JPH0625659A - ホスファミン誘導体、その製造方法およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来のアミン系材料以外の有機化合物を用い
ることにより、膜性に優れ、印加電圧の低い有機エレク
トロルミネッセンス素子を提供する。 【構成】 有機発光層を少なくとも含む単層構造又は多
層構造の化合物層と、この化合物層を挟持する一対の電
極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、前記化合物層の少なくとも一層が、ホスファミン誘
導体を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス
素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロルミネッセ
ンス素子に関し、さらに該素子に使用しうるホスファミ
ン誘導体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（以下，
ＥＬ素子という）の構成については種々のものが知られ
ている。そしてＩＴＯ／正孔輸送層／発光層／陰極の素
子構成における正孔輸送層の材料として芳香族第三級ア
ミンを用いることが開示されている（特開昭６３−２９
５６９５号公報を参照）。この素子構成により２０Ｖ以
上の印加電圧で数百ｃｄ／ｍ² の高輝度を可能としてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのアミ
ン系の正孔輸送層は酸化に弱く、また薄膜にした時に再
結晶化を起こすことが知られている。また、従来のアミ
ン系材料を用いたＥＬ素子のイオン化ポテンシャルは、
ジアリールアミンを用いたものでも５．５ｅＶ程度であ
り、そのためＥＬ発光に必要な印加電圧が高いという欠
点があった。

【０００４】ところでアミン系材料の製造方法としては
ウルマン反応が主に用いられているが、高い反応温度を
必要とし、重金属を触媒として用いるため、廃液の処理
が困難であるという問題点がある。

【０００５】従って本発明の第１の目的は従来のアミン
系材料以外の有機化合物をＥＬ素子に用いることによ
り、膜性に優れ、印加電圧の低いＥＬ素子を提供するこ
とにある。また本発明の第２の目的は上記特性を有する
ＥＬ素子に好適な新規有機化合物およびその製造方法を
提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
る本発明の有機ＥＬ素子は、有機発光層を少なくとも含
む単層構造又は多層構造の化合物層と、この化合物層を
挟持する一対の電極とを備え、かつ前記化合物層の少な
くとも一層が、ホスファミン誘導体を含むことを特徴と
するものである。

【０００７】本発明の有機ＥＬ素子において用いられる
ホスファミン誘導体は、アミノ基で置換されたリン原子
を少なくとも１個有する化合物であり、例えば一般式
（Ｉ）または一般式（ＩＩ）で表される化合物が挙げら
れる。

【０００８】

【化８】

【化９】 先ず一般式（Ｉ）で表されるホスファミン誘導体を説明
する。一般式（Ｉ）において、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴
は、炭素数１〜６のアルキル基（例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル，ｎ−ブチル、ｓ−ブ
チル、ｔ−ブチル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシ
ル、シクロヘキシル等）、アルケニル基（例えばエテニ
ル、１ープロペニル、２ープロペニル、１ーブテニル、
２ーブテニル、３ーブテニル、ペンテニル、ヘキセニル
等）アルキニル基（例えば、アセチレニル等）、炭素数
６〜２０のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、ビ
フェニル、アセナフチル、アントラニル、フェナンスリ
ル、ピレニル等）、置換アリール基（例えば、トリル、
エチルフェニル，ｎ−プロピルフェニル，ｉ−プロピル
フェニル、ｎーブチルフェニル、ｓ−ブチルフェニル、
ｔ−ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェ
ニル、キシレニル、メシチレニル、アニシル、フェノキ
シフェニル、アミノフェニル、ニトロフェニル、シアノ
フェニル、ホルミルフェニル、エトキシカルボニルフェ
ニル、フルオロフェニル、クロロフェニル、ブロモフェ
ニル、ヨードフェニル、スチリル等）、炭素数５〜１０
の複素芳香環（例えばピローリル、チオフェニル、フラ
ニル、ピリジニル、イミダゾリル、インドーリル、ベン
ゾチオフェニル、ベンゾフラニル等）、ベンジル基、ま
たはシンナミル基であり、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ はそ
れぞれ同一でも異なっていても良い。一般式（Ｉ）の化
合物の具体例を、図１〜図４に示す。

【０００９】次に一般式（ＩＩ）で表されるホスファミ
ン誘導体を説明する。

【００１０】一般式（ＩＩ）において、Ａｒ¹ は、炭素
数６〜２０のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、
ビフェニル、アセナフチル、アントラニル、フェナンス
リル、ピレニル等）、置換アリール基（例えば、トリ
ル、エチルフェニル，ｎ−プロピルフェニル，ｉ−プロ
ピルフェニル、ｎーブチルフェニル、ｓ−ブチルフェニ
ル、ｔ−ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシル
フェニル、キシレニル、メシチレニル、アニシル、フェ
ノキシフェニル、アミノフェニル、ニトロフェニル、シ
アノフェニル、ホルミルフェニル、エトキシカルボニル
フェニル、フルオロフェニル、クロロフェニル、ブロモ
フェニル、ヨードフェニル、スチリル等）、炭素数５〜
１０の複素芳香環（例えばピローリル、チオフェニル、
フラニル、ピリジニル、イミダゾリル、インドーリル、
ベンゾチオフェニル、ベンゾフラニル等）である。

【００１１】Ａｒ² は炭素数６〜２０のアリーレン基
（例えばフェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、アン
トラニレン、アセナフチレン、フェナンスリレン、ピレ
ニレン等）、置換アリーレン基（例えば、メチル、エチ
ル，ｎ−プロピル，ｉ−プロピル，ｎ−ブチル，ｓ−ブ
チル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、メトキシ、フ
ェノキシ、アミノ、ニトロ、シアノ、ホルミル、エステ
ル、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ベンジル、シ
ンナミル基等で置換されたフェニレンまたはビフェニレ
ン）、または炭素数５〜１０の複素芳香環（例えばピロ
ーリレン、チオフェニレン、フラニレン、ピリジニレン
等）である。

【００１２】Ａｒ³ は、炭素数６〜２０のアリール基
（例えばフェニル、ナフチル、ビフェニル、アセナフチ
ル、アントラニル、フェナンスリル、ピレニル等）、置
換アリール基（例えば、トリル、エチルフェニル，ｎ−
プロピルフェニル，ｉ−プロピルフェニル、ｎーブチル
フェニル、ｓ−ブチルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、
ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、キシレニル、メ
シチレニル、アニシル、フェノキシフェニル、アミノフ
ェニル、ニトロフェニル、シアノフェニル、ホルミルフ
ェニル、エトキシカルボニルフェニル、フルオロフェニ
ル、クロロフェニル、ブロモフェニル、ヨードフェニ
ル、スチリル等）、炭素数５〜１０の複素芳香環（例え
ばピローリル、チオフェニル、フラニル、ピリジニル、
イミダゾリル、インドーリル、ベンゾチオフェニル、ベ
ンゾフラニル等）、ベンジル基、またはシンナミル基で
ある。一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を図５〜図１６
に示す。

