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JPH06180816A - Production of magnetic head - Google Patents

Production of magnetic head

Info

Publication number
JPH06180816A
JPH06180816A JP35229392A JP35229392A JPH06180816A JP H06180816 A JPH06180816 A JP H06180816A JP 35229392 A JP35229392 A JP 35229392A JP 35229392 A JP35229392 A JP 35229392A JP H06180816 A JPH06180816 A JP H06180816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gap
film
glass
magnetic
magnetic head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35229392A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukihiko Yashima
幸彦 八島
Toshio Takaoka
敏雄 高岡
Kazuhiro Saito
和宏 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Japan Energy Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Energy Corp filed Critical Japan Energy Corp
Priority to JP35229392A priority Critical patent/JPH06180816A/en
Publication of JPH06180816A publication Critical patent/JPH06180816A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the mixing of gaseous Ar into a mold glass to increase the joining strength of a gap and to increase the product yield by specifying the Ar pressure in sputtering to form a gap material layer. CONSTITUTION:The gap material layers 25 and 26 of SiO2 and the adjacent joining glass layers 27 and 28 are formed by sputtering on the abutting surfaces 18a and 19a of core halves 18 and 19. The layers 27 and 28 are butt-welded to form a gap 21 having a specified length L. A mold glass is filled in the part to be chamfered adjacent to the gap 21 to reinforce the gap 21. The Ar pressure is controlled to 4-15mTorr in sputtering to form the layers 25 and 26. The Ar is mixed into the layers 25 and 26 as bubbles when the Ar pressure is below the range, and the joining strength of the mold glass is lowered. Meanwhile, the discharge is unstable and the joining strength is increased, when the Ar pressure is above the range. Consequently, the product yield is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、一般に二つのコア半体
をギャップ部を介して突合せて接合し、更に、このギャ
ップ部をモールドガラスにより補強することにより構成
される磁気ヘッドの製造方法に関するものであり、特
に、高周波用で且つ高いS/N比が要求される高密度記
録用ヘッド、主としてビデオヘッド、コンピュータ用ヘ
ッド等に好適に使用されるFe−Si−Al合金磁性膜
を用いた磁気ヘッドの製造に好適に使用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a method of manufacturing a magnetic head which is constructed by abutting and joining two core halves via a gap portion, and further reinforcing the gap portion with a mold glass. In particular, a Fe-Si-Al alloy magnetic film that is suitable for use in high-density recording heads for high frequencies, which require a high S / N ratio, mainly video heads, computer heads, etc., was used. It is preferably used for manufacturing a magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気記録技術の分野における最近の記録
密度の向上は著しく、これに伴なって例えば電磁変換素
子としての磁気ヘッドに対する狭トラック化及びコア材
料の飽和磁化の増大並びに高周波領域における透磁率の
改善といった要求が高まっている。
2. Description of the Related Art The recent improvement in recording density in the field of magnetic recording technology is accompanied by a consequent narrowing of tracks for a magnetic head as an electromagnetic transducer, an increase in saturation magnetization of a core material, and a transparency in a high frequency region. There is an increasing demand for improved magnetic susceptibility.

【0003】近年、磁気記録分野における上記要求を満
足せしめる磁気ヘッドとして、例えばFe−Si−Al
合金磁性膜を用いた薄膜積層磁気ヘッドが急速に注目を
浴びている。斯かる磁気ヘッド及びその製造方法の一例
を図1〜図4を参照して説明する。
In recent years, for example, Fe--Si--Al has been used as a magnetic head satisfying the above requirements in the field of magnetic recording.
A thin film laminated magnetic head using an alloy magnetic film has been rapidly receiving attention. An example of such a magnetic head and its manufacturing method will be described with reference to FIGS.

【0004】図3を参照すると、結晶化ガラス又はセラ
ミックスから成る基板11上にFe−Si−Al合金薄
膜12が膜厚1〜20μmにて成膜される。次いで、該
合金磁性膜12上にSiO2 から成る非磁性絶縁膜、即
ち、層間膜13が膜厚0.03〜0.5μmにて形成さ
れる。
Referring to FIG. 3, an Fe-Si-Al alloy thin film 12 is formed in a thickness of 1 to 20 μm on a substrate 11 made of crystallized glass or ceramics. Then, a non-magnetic insulating film made of SiO 2 , that is, an interlayer film 13 is formed on the alloy magnetic film 12 to have a film thickness of 0.03 to 0.5 μm.

