JPH0624251B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH0624251B2 JPH0624251B2 JP61000776A JP77686A JPH0624251B2 JP H0624251 B2 JPH0624251 B2 JP H0624251B2 JP 61000776 A JP61000776 A JP 61000776A JP 77686 A JP77686 A JP 77686A JP H0624251 B2 JPH0624251 B2 JP H0624251B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- msm
- electrode
- barrier height
- dark current
- semiconductor device
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
- H10F30/2275—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier being a metal-semiconductor-metal [MSM] Schottky barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/18—Photovoltaic cells having only Schottky potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、光半導体装置に於いて、カソード側及びアノ
ード側それぞれのバリヤ・ハイトがエネルギ・バンド・
ギャップの1/2より大となるように別個の材料からなる
電極を用いたＭＳＭフォト・ダイオードを備えることに
依り、光信号が入射した場合、大きな電流を流し得るよ
うにして、暗電流の一層の低減、及び、Ｓ／Ｎが良好な
受信系の作成を可能にしたものである。
ード側それぞれのバリヤ・ハイトがエネルギ・バンド・
ギャップの1/2より大となるように別個の材料からなる
電極を用いたＭＳＭフォト・ダイオードを備えることに
依り、光信号が入射した場合、大きな電流を流し得るよ
うにして、暗電流の一層の低減、及び、Ｓ／Ｎが良好な
受信系の作成を可能にしたものである。
本発明は、ＭＳＭ（ｍｅｔａｌ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ｍｅｔａｌ）フォト・ダイオードを有する光半
導体装置の改良に関する。
ｔｏｒ ｍｅｔａｌ）フォト・ダイオードを有する光半
導体装置の改良に関する。
一般に、ＭＳＭフォト・ダイオードはトランジスタと集
積化して光半導体装置を形成するのに好適とされてい
る。
積化して光半導体装置を形成するのに好適とされてい
る。
本発明者は、さきに、暗電流を低減させたＭＳＭフォト
・ダイオードを有する光半導体装置を提供した（要すれ
ば、特願昭６０−１１１３７６号参照）。
・ダイオードを有する光半導体装置を提供した（要すれ
ば、特願昭６０−１１１３７６号参照）。
即ち、ＭＳＭフォト・ダイオードの電極を構成する材料
としてＷＳｉｘを用いることに依り、暗電流を小さく
し、Ｓ／Ｎが良好な受信系を得ることができるようにし
たものである。
としてＷＳｉｘを用いることに依り、暗電流を小さく
し、Ｓ／Ｎが良好な受信系を得ることができるようにし
たものである。
第４図は前記既提供のＭＳＭフォト・ダイオードを発明
した際に行った実験の結果を纏めた線図であり、横軸に
はＭＳＭフォト・ダイオードの電極を構成する金属に依
存するバリヤ・ハイトを、また、縦軸にはＭＳＭフォト
・ダイオードの暗電流をそれぞれ採ってある。尚、この
バリヤ・ハイトはｎ型ＧａＡｓに対して図示された各金
属電極を形成した場合のそれであり、また、このデータ
を得た際に於けるバイアス電圧は１０〔Ｖ〕である。
した際に行った実験の結果を纏めた線図であり、横軸に
はＭＳＭフォト・ダイオードの電極を構成する金属に依
存するバリヤ・ハイトを、また、縦軸にはＭＳＭフォト
・ダイオードの暗電流をそれぞれ採ってある。尚、この
バリヤ・ハイトはｎ型ＧａＡｓに対して図示された各金
属電極を形成した場合のそれであり、また、このデータ
を得た際に於けるバイアス電圧は１０〔Ｖ〕である。
図から判るように、ＷＳｉｘを用いたときの暗電流が最
も小さい値を示している。
も小さい値を示している。
第５図はＭＳＭフォト・ダイオードのエネルギ・バンド
・ダイヤグラムを表している。
・ダイヤグラムを表している。
図に於いて、Ｍは金属電極、Ｓは半導体層、Ｖはバイア
ス電圧、φbnはコンダクション・バンドからのバリヤ・
ハイト、φbpはバレンス・バンドからのバリヤ・ハイ
ト、ｊｅは注入エレクトロン、ｊｈは注入ホールをそれ
ぞれ示している。
ス電圧、φbnはコンダクション・バンドからのバリヤ・
ハイト、φbpはバレンス・バンドからのバリヤ・ハイ
ト、ｊｅは注入エレクトロン、ｊｈは注入ホールをそれ
ぞれ示している。