【００１３】上記一般式（ＩＩ）の化合物の中でも、そ
の下位概念である下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合
物が特に好ましい。

【００１４】

【化１０】 一般式（ＩＩＩ）において、Ａｒ⁴ は、一般式（ＩＩ）
におけるＡｒ¹ の下位概念に相当し、炭素数６〜２０の
アリール基（例えばフェニル、ナフチル、ビフェニル、
アセナフチル、アントラニル、フェナンスリル、ピレニ
ル等）に限定される。またＡｒ⁵ は、一般式（ＩＩ）に
おけるＡｒ² の下位概念に相当し、炭素数６〜２０のア
リーレン基（例えばフェニレン、ナフチレン、ビフェニ
レン、アセナフチレン、アントラニレン、フェナンスリ
レン、ピレニレン等）に限定される。一般式（ＩＩＩ）
の化合物の具体例を図１７〜図１８に示す。

【００１５】有機ＥＬ素子の構成の例としては、陽極
／有機発光層／陰極、陽極／正孔輸送層／有機発光層
／陰極、陽極／有機発光層／電子注入層／陰極、陽
極／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極、等が
あるが、本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極（陽極と
陰極）により挟持された化合物層（前記の構成の素子
においては有機発光層、前記の構成の素子においては
正孔輸送層および有機発光層、前記の構成の素子にお
いては有機発光層および電子注入層、前記の構成の素
子においては正孔輸送層、有機発光層および電子注入
層）の少なくとも１層が前述した本発明のホスファミン
誘導体を含んでいれば、〜のいずれの構成であって
も良い。なお、これらの構成の有機ＥＬ素子は、いずれ
も基板により支持されることが好ましい。この基板につ
いて特別な制限はなく、従来の有機ＥＬ素子に慣用され
ているもの、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英
等からなるものを用いることができる。

【００１６】本発明の有機ＥＬ素子の特徴部分であるホ
スファミン誘導体を含む層は、正孔輸送層または有機発
光層であることが好ましく、正孔輸送層であることが特
に好ましい。

【００１７】ホスファミン誘導体を含む正孔輸送層は、
ホスファミン誘導体のみからなる単層構造でも良いし、
ホスファミン誘導体の層と有機ＥＬ素子の正孔輸送層材
料として従来から使用されている物質の層との複層構造
であっても良い。さらには、ホスファミン誘導体と有機
ＥＬ素子の正孔輸送層材料として従来から使用されてい
る物質との混合物からなる層を含む単層構造または複層
構造であっても良い。ホスファミン誘導体を含む正孔輸
送層は、ホスファミン誘導体と、必要に応じて他の正孔
輸送層材料とを用いて、真空蒸着法、キャスト法、塗布
法、スピンコート法等により形成することができる。さ
らには、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリスチレ
ン、ポリアリレート、ポリエステル等の透明ポリマーに
ホスファミン誘導体を分散させた溶液を用いたキャスト
法、塗布法あるいはスピンコート法等や、透明ポリマー
との同時蒸着等によっても形成することができる。

【００１８】ホスファミン誘導体を含む有機発光層は、
ホスファミン誘導体のみからなる単層構造でも良いし、
ホスファミン誘導体の層と有機ＥＬ素子の有機発光層材
料として従来から使用されている物質の層との複層構造
であっても良い。さらには、ホスファミン誘導体と有機
ＥＬ素子の有機発光層材料として従来から使用されてい
る物質との混合物からなる層を含む単層構造または複層
構造であっても良い。ホスファミン誘導体を含む有機発
光層は、ホスファミン誘導体と、必要に応じて他の有機
発光層材料とを用いて、真空蒸着法、キャスト法、塗布
法、スピンコート法等により形成することができる。

【００１９】本発明の有機ＥＬ素子においてホスファミ
ン誘導体を含む層以外の層は、従来の有機ＥＬ素子と同
様の材料を用いて形成することができる。例えば、陽極
の材料としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上の）金
属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物が好
ましく用いられる。具体例としては、Ａｕ等の金属、Ｃ
ｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ₂ ，ＺｎＯ等の誘電性透明材料を
挙げることができる。陽極は、蒸着法やスパッタ法等の
方法で上記材料の薄膜を形成することにより作製するこ
とができる。有機発光層からの発光を陽極より取り出す
場合、陽極の透過率は１０％より大きいことが望まし
い。また陽極のシート抵抗は数百オーム／□以下が好ま
しい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１
μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択され
る。

【００２０】また、陰極の材料としては、仕事関数の小
さい（４ｅＶ以下の）金属、合金、電気伝導性化合物ま
たはこれらの混合物が好ましく用いられる。具体例とし
ては、ナトリウム、リチウム、マグネシウム／銅混合
物、Ａｌ／Ａｌ₂ Ｏ₃ ，インジウム等を挙げることがで
きる。陰極は、蒸着法やスパッタ法等の方法で上記材料
の薄膜を形成することにより作製することができる。有
機発光層からの発光を陰極より取り出す場合、陽極の透
過率は１０％より大きいことが望ましい。また陰極のシ
ート抵抗は数百オーム／□以下が好ましい。陰極の膜厚
は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは
５０〜２００ｎｍの範囲で選択される。

【００２１】なお、有機発光層からの発光を効率良く取
り出すうえからは、前述した陽極と上述した陰極との少
なくとも一方を透明または半透明物質により形成するこ
とが好ましい。

【００２２】また、本発明の有機ＥＬ素子における有機
発光層をホスファミン誘導体と他の物質とにより形成す
る場合、ホスファミン誘導体以外の他の有機発光層材料
としては、例えば、多環縮合芳香族化合物や、ベンゾオ
キサゾール系、ベンソチアゾール系、ベンゾイミダゾー
ル系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキサノイド化合
物、ジスチリルベンゼン系化合物等の、薄膜形成性の良
い化合物を用いることができる。