【0005】更に、磁性膜12と非磁性絶縁膜13が必
要回数積層され、磁性膜構造体14が形成される。斯る
磁性膜12と非磁性絶縁膜13の膜厚及び積層回数は積
層部の厚さがトラック幅Wとなるように適宜設定され
る。
Further, the magnetic film 12 and the non-magnetic insulating film 13 are stacked a necessary number of times to form a magnetic film structure 14. The film thickness of the magnetic film 12 and the non-magnetic insulating film 13 and the number of times of lamination are appropriately set so that the thickness of the laminated portion becomes the track width W.

【0006】次いで、前記磁性膜構造体14の上にガラ
ス膜15が形成され、その上に他の基板16が積層され
る。ガラス膜15としては接合ガラスが使用されてい
る。基板16は前記基板11と同様の材料にて作製され
る。
Next, a glass film 15 is formed on the magnetic film structure 14, and another substrate 16 is laminated thereon. Bonded glass is used as the glass film 15. The substrate 16 is made of the same material as the substrate 11.

【0007】このようにして作製された積層膜構造体1
7は、図2に示されるように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体18、19が形成され、少なくとも
片方のコア半体、本例ではコア半体18に巻線溝20を
形成する。
Laminated film structure 1 produced in this way
2, a pair of core halves 18 and 19 are formed by cutting in the laminated thickness direction as shown in FIG. 2, and at least one of the core halves, in this example, the core half 18 has a winding groove. Form 20.

【0008】続いて、両コア半体18、19の突合せ面
の接合を強固なものとするために、従来、図2に示すよ
うに、巻線溝20に対向した、本例ではコア半体19の
両側面部に面取り部22を形成し、又、両コア半体の該
巻線溝20とは反対側にも凹所23が形成される。その
後、両コア半体18、19の突合せ面は研摩加工され、
ギャップ部21が形成される。
Subsequently, in order to strengthen the joining of the abutting surfaces of the two core halves 18 and 19, conventionally, as shown in FIG. A chamfered portion 22 is formed on both side surface portions of 19, and a recess 23 is formed on the opposite side of the winding grooves 20 of both core halves. After that, the abutting surfaces of both core halves 18 and 19 are polished,
The gap portion 21 is formed.

【0009】従来、ギャップ部21は、図1に示すよう
に、各コア半体18、19のギャップ部形成面、即ち、
突合せ面18a、19aに隣接してSiO2 から成る非
磁性絶縁層、即ち、ギャップ材層25、26と、その上
に接合ガラス層27、28をそれぞれ、スパッタリング
法にて順次形成し、各コア半体18、19の接合ガラス
層27、28を対面させ、溶融圧着することによって形
成された。
Conventionally, as shown in FIG. 1, the gap portion 21 has a gap portion forming surface of each of the core halves 18 and 19, that is,
A non-magnetic insulating layer made of SiO 2 , that is, gap material layers 25 and 26, and bonding glass layers 27 and 28 are sequentially formed on the non-magnetic insulating layers adjacent to the abutting surfaces 18a and 19a by a sputtering method to form cores. It was formed by facing the bonded glass layers 27 and 28 of the halves 18 and 19 and melt-bonding them.

【0010】更に、上記面取り部22及び凹所23には
モールドガラスmを充填し、両コア半体の接合が、即
ち、ギャップ部21の接合強度が補強される。
Further, the chamfered portion 22 and the recess 23 are filled with mold glass m to reinforce the joining of both core halves, that is, the joining strength of the gap portion 21.

【0011】最後に、例えばテープ摺動面を形成するべ
くR研摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工が行なわ
れ、磁気ヘッド10が得られる。
Finally, for example, R polishing processing and other forming processing and winding processing are performed to form a tape sliding surface, and the magnetic head 10 is obtained.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】このような構成の磁気
ヘッドは、極めて良好な磁気特性を有するものである
が、特に、上述したように、面取り部22にモールドガ
ラスmを充填し、ギャップ部21を補強したにも拘らず
ギャップ部21が開くことがあり、ギャップ部21の製
造に関する歩留り低下の原因となっている。
The magnetic head having such a structure has extremely good magnetic characteristics. Particularly, as described above, the chamfered portion 22 is filled with the mold glass m and the gap portion is formed. Although the gap 21 is reinforced, the gap 21 may be opened, which causes a reduction in yield in manufacturing the gap 21.

