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JPH06238167A - Crystalline aluminosilicate and catalyst for purification of exhaust gas - Google Patents

Crystalline aluminosilicate and catalyst for purification of exhaust gas

Info

Publication number
JPH06238167A
JPH06238167A JP5025168A JP2516893A JPH06238167A JP H06238167 A JPH06238167 A JP H06238167A JP 5025168 A JP5025168 A JP 5025168A JP 2516893 A JP2516893 A JP 2516893A JP H06238167 A JPH06238167 A JP H06238167A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystalline aluminosilicate
sio
group
plane
catalyst
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5025168A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshikazu Fujisawa
義和 藤澤
Takashi Honda
崇 本多
Naohiro Sato
尚宏 佐藤
Tomoki Sugiyama
知己 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honda Motor Co Ltd
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honda Motor Co Ltd filed Critical Honda Motor Co Ltd
Priority to JP5025168A priority Critical patent/JPH06238167A/en
Publication of JPH06238167A publication Critical patent/JPH06238167A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 優れた耐熱性を有する結晶性アルミノケイ酸
塩を提供する。 【構成】 結晶性アルミノケイ酸塩は、格子面間隔が
4.0Å以上である第1の結晶面群において、ミラー指
数h,k,lがそれぞれ2以下である複数の結晶面CF
1 のうち、最大X線反射強度を示す(200)面のX線
反射強度I1 と、格子面間隔が3Å以上、4Å未満であ
る第2の結晶面群のうち、最大X線反射強度を示す結晶
面CF2 、したがって(202)面のX線反射強度I2
との比I1 /I2 を0.76≦I1 /I2 ≦1.10に
設定されている。(200)面は、分子レベルの微細孔
を持つ結晶性アルミノケイ酸塩特有の空洞構造の周期性
に起因する結晶面であり、また(202)面は、主とし
てSiO4 四面体構造部より構成される結晶性アルミノ
ケイ酸塩の基本骨格構造に起因する結晶面である。
(57) [Summary] [Object] To provide a crystalline aluminosilicate having excellent heat resistance. [Structure] The crystalline aluminosilicate comprises a plurality of crystal planes CF each having a Miller index h, k, l of 2 or less in the first crystal plane group having a lattice spacing of 4.0 Å or more.
Of 1 indicates the maximum X-ray reflection intensity and (200) X-ray reflection intensity I 1 of the plane lattice spacing is more 3 Å, of the second crystal plane group is less than 4 Å, a maximum X-ray reflection intensity The crystal plane CF 2 shown, and therefore the X-ray reflection intensity I 2 of the (202) plane
The ratio I 1 / I 2 is set to 0.76 ≦ I 1 / I 2 ≦ 1.10. The (200) plane is a crystal plane due to the periodicity of the cavity structure peculiar to crystalline aluminosilicate having fine pores at the molecular level, and the (202) plane is mainly composed of a SiO 4 tetrahedral structure. Is a crystal plane resulting from the basic skeleton structure of the crystalline aluminosilicate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は結晶性アルミノケイ酸塩
およびそれを担体とする排気ガス浄化用触媒に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a crystalline aluminosilicate and an exhaust gas purifying catalyst using the crystalline aluminosilicate as a carrier.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種結晶性アルミノケイ酸塩、
例えばゼオライトおよびそれを担体とする触媒としては
特開平2−126941号公報に開示されたものが公知
であり、このゼオライトは水熱処理により表面を脱Al
化したものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, this seed crystal aluminosilicate,
For example, as a zeolite and a catalyst having the same as a carrier, the one disclosed in JP-A-2-126941 is known, and the surface of this zeolite is treated by hydrothermal treatment to remove Al.
It has been transformed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】エンジンにおける排気
ガス浄化用触媒の担体には900〜1000℃の耐熱性
が要求されているが、従来のゼオライトはその耐熱温度
が700℃程度であるため、それを前記担体として用い
た場合には高温耐久性が乏しい、という問題があった。
The carrier for the exhaust gas purifying catalyst in the engine is required to have a heat resistance of 900 to 1000 ° C., but the conventional zeolite has a heat resistant temperature of about 700 ° C. When used as the carrier, there was a problem that the high temperature durability was poor.

【0004】本発明は前記に鑑み、結晶構造を特定する
ことによって耐熱温度を大幅に向上させることができる
ようにした前記結晶性アルミノケイ酸塩を提供すること
を目的とする。
In view of the above, it is an object of the present invention to provide the above-mentioned crystalline aluminosilicate capable of significantly improving the heat resistant temperature by specifying the crystal structure.

【0005】また本発明は、担体として前記結晶性アル
ミノケイ酸塩を用いることにより、優れた高温耐久性を
有すると共に排気ガス浄化率の高い前記触媒を提供する
ことを目的とする。
Another object of the present invention is to provide the catalyst having excellent high temperature durability and high exhaust gas purification rate by using the crystalline aluminosilicate as a carrier.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る結晶性アル
ミノケイ酸塩は、格子面間隔が4.0Å以上である第1
の結晶面群において、ミラー指数h,k,lがそれぞれ
2以下である複数の結晶面CF1 のうち、最大X線反射
強度を示す結晶面のX線反射強度I1 と、格子面間隔が
3Å以上、4Å未満である第2の結晶面群のうち、最大
X線反射強度を示す結晶面CF2 のX線反射強度I2
の比I1 /I2 が0.76≦I1 /I2≦1.10であ
ることを特徴とする。
The crystalline aluminosilicate according to the present invention has a lattice spacing of 4.0 Å or more.
In the crystal plane group of, the X-ray reflection intensity I 1 of the crystal face having the maximum X-ray reflection intensity among the plurality of crystal faces CF 1 having the mirror indices h, k, and 1 of 2 or less and the lattice plane spacing are 3Å above, of the second crystal plane group is less than 4 Å, the ratio I 1 / I 2 of the X-ray reflection intensity I 2 of the crystal plane CF 2 showing a maximum X-ray reflection intensity is 0.76 ≦ I 1 / It is characterized in that I 2 ≦ 1.10.

【0007】本発明に係る排気ガス浄化用触媒は、格子
面間隔が4.0Å以上である第1の結晶面群において、
ミラー指数h,k,lがそれぞれ2以下である複数の結
晶面CF1 のうち、最大X線反射強度を示す結晶面のX
線反射強度I1 と、格子面間隔が3Å以上、4Å未満で
ある第2の結晶面群のうち、最大X線反射強度を示す結
晶面CF2 のX線反射強度I2 との比I1 /I2 が0.
76≦I1 /I2 ≦1.10である結晶性アルミノケイ
酸塩と、その結晶性アルミノケイ酸塩に担持された触媒
用金属とより構成され、前記触媒用金属は周期表第Ib
族、鉄族および白金族の少なくとも1つの族から選択さ
れる少なくとも一種の金属であることを特徴とする。
In the exhaust gas purifying catalyst according to the present invention, in the first crystal plane group having a lattice spacing of 4.0 Å or more,
Among a plurality of crystal planes CF 1 each having a Miller index h, k, l of 2 or less, X of the crystal plane showing the maximum X-ray reflection intensity
A line reflection intensity I 1, the lattice spacing is more 3 Å, of the second crystal plane group is less than 4 Å, the ratio I 1 of the X-ray reflection intensity I 2 of the crystal plane CF 2 showing a maximum X-ray reflection intensity / I 2 is 0.
It is composed of a crystalline aluminosilicate with 76 ≦ I 1 / I 2 ≦ 1.10 and a catalytic metal supported on the crystalline aluminosilicate, the catalytic metal being Ib of the periodic table.
It is characterized in that it is at least one metal selected from at least one group selected from the group consisting of iron, iron and platinum.

【0008】[0008]

【作用】結晶性アルミノケイ酸塩において、その結晶構
造を前記のように特定すると、耐熱温度を900〜10
00℃に上昇させることができる。このように耐熱性が
向上する理由は次のように考えられる。即ち、前記結晶
面CF1 は、分子レベルの微細孔を持つ結晶性アルミノ
ケイ酸塩特有の空洞構造の周期性に起因する結晶面であ
り、また前記結晶面CF2 は、主としてSiO4 四面体
構造部より構成される結晶性アルミノケイ酸塩の基本骨
格構造に起因する結晶面である。これら結晶面CF1
CF2 のX線反射強度の比I1 /I2 を前記のように設
定すると、結晶性アルミノケイ酸塩は、結晶性の良好な
結晶面CF1 を有すると共に確固とした基本骨格構造を
備え、これが耐熱性向上の要因となっている。
When the crystal structure of the crystalline aluminosilicate is specified as described above, the heat resistance temperature is 900 to 10
It can be raised to 00 ° C. The reason why the heat resistance is improved is considered as follows. That is, the crystal plane CF 1 is a crystal plane due to the periodicity of the cavity structure peculiar to crystalline aluminosilicate having fine pores at the molecular level, and the crystal plane CF 2 is mainly a SiO 4 tetrahedral structure. 3 is a crystal plane resulting from the basic skeleton structure of the crystalline aluminosilicate composed of the parts. These crystal planes CF 1 ,
When the ratio I 1 / I 2 of the X-ray reflection intensity of CF 2 is set as the crystalline aluminosilicate has a basic skeleton structure with a firm which has a good crystal plane CF 1 crystalline, This is a factor for improving heat resistance.

【0009】また水を含む高温環境においては、通常の
結晶性アルミノケイ酸塩は高活性な高温水によって構造
破壊を生じるが、本発明に係る結晶性アルミノケイ酸塩
は、良好な耐熱性を有するので、前記のような過酷な環
境下でも安定している。
In a high-temperature environment containing water, the structure of ordinary crystalline aluminosilicate is destroyed by high-activity hot water, but the crystalline aluminosilicate according to the present invention has good heat resistance. It is stable even under the harsh environment described above.

【0010】ただし、前記X線反射強度の比I1 /I2
がI1 /I2 <0.76では、結晶面CF1 の結晶性が
悪化するため結晶性アルミノケイ酸塩の耐熱性が低下
し、一方、I1 /I2 >1.10では基本骨格構造が破
壊されるため、同様に結晶性アルミノケイ酸塩の耐熱性
が低下する。
However, the ratio of the X-ray reflection intensities I 1 / I 2
When I 1 / I 2 <0.76, the crystallinity of the crystal plane CF 1 deteriorates and the heat resistance of the crystalline aluminosilicate decreases, while when I 1 / I 2 > 1.10, the basic skeleton structure As a result, the heat resistance of the crystalline aluminosilicate is similarly reduced.

【0011】一方、排気ガス浄化用触媒は、前記結晶性
アルミノケイ酸塩を担体とするので、優れた高温耐久性
を有し、高温下に長時間曝されても高い排気ガス浄化率
を有する。なお、触媒用金属の担持法としては、溶液の
含浸等による溶液法、イオン交換法等が適用される。
On the other hand, since the exhaust gas purifying catalyst uses the crystalline aluminosilicate as a carrier, it has excellent high temperature durability and a high exhaust gas purifying rate even when exposed to high temperatures for a long time. As the method of supporting the metal for the catalyst, a solution method such as impregnation with a solution or an ion exchange method is applied.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

A.結晶性アルミノケイ酸塩について 結晶性アルミノケイ酸塩は、未改質ゼオライトとしての
未改質モルデナイト、未改質ZSM−5ゼオライト等に
所定の改質処理を施して製造された改質モルデナイト、
改質ZSM−5ゼオライト等の改質ゼオライトが該当す
る。
A. About Crystalline Aluminosilicate Crystalline aluminosilicate includes unmodified mordenite as unmodified zeolite, modified mordenite produced by subjecting unmodified ZSM-5 zeolite and the like to a predetermined modification treatment,
Modified zeolites such as modified ZSM-5 zeolite are suitable.

