JPH06249878A - Probe unit and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶ディスプレ
イ(LCD),半導体集積回路(IC)等の電気的導通
性を検査する際に使用されるプローブユニットに関し、
詳細には被検査面に対する荷重を一定にし、かつ接触時
の面圧を増大して良好な電気的接触を瞬間的に得ること
ができ、さらには300 μm 以下のファインピッチに対応
できるとともに、ピッチ精度を向上できるように改善さ
れたプローブピンの構造及び製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe unit used for inspecting the electrical continuity of a liquid crystal display (LCD), a semiconductor integrated circuit (IC) or the like,
In detail, the load on the surface to be inspected is kept constant, and the surface pressure at the time of contact can be increased to obtain good electrical contact instantaneously. The present invention relates to a structure and manufacturing method of a probe pin improved so as to improve accuracy.
【0002】一般に、時計,電卓,あるいはパソコン,
ワープロ等の表示装置やテレビの画面装置に採用される
液晶ディスプレイ、また電子機器に採用される半導体集
積回路を製造する場合、この製造工程において各種の製
品検査が行われている。例えば液晶基板の導体線,IC
基板の回路配線の導通検査を行う場合、従来、図8及び
図9に示すようなプローブユニット30が採用されてい
る。これは、樹脂基台31に多数のプローブピン32を
所定ピッチごとに配設し、この各プローブピン32を例
えば液晶基板35上に格子状にパターン形成された各導
体線36に当接させ、これにより電気的導通性をチェッ
クするものである。上記プローブユニット30を製造す
る場合、従来、線径250 μm 程度のタングステン線又は
ベリリウム銅線からなる金属線材にテーパー加工を施し
て接触子32aを有するプローブピン32を形成し、こ
の後プローブピン32をケース37内にスプリング38
で弾性的に支持する。そしてこれを1本ずつ樹脂基台3
1に組付ける方法が用いられている。Generally, a clock, a calculator, or a personal computer,
When manufacturing a liquid crystal display used in a display device such as a word processor or a screen device of a television, or a semiconductor integrated circuit used in an electronic device, various product inspections are performed in this manufacturing process. For example, conductor wire of liquid crystal substrate, IC
Conventionally, a probe unit 30 as shown in FIG. 8 and FIG. 9 has been adopted when conducting a circuit wiring continuity inspection. This is because a large number of probe pins 32 are arranged at a predetermined pitch on a resin base 31, and each probe pin 32 is brought into contact with, for example, each conductor line 36 formed in a grid pattern on a liquid crystal substrate 35. This is to check the electrical continuity. When the probe unit 30 is manufactured, conventionally, a metal wire made of a tungsten wire or a beryllium copper wire having a wire diameter of about 250 μm is tapered to form a probe pin 32 having a contact 32a, and then the probe pin 32 is formed. Spring 38 in case 37
Elastically supported by. And this one by one resin base 3
1 is used.
【0003】一方、上記液晶ディスプレイにおいては、
高画質化に対応するために画素数の増大化が進んでお
り、近年では10〜30万画素を有する液晶基板が開発さ
れ、また近い将来には80〜300 万画素のものも開発され
ると考えられる。他方、上記半導体集積回路においても
電子機器の小型化に伴ってIC基板の小型化,回路配線
の高密度化が進んでいる。このような画素数の増大化,
回路配線の高密度化に伴って上記各配線のピッチも狭く
なることから、上記プローブピン32においてもピッ
チ, 及びピン径を小さくすることが必要となる。このよ
うなピッチの狭小化に対応するために、従来、複数個の
プローブユニット30をこれの各プローブピン32が千
鳥状に交互に位置するよう積層してハウジング化し、こ
れにより各プローブピン32間のピッチを小さくする方
法が用いられている。On the other hand, in the above liquid crystal display,
The number of pixels is increasing to support higher image quality, and in recent years, liquid crystal substrates with 100,000 to 300,000 pixels have been developed, and in the near future, those with 800,000 to 3 million pixels will also be developed. Conceivable. On the other hand, in the semiconductor integrated circuit, the miniaturization of the IC substrate and the densification of the circuit wiring have been advanced along with the miniaturization of the electronic equipment. Such increase in the number of pixels,
Since the pitch of each wiring becomes narrower as the circuit wiring becomes higher in density, it is necessary to reduce the pitch and the pin diameter of the probe pins 32 as well. In order to cope with such a narrowing of the pitch, conventionally, a plurality of probe units 30 are stacked so that the probe pins 32 of them are alternately arranged in a staggered manner to form a housing. The method of reducing the pitch of is used.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のプローブユニットでは、各プローブピンをスプリン
グで支持する構造であるから、各プローブピンのばね性
にばらつきが生じ易い。その結果、被検査面に対する荷
重にばらつきが生じ、良好な電気的接触が得られないと
いう問題があり、場合によっては被検査面やプローブピ
ンが損傷するおそれがある。However, in the above-mentioned conventional probe unit, since each probe pin is supported by the spring, the spring property of each probe pin tends to vary. As a result, there is a problem that the load on the surface to be inspected varies, and good electrical contact cannot be obtained. In some cases, the surface to be inspected or the probe pin may be damaged.
【0005】そこで、本件出願人は、上記被検査面に対
する荷重を一定にして良好な電気的接触を得ることがで
きるプローブユニットを開発した(特願平4−2728
65号参照)。このプローブユニットは、図7に示すよ
うに、樹脂基板40にプローブピン41の本体部41a
を固着するとともに、該プローブピン41の突出部41
bを被検査面Aに対して傾斜するよう屈曲形成し、該被
検査面Aに当接する先端部41cを上方にR状に屈曲形
成して構成されており、この先端部41cの下面が接触
子となっている。このプローブユニットによれば、各プ
ローブピン41の当接時の荷重のばらつきを先端部41
cの摺動によって吸収できることから、各先端部41c
が被検査面Aに同時に、かつ均一に接触し、安定した検
査性能が得られる。Therefore, the applicant of the present invention has developed a probe unit capable of obtaining good electrical contact by making the load on the surface to be inspected constant (Japanese Patent Application No. 4-2728).
No. 65). As shown in FIG. 7, this probe unit includes a resin substrate 40 and a body portion 41 a of a probe pin 41.
And the protruding portion 41 of the probe pin 41.
b is formed so as to be inclined with respect to the surface A to be inspected, and a tip portion 41c that abuts the surface A to be inspected is formed to be bent upward in an R shape, and the lower surface of the tip portion 41c makes contact. Have been a child. According to this probe unit, when the probe pins 41 are in contact with each other, variations in the load can be prevented.
Since it can be absorbed by sliding c, each tip 41c
Simultaneously and uniformly contact the surface A to be inspected, and stable inspection performance is obtained.