【0013】本発明者らは、この問題を解決するべく研
究実験を行なった結果、ギャップ部21の、特に、面取
り部22のモールドガラスm中にArガスの気泡が存在
し、この気泡がモールドガラスmの接合強度を劣化させ
ていることが分かった。更に研究実験を続けた結果、
(1)スパッタ膜の材質と、Ar取り込み量との関係を
調べたところ、図5に示すように、特に、SiO2 から
成るギャップ材層25、26中には、スパッタ時に使用
されるArが、ガラス膜或はアルミニウム膜などに比較
して、極めて多く取り込まれること、(2)このギャッ
プ材層25、26中に多く取り込まれたArは、ギャッ
プ部21に隣接して形成された面取り部22のモールド
ガラスm中にガス状となって放出され、モールドガラス
m中にAr気泡として保持されること、(3)このモー
ルドガラスm中のAr気泡は、モールドガラスmの接合
強度を、従ってギャップ部21の接合強度を低下せしめ
ること、が分かった。
The inventors of the present invention have conducted research and experiments to solve this problem. As a result, Ar gas bubbles are present in the mold glass m of the gap portion 21, particularly the chamfered portion 22. It was found that the bonding strength of the glass m was deteriorated. As a result of further research experiments,
(1) When the relationship between the material of the sputtered film and the amount of Ar taken in was investigated, as shown in FIG. 5, especially in the gap material layers 25 and 26 made of SiO 2 , Ar used during sputtering was found. Of the chamfered portion formed adjacent to the gap portion 21. (2) The Ar incorporated in the gap material layers 25 and 26 is much larger than that of the glass film or the aluminum film. 22 is released into the mold glass m as a gas and is retained as Ar bubbles in the mold glass m. (3) The Ar bubbles in the mold glass m affect the bonding strength of the mold glass m. It was found that the bonding strength of the gap portion 21 is reduced.

【0014】本発明者らは、更に研究実験を続けた結
果、ギャップ材層25、26中のAr量は、スパッタ時
のArガス圧力を4〜15mTorrとすることによ
り、大幅に低減させることができ、それによって、モー
ルドガラスm中へと放出されるArガス量を低減し、延
いては、モールドガラスmの接合強度を著しく向上せし
め得ることを見出した。これによって、ギャップ部21
の開きをなくし、ギャップ部21の製造に関する歩留り
を飛躍的に向上することができた。
As a result of further research and experiments, the inventors of the present invention can significantly reduce the amount of Ar in the gap material layers 25 and 26 by setting the Ar gas pressure during sputtering to 4 to 15 mTorr. It has been found that this can reduce the amount of Ar gas released into the mold glass m, and thus can significantly improve the bonding strength of the mold glass m. Thereby, the gap portion 21
It was possible to drastically improve the yield related to the manufacture of the gap portion 21 by eliminating the gap.

【0015】本発明は斯かる新規な知見に基づきなされ
たものである。
The present invention has been made on the basis of such novel findings.

【0016】従って、本発明の目的は、ギャップ部を補
強するためのモールドガラスの接合強度を増大させ、そ
れによってギャップ部の製造に関する歩留りを従来に比
し著しく向上せしめ得る磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetic head which can increase the bonding strength of the mold glass for reinforcing the gap portion, thereby significantly improving the yield relating to the manufacturing of the gap portion as compared with the conventional method. Is to provide.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
磁気ヘッドの製造方法にて達成される。要約すれば、本
発明は、二つのコア半体を形成し、各コア半体の突合せ
面には、少なくとも、コア半体側にSiO2 から成るギ
ャップ材層と、このギャップ材層に隣接して接合ガラス
層とを順にスパッタリング法にて成膜し、そして両コア
半体の前記接合ガラス層を互いに溶融圧着して所定のギ
ャップ長を有したギャップ部を形成し、更に、前記ギャ
ップ部に隣接して作製した面取り部にモールドガラスを
充填して前記ギャップ部を補強するようにした磁気ヘッ
ドの製造方法において、前記ギャップ材層を成膜する際
の、スパッタ時のArガス圧を4〜15mTorrとす
ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
The above object can be achieved by the method of manufacturing a magnetic head according to the present invention. In summary, the present invention forms two core halves, the abutting surface of each core half having at least a gap material layer of SiO 2 on the core half side and adjacent to the gap material layer. A bonding glass layer and a bonding glass layer are sequentially formed by a sputtering method, and the bonding glass layers of both core halves are melt-bonded to each other to form a gap portion having a predetermined gap length, and further adjacent to the gap portion. In the method of manufacturing a magnetic head in which the chamfered portion produced by filling the mold glass with the chamfered portion is reinforced, the Ar gas pressure during sputtering is 4 to 15 mTorr when the gap material layer is formed. And a method for manufacturing a magnetic head.