【0013】改質処理は、次のような手順で行われる。
(a)未改質ゼオライトを、水を入れた処理槽中に投入
して12規定のHClを徐々に加え、また昇温速度1.
5℃/min の条件で加熱して1時間後に90℃で、且つ
所定規定度のHCl溶液にする。(b)この温度下に未
改質ゼオライトを所定時間保持し、同時にHCl溶液を
攪拌する。この場合、処理槽に冷却塔を付設してHCl
溶液の濃度を前記規定度に維持する。(c)所定規定度
のHCl溶液を降温速度3℃/min の条件で室温まで冷
却する。(d)改質ゼオライトを処理槽中より取出し
て、pH5以上になるまで純水で洗浄し、次いで乾燥す
る。
The reforming process is performed in the following procedure.
(A) The unmodified zeolite is put into a treatment tank containing water, 12N HCl is gradually added, and the temperature rising rate is 1.
After heating at 5 ° C./min for 1 hour, an HCl solution at 90 ° C. and a predetermined normality is formed. (B) The unmodified zeolite is kept at this temperature for a predetermined time, and at the same time, the HCl solution is stirred. In this case, a cooling tower is attached to the treatment tank and HCl is added.
The concentration of the solution is maintained at the specified level. (C) Cool the HCl solution having a predetermined normality to room temperature under the condition of the temperature decreasing rate of 3 ° C./min. (D) The modified zeolite is taken out of the treatment tank, washed with pure water until pH 5 or more, and then dried.

【0014】未改質ゼオライトにおいては、AlO4
面体構造部が骨格構造の微細孔形成部に多く分布してお
り、その結果、前記改質処理により、未改質ゼオライト
の主として微細孔形成部において次のような脱Al反応
が発生する。
In the unmodified zeolite, the AlO 4 tetrahedral structure is mainly distributed in the fine pore-forming portion of the skeleton structure. As a result, the modification treatment mainly causes the fine pore-forming portion of the unmodified zeolite. In, the following Al removal reaction occurs.

【0015】図1(a)に示すように、微細孔1を形成
する微細孔形成部は、O原子を共有して相互に結合され
た複数のSiO4 四面体構造部2と1個以上、図示例で
は便宜上、3個のAlO4 四面体構造部3とより構成さ
れている。
[0015] As shown in FIG. 1 (a), the fine hole forming section for forming micropores 1, a plurality of SiO 4 coupled to each other by sharing the O atom tetrahedral structure 2 with one or more, In the illustrated example, for convenience, it is composed of three AlO 4 tetrahedral structure parts 3.

【0016】このような構造を有する未改質ゼオライト
に前記のようなHCl溶液による改質処理を施すと、図
1(b1 ),(b2 )に示すように、微細孔1を形成す
る2個または全部のAl原子が離脱されて微細孔1から
溶出し、微細孔形成部を構成する複数のSiO4 四面体
構造部2には、隣接するSiO4 四面体構造部から分離
している1個または2個の非共有O原子(イオン)を持
つSiO4 四面体構造部が生成される。
When the unmodified zeolite having such a structure is subjected to the modification treatment with the HCl solution as described above, fine pores 1 are formed as shown in FIGS. 1 (b 1 ) and (b 2 ). Two or all of the Al atoms are detached and eluted from the fine pores 1, and the plurality of SiO 4 tetrahedral structure portions 2 constituting the fine hole forming portion are separated from the adjacent SiO 4 tetrahedral structure portions. SiO 4 tetrahedral structures with one or two unshared O atoms (ions) are created.

【0017】そして、図1(c1 ),(c2 )に示すよ
うに、非共有O原子に化学的活性なH,Na等の陽性原
子およびアンモニウム基等の陽性基の一方、図示例では
H原子が結合する。この場合、図1(c1 )においては
Alが残存しており、そのAlを含むAlO4 四面体構
造部3は陰電荷を帯びたO原子を有するので、そのO原
子にもH原子が結合する。
As shown in FIGS. 1 (c 1 ) and 1 (c 2 ), one of the positive atoms such as H and Na and the positive group such as ammonium group which are chemically active to the non-covalent O atom, in the illustrated example, H atoms bond. In this case, Al remains in FIG. 1 (c 1 ), and the AlO 4 tetrahedral structure 3 containing Al has negatively charged O atoms, so that H atoms also bond to the O atoms. To do.

【0018】このように、微細孔形成部において脱Al
反応を発生させ、その微細孔形成部におけるAl原子の
存在率Aを0%≦A≦15.8%に設定すると、分子レ
ベルの微細孔を持つゼオライト特有の空洞構造の周期性
に起因する結晶面、したがって格子面間隔が4.0Å以
上である第1の結晶面群において、ミラー指数h,k,
lがそれぞれ2以下である複数の結晶面CF1 の結晶性
が向上するためその結晶面CF1 のX線反射強度が増加
する。これら結晶面CF1 の結晶性向上は、これら結晶
面CF1 のうち最大X線反射強度を示す結晶面のX線反
射強度I1 を測定することによって確認される。
As described above, Al removal in the fine hole forming portion is performed.
When a reaction is generated and the abundance A of Al atoms in the fine pore forming part is set to 0% ≤ A ≤ 15.8%, crystals resulting from the periodicity of the cavity structure peculiar to zeolite having fine pores at the molecular level. Planes, and thus the first crystal plane group having a lattice spacing of 4.0 Å or more, Miller indices h, k,
Since the crystallinity of a plurality of crystal planes CF 1 each having l of 2 or less is improved, the X-ray reflection intensity of the crystal planes CF 1 is increased. Improving the crystallinity of the crystal surface CF 1 is confirmed by measuring X-ray reflection intensity I 1 of the crystal plane showing a maximum X-ray reflection intensity of these crystal planes CF 1.

【0019】一方、前記改質処理は、主に微細孔形成部
における脱Al反応を狙ったものであるから、ゼオライ
トの主としてSiO4 四面体構造部より構成される基本
骨格構造を破壊するようなことはない。この基本骨格構
造に起因する結晶面は、格子面間隔が3Å以上、4Å未
満である第2の結晶面群のうち、最大X線反射強度を示
す結晶面CF2 であり、したがって、この結晶面CF2
におけるX線反射強度I2 の改質前後の値が略一定して
いれば基本骨格構造が維持されていると言える。
On the other hand, since the above-mentioned modification treatment mainly aims at the de-Al reaction in the fine pore forming portion, it is possible to destroy the basic skeleton structure mainly composed of the SiO 4 tetrahedral structure portion of zeolite. There is no such thing. The crystal plane resulting from this basic skeleton structure is the crystal plane CF 2 showing the maximum X-ray reflection intensity in the second crystal plane group having a lattice plane interval of 3Å or more and less than 4Å. CF 2
It can be said that the basic skeleton structure is maintained if the value of the X-ray reflection intensity I 2 before and after the modification is substantially constant.

【0020】そこで、種々実験を行ったところ、結晶面
CF1 ,CF2 のX線反射強度の比I1 /I2 を0.7
6≦I1 /I2 ≦1.10に設定することによって、改
質ゼオライトは、結晶性の良好な結晶面CF1 を有する
と共に確固とした基本骨格構造を備え、これにより耐熱
温度を900〜1000℃に上昇させることができる、
ということが実証された。
[0020] Therefore, when conducted various experiments, the ratio I 1 / I 2 of the X-ray reflection intensity of the crystal plane CF 1, CF 2 0.7
By setting 6 ≦ I 1 / I 2 ≦ 1.10, the modified zeolite has a crystallographic plane CF 1 with good crystallinity and a solid basic skeleton structure. Can be raised to 1000 ° C,
It was proved that.

【0021】以下、具体例について説明する。 〔例−I〕この例では、未改質ゼオライトとして、市販
のペレット状Na型未改質モルデナイト(SiO2 /A
2 3 モル比=16.6)を用いた。表1は、実施例
1〜実施例3および比較例の、改質処理における90℃
HCl溶液の規定度および90℃恒温保持時間を示す。
A specific example will be described below. Example-I In this example, commercially available pelletized Na-type unmodified mordenite (SiO 2 / A) was used as the unmodified zeolite.
1 2 O 3 molar ratio = 16.6) was used. Table 1 shows 90 ° C. in the modification treatment of Examples 1 to 3 and Comparative Example.
The normality of the HCl solution and the 90 ° C isothermal holding time are shown.

【0022】[0022]

【表1】 表2は、実施例1〜実施例3、比較例および未改質モル
デナイトにおける総Al存在率ならびに微細孔形成部に
おけるSi含有量、Al含有量およびAl存在率Aをそ
れぞれ示す。なお、Al存在率Aは、A(%)={Al
含有量/(Si含有量+Al含有量)}×100として
求められた。これは以後の各例について同じである。
[Table 1] Table 2 shows the total Al abundance in Examples 1 to 3, the comparative example, and the unmodified mordenite, and the Si content, the Al content, and the Al abundance A in the fine hole forming portion, respectively. The Al existence rate A is A (%) = {Al
Content / (Si content + Al content)} × 100. This is the same for each of the following examples.

【0023】[0023]

【表2】 表2より、改質処理条件を厳しくすると、特に、微細孔
形成部における脱Al反応が活発に行われるためAl存
在率Aが急激に低下することが判る。Al存在率Aがマ
イナスの値をとるということは、微細孔形成部における
Al原子の全部が離脱しただけでなく基本骨格構造にお
いても脱Al反応が発生したことを意味し、この反応が
或程度以上に発生すると、基本骨格構造の破壊を招く。
このAl存在率Aのマイナス値については、以後の各例
について同じである。
[Table 2] From Table 2, it can be seen that when the modifying treatment conditions are made severe, the Al abundance A sharply decreases because the Al removal reaction in the fine hole forming portion is actively performed. The fact that the Al abundance ratio A has a negative value means that not only all of the Al atoms in the fine hole forming portion have been released but also the Al removal reaction has occurred in the basic skeleton structure. If it occurs above, destruction of the basic skeleton structure will be caused.
The negative value of the Al existence rate A is the same for each of the subsequent examples.

【0024】図2は、実施例1のX線回折結果を示す。FIG. 2 shows the X-ray diffraction result of Example 1.

【0025】格子面間隔が4.0Å以上である第1の結
晶面群の各ピークは角2θが2θ≦22°に現われ、し
たがって第1の結晶面群には、ミラー指数(以下、同
じ)で(110)面、(020)面、(200)面、
(111)面、(130)面、(310)面、(33
0)面/(400)面が含まれる。ここで、ミラー指数
h,k,lがそれぞれ2以下である複数の結晶面CF1
には(110)面、(020)面、(200)面、(1
11)面が該当する。これら結晶面CF1 はモルデナイ
ト特有の空洞構造の周期性に起因する結晶面であり、最
大X線反射強度を示す結晶面は(200)面である。
Each peak of the first crystal plane group having a lattice plane spacing of 4.0 Å or more appears at an angle 2θ of 2θ ≦ 22 °. Therefore, the first crystal plane group has a Miller index (hereinafter the same). And (110) plane, (020) plane, (200) plane,
(111) plane, (130) plane, (310) plane, (33
0) plane / (400) plane are included. Here, a plurality of crystal planes CF 1 whose Miller indices h, k, and l are 2 or less, respectively.
Has (110) plane, (020) plane, (200) plane, (1
11) Face is applicable. These crystal planes CF 1 are crystal planes due to the periodicity of the cavity structure peculiar to mordenite, and the crystal plane showing the maximum X-ray reflection intensity is the (200) plane.

【0026】格子面間隔が3Å以上、4Å未満である第
2の結晶面群の各ピークは角2θが22°<2θ≦30
°に現われ、したがって第2の結晶面群には(150)
面、(241)面、(002)面、(202)面、(3
50)面、(132)面/(511)面/(530)面
が含まれる。この第2の結晶面群のうち最大X線反射強
度を示す結晶面CF2 には(202)面が該当する。こ
の(202)面は、モルデナイトにおいて主としてSi
4 四面体構造部より構成される基本骨格構造に起因す
る結晶面である。
Each peak of the second crystal plane group having a lattice plane spacing of 3 Å or more and less than 4 Å has an angle 2θ of 22 ° <2θ ≦ 30.
Appear in °, and therefore the second group of crystal planes is (150)
Plane, (241) plane, (002) plane, (202) plane, (3
The (50) plane and the (132) plane / (511) plane / (530) plane are included. The (202) plane corresponds to the crystal plane CF 2 showing the maximum X-ray reflection intensity in the second crystal plane group. This (202) plane is mainly Si in mordenite.
It is a crystal plane resulting from the basic skeleton structure composed of the O 4 tetrahedral structure portion.