【００２３】ここで、上記多環縮合芳香族の具体例とし
ては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピ
レン、クリセン、ペリレン骨格等を含む縮合環発光物質
や、８〜２０個、好ましくは８個の縮合環を含む他の縮
合環発光物質等を挙げることができる。

【００２４】また、上記ベンゾオキサゾール系、ベンソ
チアゾール系、ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤と
しては、例えば、特開昭５９−１９４３９３号公報に開
示されているものを挙げることができる。その代表例と
しては、２，５−ビス（５，７−ジーｔ−ペンチル−２
−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾー
ル、４，４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベン
ゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス（５，７
−ジー（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサ
ゾリル）スチルベン、２，５−ビス（５、７−ジーｔ−
ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，
５−ビス（５−（α、α−ジメチルベンジル）−２−ベ
ンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス（５，７
−ジー（２−メチル−２−ブチル）ー２ーベンゾオキサ
ゾリル）−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビ
ス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェ
ン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェ
ニル、５−メチル−２−（２−（４−（５−メチル−２
−ベンゾオキサゾリル）フェニル）ビニル）ベンゾオキ
サゾール、２−（２−（４−クロロフェニル）ビニル）
ナフト（１，２−ｄ）オキサゾール等のベンゾオキサゾ
ール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）ービ
スベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２，２’
−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾー
ル等のベンゾチアゾール系、２−（２−（４−カルボキ
シフェニル）ビニル）ベンゾイミダゾール等のベンゾイ
ミダゾール系等の蛍光増白剤を挙げることができる。

【００２５】前記金属キレート化オキサノイド化合物と
しては、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報に開
示されているものを用いることができる。その代表例と
しては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビ
ス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ
（ｆ）−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス
（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル
−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノール
リチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガ
リウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシ
ウム、ポリ（亜鉛（ＩＩ）−ビス（８−ヒドロキシ−５
−キノリノニル）メタン）等の８−ヒドロキシキノリン
系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等をあげるこ
とができる。

【００２６】また、前記ジスチリルベンゼン系化合物と
しては、例えば、欧州特許第０３７３５８２号の明細書
に開示されているものを用いることができる。その代表
例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベン
ゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、
１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチ
リル）ベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）
ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチル
ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−
エチルベンゼン等を挙げることができる。

【００２７】また、特開平２−２５２７９３号公報に開
示されているジスチリルピラジン誘導体も有機発光層の
材料として用いることができる。その代表例としては、
２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５
−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス
［２−（１−ナフチル）ビニル］ピラジン、２，５−ビ
ス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス
［２−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジン、２，５−
ビス［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジン等を挙げ
ることができる。

【００２８】その他、欧州特許第０３８８７６８号明細
書や特開平３−２３１９７０号公報に開示されているジ
メチリデン誘導体を有機発光層の材料として用いること
もできる。その代表例としては、１，４−フェニレンジ
メチリディン、４，４’−ビフェニレンジメチリディ
ン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフ
チレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリ
ディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、
９，１０−アントラセンジイルジメチリディン、４，
４’−（２、２−ジーｔ−ブチルフェニルビニル）ビフ
ェニル、４，４’−（２，２−ジフェニルビニル）ビフ
ェニル等、およびこれらの誘導体を挙げることができ
る。

【００２９】さらには、特開平２−１９１６９４号公報
に開示されているクマリン誘導体、特開平２−１９６８
８５号公報に開示されているペリレン誘導体、特開平２
−２５５７８９号公報に開示されているナフタレン誘導
体、特開平２−２８９６７６号公報および特開平２−８
８６８９号公報に開示されているフタロペリノン誘導
体、特開平２−２５０２９２号公報に開示されているス
チリルアミン誘導体も、有機発光層の材料として用いる
ことができる。上述した有機発光層材料は、目的とする
発光色、性能等に応じて適宜選択可能である。

【００３０】なお、本発明の有機ＥＬ素子における有機
発光層は、米国特許第４７６９２９２号明細書に開示さ
れているように、蛍光物質を加えて形成しても良い。こ
の時のベースとなる物質は、ホスファミン誘導体であっ
ても良いし、ホスファミン誘導体以外の有機発光層材料
であっても良い。さらには、ホスファミン誘導体と有機
発光層材料との混合物であっても良い。蛍光物質を加え
て有機発光層を形成する場合、蛍光物質の添加量は数モ
ル％以下が好ましい。蛍光物質は電子と正孔との再結合
に応答して発光するため、発光機能の一部を担うことに
なる。

【００３１】また、有機発光層材料としては、薄膜性を
有していない化合物を用いることもできる。具体例とし
ては、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，
１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、テ
トラフェニルシクロペンタジエン等を挙げることができ
る。しかし、薄膜性を有しないこれらの材料を用いた有
機ＥＬ素子は、素子の寿命が短いという欠点を有する場
合がある。

【００３２】本発明の有機ＥＬ素子において必要に応じ
て設けられる正孔輸送層は、有機発光層がホスファミン
誘導体を含んでいれば、ホスファミン誘導体を含む層で
あっても良いし、ホスファミン誘導体を含まない層であ
っても良い。ホスファミン誘導体以外の正孔輸送層材料
としては、有機ＥＬ素子の正孔輸送層材料として従来か
ら使用されている種々の物質を用いることができる。

【００３３】また、本発明の有機ＥＬ素子において必要
に応じて設けられる正孔輸送層として、ホスファミン誘
導体を含む層を設ける場合、この正孔輸送層は、前述し
たように、ホスファミン誘導体のみからなる単層構造、
ホスファミン誘導体の層と有機ＥＬ素子の正孔輸送層材
料として従来から使用されている物質の層との複層構
造、あるいはホスファミン誘導体と有機ＥＬ素子の正孔
輸送層材料として従来から使用されている物質との混合
物からなる層を含む単層構造または複層構造のいずれで
あっても良い。この場合の好ましい層構造は、ホスファ
ミン誘導体のみからなる単層構造、またはホスファミン
誘導体層と、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５
６９５号公報等に開示されているもの）の層または有機
半導体性オリゴマーの層との複層構造である。

【００３４】上記ポルフィリン化合物の代表例として
は、ポルフィリン、５，１０，１５，２０−テトラフェ
ニル−２１Ｈ−，２３Ｈ−ポルフィリン銅（ＩＩ）、
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ−，２
３Ｈ−ポルフィリン亜鉛（ＩＩ）、５，１０，１５，２
０−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ
−，２３Ｈ−ポルフィリン、シリコンフタロシアニンオ
キシド、アルミニウムフタロシアニンクロリド、フタロ
シアニン（無金属）、ジリチウムフタロシアニン、銅テ
トラメチルフタロシアニン、銅フタロシアニン、クロム
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、鉛フタロシアニ
ン、チタニウムフタロシアニンオキシド、マグネシウム
フタロシアニン、銅オクタメチルフタロシアニン等を挙
げることができる。 また、上記有機半導体性オリゴマ
ーとしては、特に下式