【0006】ところで、上記プローブピン41は、被検
査面の接触長さが長くとれる液晶ディスプレイには適し
ているものの、半導体集積回路に採用するには不充分な
点がある。即ち、上記集積回路は液晶ディスプレイに比
べて基板面積が小さく被検査面としての回路配線の接触
長さも短いことから、上記プローブピン41の先端部4
1cを摺動させて荷重のばらつきを吸収するのは困難な
場合がある。このような接触長さの短い被検査面の場
合、プローブピンの接触と同時に荷重のばらつきを吸収
でき、かつ短時間で導通性が得られなければならない。
そのためには接触圧力を向上させることが必要であり、
この点での改善が要請されている。By the way, the probe pin 41 is suitable for a liquid crystal display in which the contact length of the surface to be inspected can be long, but it is insufficient for use in a semiconductor integrated circuit. That is, since the integrated circuit has a substrate area smaller than that of a liquid crystal display and a contact length of circuit wiring as a surface to be inspected is also short, the tip end portion 4 of the probe pin 41 is small.
It may be difficult to slide 1c to absorb variations in load. In the case of such a surface to be inspected having a short contact length, it is necessary that the variation of the load can be absorbed simultaneously with the contact of the probe pin and the conductivity can be obtained in a short time.
For that purpose, it is necessary to improve the contact pressure,
Improvement in this respect is required.
【0007】また、上記従来のプローブユニットを積層
してピッチを狭小化する方法では、製造に手間がかかる
とともに、構造が複雑となることから、ピッチの狭小化
に限界があり、例えば300 μm 以下のファインピッチに
は対応できないという問題がある。ここで、上記プロー
ブピンに採用される金属線材自体の線径を、例えば100
μm 以下して上記ユニットの積層化による問題を解消す
ることが考えられる。しかしながら、一般に金属線材を
極細化すると鋼線自体の剛性,強度が低下する。その結
果、金属極細線を樹脂基台に直線状に保持するのが困難
となり、ファインピッチに対応したピッチ精度が得られ
ないという問題が生じる。Further, in the above-mentioned conventional method of laminating probe units to narrow the pitch, it takes time to manufacture and the structure is complicated, so that there is a limit to the narrowing of the pitch, for example, 300 μm or less. There is a problem that it is not possible to deal with the fine pitch of. Here, the wire diameter of the metal wire rod itself used for the probe pin is, for example, 100
It is considered that the problem due to the lamination of the above units is solved by setting the thickness to less than μm. However, generally, if the metal wire material is made extremely thin, the rigidity and strength of the steel wire itself are reduced. As a result, it becomes difficult to hold the metal ultrafine wire in a straight line on the resin base, and the pitch accuracy corresponding to the fine pitch cannot be obtained.
【0008】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、被検査面に対する荷重を一定にでき、かつ接
触時の面圧を増大でき、そのため良好な電気的接触を瞬
間的に得ることができ、さらには金属線材自体の線径を
小さくした場合の樹脂基台への保持を可能にしてファイ
ンピッチに対応できるとともにピッチ精度を向上できる
プローブユニット及びその製造方法を提供することを目
的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and the load on the surface to be inspected can be made constant, and the surface pressure at the time of contact can be increased, so that good electrical contact can be instantaneously obtained. It is also possible to provide a probe unit and a method of manufacturing the same that can hold a resin base when the wire diameter of the metal wire rod itself is made small and can cope with a fine pitch and improve pitch accuracy. I am trying.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】そこで請求項1の発明
は、線径150 μm 以下の金属極細線からなるプローブピ
ンを絶縁性基台上に所定ピッチごとに、かつ該基台から
上記プローブピンの一部を突出させて固着し、該突出部
を、被検査面側に湾曲し、かつ自己弾性を有する弧状に
屈曲成形するとともに、該突出部の先端にテーパー状を
なし、被検査面に高面圧で当接する接触尖部を形成した
ことを特徴とするプローブユニットである。Therefore, the invention of claim 1 is to provide probe pins made of a metal fine wire having a wire diameter of 150 μm or less on an insulating base at predetermined pitches, and from the base to the probe pins. A part of the protrusion is fixed and the protrusion is curved toward the surface to be inspected and is bent and formed into an arc shape having self-elasticity, and the tip of the protrusion is formed into a taper shape on the surface to be inspected. The probe unit is characterized in that a contact point portion that abuts with a high surface pressure is formed.
【0010】また請求項2の発明は、上記金属極細線の
テーパー状先端表面に導電性,耐蝕性に優れた硬質皮膜
をコーティングしたことを特徴とし、請求項3の発明
は、上記金属極細線に引張り強度300Kgf/mm2以上の低炭
素二相組織鋼線を採用したことを特徴としている。The invention of claim 2 is characterized in that the tapered tip surface of the metal ultrafine wire is coated with a hard coating having excellent conductivity and corrosion resistance. The invention of claim 3 is the metal ultrafine wire. Is characterized by adopting a low carbon dual phase steel wire with a tensile strength of 300 Kgf / mm 2 or more.
【0011】請求項4の発明は、上記プローブユニット
の製造方法であって、線径150 μm以下のプローブピン
用金属極細線を絶縁性基台上に所定ピッチごとに、かつ
該基台から上記金属極細線の一部を突出させて固着し、
該突出部を、被検査面側に湾曲し、かつ自己弾性する弧
状に屈曲成形するとともに、該突出部の先端を加熱しな
がら引張力を付加して伸線することにより該先端にテー
パー状の接触尖部を形成したことを特徴としている。ま
た請求項5の発明は、上記金属極細線の突出部を湾曲
し、かつ自己弾性を有する弧状に屈曲成形した後、該突
出部の先端に化学研磨,あるいは電解研磨によりテーパ
ー状の接触尖部を施したことを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing the probe unit, wherein metal fine wires for probe pins having a wire diameter of 150 μm or less are arranged on an insulating base at a predetermined pitch and from the base to the above. Part of the metal ultrafine wire is projected and fixed,
The protrusion is curved toward the surface to be inspected and is bent and formed into an arc shape that is self-elastic, and the tip of the protrusion is tapered by applying tensile force and drawing while heating the tip of the protrusion. It is characterized by forming contact points. According to a fifth aspect of the present invention, the protruding portion of the metal ultrafine wire is bent and formed into an arc shape having self-elasticity, and then the tip of the protruding portion is chemically or electrolytically polished to form a tapered contact point. It is characterized by having been given.
【0012】ここで、金属極細線を絶縁性基台に固着す
るには、例えば上記金属極細線を基台に押圧しつつ加熱
することにより該基台の極細線が当接する部分を溶融さ
せ、これにより金属極細線を埋設する方法、あるいは接
着剤により接着する方法が採用できる。また上記絶縁性
基台には、例えばポリカーボネート,ポリエーテル,エ
ーテルケトン等の熱可塑性樹脂を採用するのが好まし
い。Here, in order to fix the metal ultrafine wire to the insulating base, for example, by heating the metal ultrafine wire while pressing it against the base, the portion of the base where the ultrafine wire abuts is melted, As a result, a method of embedding a metal ultrafine wire or a method of bonding with an adhesive can be adopted. Further, it is preferable to adopt a thermoplastic resin such as polycarbonate, polyether, or ether ketone for the insulating base.
