JPH06187936A - Negative ion source - Google Patents
Negative ion sourceInfo
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- JPH06187936A JPH06187936A JP4335755A JP33575592A JPH06187936A JP H06187936 A JPH06187936 A JP H06187936A JP 4335755 A JP4335755 A JP 4335755A JP 33575592 A JP33575592 A JP 33575592A JP H06187936 A JPH06187936 A JP H06187936A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 負イオン化過程においてイオン源容器内で生
成される多量の Hを効果的に負イオン化し、もって H-
の生成量を更に多くした体積生成型負イオン源を提供す
る。
【構成】 電子源2と引き出し口1cとの間に磁気フィ
ルタを形成してイオン源容器1内を、正イオン化領域A
と負イオン化領域Bとに磁気的に分割し、その負イオン
化領域B内に希ガスリドベルグ原子Rg**を存在させ
る。
(57) Abstract: effectively negative ionization large amounts of H generated in the ion source container 11. The purpose negative ionization process, have been H -
Provided is a volume generation type negative ion source in which the production amount of A magnetic filter is formed between the electron source 2 and the extraction port 1c so that the inside of the ion source container 1 is filled with a positive ionization region A
And the negative ionization region B are magnetically divided, and the rare gas Rydberg atom Rg ** is present in the negative ionization region B.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばタンデム型静電
加速器の前段に設置される負イオン源に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a negative ion source installed before a tandem type electrostatic accelerator, for example.
【0002】[0002]
【従来の技術】1MeV程度のH+ の正イオンビームを比
較的小型な装置で得る場合、一般にタンデム型静電加速
器が用いられることが多い。2. Description of the Related Art When obtaining a positive ion beam of H + of about 1 MeV with a relatively small device, a tandem electrostatic accelerator is often used.
【0003】タンデム型静電加速器では、その前段にお
いて負イオン( H- )ビームを発生する必要があり、こ
の負イオンを生成するイオン源としては、イオン源容器
でH2からH2 + を経由して振動励起された水素分子H2 * を
生成し、さらに低速の電子による解離性電子付着反応
(H2 * +e→H2 - → H- +H )を利用する方式の、いわ
ゆる体積生成型負イオン源がある(Phys.Rev.Lett.42(1
979)1538)。In the tandem type electrostatic accelerator, it is necessary to generate a negative ion (H − ) beam in the preceding stage. As an ion source for generating this negative ion, H 2 to H 2 + in the ion source container is used. to generate vibrations excited hydrogen molecules H 2 *, further dissociative electron attachment reaction by slow electron (H 2 * + e → H 2 - → H - + H) method utilizing so-called volume-generated negative There is an ion source (Phys. Rev. Lett. 42 (1
979) 1538).
【0004】そして、この体積生成型負イオン源におい
ては、磁気フィルタ装置を利用してイオン源容器内に低
速電子の割合が多い領域を形成し、上記の電子付着反応
による H- の生成量を増やす方法が採用される場合があ
る。In this volume generation type negative ion source, a region having a large proportion of low-speed electrons is formed in the ion source container by using a magnetic filter device, and the amount of H − produced by the above-mentioned electron attachment reaction is increased. The method of increasing may be adopted.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、体積生成型
負イオン源によれば、イオン源容器内の水素圧力が比較
的高いため、H3 + が多量に生成する。ここで、イオン源
容器内で生成したH3 + は容器壁への衝突によってH を生
成し、また、H2 + も同様に Hを生成するが、従来のイオ
ン源では、そのように生成した Hを利用することができ
る構造とはなっていない。By the way, according to the volume generation type negative ion source, since the hydrogen pressure in the ion source container is relatively high, a large amount of H 3 + is produced. Here, H 3 + generated in the ion source container produces H by collision with the container wall, and H 2 + also produces H in the same manner, but in the conventional ion source, it does so. The structure is not such that H can be used.
