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JPH06267027A - Magnetoresistance effect type thin film magnetic head - Google Patents

Magnetoresistance effect type thin film magnetic head

Info

Publication number
JPH06267027A
JPH06267027A JP4926993A JP4926993A JPH06267027A JP H06267027 A JPH06267027 A JP H06267027A JP 4926993 A JP4926993 A JP 4926993A JP 4926993 A JP4926993 A JP 4926993A JP H06267027 A JPH06267027 A JP H06267027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lower shield
shield magnetic
thin film
magnetic
magnetic body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4926993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Suyama
英夫 陶山
Norio Saito
憲男 斎藤
Hitoshi Sato
仁 佐藤
Takuji Shibata
拓二 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP4926993A priority Critical patent/JPH06267027A/en
Publication of JPH06267027A publication Critical patent/JPH06267027A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 上下シールド磁性体間からMR素子に直接入
るクロストーク成分、並びにバイアス導体や電極の電磁
誘導によるクロストーク成分を低減して、再生信号のS
/Nの向上及びサーボ信号等の信頼性を向上させる。 【構成】 非磁性基板11上に、絶縁層12を介して下
部シールド磁性体2が形成され、この下部シールド磁性
体2上に第1の再生ギャップを形成する絶縁層13が積
層され、この絶縁層13上にMR素子1が形成され、更
にこのMR素子1上に第2の再生ギャップを形成する絶
縁層14が形成され、この絶縁層14上に上部シールド
磁性体3が積層されて構成されたMR薄膜ヘッドにおい
て、MR素子1が無い部分の上下シールド磁性体3及び
2間の距離g1 を、MR素子1が有る部分の距離g2 の
1/2以下にして構成する。
(57) [Abstract] [Purpose] The crosstalk component directly entering the MR element from between the upper and lower shield magnetic bodies and the crosstalk component due to the electromagnetic induction of the bias conductor and the electrode are reduced to reduce the S of the reproduced signal.
/ N and reliability of servo signals and the like. A lower shield magnetic body 2 is formed on a non-magnetic substrate 11 with an insulating layer 12 interposed, and an insulating layer 13 forming a first reproduction gap is laminated on the lower shield magnetic body 2. The MR element 1 is formed on the layer 13, the insulating layer 14 forming the second reproducing gap is further formed on the MR element 1, and the upper shield magnetic body 3 is laminated on the insulating layer 14. In the MR thin film head, the distance g1 between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 in the portion without the MR element 1 is set to be 1/2 or less of the distance g2 in the portion with the MR element 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって、抵抗率が変化する磁気抵抗効果薄膜を
用い、その磁気抵抗効果薄膜の抵抗変化を再生出力電圧
として検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a magnetoresistive effect thin film whose resistivity changes according to a recording magnetic field from a magnetic recording medium, and detects a change in resistance of the magnetoresistive effect thin film as a reproduction output voltage. Type magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】近時、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パソコンに代表
されるような可搬型コンピュータへの適用が考慮される
用途では、例えば2.5インチハードディスク装置に対
する要求が高まっている。
2. Description of the Related Art In recent years, as hard disk devices have become smaller and have larger capacities, particularly in applications where portable computers such as notebook computers are considered, for example, a 2.5-inch hard disk. The demand for equipment is increasing.

【0003】このような小型ハードディスクではディス
ク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が媒
体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生出
力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
In such a small hard disk, the medium speed becomes slow depending on the disk diameter. Therefore, in the conventional induction type magnetic head in which the reproducing output depends on the medium speed, the reproducing output is lowered and the increase in capacity is hindered. Has become.

【0004】しかし、磁界によって抵抗率が変化する磁
気抵抗効果素子(以下、単にMR素子と記す)の抵抗変
化を再生出力電圧として検出する磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドは、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒体速
度でも高再生出力が得られるという特長を有するため、
小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁気ヘ
ッドとして注目されている。
However, a magnetoresistive effect type magnetic head which detects a change in resistance of a magnetoresistive effect element (hereinafter, simply referred to as an MR element) whose resistivity changes according to a magnetic field as a reproduction output voltage has a reproduction output at a medium speed. Since it has the feature that it can obtain a high reproduction output even at a low medium speed,
It is attracting attention as a magnetic head that realizes a large capacity in a small hard disk.

【0005】従来では、上記MRヘッドをハードディス
ク装置の磁気ヘッドとして実現させるために、スライダ
材に、薄膜の磁気抵抗効果素子(以下、単にMR素子と
記す)を、再生時の磁路となる下部シールドコアと上部
シールドコアとでサンドイッチした構造の磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド(以下、MR薄膜ヘッドと記す)を形
成するようにしている。
Conventionally, in order to realize the above-mentioned MR head as a magnetic head of a hard disk device, a thin film magnetoresistive effect element (hereinafter, simply referred to as an MR element) is provided on a slider material and a lower part is used as a magnetic path during reproduction. A magnetoresistive effect type thin film magnetic head (hereinafter referred to as an MR thin film head) having a structure sandwiched between a shield core and an upper shield core is formed.