【0018】好ましくは、各コア半体は、一方の基板
と、該基板の上にFe−Si−Al合金磁性膜と層間膜
とが交互に積層されて成る磁性膜構造体と、該薄膜構造
体の上に積層されたガラス膜と、該ガラス膜の上に積層
された他方の基板とを有した積層膜構造体にて構成され
る。
Preferably, each of the core halves has one substrate, a magnetic film structure in which a Fe--Si--Al alloy magnetic film and an interlayer film are alternately laminated on the substrate, and the thin film structure. It is composed of a laminated film structure having a glass film laminated on the body and the other substrate laminated on the glass film.

【0019】[0019]

【実施例】次に、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法を
更に詳しく説明する。本実施例では、製造される磁気ヘ
ッドは、Fe−Si−Al合金磁性膜を用いた薄膜積層
磁気ヘッドとされる。
Next, a method of manufacturing a magnetic head according to the present invention will be described in more detail. In this embodiment, the manufactured magnetic head is a thin film laminated magnetic head using a Fe—Si—Al alloy magnetic film.

【0020】図3に示すような構成の積層膜構造体17
は、例えば、DCマグネトロンスパッタ装置を使用し
て、従来と同様に作製される。
A laminated film structure 17 having a structure as shown in FIG.
Is produced in the same manner as in the conventional case using, for example, a DC magnetron sputtering apparatus.

【0021】つまり、積層膜構造体17にて、例えばC
oO−NiOを主成分とする非磁性セラミックス基板1
1上にFe−Si−Al合金膜12が膜厚1〜20μm
にて成膜される。
That is, in the laminated film structure 17, for example, C
Non-magnetic ceramic substrate 1 containing oO-NiO as a main component
Fe-Si-Al alloy film 12 having a thickness of 1 to 20 μm
Is deposited at.

【0022】続いて、このFe−Si−Al合金膜12
の上に層間膜(絶縁膜)13としてSiO2 膜が膜厚
0.03〜0.5μmにて形成される。
Then, the Fe-Si-Al alloy film 12 is formed.
An SiO 2 film having a film thickness of 0.03 to 0.5 μm is formed thereon as an interlayer film (insulating film) 13.

【0023】同様にして、前記層間膜13上に磁性膜1
2及び絶縁膜13の順に、所定回数だけ、例えば4回繰
り返し、磁性膜構造体14が得られる。該磁性膜構造体
14の全膜厚は、通常10〜100μmとされ、その後
熱処理される。
Similarly, the magnetic film 1 is formed on the interlayer film 13.
The magnetic film structure 14 is obtained by repeating the 2 and the insulating film 13 a predetermined number of times, for example, four times. The total film thickness of the magnetic film structure 14 is usually set to 10 to 100 μm, and then heat treated.

【0024】更に、前記磁性膜構造体14の上に膜厚1
μm程度のガラス膜15を通常のスパッタリング法など
にて形成し、次いで、前記基板11と同じ材料で形成さ
れた他の基板16を前記ガラス膜15の上に積層し、溶
融圧着して積層膜構造体17が作製される。
Further, a film thickness of 1 is formed on the magnetic film structure 14.
A glass film 15 having a thickness of about μm is formed by a normal sputtering method or the like, and then another substrate 16 made of the same material as the substrate 11 is laminated on the glass film 15 and melt-pressed to form a laminated film. The structure 17 is produced.

【0025】次に、このようにして作製した積層膜構造
体17は、図2に示すように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体18、19を形成し、コア半体18
に巻線溝20を形成した後、両コア半体18、19の突
合せ面の接合を強固なものとするために、巻線溝20に
対向した、コア半体19の両側面部に面取り部22が形
成され、更に、必要に応じて、両コア半体の前記ギャッ
プ部21とは反対側にも凹所23が形成される。
Next, the laminated film structure 17 thus produced is cut in the laminated thickness direction to form a pair of core halves 18 and 19, as shown in FIG. 18
After forming the winding groove 20 in the core, chamfers 22 are formed on both side surfaces of the core half 19 facing the winding groove 20 in order to strengthen the joining of the abutting surfaces of the core halves 18 and 19. Is formed, and if necessary, a recess 23 is also formed on the opposite side of both core halves from the gap portion 21.

【0026】次いで、両コア半体ブロック18、19の
突合せ面18a、19a(図1)を研摩加工し、ギャッ
プ部21を形成する。
Next, the abutting surfaces 18a, 19a (FIG. 1) of both core half blocks 18, 19 are ground to form the gap portion 21.