【0006】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、負イオン化過程にお
いてイオン源容器内で多量に生成される Hを、効果的に
負イオン化し、もって H- の生成量を更に多くした体積
生成型負イオン源を提供することにある。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to effectively negatively ionize H produced in a large amount in the ion source container in the negative ionization process. It is to provide a volume generation type negative ion source in which the production amount of H − is further increased.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの構成を、実施例に対応する図1を参照しつつ説明す
ると、本発明は、イオン化する中性粒子(H2)が内部に
導入されるイオン源容器1と、この容器1内に配置さ
れ、当該容器壁体を陽極として中性粒子の正イオン化が
可能なエネルギ(〜100eV )の高速電子を放出する電子
源(電子放出用フィラメント)2を備え、イオン源容器
1内で、高速電子の衝撃による中性粒子の正イオン化を
起点する反応によって生成される負イオンを、引き出し
口1cを通じて容器外部へと引き出すよう構成されたイ
オン源において、引き出し口1cと電子源2との間に、
この電子源2からの高速電子のみを反射する磁気フィル
タを形成して、イオン源容器1内を磁気的に二つの領域
に分割する磁石8と、その磁気フィルタによって分割さ
れた二つの領域AとBのうち、引き出し口1c側の領域
B内に、希ガスリドベルグ原子Rg**を存在させるため
の手段(例えば希ガスRg供給源9,グリッド4〜6お
よび電子発生用フィラメント7)を設けたことによって
特徴づけられる。A structure for achieving the above object will be described with reference to FIG. 1 corresponding to an embodiment. According to the present invention, neutralizing particles (H 2 ) to be ionized are provided inside. An ion source container 1 to be introduced, and an electron source (for electron emission) which is arranged in the container 1 and emits high-speed electrons with energy (up to 100 eV) capable of positively ionizing neutral particles using the container wall as an anode. An ion configured to extract negative ions generated by a reaction originating from positive ionization of neutral particles in the ion source container 1 through the extraction port 1c to the outside of the container. In the source, between the outlet 1c and the electron source 2,
A magnet 8 that forms a magnetic filter that reflects only high-speed electrons from the electron source 2 and magnetically divides the ion source container 1 into two regions, and two regions A that are divided by the magnetic filter. In the region B on the side of the outlet 1c of B, means (for example, rare gas Rg supply source 9, grids 4 to 6 and electron generating filament 7) for allowing the rare gas Ridberg atoms Rg ** to exist is provided. Characterized by:
【0008】[0008]
【作用】まず、負イオン生成過程においてイオン源容器
内で多量に生成される Hを負イオンに変換する手段とし
ては、超低速電子(〜数十meV )の衝撃を利用すること
が考えられるが、そのような超低速電子を発生する電子
源は作製が困難で、実現化は実質的に不可能である。[Operation] First, as a means for converting a large amount of H produced in the ion source container into negative ions in the process of producing negative ions, it is conceivable to use the impact of ultra-slow electrons (to several tens of meV). An electron source that generates such ultra-slow electrons is difficult to manufacture and practically impossible to realize.
【0009】そこで、本発明では、希ガスリドベルグ原
子を生成して領域Bに存在させ、この原子と領域Bに磁
気フィルタ効果で存在する Hとを衝突させて、そのとき
に起こるリドベルグ原子からの電子移動反応を利用し
て、 Hを H- に変換する。Therefore, in the present invention, a rare gas Rydberg atom is generated and made to exist in the region B, and this atom and H existing in the region B due to the magnetic filter effect are caused to collide with each other. by utilizing electron transfer reaction, the H H - converted into.
【0010】すなわち、リドベルグ原子とは、最外殻電
子の1個がリドベルグ軌道(主量子数>20の軌道)に
励起されたもので、その電子のエネルギは数十meV 程度
であって、この原子が他の原子と衝突すると、相手の電
子親和力が正であれば非常に効率良く電子移動が起こっ
て相手原子を負イオン化するといった反応を示し、この
電子移動反応を利用して、イオン源容器1内で生成され
た多量の Hを効果的にH- に変換する。That is, the Lidberg atom is one of the outermost shell electrons excited in the Lidberg orbital (orbital with main quantum number> 20), and the energy of the electron is about several tens of meV. When an atom collides with another atom, if the electron affinity of the other party is positive, the electron transfer occurs very efficiently and the other atom is negatively ionized. effectively H a large amount of H that are generated in the 1 - to convert.