【0006】具体的に、例えば縦型のMR薄膜ヘッドを
例にとると、図5及び図6に示すように、非磁性の基板
101上に絶縁層102を介して下部シールド磁性体1
03となる軟磁性膜及び絶縁層104を順次積層し、こ
の絶縁層104上に、MR素子105を、その長手方向
が磁気記録媒体との対向面(ヘッド面a)と垂直になる
ように配置し、かつその一方の端面がヘッド面aに露出
するかたちに形成し、更に、このMR膜105の両端に
センス電流を供給するための前端電極106a及び後端
電極106bを形成する。
Specifically, taking a vertical MR thin film head as an example, as shown in FIGS. 5 and 6, a lower shield magnetic body 1 is formed on a non-magnetic substrate 101 with an insulating layer 102 interposed therebetween.
03, a soft magnetic film and an insulating layer 104 are sequentially laminated, and the MR element 105 is arranged on the insulating layer 104 so that its longitudinal direction is perpendicular to the surface (head surface a) facing the magnetic recording medium. Then, one end surface of the MR film 105 is formed so as to be exposed to the head surface a, and further, a front end electrode 106a and a rear end electrode 106b for supplying a sense current to both ends of the MR film 105 are formed.

【0007】その後、上記MR素子105及び前端電極
106a,後端電極106bを含む全面に絶縁層107
を積層した後、下層のMR素子105を長手方向に横切
るようにバイアス導体108を形成し、その後、全面に
絶縁層109及び上部シールド磁性体110となる軟磁
性膜を順次積層することにより、従来におけるMR薄膜
ヘッドが構成される。なお、図示の例では、後端電極1
06bとバイアス導体109とが直列接続されたかたち
となっている。
After that, the insulating layer 107 is formed on the entire surface including the MR element 105, the front end electrode 106a, and the rear end electrode 106b.
Is formed, a bias conductor 108 is formed so as to traverse the MR element 105 in the lower layer in the longitudinal direction, and then an insulating layer 109 and a soft magnetic film to be the upper shield magnetic body 110 are sequentially laminated on the entire surface. The MR thin film head in FIG. In the illustrated example, the rear electrode 1
06b and the bias conductor 109 are connected in series.

【0008】一方、横型のMR薄膜ヘッドにおいては、
図7及び図8に示すように、MR素子105を、その長
手方向がヘッド面aと平行となるように配置され、その
長手方向端部の一方をヘッド面aに露出させたかたちに
形成されている。そして、上記MR素子105上に絶縁
層107を介してバイアス導体108が形成され、ま
た、MR素子105の長手方向両端にそれぞれ第1の電
極111a及び111bが形成されて、MR素子105
の長手方向に沿って(即ち、ヘッド面aに沿って)セン
ス電流が流れるように構成されている。
On the other hand, in the horizontal MR thin film head,
As shown in FIGS. 7 and 8, the MR element 105 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the head surface a and one end of its longitudinal direction is exposed on the head surface a. ing. Then, the bias conductor 108 is formed on the MR element 105 via the insulating layer 107, and the first electrodes 111a and 111b are formed at both ends of the MR element 105 in the longitudinal direction.
The sense current is configured to flow along the longitudinal direction of (i.e., along the head surface a).

【0009】上記縦型及び横型MR薄膜ヘッドはいずれ
も、MR膜105を上部シールド磁性体110及び下部
シールド磁性体103で挟む構造としているため、シー
ルド磁性体110及び103のないものと比して、再生
出力の記録密度依存性を向上させることができる。
Both the vertical and horizontal MR thin film heads have a structure in which the MR film 105 is sandwiched between the upper shield magnetic body 110 and the lower shield magnetic body 103. It is possible to improve the recording density dependency of the reproduction output.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の例え
ば縦型MR薄膜ヘッドにおいては、図9に示すように、
MR素子105を磁気的にシールドする上部及び下部シ
ールド磁性体110及び103は、ほぼ平行に対向して
形成され、MR素子105が位置する箇所での上部及び
下部シールド磁性体110及び103間の距離と、MR
素子105が位置しない箇所での上部及び下部シールド
磁性体110及び103間の距離とがほとんど同じにな
っている。
By the way, in a conventional vertical MR thin film head, for example, as shown in FIG.
The upper and lower shield magnetic bodies 110 and 103 that magnetically shield the MR element 105 are formed to face each other substantially in parallel, and the distance between the upper and lower shield magnetic bodies 110 and 103 at the position where the MR element 105 is located. And MR
The distance between the upper and lower shield magnetic bodies 110 and 103 at a position where the element 105 is not located is almost the same.