【0027】図3,図4は、実施例2、実施例3の、ま
た図5は比較例の、さらに図6は未改質モルデナイトの
X線回折結果をそれぞれ示す。図3〜図6から、実施例
2、実施例3、比較例および未改質モルデナイトにおい
ても、前記結晶面CF1 のうち最大X線反射強度を示す
結晶面は(200)面であり、また前記結晶面CF2
(202)面であることが判る。
FIGS. 3 and 4 show the X-ray diffraction results of Examples 2 and 3, FIG. 5 of the comparative example, and FIG. 6 of the unmodified mordenite. 3 to 6, in Example 2, Example 3, Comparative Example and unmodified mordenite, the crystal plane showing the maximum X-ray reflection intensity among the crystal planes CF 1 is the (200) plane, and It can be seen that the crystal plane CF 2 is the (202) plane.

【0028】表3は、実施例1〜実施例3、比較例およ
び未改質モルデナイトにおける(200)面のX線反射
強度I1 、実施例1等における(202)面のX線反射
強度I2 ならびに両X線反射強度I1 ,I2 の比I1
2 を示す。
Table 3 shows the X-ray reflection intensity I 1 of the (200) plane in Examples 1 to 3, Comparative Examples and unmodified mordenite, and the X-ray reflection intensity I of the (202) plane in Example 1 and the like. 2 and the ratio of both X-ray reflection intensities I 1 and I 2 I 1 /
I 2 is shown.

【0029】[0029]

【表3】 表3より、実施例1〜実施例3においては、(200)
面のX線反射強度I1が未改質モルデナイトに比べてA
l存在率Aの減少に伴い増加しており、一方、(20
2)面のX線反射強度I2 は未改質モルデナイトのそれ
と略同一であることが判る。比較例の場合は、(20
0)面のX線反射強度I1 が未改質モルデナイトに比べ
て増加しているが、(202)面のX線反射強度I2
未改質モルデナイトのそれに比べて大幅に減少してい
る。
[Table 3] From Table 3, in Examples 1 to 3, (200)
X-ray reflection intensity I 1 of the surface is A compared to unmodified mordenite
l It increases with the decrease of the existence ratio A, while (20
It can be seen that the X-ray reflection intensity I 2 of the 2) surface is substantially the same as that of the unmodified mordenite. In the case of the comparative example, (20
The X-ray reflection intensity I 1 of the (0) plane is increased as compared with that of the unmodified mordenite, but the X-ray reflection intensity I 2 of the (202) plane is significantly decreased as compared with that of the unmodified mordenite. .

【0030】実施例1〜実施例3、比較例および未改質
モルデナイトについて、大気中、加熱温度 600〜1
100℃、加熱時間 18時間の条件で熱劣化テストを
行い、次いで実施例1等についてCu−Kα線による粉
末X線回折を行って熱による結晶の破壊状態を観察した
ところ、表4および図7の結果を得た。
Regarding Examples 1 to 3, Comparative Examples and unmodified mordenite, the heating temperature was 600 to 1 in the air.
A thermal deterioration test was performed under the conditions of 100 ° C. and a heating time of 18 hours, and then a powder X-ray diffraction by Cu-Kα ray was performed for Example 1 and the like to observe the crystal breakdown state by heat. Got the result.

【0031】表4および図7において、「○」印は、テ
スト後においてもX線反射強度に変化がなかった場合を
示し、また「△」印はテスト後におけるX線反射強度の
低下率が10%未満である場合を示し、さらに「×」印
はテスト後におけるX線反射強度の低下率が10%以上
である場合を示す。図7は(200)面について示され
ている。
In Table 4 and FIG. 7, the mark “◯” indicates that the X-ray reflection intensity did not change after the test, and the mark “Δ” indicates the decrease rate of the X-ray reflection intensity after the test. The case is less than 10%, and the mark "x" indicates the case where the reduction rate of the X-ray reflection intensity after the test is 10% or more. FIG. 7 shows the (200) plane.

【0032】[0032]

【表4】 表2〜表4および図7から明らかなように、実施例1〜
実施例3の場合、微細孔形成部におけるAl存在率Aが
A≦15.8%であって前記比I1 /I2 が0.76≦
1 /I2 ≦1.10であることに起因して、耐熱温度
は900〜1000℃に向上している。比較例の場合
は、前記比I1 /I2 がI1 /I2 >1.10であっ
て、改質処理により基本骨格構造が破壊されるため、耐
熱温度が未改質モルデナイトよりも低いことが判明し
た。また未改質モルデナイトの場合は、前記比I1 /I
2 がI1 /I2 <0.76であって、結晶面CF1 の結
晶性が悪いため耐熱温度が低い。 〔例−II〕この例では、未改質ゼオライトとして、次の
ような方法で製造される未改質ZSM−5ゼオライトを
用いた。
[Table 4] As is clear from Tables 2 to 4 and FIG.
In the case of Example 3, the Al existence rate A in the fine hole forming portion is A ≦ 15.8% and the ratio I 1 / I 2 is 0.76 ≦.
Due to the fact that I 1 / I 2 ≦ 1.10, the heat resistant temperature is improved to 900 to 1000 ° C. In the case of the comparative example, the ratio I 1 / I 2 is I 1 / I 2 > 1.10, and since the basic skeleton structure is destroyed by the modification treatment, the heat resistance temperature is lower than that of unmodified mordenite. It has been found. In the case of unmodified mordenite, the above ratio I 1 / I
2 is I 1 / I 2 <0.76 and the crystallinity of the crystal plane CF 1 is poor, so that the heat resistance temperature is low. [Example-II] In this example, unmodified ZSM-5 zeolite manufactured by the following method was used as the unmodified zeolite.

【0033】先ず、コロイダルシリカと硝酸アルミニウ
ムをSiO2 /Al2 3 モル比で35.2となるよう
に混合し、その混合液中にテトラプロピルアンモニウム
(TPA)を、SiO2 /TPAモル比で10となるよ
うに混合して水性ゲルを得た。次いで、水性ゲルを用い
て、10気圧、150℃、350時間の条件で水熱合成
を行い、その後合成物に焼成処理を施してTPAを除去
し、ZSM−5ゼオライトを得た。このZSM−5ゼオ
ライトのSiO2 /Al2 3 モル比は35.2であっ
た。
First, colloidal silica and aluminum nitrate are mixed at a SiO 2 / Al 2 O 3 molar ratio of 35.2, and tetrapropylammonium (TPA) is added to the mixed solution in a SiO 2 / TPA molar ratio. To obtain an aqueous gel. Next, hydrothermal synthesis was performed using an aqueous gel under the conditions of 10 atm, 150 ° C. and 350 hours, and then the synthesized product was subjected to a calcination treatment to remove TPA to obtain ZSM-5 zeolite. SiO 2 / Al 2 O 3 molar ratio of this ZSM-5 zeolite was 35.2.

【0034】未改質ZSM−5ゼオライトに、次のよう
な処理を施して、実施例4〜実施例7の改質ZSM−5
ゼオライトを得た。
The unmodified ZSM-5 zeolite was subjected to the following treatments to obtain the modified ZSM-5 of Examples 4 to 7.
A zeolite was obtained.

【0035】実施例4は、未改質ZSM−5ゼオライト
に実施例3と同様の改質処理を施したものである。実施
例5は、未改質ZSM−5ゼオライトに、それと同量の
純水を加えて得られた湿潤ZSM−5ゼオライトを、8
00℃の雰囲気に3時間保持し、次いで実施例3と同様
の改質処理を行ったものである。実施例6は、未改質Z
SM−5ゼオライトに、それと同量の純水を加えた得ら
れた湿潤ZSM−5ゼオライトを、500℃の雰囲気に
3時間保持し、次いで実施例3と同様の改質処理を行
い、その後前記雰囲気保持および改質処理を2回繰返し
たものである。実施例7は、未改質ZSM−5ゼオライ
トに、それと同量の純水を加えた得られた湿潤ZSM−
5ゼオライトを、800℃の雰囲気に3時間保持し、次
いで実施例3と同様の改質処理を行い、その後前記雰囲
気保持および改質処理を2回繰返したものである。
In Example 4, unmodified ZSM-5 zeolite was subjected to the same modification treatment as in Example 3. In Example 5, the wet ZSM-5 zeolite obtained by adding the same amount of pure water to the unmodified ZSM-5 zeolite was used.
It was held in an atmosphere of 00 ° C. for 3 hours and then subjected to the same modification treatment as in Example 3. Example 6 is unmodified Z
The obtained wet ZSM-5 zeolite prepared by adding the same amount of pure water to SM-5 zeolite was kept in an atmosphere of 500 ° C. for 3 hours, and then subjected to the same modification treatment as in Example 3 and thereafter The atmosphere maintenance and the modification treatment were repeated twice. Example 7 is a wet ZSM- obtained by adding the same amount of pure water to unmodified ZSM-5 zeolite.
5 zeolite was held in an atmosphere of 800 ° C. for 3 hours, then subjected to the same modification treatment as in Example 3, and thereafter, the atmosphere maintenance and the modification treatment were repeated twice.

【0036】表5は、実施例4〜実施例7および未改質
ZSM−5ゼオライトにおける総Al存在率ならびに微
細孔形成部におけるSi含有量、Al含有量およびAl
存在率Aをそれぞれ示す。
Table 5 shows total Al abundances in Examples 4 to 7 and unmodified ZSM-5 zeolite, and Si content, Al content and Al in the fine pore forming part.
The presence rate A is shown.

【0037】[0037]

【表5】 表5より、改質処理条件を厳しくすると、特に、微細孔
形成部における脱Al反応が活発に行われるためAl存
在率Aが急激に低下することが判る。
[Table 5] From Table 5, it can be seen that when the modifying treatment conditions are made severe, the Al abundance ratio A sharply decreases because the Al removal reaction in the fine hole forming portion is actively performed.

【0038】図8は、実施例4のX線回折結果を示す。FIG. 8 shows the X-ray diffraction result of Example 4.

【0039】格子面間隔が4.0Å以上である第1の結
晶面群の各ピークは角2θが2θ≦22°に現われ、し
たがって第1の結晶面群には、(101)面/(01
1)面、(200)面/(020)面、(102)面、
(301)面、(202)面、(232)面が含まれ
る。ここで、ミラー指数h,k,lがそれぞれ2以下で
ある複数の結晶面CF1 には(101)面/(011)
面、(200)面/(020)面、(102)面、(2
02)面が該当する。これらの結晶面CF1 はZSM−
5ゼオライト特有の空洞構造の周期性に起因する結晶面
であり、最大X線反射強度を示す結晶面は(101)面
/(011)面である。
Each peak of the first crystal plane group having a lattice spacing of 4.0 Å or more appears at an angle 2θ of 2θ ≦ 22 °. Therefore, in the first crystal plane group, (101) plane / (01
1) plane, (200) plane / (020) plane, (102) plane,
The (301) plane, the (202) plane, and the (232) plane are included. Here, a plurality of crystal planes CF 1 having Miller indices h, k, and 1 of 2 or less are (101) plane / (011)
Plane, (200) plane / (020) plane, (102) plane, (2
02) surface is applicable. These crystal planes CF 1 are ZSM-
5 is a crystal plane due to the periodicity of the cavity structure peculiar to zeolite, and the crystal plane showing the maximum X-ray reflection intensity is (101) plane / (011) plane.

【0040】格子面間隔が3Å以上、4Å未満である第
2の結晶面群の各ピークは角2θが22°<2θ≦30
°に現われ、したがって第2の結晶面群には(501)
面、(303)面、(133)面が含まれる。この第2
の結晶面群のうち、最大X線反射強度を示す結晶面CF
2 には(501)面が該当する。この(501)面は、
ZSM−5ゼオライトにおいて主としてSiO4 四面体
構造部より構成される基本骨格構造に起因する結晶面で
ある。
Each peak of the second crystal plane group having a lattice plane spacing of 3 Å or more and less than 4 Å has an angle 2θ of 22 ° <2θ ≦ 30.
Appearing in °, and therefore the second crystallographic group is (501)
Planes, (303) planes, and (133) planes are included. This second
Out of the crystal plane group, the crystal plane CF showing the maximum X-ray reflection intensity
The (501) plane corresponds to 2. This (501) plane is
In ZSM-5 zeolite, it is a crystal plane resulting from a basic skeleton structure mainly composed of SiO 4 tetrahedral structure portions.