【0011】[0011]
【実施例】図1は本発明実施例の構成図である。イオン
源容器1は、体積生成室を形成する小径部1aと、その
前方側の端部に大径部1bが一体形成された段付きの円
筒密閉構造で、その大径部1bの前部端面壁11bの中
央位置に負イオンの出射用の引き出し口1cが開孔され
ている。また、小径部1aの後部端面壁11aに、ガス
導入口12aが設けられており、この口12aを通じて
水素ガス供給源(図示せず)からのH2を、容器1内部へ
と導入することができる。1 is a block diagram of an embodiment of the present invention. The ion source container 1 has a stepped cylindrical hermetically sealed structure in which a small diameter portion 1a forming a volume generating chamber and a large diameter portion 1b are integrally formed at the front end thereof, and the front end of the large diameter portion 1b. An extraction port 1c for emitting negative ions is formed in the center of the face wall 11b. In addition, a gas introduction port 12a is provided in the rear end wall 11a of the small diameter portion 1a, and H 2 from a hydrogen gas supply source (not shown) can be introduced into the container 1 through this port 12a. it can.
【0012】イオン源容器1の内部には、小径部1aの
後部端面壁11aの中央位置に、フィラメント2が容器
1に対して絶縁された状態で配置されている。このフィ
ラメント2は、イオン源容器1を陽極として高速電子
(〜100eV )を放出する電子源として機能する。また、
イオン源容器1には、小径部1aの側部外周面を囲う円
筒形状の磁石3が設けられている。この磁石3は、容器
1内で発生するプラズマを、この容器内に効率良く閉じ
込めるためのカスプ磁場を発生する。Inside the ion source container 1, a filament 2 is arranged in a state of being insulated from the container 1 at a central position of a rear end wall 11a of the small diameter portion 1a. The filament 2 functions as an electron source that emits high-speed electrons (-100 eV) using the ion source container 1 as an anode. Also,
The ion source container 1 is provided with a cylindrical magnet 3 that surrounds a side outer peripheral surface of the small diameter portion 1a. The magnet 3 generates a cusp magnetic field for efficiently confining the plasma generated in the container 1 in the container.
【0013】さて、イオン源容器1の大径部1b内に
は、3枚のグリッド4,5および6が設けられている。
この各グリッド4,5,6は、イオン源容器1の円筒軸
を中心とする同心円の円筒形で、それぞれ互いに所定の
間隔を隔てて、かつ、互いに絶縁された状態で配置され
ている。さらに、そのグリッド4,5,6全体は、イオ
ン源容器1の前部端面壁11bに、その壁11bに対し
て絶縁された状態で支持されている。In the large diameter portion 1b of the ion source container 1, three grids 4, 5 and 6 are provided.
The grids 4, 5 and 6 are concentric cylinders with the cylindrical axis of the ion source container 1 as the center, and are arranged at predetermined intervals and insulated from each other. Further, the entire grids 4, 5, 6 are supported by the front end wall 11b of the ion source container 1 while being insulated from the wall 11b.
【0014】また、容器1の大径部1b内には、最外周
のグリッド6の側方周辺を囲ってなるリング形状の電子
発生用のフィラメント7が容器1に対して絶縁された状
態で配置されている。そして、この大径部1bの直径方
向の端部位置の壁体に、希ガス導入口12bが設けられ
ており、この口12bを通じてガス供給源9からの希ガ
スRgを、この容器大径部1bの内部へと注入すること
ができる。Further, in the large-diameter portion 1b of the container 1, a ring-shaped filament 7 for electron generation surrounding the lateral periphery of the outermost grid 6 is arranged in a state insulated from the container 1. Has been done. A rare gas introduction port 12b is provided in the wall body at the diametrical end position of the large diameter portion 1b, and the rare gas Rg from the gas supply source 9 is supplied through the port 12b to the large diameter portion of the container. It can be injected into the inside of 1b.
【0015】そして、イオン源容器1には、小径部1a
と大径部1bとの段付き部分の角部周縁に、リング形状
の磁石8が設けられている。この磁石8は、イオン源容
器1の内部を、領域Aと領域B(先の最内周のグリッド
4の内方領域)に磁気的に分割する磁気フィルタを形成
するもので、その磁気フィルタ効果によって、先のフィ
ラメント2から放出した高速電子は反射されて領域B内
に到達しないが、その他の中性粒子やイオンは領域Aか
ら領域B内へと侵入する。The ion source container 1 has a small diameter portion 1a.
