1 is a side sectional view of a flow sensor according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例による流量センサの流量検
出回路導体および空間部を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a flow rate detecting circuit conductor and a space portion of the flow rate sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１実施例による流量センサの感震機
構を示す図１における下方から見た図である。FIG. 3 is a view from below in FIG. 1 showing the vibration-sensing mechanism of the flow sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１実施例による流量センサの第一基
板側の製造工程の前期を順に示す側断面図である。FIG. 4 is a side sectional view sequentially showing the first half of the manufacturing process on the first substrate side of the flow sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１実施例による流量センサの第一基
板側の製造工程の中期を順に示す側断面図である。FIG. 5 is a side sectional view sequentially showing the middle stage of the manufacturing process on the first substrate side of the flow sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第１実施例による流量センサの第一基
板側の製造工程の後期を順に示す側断面図である。FIG. 6 is a side sectional view sequentially showing the latter stage of the manufacturing process on the first substrate side of the flow sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第１実施例による流量センサの第二基
板側の製造工程を順に示す側断面図である。FIG. 7 is a side sectional view sequentially showing a manufacturing process on the second substrate side of the flow sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第２実施例による流量センサを示す側
断面図である。FIG. 8 is a side sectional view showing a flow sensor according to a second embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第３実施例による流量センサを示す側
断面図である。FIG. 9 is a side sectional view showing a flow sensor according to a third embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第３実施例による流量センサの流量
検出回路導体および空間部を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a flow rate detecting circuit conductor and a space portion of a flow rate sensor according to a third embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第３実施例による流量センサの感震
機構を示す図９における下方から見た図である。FIG. 11 is a view from below in FIG. 9 showing a seismic sensing mechanism of a flow sensor according to a third embodiment of the present invention.
１，９ 基板 ２，６ 絶縁膜 ３，４，５ 流量検出回路導体 １９，２１ 感震機構 1, 9 Substrate 2, 6 Insulating film 3, 4, 5 Flow rate detection circuit conductor 19, 21 Seismic mechanism
Claims (1)
してなる流量センサにおいて、 前記基板には振動を検知する感震機構を併せて設けてな
ることを特徴とする流量センサ。1. A flow rate sensor comprising a flow rate detection circuit conductor provided on a substrate, wherein the substrate is also provided with a vibration-sensing mechanism for detecting vibration.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118815A JPH06331404A (en) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Flow sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118815A JPH06331404A (en) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Flow sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06331404A true JPH06331404A (en) | 1994-12-02 |
Family
ID=14745828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5118815A Withdrawn JPH06331404A (en) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Flow sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06331404A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4931922B2 (en) * | 2005-07-25 | 2012-05-16 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Microfluidic system |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP5118815A patent/JPH06331404A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4931922B2 (en) * | 2005-07-25 | 2012-05-16 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Microfluidic system |
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