【0041】図9〜図11は、実施例5〜実施例7の、
また図12は未改質ZSM−5ゼオライトのX線回折結
果をそれぞれ示す。図9〜図12から、実施例5〜実施
例7および未改質ZSM−5ゼオライトにおいても前記
結晶面CF1 のうち最大X線反射強度を示す結晶面は
(101)面/(011)面であり、また前記結晶面C
2 は(501)面であることが判る。
9 to 11 show the results of the fifth to seventh embodiments.
Further, FIG. 12 shows the X-ray diffraction results of unmodified ZSM-5 zeolite. From FIG. 9 to FIG. 12, also in Examples 5 to 7 and unmodified ZSM-5 zeolite, the crystal plane showing the maximum X-ray reflection intensity among the crystal planes CF 1 is the (101) plane / (011) plane. And the crystal plane C
It can be seen that F 2 is the (501) plane.

【0042】表6は、実施例4〜実施例7および未改質
ZSM−5ゼオライトにおける(101)面/(01
1)面のX線反射強度I1 、実施例4等における(50
1)面のX線反射強度I2 ならびに両X線反射強度
1 ,I2 の比I1 /I2 を示す。
Table 6 shows (101) face / (01) in Examples 4 to 7 and unmodified ZSM-5 zeolite.
1) X-ray reflection intensity I 1 of the surface, (50) in Example 4, etc.
1) X-ray reflection intensity I 2 and both X-ray reflection intensity I 1 of the surface represents the ratio I 1 / I 2 of I 2.

【0043】[0043]

【表6】 表6より、実施例4〜実施例7においては、(101)
面/(011)面のX線反射強度I1 が未改質ZSM−
5ゼオライトに比べて、Al存在率Aの減少に伴い増加
しており、一方、(501)面のX線反射強度I2 は未
改質ZSM−5ゼオライトのそれと略同一であることが
判る。
[Table 6] From Table 6, in Examples 4 to 7, (101)
Plane / (011) plane X-ray reflection intensity I 1 is unmodified ZSM-
It can be seen that the X-ray reflection intensity I 2 of the (501) plane is almost the same as that of the unmodified ZSM-5 zeolite, as compared with the No. 5 zeolite, as the Al abundance ratio A decreases.

【0044】実施例4〜実施例7および未改質ZSM−
5ゼオライトについて、大気中、加熱温度 600〜1
100℃、加熱時間 18時間の条件で熱劣化テストを
行い、次いで、実施例4等についてCu−Kα線による
粉末X線回折を行って熱による結晶の破壊状態を観察し
たところ、表7および図13の結果を得た。
Examples 4 to 7 and unmodified ZSM-
5 Zeolites in air, heating temperature 600-1
A heat deterioration test was performed under the conditions of 100 ° C. and a heating time of 18 hours, and then powder X-ray diffraction was performed on Cu-Kα rays for Example 4 and the like to observe the state of crystal destruction by heat. 13 results were obtained.

【0045】表7および図13において、「○」印は、
テスト後においてもX線反射強度に変化がなかった場合
を示し、また「△」印はテスト後におけるX線反射強度
の低下率が10%未満である場合を示し、さらに「×」
印はテスト後におけるX線反射強度の低下率が10%以
上である場合を示す。図13は(200)面/(02
0)面について示されている。
In Table 7 and FIG. 13, the mark "○" indicates
The case where there is no change in the X-ray reflection intensity after the test is shown, and the mark "△" shows the case where the decrease rate of the X-ray reflection intensity after the test is less than 10%, and further "x".
The mark shows the case where the reduction rate of the X-ray reflection intensity after the test is 10% or more. FIG. 13 shows (200) plane / (02
The 0) plane is shown.

【0046】[0046]

【表7】 表5〜表7および図13から明らかなように、実施例4
〜実施例7の場合、微細孔形成部におけるAl存在率A
がA≦15.8%であって前記比I1 /I2 が0.76
≦I1 /I2 ≦1.10であることに起因して、耐熱温
度は1000℃に向上している。未改質ZSM−5ゼオ
ライトの場合は、前記比I1 /I2 がI 1 /I2 <0.
76であって結晶面CF1 の結晶性が悪いため耐熱温度
が低い。 〔例−III 〕この例では、未改質ゼオライトとして、次
のような方法で製造される未改質ZSM−5ゼオライト
を用いた。
[Table 7]As is clear from Tables 5 to 7 and FIG. 13, Example 4
In the case of Example 7, Al abundance A in the fine hole forming portion
Is A ≦ 15.8% and the ratio I1/ I2Is 0.76
≤I1/ I2Due to ≦ 1.10, heat resistant temperature
The temperature has improved to 1000 ° C. Unmodified ZSM-5 Zeo
In the case of light, the ratio I1/ I2Is I 1/ I2<0.
76 and the crystal plane CF1Temperature limit due to poor crystallinity
Is low. [Example-III] In this example, as unmodified zeolite,
Unmodified ZSM-5 zeolite produced by a method such as
Was used.

【0047】先ず、コロイダルシリカと硝酸アルミニウ
ムをSiO2 /Al2 3 モル比で10となるように混
合し、その混合液中にテトラプロピルアンモニウム(T
PA)を、SiO2 /TPAモル比で10となるように
混合して水性ゲルを得た。次いで、水性ゲルを用いて、
10気圧、150℃、350時間の条件で水熱合成を行
い、その後合成物に焼成処理を施してTPAを除去し、
ZSM−5ゼオライトを得た。このZSM−5ゼオライ
トのSiO2 /Al2 3 モル比は10であった。
First, colloidal silica and aluminum nitrate were mixed at a SiO 2 / Al 2 O 3 molar ratio of 10 and tetrapropylammonium (T
PA) was mixed at a SiO 2 / TPA molar ratio of 10 to obtain an aqueous gel. Then, using the aqueous gel,
Hydrothermal synthesis is performed under the conditions of 10 atm, 150 ° C. and 350 hours, and then the synthetic product is subjected to a baking treatment to remove TPA,
ZSM-5 zeolite was obtained. SiO 2 / Al 2 O 3 molar ratio of this ZSM-5 zeolite was 10.

【0048】未改質ZSM−5ゼオライトに、次のよう
な処理を施して、実施例8〜実施例11の改質ZSM−
5ゼオライトを得た。
The unmodified ZSM-5 zeolite was subjected to the following treatment to obtain the modified ZSM-of Examples 8-11.
5 zeolite was obtained.

【0049】実施例8は、90℃HCl溶液の規定度を
0.1規定に設定し、また90℃恒温保持時間を0.5
時間に設定して、未改質ZSM−5ゼオライトに改質処
理を施したものである。実施例9は、未改質ZSM−5
ゼオライトに、それと同量の純水を加えて得られた湿潤
ZSM−5ゼオライトを、800℃の雰囲気に3時間保
持し、次いで実施例3と同様の改質処理を行ったもので
ある。実施例10は、未改質ZSM−5ゼオライトに、
それと同量の純水を加えた得られた湿潤ZSM−5ゼオ
ライトを、500℃の雰囲気に3時間保持し、次いで実
施例3と同様の改質処理を行い、その後前記雰囲気保持
および改質処理を2回繰返したものである。実施例11
は、未改質ZSM−5ゼオライトに、それと同量の純水
を加えて得られた湿潤ZSM−5ゼオライトを、800
℃の雰囲気に3時間保持し、次いで実施例3と同様の改
質処理を行い、その後前記雰囲気保持および改質処理を
2回繰返したものである。
In Example 8, the normality of the 90 ° C. HCl solution was set to 0.1 N, and the 90 ° C. constant temperature holding time was 0.5.
The time is set and the unmodified ZSM-5 zeolite is modified. Example 9 is unmodified ZSM-5.
Wet ZSM-5 zeolite obtained by adding the same amount of pure water to zeolite was maintained in an atmosphere of 800 ° C. for 3 hours, and then subjected to the same modification treatment as in Example 3. Example 10 is an unmodified ZSM-5 zeolite,
The obtained wet ZSM-5 zeolite to which the same amount of pure water was added was kept in an atmosphere of 500 ° C. for 3 hours, then the same reforming treatment as in Example 3 was carried out, and thereafter, the atmosphere keeping and reforming treatment were carried out. Is repeated twice. Example 11
Is a wet ZSM-5 zeolite obtained by adding the same amount of pure water to unmodified ZSM-5 zeolite as 800
The sample was held in an atmosphere of ° C for 3 hours, then subjected to the same modification treatment as in Example 3, and thereafter, the atmosphere maintenance and the modification treatment were repeated twice.

【0050】表8は、実施例8〜実施例11、比較例お
よび未改質ZSM−5ゼオライトにおける総Al存在率
ならびに微細孔形成部におけるSi含有量、Al含有量
およびAl存在率Aをそれぞれ示す。
Table 8 shows the total Al abundance in Examples 8 to 11, the comparative example and the unmodified ZSM-5 zeolite, and the Si content, Al content and Al abundance A in the fine pore forming portion, respectively. Show.

【0051】[0051]

【表8】 表8より、改質処理条件を厳しくすると、特に、微細孔
形成部における脱Al反応が活発に行われるため、Al
存在率Aが急激に低下することが判る。
[Table 8] From Table 8, when the modification treatment conditions are made severe, the Al removal reaction particularly in the fine hole forming portion is actively performed, and therefore Al
It can be seen that the existence rate A drops sharply.

【0052】表9は、実施例8〜実施例11および未改
質ZSM−5ゼオライトにおける(101)面/(01
1)面のX線反射強度I1 、実施例8等における(50
1)面のX線反射強度I2 ならびに両X線反射強度
1 ,I2 の比I1 /I2 をそれぞれ示す。
Table 9 shows (101) face / (01) in Examples 8 to 11 and unmodified ZSM-5 zeolite.
1) X-ray reflection intensity I 1 of the surface, (50) in Example 8, etc.
1) The X-ray reflection intensity I 2 of the surface and the ratio I 1 / I 2 of both X-ray reflection intensities I 1 and I 2 are shown.

【0053】[0053]

【表9】 表9より、実施例8〜実施例11においては、(10
1)面/(011)面のX線反射強度I1 が未改質ZS
M−5ゼオライトに比べてAl存在率Aの減少に伴い増
加しており、一方、(501)面のX線反射強度I2
未改質ZSM−5ゼオライトのそれと略同一であること
が判る。
[Table 9] From Table 9, in Examples 8 to 11, (10
1) plane / (011) plane X-ray reflection intensity I 1 is unmodified ZS
It can be seen that the ratio A increases as the abundance ratio A of the M-5 zeolite decreases, while the X-ray reflection intensity I 2 of the (501) plane is substantially the same as that of the unmodified ZSM-5 zeolite. .

【0054】実施例8〜実施例11および未改質ZSM
−5ゼオライトについて、大気中、加熱温度 600〜
1100℃、加熱時間 18時間の条件で熱劣化テスト
を行い、次いで、実施例8等についてCu−Kα線によ
る粉末X線回折を行って熱による結晶の破壊状態を観察
したところ、表10の結果を得た。
Examples 8-11 and unmodified ZSM
For -5 zeolite, heating temperature in air is 600-
A thermal deterioration test was performed under the conditions of 1100 ° C. and a heating time of 18 hours, and then powder X-ray diffraction was performed on Cu-Kα rays for Example 8 and the like to observe the state of crystal destruction by heat. Got

【0055】表10において、「○」印は、テスト後に
おいてもX線反射強度に変化がなかった場合を示し、ま
た「×」印はテスト後におけるX線反射強度の低下率が
10%以上であった場合を示す。
In Table 10, "O" indicates that the X-ray reflection intensity did not change even after the test, and "X" indicates that the reduction rate of the X-ray reflection intensity after the test was 10% or more. It shows the case.

