JPH06267404A - 電極材料，電極材料製造方法及び電極 - Google Patents
電極材料，電極材料製造方法及び電極Info
- Publication number
- JPH06267404A JPH06267404A JP5674793A JP5674793A JPH06267404A JP H06267404 A JPH06267404 A JP H06267404A JP 5674793 A JP5674793 A JP 5674793A JP 5674793 A JP5674793 A JP 5674793A JP H06267404 A JPH06267404 A JP H06267404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- mol
- electrode material
- bao
- zro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 12
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 241000269851 Sarda sarda Species 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 17
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 10
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium(III) oxide Inorganic materials O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- -1 mercury ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011802 pulverized particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Discharge Lamp (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流密度が高く、耐熱衝撃性が高くスパッタ
リングによる劣化を減少させた電極、電極材料及びその
製造方法を提供する。 【構成】 ０.５〜１.５モルのＢａＯ，ＣａＯあるいは
ＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０５〜０.９５
モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択された第２の成
分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，
Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈ
ｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モルのＨｆＯ2，Ｃｒ
Ｏ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択された第３の成分か
ら電極材料を得る。また、この電極材料を顆粒化し塊状
または粒状もしくは多孔質状の電極材料を有底円筒状半
導体磁器容器に収容電極容器に充填し、還元焼成するこ
とによって電極を得る。
リングによる劣化を減少させた電極、電極材料及びその
製造方法を提供する。 【構成】 ０.５〜１.５モルのＢａＯ，ＣａＯあるいは
ＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０５〜０.９５
モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択された第２の成
分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，
Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈ
ｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モルのＨｆＯ2，Ｃｒ
Ｏ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択された第３の成分か
ら電極材料を得る。また、この電極材料を顆粒化し塊状
または粒状もしくは多孔質状の電極材料を有底円筒状半
導体磁器容器に収容電極容器に充填し、還元焼成するこ
とによって電極を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶用バックライト等の
蛍光管あるいは種々の放電灯に用いられる電極材料、そ
の製造法及び電極に関する。
蛍光管あるいは種々の放電灯に用いられる電極材料、そ
の製造法及び電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】放電灯はガラス等の透明材料で形成され
た密封容器に放電用ガスが封入され、管内に封止され対
向する電極に交流あるいは直流電圧が印加されることに
よりガスを介して放電が発生し、光が外部に放射され
る。最もありふれた放電灯である蛍光管の場合は放電用
ガスに低圧（１Ｐａ程度）の水銀（Ｈｇ）ガスを用い、
水銀ガスが放射する波長２５３.７nmの紫外線をガラス
管内壁に塗布されたハロ燐酸カルシウム（３Ｃａ3（Ｐ
Ｏ4）2・ＣａＦＣｌ／Ｓｂ，Ｍｎ）等の蛍光物質に照射
して可視光を得ている。放電用ガス中にはこの他に水銀
ガスの電離を促進して放電をし易くするため（ペニング
効果）に数１００Ｐａ程度の圧力のアルゴン（Ａｒ）ガ
スが封入されている。
た密封容器に放電用ガスが封入され、管内に封止され対
向する電極に交流あるいは直流電圧が印加されることに
よりガスを介して放電が発生し、光が外部に放射され
る。最もありふれた放電灯である蛍光管の場合は放電用
ガスに低圧（１Ｐａ程度）の水銀（Ｈｇ）ガスを用い、
水銀ガスが放射する波長２５３.７nmの紫外線をガラス
管内壁に塗布されたハロ燐酸カルシウム（３Ｃａ3（Ｐ
Ｏ4）2・ＣａＦＣｌ／Ｓｂ，Ｍｎ）等の蛍光物質に照射
して可視光を得ている。放電用ガス中にはこの他に水銀
ガスの電離を促進して放電をし易くするため（ペニング
効果）に数１００Ｐａ程度の圧力のアルゴン（Ａｒ）ガ
スが封入されている。
【０００３】このように構成される蛍光管の電極材料と
して、従来熱陰極の場合はタングステンフィラメントに
ＳｒＯあるいはＣａＯ等の電子放出材料を塗布したもの
が用いられ、冷陰極の場合はニッケル金属が用いられて
いる。これらのうち、熱陰極としてタングステンフィラ
メントは予熱回路が必要となるため装置コストが高く、
消費電力も大きくなるばかりでなく再点弧電圧が高い。
また、放電中で生じた水銀イオンが陰極前面の強い電界
で加速され、電極に衝突して電極物質を飛散させるスパ
ッタリングを生じるため電極寿命の短縮化及び電極近辺
の管端部を黒化させるという問題がある。一方、冷陰極
としてニッケル金属を用いた場合には電子の放出が少な
く、放電するための管電圧が高いといった問題がある。
して、従来熱陰極の場合はタングステンフィラメントに
ＳｒＯあるいはＣａＯ等の電子放出材料を塗布したもの
が用いられ、冷陰極の場合はニッケル金属が用いられて
いる。これらのうち、熱陰極としてタングステンフィラ
メントは予熱回路が必要となるため装置コストが高く、
消費電力も大きくなるばかりでなく再点弧電圧が高い。
また、放電中で生じた水銀イオンが陰極前面の強い電界
で加速され、電極に衝突して電極物質を飛散させるスパ
ッタリングを生じるため電極寿命の短縮化及び電極近辺
の管端部を黒化させるという問題がある。一方、冷陰極
としてニッケル金属を用いた場合には電子の放出が少な
く、放電するための管電圧が高いといった問題がある。
【０００４】一方、ＢａＴｉＯ3などのセラミックを還
元処理により半導体化したセラミックを用いた放電電極
が米国特許明細書２,６８６,２７４号において提案され