A ring-shaped magnet 8 is provided on the periphery of the corner of the stepped portion of the large diameter portion 1b. The magnet 8 forms a magnetic filter that magnetically divides the inside of the ion source container 1 into a region A and a region B (the inner region of the grid 4 at the innermost circumference), and its magnetic filter effect. As a result, the fast electrons emitted from the filament 2 are reflected and do not reach the region B, but other neutral particles and ions penetrate from the region A into the region B.
【0016】なお、以上の構成において、各フィラメン
ト2,7ならびに各グリッド4〜5には、それぞれ個別
の値の電圧が電源(図示せず)によって印加される。次
に、本発明実施例の作用を述べる。In the above structure, a voltage of an individual value is applied to each filament 2, 7 and each grid 4-5 by a power source (not shown). Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described.
【0017】まず、イオン源容器1内に導入されたH2は
領域Aで、フィラメント2から放出された高速電子の衝
撃によってイオン化されH2 + となり、さらに未反応のH2
などと衝突しながらH2 * となる。このH2 * は磁石8によ
る磁気フィルタを通過して領域Bにも存在する。First, the H 2 introduced into the ion source container 1 is ionized into H 2 + in the region A by the impact of the high-speed electrons emitted from the filament 2, and the unreacted H 2 is further generated.
It becomes H 2 * while colliding with etc. This H 2 * also exists in the area B after passing through the magnetic filter of the magnet 8.
【0018】一方、各グリッド4,5および6には、そ
れぞれイオン源容器1に対して電圧G4V=−30V,G
5V=−150VおよびG6V=−50Vを印加し、そし
て、これらグリッドの外方のフィラメント7に、同じく
イオン源容器1に対して電圧F7V=−100Vを印加し
た状態を保持すると、フィラメント7から容器1の壁体
に向けて電子e(〜30eV)が放出され、この電子eの衝
撃によって、導入口12bを通じて注入された希ガスR
gが励起されてイオン(Rg+ )化したり、あるいはリ
ドベルグ状態(Rg**)になる。ここで、電子eは中間
のグリッド5で、また、イオン(Rg+ )は最内周のグ
リッド4によってそれぞれ反射され、これによって、領
域Bに存在が可能なものはリドベルグ原子Rg**のみと
なる。On the other hand, the grids 4, 5 and 6 have a voltage G4V = -30V, G with respect to the ion source container 1, respectively.
When 5V = −150V and G6V = −50V are applied, and the filaments 7 outside the grids are also applied with the voltage F7V = −100V applied to the ion source container 1, the filaments 7 are removed from the container. Electrons e (up to 30 eV) are emitted toward the wall of No. 1, and the noble gas R injected through the inlet 12b by the impact of the electrons e.
g is excited to be ionized (Rg + ) or in a lidberg state (Rg ** ). Here, the electron e is reflected by the intermediate grid 5 and the ion (Rg + ) is reflected by the innermost grid 4, so that only the Ridberg atom Rg ** can exist in the region B. Become.
【0019】以上の結果、領域Bでは、リング磁石8に
よる磁気フィルタ効果でこの領域Bに存在し得る低速電
子とH2 * との反応、およびRg**と Hとの反応の双方に
よって H- が生成され、この H- が引き出し口1cから
容器外部へと引き出され、ビームとなって次段のタンデ
ム型加速器などに侵入する。As a result of the above, in the region B, H − is caused by both the reaction of the slow electrons which may exist in the region B due to the magnetic filter effect of the ring magnet 8 with H 2 * and the reaction of Rg ** with H. Is generated, and this H − is drawn out of the container through the outlet 1c, and becomes a beam that enters the tandem accelerator in the next stage.
【0020】なお、希ガスRgとしては、He,Ne,
ArあるいはKrなどの不活性ガスを使用する。また、
H2ガスおよび希ガスRgのイオン源容器1内への導入量
は、生成する H- イオンが最大になるように調整する。As the rare gas Rg, He, Ne,
An inert gas such as Ar or Kr is used. Also,
The amounts of the H 2 gas and the rare gas Rg introduced into the ion source container 1 are adjusted so that the generated H − ions are maximized.