【0011】この場合、上部及び下部シールド磁性体1
10及び103間の距離を再生ギャップとして入力され
たある程度低い周波数成分を有する磁束がMR素子10
5そのものを通過して、目的の信号成分以外のクロスト
ーク成分として出力されたり、MR素子105の感知部
の両端に接続された前端電極106a及び後端電極10
6bにおいて電磁誘導で発生したクロストーク成分が、
本来のMR素子105から出力される信号成分に重畳し
て出力されるという問題があった。
In this case, the upper and lower shield magnetic bodies 1
The magnetic flux having a somewhat low frequency component input as the reproduction gap at the distance between 10 and 103 is generated by the MR element 10.
5 and is output as a crosstalk component other than the intended signal component, or is connected to both ends of the sensing portion of the MR element 105.
The crosstalk component generated by electromagnetic induction in 6b is
There is a problem in that the signal component that is originally output from the MR element 105 is superimposed and output.

【0012】これらクロストーク成分は、本来の信号成
分のS/Nを劣化させるという問題があり、特に、ハー
ドディスク装置の場合、再生ヘッド(MR薄膜ヘッド)
でサーボ信号やトラッキング信号を記録媒体面から取り
出した際、そのサーボ信号等の質を上記クロストーク成
分が重畳することにより劣化させることになる。
These crosstalk components have a problem of deteriorating the S / N of the original signal component. Especially, in the case of a hard disk device, a reproducing head (MR thin film head).
Therefore, when the servo signal or the tracking signal is taken out from the surface of the recording medium, the quality of the servo signal or the like is deteriorated due to the superposition of the crosstalk component.

【0013】図10に従来のMR薄膜ヘッドのオフトラ
ック特性を示す。このオフトラック特性から、上部及び
下部シールド磁性体110及び103の幅方向におい
て、MR素子105が位置する箇所(区間B−Cで示
す)の出力レベルを0dBとしたとき、MR素子105
が位置しない箇所(区間A−B及び区間C−Dで示す)
に、出力レベルが−20数dBのクロストーク成分が入
っていることがわかる。
FIG. 10 shows the off-track characteristics of the conventional MR thin film head. From this off-track characteristic, when the output level of the portion where MR element 105 is located (indicated by section BC) in the width direction of upper and lower shield magnetic bodies 110 and 103 is 0 dB, MR element 105
Where is not located (indicated by section AB and section C-D)
It can be seen that a crosstalk component having an output level of −20 and several dB is contained in.

【0014】これは、横型MR薄膜ヘッドでも同じで、
第1の電極111a、MR素子105及び第2の電極1
11bで形成されるループで発生する電磁誘導で上部及
び下部シールド磁性体110及び103からのクロスト
ーク成分がMR素子105に入り、図10と同じ出力レ
ベルのクロストーク成分が出力されることになる。
The same applies to a lateral MR thin film head,
The first electrode 111a, the MR element 105 and the second electrode 1
Crosstalk components from the upper and lower shield magnetic bodies 110 and 103 enter the MR element 105 by the electromagnetic induction generated in the loop formed by 11b, and a crosstalk component having the same output level as in FIG. 10 is output. .

【0015】このように、従来のMR薄膜ヘッドにおい
ては、上下シールド磁性体110及び103間からMR
素子105に直接入るクロストーク成分、並びにバイア
ス導体108や電極(縦型においては前端電極106a
及び後端電極106b、横型においては第1及び第2の
電極111a及び111b)の電磁誘導によるクロスト
ーク成分が本来の信号成分に重畳されて出力されること
になり、再生信号のS/Nが劣化すると共に、サーボ信
号等の信頼性も低下するという問題があった。
As described above, in the conventional MR thin film head, the MR is removed from between the upper and lower shield magnetic bodies 110 and 103.
The crosstalk component directly entering the element 105, the bias conductor 108 and the electrode (the front end electrode 106a in the vertical type)
Also, the crosstalk component due to the electromagnetic induction of the rear end electrode 106b, and in the horizontal type, the first and second electrodes 111a and 111b) is output by being superimposed on the original signal component, and the S / N ratio of the reproduction signal is increased. There is a problem that the reliability of the servo signal and the like also deteriorates with the deterioration.