【0013】上記金属極細線の突出部の屈曲成形は、該
突出部をこれに張力を作用させた状態で金型により押圧
加工することにより実現できる。また、上記金属極細線
の突出先端部の加熱方法としては、バーナによる加熱,
赤外線加熱,レーザ加熱,直接通電加熱,あるいは誘導
加熱法等が採用できる。The bending of the protruding portion of the metal ultrafine wire can be realized by pressing the protruding portion with a mold while applying tension to the protruding portion. The heating method of the protruding tip of the metal ultrafine wire is as follows:
Infrared heating, laser heating, direct current heating, or induction heating can be used.
【0014】さらに、上記硬質皮膜には、導電性,耐蝕
性に優れたAg,Au,Pt等と硬度の高いTiN,B
N,AlN等との合金材料が採用できる。これらの被覆
を形成する方法としては、電気めっき,溶融めっき,あ
るいはスパッタリング法等による手段が採用できる。Further, the hard coating is made of Ag, Au, Pt, etc. having excellent conductivity and corrosion resistance, and TiN, B having high hardness.
An alloy material with N, AlN, etc. can be adopted. As a method for forming these coatings, means such as electroplating, hot dipping, or sputtering can be adopted.
【0015】さらにまた上記金属極細線には、ステンレ
ス線,ピアノ線,アモルファス線,あるいは低炭素二相
組織鋼線が採用でき、これらの金属を採用することによ
り極細化した場合の剛性,強度を確保できる。なかでも
上記低炭素二相組織鋼線を採用した場合は、上記ステン
レス線,ピアノ線等に比べて強度, 剛性, 耐久性, 及び
靱性を向上でき、しかもさらに小径化に貢献できる。こ
の低炭素二相組織鋼線は、Feを主成分とし、これに
C,Si,Mnを添加してなる線材を冷間伸線により強
加工して製造されたものであり、この強加工によって繊
維状微細金属組織を有しており、これにより線径が100
μm 以下で、引張り強度が300Kgf/mm2以上となっている
( 特開昭62-20824号公報参照) 。Furthermore, as the metal ultrafine wire, stainless wire, piano wire, amorphous wire, or low carbon dual phase steel wire can be adopted. By using these metals, the rigidity and strength in the case of ultrafine wire can be obtained. Can be secured. In particular, when the low-carbon dual-phase steel wire is adopted, the strength, rigidity, durability, and toughness can be improved as compared with the stainless wire, piano wire, etc., and the diameter can be further reduced. This low-carbon dual-phase steel wire is produced by subjecting a wire containing Fe as a main component to which C, Si, and Mn are added to strong working by cold drawing. It has a fibrous fine metal structure, which makes the wire diameter 100
Tensile strength of 300 Kgf / mm 2 or more at μm or less
(See JP-A-62-20824).
【0016】[0016]
【作用】請求項1の発明に係るプローブユニットによれ
ば、金属極細線の突出部を被検査面に向かって湾曲する
よう屈曲成形するとともに、該被検査面に当接する先端
にテーパー状の接触尖部を形成したので、上記プローブ
ピンの接触尖部が被検査面に当接すると同時に該突出部
がその自己弾性により変形し、これにより被検査面にか
かる荷重を一定にできる。また先端の接触尖部が被検査
面に瞬間的に食い込むことにより接触面圧が大幅に高ま
り、良好な電気的導通性を得ることができ、その結果被
検査面の接触長さの短い半導体集積回路等への採用を可
能にでき、安定した検査性能が得られる。According to the probe unit of the first aspect of the present invention, the protruding portion of the metal ultrafine wire is bent and formed so as to be curved toward the surface to be inspected, and the tip end which abuts the surface to be inspected is tapered. Since the pointed portion is formed, the contact pointed portion of the probe pin comes into contact with the surface to be inspected and, at the same time, the protrusion is deformed by its self-elasticity, whereby the load applied to the surface to be inspected can be made constant. In addition, the contact point pressure at the tip momentarily bites into the surface to be inspected, the contact surface pressure is greatly increased, and good electrical conductivity can be obtained. As a result, the semiconductor integrated circuit with a short contact length on the surface to be inspected can be obtained. It can be used in circuits, etc., and stable inspection performance can be obtained.
【0017】また、絶縁性基台に線径150 μm 以下の金
属極細線を所定ピッチで固着したので、該極細線を直線
状に保持することが可能となり、従来では困難であった
300μm 以下のファインピッチに対応でき、かつピッチ
精度の誤差範囲を±20μm 以下にできる。その結果、従
来のプローブユニットを積層化する場合の生産性, 構造
上等の問題を解消できる。Further, since metal ultrafine wires having a wire diameter of 150 μm or less are fixed to the insulating base at a predetermined pitch, it becomes possible to hold the ultrafine wires in a straight line, which has been difficult in the past.
It can handle fine pitches of 300 μm or less, and the error range of pitch accuracy can be ± 20 μm or less. As a result, it is possible to solve the problems in productivity and structure when stacking the conventional probe units.
【0018】また請求項2の発明では、接触尖部の外表
面に導電性,耐蝕性に優れた硬質皮膜を形成したので、
接触尖部の摩耗劣化を回避して寿命を向上できるととも
に、被検査面との接触抵抗を小さくでき、導通性を向上
できる。Further, in the invention of claim 2, since the hard coating excellent in conductivity and corrosion resistance is formed on the outer surface of the contact point,
It is possible to avoid wear deterioration of the contact point portion and improve the life, and also to reduce the contact resistance with the surface to be inspected and improve the conductivity.
【0019】さらに請求項3の発明では、金属極細線に
低炭素二相組織鋼線を採用したので、線径150 μm 以下
で引張り強度300 〜600Kgf/mm2が得られる。従って、こ
れを採用した場合は小径化を図りながら強度, 剛性, 靱
性を向上でき、プローブピンとしての機能をさらに向上
できる。Further, in the invention of claim 3, since the low carbon dual phase steel wire is adopted as the ultrafine metal wire, the tensile strength of 300 to 600 Kgf / mm 2 can be obtained with the wire diameter of 150 μm or less. Therefore, when this is adopted, the strength, rigidity, and toughness can be improved while reducing the diameter, and the function as a probe pin can be further improved.