ているが、これらの塊状，粒状あるいは多孔質状の半導
体磁器は放電ガス中の水銀イオン及びアルゴン（Ａ
ｒ），ネオン（Ｎｅ），キセノン（Ｘｅ），クリプトン
（Ｋｒ）等の希ガスイオン等のイオン衝撃に弱く、イオ
ンの衝突によってスパッタリングをおこして電子放出特
性が劣化する欠点がある。
元処理により半導体化したセラミックを用いた放電電極
が米国特許明細書２,６８６,２７４号において提案され
ているが、これらの塊状，粒状あるいは多孔質状の半導
体磁器は放電ガス中の水銀イオン及びアルゴン（Ａ
ｒ），ネオン（Ｎｅ），キセノン（Ｘｅ），クリプトン
（Ｋｒ）等の希ガスイオン等のイオン衝撃に弱く、イオ
ンの衝突によってスパッタリングをおこして電子放出特
性が劣化する欠点がある。
【０００５】本発明者等は、これらの問題点を解決する
セラミック電極材料を特願平１−３８０７号（特開平２
−１８６５５０号）において、またそのセラミック電極
材料製造方法として特願平１−３８２６号（特開平２−
１８６５２７号）において提案したが、より優れた特性
を有する材料組成と、より安定な製造のための製造条件
が望まれていた。
セラミック電極材料を特願平１−３８０７号（特開平２
−１８６５５０号）において、またそのセラミック電極
材料製造方法として特願平１−３８２６号（特開平２−
１８６５２７号）において提案したが、より優れた特性
を有する材料組成と、より安定な製造のための製造条件
が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本件出願においては、
電流密度が高く、耐熱衝撃性が高くスパッタリングによ
る劣化を減少させた電極及び電極材料を提供するととも
に、その製造方法を提供することを課題とする。
電流密度が高く、耐熱衝撃性が高くスパッタリングによ
る劣化を減少させた電極及び電極材料を提供するととも
に、その製造方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本出願においては上記課
題を解決するために、電極材料の成分及び組成範囲を限
定した発明すなわち「０.５〜１.５モルのＢａＯ，Ｃａ
ＯあるいはＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０
５〜０.９５モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択さ
れた第２の成分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ
2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2
Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モ
ルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択さ
れた第３の成分から成る電極材料」であることを構成と
する発明、電極材料の製造過程を特定した電極材料製造
方法の発明すなわち「０.５〜１.５モルのＢａＯ，Ｃａ
ＯあるいはＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０
５〜０.９５モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択さ
れた第２の成分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ
2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2
Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モ
ルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択さ
れた第３の成分からの電極材料製造方法であって、該方
法は上記各成分を混合・粉砕し、混合・粉砕されたもの
を仮焼成し、仮焼成されたものを微粉砕し、微粉砕され
たものを混練・顆粒化し、顆粒化されたものを電極容器
に充填し、電極容器に充填されたものを還元焼成するこ
とを特徴とする電極材料製造方法」であることを構成と
する発明、特に成形される材料の粒径について限定した
発明すなわち「混合される成分あるいは微粉砕された材
料の平均粒径が２.５μｍ以下であることを特徴とする
電極材料製造方法」であることを構成とする発明及び電
極材料を用いて構成した電極の発明すなわち「０.５〜
１.５モルのＢａＯ，ＣａＯあるいはＳｒＯから選択さ
れた第１の成分と、０.０５〜０.９５モルのＺｒＯ2あ
るいはＴｉＯ2から選択された第２の成分と、０.０２５
〜０.４７５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2
Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは
０.０５〜０.９５モルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，
ＷＯ3から選択された第３の成分からなる塊状または粒
状もしくは多孔質状の電極材料を有底円筒状半導体磁器
容器に収容したことを特徴とする電極」であることを構
成とする発明を提供する。
題を解決するために、電極材料の成分及び組成範囲を限
定した発明すなわち「０.５〜１.５モルのＢａＯ，Ｃａ
ＯあるいはＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０
５〜０.９５モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択さ
れた第２の成分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ
2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2
Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モ
ルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択さ
れた第３の成分から成る電極材料」であることを構成と
する発明、電極材料の製造過程を特定した電極材料製造
方法の発明すなわち「０.５〜１.５モルのＢａＯ，Ｃａ
ＯあるいはＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０
５〜０.９５モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択さ
れた第２の成分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ
2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2
Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モ
ルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択さ
れた第３の成分からの電極材料製造方法であって、該方
法は上記各成分を混合・粉砕し、混合・粉砕されたもの
を仮焼成し、仮焼成されたものを微粉砕し、微粉砕され
たものを混練・顆粒化し、顆粒化されたものを電極容器
に充填し、電極容器に充填されたものを還元焼成するこ
とを特徴とする電極材料製造方法」であることを構成と
する発明、特に成形される材料の粒径について限定した
発明すなわち「混合される成分あるいは微粉砕された材
料の平均粒径が２.５μｍ以下であることを特徴とする
電極材料製造方法」であることを構成とする発明及び電
極材料を用いて構成した電極の発明すなわち「０.５〜
１.５モルのＢａＯ，ＣａＯあるいはＳｒＯから選択さ
れた第１の成分と、０.０５〜０.９５モルのＺｒＯ2あ
るいはＴｉＯ2から選択された第２の成分と、０.０２５
〜０.４７５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2
Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは
０.０５〜０.９５モルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，
ＷＯ3から選択された第３の成分からなる塊状または粒
状もしくは多孔質状の電極材料を有底円筒状半導体磁器
容器に収容したことを特徴とする電極」であることを構
成とする発明を提供する。
【０００８】
【作用】上記組成物の平均粒径を２.５μｍ以下にまで
微粉化し、還元焼成を行うことにより、広い組成範囲と
焼成温度範囲で導体または半導体被覆層を有する磁器が
生成される。このようにして生成された塊状または粒状
もしくは多孔質状磁器を有底円筒状磁器の孔部に収納し
た電極は余熱の必要がなく、その熱伝導率が小さいため
電子放射が始まるとともに高温になり安定な温度状態を
保ち、高温で高い電流密度の電子を放射する。
微粉化し、還元焼成を行うことにより、広い組成範囲と
焼成温度範囲で導体または半導体被覆層を有する磁器が
生成される。このようにして生成された塊状または粒状
もしくは多孔質状磁器を有底円筒状磁器の孔部に収納し
た電極は余熱の必要がなく、その熱伝導率が小さいため
電子放射が始まるとともに高温になり安定な温度状態を
保ち、高温で高い電流密度の電子を放射する。
【０００９】
【実施例】以下、図及び表を用いて本願各発明の実施例
を説明する。初めに、図１を用いて本発明の電極材料製
造方法を説明する。全体の工程は通常のセラミックスの
製法工程と同様であり、混合・粉砕、仮焼成、微粉砕、
顆粒成型の各工程を含み、電極とするための充填、焼
成、還元焼成の各工程がさらに加わった以下の工程によ
て構成されている。 （１）秤量 （２）混合・粉砕 （３）仮焼成 （４）微粉砕 （５）混練 （６）顆粒成形 （７）充填 （８）焼成 （９）還元焼成 （１０）製品
を説明する。初めに、図１を用いて本発明の電極材料製
造方法を説明する。全体の工程は通常のセラミックスの
製法工程と同様であり、混合・粉砕、仮焼成、微粉砕、
顆粒成型の各工程を含み、電極とするための充填、焼
成、還元焼成の各工程がさらに加わった以下の工程によ
て構成されている。 （１）秤量 （２）混合・粉砕 （３）仮焼成 （４）微粉砕 （５）混練 （６）顆粒成形 （７）充填 （８）焼成 （９）還元焼成 （１０）製品
【００１０】次に、これらの各工程の具体的内容及び各
工程によって得られた物性値について説明する。 （１）の秤量工程においては、原材料であるＢａ，Ｓｒ
あるいはＣａの炭酸塩（例えばＢａＣＯ3）と、酸化チ
タン又は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）と、Ｔａ2Ｏ5又
はＮｂ2Ｏ5等を秤量する。
工程によって得られた物性値について説明する。 （１）の秤量工程においては、原材料であるＢａ，Ｓｒ
あるいはＣａの炭酸塩（例えばＢａＣＯ3）と、酸化チ
タン又は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）と、Ｔａ2Ｏ5又
はＮｂ2Ｏ5等を秤量する。
【００１１】（２）の混合・粉砕工程においては、秤量
された原材料をポットに入れめのう石あるいは５mmφの
ジルコニアビーズを用いて混合・粉砕を行う。
された原材料をポットに入れめのう石あるいは５mmφの
ジルコニアビーズを用いて混合・粉砕を行う。
【００１２】（３）の仮焼成工程においては、混合・粉
砕物を１１００〜１２００℃の温度で仮焼きする。
砕物を１１００〜１２００℃の温度で仮焼きする。
【００１３】（４）仮焼後、めのう石あるいはジルコニ
アボールを用いて粉砕を行う。この粉砕は微粉を得るた
めに４０時間以上行う。
アボールを用いて粉砕を行う。この粉砕は微粉を得るた
めに４０時間以上行う。
【００１４】（５）得られた微粉に適量のポリビニール
アルコールを加え混練する。
アルコールを加え混練する。
【００１５】（６）混練されたものを３ton／cm2の成形
圧で成形し顆粒化する。
圧で成形し顆粒化する。
【００１６】（７）顆粒を高融点且つ耐スパッタリング
性の良好な半導体磁器、例えばＢａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ3
系の半導体磁器からなる有底円筒状の電極容器に充填す
る。
性の良好な半導体磁器、例えばＢａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ3
系の半導体磁器からなる有底円筒状の電極容器に充填す
る。
【００１７】（８）の焼成工程では１３００℃〜１８０
０℃の空気中（より好ましくは約１５００℃の酸素雰囲
気中）で約２時間焼成を行う。なお、この工程は後の還
元焼成工程との関係で省略することも可能である。
０℃の空気中（より好ましくは約１５００℃の酸素雰囲
気中）で約２時間焼成を行う。なお、この工程は後の還
元焼成工程との関係で省略することも可能である。
【００１８】（９）の還元焼成の温度は１２００〜２３
００℃、より好ましくは１４００〜１７００℃であり、
雰囲気をコントロールすることにより窒化物被覆あるい
は炭化物被覆またはその両者が得られる。例えば、窒化
物被覆を得る場合は水素を含む窒素（アルゴンを含んで
もよい）雰囲気で焼成し、炭化物被覆を得る場合は試料
をカーボン粉末中に埋没させた状態で窒素またはアルゴ
ン等の不活性雰囲気で焼成する。
００℃、より好ましくは１４００〜１７００℃であり、
雰囲気をコントロールすることにより窒化物被覆あるい
は炭化物被覆またはその両者が得られる。例えば、窒化
物被覆を得る場合は水素を含む窒素（アルゴンを含んで
もよい）雰囲気で焼成し、炭化物被覆を得る場合は試料
をカーボン粉末中に埋没させた状態で窒素またはアルゴ
ン等の不活性雰囲気で焼成する。
【００１９】（１０）還元処理の結果、磁器は半導体化
されるとともに表面にスパッタリング防止として作用す
るＴａやＮｂ等を主成分とする膜が２〜３μｍの厚さで
付着する。
されるとともに表面にスパッタリング防止として作用す
るＴａやＮｂ等を主成分とする膜が２〜３μｍの厚さで
付着する。
【００２０】表１に示されたのは、原材料としてＢａＯ
を１.０モル、ＺｒＯ2を０.８モル、Ｔａ2Ｏ5を０.１モ
ル秤量し、秤量された原材料をポットに入れめのう石あ
るいは５mmφのジルコニアビーズを用いて混合・粉砕を
行って得たものを用いて他は本発明の製造方法によって
製造した電極材料の物性値データである。また、表２に
示されたのは、原材料としてＢａＯを１.０モル、Ｚｒ
Ｏ2を０.２モル、Ｔａ2Ｏ5を０.４モル秤量し、秤量さ
れた原材料をポットに入れめのう石あるいは５mmφのジ
ルコニアビーズを用いて混合・粉砕を行って得たものを
用いて他は本発明の製造方法によって製造した電極材料
の物性値データである。物性値データ中、耐熱衝撃性の
データは電気炉を一定温度に保ってサンプルを保持し、
１０分後に水槽に落として、その温度差を変えていき、
そのサンプルの抗折強度を三点曲げ試験で求めて、強度
が元の５０％以上劣化する点の温度差を耐熱衝撃性
（℃）とした。
を１.０モル、ＺｒＯ2を０.８モル、Ｔａ2Ｏ5を０.１モ
ル秤量し、秤量された原材料をポットに入れめのう石あ
るいは５mmφのジルコニアビーズを用いて混合・粉砕を
行って得たものを用いて他は本発明の製造方法によって
製造した電極材料の物性値データである。また、表２に
示されたのは、原材料としてＢａＯを１.０モル、Ｚｒ
Ｏ2を０.２モル、Ｔａ2Ｏ5を０.４モル秤量し、秤量さ
れた原材料をポットに入れめのう石あるいは５mmφのジ
ルコニアビーズを用いて混合・粉砕を行って得たものを
用いて他は本発明の製造方法によって製造した電極材料
の物性値データである。物性値データ中、耐熱衝撃性の
データは電気炉を一定温度に保ってサンプルを保持し、
１０分後に水槽に落として、その温度差を変えていき、
そのサンプルの抗折強度を三点曲げ試験で求めて、強度
が元の５０％以上劣化する点の温度差を耐熱衝撃性
（℃）とした。
【表１】
【表２】
【００２１】表１に示したものの場合、平均粒径が３.