【0056】[0056]

【表10】 表8〜表10から明らかなように、実施例8〜実施例1
1の場合、微細孔形成部におけるAl存在率Aが0%≦
A≦15.8%であって前記比I1 /I2 が0.76≦
1 /I2 ≦1.10であることに起因して、耐熱温度
は900〜1000℃に向上している。未改質ZSM−
5ゼオライトの場合は、前記比I1 /I 2 がI1 /I2
<0.76であって、結晶面CF1 の結晶性が悪いため
耐熱温度が低い。 B.排気ガス浄化用触媒について 各実施例における触媒は、改質ゼオライト、したがって
耐熱性を有する改質モルデナイトまたは改質ZSM−5
ゼオライトを担体とし、その担体に触媒用金属Meをイ
オン交換法により担持させたものである。
[Table 10]As is clear from Tables 8 to 10, Examples 8 to 1
In the case of 1, the Al existence rate A in the fine hole forming portion is 0% ≦
A ≦ 15.8% and the ratio I1/ I2Is 0.76 ≦
I1/ I2Due to ≦ 1.10, heat resistant temperature
Has improved to 900 to 1000 ° C. Unmodified ZSM-
In the case of 5 zeolite, the ratio I1/ I 2Is I1/ I2
<0.76 and crystal plane CF1Has poor crystallinity
Heat resistant temperature is low. B. Regarding Exhaust Gas Purifying Catalyst The catalyst in each example is a modified zeolite, and
Modified mordenite or modified ZSM-5 with heat resistance
Zeolite is used as a carrier, and metal Me for catalyst is applied to the carrier.
It is supported by the on-exchange method.

【0057】触媒用金属Meとしては、周期表第Ib
族、鉄族および白金族の少なくとも一つの族から選択さ
れる少なくとも一種の金属が用いられる。周期表第Ib
族には、Cu、Ag、Auが含まれ、また鉄族にはF
e、Ni、Coが含まれ、さらに白金族にはRu、R
h、Pd、Os、Ir、Ptが含まれる。
As the metal Me for the catalyst, Ib of the periodic table is used.
At least one metal selected from at least one group of the group consisting of iron, iron and platinum is used. Periodic table Ib
Cu, Ag and Au are included in the group, and F is included in the iron group.
e, Ni, Co, and platinum, Ru, R
h, Pd, Os, Ir and Pt are included.

【0058】図14,図15はイオン交換反応を示す。
図14は、図1(c1 )に示す微細孔形成部におけるイ
オン交換反応に、また図15は、図1(c2 )に示す微
細孔形成部におけるイオン交換反応にそれぞれ該当す
る。
14 and 15 show the ion exchange reaction.
FIG. 14 corresponds to the ion exchange reaction in the fine hole forming portion shown in FIG. 1 (c 1 ), and FIG. 15 corresponds to the ion exchange reaction in the fine hole forming portion shown in FIG. 1 (c 2 ).

【0059】担体を、例えば2価の触媒用金属Me(イ
オン)を含む溶液中に投入して、所定温度で所定時間保
持すると、図14(a),図15(a)に示す微細孔形
成部では化学的活性なH原子と触媒用金属Meとの間に
イオン交換反応が発生して、図14(b),図15
(b)に示すように、H原子が結合していた位置に触媒
用金属Meが結合する。この場合、図14(b)に示す
ように、SiO4 四面体構造部の2個の非共有O原子間
を架槁するように、それらに触媒用金属Meが結合する
こともある。
When the carrier is put in a solution containing, for example, a divalent catalytic metal Me (ions) and kept at a predetermined temperature for a predetermined time, the formation of fine pores shown in FIGS. 14 (a) and 15 (a) is formed. In the part, an ion exchange reaction occurs between the chemically active H atom and the catalytic metal Me, and the ion exchange reaction occurs, as shown in FIGS.
As shown in (b), the catalytic metal Me is bonded to the position where the H atom was bonded. In this case, as shown in FIG. 14B, the catalytic metal Me may be bonded to the two non-shared O atoms of the SiO 4 tetrahedral structure so as to bridge them.

【0060】前記イオン交換反応により得られる触媒は
触媒用金属Meの担持量が多く、優れた高温耐久性と高
い排気浄化率とを有する。
The catalyst obtained by the ion exchange reaction has a large amount of the catalytic metal Me supported, and has excellent high temperature durability and a high exhaust gas purification rate.

【0061】図16は未改質ゼオライトのイオン交換反
応を示す。この場合、図16(a)に示す微細孔形成部
ではAlO4 四面体構造部3の陰電荷をおびたO原子に
結合する陽性原子と触媒用金属Meとの間にイオン交換
反応が発生して、図16(b)に示すように前記O原子
に触媒用金属Meが結合する。
FIG. 16 shows the ion exchange reaction of unmodified zeolite. In this case, in the fine hole forming portion shown in FIG. 16A, an ion exchange reaction occurs between the positive atom bonded to the negatively charged O atom of the AlO 4 tetrahedral structure 3 and the catalyst metal Me. Then, as shown in FIG. 16B, the catalytic metal Me is bonded to the O atom.

【0062】図14(b)および図15(b)と、図1
6(b)とを比較すると、改質ゼオライトを用いた図1
4(b)および図15(b)の方が、未改質ゼオライト
を用いた図16(b)の場合よりも触媒用金属Meの担
持量が多くなることが判る。
14 (b) and 15 (b) and FIG.
Comparing with 6 (b), FIG.
4 (b) and FIG. 15 (b) show that the supported amount of the catalytic metal Me is larger than that in the case of FIG. 16 (b) using unmodified zeolite.

【0063】なお、触媒用金属Meの担持量には、イオ
ン交換したものだけでなく、微細孔に機械的に付着する
ものも含まれることがある。 〔I〕 排気ガス中の、主として酸化窒素ガス(NO
x)の浄化に用いられる触媒について 〔例−I〕 実施例1〜実施例6の触媒の調製 前記A項〔例−II〕における実施例4の改質ZSM−5
ゼオライト100gを、それぞれ濃度0.0125mol
/リットル、0.025mol /リットル、0.05mol
/リットル、0.1mol /リットル、0.2mol /リッ
トルおよび0.3mol /リットルの酢酸アミン銅溶液5
00ml中に投入して、50℃、18時間静置の条件でイ
オン交換を行った。固液分離後、固体分を純水で洗浄
し、次いで400℃、24時間の条件で乾燥して、担体
である改質ZSM−5ゼオライトに、触媒用金属である
Cu(2価、以下同じ)をイオン交換法により担持させ
た実施例1〜実施例6の触媒を得た。各実施例と酢酸ア
ミン銅溶液の各濃度との関係は、実施例1〜実施例6の
触媒が濃度0.0125mol /リットル〜0.3mol/
リットルにそれぞれ対応する。
The supported amount of the catalytic metal Me may include not only the ion-exchanged amount but also the amount mechanically attached to the fine pores. [I] Nitric oxide gas (NO
Regarding the catalyst used for purification of x) [Example-I] Preparation of catalysts of Examples 1 to 6 Modified ZSM-5 of Example 4 in the above-mentioned section A [Example-II]
100 g of zeolite, 0.0125 mol each
/ Liter, 0.025mol / liter, 0.05mol
/ Liter, 0.1 mol / liter, 0.2 mol / liter and 0.3 mol / liter amine acetate copper solution 5
Ion exchange was carried out under the conditions of placing the mixture in 00 ml and leaving it at 50 ° C. for 18 hours. After the solid-liquid separation, the solid content is washed with pure water and then dried under the condition of 400 ° C. for 24 hours, and the modified ZSM-5 zeolite as the carrier is added to the catalyst metal Cu (divalent; ) Was carried by the ion exchange method to obtain the catalysts of Examples 1 to 6. The relationship between each example and each concentration of the amine acetate copper solution is that the catalysts of Examples 1 to 6 have a concentration of 0.0125 mol / liter to 0.3 mol /
Corresponds to each liter.

【0064】表11は、実施例1〜実施例6の触媒にお
ける改質ZSM−5ゼオライト100g当りのCu担持
量(g)を示す。
Table 11 shows the amount of supported Cu (g) per 100 g of the modified ZSM-5 zeolite in the catalysts of Examples 1 to 6.

【0065】[0065]

【表11】 〔例−II〕 実施例7〜実施例9の触媒の調製 前記A項〔例−I〕における実施例3の改質モルデナイ
ト100gを、それぞれ濃度0.1mol /リットル、
0.2mol /リットルおよび0.3mol /リットルの酢
酸アミン銅溶液500ml中に投入して、50℃、18時
間静置の条件でイオン交換を行った。固液分離後、固体
分を純水で洗浄し、次いで400℃、24時間の条件で
乾燥して、担体である改質モルデナイトに、触媒用金属
であるCuをイオン交換法により担持させた実施例7〜
実施例9の触媒を得た。各実施例と酢酸アミン銅溶液の
各濃度との関係は、実施例7〜実施例9の触媒が濃度
0.1mol /リットル〜0.3mol /リットルにそれぞ
れ対応する。
[Table 11] [Example-II] Preparation of catalysts of Examples 7 to 9 100 g of the modified mordenite of Example 3 in the section A [Example-I] was added at a concentration of 0.1 mol / liter, respectively.
Ion exchange was carried out by placing the mixture in 500 ml of 0.2 mol / liter and 0.3 mol / liter amine acetate copper solution and allowing it to stand at 50 ° C. for 18 hours. After solid-liquid separation, the solid content was washed with pure water, then dried at 400 ° C. for 24 hours, and the modified mordenite as a carrier was loaded with Cu as a catalyst metal by an ion exchange method. Example 7-
The catalyst of Example 9 was obtained. The relationship between each example and each concentration of the amine acetate copper solution corresponds to a concentration of the catalysts of Examples 7 to 9 of 0.1 mol / liter to 0.3 mol / liter, respectively.

【0066】表12は、実施例7〜実施例9の触媒にお
ける改質モルデナイト100g当りのCu担持量(g)
を示す。
Table 12 shows the amount of Cu supported (g) per 100 g of modified mordenite in the catalysts of Examples 7 to 9.
Indicates.

【0067】[0067]

【表12】 〔例−III 〕 比較例1〜比較例6の触媒の調製 前記A項〔例−II〕における未改質ZSM−5ゼオライ
ト100gを、それぞれ濃度0.0125mol /リット
ル、0.025mol /リットル、0.05mol/リット
ル、0.1mol /リットル、0.2mol /リットルおよ
び0.3mol /リットルの酢酸アミン銅溶液500ml中
に投入して、50℃、18時間静置の条件でイオン交換
を行った。固液分離後、固体分を純水で洗浄し、次いで
400℃、24時間の条件で乾燥して、担体である未改
質ZSM−5ゼオライトに、触媒用金属であるCuをイ
オン交換法により担持させた比較例1〜比較例6の触媒
を得た。各比較例と酢酸アミン銅溶液の各濃度との関係
は、比較例1〜比較例6の触媒が濃度0.0125mol
/リットル〜0.3mol /リットルにそれぞれ対応す
る。
[Table 12] [Example-III] Preparation of Catalysts of Comparative Examples 1 to 6 100 g of unmodified ZSM-5 zeolite in the above-mentioned A section [Example-II] was added to each of the concentrations of 0.0125 mol / liter, 0.025 mol / liter, and 0. Ion exchange was carried out under the conditions of standing at 50 ° C. for 18 hours, by charging into 500 ml of amine acetate copper solutions of 0.05 mol / liter, 0.1 mol / liter, 0.2 mol / liter and 0.3 mol / liter. After solid-liquid separation, the solid content is washed with pure water, and then dried under the condition of 400 ° C. for 24 hours, and the unmodified ZSM-5 zeolite as a carrier is mixed with Cu as a catalyst metal by an ion exchange method. The supported catalysts of Comparative Examples 1 to 6 were obtained. The relationship between each comparative example and each concentration of the amine acetate copper solution is that the catalysts of Comparative Examples 1 to 6 have a concentration of 0.0125 mol.
/ Liter to 0.3 mol / liter, respectively.

【0068】表13は、比較例1〜比較例6の触媒にお
ける未改質ZSM−5ゼオライト100g当りのCu担
持量(g)を示す。
Table 13 shows the Cu loadings (g) per 100 g of unmodified ZSM-5 zeolite in the catalysts of Comparative Examples 1-6.