【0016】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、本来の信号成分に重畳
される上下シールド磁性体間からMR素子に直接入るク
ロストーク成分、並びにバイアス導体や電極の電磁誘導
によるクロストーク成分を低減することができ、再生信
号のS/Nの向上及びサーボ信号等の信頼性を向上させ
ることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a crosstalk component directly entering the MR element from between the upper and lower shield magnetic bodies that are superposed on the original signal component, and a bias. To provide a magnetoresistive thin-film magnetic head capable of reducing crosstalk components due to electromagnetic induction of conductors and electrodes, improving S / N of reproduced signals, and reliability of servo signals and the like. is there.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗効果
を有する磁気抵抗効果素子1を記録媒体摺動面aに露出
させ、この磁気抵抗効果素子1を膜厚方向に挟む非磁性
層13及び14を介してそれぞれ軟磁性体層からなる上
部及び下部シールド磁性体3及び2で磁気的にシールド
された構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
記録媒体摺動面に露出した部分における磁気抵抗効果素
子1の形成置での上部シールド磁性体3と下部シールド
磁性体2間の距離g2 に比べて、磁気抵抗効果素子1の
非形成位置での上部シールド磁性体3と下部シールド磁
性体2間の距離g1 を1/2以下にして構成する。
According to the present invention, a magnetoresistive effect element 1 having a magnetoresistive effect is exposed on a recording medium sliding surface a, and a nonmagnetic layer 13 sandwiching the magnetoresistive effect element 1 in the film thickness direction. In the magnetoresistive thin-film magnetic head having a structure magnetically shielded by the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 each of which is composed of a soft magnetic layer via
Compared with the distance g2 between the upper shield magnetic body 3 and the lower shield magnetic body 2 in the formation position of the magnetoresistive effect element 1 in the portion exposed on the sliding surface of the recording medium, the magnetoresistive effect element 1 in the non-formed position is The distance g1 between the upper shield magnetic body 3 and the lower shield magnetic body 2 is set to 1/2 or less.

【0018】[0018]

【作用】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに
おいては、上下シールド磁性体3及び2のヘッド面aに
露出した部分において、磁気抵抗効果素子(以下、単に
MR素子と記す)1の無いところの上下シールド磁性体
3及び2間の距離g1 がMR素子1の有るところの距離
g2 よりも小さくなる、あるいはMR素子1が無いとこ
ろの上下シールド磁性体3及び2が磁気的に短絡するこ
とになる。
In the magnetoresistive thin film magnetic head according to the present invention, there is no magnetoresistive effect element (hereinafter simply referred to as MR element) 1 in the exposed portions of the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 on the head surface a. However, the distance g1 between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 is smaller than the distance g2 where the MR element 1 is present, or the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 where there is no MR element 1 is magnetically short-circuited. become.

【0019】このMR素子1が無いところの上下シール
ド磁性体3及び2間の距離g1 が小さくなることによっ
て、その部分の磁気抵抗が小さくなり、低い周波数成分
の磁束の入力が低下する。また、MR素子1の有るとこ
ろ(磁気抵抗が大きい)と比較して、ヘッド面aから入
った本来の信号成分以外のクロストーク成分の磁束をよ
り多く流す(落とす)。
When the distance g1 between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 in the absence of the MR element 1 becomes small, the magnetic resistance at that portion becomes small and the input of magnetic flux of low frequency component decreases. Further, as compared with the case where the MR element 1 is present (the magnetic resistance is large), more magnetic flux of the crosstalk component other than the original signal component that has entered from the head surface a is made to flow (drop).

【0020】その結果、バイアス導体及びセンス電流を
流すための電極で発生する電磁誘導によるクロストーク
成分や上下シールド磁性体3及び2からMR素子1に直
接入るクロストーク成分が大幅に低減されることにな
る。
As a result, the crosstalk component due to electromagnetic induction generated at the bias conductor and the electrode for flowing the sense current and the crosstalk component directly entering the MR element 1 from the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 are significantly reduced. become.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの実施例(以下、単に実施例に係るMR薄膜ヘッ
ドと記す)を図1〜図4を参照しながら説明する。
EXAMPLE An example of a magnetoresistive thin-film magnetic head according to the present invention (hereinafter simply referred to as an MR thin-film head according to the example) will be described with reference to FIGS.

【0022】この実施例に係るMR薄膜ヘッドは、図1
に示すように、磁気抵抗効果素子(以下、単にMR素子
と記す)1が、再生時の磁路となる下部シールド磁性体
2と上部シールド磁性体3とでサンドイッチされた構造
となっている。
The MR thin film head according to this embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a magnetoresistive effect element (hereinafter, simply referred to as an MR element) 1 has a structure in which a lower shield magnetic body 2 and an upper shield magnetic body 3 which serve as a magnetic path during reproduction are sandwiched.

【0023】具体的には、非磁性基板11上に、絶縁層
12を介してNi−Fe等の磁性膜による下部シールド
磁性体2が形成され、この下部シールド磁性体2上に第
1の再生ギャップを形成するアルミナ等の絶縁層13が
積層されている。そして、この絶縁層13上に例えばF
e−Ni膜によるMR素子1が形成され、更にこのMR
素子1上に第2の再生ギャップを形成する絶縁層14が
形成され、この絶縁層14上にFe−Ni等の磁性膜に
よる上部シールド磁性体3が積層されて本実施例に係る
MR薄膜ヘッドが構成されている。
Specifically, the lower shield magnetic body 2 made of a magnetic film such as Ni--Fe is formed on the non-magnetic substrate 11 via the insulating layer 12, and the first reproduction is performed on the lower shield magnetic body 2. An insulating layer 13 such as alumina that forms a gap is laminated. Then, on the insulating layer 13, for example, F
The MR element 1 made of the e-Ni film is formed, and
The MR thin film head according to this embodiment is formed by forming the insulating layer 14 forming the second reproducing gap on the element 1 and stacking the upper shield magnetic body 3 made of a magnetic film such as Fe-Ni on the insulating layer 14. Is configured.

