JPH0629216A - 縦型エピタキシャル成長装置 - Google Patents
縦型エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPH0629216A JPH0629216A JP13686492A JP13686492A JPH0629216A JP H0629216 A JPH0629216 A JP H0629216A JP 13686492 A JP13686492 A JP 13686492A JP 13686492 A JP13686492 A JP 13686492A JP H0629216 A JPH0629216 A JP H0629216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- hole
- gas
- height
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 縦型エピタキシャル成長装置において、サセ
プタの表裏にガスを供給して、同時にエッチング可能と
する。 【構成】 ペディスタル５０のサセプタ支持部５１に穴
５２を横方向に開ける。 【効果】 ノズル高さを調整して穴の高さを合わせる
と、サセプタ表裏にガスが流せることで、サセプタに堆
積した物質をエッチングする時に、表側と同時に裏面も
処理できるようになるため、裏面のエッチング処理時間
が短縮できる。
プタの表裏にガスを供給して、同時にエッチング可能と
する。 【構成】 ペディスタル５０のサセプタ支持部５１に穴
５２を横方向に開ける。 【効果】 ノズル高さを調整して穴の高さを合わせる
と、サセプタ表裏にガスが流せることで、サセプタに堆
積した物質をエッチングする時に、表側と同時に裏面も
処理できるようになるため、裏面のエッチング処理時間
が短縮できる。
Description
【０００１】
【従来の技術】この発明は、Ｓｉ等の単結晶基板にエピ
タキシャル成長を行う、縦型エピタキシャル成長装置に
関し、特に部品の構造に関する。
タキシャル成長を行う、縦型エピタキシャル成長装置に
関し、特に部品の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、縦型エピタキシャル成長装置にお
いては、図５に断面図の片側を示すように、サセプタ１
と呼ぶ黒鉛にＳｉＣコートされた円板状の平板に単結晶
基板（図示せず）を置き、サセプタ１をコイル２により
誘導加熱しつつエピタキシャル成長したいガスをノズル
４より流す。エピタキシャル成長を繰り返すと、サセプ
タ１表面および裏面にガスで生成した物質が堆積されて
くるため、ある頻度で成長用ガスとは異なるエッチング
ガスを流してサセプタ１表裏の堆積物３を除去してい
た。
いては、図５に断面図の片側を示すように、サセプタ１
と呼ぶ黒鉛にＳｉＣコートされた円板状の平板に単結晶
基板（図示せず）を置き、サセプタ１をコイル２により
誘導加熱しつつエピタキシャル成長したいガスをノズル
４より流す。エピタキシャル成長を繰り返すと、サセプ
タ１表面および裏面にガスで生成した物質が堆積されて
くるため、ある頻度で成長用ガスとは異なるエッチング
ガスを流してサセプタ１表裏の堆積物３を除去してい
た。
【０００３】サセプタ１の表面をエッチングする場合
は、成長状態においてガスのみを変えればよいが、裏面
をエッチングする場合は，サセプタ１を裏返してエッチ
ングする必要がある。
は、成長状態においてガスのみを変えればよいが、裏面
をエッチングする場合は，サセプタ１を裏返してエッチ
ングする必要がある。
【０００４】なお、サセプタ１はペディスタル５によっ
てささえられ、成長中やエッチング中は回転している。
また、コイル２に堆積物が付着するのを防止するコイル
カバーである。
てささえられ、成長中やエッチング中は回転している。
また、コイル２に堆積物が付着するのを防止するコイル
カバーである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の縦型エピ
タキシャル成長装置では、サセプタ表面にのみ直接ガス
を供給する構造となっているので、サセプタのエッチン
グをする場合、サセプタ表面の堆積物は除去できても同
時に裏面の堆積物が除去できないという欠点があった。
タキシャル成長装置では、サセプタ表面にのみ直接ガス
を供給する構造となっているので、サセプタのエッチン
グをする場合、サセプタ表面の堆積物は除去できても同
時に裏面の堆積物が除去できないという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の縦型エピタキ
シャル成長装置は、ペディスタルのサセプタ支持部のサ
セプタ裏面にもガスが供給できる位置に穴を複数個有し
て構成されている。
シャル成長装置は、ペディスタルのサセプタ支持部のサ
セプタ裏面にもガスが供給できる位置に穴を複数個有し
て構成されている。
【０００７】
【作用】上記の構成によると、エッチング時にのみペデ
ィスタルの穴にガスが流れるよう簡単に調整でき、エッ
チング用のガスをサセプタの表裏に同時に供給できる。
ィスタルの穴にガスが流れるよう簡単に調整でき、エッ
チング用のガスをサセプタの表裏に同時に供給できる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【０００９】図１はこの発明の一実施例のペディスタル
５０の断面図である。図において、５１はサセプタ（図
５参照）の支持部であり、溝５３を形成してある。さら
に溝５１は穴５２に連なり、内部に連通する。図２は、
実施例の平面図、図３はサセプタ支持部５１の側面図で
ある。
５０の断面図である。図において、５１はサセプタ（図
５参照）の支持部であり、溝５３を形成してある。さら
に溝５１は穴５２に連なり、内部に連通する。図２は、
