JPH06251903A - 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 - Google Patents
正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器Info
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- JPH06251903A JPH06251903A JP3832793A JP3832793A JPH06251903A JP H06251903 A JPH06251903 A JP H06251903A JP 3832793 A JP3832793 A JP 3832793A JP 3832793 A JP3832793 A JP 3832793A JP H06251903 A JPH06251903 A JP H06251903A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｎｉ等の卑金属を電極として採用する場合の
半導体セラミックの耐還元性を改善でき、ひいては室温
抵抗値を小さくできるとともに、抵抗温度係数を向上で
きる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器を提供
する。 【構成】 半導体セラミック層２と内部電極３とを交互
に積層して積層型半導体磁器１を構成する場合に、上記
半導体セラミック層２のモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイト
を1.01〜1.20の範囲とし、かつ希土類元素を0.01〜３mo
l ％の範囲で添加する。また上記電極にＮｉ，Ｆｅ，Ｃ
ｏのうち何れかを主成分とする金属材料により構成す
る。さらに上記希土類元素としてＹ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔ
ｍ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｐ
ｍ，Ｎｄのうち少なくとも１種以上選定する。
半導体セラミックの耐還元性を改善でき、ひいては室温
抵抗値を小さくできるとともに、抵抗温度係数を向上で
きる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器を提供
する。 【構成】 半導体セラミック層２と内部電極３とを交互
に積層して積層型半導体磁器１を構成する場合に、上記
半導体セラミック層２のモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイト
を1.01〜1.20の範囲とし、かつ希土類元素を0.01〜３mo
l ％の範囲で添加する。また上記電極にＮｉ，Ｆｅ，Ｃ
ｏのうち何れかを主成分とする金属材料により構成す
る。さらに上記希土類元素としてＹ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔ
ｍ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｐ
ｍ，Ｎｄのうち少なくとも１種以上選定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気抵抗値が温度によ
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁
器に関し、詳細にはオーミック接触が得られるＮｉ等の
卑金属を電極として採用する場合の半導体セラミック層
の耐還元性を向上でき、ひいては室温での抵抗値を小さ
くできるとともに、抵抗温度係数を向上できるようにし
た組成物に関する。
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁
器に関し、詳細にはオーミック接触が得られるＮｉ等の
卑金属を電極として採用する場合の半導体セラミック層
の耐還元性を向上でき、ひいては室温での抵抗値を小さ
くできるとともに、抵抗温度係数を向上できるようにし
た組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリ
ウム系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に
増加する特性を有しており、例えば電気回路の過電流保
護素子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁用
素子として広く使用されている。また、近年において
は、大電流化，小型化，及び低抵抗化の要望が強く、こ
のような要望に対応するものとして、従来、単板型に代
わる積層型の半導体磁器が提案されている（例えば、特
開昭55-88304号公報, 特開昭57-60802号公報参照)。こ