８μｍ及び３.０μｍのものは絶縁体となり使用するこ
とができない。また、表２に示したものの場合、平均粒
径が３.７μｍ及び３.０μｍのものは溶融してしまい磁
器にならないため使用することができない。他方平均粒
径が２.５μｍ以下のものは半導体磁器となる。したが
って、平均粒径が２.５μｍであることが必要であると
いうことができる。
８μｍ及び３.０μｍのものは絶縁体となり使用するこ
とができない。また、表２に示したものの場合、平均粒
径が３.７μｍ及び３.０μｍのものは溶融してしまい磁
器にならないため使用することができない。他方平均粒
径が２.５μｍ以下のものは半導体磁器となる。したが
って、平均粒径が２.５μｍであることが必要であると
いうことができる。
【００２２】原材料としてＢａＯを１.０モルとし、Ｚ
ｒＯ2及びＴａ2Ｏ5の量を変化させた場合の物性値を表
３の試料１〜１５に示す。
ｒＯ2及びＴａ2Ｏ5の量を変化させた場合の物性値を表
３の試料１〜１５に示す。
【表３】 この表によると、ＺｒＯ2が０.０２モルの場合は絶縁体
となり、またＺｒＯ2が０.９８モルの場合は絶縁体とな
りあるいは溶融されるので、どちらも実用的でない（試
料１２，１５）。Ｔａ2Ｏ5が０.０１モルの場合は絶縁
体となり（試料１，８，１２）、Ｔａ2Ｏ5が０.４９モ
ルの場合及びＴａ2Ｏ5が０.２５モルであってもＺｒＯ2
が０.９８モルの場合には溶融し（試料７，１１，１
５）、どちらも実用的でない。Ｔａ2Ｏ5が０.０２５モ
ルから０.４７５モルの間では、半導体磁器表面に数μ
ｍのＴａを成分とする導電体層または半導体層が形成さ
れる（試料２，３，４，５，６，９，１０，１３，１
４）。したがって、ＺｒＯ2が０.０５モルから０.９５
モルの間、Ｔａ2Ｏ5が０.０２５モルから０.４７５モル
の間であることが必要であるということができる。
となり、またＺｒＯ2が０.９８モルの場合は絶縁体とな
りあるいは溶融されるので、どちらも実用的でない（試
料１２，１５）。Ｔａ2Ｏ5が０.０１モルの場合は絶縁
体となり（試料１，８，１２）、Ｔａ2Ｏ5が０.４９モ
ルの場合及びＴａ2Ｏ5が０.２５モルであってもＺｒＯ2
が０.９８モルの場合には溶融し（試料７，１１，１
５）、どちらも実用的でない。Ｔａ2Ｏ5が０.０２５モ
ルから０.４７５モルの間では、半導体磁器表面に数μ
ｍのＴａを成分とする導電体層または半導体層が形成さ
れる（試料２，３，４，５，６，９，１０，１３，１
４）。したがって、ＺｒＯ2が０.０５モルから０.９５
モルの間、Ｔａ2Ｏ5が０.０２５モルから０.４７５モル
の間であることが必要であるということができる。
【００２３】原材料としてＢａＯを１.０モル、ＺｒＯ2
を０.５モルとし、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の量を変化さ
せた場合の物性値を表４の試料１６〜２４に示す。
を０.５モルとし、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の量を変化さ
せた場合の物性値を表４の試料１６〜２４に示す。
【表４】 この表４によると、Ｎｂ2Ｏ5とＴａ2Ｏ5が合計して０.
０１モルの場合は絶縁体となり、またＮｂ2Ｏ5とＴａ2
Ｏ5が合計して０.４９モルの場合は溶融し、どちらも実
用的でない（試料１６，２０，２２，２４）。Ｎｂ2Ｏ5
とＴａ2Ｏ5を合計したものが０.０２５モルから０.４７
５モルの間では半導体磁器表面に数μｍのＮｂ及びＴａ
を主成分とする導電体層または半導体層が形成される。
したがって、Ｎｂ2Ｏ5とＴａ2Ｏ5を合計したものが０.
０２５モルから０.４７５モルの間であることが必要で
あるということができる。
０１モルの場合は絶縁体となり、またＮｂ2Ｏ5とＴａ2
Ｏ5が合計して０.４９モルの場合は溶融し、どちらも実
用的でない（試料１６，２０，２２，２４）。Ｎｂ2Ｏ5
とＴａ2Ｏ5を合計したものが０.０２５モルから０.４７
５モルの間では半導体磁器表面に数μｍのＮｂ及びＴａ
を主成分とする導電体層または半導体層が形成される。
したがって、Ｎｂ2Ｏ5とＴａ2Ｏ5を合計したものが０.
０２５モルから０.４７５モルの間であることが必要で
あるということができる。
【００２４】原材料としてＢａＯを１.０モル、ＺｒＯ2
を０.５モルとし、さらに０.２５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2
Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ
3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.５モルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，Ｍ
ｏＯ3，ＷＯ3を添加した場合の物性値を表５の試料２５
〜３６に示す。
を０.５モルとし、さらに０.２５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2
Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ
3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.５モルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，Ｍ
ｏＯ3，ＷＯ3を添加した場合の物性値を表５の試料２５
〜３６に示す。
【表５】 この表５から、Ｔａ2Ｏ5をＶ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの酸化物で置換した
場合にも半導体磁器表面に厚さ数μｍの導電体または半
導体層が形成されているということができる。
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの酸化物で置換した
場合にも半導体磁器表面に厚さ数μｍの導電体または半
導体層が形成されているということができる。
【００２５】原材料としてＴａ2Ｏ5を０.２５モルと
し、ＢａＯ，ＺｒＯ2及びＴｉＯ2の量を変化させた場合
の物性値を表６の試料３７〜４９に示す。
し、ＢａＯ，ＺｒＯ2及びＴｉＯ2の量を変化させた場合
の物性値を表６の試料３７〜４９に示す。
【表６】 この表から、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の合計が０.０２モルの
場合は焼結することができず（試料３７）、ＺｒＯ2と
ＴｉＯ2の合計が０.９８モルの場合及びには溶融し（試
料４１，４３，４５）、ＺｒＯ2が０.５モルでＴｉＯ2
がない場合でＢａＯが０.３モルの場合には溶融し（試
料４６）、ＢａＯが１.７モルの場合には絶縁体となる
（試料４９）。ＺｒＯ2とＴｉＯ2の合計が０.０５モル