【0027】ギャップ部21は、先ず、各コア半体1
8、19の研摩加工された突合せ面18a、19aに、
SiO2 から成るギャップ材層25、26をスパッタリ
ングにて形成し、次いで、このギャップ材層25、26
に隣接して接合ガラス層27、28をスパッタリングに
て形成する。必要に応じて、突合せ面18a、19aと
ギャップ材層25、26との間、更には、ギャップ材層
25、26と接合ガラス層27、28との間に、それぞ
れバッファ層としてAl層をスパッタリングにより形成
することもできる。
The gap portion 21 is first formed in each core half body 1.
On the abutted surfaces 18a, 19a of 8 and 19 which are polished,
The gap material layers 25 and 26 made of SiO 2 are formed by sputtering, and then the gap material layers 25 and 26 are formed.
Bonding glass layers 27 and 28 are formed adjacent to the substrate by sputtering. If necessary, an Al layer is sputtered as a buffer layer between the abutting surfaces 18a and 19a and the gap material layers 25 and 26, and between the gap material layers 25 and 26 and the bonding glass layers 27 and 28, respectively. Can also be formed.

【0028】ギャップ部21を構成するギャップ材層2
5、26及び接合ガラス層27、28の、場合によって
は、Al層からなるバッファ層をも含めた各層厚は、ギ
ャップ部21の長さ(L)を如何なる寸法にするかによ
り、任意に選択し得る。
Gap material layer 2 constituting the gap portion 21
5, 26 and the bonding glass layers 27, 28, each layer thickness including a buffer layer made of an Al layer may be arbitrarily selected depending on the size of the length (L) of the gap portion 21. You can

【0029】SiO2 から成るギャップ材層25、26
は、上述のように、スパッタリング法にて成膜される
が、本発明に従えば、スパッタ時のArガス圧力は、4
〜15mTorrとされる。
Gap material layers 25 and 26 made of SiO 2
Is formed by the sputtering method as described above, but according to the present invention, the Ar gas pressure during sputtering is 4
~ 15 mTorr.

【0030】図5からも理解されるように、スパッタ時
のArガス圧力が4mTorr未満の場合には、SiO
2 から成るギャップ材層25、26中に多くのArが取
り込まれ、このArが、面取り部22へのモールドガラ
スmの溶融充填時に、このモールドガラスmへとガス状
となって放出され、その結果、モールドガラスmの接合
強度を低下せしめる。一方、スパッタ時のArガス圧力
が15mTorrを超えると、放電が不安定となり、正
常なスパッタリングが維持できなくなる。
As can be understood from FIG. 5, when the Ar gas pressure during sputtering is less than 4 mTorr, SiO
A large amount of Ar is taken into the gap material layers 25 and 26 made of 2 , and this Ar is released to the mold glass m as a gas when the chamfered portion 22 is melt-filled with the mold glass m. As a result, the bonding strength of the mold glass m is reduced. On the other hand, when the Ar gas pressure during sputtering exceeds 15 mTorr, the discharge becomes unstable and normal sputtering cannot be maintained.

【0031】ギャップ部21における接合ガラス層2
7、28は従来の材料及び方法に従って成膜することが
できる。例えば、接合ガラス層27、28は、スパッタ
時のArガス圧力6〜10mTorrにて形成すること
ができる。
Bonding glass layer 2 in the gap 21
7, 28 can be deposited according to conventional materials and methods. For example, the bonding glass layers 27 and 28 can be formed at an Ar gas pressure of 6 to 10 mTorr during sputtering.

【0032】ギャップ材層25、26は0.05〜0.
15μm、接合ガラス層27、28は0.02〜0.1
0μmの厚さにて形成することができる。
The gap material layers 25 and 26 are 0.05 to 0.
15 μm, the bonding glass layers 27 and 28 are 0.02 to 0.1
It can be formed with a thickness of 0 μm.

【0033】もし、バッファ層としてAl層を成膜する
場合には、ターゲットとしてアルミニウム(Al)を使
用し、通常のスパッタリング法にて行なうことができ、
膜厚としては、通常10〜200Å、好ましくは、50
〜150Åとされる。
If an Al layer is formed as a buffer layer, aluminum (Al) can be used as a target and can be formed by an ordinary sputtering method.
The film thickness is usually 10 to 200Å, preferably 50.
~ 150Å

【0034】このようにしてギャップ部21が形成され
た両コア半体18、19は、面取り部22及び凹所23
にモールドガラスmを溶融充填すると共に、更に、ギャ
ップ部21を500℃〜650℃にて30分間〜1時間
加熱することにより溶融圧着する。
The core halves 18 and 19 in which the gap portion 21 is formed in this manner are chamfered portions 22 and recesses 23.
While the mold glass m is melt-filled, the gap part 21 is further heated at 500 ° C. to 650 ° C. for 30 minutes to 1 hour to perform melt compression bonding.