の積層型半導体磁器は、半導体セラミック層と内部電極
を交互に積層してなる積層体を一体焼結して焼結体を形
成して構成されている。この積層型半導体磁器によれ
ば、単板型に比べて電極面積を大幅に増やすことがで
き、それだけ低抵抗化を可能にできるとともに、大電流
化，小型化にも対応できる。
ウム系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に
増加する特性を有しており、例えば電気回路の過電流保
護素子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁用
素子として広く使用されている。また、近年において
は、大電流化，小型化，及び低抵抗化の要望が強く、こ
のような要望に対応するものとして、従来、単板型に代
わる積層型の半導体磁器が提案されている（例えば、特
開昭55-88304号公報, 特開昭57-60802号公報参照)。こ
の積層型半導体磁器は、半導体セラミック層と内部電極
を交互に積層してなる積層体を一体焼結して焼結体を形
成して構成されている。この積層型半導体磁器によれ
ば、単板型に比べて電極面積を大幅に増やすことがで
き、それだけ低抵抗化を可能にできるとともに、大電流
化，小型化にも対応できる。
【０００３】また、上記積層型半導体磁器を製造する場
合、従来、上記セラミック層と内部電極との積層体を大
気中にて高温焼成し、これにより焼結体を得るようにし
ている。このため上記内部電極には耐熱性，耐酸化性に
優れたＰｔ，Ｐｄ等の貴金属が採用されている。
合、従来、上記セラミック層と内部電極との積層体を大
気中にて高温焼成し、これにより焼結体を得るようにし
ている。このため上記内部電極には耐熱性，耐酸化性に
優れたＰｔ，Ｐｄ等の貴金属が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の積層型半導体磁器では、内部電極にＰｔ，Ｐｄを採用
すると、セラミック層との間でオーミック接触が得られ
難く、その結果抵抗値が増大するという問題がある。
の積層型半導体磁器では、内部電極にＰｔ，Ｐｄを採用
すると、セラミック層との間でオーミック接触が得られ
難く、その結果抵抗値が増大するという問題がある。
【０００５】ここで、上記オーミック接触を得ながら、
焼成温度に対する耐熱性を有する金属材料として、Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属を採用することが考えられ
る。このＮｉ等を内部電極に採用する場合、これを大気
中にて焼成すると電極が酸化されてしまうことから、こ
の酸化を回避するために還元性雰囲気中にて焼成する必
要がある。ところが還元焼成すると上記半導体セラミッ
ク層が正の抵抗温度特性を示さなくなるという問題が生
じる。このため還元焼成後に電極が酸化されない程度の
低温で再酸化処理を行うようにしている。しかし、この
再酸化処理を行う際に電極のオーミック性が損なわれる
場合があり、その結果抵抗値が上昇したり，抵抗温度係
数が低下したりすることから、この点での改善が要請さ
れている。
焼成温度に対する耐熱性を有する金属材料として、Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属を採用することが考えられ
る。このＮｉ等を内部電極に採用する場合、これを大気
中にて焼成すると電極が酸化されてしまうことから、こ
の酸化を回避するために還元性雰囲気中にて焼成する必
要がある。ところが還元焼成すると上記半導体セラミッ
ク層が正の抵抗温度特性を示さなくなるという問題が生
じる。このため還元焼成後に電極が酸化されない程度の
低温で再酸化処理を行うようにしている。しかし、この
再酸化処理を行う際に電極のオーミック性が損なわれる
場合があり、その結果抵抗値が上昇したり，抵抗温度係
数が低下したりすることから、この点での改善が要請さ
れている。
【０００６】本発明の目的は、内部電極にＮｉ等の卑金
属を採用して還元焼成する場合の半導体セラミック層の
耐還元性を改善でき、ひいてはオーミック接触を損なう
ことなく抵抗値を小さくできる正の抵抗温度特性を有す
る積層型半導体磁器を提供することにある。
属を採用して還元焼成する場合の半導体セラミック層の
耐還元性を改善でき、ひいてはオーミック接触を損なう
ことなく抵抗値を小さくできる正の抵抗温度特性を有す
る積層型半導体磁器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、ＢａＴ
ｉＯ3 系半導体セラミックの組成について検討したとこ
ろ、これのＢａ／Ｔｉ比を規制するとともに、これに所
定量の希土類を添加することによって耐還元性の向上が
図れることを見出した。このような半導体セラミックを
採用することにより還元性雰囲気で焼成しても正の抵抗