さて、バリヤ・ハイトφbnが大であると注入エレクトロ
ンｊｅは少ないが、φbp＝Ｅｇ−φbnであるから注入ホ
ールｊｈは多くなる。尚、Ｅｇはエネルギ・バンド・ギ
ャップである。
ンｊｅは少ないが、φbp＝Ｅｇ−φbnであるから注入ホ
ールｊｈは多くなる。尚、Ｅｇはエネルギ・バンド・ギ
ャップである。
また、逆に、バリヤ・ハイトφbnが小であると注入ホー
ルｊｈは少ないが注入エレクトロンｊｅは多くなる。
ルｊｈは少ないが注入エレクトロンｊｅは多くなる。
このようなことから、φbn≒1/2Ｅｇとすることが最も
良い結果をもたらすことになり、この条件を満足させる
金属がＷＳｉｘであって、これを用いることに依って暗
電流はＡｌなどを用いた場合に比較して大幅に低減され
るものである。
良い結果をもたらすことになり、この条件を満足させる
金属がＷＳｉｘであって、これを用いることに依って暗
電流はＡｌなどを用いた場合に比較して大幅に低減され
るものである。
さて、前記改良された従来例は、暗電流を低減してＳ／
Ｎを向上させた受信系を作成し得る点で真に瞠目すべき
ものであったが、この暗電流は、小さければ小さいほど
好ましいのは当然であり、前記改良された従来例よりも
更に小さくすることができれば、それにこしたことはな
い。
Ｎを向上させた受信系を作成し得る点で真に瞠目すべき
ものであったが、この暗電流は、小さければ小さいほど
好ましいのは当然であり、前記改良された従来例よりも
更に小さくすることができれば、それにこしたことはな
い。
ところで、前記改良された従来例では、アノードもカソ
ードも同じ電極材料を用いるので、金属の選定も妥協的
なものとならざるを得ず、そのような点を考慮して、最
良とは言えないがＷＳｉｘが選択されたものである。
ードも同じ電極材料を用いるので、金属の選定も妥協的
なものとならざるを得ず、そのような点を考慮して、最
良とは言えないがＷＳｉｘが選択されたものである。
本発明は、ＭＳＭフォト・ダイオードに於けるアノード
とカソードの電極材料をそれぞれに適切なものを選択す
ることに依り、更に暗電流の低減を図るものである。
とカソードの電極材料をそれぞれに適切なものを選択す
ることに依り、更に暗電流の低減を図るものである。
一般に、ＭＳＭフォト・ダイオードに於ける注入エレク
トロンｊｅは、 ｊｅ∝Ａｎ ＊Ｔ２ｅ-q φ bn/kT・ｅq Δφ bn/kT また、注入ホールｊｈは、 ｊｈ∝Ａｎ ＊Ｔ２ｅ-q φ bp/kT・ｅq Δφ bp/kT なる式で表される。
トロンｊｅは、 ｊｅ∝Ａｎ ＊Ｔ２ｅ-q φ bn/kT・ｅq Δφ bn/kT また、注入ホールｊｈは、 ｊｈ∝Ａｎ ＊Ｔ２ｅ-q φ bp/kT・ｅq Δφ bp/kT なる式で表される。
これらの式に於いて、Ａｎ ＊及びＡｐ ＊はリチャードソ
ン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電荷、ｋはボルツマン定
数、Δφbn及びΔφbpはバリヤ・ハイトの変動分をそれ
ぞれ表し、また、前記各式に於けるｅq Δφ bn/kT及びｅ
q Δφ bp/kTなる項は、バイアス電圧が変動した場合、実
効的にバリヤ・ハイトが低下することに起因して現れる
ものであり、実質的には殆ど影響がないと見て良い。
ン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電荷、ｋはボルツマン定
数、Δφbn及びΔφbpはバリヤ・ハイトの変動分をそれ
ぞれ表し、また、前記各式に於けるｅq Δφ bn/kT及びｅ
q Δφ bp/kTなる項は、バイアス電圧が変動した場合、実
効的にバリヤ・ハイトが低下することに起因して現れる
ものであり、実質的には殆ど影響がないと見て良い。
さて、前記各式から明らかなように、注入エレクトロン
や注入ホールを増加させ、暗電流を低下させるには、バ
リヤ・ハイトφbn及びφbpを大きくすると良い。
や注入ホールを増加させ、暗電流を低下させるには、バ
リヤ・ハイトφbn及びφbpを大きくすると良い。
半導体表面に設けられて交互に組み合う櫛歯型をなすカ
ソード電極及びアノード電極を有し、前記カソード電極
及びアノード電極で前記半導体に電界を印加するＭＳＭ
フォト・ダイオードに於いて、 カソード電極としてφbn＞1/2Ｅｇ アノード電極としてφbp＞1/2Ｅｇ φbn：バリヤ・ハイト φbp：バリヤ・ハイト Ｅｇ：エネルギ・バンドキャップ なる別個の材料を用いたＭＳＭフォト・ダイオード を備えてなる構成を採っている。
ソード電極及びアノード電極を有し、前記カソード電極
及びアノード電極で前記半導体に電界を印加するＭＳＭ
フォト・ダイオードに於いて、 カソード電極としてφbn＞1/2Ｅｇ アノード電極としてφbp＞1/2Ｅｇ φbn：バリヤ・ハイト φbp：バリヤ・ハイト Ｅｇ：エネルギ・バンドキャップ なる別個の材料を用いたＭＳＭフォト・ダイオード を備えてなる構成を採っている。
前記手段を採ることに依り、ＭＳＭフォト・ダイオード
に光信号が入射した際、大きな電流を流し得るようにし
て、暗電流の一層の低減、及び、Ｓ／Ｎが良好な受信系
の作成を可能にしたものである。