【化１１】 （式中、ｋ＝１，２または３、ｍ＝１，２または３，ｎ
＝１，２または３であり、かつｋ＋ｍ＋ｎ≧５であり、
Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ およびＲ⁷ はそれぞれ独立に炭素数１〜１０
のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシ
クロヘキシル基である。）で表わされる有機半導体性オ
リゴマーが好適である。

【００３５】本発明の有機ＥＬ素子において必要に応じ
て設けられる電子注入層は、陰極から注入された電子を
有機発光層に伝達する機能を有していれば良く、その材
料としては従来公知の電子伝達化合物の中から任意のも
のを選択して用いることができる。

【００３６】電子伝達化合物の好ましい具体例として
は、下式（１）〜（５）

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】 で表わされる化合物を挙げることができる。

【００３７】なお、電子注入層は電子の注入性、輸送
性、障害性のいずれかを有する層であり、上記式（１）
〜（５）の化合物の他に、Ｓｉ系，ＳｉＣ系、ＣｄＳ系
等の結晶性ないし非結晶性材料を用いることもできる。

【００３８】本発明の有機ＥＬ素子は、上述した陽極、
陰極、有機発光層、必要に応じて設けられる正孔輸送
層、および必要に応じて設けられる正孔輸送層、および
必要に応じて設けられる電子注入層以外に、層間の付着
性を改善するための層を有していても良い。このような
層（例えば有機発光層と陰極との付着性を改善するため
の層）の材料の具体例としては、トリス（８−キノリノ
ール）アルミニウム、トリス（８−キノリノール）イン
ジウム等のキノリノール金属錯体系を挙げることができ
る。

【００３９】以上説明した本発明の有機ＥＬ素子は、そ
の構成に応じて、例えば以下のようにして製造すること
ができる。

【００４０】（ａ）陽極／有機発光層（ホスファミン誘
導体を含む）／陰極の構成の有機ＥＬ素子の製造例
（１） まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極物質
からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００
ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリング
等の方法により形成して、陽極を作製する。次に、この
陽極上にホスファミン誘導体の薄膜を形成することによ
り、有機発光層を設ける。ホスファミン誘導体の薄膜化
は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法等の方法
により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、
かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法
が好ましい。

【００４１】ホスファミン誘導体を薄膜化するにあたっ
て、真空蒸着法を適用する場合、その蒸着条件は、使用
するホスファミン誘導体の種類、目的とする有機発光層
の結晶構造や会合構造等により異なるが、一般にボート
加熱温度５０〜４００℃、真空度１０^-5〜１０^-3Ｐａ、
蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度−５０
〜＋３００℃，膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択す
ることが好ましい。

【００４２】有機発光層の形成後、この有機発光層上に
陰極物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０
〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッ
タリング等の方法により形成して、陰極を作製する。こ
れにより目的とする有機ＥＬ素子を得ることができる。
なお、この有機ＥＬ素子の製造においては、製造順を逆
にして、基板上に陰極／有機発光層／陽極の順に作製す
ることも可能である。

【００４３】（ｂ）陽極／有機発光層（ホスファミン誘
導体を含む）／陰極の構成の有機ＥＬ素子の製造例
（２） まず適当な基板上に、前記（ａ）の場合と同様にして、
陽極を作製する。次に、この陽極上に、正孔輸送層材
料、有機発光層材料、電子注入層材料、結着剤（ポリビ
ニルカルバゾール等）を含む溶液を塗布することによ
り、有機発光層を設ける。

【００４４】その後、陰極物質からなる薄膜を前記
（ａ）の場合と同様にして有機発光層上に形成して、陰
極を作製する。これにより目的とする有機ＥＬ素子が得
られる。なお有機発光層は、上述のようにして形成した
層の上に、所望の有機発光層材料の薄膜を真空蒸着法等
により形成して、複層構造としても良い。あるいは、正
孔輸送層材料や電子注入層材料とともに有機発光層材料
を同時蒸着させることにより、有機発光層を形成しても
良い。

【００４５】（ｃ）陽極／正孔輸送層（ホスファミン誘
導体を含む）／有機発光層／陰極の構成の有機ＥＬ素子
の製造 まず適当な基板上に、前記（ａ）の場合と同様にして、
陽極を作製する。次に、この陽極上にホスファミン誘導
体の薄膜を形成することにより、正孔輸送層を設ける。
この正孔輸送層の形成は、前記（ａ）における有機発光
層（ホスファミン誘導体を含む）の形成と同様にして行
うことができる。

【００４６】次に、正孔輸送層上に、所望の有機発光層
材料を用いて有機発光層を設ける。有機発光層は、真空
蒸着法、スピンコート法、キャスト法等の方法により有
機発光層材料を薄膜化することにより形成することがで
きるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくい等の点から、真空蒸着法が好ましい。その
後、陰極物質からなる薄膜を前記（ａ）の場合と同様に
して有機発光層上に形成して、陰極を作製する。これに
より目的とする有機ＥＬ素子が得られる。なお、この有
機ＥＬ素子の製造においても、製造順を逆にして、基板
上に陰極／有機発光層／正孔輸送層／陽極の順に作製す
ることも可能である。

【００４７】（ｄ）陽極／正孔輸送層（ホスファミン誘
導体を含む）／有機発光層／電子注入層／陰極の構成の
有機ＥＬ素子の製造例 まず、適当な基板上に、前記（ｃ）の場合と同様にし
て、陽極、正孔輸送層（ホスファミン誘導体を含む）お
よび有機発光層を形成する。

【００４８】有機発光層の形成後、この有機発光層上に
陰極物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは５〜
１００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタ
リング等の方法により形成して、電子注入層を形成す
る。この後、陰極物質からなる薄膜を前記（ｃ）の場合
と同様にして電子注入層上に形成して、陰極を作製す
る。これにより目的とする有機ＥＬ素子を得ることがで
きる。なお、この有機ＥＬ素子の製造においては、製造
順を逆にして、基板上に陰極／電子注入層／有機発光層
／正孔輸送層／陽極の順に作製することも可能である。