【0020】上記請求項4の発明に係る製造方法では、
上記金属極細線の絶縁性基台からの突出部を湾曲状で自
己弾性を有する弧状に屈曲成形し、該突出部を加熱しな
がら引張力を作用させて断線させることによりテーパー
状の接触尖部を形成したので、また請求項5の発明は、
上記金属極細線の突出部を自己弾性を有する弧状に屈曲
成形した後、該突出部の先端に化学研磨,あるいは電解
研磨によりテーパー状の接触尖部を形成したので、多数
のピンを同時に、かつ同一形状に成形でき、従来の1本
ずつピン成形する場合に比べて加工精度,ピン先端精度
を向上でき、ひいては生産性を向上できる。In the manufacturing method according to the fourth aspect of the invention,
A protruding portion of the metal ultrafine wire from the insulating base is bent and formed into an arc shape having a curved self-elasticity, and a tensile force is applied to the protruding portion while heating the protruding portion to disconnect the tapered contact point. Therefore, the invention of claim 5 is
Since the protruding portion of the metal ultrafine wire is bent and formed into an arc shape having self-elasticity, and a tapered contact point is formed at the tip of the protruding portion by chemical polishing or electrolytic polishing, a large number of pins can be formed simultaneously and simultaneously. They can be formed into the same shape, the processing accuracy and pin tip accuracy can be improved, and productivity can be improved, as compared with the conventional case of forming one pin at a time.
【0021】[0021]
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図1ないし図6は、本発明の一実施例によるプロー
ブユニット及びその製造方法を説明するための図であ
る。本実施例では、半導体集積回路の導通検査に使用さ
れるプローブユニットに適用した場合を例にとって説明
する。図において、1は本実施例のプローブユニットで
あり、これは80〜130 本のプローブピン2を300 μm 以
下のピッチで、かつピッチ誤差±20μm 以下に配列し、
これをポリカーボネートからなる熱可塑性樹脂基台3上
に配置して構成されている。上記プローブピン2は線径
20〜150 μm の低炭素二相組織鋼線4の表面にNi膜5
を電気めっき等により被覆形成し、該Ni膜5の表面に
Au,Ag,Pt等からなる貴金属膜6を同じくめっき
により被覆形成して構成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 6 are views for explaining a probe unit and a method of manufacturing the probe unit according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, a case where the present invention is applied to a probe unit used for a continuity test of a semiconductor integrated circuit will be described as an example. In the figure, 1 is a probe unit of the present embodiment, in which 80 to 130 probe pins 2 are arranged with a pitch of 300 μm or less and a pitch error of ± 20 μm or less,
This is arranged on a thermoplastic resin base 3 made of polycarbonate. The probe pin 2 has a wire diameter
Ni film 5 on the surface of low carbon dual phase steel wire 4 of 20-150 μm
Is formed by electroplating or the like, and a noble metal film 6 made of Au, Ag, Pt or the like is also formed by coating on the surface of the Ni film 5 by plating.
【0022】上記低炭素二相組織鋼線4は、上述のよう
に金属線材を冷間伸線により強加工して製造されたもの
で、これにより生じた加工セルが一方向に繊維状に配列
された繊維状微細金属組織を有しており、引張り強度が
300 〜600Kgf/mm2である。また上記低炭素二相組織鋼線
4にはストレッチャーアニーリング処理が施されてお
り、これは上記低炭素二相組織鋼線4に張力を作用させ
ながら所定温度で熱処理したものである。この熱処理に
より直線状に直伸化したプローブピン2が形成されてい
る。The low-carbon dual-phase steel wire 4 is manufactured by subjecting a metal wire rod to strong working by cold drawing as described above, and the working cells generated thereby are arranged in a unidirectional fiber form. The tensile strength is
It is 300 to 600 Kgf / mm 2 . The low carbon dual phase steel wire 4 is subjected to a stretcher annealing treatment, which is a heat treatment at a predetermined temperature while applying a tension to the low carbon dual phase steel wire 4. By this heat treatment, the probe pin 2 which is linearly stretched is formed.
【0023】上記Ni膜5は、上記金属線材を冷間伸線
加工する際の塑性加工による加工歪を有しており、これ
により自己潤滑性及び耐蝕性の改善を図るとともに、貴
金属膜6との密着性,接着性が向上している。また上記
貴金属膜6は、Ni膜5が被覆形成された金属線材をさ
らに冷間伸線加工することにより、数μm 程度の厚さに
引き延ばす際の塑性加工による加工歪を有している。こ
れによりめっき被覆時に生じていたピンホール,あるい
は粒子が上記伸線時に潰されて、欠陥のない平滑な表面
性状となっている。The Ni film 5 has a working strain due to plastic working during cold drawing of the metal wire, which improves self-lubricating property and corrosion resistance, and at the same time as the noble metal film 6. The adhesiveness and adhesiveness of are improved. The noble metal film 6 has a working strain due to plastic working when the metal wire coated with the Ni film 5 is further drawn by cold drawing to a thickness of about several μm. As a result, the pinholes or particles generated during plating are crushed during the wire drawing, resulting in a smooth surface with no defects.
【0024】上記各プローブピン2は樹脂基台3上に位
置する本体部2aと該基台3から外方に突出する突出部
2bとから構成されている。上記本体部2aの直径方向
の略1/2 は樹脂基台3内に埋め込まれており、残りの部
分は基台3下面に露出している。これは後述する布線加
工において上記低炭素二相組織鋼線4を緊張状態に張力
を作用させて樹脂基台3上に配置し、この状態で本体部
2aを加熱することにより該本体部2aが当接する樹脂
基台3を溶融させて埋設したものである。Each probe pin 2 is composed of a main body 2a located on the resin base 3 and a protrusion 2b protruding outward from the base 3. Approximately 1/2 of the main body 2a in the diameter direction is embedded in the resin base 3, and the remaining part is exposed on the lower surface of the base 3. This is because the low carbon dual phase steel wire 4 is placed in a tension state on the resin base 3 in the wiring process described later and the main body portion 2a is heated by heating the main body portion 2a in this state. The resin base 3 which is in contact with is melted and embedded.
【0025】また上記プローブユニット1の各プローブ
ピン2の本体部2a下面には、図示しないTAB(Tape
Automated Bondig)が貼着されており、該TABは測定
機器に接続されている。上記TABは可撓性フィルムに
各プローブピン2が接続される配線をエッチング法等に
よりパターン形成してなるもので、上記TABの各配線
と各プローブピン2とは一括に、かつ同時に熱圧着によ
り接続されている。なお、上記プローブユニット1に接
続されるものとしては、上記TABの他にCOB(フレ
キシブルプリント基板),COG(ガラス基板)等が採
用できる。On the lower surface of the main body 2a of each probe pin 2 of the probe unit 1, a TAB (Tape
Automated Bondig) is attached, and the TAB is connected to a measuring instrument. The TAB is formed by patterning a wiring to which each probe pin 2 is connected to a flexible film by an etching method or the like, and each wiring of the TAB and each probe pin 2 are collectively and simultaneously subjected to thermocompression bonding. It is connected. In addition to the TAB, COB (flexible printed circuit board), COG (glass substrate), or the like can be used as the one connected to the probe unit 1.