【0024】そして、縦型のMR薄膜ヘッドにおいて
は、図3に示すように、MR素子1を、その長手方向が
磁気記録媒体との対向面、即ち記録媒体摺動面aと垂直
となるように配置し、その一方の端面を記録媒体摺動面
aに露出させたかたちとなっている。このMR素子1の
記録媒体摺動面側端(以下、前端と記す)部分と、その
前端部分から所定距離隔てた箇所に、それぞれ軟磁性膜
による電極(前端電極21a及び後端電極21b)が形
成されている。
In the vertical MR thin film head, as shown in FIG. 3, the MR element 1 is arranged such that its longitudinal direction is perpendicular to the surface facing the magnetic recording medium, that is, the recording medium sliding surface a. And one end surface thereof is exposed on the recording medium sliding surface a. Electrodes (a front end electrode 21a and a rear end electrode 21b) made of a soft magnetic film are respectively formed at an end (hereinafter, referred to as a front end) of the MR element 1 on a recording medium sliding surface side and a position separated from the front end by a predetermined distance. Has been formed.

【0025】この前端電極21a及び後端電極21b
は、MR素子1の長手方向に沿って(即ち、記録媒体摺
動面aと直交する方向に)センス電流を流す目的で形成
される。本実施例においては、前端電極21aを独立分
離した形に形成しているため、絶縁層14を形成した
後、平坦化処理して前端電極21aの上面を露出させ、
その後に上部シールド磁性体3を形成するようにして、
前端電極21aと上部シールド磁性体3とを電気的に接
続するようにしている。従って、この場合、前端電極2
1aにて第2の再生ギャップが形成される。
The front end electrode 21a and the rear end electrode 21b
Are formed for the purpose of flowing a sense current along the longitudinal direction of the MR element 1 (that is, in the direction orthogonal to the recording medium sliding surface a). In the present embodiment, since the front end electrode 21a is formed in a separately separated form, after the insulating layer 14 is formed, the surface is planarized to expose the upper surface of the front end electrode 21a,
After that, the upper shield magnetic body 3 is formed,
The front end electrode 21a and the upper shield magnetic body 3 are electrically connected. Therefore, in this case, the front end electrode 2
A second reproduction gap is formed at 1a.

【0026】そして、この縦型のMR薄膜ヘッドにおい
ては、MR素子1中、前端電極21aの後端と後端電極
21bの前端の間の領域が磁気抵抗効果を示すことにな
り、この領域がMR素子1の感知部1aを構成すること
になる。また、MR膜1の感知部1a上には、このMR
膜1にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体22
がMR膜1の上方を横切るように形成されている。
In this vertical MR thin film head, the region between the rear end of the front end electrode 21a and the front end of the rear end electrode 21b in the MR element 1 exhibits a magnetoresistive effect, and this region is This constitutes the sensing unit 1a of the MR element 1. In addition, on the sensing portion 1a of the MR film 1, the MR
Bias conductor 22 for applying a bias magnetic field to the membrane 1
Are formed so as to cross over the MR film 1.

【0027】一方、横型のMR薄膜ヘッドにおいては、
図4に示すように、MR素子1を、その長手方向が記録
媒体摺動面aと平行となるように配置され、その長手方
向端部の一方を記録媒体摺動面aに露出させたかたちに
形成されている。そして、上記MR素子1上に絶縁層1
4を介してバイアス導体(図示せず)が形成され、ま
た、MR素子1の長手方向両端にそれぞれ電極23a及
び23bが形成されて、MR素子1の長手方向に沿って
(即ち、記録媒体摺動面aに沿って)センス電流が流れ
るように構成されている。
On the other hand, in the horizontal type MR thin film head,
As shown in FIG. 4, the MR element 1 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the recording medium sliding surface a, and one end of the longitudinal direction is exposed on the recording medium sliding surface a. Is formed in. Then, the insulating layer 1 is formed on the MR element 1.
Bias conductors (not shown) are formed via the electrodes 4, and electrodes 23a and 23b are formed on both ends of the MR element 1 in the longitudinal direction, respectively. A sense current is configured to flow (along the moving surface a).

【0028】そして、本実施例に係るMR薄膜ヘッドに
おいては、図1、図3及び図4に示すように、MR素子
1、バイアス導体22及び電極(縦型においては前端電
極21a及び後端電極21b、横型においては第1及び
第2の電極23a及び23b)を除いて、記録媒体摺動
面aからその奥行き近傍にかけて意図的に上下シールド
磁性体3及び2間の距離を小さくする凹部領域24が形
成されて構成されている。
In the MR thin film head according to the present embodiment, as shown in FIGS. 1, 3 and 4, the MR element 1, the bias conductor 22 and the electrode (in the vertical type, the front end electrode 21a and the rear end electrode 21a). 21b, in the horizontal type, except for the first and second electrodes 23a and 23b), a recessed region 24 that intentionally reduces the distance between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 from the recording medium sliding surface a to the vicinity of its depth. Are formed and configured.