【００４９】上述のようにして製造することができる本
発明の有機ＥＬ素子は、陽極を＋、陰極を−の極性にし
て５〜４０Ｖの直流電圧を印加することにより、発光を
生じる。逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発
光は全く生じない。また、交流電圧を印加した場合に
は、陽極が＋、陰極が−の極性になった時にのみ発光を
生じる。なお、交流電圧を印加する場合、交流の波形は
任意で良い。

【００５０】これまで詳述してきたように本発明の有機
ＥＬ素子は、有機発光層を少なくとも含む単層構造また
は複層構造の化合物層の少なくとも一層がホスファミン
誘導体を含む。そして、このホスファミン誘導体のイオ
ン化ポテンシャルは例えば５．３〜５．５ｅＶと低いた
め、本発明の有機ＥＬ素子は低電圧で駆動させることが
できる。

【００５１】さらに、ホスファミン誘導体の薄膜は、経
時的な再結晶化速度が従来のアミン系材料［（例えばＴ
ＰＤと略称されるＮ，Ｎ′−ビス−（ｍ−トリル）−
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−４，４′−ジアミノ−１，１′
−ビフェニル）］の薄膜よりも遅い。このため、本発明
によれば、アミン系材料を用いた場合よりも素子寿命の
長い有機ＥＬ素子を得ることが容易になる。

【００５２】また、本発明のホスファミン誘導体は、公
知の真空蒸着法により容易に薄膜化することができると
いう利点がある。さらに、ポリカーボネート、ポリウレ
タン、ポリスチレン、ポリアリレート、ポリエステル等
のポリマーに本発明のホスファミン誘導体を分散させた
溶液を用いたキャスト法、塗布法、スピンコート法等に
よっても、容易に薄膜化することができる。これらの薄
膜は正孔を輸送するという電子機能を保有している。

【００５３】このような特徴を有する本発明のホスファ
ミン誘導体は、有機ＥＬ素子の正孔輸送層、正孔輸送性
結着剤、あるいは発光層に応用することができる他、電
子写真感光体の正孔輸送層等にも応用することができ
る。有機ＥＬ素子に応用した場合には、上述のようにイ
オン化ポテンシャルが例えば５．３〜５．５ｅＶと低い
ことから、印加電圧の低減をもたらす。また、電子写真
感光体に応用した場合には電荷生成層からの良好な正孔
注入をもたらす。その他、有機非線形材料、蛍光材料、
セラミックス焼成用結着剤等として用いることもでき
る。

【００５４】一般式（ＩＩＩ）で表されるのホスファミ
ン誘導体は、一般式（ＩＶ）

【化１７】 （式中、Ａｒ¹ は炭素数６〜２０のアリール基、置換ア
リール基、または炭素数５〜１０の複素芳香環であり、
Ａｒ² は、炭素数６〜２０のアリーレン基、置換アリー
レン基、または炭素数５〜１０の複素芳香環である）で
表わされるジアリールアミンと、一般式（Ｖ）

【化１８】 （式中、Ａｒ³ は炭素数６〜２０のアリール基、置換ア
リール基、炭素数５〜１０の複素芳香環、ベンジル基、
またはシンナミル基であり、Ｘは、ハロゲン原子であ
る）で表わされるハロゲン化ホスフィンとを反応させる
ことにより効率良く得ることができる。なお、一般式
（ＩＶ）、（Ｖ）におけるＡｒ¹ ，Ａｒ² ，Ａｒ³ の具
体例については、既に説明済みであるので、その説明を
省略する。またＸはハロゲンで、フッ素、塩素、臭素、
またはヨウ素である。

【００５５】上述した一般式（ＩＶ）で表わされるジア
リールアミンの具体例を、図１９〜図２０に示す。また
上述した一般式（Ｖ）で表わされるハロゲン化ホスフィ
ンの具体例を図２１に示す。

【００５６】一般式（ＩＶ）で表されるジアリールアミ
ンと、一般式（Ｖ）で表されるハロゲン化ホスフィンと
の反応は、例えば以下のようにして行うことができる。

【００５７】まず、アルゴンガス等の不活性ガスで置換
した反応容器に一般式（ＩＶ）で表わされるジアリール
アミンを入れ、溶媒を加えて溶解させる。この時の溶媒
としては、ジエチルエーテル、ＴＨＦ（テトラヒドロフ
ラン）、ジオキサン、トルエン、ジメトキシエタン等を
用いることができる。好ましい溶媒としてはＴＨＦ，特
にアルゴン気流下でナトリウム線から蒸留したＴＨＦを
挙げることができる。次いで、この溶液に２〜４等量の
塩基を加える。塩基としては、ナトリウムアルコキシ
ド、水素化ナトリウム、カリウムｔ−ブトキシド、ｎ−
ブチルリチウム、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ
［５，４，０］ウンデカー７ーエン）等の強塩基が好ま
しい。特に好ましい塩基としては、ｎ−ブチルリチウム
を挙げることができる。塩基の好ましい添加量は、２．
５当量程度である。

【００５８】次に、一般式（Ｖ）で表わされるハロゲン
化ホスフィンの２〜４当量を溶媒に溶解させて、反応溶
液に滴下する。この時の溶媒としては、ジエチルエーテ
ル、ＴＨＦ，ジオキサン、トルエン、ジメトキシエタン
等を用いることができるが、ジアリールアミンを溶解さ
せる際に用いた溶媒と同じものを用いることが好まし
い。滴下するハロゲン化ホスフィンの量は、２．５当量
程度が好ましい。また、反応温度は−７８℃〜＋１２０
℃の範囲内で適宜選択可能であるが、室温でも十分良好
な結果を得ることができる。

【００５９】上述のようにして、一般式（ＩＶ）で表わ
されるジアリールアミンと一般式（Ｖ）で表わされるハ
ロゲン化ホスフィンとを反応させることにより、一般式
（ＩＩＩ）で表される本発明のホスファミン誘導体を製
造することができる。

【００６０】このようにして製造した本発明のホスファ
ミン誘導体の精製は、例えば以下のようにして、容易に
実施することができる。まず、反応溶液に水を加えて反
応を終了させ、次いで、溶媒で抽出する。この時の抽出
溶媒としては、トルエン、塩化メチレン、酢酸エチル等
を用いることができ、特に塩化メチレンが好ましい。抽
出後、抽出物を乾燥し、さらに溶媒を留去する。この
後、カラムクロマトグラフィーに付することにより、目
的とする精製物を得ることができる。カラムクロマトグ
ラフィーの担体としてはシリカゲル、アルミナ等を用い
ることができる。

