JPH06204003A - 負特性サーミスタ材料 - Google Patents
負特性サーミスタ材料Info
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- JPH06204003A JPH06204003A JP36211692A JP36211692A JPH06204003A JP H06204003 A JPH06204003 A JP H06204003A JP 36211692 A JP36211692 A JP 36211692A JP 36211692 A JP36211692 A JP 36211692A JP H06204003 A JPH06204003 A JP H06204003A
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- sb2o3
- bi2o3
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遷移金属サーミスタ体と比較して半田耐熱性
に優れ、Ｂ定数の選択幅の広いサーミスタ材料を提供す
る。 【構成】 最終的にＳｎ、Ｓｂ、Ｂｉ及び、Ｍｎを含む
複合酸化物より成る負特性サーミスタ材料。
に優れ、Ｂ定数の選択幅の広いサーミスタ材料を提供す
る。 【構成】 最終的にＳｎ、Ｓｂ、Ｂｉ及び、Ｍｎを含む
複合酸化物より成る負特性サーミスタ材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種温度センサー回路に
用いられるＳｎＯ２系負特性サーミスタ材料に関する。
用いられるＳｎＯ２系負特性サーミスタ材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、常温で使用される負特性サーミス
タは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ等の遷移金属酸化物を主
成分とするものが知られており、通常のセラミック素子
製造方法により作製されている。
タは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ等の遷移金属酸化物を主
成分とするものが知られており、通常のセラミック素子
製造方法により作製されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、遷移金
属酸化物サーミスタ材料を成形した加熱焼成したサーミ
スタ体は、面実装用として角形チップ状にした場合、半
田耐熱性が弱いため、半田付工程において、サーミスタ
体の亀裂、欠け又は割れが発生しやすい。これはサーミ
スタ体の機械的強度が小さいことと、熱膨張係数が（８
０〜１００）×１０−７／℃とセラミック材料としては
比較的大きいことによる。又、Ｂ定数は角形チップ状で
は２５００Ｋないし４５００Ｋ程度であるとされてい
る。
属酸化物サーミスタ材料を成形した加熱焼成したサーミ
スタ体は、面実装用として角形チップ状にした場合、半
田耐熱性が弱いため、半田付工程において、サーミスタ
体の亀裂、欠け又は割れが発生しやすい。これはサーミ
スタ体の機械的強度が小さいことと、熱膨張係数が（８
０〜１００）×１０−７／℃とセラミック材料としては
比較的大きいことによる。又、Ｂ定数は角形チップ状で
は２５００Ｋないし４５００Ｋ程度であるとされてい
る。
【０００４】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、遷移
金属酸化物サーミスタ体に比較して半田耐熱性に優れ、
Ｂ定数の選択幅の広いサーミスタ材料を提供するもので
ある。
金属酸化物サーミスタ体に比較して半田耐熱性に優れ、
Ｂ定数の選択幅の広いサーミスタ材料を提供するもので
ある。
【０００５】本発明によるＳｎＯ２系サーミスタ体は機
械的強度に優れ、熱膨張係数が（４０〜６０）×１０
−７／℃と小さいため半田耐熱性に優れているので、遷
移金属酸化物サーミスタ体と比較して、半田付工程にお
いて亀裂、欠け又は割れの発生する可能性が少ない。
又、Ｂ定数はＭｎＯ２配合量を変化させることにより、
３０００Ｋ以下の範囲のものを得ることができる。
械的強度に優れ、熱膨張係数が（４０〜６０）×１０
−７／℃と小さいため半田耐熱性に優れているので、遷
移金属酸化物サーミスタ体と比較して、半田付工程にお
いて亀裂、欠け又は割れの発生する可能性が少ない。
又、Ｂ定数はＭｎＯ２配合量を変化させることにより、
３０００Ｋ以下の範囲のものを得ることができる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の負特性サーミス
タ材料は、最終的にＳｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｍｎを含む複合
酸化物であって、前記複合酸化物の組成比はＳｎＯ２、
Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２に換算して、ＳｎＯ
２は５０〜９９．０ｍｏｌ％、Ｓｂ２Ｏ３は０．０５〜
２０．０ｍｏｌ％、Ｂｉ２Ｏ３は０．０５〜２０．０ｍ
ｏｌ％、ＭｎＯ２は０．０５〜１０．０ｍｏｌ％であ
る。
タ材料は、最終的にＳｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｍｎを含む複合
酸化物であって、前記複合酸化物の組成比はＳｎＯ２、
Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２に換算して、ＳｎＯ
２は５０〜９９．０ｍｏｌ％、Ｓｂ２Ｏ３は０．０５〜
２０．０ｍｏｌ％、Ｂｉ２Ｏ３は０．０５〜２０．０ｍ
ｏｌ％、ＭｎＯ２は０．０５〜１０．０ｍｏｌ％であ
る。
【０００７】
【数１】
【０００８】となる組成比である。
【０００９】
【作用】本発明の負特性サーミスタ材料は、ＳｎＯ２と
Ｓｂ２Ｏ３の配合比により抵抗値を変化させることがで
き、ＭｎＯ２の添加によりＢ定数と抵抗値を変化させる
ことができる。更に、Ｂｉ２Ｏ３により焼結温度（もし
くは加熱焼成温度）を実用温度範囲にまで低下させるこ
とができ、Ｂ定数を変化させることができる。
Ｓｂ２Ｏ３の配合比により抵抗値を変化させることがで
き、ＭｎＯ２の添加によりＢ定数と抵抗値を変化させる
ことができる。更に、Ｂｉ２Ｏ３により焼結温度（もし
くは加熱焼成温度）を実用温度範囲にまで低下させるこ
とができ、Ｂ定数を変化させることができる。
【００１０】
【００１１】
【実施例１】
【００１２】
【数２】
【００１３】上記数式２の配合比となるように原料を調
合し、ボールミルで２０時間混合する。この混合物を１
１００℃で２時間保持して仮焼する。この仮焼物を再び
ボールミルで２０時間混合する。この混合物にポリビニ