に光信号が入射した際、大きな電流を流し得るようにし
て、暗電流の一層の低減、及び、Ｓ／Ｎが良好な受信系
の作成を可能にしたものである。
ＭＳＭフォト・ダイオードのカソード側に於けるバリヤ
・ハイトφbnを1/2Ｅｇより大きくするには、カソード
側電極材料としてＡｕ或いはＡｌを用い、また、アノー
ド側に於けるバリヤ・ハイトφbpを1/2Ｅｇより大きく
するには、アノード側電極材料としてＩｎ或いはＷＳｉ
0.64を用いることができる。
・ハイトφbnを1/2Ｅｇより大きくするには、カソード
側電極材料としてＡｕ或いはＡｌを用い、また、アノー
ド側に於けるバリヤ・ハイトφbpを1/2Ｅｇより大きく
するには、アノード側電極材料としてＩｎ或いはＷＳｉ
0.64を用いることができる。
第１図は本発明一実施例であるＭＳＭフォト・ダイオー
ドの要部平面図を表している。
ドの要部平面図を表している。
図に於いて、２はＧａＡｓ能動層、４はＡｕからなるφ
bn側であるカソード電極、５はＩｎからなるφbp側であ
るアノード電極をそれぞれ示している。
bn側であるカソード電極、５はＩｎからなるφbp側であ
るアノード電極をそれぞれ示している。
第２図は第１図に見られるＭＳＭフォト・ダイオードを
線Ａ−Ａ′で切断した状態の要部切断側面図を表し、第
１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或い
は同じ意味を持つものとする。
線Ａ−Ａ′で切断した状態の要部切断側面図を表し、第
１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或い
は同じ意味を持つものとする。
図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、３は窒化シリ
コン（ＳｉＮ）膜をそれぞれ示している。
コン（ＳｉＮ）膜をそれぞれ示している。
第１図及び第２図に見られるＭＳＭフォト・ダイオード
では、光が電極４及び５の櫛歯状の部分に入射される。
では、光が電極４及び５の櫛歯状の部分に入射される。
このＭＳＭフォト・ダイオードにトランジスタ、例え
ば、ＭＥＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）を組み合わせて光半導体装置とするには、ＧａＡ
ｓ能動層２上に更にＧａＡｓ能動層を形成し、そこにシ
ョットキ・ゲート電極、オーミック・コンタクト・ソー
ス電極及び同じくオーミック・コンタクト・ドレイン電
極を形成するものとし、その場合、ＭＥＳＦＥＴ部分の
ＧａＡｓ能動層２はバッファ層として作用させる。
ば、ＭＥＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）を組み合わせて光半導体装置とするには、ＧａＡ
ｓ能動層２上に更にＧａＡｓ能動層を形成し、そこにシ
ョットキ・ゲート電極、オーミック・コンタクト・ソー
ス電極及び同じくオーミック・コンタクト・ドレイン電
極を形成するものとし、その場合、ＭＥＳＦＥＴ部分の
ＧａＡｓ能動層２はバッファ層として作用させる。
第３図は第１図及び第２図について説明したＭＳＭフォ
ト・ダイオードのエネルギ・バンド・ダイヤグラムを表
し、第５図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
ト・ダイオードのエネルギ・バンド・ダイヤグラムを表
し、第５図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
図から明らかなように、φbn＞1/2Ｅｇ及びφbp＞1/2Ｅ
ｇとなっている。
ｇとなっている。
従って、光が入射することに依って流れる電流は大きく
なり、相対的に暗電流は低下し、Ｓ／Ｎが良好な受信系
を得ることができる。
なり、相対的に暗電流は低下し、Ｓ／Ｎが良好な受信系
を得ることができる。
本発明に依る光半導体装置に於いては、カソード側及び
アノード側それぞれのバリヤ・ハイトがエネルギ・バン
ド・ギャップの1/2より大となるように別個の材料から
なる電極を用いたＭＳＭフォト・ダイオードを備えた構
成になっている。
アノード側それぞれのバリヤ・ハイトがエネルギ・バン
ド・ギャップの1/2より大となるように別個の材料から
なる電極を用いたＭＳＭフォト・ダイオードを備えた構
成になっている。
この構成によれば、ＭＳＭフォト・ダイオードに光信号
が入射した場合、大きな電流を流すことができるから、
暗電流のより一層の低減が可能となり、Ｓ／Ｎが良好な
受信系の作成が容易になる。
が入射した場合、大きな電流を流すことができるから、
暗電流のより一層の低減が可能となり、Ｓ／Ｎが良好な
受信系の作成が容易になる。
第１図は本発明一実施例であるＭＳＭフォト・ダイオー
ドの要部平面図、第２図は第１図に見られるＭＳＭフォ
ト・ダイオードを線Ａ−Ａ′で切断した状態の要部切断
側面図、第３図は第１図及び第２図について説明したＭ
ＳＭフォト・ダイオードのエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラム、第４図は暗電流対バリヤ・ハイトの関係を示す線