【0069】[0069]

【表13】 〔例−IV〕 比較例7〜比較例9の触媒の調製 前記A項〔例−I〕における未改質モルデナイト100
gを、それぞれ濃度0.1mol /リットル、0.2mol
/リットルおよび0.3mol /リットルの酢酸アミン銅
溶液500ml中に投入して、50℃、18時間静置の条
件でイオン交換を行った。固液分離後、固体分を純水で
洗浄し、次いで400℃、24時間の条件で乾燥して、
担体である未改質モルデナイトに、触媒用金属であるC
uをイオン交換法により担持させた比較例7〜比較例9
の触媒を得た。各実施例と酢酸アミン銅溶液の各濃度と
の関係は、比較例7〜比較例9の触媒が濃度0.1mol
/リットル〜0.3mol /リットルにそれぞれ対応す
る。
[Table 13] [Example-IV] Preparation of catalysts of Comparative Examples 7 to 9 Unmodified mordenite 100 in the section A [Example-I]
g, 0.1 mol / liter, 0.2 mol, respectively
/ Liter and 0.3 mol / liter of amine acetate copper solution (500 ml), and ion exchange was performed under the conditions of standing at 50 ° C for 18 hours. After solid-liquid separation, the solid content is washed with pure water, then dried at 400 ° C. for 24 hours,
On the unmodified mordenite which is a carrier, C which is a metal for a catalyst is added.
Comparative Examples 7 to 9 in which u was supported by the ion exchange method
The catalyst was obtained. The relationship between each Example and each concentration of the amine acetate copper solution is that the catalysts of Comparative Examples 7 to 9 have a concentration of 0.1 mol.
/ Liter to 0.3 mol / liter, respectively.

【0070】表14は、比較例7〜比較例9の触媒にお
ける未改質モルデナイト100g当りのCu担持量
(g)を示す。
Table 14 shows the amount of supported Cu (g) per 100 g of unmodified mordenite in the catalysts of Comparative Examples 7-9.

【0071】[0071]

【表14】 〔例−V〕 比較例10〜比較例12の触媒の調製 前記A項〔例−I〕における比較例改質モルデナイト1
00gを、それぞれ濃度0.1mol /リットル、0.2
mol /リットルおよび0.3mol /リットルの酢酸アミ
ン銅溶液500ml中に投入して、50℃、18時間静置
の条件でイオン交換を行った。固液分離後、固体分を純
水で洗浄し、次いで400℃、24時間の条件で乾燥し
て、担体である比較例改質モルデナイトに、触媒用金属
であるCuをイオン交換法により担持させた比較例10
〜比較例12の触媒を得た。各比較例と酢酸アミン銅溶
液の各濃度との関係は、比較例10〜比較例12の触媒
が濃度0.1mol /リットル〜0.3mol /リットルに
それぞれ対応する。
[Table 14] [Example-V] Preparation of Catalysts of Comparative Examples 10 to 12 Comparative Example Modified Mordenite 1 in Section A [Example-I]
00g to a concentration of 0.1 mol / liter, 0.2
Ion exchange was carried out by placing the mixture in 500 ml of amine acetate copper solutions of mol / liter and 0.3 mol / liter, and allowing it to stand at 50 ° C. for 18 hours. After solid-liquid separation, the solid content is washed with pure water, and then dried under the condition of 400 ° C. for 24 hours so that Cu, which is a catalyst metal, is supported on the carrier, Comparative Example modified mordenite, by an ion exchange method. Comparative Example 10
~ A catalyst of Comparative Example 12 was obtained. The relationship between each comparative example and each concentration of the amine acetate copper solution corresponds to the catalysts of Comparative Examples 10 to 12 having a concentration of 0.1 mol / liter to 0.3 mol / liter, respectively.

【0072】表15は、比較例10〜比較例12の触媒
における比較例改質モルデナイト100g当りのCu担
持量(g)を示す。
Table 15 shows the amount of Cu supported (g) per 100 g of the modified mordenite of the comparative example in the catalysts of Comparative Examples 10 to 12.

【0073】[0073]

【表15】 (a) 触媒の活性評価 前記〔例−I〕で述べた実施例1〜実施例6の触媒
(担体:実施例4改質ZSM−5ゼオライト)および前
記〔例−III 〕で述べた比較例1〜比較例6の触媒(担
体:未改質ZSM−5ゼオライト)について、次のよう
なNOx浄化テストを行った。
[Table 15] (A) Activity evaluation of catalyst The catalysts of Examples 1 to 6 (support: Example 4 modified ZSM-5 zeolite) described in [Example-I] and the comparative examples described in [Example-III] above. The following NOx purification tests were conducted on the catalysts of 1 to Comparative Example 6 (carrier: unmodified ZSM-5 zeolite).

【0074】前記テストは、組成が、10体積%O2
800ppm C3 6 、1200ppmNO、1000ppm
CO、10体積%CO2 、500ppm H2 、10体積%
2Oおよび残部N2 であるテスト用ガスを、20gの
触媒を充填した常圧固定床反応管内に流量17500ml
/min で流通させると共にテスト用ガスの温度を常温〜
500℃まで昇温速度15℃/min で昇温させ、この間
のNOx浄化率を測定することによって行われた。
The above test was conducted with the composition of 10% by volume O 2 .
800ppm C 3 H 6 , 1200ppm NO, 1000ppm
CO, 10% by volume CO 2 , 500 ppm H 2 , 10% by volume
A test gas containing H 2 O and the balance of N 2 was introduced into a reaction vessel of an atmospheric pressure fixed bed filled with 20 g of a catalyst at a flow rate of 17500 ml.
/ Min and flow the test gas at room temperature
The temperature was raised to 500 ° C. at a temperature rising rate of 15 ° C./min, and the NOx purification rate was measured during this period.

【0075】各触媒について、未改質ZSM−5ゼオラ
イトにおけるAl2 3 のモル数M 1 および改質ZSM
−5ゼオライトに担持されたCuのモル数M2 の比M2
/M 1 と、NOx最大浄化率の関係を調べたところ、表
16,図17の結果を得た。
For each catalyst, unmodified ZSM-5 Zeola
Al in Ito2O3Number of moles M 1And modified ZSM
-5 number of moles of Cu supported on zeolite-52Ratio of2
/ M 1And the relationship between the NOx maximum purification rate and
16, the results shown in FIG. 17 were obtained.

【0076】未改質ZSM−5ゼオライトにおけるAl
2 3 のモル数M1 は次のような方法で求められた。
Al in unmodified ZSM-5 zeolite
The mole number M 1 of 2 O 3 was determined by the following method.

【0077】未改質ZSM−5ゼオライトには、5重量
%のH2 Oが含まれており、したがって未改質ZSM−
5ゼオライト100(g)中のSiO2 とAl2 3
重量の和は100(g)−5(g)=95(g)とな
る。
The unmodified ZSM-5 zeolite contains 5% by weight of H 2 O and therefore the unmodified ZSM-zeolite.
5 The sum of the weights of SiO 2 and Al 2 O 3 in 100 (g) of zeolite is 100 (g) -5 (g) = 95 (g).

【0078】ここで、1モルのAl2 3 の重量は10
1.96(g)、1モルのSiO2の重量は60.09
(g)、SiO2 /Al2 3 モル比は35.2である
から、未改質ZSM−5ゼオライト100gにおけるA
2 3 の重量は、95×〔101.96/{(35.
2×60.09)+101.96}〕=4.37(g)
となる。
Here, the weight of 1 mol of Al 2 O 3 is 10.
1.96 (g), the weight of 1 mol of SiO 2 is 60.09
(G), since SiO 2 / Al 2 O 3 molar ratio is 35.2, A in unmodified ZSM-5 zeolite 100g
The weight of l 2 O 3 is 95 × [101.96 / {(35.
2 × 60.09) +101.96}] = 4.37 (g)
Becomes

【0079】故に、未改質ZSM−5ゼオライトにおけ
るAl2 3 のモル数M1 は、M1=4.37/10
1.96=0.043である。
Therefore, the number of moles M 1 of Al 2 O 3 in the unmodified ZSM-5 zeolite is M 1 = 4.37 / 10.
1.96 = 0.043.

【0080】一方、改質ZSM−5ゼオライトに担持さ
れたCuのモル数M2 は、1モルのCuの重量が63.
55(g)であり、また改質または未改質ZSM−5ゼ
オライト100g当りのCu担持量は表11,表13の
通りであるから、M2 =Cu担持量(g)/63.55
となる。
On the other hand, the number of moles M 2 of Cu supported on the modified ZSM-5 zeolite is such that the weight of 1 mole of Cu is 63.
55 (g), and since the amount of supported Cu per 100 g of modified or unmodified ZSM-5 zeolite is as shown in Tables 11 and 13, M 2 = the amount of supported Cu (g) /63.55
Becomes

【0081】したがって、両モル数M1 ,M2 の比M2
/M1 は、M2 /M1 =(Cu担持量/63.55)/
0.043=Cu担持量/2.73となる。
Therefore, the ratio M 2 of both molar numbers M 1 and M 2 is
/ M 1 is M 2 / M 1 = (Cu loading amount / 63.55) /
0.043 = Cu supported amount / 2.73.

【0082】[0082]

【表16】 図17は、表16の比M2 /M1 とNOx最大浄化率と
の関係をグラフ化したもので、図中、線v1 上の点
(1)〜(6)は実施例1〜実施例6の触媒にそれぞれ
該当し、また線v2 上の点(1)〜(6)は比較例1〜
比較例6の触媒にそれぞれ該当する。
[Table 16] FIG. 17 is a graph showing the relationship between the ratio M 2 / M 1 in Table 16 and the NOx maximum purification rate. In the figure, points (1) to (6) on the line v 1 are those of Examples 1 to 1 Each of the catalysts of Example 6 corresponds to points (1) to (6) on the line v 2 of Comparative Examples 1 to 3.
It corresponds to the catalyst of Comparative Example 6, respectively.

【0083】表16および図17から明らかなように、
前記比M2 /M1 が同一である場合において、実施例1
〜実施例6の触媒は、比較例1〜比較例6の触媒に比べ
て、NOx最大浄化率が大幅に向上しており、活性の高
いものである。 前記〔例−II〕で述べた実施例7〜実施例9の触媒
(担体:実施例3改質モルデナイト)、前記〔例−IV〕
で述べた比較例7〜比較例9の触媒(担体:未改質モル
デナイト)および〔例−V〕で述べた比較例10〜比較
例12の触媒(担体:比較例改質モルデナイト)につい
て、前記と同一方法でNOx浄化テストを行い、各触媒
について未改質モルデナイトにおけるAl2 3 のモル
数M1 および改質モルデナイトに担持されたCuのモル
数M2 の比M2 /M1 と、NOx最大浄化率との関係を
調べたところ、表17および図18の結果を得た。比M
2 /M1 は、前記計算法に則り、SiO2 /Al2 3
モル比を16.6として、表12,表14,表15のC
u担持量/5.49より求められた。
As is clear from Table 16 and FIG.
In the case where the ratios M 2 / M 1 are the same, Example 1
The NOx maximum purification rate of the catalyst of Example 6 is significantly improved and the activity thereof is higher than that of the catalysts of Comparative Examples 1 to 6. The catalysts of Examples 7 to 9 described in [Example-II] above (support: Example 3 modified mordenite), [Example-IV] above.
The catalysts of Comparative Examples 7 to 9 (carrier: unmodified mordenite) and the catalysts of Comparative Examples 10 to 12 (carrier: Comparative modified mordenite) described in [Example-V] are described above. A NOx purification test was conducted in the same manner as in, and the ratio M 2 / M 1 of the number M 1 of Al 2 O 3 in the unmodified mordenite and the number M 2 of Cu supported on the modified mordenite was measured for each catalyst, When the relationship with the NOx maximum purification rate was investigated, the results shown in Table 17 and FIG. 18 were obtained. Ratio M
2 / M 1 is SiO 2 / Al 2 O 3 according to the above calculation method.
C in Table 12, Table 14 and Table 15 with the molar ratio of 16.6.
It was determined from the amount of u supported / 5.49.

【0084】[0084]

【表17】 図18は、表17の比M2 /M1 とNOx最大浄化率と
の関係をグラフ化したもので、図中、線w1 上の点
(7)〜(9)は実施例7〜実施例9の触媒にそれぞれ
該当し、また線w2 上の点(7)〜(9)は比較例7〜
比較例9の触媒にそれぞれ該当し、さらに線w3 上の点
(10)〜(12)は比較例10〜比較例12の触媒に
それぞれ該当する。
[Table 17] FIG. 18 is a graph showing the relationship between the ratio M 2 / M 1 in Table 17 and the NOx maximum purification rate. In the figure, points (7) to (9) on the line w 1 are the results of Examples 7 to 7. Each of the catalysts of Example 9 corresponds to points (7) to (9) on the line w 2 , and Comparative Examples 7 to
Each corresponds to the catalyst of Comparative Example 9, and points (10) to (12) on the line w 3 correspond to the catalysts of Comparative Example 10 to Comparative Example 12, respectively.

