JPH06310814A - 半導体レーザダイオード装置 - Google Patents
半導体レーザダイオード装置Info
- Publication number
- JPH06310814A JPH06310814A JP5100582A JP10058293A JPH06310814A JP H06310814 A JPH06310814 A JP H06310814A JP 5100582 A JP5100582 A JP 5100582A JP 10058293 A JP10058293 A JP 10058293A JP H06310814 A JPH06310814 A JP H06310814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- laser diode
- optical waveguide
- semiconductor laser
- diode device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W72/90—
-
- H10W72/536—
-
- H10W72/5522—
-
- H10W72/59—
-
- H10W72/884—
-
- H10W72/934—
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型でありながら、組立が容易で信頼性の高
い半導体レーザダイオード装置を提供する。 【構成】 レーザ光を発振する光導波路部１１を、チッ
プの片側に寄せた半導体レーザダイオード素子１とす
る。 【効果】 コストダウンのためには、ウェーハから多数
のチップが得られるよう、チップを小型化したいが、長
さは光の共振器長であり、変更できない。光導波路部を
中央に保ったままチップ幅を狭くすると、ボンディング
の際に光導波路部の上にストレスが加わるようになり、
素子の信頼性を悪化させる恐れがあった。チップの片側
に光導波路部を寄せることにより、ボンディングのため
の面積をチップ上に確保しながら、チップを小型化する
ことができ、安価かつ高信頼性の素子の製作が可能とな
る。
い半導体レーザダイオード装置を提供する。 【構成】 レーザ光を発振する光導波路部１１を、チッ
プの片側に寄せた半導体レーザダイオード素子１とす
る。 【効果】 コストダウンのためには、ウェーハから多数
のチップが得られるよう、チップを小型化したいが、長
さは光の共振器長であり、変更できない。光導波路部を
中央に保ったままチップ幅を狭くすると、ボンディング
の際に光導波路部の上にストレスが加わるようになり、
素子の信頼性を悪化させる恐れがあった。チップの片側
に光導波路部を寄せることにより、ボンディングのため
の面積をチップ上に確保しながら、チップを小型化する
ことができ、安価かつ高信頼性の素子の製作が可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザダイオ
ードに関し、特にチップ内における光導波路部の位置に
関するものである。
ードに関し、特にチップ内における光導波路部の位置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体レーザダイオード装
置をパッケージに組み込む際には、図４に示すように放
熱のためのヒートシンク２上にチップ１を固着し、チッ
プ上の電極１２と、外部電極（図示せず）との間をワイ
ヤー４により結んでいる。ヒートシンク２の上に下部電
極（図示せず）を用いてペレット１を固着した後、ヒー
トシンク２をステム３に精密に位置決めしながら固着す
る。次に、ステム３をボンダーに設置し、画像認識機能
を用いてチップの側面を検出し、端からチップ全幅の１
／４〜１／３の部分に金線をボンディングする。この
時、ボンディング金線が上部電極に押し付けられ、変形
するがその圧力が光導波路部に加わらないよう、平坦部
に十分な面積を用意しておく必要があった。
置をパッケージに組み込む際には、図４に示すように放
熱のためのヒートシンク２上にチップ１を固着し、チッ
プ上の電極１２と、外部電極（図示せず）との間をワイ
ヤー４により結んでいる。ヒートシンク２の上に下部電
極（図示せず）を用いてペレット１を固着した後、ヒー
トシンク２をステム３に精密に位置決めしながら固着す
る。次に、ステム３をボンダーに設置し、画像認識機能
を用いてチップの側面を検出し、端からチップ全幅の１
／４〜１／３の部分に金線をボンディングする。この
時、ボンディング金線が上部電極に押し付けられ、変形
するがその圧力が光導波路部に加わらないよう、平坦部
に十分な面積を用意しておく必要があった。
【０００３】チップ幅を狭くすると、位置決め、および
潰ししろの精度により不良、特に信頼性の劣化がある確
率で発生するようになるため、２５０μｍ以下に狭くす
ることは困難であった。
潰ししろの精度により不良、特に信頼性の劣化がある確
率で発生するようになるため、２５０μｍ以下に狭くす
ることは困難であった。
【０００４】このボンディング線は、１本で十分であ
り、光導波路の片側は無駄な面積となっていた。
り、光導波路の片側は無駄な面積となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の結線
において、超音波あるいは熱圧着によりチップ１上にワ
イヤー４をボンディングしている。その際のストレスに
より光導波路部１１を傷めないため、チップの中央をは
ずし、片側にボンディングする必要がある。
において、超音波あるいは熱圧着によりチップ１上にワ
イヤー４をボンディングしている。その際のストレスに
より光導波路部１１を傷めないため、チップの中央をは
ずし、片側にボンディングする必要がある。
【０００６】しかし、ウェーハから、より多数のチップ
を得るためチップの幅を縮小してゆくと、ボンディング
を許される領域が狭くなり、ボンディングの位置がわず
かにずれるだけで、光導波路の直上に重なり、素子の信
頼性を劣化させるという欠点があった。
を得るためチップの幅を縮小してゆくと、ボンディング
を許される領域が狭くなり、ボンディングの位置がわず
かにずれるだけで、光導波路の直上に重なり、素子の信
頼性を劣化させるという欠点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明のレーザダイオ
ード装置は、チップの片側に寄せて光導波路を設けてお
り、その反対側の平坦部にワイヤーがボンディングされ
ている。
ード装置は、チップの片側に寄せて光導波路を設けてお
り、その反対側の平坦部にワイヤーがボンディングされ
ている。
【０００８】
【作用】上記の構成によると、確実にボンディングでき
る平坦な領域を確保しながら、チップの幅を狭くするこ
とができ、高信頼性かつ低コストのレーザダイオードを
実現できる。
る平坦な領域を確保しながら、チップの幅を狭くするこ
とができ、高信頼性かつ低コストのレーザダイオードを
実現できる。
【０００９】この構造は、半導体レーザダイオードの種
類、例えば ○可視レーザ、短波長レーザ、長波長レーザといった波
長による区分 ○ファブリペロー、ＤＦＢといった共振器構造による区
分 ○ＭＱＷ、ＭＱＢといった結晶構造による区分 ○チップの大きさ、構造、電極構造 何れにもよらず適用でき、汎用性がある。
類、例えば ○可視レーザ、短波長レーザ、長波長レーザといった波
長による区分 ○ファブリペロー、ＤＦＢといった共振器構造による区