【００６１】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１（ホスファミン誘導体の合成例） アルゴン置換した三つ口フラスコに、２．００ｇ（５．
９５ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ’ージフェニルーベンジジン
（東京化成社製）を入れ、ここにアルゴン気流下でナト
リウム線から蒸留した２００ｍｌのＴＨＦを加えて溶解
し、さらにこの溶液にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶
液１０ｍｌ（約１６ｍｍｏｌ）を加えた。これに、３ｍ
ｌ（１６ｍｍｏｌ）のジフェニルクロロホスフィン（東
京化成社製）を５０ｍｌのＴＨＦに溶解した溶液を、滴
下ロートを用いてゆっくり滴下した。これを室温で反応
させ、１８時間後に１００ｍｌの水を加えて反応を終了
させた。

【００６２】反応終了後、２００ｍｌの塩化メチレンに
よる抽出を２回行い、抽出物を無水硫酸ナトリウムによ
り乾燥させた後、エバポレーターで溶媒を留去し、白色
粉末を得た。この粉末を、担体として、ワコーゲルＣ−
２００（商品名、広島和光純薬社製のシリカゲル系担
体）を用い、展開液としてトルエンを用いたカラムクロ
マトグラフィーにより精製し、エバポレーターで溶媒を
留去し、２．６８ｇの白色粉末を得た（収率６４％）。

【００６３】このようにして得られた白色粉末の融点は
２２０℃であり、ＮＭＲ測定（Ｈ：４００ＭＨｚ，ＣＤ
₂ Ｃｌ₂ ）の結果は、δ７．４６−７．４０ｐｐｍ
（ｍ，８Ｈ），７．３４−７．２６ｐｐｍ（ｄｄ，ｄ
ｄ，１６Ｈ），７．１７−７．１０ｐｐｍ（ｔ，４
Ｈ），７．０４−６．９４ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ＋ｄｄ，８
Ｈ）であった。

【００６４】また、ＦＤ−ＭＳ（フィールドデソープシ
ョンマススペクトロスコピー）を測定した結果、Ｃ₄₈Ｈ
₃₈Ｎ₂ Ｐ₂ ＝７０４に対して、７０４のマススペクトル
の親ピークを得た。さらに、ＩＲ（赤外線吸収スペクト
ル）を測定したところ、１６００，１５００，１２８
０，９４０，７５０，７００ｃｍ-1に吸収が観測され
た。これらの測定結果から、得られた白色粉末は、図１
７の（１）に示すホスファミン誘導体（以下Ｐｈｏ−１
という）であることが確認された。

【００６５】実施例２（ホスファミン誘導体の合成例） ２．００ｇ（６．９２ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ’−ジフェニ
ル−１，４−ベンゼンジアミン（関東化学社製）と、ｎ
−ブチルリチウムのヘキサン溶液１０ｍｌ（ｎ−ＢｕＬ
ｉ約１６ｍｍｏｌ）と、３ｍｌ（１６ｍｍｏｌ）のジフ
ェニルクロロホスフィンとを、実施例１と同様にして反
応させ、実施例１と同様に精製し、０．４６ｇの白色粉
末を得た（収率１１％）。

【００６６】このようにして得られた白色粉末の融点は
１７０℃であり、ＦＤ−ＭＳを測定した結果、Ｃ₄₂Ｈ₃₄
Ｎ₂ Ｐ₂ ＝６２８に対して、６２８のマススペクトルの
親ピークを得た。さらに、ＩＲを測定したところ、１６
２０，１５２０，１２８０，９７０，７６０，７１０ｃ
ｍ-1に吸収が観測された。これらの測定結果から、得ら
れた白色粉末は、図１７の（２）に示すホスファミン誘
導体（以下Ｐｈｏ−２という）であることが確認され
た。

【００６７】実施例３（ホスファミン誘導体の合成例） ２．０２ｇ（５．５６ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ’−ジナフチ
ル−１，４−ベンゼンジアミン（関東化学社製）と、ｎ
−ブチルリチウムのヘキサン溶液１０ｍｌ（ｎ−ＢｕＬ
ｉ約１６ｍｍｏｌ）と、２．５ｍｌ（１４ｍｍｏｌ）の
ジフェニルクロロホスフィンとを、実施例１と同様にし
て反応させ、実施例１と同様に精製し、０．６３ｇの白
色粉末を得た（収率１６％）。

【００６８】このようにして得られた白色粉末の融点は
１８７℃であり、ＦＤ−ＭＳを測定した結果、Ｃ₅₀Ｈ₃₈
Ｎ₂ Ｐ₂ ＝７２８に対して、７２８のマススペクトルの
親ピークを得た。さらに、ＩＲを測定したところ、１６
４０，１６１０、１５１０，１２５０，１１８０，９８
０，９６０，７５０，７１０ｃｍ-1に吸収が観測され
た。これらの測定結果から、得られた白色粉末は、図１
７の（３）に示すホスファミン誘導体（以下Ｐｈｏ−３
という）であることが確認された。

【００６９】（イオン化ポテンシャルの測定）実施例
１、２および３で得られたホスファミン誘導体（Ｐｈｏ
−１，Ｐｈｏ−２及びＰｈｏ−３）のイオン化ポテンシ
ャルを、理研計器社製の表面分析装置ＡＣ−１（商品
名）により測定した。また、比較として、代表的な公知
アミン系材料のひとつであるＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビスー
（ｍ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４、４’−ジ
アミノ−１、１’−ビフェニル）のイオン化ポテンシャ
ルを同様にして測定した。

【００７０】これらの結果を表１に示す。

【表１】 表１から明らかなように、実施例１〜３で得られたホス
ファミン誘導体Ｐｈｏ−１〜３のイオン化ポテンシャル
は、５．３〜５．５ｅＶであり、この値は、ＴＰＤのイ
オン化ポテンシャルと同等、もしくはそれ以下である。
このことから、実施例１〜３で得られたホスファミン誘
導体Ｐｈｏ−１〜３は、正孔が注入されやすいという特
徴を有していることがわかる。