【0026】そして、上記プローブピン2の突出部2b
はこれの肩部2cから被検査面A側に湾曲する弧状に屈
曲成形されており、これによりこの突出部2bは該プロ
ーブユニット1の下降分だけ弾性変形するいわゆる自己
弾性を有している。また上記突出部2bの被検査面Aに
当接する先端にはテーパー状の、つまり針状に尖がった
形状の接触尖部2dが形成されている。さらに上記テー
パー状の接触尖部2dの外表面には図示しない硬質皮膜
がコーティングされており、これは導電性,耐蝕性に優
れたAg,Au,Pt等と硬度の高いTiN,BN,A
lN等との合金材料により構成されている。The protruding portion 2b of the probe pin 2 is then
Is bent and formed in an arc shape that is curved from the shoulder portion 2c thereof toward the surface A to be inspected, so that the projecting portion 2b has so-called self-elasticity that is elastically deformed by the descending amount of the probe unit 1. Further, a tapered contact tip portion 2d having a needle-like shape is formed at the tip of the protruding portion 2b that abuts the surface A to be inspected. Further, a hard coating (not shown) is coated on the outer surface of the tapered contact point 2d, which is made of Ag, Au, Pt or the like having excellent conductivity and corrosion resistance and TiN, BN, A having high hardness.
It is made of an alloy material such as 1N.
【0027】次に、上記プローブユニット1の一製造方
法について説明する。本実施例の製造方法は、金属線材
から低炭素二相組織鋼線4を製造する第1工程と、この
低炭素二相組織鋼線4を所定ピッチごとに樹脂基台3に
配置する第2工程と、上記低炭素二相組織鋼線4を屈曲
加工してプローブピン2を成形し、これによりプローブ
ユニット1を形成する第3工程とを備えている。以下、
上記各工程を詳細に説明する。Next, a method of manufacturing the probe unit 1 will be described. In the manufacturing method of this embodiment, a first step of manufacturing a low-carbon dual-phase steel wire 4 from a metal wire rod and a second step of arranging the low-carbon dual-phase steel wire 4 on the resin base 3 at a predetermined pitch. It comprises a step and a third step of forming the probe pin 2 by bending the low carbon dual phase steel wire 4 to form the probe pin 2. Less than,
Each of the above steps will be described in detail.
【0028】第1工程 まず、低炭素二相組織鋼線の母材となる金属線材に電気
めっき等により硬質膜5を被覆し、これを冷間伸線加工
により強加工して上記硬質膜5に塑性加工による加工歪
を付与するとともに、所定線径の金属線材を形成する。
次に、この金属線材の表面に貴金属膜6を被覆し、これ
を同じく冷間伸線加工により強加工して上記貴金属膜6
に塑性加工による加工歪を付与する。この伸線加工を所
定線径が得られるまで繰り返し行い、これにより線径15
0 μm 以下の低炭素二相組織鋼線4を得る。First Step First, a hard wire 5 is coated on a metal wire, which is a base material of a low carbon dual phase steel wire, by electroplating or the like, and the hard film 5 is subjected to a strong working by cold wire drawing to form the hard film 5. In addition to imparting a processing strain due to plastic working, a metal wire having a predetermined wire diameter is formed.
Next, the surface of the metal wire is coated with a noble metal film 6, and the noble metal film 6 is subjected to strong working by cold drawing as well.
Add processing strain due to plastic working. This wire drawing process is repeated until the specified wire diameter is obtained,
A low carbon dual phase steel wire 4 having a size of 0 μm or less is obtained.
【0029】次いで、上記低炭素二相組織鋼線4を緊張
状態に引っ張りながら、例えば430℃に加熱された加熱
炉内で30秒間保持して低炭素二相組織鋼線4に熱処理を
施す。この後、鋼線4をボビン14に巻き取る。これに
より直線状に直伸化された低炭素二相組織鋼線4が製造
される。なお、この熱処理における温度,保持時間は特
に限定するものではなく、強度を低下させることなく加
工歪の除去に適した温度,時間を設定すればよい。Then, while pulling the low carbon dual phase steel wire 4 in a tensioned state, the low carbon dual phase steel wire 4 is heat treated by being held in a heating furnace heated to, for example, 430 ° C. for 30 seconds. Then, the steel wire 4 is wound around the bobbin 14. As a result, the low-carbon dual-phase steel wire 4 linearly drawn straight is manufactured. The temperature and holding time in this heat treatment are not particularly limited, and the temperature and time suitable for removing the processing strain without lowering the strength may be set.
【0030】第2工程 まず、図5に示す布線装置8を準備する。この布線装置
8は長方形状の固定台9と、該固定台9に対してa方向
に移動可能に配設された一対のクランプ10a,10b
と、上記a方向及びb方向に移動可能に構成された加熱
制御装置12とを備えており、この制御装置12には+
極電極12a,及び−極電極12bが突設されている。Second Step First, the wiring device 8 shown in FIG. 5 is prepared. This wiring device 8 has a rectangular fixed base 9 and a pair of clamps 10a, 10b arranged so as to be movable in the a direction with respect to the fixed base 9.
And a heating control device 12 configured to be movable in the a direction and the b direction, and the control device 12 has a +
A pole electrode 12a and a-pole electrode 12b are provided so as to project.
【0031】また、上記第2工程の布線作業に用いられ
る矩形板状の母基台13を準備する。この母基台13は
ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂製のものであり、他
にはポリエーテル,エーテルケトン等が採用できる。そ
して上記母基台13の一縁部に矩形状の開口窓部13a
を形成し、この母基台3の窓部13aの一側部が後述す
る屈曲加工時の保持基台13bとなり、他側部が上述の
樹脂基台3となる。なお、上記樹脂基台3及び保持基台
13bはそれぞれ別部品で構成し、この両基台3,13
bを間隔をあけて固定し、この間隔を上記窓部13aと
してもよい。Further, a rectangular plate-shaped mother base 13 used for the wiring work in the second step is prepared. The mother base 13 is made of a thermoplastic resin such as polycarbonate, and other materials such as polyether and ether ketone can be used. A rectangular opening window 13a is formed on one edge of the mother base 13.
And one side portion of the window 13a of the mother base 3 serves as a holding base 13b during bending processing described later, and the other side serves as the resin base 3 described above. The resin base 3 and the holding base 13b are formed as separate parts.
It is also possible to fix b at an interval and use this interval as the window 13a.
【0032】そして、上記布線装置8の固定台9上に母
基台13を並列配置し、各母基台13をビスで固定す
る。次に、上記布線装置8に低炭素二相組織鋼線4が巻
回されたボビン14をセットし、この低炭素二相組織鋼
線4を上記クランプ装置10a,10b間に挿通して架
け渡すとともに、該クランプ装置10aにより鋼線4を
これに張力をかけて緊張状態に支持する。Then, the mother bases 13 are arranged in parallel on the fixed base 9 of the wiring device 8 and each mother base 13 is fixed with screws. Next, the bobbin 14 on which the low carbon two-phase structure steel wire 4 is wound is set on the wiring device 8, and the low carbon two-phase structure steel wire 4 is inserted between the clamp devices 10a and 10b and hung. While passing, the steel wire 4 is supported by the clamp device 10a in a tensioned state by applying tension to the steel wire 4.