【0029】この凹部領域24の形成方法としては、縦
型のMR薄膜ヘッドを例にとると、例えばMR素子1を
形成する前に、予め下層の下部シールド磁性体2上の絶
縁層13(例えばAl23)をリフトオフ法やエッチン
グ法にて一部除去することにより、上記凹部領域24を
形成することができる。その結果、MR素子1が無い部
分の上下シールド磁性体3及び2間の距離g1 (図1参
照)が、上記絶縁層13の厚み分だけ減り、具体的に
は、MR素子1が有る部分の距離g2 に比べて1/2程
度になる。
As a method of forming the recessed region 24, taking a vertical MR thin film head as an example, for example, before forming the MR element 1, the insulating layer 13 (for example, on the lower shield magnetic body 2 which is the lower layer in advance) is formed. The recessed region 24 can be formed by partially removing Al 2 O 3 ) by a lift-off method or an etching method. As a result, the distance g1 (see FIG. 1) between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 in the portion where the MR element 1 is absent is reduced by the thickness of the insulating layer 13, and specifically, in the portion where the MR element 1 is present. It is about 1/2 of the distance g2.

【0030】その他、上下シールド磁性体3及び2間の
距離g1 を小さくする方法としては、例えばMR素子1
上に形成する絶縁層14、例えばSiO2 やSi34
一部(図3における縦型のMR薄膜ヘッドにおいて、前
端電極21aの長手方向の長さを大きくした場合は、前
端電極21aの一部も含める)をエッチング法にて除去
して、上記凹部領域24を形成するようにしてもよい。
As another method for reducing the distance g1 between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2, for example, the MR element 1 is used.
A part of the insulating layer 14 formed above, for example, SiO 2 or Si 3 N 4 (in the vertical MR thin film head in FIG. 3, when the length of the front end electrode 21a in the longitudinal direction is increased, The recessed region 24 may be formed by removing (including a part thereof) by an etching method.

【0031】ここで、MR素子1が無い部分の上下シー
ルド磁性体3及び2間の距離g1 が、MR素子1が有る
部分の距離g2 に比べて1/2程度である場合のオフト
ラック特性は、図2に示すように、上部及び下部シール
ド磁性体3及び2の幅方向において、MR素子1が位置
する箇所(区間B−Cで示す)の出力レベルを0dBと
したとき、MR素子1が位置しない箇所(区間A−B及
び区間C−Dで示す)におけるクロストーク成分iの出
力レベルは、従来の場合(二点鎖線で示す)jと比べて
3dB以上低下していることがわかる。
Here, the off-track characteristics when the distance g1 between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 in the portion without the MR element 1 is about 1/2 of the distance g2 in the portion with the MR element 1 is As shown in FIG. 2, when the output level of the portion where MR element 1 is located (shown in section BC) is 0 dB in the width direction of the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2, the MR element 1 is It can be seen that the output level of the crosstalk component i in the non-positioned portion (shown by the section AB and the section CD) is lowered by 3 dB or more as compared with the conventional case (shown by the chain double-dashed line) j.

【0032】また、上記2つの方法を組み合わせること
により、より深い凹部領域24が形成され、その部分に
おける上部及び下部シールド磁性体3及び2は、ほとん
ど磁気的に結合した状態になる。実際には、上部シール
ド磁性体3の密着強度確保のために、上下シールド磁性
体3及び2間に、Ti(チタン)やCr(クロム)など
の非磁性金属層を厚さ約0.03μm程度介在させる
が、この程度の小さい間隔になると、磁気的にほとんど
短絡した状態となる。
By combining the above two methods, a deeper recessed region 24 is formed, and the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 in that region are almost magnetically coupled. Actually, in order to secure the adhesion strength of the upper shield magnetic body 3, a non-magnetic metal layer such as Ti (titanium) or Cr (chrome) having a thickness of about 0.03 μm is provided between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2. Although intervening, at such a small interval, it becomes a magnetically short-circuited state.

【0033】この場合のオフトラック特性は、図2に示
すように、上部及び下部シールド磁性体3及び2の幅方
向において、MR素子1が位置する箇所(区間B−Cで
示す)の出力レベルを0dBとしたとき、MR素子1が
位置しない箇所(区間A−B及び区間C−Dで示す)に
おけるクロストーク成分k(破線で示す)の出力レベル
が、−30数dBとなり、従来の場合と比べて大幅に低
下することになる。
The off-track characteristic in this case is, as shown in FIG. 2, the output level at the position where the MR element 1 is located (indicated by section B-C) in the width direction of the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2. Is 0 dB, the output level of the crosstalk component k (indicated by a broken line) at a location where the MR element 1 is not located (indicated by sections AB and C-D) is -30 dB, which is the case of the conventional case. Will be significantly lower than.