【００７１】比較例１（従来の正孔輸送層の材料である
トリフェニルアミン系化合物の合成例） ２２．５ｇ（０．０８ｍｏｌ）のＮ，Ｎ’−ジーｔ−ブ
チルジフェニルアミン、３２．６ｇ（０．１６ｍｏｌ）
のヨードベンゼン、１６．６ｇ（０．１２ｍｏｌ）の無
水炭酸カリウム、および０．５ｇ（８ｍｍｏｌ）の銅粉
を混合し、ＤＭＳＯを溶媒にして２００〜２３０℃で５
時間反応させた。反応終了後、２００ｍｌのトルエンを
加えたところ、生成物は溶解したが、無機塩が固形物と
して残ったため、実施例１〜３の場合と異なり、精製が
困難であった。また銅塩の廃液の処理を必要とした。

【００７２】実施例４（有機ＥＬ素子の製造例） ＮＡ４０材であるガラス基板（ＨＯＹＡ（株）製、２５
ｍｍ×７５ｍｍ×１ｍｍ）上に、ＩＴＯ膜（陽極に相
当）を１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板
とした。この透明支持基板をイソプロピルアルコール中
で５分間超音波洗浄した後、乾燥窒素によりブロー、乾
燥し、さらにＵＶオゾン洗浄装置（商品名：ＵＶ３０
０、サムコインターナショナル社製）により１０分間洗
浄した。

【００７３】洗浄後の透明支持基板を真空蒸着装置（日
本真空技術（株）製）の基板ホルダーに取付け、真空槽
内を１×１０^-4Ｐａまで排気した。なお、排気に先立っ
て、実施例１で得られたホスファミン誘導体（Ｐｈｏ−
１）２００ｍｇを入れたモリブデン製抵抗加熱ボート
と、ジメチリデン系発光材料である４、４’−ビス−
（２、２−ジフェニルビニル）−１、１’−ビフェニル
（以下、ＤＰＶＢｉという）を入れたモリブデン製抵抗
加熱ボートと、電子輸送性の付着改善物質であるトリス
（８−キノリノール）アルミニウム（以下，Ａｌｑとい
う）２００ｍｇを入れたモリブデン製抵抗加熱ボートと
を、それぞれ通電用端子台につけた。

【００７４】排気後、Ｐｈｏ−１を入れたボートを２６
０℃にまで加熱し、蒸着レート０．４〜０．６ｎｍ／ｓ
ｅｃでＩＴＯ膜上にＰｈｏ−１を蒸着させて、膜厚４０
ｎｍのＰｈｏ−１層（正孔輸送層に相当）を設けた。

【００７５】次いで、ＤＰＶＢｉを入れたボートを加熱
し、蒸着レート０．４〜０．６ｎｍ／ｓｅｃでＰｈｏ−
１層上にＤＰＶＢｉを蒸着させて、膜厚４０ｎｍのＤＰ
ＶＢｉ層（有機発光層に相当）を設けた。

【００７６】次に、Ａｌｑを入れたボートを加熱し、蒸
着レート０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃでＤＰＶＢｉ層上
にＡｌｑを蒸着させて、膜厚２０ｎｍのＡｌｑ層（付着
改善層に相当）を設けた。

【００７７】この後、真空槽を開け、新たに、マグネシ
ウム入りのモリブデン製ボートと銀入りのタングステン
製フィラメントボートとを通電用端子台につけた。ま
た、先に作製したガラス基板／ＩＴＯ膜／Ｐｈｏ−１層
／ＤＰＶＢｉ層／Ａｌｑ層の上に蒸着用マスクを取り付
けた。

【００７８】そして、再び真空槽を１×１０^-4Ｐａにま
で排気した後、先ず銀入りのフィラメントボートに通電
して蒸着レート０．０９〜０．１ｎｍ／ｓｅｃで銀を蒸
着させると同時に、マグネシウム入りのボートに通電し
て蒸着レート１．４〜１．７ｎｍ／ｓｅｃでマグネシウ
ムを蒸着させた。この二元同時蒸着により、Ａｌｑ層上
に膜厚１５０ｎｍのマグネシウムー銀層（陰極に相当）
が形成された。以上のようにしてガラス基板上に陰極ま
で設けたことにより、有機ＥＬ素子が得られた。

【００７９】このようにして得られた有機ＥＬ素子のマ
グネシウムー銀層を陰極とし、ＩＴＯ膜を陽極として１
３Ｖの電圧を印加したところ、１５７ｃｄ／ｍ² の緑味
青色発光が観測された。このときの電流密度、輝度、発
光効率、および発光色を表２に示す。

【００８０】実施例５（有機ＥＬ素子の製造例） 正孔輸送層の材料として銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ
Ｐｃという）とＰｈｏ−１とを用いた以外は実施例４と
同様にして、有機ＥＬ素子を得た。なお、正孔輸送層
は、ＣｕＰｃを入れたモリブデン製ボートを加熱し、蒸
着レート０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃでＩＴＯ膜上にＣ
ｕＰｃを蒸着させて膜厚２０ｎｍのＣｕＰｃ層を設けた
後、Ｐｈｏ−１をいれたモリブデン製ボートを２７０℃
にまで加熱し、蒸着レート０．４〜０．６ｎｍ／ｓｅｃ
でＣｕＰｃ層上にＰｈｏ−１を蒸着させて膜厚４０ｎｍ
のＰｈｏ−１層を設けて、２層構造とすることにより形
成した。

【００８１】このようにして得られた有機ＥＬ素子に実
施例４と同様にして１２Ｖの電圧を印加したところ、２
００ｃｄ／ｍ² の緑味青色発光が観察された。このとき
の電流密度、輝度、発光効率、および発光色を表２に示
す。

【００８２】実施例６（有機ＥＬ素子の製造例） Ｐｈｏ−１に代えて、実施例３で得られたホスファミン
誘導体（Ｐｈｏ−３）を用いた他は、実施例４と同様に
して、有機ＥＬ素子を得た。このようにして得られた有
機ＥＬ素子に実施例４と同様にして１５Ｖの電圧を印加
したところ、１００ｃｄ／ｍ² の緑色発光が観測され
た。このときの電流密度、輝度、発光効率、および発光
色を表２に示す。

【００８３】実施例７（有機ＥＬ素子の製造例） 正孔輸送層の材料として有機半導体性オリゴマーの１つ
であるαーセキシチオフェン（以下、Ｔ6 という）と、
Ｐｈｏ−１とを用いた以外は実施例４と同様にして、有
機ＥＬ素子を得た。