【0085】表17および図18から明らかなように、
前記比M2 /M1 が同一である場合において、実施例7
〜実施例9の触媒は、比較例7〜比較例12の触媒に比
べて、NOx最大浄化率が大幅に向上しており、活性の
高いものである。 (b) 触媒の耐熱性評価 実施例5の触媒(担体:実施例4改質ZSM−5ゼ
オライト)および比較例5の触媒(担体:未改質ZSM
−5ゼオライト)を、大気下、温度500〜800℃の
雰囲気中に18時間静置し、次いで冷却し、その後テス
ト用ガスの流量を25500ml/min に変更した以外は
前記と同一方法でNOx浄化テストを行い、各触媒につ
いてのNOx最大浄化率を測定したところ、表18およ
び図19の結果を得た。表18および図19において、
「無加熱」とは、前記〔例−I〕、〔例−III 〕で調製
された実施例5および比較例5の触媒を前記加熱雰囲気
中に置かなかったことを意味する。
As is clear from Table 17 and FIG.
In the case where the ratios M 2 / M 1 are the same, Example 7
The catalysts of Example 9 have a significantly improved NOx maximum purification rate and are highly active as compared with the catalysts of Comparative Examples 7 to 12. (B) Evaluation of heat resistance of catalyst Catalyst of Example 5 (carrier: modified ZSM-5 zeolite of Example 4) and catalyst of Comparative Example 5 (carrier: unmodified ZSM)
-5 zeolite) was left in the atmosphere at a temperature of 500 to 800 ° C. for 18 hours, then cooled, and then the flow rate of the test gas was changed to 25500 ml / min to remove NOx by the same method as described above. When the test was conducted and the maximum NOx purification rate of each catalyst was measured, the results shown in Table 18 and FIG. 19 were obtained. In Table 18 and FIG.
"Unheated" means that the catalysts of Example 5 and Comparative Example 5 prepared in [Example-I] and [Example-III] were not placed in the heating atmosphere.

【0086】[0086]

【表18】 図19は、表18の雰囲気温度とNOx最大浄化率との
関係をグラフ化したもので、図中、線x1 が実施例5の
触媒に、また線x2 が比較例5の触媒にそれぞれ該当す
る。
[Table 18] FIG. 19 is a graph showing the relationship between the atmospheric temperature and the maximum NOx purification rate in Table 18, in which the line x 1 is the catalyst of Example 5 and the line x 2 is the catalyst of Comparative Example 5, respectively. Applicable

【0087】表18および図19から明らかなように、
無加熱状態および各雰囲気温度において、実施例5の触
媒は、比較例5の触媒よりも優れた耐熱性を有する。特
に、実施例5の触媒は雰囲気温度600℃までは初期活
性を保ち、また雰囲気温度700℃でも、線x2 で示す
無加熱状態の触媒と略同等の活性を有する。比較例5の
触媒は、雰囲気温度の上昇に伴い活性が比例的に減少す
る。 実施例8の触媒(担体:実施例3改質モルデナイ
ト)、比較例8の触媒(担体:未改質モルデナイト)お
よび比較例11の触媒(担体:比較例改質モルデナイ
ト)を、大気下、温度500〜700℃の雰囲気中に1
8時間静置し、次いで冷却し、その後前記と同一方法
(テスト用ガスの流量25500ml/min )でNOx浄
化テストを行い、各触媒についてのNOx最大浄化率を
測定したところ、表19および図20の結果を得た。表
19および図20において、「無加熱」とは、前記〔例
−II〕、〔例−IV〕、〔例−V〕で調製された実施例
8、比較例8および比較例11の触媒を前記加熱雰囲気
中に置かなかったことを意味する。
As is clear from Table 18 and FIG.
In the unheated state and each atmosphere temperature, the catalyst of Example 5 has better heat resistance than the catalyst of Comparative Example 5. In particular, the catalyst of Example 5 maintains its initial activity up to an ambient temperature of 600 ° C., and even at an ambient temperature of 700 ° C., it has substantially the same activity as the unheated catalyst shown by the line x 2 . The activity of the catalyst of Comparative Example 5 decreases proportionally as the atmospheric temperature rises. The catalyst of Example 8 (carrier: modified mordenite of Example 3), the catalyst of Comparative Example 8 (carrier: unmodified mordenite) and the catalyst of Comparative Example 11 (carrier: modified mordenite of Comparative Example) were heated at room temperature in the atmosphere. 1 in an atmosphere of 500-700 ° C
After leaving it to stand for 8 hours and then cooling it, a NOx purification test was conducted by the same method as described above (flow rate of test gas: 25,500 ml / min), and the maximum NOx purification rate of each catalyst was measured. Got the result. In Table 19 and FIG. 20, “no heating” means the catalysts of Example 8, Comparative Example 8 and Comparative Example 11 prepared in the above [Example-II], [Example-IV] and [Example-V]. It means not placed in the heating atmosphere.

【0088】[0088]

【表19】 図20は、表19の雰囲気温度とNOx最大浄化率との
関係をグラフ化したもので、図中、線y1 が実施例8の
触媒に、また線y2 が比較例8の触媒に、さらに線y3
が比較例11の触媒にそれぞれ該当する。
[Table 19] FIG. 20 is a graph showing the relationship between the atmospheric temperature and the NOx maximum purification rate in Table 19, in which the line y 1 is the catalyst of Example 8 and the line y 2 is the catalyst of Comparative Example 8. Further line y 3
Correspond to the catalyst of Comparative Example 11, respectively.

【0089】表19および図20から明らかなように、
無加熱状態および各雰囲気温度において、実施例8の触
媒は、比較例8および比較例11の触媒よりも優れた高
温耐久性を有する。特に、実施例8の触媒は雰囲気温度
700℃でも、線y2 で示す無加熱状態の触媒と略同等
の活性を有する。 〔II〕 排気ガス中の、主として炭化水素ガス(HC)
の浄化に用いられる触媒について 実施例10の触媒は、前記A項〔例−II〕における実施
例4の改質ZSM−5ゼオライト80gに3gのPdを
含浸法により担持させたものである。実施例11の触媒
は、前記A項〔例−I〕における実施例3の耐熱性改質
モルデナイト80gに3gのPdを含浸法により担持さ
せたものである。
As is clear from Table 19 and FIG.
The catalyst of Example 8 has higher high temperature durability than the catalysts of Comparative Example 8 and Comparative Example 11 in the non-heated state and each atmosphere temperature. In particular, the catalyst of Example 8 has substantially the same activity as the unheated catalyst shown by the line y 2 even at the ambient temperature of 700 ° C. [II] Mainly hydrocarbon gas (HC) in exhaust gas
Regarding the catalyst used for purification of the catalyst of Example 10, 80 g of the modified ZSM-5 zeolite of Example 4 in the section A [Example-II] was loaded with 3 g of Pd by an impregnation method. The catalyst of Example 11 was obtained by supporting 3 g of Pd on 80 g of the heat-resistant modified mordenite of Example 3 in the section A [Example-I] by an impregnation method.

【0090】実施例10および実施例11の触媒につい
て、次のようなHC浄化テストを行い、両触媒によるH
C浄化率を測定したところ、図21の結果を得た。
For the catalysts of Example 10 and Example 11, the following HC purification test was conducted, and H
When the C purification rate was measured, the results shown in FIG. 21 were obtained.

【0091】前記テストは、組成が、0.5体積%
2 、400ppm C3 6 、500ppmNO、0.5体
積%CO、14体積%CO2 、0.17体積%H2 およ
び残部N 2 であるテスト用ガスを、20gの触媒を充填
した常圧固定床反応管内に流量25000ml/min で流
通させると共にテスト用ガスの温度を常温〜400℃ま
で昇温速度12〜12.5℃/min で昇温させ、この間
のHC浄化率を測定することによって行われた。
The test shows that the composition is 0.5% by volume.
O2, 400ppm C3H6, 500ppm NO, 0.5 body
Product% CO, 14 volume% CO2, 0.17% by volume H2And
And balance N 220g of catalyst with test gas
Flow into the fixed-pressure fixed-bed reaction tube at a flow rate of 25,000 ml / min.
Pass the test gas at room temperature to 400 ° C.
At a heating rate of 12 to 12.5 ° C / min during
It was carried out by measuring the HC purification rate of.

【0092】図21において、線z1 が実施例10の触
媒に、また線z2 が実施例11の触媒にそれぞれ該当す
る。図21より、両触媒は高いHC浄化率を有すること
が判る。特に、両触媒は、排気ガス温度140〜180
℃の低温域において、未改質ZSM−5ゼオライトを用
いた触媒(例えば、ガス温度140℃でHC浄化率約4
0%)および未改質モルデナイトを用いた触媒(例え
ば、ガス温度140℃でHC浄化率約25%)に比べて
HC浄化率が向上する。
In FIG. 21, the line z 1 corresponds to the catalyst of Example 10, and the line z 2 corresponds to the catalyst of Example 11. It can be seen from FIG. 21 that both catalysts have a high HC purification rate. In particular, both catalysts have exhaust gas temperatures of 140-180.
In the low temperature range of ℃, a catalyst using unmodified ZSM-5 zeolite (for example, at a gas temperature of 140 ℃, HC purification rate of about 4
0%) and a catalyst using unmodified mordenite (for example, the HC purification rate is about 25% at a gas temperature of 140 ° C.), and the HC purification rate is improved.

【0093】前記各実施例においては、未改質ゼオライ
トに改質処理を施すことによって結晶性アルミノケイ酸
塩を得ているが、本発明に係る結晶性アルミノケイ酸塩
は合成することも可能である。
In each of the above examples, the crystalline aluminosilicate is obtained by subjecting the unmodified zeolite to the modification treatment, but the crystalline aluminosilicate according to the present invention can be synthesized. .

【0094】[0094]

【発明の効果】請求項1〜3記載の発明によれば、結晶
構造を前記のように特定することによって、優れた耐熱
性を有する結晶性アルミノケイ酸塩を提供することがで
きる。
According to the inventions of claims 1 to 3, by specifying the crystal structure as described above, it is possible to provide a crystalline aluminosilicate having excellent heat resistance.

【0095】請求項5〜7記載の発明によれば、耐熱性
を有する結晶性アルミノケイ酸塩と触媒用金属とより構
成された、高温耐久性を有すると共に排気ガス浄化率の
高い触媒を提供することができる。
According to the fifth to seventh aspects of the present invention, there is provided a catalyst comprising a crystalline aluminosilicate having heat resistance and a catalyst metal, which has high temperature durability and a high exhaust gas purification rate. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】未改質ゼオライトの脱Al反応を示す説明図で
ある。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a deAl reaction of unmodified zeolite.

【図2】実施例1の改質モルデナイトのX線回折図であ
る。
2 is an X-ray diffraction diagram of modified mordenite of Example 1. FIG.

【図3】実施例2の改質モルデナイトのX線回折図であ
る。
3 is an X-ray diffraction diagram of modified mordenite of Example 2. FIG.

【図4】実施例3の改質モルデナイトのX線回折図であ
る。
4 is an X-ray diffraction diagram of modified mordenite of Example 3. FIG.

【図5】比較例の改質モルデナイトのX線回折図であ
る。
FIG. 5 is an X-ray diffraction diagram of modified mordenite of Comparative Example.

【図6】未改質モルデナイトのX線回折図である。FIG. 6 is an X-ray diffraction pattern of unmodified mordenite.

【図7】(200)面のX線反射強度と加熱温度との関
係を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the X-ray reflection intensity of the (200) plane and the heating temperature.

【図8】実施例4の改質ZSM−5ゼオライトのX線回
折図である。
8 is an X-ray diffraction diagram of modified ZSM-5 zeolite of Example 4. FIG.

【図9】実施例5の改質ZSM−5ゼオライトのX線回
折図である。
9 is an X-ray diffraction pattern of modified ZSM-5 zeolite of Example 5. FIG.

【図10】実施例6の改質ZSM−5ゼオライトのX線
回折図である。
10 is an X-ray diffraction pattern of modified ZSM-5 zeolite of Example 6. FIG.

【図11】実施例7の改質ZSM−5ゼオライトのX線
回折図である。
11 is an X-ray diffraction pattern of modified ZSM-5 zeolite of Example 7. FIG.