【0034】このように、上記実施例に係るMR薄膜ヘ
ッドにおいては、上下シールド磁性体3及び2の記録媒
体摺動面aに露出した部分において、MR素子1が無い
ところの上下シールド磁性体3及び2間の距離g1 が、
MR素子1の有るところの距離g2 よりも小さくなる、
あるいはMR素子1が無いところの上下シールド磁性体
3及び2が磁気的に短絡することになることとなるた
め、MR素子1が無いところの上下シールド磁性体3及
び2間の磁気抵抗が小さくなり、低い周波数成分の磁束
の入力が低下することになる。また、MR素子1の有る
ところ(磁気抵抗が大きい)と比較して、記録媒体摺動
面aから入った本来の信号成分以外のクロストーク成分
の磁束をより多く流す(落とす)。
As described above, in the MR thin film head according to the above-described embodiment, the upper and lower shield magnetic bodies 3 where the MR element 1 is absent in the exposed portions of the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 on the recording medium sliding surface a. And the distance g1 between 2 and
It is smaller than the distance g2 where the MR element 1 is,
Alternatively, since the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 without the MR element 1 are magnetically short-circuited, the magnetic resistance between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 without the MR element 1 becomes small. , The input of the magnetic flux of the low frequency component will decrease. Further, as compared with the case where the MR element 1 is present (the magnetic resistance is large), more magnetic flux of the crosstalk component other than the original signal component that has entered from the sliding surface a of the recording medium flows (drops).

【0035】その結果、バイアス導体22及びセンス電
流を流すための電極(縦型においては前端電極21a及
び後端電極21b、横型においては第1及び第2の電極
23a及び23b)で発生する電磁誘導によるクロスト
ーク成分や上下シールド磁性体3及び2からMR素子1
に直接入るクロストーク成分が大幅に低減されることに
なる。
As a result, the electromagnetic induction generated in the bias conductor 22 and the electrodes for flowing the sense current (the front end electrode 21a and the rear end electrode 21b in the vertical type, the first and second electrodes 23a and 23b in the horizontal type) From the crosstalk component and the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2
Therefore, the crosstalk component that directly enters in is significantly reduced.

【0036】このように、本実施例に係るMR薄膜ヘッ
ドにおいては、本来の信号成分に重畳される上下シール
ド磁性体3及び2間からMR素子1に直接入るクロスト
ーク成分、並びに上記導体の電磁誘導によるクロストー
ク成分を低減することができることから、再生信号のS
/Nの向上及びサーボ信号等の信頼性を向上させること
ができ、エラーレートの少ない再生信号及び誤差の少な
いサーボ信号を得ることができる。
As described above, in the MR thin film head according to this embodiment, the crosstalk component directly entering the MR element 1 from between the upper and lower shield magnetic bodies 3 and 2 superimposed on the original signal component, and the electromagnetic wave of the conductor. Since the crosstalk component due to induction can be reduced, the S of the reproduction signal is reduced.
It is possible to improve / N and reliability of the servo signal and the like, and it is possible to obtain a reproduction signal with a small error rate and a servo signal with a small error.

【0037】[0037]

【発明の効果】上述のように、本発明に係る磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドによれば、磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗効果素子を記録媒体摺動面に露出させ、この磁気
抵抗効果素子を膜厚方向に挟む非磁性層を介してそれぞ
れ軟磁性体層からなる上部及び下部シールド磁性体で磁
気的にシールドされた構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上記記録媒体摺動面に露出した部分にお
ける上記磁気抵抗効果素子の形成位置での上部シールド
磁性体と下部シールド磁性体間の距離に比べて、磁気抵
抗効果素子の非形成位置での上部シールド磁性体と下部
シールド磁性体間の距離を1/2以下にしたので、本来
の信号成分に重畳される上下シールド磁性体間からMR
素子に直接入るクロストーク成分、並びにバイアス導体
や電極の電磁誘導によるクロストーク成分を低減するこ
とができ、再生信号のS/Nの向上及びサーボ信号等の
信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the magnetoresistive effect type thin film magnetic head of the present invention, the magnetoresistive effect element having the magnetoresistive effect is exposed on the sliding surface of the recording medium, and the magnetoresistive effect element is provided. In a magnetoresistive thin-film magnetic head configured to be magnetically shielded by upper and lower shield magnetic bodies composed of soft magnetic layers through nonmagnetic layers sandwiched in the film thickness direction, exposed on the sliding surface of the recording medium. Compared with the distance between the upper shield magnetic body and the lower shield magnetic body at the formation position of the magnetoresistive effect element in the above-mentioned portion, the distance between the upper shield magnetic body and the lower shield magnetic body at the non-formation position of the magnetoresistive effect element Since the distance was reduced to less than 1/2, the MR was removed from between the upper and lower shield magnetic bodies that were superimposed on the original signal component.
It is possible to reduce the crosstalk component directly entering the element and the crosstalk component due to the electromagnetic induction of the bias conductor and the electrode, and it is possible to improve the S / N of the reproduction signal and the reliability of the servo signal and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
実施例(以下、単に実施例に係るMR薄膜ヘッドと記
す)を記録媒体摺動面から見て示す要部の斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view of essential parts showing an embodiment of a magnetoresistive thin-film magnetic head according to the present invention (hereinafter, simply referred to as an MR thin-film head according to the embodiment) as viewed from a recording medium sliding surface.