分 ○ＭＱＷ、ＭＱＢといった結晶構造による区分 ○チップの大きさ、構造、電極構造 何れにもよらず適用でき、汎用性がある。
【００１０】
【実施例】以下、この発明について、図面を参照して説
明する。
明する。
【００１１】図１は、この発明の位置実施例の可視レー
ザダイオードの断面図である。図において、１は半導体
レーザダイオードチップ、２はヒートシンク、３はステ
ム、４はボンディングワイヤー、１１は光導波路、１２
は上部電極である。
ザダイオードの断面図である。図において、１は半導体
レーザダイオードチップ、２はヒートシンク、３はステ
ム、４はボンディングワイヤー、１１は光導波路、１２
は上部電極である。
【００１２】上記の構造において、チップを前後に走る
光導波路部１１が片側に寄っているため、上部電極の他
方の面積が広く、その上に容易にボンディングできる。
光導波路部１１が片側に寄っているため、上部電極の他
方の面積が広く、その上に容易にボンディングできる。
【００１３】図２は、この発明のレーザダイオードの組
立の状況を示す見取り図である。
立の状況を示す見取り図である。
【００１４】図４は、赤色光を発行する可視レーザダイ
オードチップの具体的構造の例である。
オードチップの具体的構造の例である。
【００１５】図４を用いて、レーザダイオードの導体原
理を略述する。
理を略述する。
【００１６】可視レーザダイオードにおいては、ＧａＡ
ｓサブストレート１７上にエピタキシャル成長したクラ
ッド層１６、ブロック層１５へテロバッファ層１４の中
に、ＧａＩｎＰからなる光導波路１１を埋め込み、さら
にキャップ層１３を成長する。
ｓサブストレート１７上にエピタキシャル成長したクラ
ッド層１６、ブロック層１５へテロバッファ層１４の中
に、ＧａＩｎＰからなる光導波路１１を埋め込み、さら
にキャップ層１３を成長する。
【００１７】オーミックコンタクトをとるため、サブス
トレート側にはＴｉＰｔＡｕ系の合金を蒸着する。
トレート側にはＴｉＰｔＡｕ系の合金を蒸着する。
【００１８】ウェーハ上に多数作成されたパターンに応
じ、へき開あるいはスクライブによって、分割されたチ
ップは、ヒートシンクにソルダーにより固着された後、
上部に金ワイヤーを圧着される。
じ、へき開あるいはスクライブによって、分割されたチ
ップは、ヒートシンクにソルダーにより固着された後、
上部に金ワイヤーを圧着される。
【００１９】上部電極１２に正電圧、下部電荷１８に負
電圧を印加すると、サブストレート側に注入された電子
はブロック層１５によって塞き止められて光導波路１１
に集中し、レーザ発行を生じせしめるものである。
電圧を印加すると、サブストレート側に注入された電子
はブロック層１５によって塞き止められて光導波路１１
に集中し、レーザ発行を生じせしめるものである。
【００２０】この実施例によれば光導波路１１を片寄せ
ているので、チップの幅を２００μと従来より５０μ小
さく出来る。
ているので、チップの幅を２００μと従来より５０μ小
さく出来る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、光導
波路の位置を変更したことにより、小さなチップにおい
ても容易なボンディングと高い信頼性を確保できる効果
がある。
波路の位置を変更したことにより、小さなチップにおい
ても容易なボンディングと高い信頼性を確保できる効果
がある。
【図１】 この発明の半導体レーザダイオード装置の断
面図である。
面図である。
【図２】 この発明の半導体レーザダイオード装置の見
取り図である。
取り図である。
【図３】 可視レーザダイオードチップの構造の例であ
る。
る。
【図４】 従来の半導体レーザダイオード装置の断面図
である。
である。
１ 半導体レーザダイオードチップ ２ ヒートシンク ３ ステム ４ ボンディングワイヤー １１ 光導波路 ＧａＩｎＰ １２ 上部電極 ＴｉＰｔＡｕ １３ キャップ層 ＧａＡｓ １４ ヘテロバッファ層 １５ ブロック層 １６ クラッド層 １７ サブストレート ＧａＡｓ １８ 下部電極 ＡｕＧｅＮｉ １９ ソルダー
Claims (2)
- 【請求項１】光導波路部をチップの片側に寄せたことを
特徴とする半導体レーザダイオード装置。 - 【請求項２】他の側であって、下部に光導波路部のない
表面にワイヤボンディングした請求項１の半導体レーザ
ダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5100582A JPH06310814A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 半導体レーザダイオード装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5100582A JPH06310814A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 半導体レーザダイオード装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310814A true JPH06310814A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14277888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5100582A Pending JPH06310814A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 半導体レーザダイオード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008016019A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and its manufacturing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833885A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ド |
| JPS5898994A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS63148693A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5100582A patent/JPH06310814A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833885A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ド |
| JPS5898994A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS63148693A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008016019A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and its manufacturing method |
| JP2008060555A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
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