【図12】未改質ZSM−5ゼオライトのX線回折図で
ある。
FIG. 12 is an X-ray diffraction pattern of unmodified ZSM-5 zeolite.

【図13】(200)面/(020)面のX線反射強度
と加熱温度との関係を示すグラフである。
FIG. 13 is a graph showing the relationship between the X-ray reflection intensity of the (200) plane / (020) plane and the heating temperature.

【図14】改質ゼオライトの微細孔形成部におけるイオ
ン交換反応の一例を示す説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing an example of an ion exchange reaction in a fine pore forming part of modified zeolite.

【図15】改質ゼオライトの微細孔形成部におけるイオ
ン交換反応の他例を示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory view showing another example of the ion exchange reaction in the fine pore forming part of the modified zeolite.

【図16】未改質ゼオライトの微細孔形成部におけるイ
オン交換反応の一例を示す説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing an example of an ion exchange reaction in a fine pore forming part of unmodified zeolite.

【図17】Al2 3 のモル数M1 とCuのモル数M2
との比M2 /M1 と、NOx最大浄化率との関係の一例
を示すグラフである。
FIG. 17: Al 2 O 3 mole number M 1 and Cu mole number M 2
3 is a graph showing an example of the relationship between the ratio M 2 / M 1 of and the maximum NOx purification rate.

【図18】Al2 3 のモル数M1 とCuのモル数M2
との比M2 /M1 と、NOx最大浄化率との関係の他例
を示すグラフである。
FIG. 18: Number of moles M 1 of Al 2 O 3 and number of moles M 2 of Cu M 2
7 is a graph showing another example of the relationship between the ratio M 2 / M 1 and the maximum NOx purification rate.

【図19】雰囲気温度とNOx最大浄化率との関係の一
例を示すグラフである。
FIG. 19 is a graph showing an example of the relationship between the atmospheric temperature and the NOx maximum purification rate.

【図20】雰囲気温度とNOx最大浄化率との関係の他
例を示すグラフである。
FIG. 20 is a graph showing another example of the relationship between the ambient temperature and the NOx maximum purification rate.

【図21】ガス温度とHC浄化率との関係を示すグラフ
である。
FIG. 21 is a graph showing the relationship between gas temperature and HC purification rate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 知己 埼玉県和光市中央1丁目4番1号 株式会 社本田技術研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tomoki Sugiyama 1-4-1 Chuo, Wako-shi, Saitama Stock Research Institute Honda Technical Research Institute

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 格子面間隔が4.0Å以上である第1の
結晶面群において、ミラー指数h,k,lがそれぞれ2
以下である複数の結晶面CF1 のうち、最大X線反射強
度を示す結晶面のX線反射強度I1 と、格子面間隔が3
Å以上、4Å未満である第2の結晶面群のうち、最大X
線反射強度を示す結晶面CF2 のX線反射強度I2 との
比I1 /I2 が0.76≦I1 /I2 ≦1.10である
ことを特徴とする結晶性アルミノケイ酸塩。
1. In the first crystal plane group having a lattice spacing of 4.0 Å or more, Miller indices h, k, and l are 2 respectively.
Among a plurality of crystal planes CF 1 below, the X-ray reflection intensity I 1 of the crystal plane showing the maximum X-ray reflection intensity and the lattice plane spacing of 3
The maximum X of the second crystal plane group that is Å or more and less than 4 Å
Crystalline aluminosilicates ratio I 1 / I 2 of the X-ray reflection intensity I 2 of the crystal plane CF 2 showing the line reflection intensity is characterized in that it is a 0.76 ≦ I 1 / I 2 ≦ 1.10 .
【請求項2】 骨格構造における微細孔形成部が、O原
子を共有して相互に結合された複数のSiO4 四面体構
造部と1個以上のAlO4 四面体構造部とを有し、それ
らSiO4 四面体構造部には、隣接するSiO4 四面体
構造部から分離している非共有O原子を持つSiO4
面体構造部が含まれ、前記非共有O原子に化学的活性な
陽性原子および陽性基の一方が結合し、前記微細孔形成
部におけるAl原子の存在率Aは、A≦15.8%に設
定されていることを特徴とする結晶性アルミノケイ酸
塩。
2. The micropore forming part in the skeletal structure has a plurality of SiO 4 tetrahedral structure parts and one or more AlO 4 tetrahedral structure parts which are bonded to each other by sharing O atoms. the SiO 4 tetrahedron structure, contains SiO 4 tetrahedral structure with non covalent O atoms are separated from the SiO 4 tetrahedral structures adjacent, chemically active positive atoms in the non-covalent O atoms A crystalline aluminosilicate characterized in that one of the positive group and the positive group is bonded, and the abundance A of Al atoms in the fine pore forming part is set to A ≦ 15.8%.
【請求項3】 骨格構造における微細孔形成部が、O原
子を共有して相互に結合された複数のSiO4 四面体構
造部を有し、それらSiO4 四面体構造部には、隣接す
るSiO4 四面体構造部から分離している非共有O原子
を持つSiO 4 四面体構造部が含まれ、前記非共有O原
子に化学的活性な陽性原子および陽性基の一方が結合し
ていることを特徴とする結晶性アルミノケイ酸塩。
3. The fine pore forming portion in the skeletal structure is an O source.
A plurality of SiOs sharing a child and bonded to each otherFourTetrahedral structure
It has a structure part and those SiOFourAdjacent to the tetrahedral structure
SiOFourUnshared O atom separated from tetrahedral structure
With SiO FourA non-shared O source including a tetrahedral structure
One of the chemically active positive atoms and positive groups is attached to the child.
A crystalline aluminosilicate characterized in that
【請求項4】 改質モルデナイトおよび改質ZSM−5
ゼオライトの一方である、請求項1,2または3記載の
結晶性アルミノケイ酸塩。
4. Modified mordenite and modified ZSM-5.
The crystalline aluminosilicate according to claim 1, which is one of zeolites.
【請求項5】 格子面間隔が4.0Å以上である第1の
結晶面群において、ミラー指数h,k,lがそれぞれ2
以下である複数の結晶面CF1 のうち、最大X線反射強
度を示す結晶面のX線反射強度I1 と、格子面間隔が3
Å以上、4Å未満である第2の結晶面群のうち、最大X
線反射強度を示す結晶面CF2 のX線反射強度I2 との
比I1 /I2 が0.76≦I1 /I2 ≦1.10である
結晶性アルミノケイ酸塩と、その結晶性アルミノケイ酸
塩に担持された触媒用金属とより構成され、前記触媒用
金属は周期表第Ib族、鉄族および白金族の少なくとも
1つの族から選択される少なくとも一種の金属であるこ
とを特徴とする排気ガス浄化用触媒。
5. In the first crystal plane group having a lattice spacing of 4.0 Å or more, Miller indices h, k, and l are 2 respectively.
Among a plurality of crystal planes CF 1 below, the X-ray reflection intensity I 1 of the crystal plane showing the maximum X-ray reflection intensity and the lattice plane spacing of 3
The maximum X of the second crystal plane group that is Å or more and less than 4 Å
A crystalline aluminosilicate ratio I 1 / I 2 is 0.76 ≦ I 1 / I 2 ≦ 1.10 in an X-ray reflection intensity I 2 of the crystal plane CF 2 showing the line reflection intensity, the crystalline A metal for catalyst supported on an aluminosilicate, wherein the metal for catalyst is at least one metal selected from at least one group selected from Group Ib, the iron group and the platinum group of the periodic table, Exhaust gas purification catalyst.
【請求項6】 骨格構造における微細孔形成部が、O原
子を共有して相互に結合された複数のSiO4 四面体構
造部と1個以上のAlO4 四面体構造部とを有し、それ
らSiO4 四面体構造部には、隣接するSiO4 四面体
構造部から分離している非共有O原子を持つSiO4
面体構造部が含まれ、前記微細孔形成部におけるAl原
子の存在率Aは、A≦15.8%に設定されている結晶
性アルミノケイ酸塩と、その結晶性アルミノケイ酸塩に
担持された触媒用金属とより構成され、前記触媒用金属
は周期表第Ib族、鉄族および白金族の少なくとも1つ
の族から選択される少なくとも一種の金属であることを
特徴とする排気ガス浄化用触媒。
6. The micropore forming part in the skeleton structure has a plurality of SiO 4 tetrahedral structure parts and one or more AlO 4 tetrahedral structure parts which are bonded to each other by sharing O atoms. the SiO 4 tetrahedron structure, contains SiO 4 tetrahedral structure with non covalent O atoms are separated from the SiO 4 tetrahedral structures adjacent, the presence of the Al atoms in the micropore forming portion a Is composed of a crystalline aluminosilicate set to A ≦ 15.8% and a catalytic metal supported on the crystalline aluminosilicate, wherein the catalytic metal is Group Ib of the periodic table, iron. An exhaust gas purifying catalyst, which is at least one metal selected from at least one group selected from the group consisting of platinum group and platinum group.
【請求項7】 骨格構造における微細孔形成部が、O原
子を共有して相互に結合された複数のSiO4 四面体構
造部を有し、それらSiO4 四面体構造部には、隣接す
るSiO4 四面体構造部から分離している非共有O原子
を持つSiO 4 四面体構造部が含まれている結晶性アル
ミノケイ酸塩と、その結晶性アルミノケイ酸塩に担持さ
れた触媒用金属とより構成され、前記触媒用金属は周期
表第Ib族、鉄族および白金族の少なくとも1つの族か
ら選択される少なくとも一種の金属であることを特徴と
する排気ガス浄化用触媒。
7. The fine pore forming portion in the skeletal structure is O
A plurality of SiOs sharing a child and bonded to each otherFourTetrahedral structure
It has a structure part and those SiOFourAdjacent to the tetrahedral structure
SiOFourUnshared O atom separated from tetrahedral structure
With SiO FourCrystalline Al containing tetrahedral structure
Supported on minosilicate and its crystalline aluminosilicate
And a catalyst metal, the catalyst metal is
Table At least one of Group Ib, Iron and Platinum
Characterized by being at least one metal selected from
Exhaust gas purification catalyst.
【請求項8】 前記結晶性アルミノケイ酸塩は、未改質
の結晶性アルミノケイ酸塩に改質処理を施して得られた
改質結晶性アルミノケイ酸塩であり、前記触媒用金属は
前記改質結晶性アルミノケイ酸塩にイオン交換法の適用
により担持されており、前記未改質の結晶性アルミノケ
イ酸塩におけるAl2 3 のモル数をM1 とし、前記改
質結晶性アルミノケイ酸塩に担持された前記触媒用金属
のモル数をM2 としたとき、両モル数M1 ,M2 の比M
2 /M1 は、0.06≦M2 /M1 ≦2.1に設定され
ている、請求項5,6または7記載の排気ガス浄化用触
媒。
8. The crystalline aluminosilicate is a modified crystalline aluminosilicate obtained by subjecting an unmodified crystalline aluminosilicate to a modification treatment, and the catalyst metal is the modified metal. The crystalline aluminosilicate is supported by application of an ion exchange method, and the number of moles of Al 2 O 3 in the unmodified crystalline aluminosilicate is M 1 , and the modified crystalline aluminosilicate is supported. when has been the number of moles of the catalytic metal and M 2, the ratio of the two moles M 1, M 2 M
2 / M 1 is, 0.06 ≦ M 2 / M 1 ≦ 2.1 is set to claim 5, 6 or 7 exhaust gas purifying catalyst according.
【請求項9】 前記改質結晶性アルミノケイ酸塩は、改
質モルデナイトおよび改質ZSM−5ゼオライトの一方
である、請求項5,6,7または8記載の排気ガス浄化
用触媒。
9. The exhaust gas purifying catalyst according to claim 5, 6, 7 or 8, wherein the modified crystalline aluminosilicate is one of modified mordenite and modified ZSM-5 zeolite.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013514167A (en) * 2009-12-18 2013-04-25 ビー・エイ・エス・エフ、コーポレーション Method, catalyst, system and method for preparing a copper-containing molecular sieve with a CHA structure

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JP2013514167A (en) * 2009-12-18 2013-04-25 ビー・エイ・エス・エフ、コーポレーション Method, catalyst, system and method for preparing a copper-containing molecular sieve with a CHA structure

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