【0033】次に、上記クランプ装置10a,10bを
a方向に移動させて、低炭素二相組織鋼線4を各母基台
13の窓部13a上を通る所定位置にセットする。この
状態で加熱制御装置12の両電極12a,12bに通電
して上記鋼線4を、例えば180 〜220 ℃に加熱押圧しつ
つ制御装置12を鋼線4に沿ってb方向に移動させる。
すると母基台13の鋼線4が当接する部分が溶融し、鋼
線4は窓部13aを横切る状態で母基台3内に埋め込ま
れることとなり、これにより上記低炭素二相組織鋼線4
の直径方向の1/2 以上、例えば70%が母基台13内に
埋設され、残りの部分は基台13上面に露出することと
なる。この場合、上記母基台13の鋼線4が埋設される
部分に、ダイシングマシン等でV字状の溝部を予め形成
し、この溝内に上記鋼線4を配置してもよい。また上記
溝を形成するにあたっては、鋼線4の下面を挟持するよ
うに溝の幅,深さを適宜設定する。Next, the clamp devices 10a and 10b are moved in the direction a to set the low carbon dual phase steel wire 4 at a predetermined position passing over the window 13a of each mother base 13. In this state, both electrodes 12a, 12b of the heating control device 12 are energized to heat and press the steel wire 4 to, for example, 180 to 220 ° C., and the control device 12 is moved along the steel wire 4 in the b direction.
Then, the portion of the mother base 13 on which the steel wire 4 abuts is melted, and the steel wire 4 is embedded in the mother base 3 in a state of traversing the window portion 13a, whereby the low carbon dual phase steel wire 4 is formed.
1/2 or more, for example 70%, in the diametrical direction is embedded in the mother base 13, and the remaining part is exposed on the upper surface of the base 13. In this case, a V-shaped groove may be formed in advance in a portion of the mother base 13 in which the steel wire 4 is embedded, and the steel wire 4 may be arranged in this groove. In forming the groove, the width and depth of the groove are appropriately set so as to sandwich the lower surface of the steel wire 4.
【0034】上記1本目の布線が終了したら上記クラン
プ装置10a,10bを所定ピッチ移動させ、2本めの
布線を行う。このような布線作業を順次繰り返して行っ
て、低炭素二相組織鋼線4を80〜130 本埋め込んだ後、
各母基台13の両端縁の鋼線4を切断して切り離す( 図
3(a) 参照) 。なお、上記布線作業を行う場合、多数の
低炭素二相組織鋼線4を所定ピッチごとに配列してお
き、この各鋼線4を同時に埋め込んでもよい。また上記
母基台13への固着は接着剤で行ってもよい。When the first wiring is completed, the clamp devices 10a and 10b are moved by a predetermined pitch to perform the second wiring. After repeating such wiring work in sequence to embed 80 to 130 low carbon dual phase steel wires 4,
The steel wires 4 at both edges of each mother base 13 are cut and separated (see FIG. 3 (a)). When performing the above wiring work, a large number of low carbon dual phase steel wires 4 may be arranged at a predetermined pitch, and the steel wires 4 may be simultaneously embedded. The fixing to the mother base 13 may be performed with an adhesive.
【0035】第3工程 上記布線化した母基台13をピン成形用の金型装置15
にセットし、該装置15で母基台13の鋼線4方向両端
部の保持基台13b側と樹脂基台3側とをそれぞれ挟持
する。この状態で母基台13の窓部13aの両縁部を切
断して母基台13を両基台3,13bに分離する(図3
(b) 参照)。Third Step A die device 15 for pin-forming the mother base 13 with the above wiring.
Then, the device 15 clamps the holding base 13b side and the resin base 3 side of both ends of the mother base 13 in the steel wire 4 direction, respectively. In this state, both edges of the window portion 13a of the mother base 13 are cut to separate the mother base 13 into both bases 3 and 13b (FIG. 3).
(See (b)).
【0036】続いて、図4に示すように、樹脂基台3を
挟持して固定し、保持基台13bに張力をかけて両基台
3,13b間の低炭素二相組織鋼線4を緊張状態に引っ
張る。この状態で、上記金型装置15の第1金型15a
を鋼線4に当接させ(図4(a) 参照)、この鋼線4を金
型15aに沿って倒し、該第1金型15aに第2金型1
5bを押圧して鋼線4にプローブピン2の突出部2bに
対応する湾曲部を形成する(図4(b) 参照) 。Subsequently, as shown in FIG. 4, the resin base 3 is clamped and fixed, and tension is applied to the holding base 13b to form the low carbon dual phase steel wire 4 between the bases 3 and 13b. Pull in tension. In this state, the first mold 15a of the mold device 15 is
With the steel wire 4 (see FIG. 4 (a)), the steel wire 4 is laid down along the mold 15a, and the second mold 1 is attached to the first mold 15a.
5b is pressed to form a curved portion on the steel wire 4 corresponding to the protruding portion 2b of the probe pin 2 (see FIG. 4 (b)).
【0037】そして、上記第1,第2金型15a,15
bで突出部2bを押圧挟持した状態で、加熱装置20に
より上記突出部2bを加熱する。続いて保持基台13b
に張力をかけて上記突出部2bの加熱部分を伸線させて
テーパー状の接触尖部2dを形成する。この後、上記鋼
線4の保持基台13b側部分を切断する。この後、上記
各接触尖部2dの先端表面にスパッタリング法等により
硬質皮膜をコーティングする。これにより、本実施例の
プローブユニット1が製造される(図1及び図2参
照)。このようにして製造されたプローブユニット1の
各プローブピン2の本体部2aに、上述のTABの各配
線を熱圧着により貼着し、これを図示しない検査装置に
組付ける。Then, the first and second molds 15a, 15
While the protruding portion 2b is pressed and sandwiched by b, the protruding portion 2b is heated by the heating device 20. Subsequently, the holding base 13b
A tension is applied to the wire to draw the heated portion of the protrusion 2b to form a tapered contact point 2d. After that, the holding base 13b side portion of the steel wire 4 is cut. After that, a hard film is coated on the tip surface of each contact point 2d by a sputtering method or the like. As a result, the probe unit 1 of this embodiment is manufactured (see FIGS. 1 and 2). Each of the above-mentioned TAB wirings is attached by thermocompression bonding to the main body portion 2a of each probe pin 2 of the probe unit 1 manufactured in this manner, and this is attached to an inspection device (not shown).