図、第５図は改良された従来のＭＳＭフォト・ダイオー
ドのエネルギ・バンド・ダイヤグラムをそれぞれ表して
いる。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はＧａＡｓ
能動層、３は窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、４はバリヤ・
ハイトφbn側を生成するＡｕからなるカソード電極、５
はバリヤ・ハイトφbpを生成するＩｎからなるアノード
電極、Ｍは金属電極、Ｓは半導体層、Ｖはバイアス電
圧、φbnはコンダクション・バンドからのバリヤ・ハイ
ト、φbpはバレンス・バンドからのバリヤ・ハイト、ｊ
ｅは注入エレクトロン、ｊｈは注入ホールをそれぞれ示
している。
ドの要部平面図、第２図は第１図に見られるＭＳＭフォ
ト・ダイオードを線Ａ−Ａ′で切断した状態の要部切断
側面図、第３図は第１図及び第２図について説明したＭ
ＳＭフォト・ダイオードのエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラム、第４図は暗電流対バリヤ・ハイトの関係を示す線
図、第５図は改良された従来のＭＳＭフォト・ダイオー
ドのエネルギ・バンド・ダイヤグラムをそれぞれ表して
いる。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はＧａＡｓ
能動層、３は窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、４はバリヤ・
ハイトφbn側を生成するＡｕからなるカソード電極、５
はバリヤ・ハイトφbpを生成するＩｎからなるアノード
電極、Ｍは金属電極、Ｓは半導体層、Ｖはバイアス電
圧、φbnはコンダクション・バンドからのバリヤ・ハイ
ト、φbpはバレンス・バンドからのバリヤ・ハイト、ｊ
ｅは注入エレクトロン、ｊｈは注入ホールをそれぞれ示
している。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体表面に設けられて交互に組み合う櫛
歯型をなすカソード電極及びアノード電極を有し、前記
カソード電極及びアノード電極で前記半導体に電界を印
加するＭＳＭフォト・ダイオードに於いて、 カソード電極としてφbn＞1/2Ｅｇ アノード電極としてφbp＞1/2Ｅｇ φbn：バリヤ・ハイト φbp：バリヤ・ハイト Ｅｇ：エネルギ・バンドキャップ なる別個の材料を用いたＭＳＭフォト・ダイオード を備えてなることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000776A JPH0624251B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 光半導体装置 |
| KR1019860011576A KR900000076B1 (ko) | 1986-01-08 | 1986-12-30 | 금속-반도체-금속 포토다이오드 |
| US07/001,031 US4763176A (en) | 1986-01-08 | 1987-01-07 | Metal-semiconductor-metal schottky photodiode |
| EP87400025A EP0229040B1 (en) | 1986-01-08 | 1987-01-08 | Metal-semiconductor-metal photodiode |
| DE8787400025T DE3779765T2 (de) | 1986-01-08 | 1987-01-08 | Metal-halbleiter-metal photodiode. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000776A JPH0624251B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159478A JPS62159478A (ja) | 1987-07-15 |
| JPH0624251B2 true JPH0624251B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=11483102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61000776A Expired - Lifetime JPH0624251B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 光半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4763176A (ja) |
| EP (1) | EP0229040B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0624251B2 (ja) |
| KR (1) | KR900000076B1 (ja) |