実施例の平面図、図３はサセプタ支持部５１の側面図で
ある。
【００１０】次に上記のペディスタル５０の動作につい
て説明する。この実施例によれば、ノズル４（図５参
照）の穴とペディスタル５０の穴５２との高さを合わせ
ることだけで、サセプタ１の裏面にもガスを流すことが
できる。すなわちノズル４の高さを、成長時はサセプタ
１の表のみにガスを流す高さとし、エッチング時はサセ
プタ１の表裏双方にガスが流れるように高さ調整するだ
けで、両面同時にエッチングすることができる。あるい
は、ノズル４の穴５２に対応する高さに、開閉可能な穴
を設けておき、成長時はこの穴を閉じておき、エッチン
グ時はこの穴を開くようにしてもよい。
て説明する。この実施例によれば、ノズル４（図５参
照）の穴とペディスタル５０の穴５２との高さを合わせ
ることだけで、サセプタ１の裏面にもガスを流すことが
できる。すなわちノズル４の高さを、成長時はサセプタ
１の表のみにガスを流す高さとし、エッチング時はサセ
プタ１の表裏双方にガスが流れるように高さ調整するだ
けで、両面同時にエッチングすることができる。あるい
は、ノズル４の穴５２に対応する高さに、開閉可能な穴
を設けておき、成長時はこの穴を閉じておき、エッチン
グ時はこの穴を開くようにしてもよい。
【００１１】
【実施例２】図４はこの発明の第２実施例の断面図であ
る。この実施例は、第１の実施例の横穴に代えて、サセ
プタ１の中心付近のサセプタの載らない場所に縦穴５４
を形成した。この実施例においては、裏面にガスを流し
たくない時は、支持部にドーナツ状のフタ（図示せず）
を装備させる。
る。この実施例は、第１の実施例の横穴に代えて、サセ
プタ１の中心付近のサセプタの載らない場所に縦穴５４
を形成した。この実施例においては、裏面にガスを流し
たくない時は、支持部にドーナツ状のフタ（図示せず）
を装備させる。
【００１２】この実施例では、石英の劣化による問題が
少ない。
少ない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明はペディ
スタルのサセプタの構造を工夫したことによりエッチン
グ時サセプタ裏面にもガスを流すことができるようにな
り、表裏同時にエッチングでき、サセプタの裏面をエッ
チングするのに必要であった反転作業を省略できてエッ
チング時間が短縮できる効果がある。
スタルのサセプタの構造を工夫したことによりエッチン
グ時サセプタ裏面にもガスを流すことができるようにな
り、表裏同時にエッチングでき、サセプタの裏面をエッ
チングするのに必要であった反転作業を省略できてエッ
チング時間が短縮できる効果がある。
【図１】 この発明の第１実施例のペディスタルの断面
図。
図。
【図２】 図１の平面図。
【図３】 図１の側面図。
【図４】 この発明の第２実施例のペディスタルの断面
図。
図。
【図５】 従来の縦型エピタキシャル成長装置の断面
図。
図。
５０ ５０ａ サセプタ ５１ サセプタ支持部 ５２ 穴 ５３ 溝 ５４ 穴
Claims (3)
- 【請求項１】縦型エピタキシャル成長装置において、サ
セプタ支持部にサセプタ裏面にガスを通すペデイスタル
を有する縦型エピタキシャル成長装置。 - 【請求項２】上記穴は表面より裏面に抜ける穴であるこ
とを特徴とする縦型エピタキシャル成長装置。 - 【請求項３】上記穴は中心より放射方向に抜ける穴であ
ることを特徴とする縦型エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13686492A JPH0629216A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13686492A JPH0629216A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629216A true JPH0629216A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=15185310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13686492A Pending JPH0629216A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629216A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659425A (en) * | 1994-04-13 | 1997-08-19 | Olympus Optical Co., Ltd. | Immersion microscope objective |
| US8772517B2 (en) | 2008-04-10 | 2014-07-08 | Neste Oil Oyj | Method of producing a product based on vegetable oil |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13686492A patent/JPH0629216A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659425A (en) * | 1994-04-13 | 1997-08-19 | Olympus Optical Co., Ltd. | Immersion microscope objective |
| US8772517B2 (en) | 2008-04-10 | 2014-07-08 | Neste Oil Oyj | Method of producing a product based on vegetable oil |
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