【0038】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例のプローブユニット1は、図1及び図2に
示すように、半導体集積回路の回路基板17にパターン
形成された配線の導通検査を行うものである。上記回路
基板17の各配線上にプローブユニット1を配置し、こ
れを垂直方向に下降させて各プローブピン2の接触尖部
2dの先端を回路基板17の被検査面Aである各配線に
当接させる。これにより電気的導通性をチェックする。Next, the function and effect of this embodiment will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, the probe unit 1 according to the present embodiment is for conducting a continuity inspection of a wiring formed in a pattern on a circuit board 17 of a semiconductor integrated circuit. The probe unit 1 is arranged on each wiring of the circuit board 17, and the probe unit 1 is vertically lowered so that the tip of the contact point 2d of each probe pin 2 contacts each wiring which is the surface A to be inspected of the circuit board 17. Contact. This checks the electrical continuity.
【0039】この場合、図1に示すように、上記各プロ
ーブピン2の突出部2bはこれの肩部2cから被検査面
Aに向かって湾曲状に傾斜しており、しかも先端がテー
パー状に尖っている。従って、接触尖部2dが被検査面
Aに食い込むと同時に、突出部2bが弾性変形し、これ
により被検査面Aにかかる荷重を一定にしながら瞬間的
に高い接触面圧がえられる。その結果、極めて良好な電
気的導通性を得ることができ、安定した検査性能が得ら
れる。In this case, as shown in FIG. 1, the protruding portion 2b of each probe pin 2 is curved from the shoulder portion 2c thereof toward the surface A to be inspected, and the tip is tapered. It's sharp. Therefore, at the same time when the contact point 2d bites into the surface A to be inspected, the protrusion 2b elastically deforms, whereby a high contact surface pressure can be obtained momentarily while keeping the load applied to the surface A to be inspected constant. As a result, extremely good electrical conductivity can be obtained, and stable inspection performance can be obtained.
【0040】また、本実施例では、樹脂基台3に低炭素
二相組織鋼線4を所定ピッチごとに配置し、該樹脂基台
3の鋼線4が当接する部分を加熱溶融させ、これにより
上記鋼線4の直径方向1/2 以上を埋設して固着したの
で、線径150 μm 以下の超極細化した鋼線4を直線状に
確実に保持することができる。これにより従来では困難
であったピッチ精度の誤差範囲を±20μm 以下にできる
とともに、300 μm 以下のファインピッチが可能とな
り、ICパッドの高密度化に対応できる。その結果、従
来のようなプローブユニットの積層化を不要にできるこ
とから、それだけ生産性を向上できるとともに、低コス
ト化,小型化に貢献できる。In this embodiment, the low carbon dual phase steel wire 4 is arranged on the resin base 3 at a predetermined pitch, and the portion of the resin base 3 on which the steel wire 4 abuts is heated and melted. Thus, since the steel wire 4 is embedded and fixed in the diameter direction of 1/2 or more, the ultrafine steel wire 4 having a wire diameter of 150 μm or less can be reliably held straight. As a result, the error range of pitch accuracy, which was difficult in the past, can be reduced to ± 20 μm or less, and fine pitch of 300 μm or less can be achieved, which enables high density of IC pads. As a result, it is possible to eliminate the need for stacking the probe units as in the conventional case, and thus it is possible to improve productivity as much as that and contribute to cost reduction and size reduction.
【0041】また、本実施例の製造方法では、プローブ
ピン2の突出部2bを成形加工し、該突出部2bに引張
力を作用させならが加熱して接触尖部2dを形成したの
で、多数のピンを同時に、かつ同一形状に成形でき、従
来の1本ずつピン成形する場合に比べて加工精度,ピン
先端精度を向上でき、ひいては生産性を向上できる。ち
なみに従来のピン先端精度は±30〜35μm が限度であっ
たが、本実施例では±20μm 以下にすることができる。
なお、上記テーパー部は、屈曲成形した後、化学研磨,
あるいは電解研磨により形成してもよく、この場合もピ
ン先端精度を向上できる。Further, in the manufacturing method of this embodiment, since the protruding portion 2b of the probe pin 2 is molded and the tensile force is applied to the protruding portion 2b to heat the protruding portion 2b to form the contact point 2d, a large number of them are formed. The pins can be formed into the same shape at the same time, and the processing accuracy and the pin tip accuracy can be improved, and productivity can be improved, as compared with the conventional case of forming the pins one by one. By the way, the conventional pin tip accuracy is limited to ± 30 to 35 μm, but in this embodiment, it can be set to ± 20 μm or less.
In addition, the above-mentioned taper portion is subjected to chemical polishing, after being bent and formed.
Alternatively, it may be formed by electrolytic polishing, and in this case also, the pin tip accuracy can be improved.
【0042】さらに上記プローブピン2に低炭素二相組
織鋼線4を採用したので、素線自体の強度,剛性,靱性
等を向上でき、かつ線径を極めて小さくできる。これに
よりプローブピン2としての検査性能をさらに向上でき
る。Further, since the low carbon dual phase steel wire 4 is adopted for the probe pin 2, the strength, rigidity, toughness and the like of the wire itself can be improved and the wire diameter can be made extremely small. As a result, the inspection performance of the probe pin 2 can be further improved.
【0043】なお、上記実施例では、プローブピン2の
直径方向の一部を埋設した場合を例にとって説明した
が、本発明はこれに限られるものではなく、例えば上記
プローブピン2の長手方向の一部を埋設し、残りの部分
を露出させてもよく、あるいは全部埋設して鋼線4の端
面を樹脂基台3の端面から露出させてもよい。In the above embodiment, the case where a part of the probe pin 2 in the diametrical direction is embedded is described, but the present invention is not limited to this, and for example, in the longitudinal direction of the probe pin 2. A part of the steel wire 4 may be buried and the remaining part may be exposed, or the entire end of the steel wire 4 may be exposed from the end surface of the resin base 3.
【0044】また、上記実施例では、半導体集積回路に
採用されるプローブユニットを例にとって説明したが、
本発明のプローブユニットの用途はこれに限られるもの
ではなく、液晶ディスプレイの検査にも適用でき、要は
高密度の接点の導通検査用プローブピンに適用できる。
さらに、上記実施例では低炭素二相組織鋼線を採用した
が、本発明はステンレス線,ピアノ線を採用してもよ
く、この場合も上記実施例と略同様の効果が得られる。In the above embodiment, the probe unit employed in the semiconductor integrated circuit has been described as an example.
The use of the probe unit of the present invention is not limited to this, and it can be applied to the inspection of liquid crystal displays, and in short, it can be applied to the probe pin for the continuity inspection of high-density contacts.
Further, although the low-carbon dual-phase steel wire is adopted in the above-mentioned embodiment, the present invention may adopt a stainless wire or a piano wire, and in this case, substantially the same effect as the above-mentioned embodiment can be obtained.