| DE (1) | DE3779765T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022179A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | メタル・セミコンダクタ・ｆｅｔ |
| JP2637476B2 (ja) * | 1988-06-17 | 1997-08-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体受光素子 |
| JP2527791B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1996-08-28 | 三菱電機株式会社 | Ｍｓｍ型半導体受光素子 |
| US5115294A (en) * | 1989-06-29 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Optoelectronic integrated circuit |
| US5019530A (en) * | 1990-04-20 | 1991-05-28 | International Business Machines Corporation | Method of making metal-insulator-metal junction structures with adjustable barrier heights |
| US6833556B2 (en) | 2002-08-12 | 2004-12-21 | Acorn Technologies, Inc. | Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel |
| US7084423B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-08-01 | Acorn Technologies, Inc. | Method for depinning the Fermi level of a semiconductor at an electrical junction and devices incorporating such junctions |
| CN101171691B (zh) * | 2005-09-26 | 2010-11-17 | 香港应用科技研究院有限公司 | 光探测器及其光设备 |
| JP4247263B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2009-04-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体放射線検出器および放射線検出装置 |
| US7750426B2 (en) * | 2007-05-30 | 2010-07-06 | Intersil Americas, Inc. | Junction barrier Schottky diode with dual silicides |
| US9362376B2 (en) | 2011-11-23 | 2016-06-07 | Acorn Technologies, Inc. | Metal contacts to group IV semiconductors by inserting interfacial atomic monolayers |
| JP2017107947A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 国立大学法人 琉球大学 | 半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法 |
| US9620611B1 (en) | 2016-06-17 | 2017-04-11 | Acorn Technology, Inc. | MIS contact structure with metal oxide conductor |
| US10170627B2 (en) | 2016-11-18 | 2019-01-01 | Acorn Technologies, Inc. | Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height |
| KR101946205B1 (ko) * | 2018-07-16 | 2019-04-17 | 아주대학교산학협력단 | 태양광-블라인드 uv-c 광센서 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1082358A (en) * | 1965-05-20 | 1967-09-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Double injecting semiconductor |
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