から０.９５モルの間及びＢａＯが０.５モルから１.５
モルの間では半導体磁器表面に数μｍのＴａを主成分と
する導電体層または半導体層が形成される。
場合は焼結することができず（試料３７）、ＺｒＯ2と
ＴｉＯ2の合計が０.９８モルの場合及びには溶融し（試
料４１，４３，４５）、ＺｒＯ2が０.５モルでＴｉＯ2
がない場合でＢａＯが０.３モルの場合には溶融し（試
料４６）、ＢａＯが１.７モルの場合には絶縁体となる
（試料４９）。ＺｒＯ2とＴｉＯ2の合計が０.０５モル
から０.９５モルの間及びＢａＯが０.５モルから１.５
モルの間では半導体磁器表面に数μｍのＴａを主成分と
する導電体層または半導体層が形成される。
【００２６】原材料としてＺｒＯ2を０.５モルとし、Ｔ
ａ2Ｏ5を０.２５モルとして、ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａ
Ｏの量を変化させた場合の物性値を表７の試料５０〜５
４に示す。
ａ2Ｏ5を０.２５モルとして、ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａ
Ｏの量を変化させた場合の物性値を表７の試料５０〜５
４に示す。
【表７】 この表からＢａＯを０.５モル以下とし、ＢａＯ＋Ｓｒ
Ｏ＋ＣａＯの合計量を１モルとした場合は、半導体磁器
表面に数μｍのＴａを主成分とする導電体または半導体
層が形成される。
Ｏ＋ＣａＯの合計量を１モルとした場合は、半導体磁器
表面に数μｍのＴａを主成分とする導電体または半導体
層が形成される。
【００２７】表８に示されたのは、表１の場合と同様に
ＢａＯ１.０モル、ＺｒＯ2０.８モル、Ｔａ2Ｏ5０.１モ
ルを原材料とし、粒径と焼成温度を変化させて製造した
ものの内部抵抗のデータである。表９に示されたのは、
表２の場合と同様にＢａＯ１.０モル、ＺｒＯ2０.２モ
ル、Ｔａ2Ｏ5０.４モルを原材料とし、粒径と焼成温度
を変化させて製造したものの内部抵抗のデータである。
ＢａＯ１.０モル、ＺｒＯ2０.８モル、Ｔａ2Ｏ5０.１モ
ルを原材料とし、粒径と焼成温度を変化させて製造した
ものの内部抵抗のデータである。表９に示されたのは、
表２の場合と同様にＢａＯ１.０モル、ＺｒＯ2０.２モ
ル、Ｔａ2Ｏ5０.４モルを原材料とし、粒径と焼成温度
を変化させて製造したものの内部抵抗のデータである。
【表８】
【表９】 これらの表から、粉砕粒径を細かくすることによって焼
成温度範囲が広がるということができる。
成温度範囲が広がるということができる。
【００２８】表１０に示されたのは、表３に示された試
料２，４，６，９，１０，１３，１４と同一の組成及び
処理を行った試料であって還元焼成のみを行っていずし
たがって、磁器の表面に導電体層あるいは半導体層が形
成されていない試料５５〜６１の物性値データである。
料２，４，６，９，１０，１３，１４と同一の組成及び
処理を行った試料であって還元焼成のみを行っていずし
たがって、磁器の表面に導電体層あるいは半導体層が形
成されていない試料５５〜６１の物性値データである。
【表１０】 この表から、磁器の表面に導電体層あるいは半導体層が
形成されていない場合には表面抵抗が非常に大きくなり
使用することができないということができる。
形成されていない場合には表面抵抗が非常に大きくなり
使用することができないということができる。
【００２９】以上の結果を総合すると、試料２，４，
６，９，１０，１３，１４及び５５〜６１のように還元
条件を弱くして（例えば、還元処理温度を１２００℃と
し、Ｈ2が１％、Ｎ2が９９％）同一組成でＴａを主成分
とする表面折出層が出来なかった場合には、耐熱衝撃性
が１５０℃前後であるのに対してＴａを主成分とする表
面折出層を形成すると１００℃以上の耐熱衝撃性の向上
がみられる。
６，９，１０，１３，１４及び５５〜６１のように還元
条件を弱くして（例えば、還元処理温度を１２００℃と
し、Ｈ2が１％、Ｎ2が９９％）同一組成でＴａを主成分
とする表面折出層が出来なかった場合には、耐熱衝撃性
が１５０℃前後であるのに対してＴａを主成分とする表
面折出層を形成すると１００℃以上の耐熱衝撃性の向上
がみられる。
【００３０】次に、本発明の磁器を用いた電極の実施例
を図２〜図６によって説明する。図２は本発明の放電電
極を用いた放電管の断面図で、図３は放電電極の断面図
である。これらの図において１はアルゴンガスを封入し
たガラス管で、２は放電電極である。ガラス管１は断面
円筒型の細長い容器で、ガラス管１の左右側端部にはそ
れぞれ導体のリード線３が設けてあり、このリード線３
と平行に水銀ゲッター４が設けてあって、ガラス管１内
にはアルゴンガス５が所定量封入されている。水銀ゲッ
ター４は一般的な放電灯製造で用いられているもので、
高周波誘導加熱装置等により加熱することで水銀蒸気を
ガラス管１内に充満させるものである。リード線３はガ
ラス管１の外部より内部へ挿通された導電性材料で形成
され、先端部には放電電極２を取付けるための取付部３
ａが設けてある。この取付部３ａは弾性のある導電性材
料で形成され放電電極２の外周を弾性的に挟持するよう
に構成されている。
を図２〜図６によって説明する。図２は本発明の放電電
極を用いた放電管の断面図で、図３は放電電極の断面図
である。これらの図において１はアルゴンガスを封入し
たガラス管で、２は放電電極である。ガラス管１は断面
円筒型の細長い容器で、ガラス管１の左右側端部にはそ
れぞれ導体のリード線３が設けてあり、このリード線３
と平行に水銀ゲッター４が設けてあって、ガラス管１内
にはアルゴンガス５が所定量封入されている。水銀ゲッ
ター４は一般的な放電灯製造で用いられているもので、
高周波誘導加熱装置等により加熱することで水銀蒸気を
ガラス管１内に充満させるものである。リード線３はガ
ラス管１の外部より内部へ挿通された導電性材料で形成
され、先端部には放電電極２を取付けるための取付部３
ａが設けてある。この取付部３ａは弾性のある導電性材
料で形成され放電電極２の外周を弾性的に挟持するよう
に構成されている。
【００３１】放電電極２は図３に示すように、一方が開
放口となる有底円筒状の電極部６と、この電極部６内に
挿入収納される塊状または粒状もしくは多孔質状の半導
体磁器７とにより構成されている。前記電極部６は高融
点又は耐スパッタリング性の良好な半導体磁器、例えば
Ｂａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ3系の半導体磁器が用いられ、特
に磁器表面上にＴａ系層を形成してスパッタリング防止
層としている。
放口となる有底円筒状の電極部６と、この電極部６内に
挿入収納される塊状または粒状もしくは多孔質状の半導
体磁器７とにより構成されている。前記電極部６は高融
点又は耐スパッタリング性の良好な半導体磁器、例えば
Ｂａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ3系の半導体磁器が用いられ、特