温度特性を損なうことはなく、ひいてはオーミック性が
得られるＮｉ等を電極として採用できることに想到し、
本発明を成したものである。
ｉＯ3 系半導体セラミックの組成について検討したとこ
ろ、これのＢａ／Ｔｉ比を規制するとともに、これに所
定量の希土類を添加することによって耐還元性の向上が
図れることを見出した。このような半導体セラミックを
採用することにより還元性雰囲気で焼成しても正の抵抗
温度特性を損なうことはなく、ひいてはオーミック性が
得られるＮｉ等を電極として採用できることに想到し、
本発明を成したものである。
【０００８】そこで本発明は、半導体セラミック層と電
極とを交互に積層し、該積層体を一体焼成してなる正の
抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器において、上記
半導体セラミック層のモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトを
1.01〜1.20の範囲とし、かつ希土類元素を0.01〜３mol
％の範囲で添加したことを特徴としている。
極とを交互に積層し、該積層体を一体焼成してなる正の
抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器において、上記
半導体セラミック層のモル比Ｂａサイト／Ｔｉサイトを
1.01〜1.20の範囲とし、かつ希土類元素を0.01〜３mol
％の範囲で添加したことを特徴としている。
【０００９】ここで、上記Ｂａ／Ｔｉ比を限定したの
は、この比を1.01以下にすると、耐還元性の改善効果が
得られず正の抵抗温度特性を示さなくなるからであり、
また上記Ｂａ／Ｔｉ比が1.2 を越えると、セラミックの
焼結性が悪化して抵抗値が上昇するからである。また、
上記希土類の添加量を限定したのは、上記範囲を外れる
と抵抗値が急激に上昇するからである。
は、この比を1.01以下にすると、耐還元性の改善効果が
得られず正の抵抗温度特性を示さなくなるからであり、
また上記Ｂａ／Ｔｉ比が1.2 を越えると、セラミックの
焼結性が悪化して抵抗値が上昇するからである。また、
上記希土類の添加量を限定したのは、上記範囲を外れる
と抵抗値が急激に上昇するからである。
【００１０】また上記希土類の種類としては、Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒといった元素でもある程度の改善効果が得られ
るが、イオン半径が比較的小さいＹ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔ
ｍ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｐ
ｍ，Ｎｄを添加した場合は、特に顕著な耐還元性の改善
効果が得られることから、これらの元素を添加するのが
望ましい。
ｅ，Ｐｒといった元素でもある程度の改善効果が得られ
るが、イオン半径が比較的小さいＹ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔ
ｍ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｐ
ｍ，Ｎｄを添加した場合は、特に顕著な耐還元性の改善
効果が得られることから、これらの元素を添加するのが
望ましい。
【００１１】さらに上記電極材料には、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃ
ｏを主成分とする金属，あるいは合金が採用でき、これ
らを採用することによりオーミック接触を向上できると
ともに、焼成温度に対する耐熱性を確保できる。
ｏを主成分とする金属，あるいは合金が採用でき、これ
らを採用することによりオーミック接触を向上できると
ともに、焼成温度に対する耐熱性を確保できる。
【００１２】
【作用】本発明に係る正の抵抗温度特性を有する積層型
半導体磁器によれば、Ｂａサイト／Ｔｉサイトのモル比
を1.01〜1.20の範囲とし、これに希土類元素を0.01〜３
mol ％添加したので、耐還元性に優れた半導体磁器を得
ることができる。その結果、電極にＮｉ等の卑金属を用
いて還元焼成しても半導体セラミックが還元されること
はないから、半導体セラミック層と電極とのオーミック
接触を得ることができ、ひいては室温での抵抗値を小さ
くできるとともに、抵抗温度係数を向上できる。
半導体磁器によれば、Ｂａサイト／Ｔｉサイトのモル比
を1.01〜1.20の範囲とし、これに希土類元素を0.01〜３
mol ％添加したので、耐還元性に優れた半導体磁器を得
ることができる。その結果、電極にＮｉ等の卑金属を用
いて還元焼成しても半導体セラミックが還元されること
はないから、半導体セラミック層と電極とのオーミック
接触を得ることができ、ひいては室温での抵抗値を小さ