【図2】本実施例に係るMR薄膜ヘッドの上部及び下部
シールド磁性体の幅方向におけるオフトラック特性を示
す特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the off-track characteristics in the width direction of the upper and lower shield magnetic bodies of the MR thin film head according to the present embodiment.

【図3】本実施例に係る縦型MR薄膜ヘッドの構成を上
部シールド磁性体を取り除いて示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing the configuration of a vertical MR thin film head according to the present embodiment with the upper shield magnetic body removed.

【図4】本実施例に係る横型MR薄膜ヘッドの構成を上
部シールド磁性体を取り除いて示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing the configuration of a lateral MR thin film head according to the present embodiment with the upper shield magnetic body removed.

【図5】従来例に係る縦型MR薄膜ヘッドの構成を示す
断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of a vertical MR thin film head according to a conventional example.

【図6】従来例に係る縦型MR薄膜ヘッドの構成を上部
シールド磁性体を取り除いて示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a vertical MR thin film head according to a conventional example with an upper shield magnetic body removed.

【図7】従来例に係る横型MR薄膜ヘッドの構成を示す
断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a configuration of a lateral MR thin film head according to a conventional example.

【図8】従来例に係る横型MR薄膜ヘッドの構成を上部
シールド磁性体を取り除いて示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a configuration of a lateral MR thin film head according to a conventional example with an upper shield magnetic body removed.

【図9】従来例に係るMR薄膜ヘッドを記録媒体摺動面
から見て示す要部の斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view of a main part showing an MR thin film head according to a conventional example as viewed from a sliding surface of a recording medium.

【図10】従来例に係るMR薄膜ヘッドの上部及び下部
シールド磁性体の幅方向におけるオフトラック特性を示
す特性図である。
FIG. 10 is a characteristic diagram showing off-track characteristics in the width direction of the upper and lower shield magnetic bodies of the MR thin film head according to the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 MR素子 2 下部シールド磁性体 3 上部シールド磁性体 11 基板 12,13,14 絶縁層 21a及び21b 前端及び後端電極 22 バイアス導体 23a及び23b 第1及び第2の電極 24 凹部領域 g1 MR素子が無い部分の上下シールド磁性体間の距
離 g2 MR素子が有る部分の上下シールド磁性体間の距
1 MR element 2 Lower shield magnetic body 3 Upper shield magnetic body 11 Substrate 12, 13, 14 Insulating layers 21a and 21b Front and rear end electrodes 22 Bias conductors 23a and 23b First and second electrodes 24 Recessed area g1 MR element Distance between upper and lower shield magnetic bodies where there is no g2 Distance between upper and lower shield magnetic bodies where there is an MR element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 拓二 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takuji Shibata 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
を記録媒体摺動面に露出させ、この磁気抵抗効果素子を
膜厚方向に挟む非磁性層を介してそれぞれ軟磁性体層か
らなる上部及び下部シールド磁性体で磁気的にシールド
された構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記記録媒体摺動面に露出した部分における上記磁気抵
抗効果素子の形成位置での上部シールド磁性体と下部シ
ールド磁性体間の距離に比べて、上記磁気抵抗効果素子
の非形成位置での上部シールド磁性体と下部シールド磁
性体間の距離が1/2以下であることを特徴とする磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
1. A magnetoresistive effect element having a magnetoresistive effect is exposed on a sliding surface of a recording medium, and an upper portion composed of a soft magnetic material layer and a non-magnetic layer sandwiching the magnetoresistive effect element in the film thickness direction, respectively. In a magnetoresistive thin-film magnetic head magnetically shielded by a lower shield magnetic body, an upper shield magnetic body and a lower shield at a position where the magnetoresistive element is formed in a portion exposed on the sliding surface of the recording medium. Compared with the distance between the magnetic bodies, the distance between the upper shield magnetic body and the lower shield magnetic body at the position where the magnetoresistive effect element is not formed is ½ or less, and the magnetoresistive effect thin film magnetic. head.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6597545B2 (en) * 2000-05-25 2003-07-22 Seagate Technology Llc Shield design for magnetoresistive sensor
US6967823B2 (en) 2002-11-26 2005-11-22 Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. Magnetic recording head

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