【0045】[0045]
【発明の効果】以上のように本発明に係るプローブユニ
ット及び該ユニットの製造方法によれば、線径150 μm
以下の金属極細線からなるプローブピンを絶縁性基台に
所定ピッチごとに、かつ該基台から一部を突出させて固
着し、該突出部を被検査面側に湾曲するよう屈曲成形す
るとともに、先端にテーパー状の接触尖部を形成したの
で、該接触尖部が被検査面に食い込み、被検査面にかか
る荷重を一定にできるとともに、瞬間的に高い接触面圧
を得ることができ、安定した検査を実現できる効果があ
り、また300 μm 以下のファインピッチに対応できると
ともに、ピッチ精度を向上できる効果がある。As described above, according to the probe unit and the method of manufacturing the unit of the present invention, the wire diameter is 150 μm.
The probe pins made of the following metal ultrafine wires are fixed to the insulating base at a predetermined pitch, and a part of the probe pins is protruded from the base, and the protrusion is bent and formed to be curved toward the surface to be inspected. Since the tapered contact point is formed at the tip, the contact point bites into the surface to be inspected, the load applied to the surface to be inspected can be made constant, and a momentary high contact surface pressure can be obtained. It has the effect of achieving stable inspection, and is capable of handling fine pitches of 300 μm or less and improving pitch accuracy.
【図1】本発明の一実施例によるプローブユニットを説
明するための側面図である。FIG. 1 is a side view illustrating a probe unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
【図2】上記実施例のプローブユニットによる検査方法
を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an inspection method using the probe unit of the above embodiment.
【図3】上記実施例ユニットの製造方法を説明するため
の工程図である。FIG. 3 is a process drawing for explaining the manufacturing method for the unit of the embodiment.
【図4】上記実施例ユニットの突出部、接触尖部の成形
方法を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process diagram for explaining a method for forming a protrusion and a contact point of the example unit.
【図5】上記実施例ユニットの製造方法に採用される布
線装置を示す概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a wiring device used in the method of manufacturing the unit of the embodiment.
【図6】上記実施例ユニットのプローブピンの断面図で
ある。FIG. 6 is a cross-sectional view of a probe pin of the example unit.
【図7】本発明の成立過程を説明するためのプローブユ
ニットの側面図である。FIG. 7 is a side view of the probe unit for explaining the establishment process of the present invention.
【図8】従来のプローブユニットを示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a conventional probe unit.
【図9】従来のプローブユニットの構造を示す断面図で
ある。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional probe unit.
1 プローブユニット 2 プローブピン 2b 突出部 2d 接触尖部 3 樹脂基台(絶縁性基台) 4 低炭素二相組織鋼線(金属極細線) 5 硬質膜 6 貴金属膜 A 被検査面 1 Probe Unit 2 Probe Pin 2b Projection 2d Contact Point 3 Resin Base (Insulating Base) 4 Low Carbon Dual Phase Steel Wire (Extra-fine Metal Wire) 5 Hard Film 6 Noble Metal Film A Surface to be Inspected
Claims (5)
プローブピンを絶縁性基台上に所定ピッチごとに、かつ
該基台から上記プローブピンの一部を突出させて固着
し、該突出部を、被検査面側に湾曲し、かつ自己弾性を
有する弧状に屈曲成形するとともに、該突出部の先端に
テーパー状をなし、被検査面に高面圧で当接する接触尖
部を形成したことを特徴とするプローブユニット。1. A probe pin made of a metal ultrafine wire having a wire diameter of 150 μm or less is fixed on an insulating base at a predetermined pitch, and a part of the probe pin is protruded from the base, and the protrusion is formed. Part is curved toward the surface to be inspected and is bent and formed in an arc shape having self-elasticity, and the tip of the protrusion is formed into a taper shape to form a contact point which comes into contact with the surface to be inspected at a high surface pressure. A probe unit characterized by the above.
接触尖部の表面に導電性,耐蝕性に優れた硬質皮膜をコ
ーティングしたことを特徴とするプローブユニット。2. The probe unit according to claim 1, wherein a surface of the contact point of the probe pin is coated with a hard film having excellent conductivity and corrosion resistance.
線が引張り強度300Kgf/mm2以上の低炭素二相組織鋼線で
あることを特徴とするプローブユニット。3. The probe unit according to claim 1, wherein the fine metal wire is a low carbon dual phase steel wire having a tensile strength of 300 kgf / mm 2 or more.
極細線を絶縁性基台上に所定ピッチごとに、かつ該基台
から上記金属極細線の一部を突出させて固着し、該突出
部を、被検査面側に湾曲し、かつ自己弾性を有する弧状
に屈曲成形するとともに、該突出部の先端を加熱しなが
ら引張力を付加して伸線することにより該先端にテーパ
ー状の接触尖部を形成したことを特徴とするプローブユ
ニットの製造方法。4. A metal fine wire for a probe pin having a wire diameter of 150 μm or less is fixed on an insulating base at a predetermined pitch, and a part of the metal fine wire is projected from the base, and the projection is made. Portion is curved toward the surface to be inspected and is bent and formed in an arc shape having self-elasticity, and the tip of the protruding portion is heated and a tensile force is applied to draw it to make a taper contact with the tip. A method for manufacturing a probe unit, which comprises forming a pointed portion.
極細線を絶縁性基台上に所定ピッチごとに、かつ該基台
から上記金属極細線の一部を突出させて固着し、該突出
部を被検査面側に湾曲し、かつ自己弾性を有する弧状に
屈曲形成し、しかる後該突出部の先端に化学研磨,ある
いは電解研磨によりテーパー状の接触尖部を形成したこ
とを特徴とするプローブユニットの製造方法。5. A metal fine wire for a probe pin having a wire diameter of 150 μm or less is fixed on an insulating base at a predetermined pitch, and a part of the metal fine wire is projected from the base, and the projection is made. Characterized in that the portion is curved toward the surface to be inspected and is bent in an arc shape having self-elasticity, and then a tapered contact point is formed at the tip of the protruding portion by chemical polishing or electrolytic polishing. Manufacturing method of probe unit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039711A JPH06249878A (en) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Probe unit and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039711A JPH06249878A (en) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Probe unit and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06249878A true JPH06249878A (en) | 1994-09-09 |
Family
ID=12560583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5039711A Withdrawn JPH06249878A (en) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Probe unit and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06249878A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005042A1 (en) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conductive contact |
| US6906540B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-06-14 | Wentworth Laboratories, Inc. | Method for chemically etching photo-defined micro electrical contacts |
| US6977515B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-12-20 | Wentworth Laboratories, Inc. | Method for forming photo-defined micro electrical contacts |
| US7282936B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-10-16 | Wentworth Laboratories, Inc. | Die design with integrated assembly aid |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP5039711A patent/JPH06249878A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005042A1 (en) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conductive contact |
| US7081767B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-07-25 | Nhk Spring Co., Ltd. | Electroconductive contact unit |
| US6906540B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-06-14 | Wentworth Laboratories, Inc. | Method for chemically etching photo-defined micro electrical contacts |
| US6977515B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-12-20 | Wentworth Laboratories, Inc. | Method for forming photo-defined micro electrical contacts |
| US7282936B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-10-16 | Wentworth Laboratories, Inc. | Die design with integrated assembly aid |
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