くできるとともに、抵抗温度係数を向上できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による正の抵抗温
度特性を有する積層型半導体磁器を説明するための図で
ある。図において、１は本実施例の積層型半導体磁器で
ある。この半導体磁器１は直方体状のもので、ＢａＴｉ
Ｏ3 を主成分とする半導体セラミック層２とＮｉからな
る内部電極３とを交互に積層するとともに、これの最上
部，最下部にダミーとしてのセラミック層６を重ねて積
層体を形成し、該積層体を還元雰囲気中にて一体焼結し
て焼結体４を形成して構成されている。
る。図１及び図２は本発明の一実施例による正の抵抗温
度特性を有する積層型半導体磁器を説明するための図で
ある。図において、１は本実施例の積層型半導体磁器で
ある。この半導体磁器１は直方体状のもので、ＢａＴｉ
Ｏ3 を主成分とする半導体セラミック層２とＮｉからな
る内部電極３とを交互に積層するとともに、これの最上
部，最下部にダミーとしてのセラミック層６を重ねて積
層体を形成し、該積層体を還元雰囲気中にて一体焼結し
て焼結体４を形成して構成されている。
【００１４】上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂには
同じくＮｉからなる外部電極５，５が被覆形成されてお
り、これは上記積層体を一体焼結する際に同時に焼成し
て形成されたものである。また上記焼結体４の左, 右端
面４ａ，４ｂには上記各内部電極３の一端面３ａのみが
交互に露出しており、この各一端面３ａは上記左, 右の
外部電極５にそれぞれ電気的に接続されている。さらに
上記各内部電極３の他の端面はセラミックス層２の内側
に位置しており、これにより焼結体４内に埋設されてい
る。
同じくＮｉからなる外部電極５，５が被覆形成されてお
り、これは上記積層体を一体焼結する際に同時に焼成し
て形成されたものである。また上記焼結体４の左, 右端
面４ａ，４ｂには上記各内部電極３の一端面３ａのみが
交互に露出しており、この各一端面３ａは上記左, 右の
外部電極５にそれぞれ電気的に接続されている。さらに
上記各内部電極３の他の端面はセラミックス層２の内側
に位置しており、これにより焼結体４内に埋設されてい
る。
【００１５】そして、上記半導体磁器１を構成する半導
体セラミック層２，６のＢａサイト／Ｔｉサイトのモル
比は1.01〜1.20の範囲内となっている。また上記セラミ
ック層２，６には後述する希土類元素が添加されてお
り、この添加量は0.01〜３mol％の範囲内となってい
る。
体セラミック層２，６のＢａサイト／Ｔｉサイトのモル
比は1.01〜1.20の範囲内となっている。また上記セラミ
ック層２，６には後述する希土類元素が添加されてお
り、この添加量は0.01〜３mol％の範囲内となってい
る。
【００１６】次に、上記積層型半導体磁器１の一製造方
法について説明する。まず、原料として、ＢａＣＯ3 ，
ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 を準備し、これに希土類酸化物Ｒｅ
を添加し、これらが以下の組成となるように調合する。 （Ｂａ1-X ＲｅX ）ｍＴｉＯ3 ＋0.01ＳｉＯ2 Ｒｅの添加量Ｘ＝0.0001〜0.03 Ｂａサイト／Ｔｉサイト比ｍ＝1.01〜1.20 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポット内に入れて５時間粉砕混合した後、乾
燥させて1100℃で２時間仮焼成する。
法について説明する。まず、原料として、ＢａＣＯ3 ，
ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 を準備し、これに希土類酸化物Ｒｅ
を添加し、これらが以下の組成となるように調合する。 （Ｂａ1-X ＲｅX ）ｍＴｉＯ3 ＋0.01ＳｉＯ2 Ｒｅの添加量Ｘ＝0.0001〜0.03 Ｂａサイト／Ｔｉサイト比ｍ＝1.01〜1.20 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポット内に入れて５時間粉砕混合した後、乾
燥させて1100℃で２時間仮焼成する。
【００１７】次いで、この仮焼成体を再度粉砕して仮焼
成粉を形成し、この仮焼成粉に有機バインダ，溶剤及び
分散剤を混合してスラリーを形成する。この後、厚さ0.
1mmのセラミックグリーンシートを形成し、このグリー
ンシートを７×７mmの大きさにカットして多数の半導体
セラミック層２，６を形成する。
成粉を形成し、この仮焼成粉に有機バインダ，溶剤及び
分散剤を混合してスラリーを形成する。この後、厚さ0.
1mmのセラミックグリーンシートを形成し、このグリー
ンシートを７×７mmの大きさにカットして多数の半導体
セラミック層２，６を形成する。