【0035】最後に、必要に応じて、テープ摺動面を形
成するべくR研摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工
を行ない、薄膜積層磁気ヘッド10を得ることができ
る。
Finally, if necessary, the R thin film lapping process and other forming process and winding process are performed to form the tape sliding surface, and the thin film laminated magnetic head 10 can be obtained.

【0036】上記方法にて多数の磁気ヘッド10を作製
したが、ギャップ部21が開くといった不良品の発生は
10%以下であり、ギャップ部製造に関する歩留りは9
0〜95%であった。
Although a large number of magnetic heads 10 were manufactured by the above method, the occurrence of defective products such as opening of the gap portion 21 was 10% or less, and the yield rate for manufacturing the gap portion was 9%.
It was 0 to 95%.

【0037】つまり、本発明によれば、磁気ヘッド製造
時におけるギャップ部21の溶着が極めて安定して行な
われ、ギャップ部21におけるモールドガラスmの接着
力不足によるギャップ部21の開きはなく、所定寸法形
状のギャップ部21を形成することができた。
That is, according to the present invention, the gap portion 21 is extremely stably welded when the magnetic head is manufactured, and the gap portion 21 does not open due to insufficient adhesion of the mold glass m in the gap portion 21. It was possible to form the dimensionally shaped gap portion 21.

【0038】次に、本発明を実施例について説明する。Next, the present invention will be described with reference to examples.

【0039】実施例1 非磁性基板11としてCoO−NiOを主成分とする非
磁性セラミック基板を使用し、該基板11上に、DCマ
グネトロンスパッタ装置によりFe−Si−Al合金膜
12及び非磁性絶縁膜13を交互に積層し、合金磁性薄
膜14を成膜した。本実施例にて、非磁性絶縁膜13と
してはSiO2 を使用し、合金磁性薄膜14の膜厚はト
ラック幅(W)とされる20μmとした。
Example 1 A non-magnetic ceramic substrate containing CoO-NiO as a main component was used as the non-magnetic substrate 11, and a Fe-Si-Al alloy film 12 and a non-magnetic insulating film were formed on the substrate 11 by a DC magnetron sputtering apparatus. The films 13 were alternately laminated to form the alloy magnetic thin film 14. In this embodiment, SiO 2 is used as the non-magnetic insulating film 13, and the thickness of the alloy magnetic thin film 14 is set to 20 μm which is the track width (W).

【0040】次いで、合金磁性薄膜14上にガラス膜1
5を、膜厚0.35μmにてスパッタリング法で形成し
た。又、基板11と同じ材料にて作製された他方の非磁
性基板16にもガラス膜15を、膜厚0.35μmにて
スパッタリング法で形成し、合金磁性膜14と重ねて7
00℃にて加圧溶着して積層膜構造体17を作製した。
Then, the glass film 1 is formed on the alloy magnetic thin film 14.
5 was formed with a film thickness of 0.35 μm by a sputtering method. Further, a glass film 15 is formed on the other non-magnetic substrate 16 made of the same material as the substrate 11 with a film thickness of 0.35 μm by a sputtering method, and is stacked on the alloy magnetic film 14 to form a film 7.
A laminated film structure 17 was produced by pressure welding at 00 ° C.

【0041】次に、このようにして作製された積層膜構
造体17は、図2に示すように、積層した厚さ方向に切
断し、一対のコア半体18、19を形成し、コア半体1
8に巻線溝20を形成した後、両コア半体18、19の
突合せ面の接合を強固なものとするために、巻線溝20
に対向した、コア半体19の両側面部に面取り部22を
形成し、又、両コア半体18、19の前記ギャップ部2
1とは反対側にも凹所23を形成し、その後、同コア半
体18、19の突合せ面18a、19aを研摩加工し
た。
Next, the laminated film structure 17 thus manufactured is cut in the laminated thickness direction to form a pair of core halves 18 and 19, as shown in FIG. Body 1
After the winding groove 20 is formed in the winding groove 8, the winding groove 20 is formed in order to strengthen the joining of the abutting surfaces of the core halves 18 and 19.
Chamfered portions 22 are formed on both side surfaces of the core half body 19 facing each other, and the gap portion 2 of both core half bodies 18 and 19 is formed.
A recess 23 was also formed on the side opposite to 1, and then the abutting surfaces 18a, 19a of the core halves 18, 19 were ground.