に磁器表面上にＴａ系層を形成してスパッタリング防止
層としている。
【００３２】このような電極部６の前記有底円筒状の孔
部８内に挿入収納される塊状または粒状もしくは多孔質
状の半導体磁器７は、電子放射性良好な半導体磁器、で
あり、好ましくは円筒部と同一組成の半導体磁器で円筒
部と同様の被覆を有していてもよく、それを塊状または
粒状にしたもの、もしくは多孔質状にしたものを用い
る。均一な放電を持続させるためは、粒状であり比較的
粒度のそろったものが望ましいこの半導体磁器は、電子
放射性が良好であるが、これを塊状または粒状もしくは
多孔質状にすることにより、熱伝導率を小さくすること
ができるので、放電開始と同時により高温で安定な温度
状態を保ち、電流密度も高く取れて安定な放電を行うこ
とができる。
部８内に挿入収納される塊状または粒状もしくは多孔質
状の半導体磁器７は、電子放射性良好な半導体磁器、で
あり、好ましくは円筒部と同一組成の半導体磁器で円筒
部と同様の被覆を有していてもよく、それを塊状または
粒状にしたもの、もしくは多孔質状にしたものを用い
る。均一な放電を持続させるためは、粒状であり比較的
粒度のそろったものが望ましいこの半導体磁器は、電子
放射性が良好であるが、これを塊状または粒状もしくは
多孔質状にすることにより、熱伝導率を小さくすること
ができるので、放電開始と同時により高温で安定な温度
状態を保ち、電流密度も高く取れて安定な放電を行うこ
とができる。
【００３３】一方、放電に伴って発生する水銀イオン等
は、対向電極の方向から電極部６に飛来し、耐スパッタ
リング性の良好な被覆を有する半導体磁器の電極部６に
衝突するがこの電極部の耐スパッタリング性良好な被覆
を有する電極部により劣化は防止され、電極部内に収納
された半導体磁器７には衝突することなく豊富な電子放
出を継続することができる。
は、対向電極の方向から電極部６に飛来し、耐スパッタ
リング性の良好な被覆を有する半導体磁器の電極部６に
衝突するがこの電極部の耐スパッタリング性良好な被覆
を有する電極部により劣化は防止され、電極部内に収納
された半導体磁器７には衝突することなく豊富な電子放
出を継続することができる。
【００３４】耐スパッタリング性良好な被覆は焼成還元
工程において生成されるものであり、融点が２０００℃
以上であるＴｉＣ，ＺｒＣ，ＺｒＮ，ＮｂＣ，ＮｂＮ，
ＭｏＣ，ＬａＣ，ＴａＣ，ＨｆＣ，ＷＣが好ましく、３
０００℃以上の融点を有するＴｉＣ，ＺｒＣ，ＮｂＣ，
ＴａＣ，ＺｒＮ，ＴａＮ，ＨｆＮであることがさらに好
ましい。
工程において生成されるものであり、融点が２０００℃
以上であるＴｉＣ，ＺｒＣ，ＺｒＮ，ＮｂＣ，ＮｂＮ，
ＭｏＣ，ＬａＣ，ＴａＣ，ＨｆＣ，ＷＣが好ましく、３
０００℃以上の融点を有するＴｉＣ，ＺｒＣ，ＮｂＣ，
ＴａＣ，ＺｒＮ，ＴａＮ，ＨｆＮであることがさらに好
ましい。
【００３５】次に、電極を変更した場合の寿命比較につ
いて表１１により説明する。共試放電灯は管長２００m
m、管径１０mm、管内雰囲気Ａｒ＋Ｈｇであり、始動は
予熱回路は用いずパルス電圧によって行い、印加交流は
周波数５０Hz、管電流１００ｍＡrmsである。
いて表１１により説明する。共試放電灯は管長２００m
m、管径１０mm、管内雰囲気Ａｒ＋Ｈｇであり、始動は
予熱回路は用いずパルス電圧によって行い、印加交流は
周波数５０Hz、管電流１００ｍＡrmsである。
【表１１】
【００３６】この実施例から、本発明による電極は、Ｂ
ａＴｉＯ3セラミックス電極よりスパッタリングによる
損傷が少ないため管壁の黒化がおさえられ光束の劣化が
少ない。また耐熱衝撃性がすぐれているため、電極が割
れることがない。次にＮｉ電極と比較すると、電極はス
パッタリングに強く光束の劣化が少ない。 さらにタン
グステンフィラメント電極と比較すると、連続点燈の場
合は光束劣化の差は見られないが、点滅試験を行うと、
タングステンフィラメントの予熱を行っていないため、
スパッタリングによる管壁の黒化が進むのに対し、本発
明の電極はスパッタリングによる損傷が少なく、光束の
劣化を抑制することができる。このように本発明の電極
は、イオンスパッタリングに強いこと、耐熱衝撃性に強
いことのため予熱回路なしでも現状のタングステンフィ
ラメント電極と同等の電極特性を得ることが可能であ
る。
ａＴｉＯ3セラミックス電極よりスパッタリングによる
損傷が少ないため管壁の黒化がおさえられ光束の劣化が
少ない。また耐熱衝撃性がすぐれているため、電極が割
れることがない。次にＮｉ電極と比較すると、電極はス
パッタリングに強く光束の劣化が少ない。 さらにタン
グステンフィラメント電極と比較すると、連続点燈の場
合は光束劣化の差は見られないが、点滅試験を行うと、
タングステンフィラメントの予熱を行っていないため、
スパッタリングによる管壁の黒化が進むのに対し、本発
明の電極はスパッタリングによる損傷が少なく、光束の
劣化を抑制することができる。このように本発明の電極
は、イオンスパッタリングに強いこと、耐熱衝撃性に強
いことのため予熱回路なしでも現状のタングステンフィ
ラメント電極と同等の電極特性を得ることが可能であ
る。
【００３７】最後に、図４〜図６により本発明の電極を
用いた放電管の特性について説明する。これらの図にお
いて、図４は管電流と放電開始電圧、図５は管電流と管
電圧、図６は管電流と管電力との関係を示したものであ
る。なお、図中Ａは本発明の放電電極を用いたもの、Ｂ
は従来のニッケル電極を用いたものである。特性試験は
ガラス管径１０mm、全長２００mmの放電管を用い、３０
ＫHzの高周波電流をインバータにより印加して行った。
用いた放電管の特性について説明する。これらの図にお
いて、図４は管電流と放電開始電圧、図５は管電流と管
電圧、図６は管電流と管電力との関係を示したものであ
る。なお、図中Ａは本発明の放電電極を用いたもの、Ｂ
は従来のニッケル電極を用いたものである。特性試験は
ガラス管径１０mm、全長２００mmの放電管を用い、３０
ＫHzの高周波電流をインバータにより印加して行った。
【００３８】図４に示した管電流と放電開始電圧の関係
において、従来のニッケル電極を用いたＢが５５０Ｖで
あるのに対して、本発明の電極を用いたＡが４００Ｖと
なっており、１５０Ｖも低くなっている。このことか
ら、本発明の電極の電子放射性が優れていることが明ら
かである。
において、従来のニッケル電極を用いたＢが５５０Ｖで
あるのに対して、本発明の電極を用いたＡが４００Ｖと
なっており、１５０Ｖも低くなっている。このことか
ら、本発明の電極の電子放射性が優れていることが明ら
かである。
【００３９】図５に示した管電流と管電圧の関係におい
て、従来のニッケル電極を用いたＢは管電流が増加して
も一定値を示しているのに対して、本発明の電極を用い
たＡは管電流が増加するにしたがって管電圧が低下し、
管電流２０ｍＡにおいては約１９０Ｖｒｍｓ低下してい