【００８４】なお、正孔輸送層は、Ｔ6 を入れたモリブ
デン製ボートを加熱し、蒸着レート０．１〜０．３ｎｍ
／ｓｅｃでＩＴＯ膜上にＴ6 を蒸着させて膜厚２０ｎｍ
のＴ6 層を設けた後、Ｐｈｏ−１を入れたモリブデン製
ボートを２７０℃にまで加熱し、蒸着レート０．４〜
０．６ｎｍ／ｓｅｃでＴ6 層上にＰｈｏ−１を蒸着させ
て膜厚４０ｎｍのＰｈｏ−１層を設けて、２層構造とす
ることにより形成した。このようにして得られた有機Ｅ
Ｌ素子に実施例４と同様にして１０Ｖの電圧を印加した
ところ、２２０ｃｄ／ｍ² の緑味青色発光が観測され
た。このときの電流密度、輝度、発光効率、および発光
色を表２に示す。

【００８５】実施例８（有機ＥＬ素子の製造例） Ｔ6 に代えて、有機半導体性オリゴマーの１つである
４，４’−ビス−ジチオフェニル−１、１’−ビフェニ
ル（以下、ＢＴＢＩＢＴという）を用いた以外は実施例
７と同様にして、有機ＥＬ素子を得た。

【００８６】このようにして得られた有機ＥＬ素子に実
施例７と同様にして９Ｖの電圧を印加したところ、２５
０ｃｄ／ｍ² の緑味青色発光が観測された。このときの
電流密度、輝度、発光効率、および発光色を表２に示
す。

【００８７】

【表２】 表２より明らかなように、実施例４〜８で得られた各有
機ＥＬ素子は９〜１５Ｖの低電圧印加で実用上必要な輝
度である１００ｃｄ／ｍ² 以上を達成した。

【００８８】

【発明の効果】本発明により、室温という穏和な反応条
件で、かつ廃棄問題等の原因となりやすい重金属を使用
することなくホスファミン誘導体を合成することが可能
となった。また該ホスファミン誘導体を用いた有機ＥＬ
素子のイオン化ポテンシャルは従来のアミン系材料を用
いたものよりも低く、ＥＬ素子の印加電圧を下げる効果
を示した。さらに、その素子の膜性はアミン系材料より
も優れて安定であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、一般式（Ｉ）の化合物の具体例を示す図、

【図２】は、一般式（Ｉ）の化合物の具体例を示す図、

【図３】は、一般式（Ｉ）の化合物の具体例を示す図、

【図４】は、一般式（Ｉ）の化合物の具体例を示す図、

【図５】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図６】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図７】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図８】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図９】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１０】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１１】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１２】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１３】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１４】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１５】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１６】は、一般式（ＩＩ）の化合物の具体例を示す
図、

【図１７】は、一般式（ＩＩＩ）の化合物の具体例を示
す図、

【図１８】は、一般式（ＩＩＩ）の化合物の具体例を示
す図、

【図１９】は、一般式（ＩＶ）の化合物の具体例を示す
図、

【図２０】は、一般式（ＩＶ）の化合物の具体例を示す
図、

【図２１】は、一般式（Ｖ）の化合物の具体例を示す図
である。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機発光層を少なくとも含む単層構造又
   は多層構造の化合物層と、この化合物層を挟持する一対
   の電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に
   おいて、前記化合物層の少なくとも一層が、ホスファミ
   ン誘導体を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセ
   ンス素子。
2. 【請求項２】 ホスファミン誘導体が、下記一般式
   （Ｉ）または（ＩＩ） 【化１】 【化２】 （式（Ｉ）中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ およびＲ⁴ は、炭素数
   １〜６のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、炭
   素数６〜２０のアリール基、置換アリール基、炭素数５
   〜１０の複素芳香環、ベンジル基、またはシンナミル基
   であり、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ は同一または異なって
   いても良い。また式（ＩＩ）中、Ａｒ¹ は、炭素数６〜
   ２０のアリール基、置換アリール基、または炭素数５〜
   １０の複素芳香環であり、Ａｒ² は、炭素数６〜２０の
   アリーレン基、置換アリーレン基、または炭素数５〜１
   ０の複素芳香環であり、Ａｒ³ は、炭素数６〜２０のア
   リール基、置換アリール基、炭素数５〜１０の複素芳香
   環、ベンジル基、またはシンナミル基である）で表され
   る化合物である、請求項１に記載の有機エレクトロルミ
   ネッセンス素子。
3. 【請求項３】 一般式（ＩＩ）のホスファミン誘導体
   が、その下位概念である一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ａｒ⁴ は、炭素数６〜２０のアリール基であ
   り、Ａｒ⁵ は炭素数６〜２０のアリーレン基である）で
   表される化合物である、請求項２に記載の有機エレクト
   ロルミネッセンス素子。
4. 【請求項４】 ホスファミン誘導体を含む層が、正孔輸
   送層である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッ
   センス素子。
5. 【請求項５】 下記一般式（ＩＩ） 【化４】 （式中、Ａｒ¹ は、炭素数６〜２０のアリール基、置換
   アリール基、または炭素数５〜１０の複素芳香環であ
   り、Ａｒ² は、炭素数６〜２０のアリーレン基、置換ア
   リーレン基、または炭素数５〜１０の複素芳香環であ
   り、Ａｒ³ は、炭素数６〜２０のアリール基、置換アリ
   ール基、炭素数５〜１０の複素芳香環、ベンジル基、ま
   たはシンナミル基である）で表される化合物からなるこ
   とを特徴とするホスファミン誘導体。
6. 【請求項６】 一般式（ＩＩ）で表される化合物が、そ
   の下位概念である一般式（ＩＩＩ） 【化５】 （式中、Ａｒ⁴ は、炭素数６〜２０のアリール基であ
   り、Ａｒ⁵ は炭素数６〜２０のアリーレン基である）で
   表される化合物である、請求項５に記載のホスファミン
   誘導体。
7. 【請求項７】 一般式（ＩＶ） 【化６】 （式中、Ａｒ¹ は、炭素数６〜２０のアリール基、置換
   アリール基、または炭素数５〜１０の複素芳香環であ
   り、Ａｒ² は、炭素数６〜２０のアリーレン基、置換ア
   リーレン基、または炭素数５〜１０複素芳香環である）
   で表されるジアリールアミンと、一般式（Ｖ） 【化７】 （式中、Ａｒ³ は、炭素数６〜２０のアリール基、置換
   アリール基、炭素数５〜１０の複素芳香環、ベンジル
   基、またはシンナミル基であり、Ｘはハロゲン原子であ
   る）で表されるハロゲン化ホスフィンと反応させること
   を特徴とする請求項５に記載の一般式（ＩＩＩ）のホス
   ファミン誘導体の製造方法。