【0042】引き続いて、コア半体18、19の突合せ
面18a、19aにSiO2 から成る非磁性のギャップ
材層25、26をスパッタリング法により形成した。
Subsequently, nonmagnetic gap material layers 25 and 26 made of SiO 2 were formed on the abutting surfaces 18a and 19a of the core halves 18 and 19 by a sputtering method.

【0043】このとき、SiO2 のスパッタリングはR
Fマグネトロンスパッタ装置により行ない、直径8イン
チ、厚さ5mmのターゲットを用い、ターゲットとコア
半体18、19の突合せ面18a、19aとの距離は7
0mm、投入電力は300Wとして、Arガス圧力を種
々に変えて、厚さ0.1μmのギャップ材層25、26
を形成した。基板温度は200℃であり、成膜速度は約
5nm/minであった。
At this time, the sputtering of SiO 2 is R
F magnetron sputtering equipment was used, a target having a diameter of 8 inches and a thickness of 5 mm was used, and the distance between the target and the abutting surfaces 18a and 19a of the core halves 18 and 19 was 7.
The gap material layers 25 and 26 having a thickness of 0.1 μm are obtained by changing the Ar gas pressure to various values with 0 mm and an input power of 300 W.
Was formed. The substrate temperature was 200 ° C., and the film formation rate was about 5 nm / min.

【0044】このようにして得た各種のコア半体18、
19のギャップ材層25、26の上にガラス膜27、2
8を膜厚0.05μmにて形成した。
Various core halves 18 thus obtained,
The glass films 27, 2 on the gap material layers 25, 26 of 19
8 was formed with a film thickness of 0.05 μm.

【0045】このようにしてギャップ部21が形成され
た両コア半体18、19は、前記面取り部22及び凹所
23にモールドガラスmを溶融充填すると共に、ギャッ
プ部21を500℃〜650℃にて30分間〜1時間加
熱することにより溶融圧着した。
In both core halves 18 and 19 in which the gap portion 21 is formed in this manner, the chamfered portion 22 and the recessed portion 23 are melt-filled with the mold glass m, and the gap portion 21 is in the range of 500 ° C to 650 ° C. It was melt-pressed by heating at 30 minutes to 1 hour.

【0046】最後に、テープ摺動面を形成するべくR研
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工を行ない、薄膜
積層磁気ヘッド10を作製した。
Finally, the thin film laminated magnetic head 10 was manufactured by performing R polishing processing, other molding processing and winding processing to form a tape sliding surface.

【0047】このように、Arガス圧力を種々に変えて
作製した磁気ヘッド10のギャップ部の接合特性を試験
した結果を表1に示す。
Table 1 shows the results of testing the bonding characteristics of the gap portion of the magnetic head 10 produced by changing the Ar gas pressure in this way.

【0048】ギャップ材層25、26中のAr量は、ス
パッタ時のArガス圧力を4〜15mTorrとするこ
とにより、低減させることができ、それによって、モー
ルドガラスm中のArガス気泡を実質的になくすことが
できた。又、表1より、本発明によれば、ギャップ部2
1の歩留りが著しく向上することが分かる。又、本発明
に従って作製した磁気ヘッド10は、極めて良好な電磁
変換特性を有するものであった。
The amount of Ar in the gap material layers 25 and 26 can be reduced by setting the Ar gas pressure during sputtering to 4 to 15 mTorr, whereby the Ar gas bubbles in the mold glass m are substantially reduced. I was able to get rid of it. Further, from Table 1, according to the present invention, the gap portion 2
It can be seen that the yield of 1 is significantly improved. Further, the magnetic head 10 manufactured according to the present invention had extremely good electromagnetic conversion characteristics.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】上記各実施例にて、磁気ヘッドの磁性膜1
2としては、Fe−Si−Al合金磁性体に関連して説
明したが、アモルファス磁性体或は窒化鉄磁性体なども
同様に使用することができ、又、基板11、16として
も、CoO−NiOを主成分とする非磁性セラミックス
基板以外の他の非磁性セラミックス基板或は結晶化ガラ
スなどの基板をも使用し得ることは勿論である。
In each of the above embodiments, the magnetic film 1 of the magnetic head
Although 2 has been described in relation to the Fe-Si-Al alloy magnetic material, an amorphous magnetic material or an iron nitride magnetic material can be used in the same manner, and the substrates 11 and 16 can also be made of CoO-. It goes without saying that other non-magnetic ceramic substrates other than the non-magnetic ceramic substrate containing NiO as a main component or substrates such as crystallized glass can be used.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上の如くに構成される本発明に係る磁
気ヘッドの製造方法によれば、ギャップ材層を形成する
際の、スパッタ時のArガス圧が4〜15mTorrと
されるので、ギャップ材層に隣接したモールドガラス中
にArガスが気泡となって存在することがなくなり、ギ
ャップ部の接合強度を著しく向上せしめ得ることができ
る。従って、本発明によれば、ギャップ部の製造に関す
る歩留りを飛躍的に向上することが可能となった。
According to the method of manufacturing a magnetic head of the present invention configured as described above, the Ar gas pressure during sputtering is 4 to 15 mTorr when the gap material layer is formed. Ar gas does not exist as bubbles in the mold glass adjacent to the material layer, and the bonding strength at the gap can be significantly improved. Therefore, according to the present invention, it is possible to dramatically improve the yield related to manufacturing the gap portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にて製造される磁気ヘッドのギャップ部
の一実施例の部分拡大平面図である。
FIG. 1 is a partially enlarged plan view of an example of a gap portion of a magnetic head manufactured according to the present invention.