る。このことから、本発明の電極を用いた放電灯の管電
圧の低下が明かである。
て、従来のニッケル電極を用いたＢは管電流が増加して
も一定値を示しているのに対して、本発明の電極を用い
たＡは管電流が増加するにしたがって管電圧が低下し、
管電流２０ｍＡにおいては約１９０Ｖｒｍｓ低下してい
る。このことから、本発明の電極を用いた放電灯の管電
圧の低下が明かである。
【００４０】図６に示した管電流と管電力の関係におい
て、従来のニッケル電極を用いたＢは電力の増加率が大
であるのに対して、本発明の電極を用いたＡは管電流が
増加しても管電力の増加率は小さい。このことから、本
発明の電極を用いた放電灯の電力消費が小さいことが明
かであ。
て、従来のニッケル電極を用いたＢは電力の増加率が大
であるのに対して、本発明の電極を用いたＡは管電流が
増加しても管電力の増加率は小さい。このことから、本
発明の電極を用いた放電灯の電力消費が小さいことが明
かであ。
【００４１】以上のことから、本発明の電極を用いた場
合には従来のニッケル電極を用いたものに対して、電子
放射性が良好であり、放電開始電圧及び管電圧が低く消
費電力の小さい放電灯を得ることができる。また、予熱
の不要でありまた構造上小型化が可能であるから放電灯
の管径を細くすることができる。
合には従来のニッケル電極を用いたものに対して、電子
放射性が良好であり、放電開始電圧及び管電圧が低く消
費電力の小さい放電灯を得ることができる。また、予熱
の不要でありまた構造上小型化が可能であるから放電灯
の管径を細くすることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように、組成分材料を平均粒
径２.５μｍ以下に微粉化することにより広範囲な組
成、焼成温度で安定かつ良好な磁器を得ることができ
る。また、以上説明したような磁器を用いた放電電極
は、希ガスや水銀蒸気等を封入したガラス管内に所定間
隔をおいて設けられたリード線と、このリード線の先端
部に固定され一方が開放口となる孔部を有する円筒状の
半導体磁器よりなり、この電極部の前記孔部内に塊状ま
たは粒状もしくは多孔質状の半導体磁器を収納したの
で、グロー放電等による予熱の必要がなく電子の放射性
が優れ、放電開始電圧及び管電圧が低く、電流密度の大
きな且つ消費電力の小さい省エネルギー化された放電電
極を得ることができる。
径２.５μｍ以下に微粉化することにより広範囲な組
成、焼成温度で安定かつ良好な磁器を得ることができ
る。また、以上説明したような磁器を用いた放電電極
は、希ガスや水銀蒸気等を封入したガラス管内に所定間
隔をおいて設けられたリード線と、このリード線の先端
部に固定され一方が開放口となる孔部を有する円筒状の
半導体磁器よりなり、この電極部の前記孔部内に塊状ま
たは粒状もしくは多孔質状の半導体磁器を収納したの
で、グロー放電等による予熱の必要がなく電子の放射性
が優れ、放電開始電圧及び管電圧が低く、電流密度の大
きな且つ消費電力の小さい省エネルギー化された放電電
極を得ることができる。
【００４３】また、この組成物と製造法を用い、一方が
開放口となる孔部を有する有底円筒状であり、孔部内に
断熱効果を有する塊状または粒状もしくは多孔質状の半
導体磁器が収納された構造をもつ放電電極を用いること
により、予熱の必要がなく、エミッションが良好で管電
圧及び再点弧電圧が低くＯＮ−ＯＦＦ寿命および耐熱衝
撃が高く、電流密度が大きな放電電極を得ることができ
る。
開放口となる孔部を有する有底円筒状であり、孔部内に
断熱効果を有する塊状または粒状もしくは多孔質状の半
導体磁器が収納された構造をもつ放電電極を用いること
により、予熱の必要がなく、エミッションが良好で管電
圧及び再点弧電圧が低くＯＮ−ＯＦＦ寿命および耐熱衝
撃が高く、電流密度が大きな放電電極を得ることができ
る。
【００４４】以上、総合して本発明の効果を列挙する
と、 （１）耐熱衝撃性が向上する。 （２）スパッタリングが減少するため放電管長を寿命化
することができる。 （３）表面抵抗が低く、熱損失をおさえることができ
る。 （４）予熱電流回路が不要である。 （５）管電圧が低く、省エネルギーである。 （６）再点弧電圧が低く、立ち消えしにくい。 （７）ＯＮ−ＯＦＦに強い。 （８）電子放射特性にすぐれ、単位あたりの電流密度が
大きい。 （９）表面抵抗が低いため、種々の電極及び導電体とし
ても使うことができる。
と、 （１）耐熱衝撃性が向上する。 （２）スパッタリングが減少するため放電管長を寿命化
することができる。 （３）表面抵抗が低く、熱損失をおさえることができ
る。 （４）予熱電流回路が不要である。 （５）管電圧が低く、省エネルギーである。 （６）再点弧電圧が低く、立ち消えしにくい。 （７）ＯＮ−ＯＦＦに強い。 （８）電子放射特性にすぐれ、単位あたりの電流密度が
大きい。 （９）表面抵抗が低いため、種々の電極及び導電体とし
ても使うことができる。
【図１】本発明の電極製造方法の工程図。
【図２】本発明の一実施例で放電灯の断面図。
【図３】放電電極の断面図。
【図４】管電流と放電開始電圧との関係図。
【図５】管電流と管電圧との関係図。
【図６】管電流と管電力との関係図。
１ ガラス管 ２ 放電電極 ３ リード線 ６ 電極部 ７ 半導体磁器 ８ 孔部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩谷 昭一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 阿部 宏昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 ０.５〜１.５モルのＢａＯ，ＣａＯある
いはＳｒＯから選択された第１の成分と、 ０.０５〜０.９５モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選
択された第２の成分と、 ０.０２５〜０.４７５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2
Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ
3，０.０５〜０.９５モルのＨｆＯ2，ＣｒＯ3，Ｍｏ
Ｏ3，ＷＯ3から選択された第３の成分から成る電極材
料。 - 【請求項２】 電子放出磁器組成物表面にＶ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｗあるいはこれらの酸化物，窒化物又は炭化物を主成分
とする導電層あるいは半導電体層が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の電極材料。 - 【請求項３】 ０.５〜１.５モルのＢａＯ，ＣａＯある
いはＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０５〜０.