【００１８】次に、上記半導体セラミック層２の上面
に、Ｎｉ粉末にワニスを混合してなるペーストを印刷し
て内部電極３を形成する。この内部電極３はこれの一端
面３ａのみがセラミック層２の端縁まで延び、他の端面
は内側に位置するように形成する。
に、Ｎｉ粉末にワニスを混合してなるペーストを印刷し
て内部電極３を形成する。この内部電極３はこれの一端
面３ａのみがセラミック層２の端縁まで延び、他の端面
は内側に位置するように形成する。
【００１９】次いで、図２に示すように、上記セラミッ
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端縁に交互に
露出するよう１０枚積層するとともに、これの上面，下
面にダミー用セラミック層６を重ねる。これをプレスで
積層方向に加圧，圧着して積層体を形成する。
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端縁に交互に
露出するよう１０枚積層するとともに、これの上面，下
面にダミー用セラミック層６を重ねる。これをプレスで
積層方向に加圧，圧着して積層体を形成する。
【００２０】上記積層体の左, 右端面に同じくＮｉペー
ストを塗布して外部電極５を形成し、該各外部電極５と
上記各内部電極３の一端面３ａとを電気的に接続する。
次に、上記積層体を大気中にてバインダー等を燃焼させ
た後、Ｈ2 ／Ｎ2 ＝３％の還元性雰囲気中にて1350℃で
２時間加熱焼成して焼結体４を得る。これにより本実施
例の積層型半導体磁器１が製造される。
ストを塗布して外部電極５を形成し、該各外部電極５と
上記各内部電極３の一端面３ａとを電気的に接続する。
次に、上記積層体を大気中にてバインダー等を燃焼させ
た後、Ｈ2 ／Ｎ2 ＝３％の還元性雰囲気中にて1350℃で
２時間加熱焼成して焼結体４を得る。これにより本実施
例の積層型半導体磁器１が製造される。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１は、本実施例の積層型半導体磁器１の
効果を確認するために行った特性試験の結果を示す。こ
の試験は、表に示すように、希土類酸化物の添加量Ｘを
０〜0.05の範囲で変化させるとともに、上記Ｒｅをそれ
ぞれＳｍ，Ｙ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｄｙ，
Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｐｍ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｌａに変
えて行った。またＢａサイト／Ｔｉサイトのモル比ｍを
1.00〜1.3 の範囲で変化させて上述の方法により多数の
試料を製造した。そして、この各試料の室温での抵抗値
（Ω) を測定するとともに、25℃, 及び250 ℃における
抵抗変化率を測定した。
効果を確認するために行った特性試験の結果を示す。こ
の試験は、表に示すように、希土類酸化物の添加量Ｘを
０〜0.05の範囲で変化させるとともに、上記Ｒｅをそれ
ぞれＳｍ，Ｙ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｄｙ，
Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｐｍ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｌａに変
えて行った。またＢａサイト／Ｔｉサイトのモル比ｍを
1.00〜1.3 の範囲で変化させて上述の方法により多数の
試料を製造した。そして、この各試料の室温での抵抗値
（Ω) を測定するとともに、25℃, 及び250 ℃における
抵抗変化率を測定した。
【００２３】表１において、Ｂａ／Ｔｉ比を1.00とした
試料（第１欄）場合は、室温抵抗値は0.08Ω以下と低い
ものの、抵抗変化率では0.7 倍と小さく耐還元性の改善
が不充分である。またＢａ／Ｔｉ比を1.30とした試料
（第７欄）の場合は、焼結性の悪化により室温抵抗値が
5.7 Ωと大きくなっている。一方、Ｓｍ量を０，0.0000
5 とした試料（第８，第９欄）、及びＳｍ量を0.05とし
た試料（第１６欄）の場合は、何れも室温抵抗値が120
〜13Ωと急激に上昇している。
試料（第１欄）場合は、室温抵抗値は0.08Ω以下と低い
ものの、抵抗変化率では0.7 倍と小さく耐還元性の改善
が不充分である。またＢａ／Ｔｉ比を1.30とした試料
（第７欄）の場合は、焼結性の悪化により室温抵抗値が
5.7 Ωと大きくなっている。一方、Ｓｍ量を０，0.0000
5 とした試料（第８，第９欄）、及びＳｍ量を0.05とし
た試料（第１６欄）の場合は、何れも室温抵抗値が120
〜13Ωと急激に上昇している。
【００２４】これに対して、希土類添加量を0.0001〜0.