【図2】本発明にて製造される薄膜積層磁気ヘッドの一
実施例の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of an embodiment of a thin film laminated magnetic head manufactured according to the present invention.

【図3】図2の磁気ヘッドの磁性層構成を示す部分平面
図である。
FIG. 3 is a partial plan view showing a magnetic layer configuration of the magnetic head of FIG.

【図4】図2の磁気ヘッドのギャップ部を示す平面図で
ある。
FIG. 4 is a plan view showing a gap portion of the magnetic head of FIG.

【図5】スパッタ膜の材質とAr取入れ量との関係を示
す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a material of a sputtered film and an amount of Ar taken in.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 薄膜積層磁気ヘッド 18、19 コア半体 21 ギャップ部 22 面取り部 25、26 ギャップ材層 27、28 接合ガラス層 m モールドガラス 10 Thin Film Multilayer Magnetic Head 18, 19 Core Half 21 Gap 22 Chamfer 25, 26 Gap Material Layer 27, 28 Bonding Glass Layer m Mold Glass

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 二つのコア半体を形成し、各コア半体の
突合せ面には、少なくとも、コア半体側にSiO2 から
成るギャップ材層と、このギャップ材層に隣接して接合
ガラス層とを順にスパッタリング法にて成膜し、そして
両コア半体の前記接合ガラス層を互いに溶融圧着して所
定のギャップ長を有したギャップ部を形成し、更に、前
記ギャップ部に隣接して作製した面取り部にモールドガ
ラスを充填して前記ギャップ部を補強するようにした磁
気ヘッドの製造方法において、前記ギャップ材層を成膜
する際の、スパッタ時のArガス圧を4〜15mTor
rとすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
1. Forming two core halves, a gap material layer made of SiO 2 at least on the core half side on the abutting surface of each core half body, and a bonding glass layer adjacent to the gap material layer. And are sequentially formed by a sputtering method, and the bonded glass layers of both core halves are melt-pressed to each other to form a gap portion having a predetermined gap length, and further, are formed adjacent to the gap portion. In a method of manufacturing a magnetic head in which the chamfered portion is filled with mold glass to reinforce the gap portion, when forming the gap material layer, the Ar gas pressure during sputtering is 4 to 15 mTorr.
A method of manufacturing a magnetic head, wherein r is r.
【請求項2】 各コア半体は、一方の基板と、該基板の
上にFe−Si−Al合金磁性膜と層間膜とが交互に積
層されて成る磁性膜構造体と、該薄膜構造体の上に積層
されたガラス膜と、該ガラス膜の上に積層された他方の
基板とを有した積層膜構造体から成る請求項1の磁気ヘ
ッドの製造方法。
2. Each of the core halves comprises one substrate, a magnetic film structure formed by alternately stacking a Fe—Si—Al alloy magnetic film and an interlayer film on the substrate, and the thin film structure. The method of manufacturing a magnetic head according to claim 1, comprising a laminated film structure having a glass film laminated on the glass film and the other substrate laminated on the glass film.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258714A (en) * 1988-08-23 1990-02-27 Nippon Mining Co Ltd magnetic head
JPH02258614A (en) * 1989-03-31 1990-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd Low argon-containing sio2 deposited film and production thereof

Patent Citations (2)

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