９５モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択された第２
の成分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2
Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ
3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モルのＨｆＯ2，
ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択された第３の成
分から電極材料を製造する方法であって、 該方法は上記各成分を混合・粉砕し、混合・粉砕された
ものを仮焼成し、仮焼成されたおのを微粉砕し、微粉砕
されたものを混練・顆粒化し、顆粒化されたものを電極
容器に充填し、電極容器に充填されたものを還元焼成す
ることを特徴とする電極材料製造方法。 - 【請求項４】 混合される成分あるいは微粉砕された材
料の平均粒径が２.５μｍ以下であることを特徴とする
請求項３記載の電極材料製造方法。 - 【請求項５】 焼成を中性および還元性ガス雰囲気中で
行うことを特徴とする請求項３記載の電極材料製造方
法。 - 【請求項６】 還元焼成温度が１２００℃以上であるこ
とを特徴とする請求項５記載の電極材料製造方法。 - 【請求項７】 ０.５〜１.５モルのＢａＯ，ＣａＯある
いはＳｒＯから選択された第１の成分と、０.０５〜０.
９５モルのＺｒＯ2あるいはＴｉＯ2から選択された第２
の成分と、０.０２５〜０.４７５モルのＶ2Ｏ5，Ｎｂ2
Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ
3，Ｈｏ2Ｏ3あるいは０.０５〜０.９５モルのＨｆＯ2，
ＣｒＯ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3からから選択された第３の成
分からなる塊状または粒状もしくは多孔質状の電極材料
を有底円筒状半導体磁器容器に収容したことを特徴とす
る電極。 - 【請求項８】 円筒状半導体磁器および多孔質状の半導
体磁器の表面が高融点導電性物質によって被覆されてい
ることを特徴とする請求項７記載の電極。 - 【請求項９】 高融点物質は融点が１４００℃以上の酸
化物、窒化物あるいは炭化物であることを特徴とする請
求項８記載の電極。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5674793A JPH06267404A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 電極材料，電極材料製造方法及び電極 |
| TW083102042A TW270211B (ja) | 1993-03-17 | 1994-03-09 | |
| CN94190133A CN1105804A (zh) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | 放电灯电极材料及其制造方法和放电灯电极 |
| EP94910027A EP0643416A4 (en) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | ELECTRODE MATERIAL FOR DISCHARGE LAMP, METHOD OF PRODUCING THE ELECTRODE MATERIAL AND ELECTRODE FOR DISCHARGE LAMP. |
| PCT/JP1994/000426 WO1994022164A1 (fr) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | Materiau pour electrode de lampe a decharge, procede d'elaboration de ce materiau et electrode de lampe a decharge |
| US08/341,617 US6172453B1 (en) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | Discharge lamp electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5674793A JPH06267404A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 電極材料，電極材料製造方法及び電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267404A true JPH06267404A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13036123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5674793A Pending JPH06267404A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 電極材料，電極材料製造方法及び電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267404A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997048121A1 (fr) * | 1996-06-12 | 1997-12-18 | Tdk Corporation | Lampe a decharge a cathode en ceramique |
| US6383416B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-05-07 | Tdk Corporation | Electron-emitting material and preparing process |
| US6432325B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-08-13 | Tdk Corporation | Electrode |
| CN106187196A (zh) * | 2016-07-07 | 2016-12-07 | 南京信息工程大学 | 一种陶瓷阴极复合材料及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465764A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-13 | Tdk Corp | Discharge lamp device |
| JPH02186550A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-20 | Tdk Corp | 電極材料 |
| JPH0443546A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Tdk Corp | 放電電極 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5674793A patent/JPH06267404A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465764A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-13 | Tdk Corp | Discharge lamp device |
| JPH02186550A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-20 | Tdk Corp | 電極材料 |
| JPH0443546A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Tdk Corp | 放電電極 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997048121A1 (fr) * | 1996-06-12 | 1997-12-18 | Tdk Corporation | Lampe a decharge a cathode en ceramique |
| EP0849768A4 (en) * | 1996-06-12 | 1999-09-01 | Tdk Corp | DISCHARGE LAMP WITH A CERAMIC CATHODE |
| US5982088A (en) * | 1996-06-12 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Ceramic cathode fluorescent discharge lamp |
| US6383416B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-05-07 | Tdk Corporation | Electron-emitting material and preparing process |
| US6432325B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-08-13 | Tdk Corporation | Electrode |
| CN106187196A (zh) * | 2016-07-07 | 2016-12-07 | 南京信息工程大学 | 一种陶瓷阴极复合材料及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6172453B1 (en) | Discharge lamp electrode | |
| US5962977A (en) | Low pressure discharge lamp having electrodes with a lithium-containing electrode emission material | |
| CN102047379A (zh) | 荧光灯 | |
| EP2143129B1 (en) | Fluorescent lamp having ceramic-glass composite electrode | |
| JPH103879A (ja) | セラミック陰極蛍光放電ランプ | |
| US5103133A (en) | Fluorescent lamp having low cathode fall voltage | |
| JPH04272109A (ja) | 冷陰極蛍光ランプ用電極材料およびそれからなる電極 | |
| JPH04269440A (ja) | 低圧放電ランプ | |
| WO2004017360A1 (ja) | 低圧放電ランプ及びそれを用いたバックライト装置 | |
| JP2773174B2 (ja) | 電極材料 | |
| JPH06267404A (ja) | 電極材料，電極材料製造方法及び電極 | |
| JP2000311660A (ja) | ガス放電ランプ | |
| EP1755145A2 (en) | Metal halide lamp with a ceramic discharge vessel | |
| JP2922485B2 (ja) | 低圧放電ランプ | |
| JP2881479B2 (ja) | 放電電極 | |
| JP2002203513A (ja) | 高圧放電ランプ | |
| JP2000090876A (ja) | 低圧放電ランプ | |
| JP3113186B2 (ja) | 電極およびその製造方法 | |
| JP2982888B2 (ja) | 放電ランプ電極 | |
| JPH11144677A (ja) | セラミック陰極 | |
| JP3069047B2 (ja) | 放電灯電極及びその製造方法 | |
| KR100239135B1 (ko) | 방전램프 전극재료, 방전램프 전극재료 제조방법및 방전램프 전극 | |
| JP2628314B2 (ja) | 冷陰極型放電灯装置 | |
| JP2000067810A (ja) | 放電灯用電極および放電灯 | |
| JP2000030660A (ja) | 放電管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000125 |