ールアルコール溶液を添加し造粒する。この造粒物を圧
縮成形する。この成形体を１２００℃ないし１４００℃
好ましくは１３００℃の温度に２時間保持して焼成す
る。
合し、ボールミルで２０時間混合する。この混合物を１
１００℃で２時間保持して仮焼する。この仮焼物を再び
ボールミルで２０時間混合する。この混合物にポリビニ
ールアルコール溶液を添加し造粒する。この造粒物を圧
縮成形する。この成形体を１２００℃ないし１４００℃
好ましくは１３００℃の温度に２時間保持して焼成す
る。
【００１４】得られた焼結体の両端に電極を形成しサー
ミスタ体とする。得られたサーミスタ体の抵抗値は７８
０ΩでＢ定数は１２００Ｋであった。
ミスタ体とする。得られたサーミスタ体の抵抗値は７８
０ΩでＢ定数は１２００Ｋであった。
【００１５】
【実施例２】
【００１６】
【数３】
【００１７】上記数式３の配合比となるように原料を調
合し、実施例１と同様な方法でサーミスタ体を作成した
ところ抵抗値は１．８５ｋΩでＢ定数は１８００Ｋであ
った。
合し、実施例１と同様な方法でサーミスタ体を作成した
ところ抵抗値は１．８５ｋΩでＢ定数は１８００Ｋであ
った。
【００１８】
【実施例３】
【００１９】
【数４】
【００２０】上記数式４の配合比よりなる原材料を ５ ≦ ｘ ≦ ２０ の範囲でｘを変化させ、実施例１と同様な方法でサーミ
スタ体を作製し、それぞれの抵抗値及びＢ定数を測定し
た。その結果を図１及び図２に示す。
スタ体を作製し、それぞれの抵抗値及びＢ定数を測定し
た。その結果を図１及び図２に示す。
【００２１】図１及び図２は、Ｓｂ２Ｏ３配合量の増加
により抵抗値及びＢ定数を上昇できることを示してい
る。
により抵抗値及びＢ定数を上昇できることを示してい
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明によるＳｎＯ２系サーミスタ体は
機械的強度及び半田耐熱性に優れているので、半田付け
工程において亀裂、欠け又は割れの発生する可能性が少
ない。又、本サーミスタ材料によれば、ＳｎＯ２とＳｂ
２Ｏ３の配合比により抵抗値を変化させることができ、
ＭｎＯ２の添加によりＢ定数を３０００Ｋ以下の範囲で
変化させることができ、抵抗値も変化させることが可能
となる。
機械的強度及び半田耐熱性に優れているので、半田付け
工程において亀裂、欠け又は割れの発生する可能性が少
ない。又、本サーミスタ材料によれば、ＳｎＯ２とＳｂ
２Ｏ３の配合比により抵抗値を変化させることができ、
ＭｎＯ２の添加によりＢ定数を３０００Ｋ以下の範囲で
変化させることができ、抵抗値も変化させることが可能
となる。
【００２３】更に、Ｂｉ２Ｏ３により焼結温度を実用温
度範囲にまで低下させることができ、しかもＢ定数も変
化させることができる。従って生産効率及び特性の向上
が図れる。
度範囲にまで低下させることができ、しかもＢ定数も変
化させることができる。従って生産効率及び特性の向上
が図れる。
【図１】本発明の一実施例を示す負特性サーミスタ材料
におけるＳｂ２Ｏ３の配合比を変化させた場合の抵抗値
との関係を示す図である。
におけるＳｂ２Ｏ３の配合比を変化させた場合の抵抗値
との関係を示す図である。
【図２】本発明の一実施例を示す負特性サーミスタ材料
におけるＳｂ２Ｏ３の配合比を変化させた場合のＢ定数
との関係を示す図である。
におけるＳｂ２Ｏ３の配合比を変化させた場合のＢ定数
との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 最終的にＳｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｍｎを含む
複合酸化物であって、 前記複合酸化物の組成比はＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ
２Ｏ３、ＭｎＯ２に換算して、ＳｎＯ２は５０〜９９．
０ｍｏｌ％、Ｓｂ２Ｏ３は０．０５〜２０．０ｍｏｌ
％、Ｂｉ２Ｏ３は０．０５〜２０．０ｍｏｌ％、ＭｎＯ
２は０．０５〜１０．０ｍｏｌ％であることを特徴とす
る負特性サーミスタ材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36211692A JP3213647B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 負特性サーミスタ組成物および負特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36211692A JP3213647B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 負特性サーミスタ組成物および負特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204003A true JPH06204003A (ja) | 1994-07-22 |
| JP3213647B2 JP3213647B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=18475958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36211692A Expired - Fee Related JP3213647B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 負特性サーミスタ組成物および負特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3213647B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010541233A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的多層構成要素、および電気的多層構成要素を生産する方法 |
-
1992
- 1992-12-29 JP JP36211692A patent/JP3213647B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010541233A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的多層構成要素、および電気的多層構成要素を生産する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3213647B2 (ja) | 2001-10-02 |
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