03の範囲とし、かつＢａ／Ｔｉ比を1.01〜1.20とした残
りの各試料の場合は、何れの試料も室温抵抗値は１Ω以
下となっており、抵抗温度係数は100 倍以上となってい
る。
03の範囲とし、かつＢａ／Ｔｉ比を1.01〜1.20とした残
りの各試料の場合は、何れの試料も室温抵抗値は１Ω以
下となっており、抵抗温度係数は100 倍以上となってい
る。
【００２５】このように本実施例によれば、Ｂａサイト
／Ｔｉサイト比を1.01〜1.20の範囲内とし、これに希土
類元素を0.01〜３mol ％添加したので、半導体磁器１の
耐還元性を大幅に向上させることができることから、Ｎ
ｉ電極を用いて還元焼成する場合の抵抗温度特性を悪化
させることはなく、ひいてはオーミック接触を向上で
き、室温での抵抗値を１Ω以下に小さくできるととも
に、抵抗温度係数を100 倍以上に向上できる。また本実
施例では、半導体磁器１の耐還元性を向上できることか
ら再酸化処理を不要にでき、それだけ製造コストを低減
できる。
／Ｔｉサイト比を1.01〜1.20の範囲内とし、これに希土
類元素を0.01〜３mol ％添加したので、半導体磁器１の
耐還元性を大幅に向上させることができることから、Ｎ
ｉ電極を用いて還元焼成する場合の抵抗温度特性を悪化
させることはなく、ひいてはオーミック接触を向上で
き、室温での抵抗値を１Ω以下に小さくできるととも
に、抵抗温度係数を100 倍以上に向上できる。また本実
施例では、半導体磁器１の耐還元性を向上できることか
ら再酸化処理を不要にでき、それだけ製造コストを低減
できる。
【００２６】なお、上記実施例では、積層体を還元性雰
囲気で焼成した場合のみを例にとって説明したが、本発
明は還元焼成後にＮｉ電極が酸化されない程度の温度で
再酸化処理を行ってもよい。例えば、大気中にて800 ℃
程度の熱処理を行うことによって、抵抗変化率をさらに
向上させることが可能である。
囲気で焼成した場合のみを例にとって説明したが、本発
明は還元焼成後にＮｉ電極が酸化されない程度の温度で
再酸化処理を行ってもよい。例えば、大気中にて800 ℃
程度の熱処理を行うことによって、抵抗変化率をさらに
向上させることが可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明に係る正の抵抗温度
特性を有する積層型半導体磁器によれば、Ｂａサイト／
Ｔｉサイトのモル比を1.01〜1.20の範囲とし、これに希
土類元素を0.01〜３mol ％の範囲で添加したので、半導
体磁器の耐還元性を改善できる効果がある。このため卑
金属を用いて還元焼成する場合の抵抗温度特性を悪化さ
せることなくオーミック接触を向上でき、室温での抵抗
値を小さくできるとともに、抵抗温度係数を向上できる
効果がある。
特性を有する積層型半導体磁器によれば、Ｂａサイト／
Ｔｉサイトのモル比を1.01〜1.20の範囲とし、これに希
土類元素を0.01〜３mol ％の範囲で添加したので、半導
体磁器の耐還元性を改善できる効果がある。このため卑
金属を用いて還元焼成する場合の抵抗温度特性を悪化さ
せることなくオーミック接触を向上でき、室温での抵抗
値を小さくできるとともに、抵抗温度係数を向上できる
効果がある。
【図１】本発明の一実施例による正の抵抗温度特性を有
する積層型半導体磁器を説明するための断面図である。
する積層型半導体磁器を説明するための断面図である。
【図２】上記実施例の積層型半導体磁器の製造方法を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
１ 積層型半導体磁器 ２ 半導体セラミック層 ３ 内部電極 ４ 焼結体（積層体）
Claims (3)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とする半導体
セラミック層と電極とを交互に積層し、該積層体を一体
焼成してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁
器において、上記半導体セラミック層のモル比Ｂａサイ
ト／Ｔｉサイトを1.01〜1.20の範囲とし、かつ希土類元
素を0.01〜３mol ％の範囲で添加したことを特徴とする
正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器。 - 【請求項２】 請求項１において、上記電極が、Ｎｉ，
Ｆｅ，Ｃｏのうち何れかを主成分とする金属材料により
構成されていることを特徴とする正の抵抗温度特性を有
する積層型半導体磁器。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、上記希土類元
素が、Ｙ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｔ
ｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｐｍ，Ｎｄのうち少なくとも１
種以上から選ばれていることを特徴とする正の抵抗温度
特性を有する積層型半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3832793A JPH06251903A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3832793A JPH06251903A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251903A true JPH06251903A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12522193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3832793A Pending JPH06251903A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251903A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034831A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
| WO2007034830A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
| JP2008210907A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tdk Corp | 積層型サーミスタおよびその製造方法 |
| JP2013014508A (ja) * | 2005-03-31 | 2013-01-24 | Hitachi Metals Ltd | 半導体磁器組成物の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP3832793A patent/JPH06251903A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013014508A (ja) * | 2005-03-31 | 2013-01-24 | Hitachi Metals Ltd | 半導体磁器組成物の製造方法 |
| WO2007034831A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
| WO2007034830A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
| EP1939898A4 (en) * | 2005-09-20 | 2015-04-08 | Murata Manufacturing Co | SUPERIOR THERMISTOR WITH POSITIVE COEFFICIENT |
| JP2008210907A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tdk Corp | 積層型サーミスタおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011113 |