【0021】ここで、イオン源容器1内に中性のRgを
注入することで、負イオン化に対して悪影響が及ぶ可能
性が考えられるが、この中性Rgは H- の生成を阻害し
ないばかりでなく、かえって生成の促進をはかるいった
報告(Leung at al.,Rev.Sei.Instrm56,(1985)2079)があ
り、従って、本発明実施例によれば、このような中性R
gによる H- 生成増大効果を合わせもった高効率のイオ
ン源となる。Injecting neutral Rg into the ion source container 1 may adversely affect negative ionization, but this neutral Rg does not hinder the production of H −. However, there is a report (Leung at al., Rev. Sei. Instrm 56 , (1985) 2079) that rather seeks to promote the production. Therefore, according to the examples of the present invention, such neutral R
It becomes a highly efficient ion source with the effect of increasing H − production by g.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の負イオン
源によれば、電子源と引き出し口との間に磁気フィルタ
を形成してイオン源容器内を、高速電子衝撃による正イ
オン化領域と負イオン化領域とに磁気的に分割し、その
負イオン化領域に、希ガスリドベルグ原子を存在させる
構造としたので、水素の負イオンを生成するにあたり、
イオン源容器内の反応過程で生成される多量の中性水素
原子を、効果的に負イオンに変換することが可能となっ
て負イオンの生成効率が向上する結果、水素負イオンの
ビーム電流の増大を比較的容易に達成できる。As described above, according to the negative ion source of the present invention, a magnetic filter is formed between the electron source and the extraction port, and the inside of the ion source container is provided with a positive ionization region due to high-speed electron impact. Since it is magnetically divided into a negative ionization region and a rare gas Rydberg atom is present in the negative ionization region, in generating negative ions of hydrogen,
A large amount of neutral hydrogen atoms generated in the reaction process in the ion source container can be effectively converted into negative ions, and the negative ion generation efficiency is improved. The increase can be achieved relatively easily.
【0023】また、従来の体積生成型負イオン源では、
負イオンの生成効率を高めるためにイオン源容器内にア
ルカリ金属であるCs(セシウム)などを注入すること
が多く、このことが、イオン源や電子放出用フィラメン
ト等の汚染をもたらす要因となっていたが、本発明の負
イオン源では、そのようなアルカリ金属を用いることな
く、不活性ガスである希ガスを基にしたリドベルグ原子
を利用して負イオンの生成効率を高めているので、イオ
ン源容器内はクリーンな状態が維持され、イオン源とし
ての長寿命化をはかることができる。さらに、イオン源
容器からは汚染物質が出ることがなく、これによって次
段のタンデム型静電加速器などへの汚染の影響もない。Further, in the conventional volume generation type negative ion source,
In order to increase the generation efficiency of negative ions, Cs (cesium), which is an alkali metal, is often injected into the ion source container, which causes contamination of the ion source, the electron emission filament, and the like. However, in the negative ion source of the present invention, without using such an alkali metal, the production efficiency of negative ions is increased by utilizing the Ridberg atom based on the rare gas which is an inert gas. The inside of the source container is maintained in a clean state, and the life of the ion source can be extended. Further, no pollutant is emitted from the ion source container, and thus there is no influence of contamination on the tandem electrostatic accelerator in the next stage.
【図1】本発明実施例の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.
1・・・・イオン源容器 1a・・・・小径部 1b・・・・大径部 1c・・・・引き出し口 12a・・・・ガス(H2)導入口 12b・・・・希ガス(Rg)導入口 2・・・・フィラメント(高速電子放出用) 3・・・・磁石(カスプ磁場生成用) 4〜6・・・・グリッド 7・・・・フィラメント(電子放出用) 8・・・・磁石(磁気フィルタ形成用) 9・・・・希ガスRg供給源 A・・・・イオン源容器1内の領域(高速電子による正イオ
ン化領域) B・・・・イオン源容器1内の領域(負イオン化反応領域)1 ... ・ Ion source container 1a ・ ・ ・ ・ Small diameter part 1b ・ ・ ・ ・ Large diameter part 1c ・ ・ ・ ・ Drawout port 12a ・ ・ ・ ・ Gas (H 2 ) inlet port 12b ・ ・ ・ ・ Rare gas ( Rg) Inlet port 2 ... Filament (for high-speed electron emission) 3 ... Magnet (for cusp magnetic field generation) 4-6 ... Grid 7 ... Filament (for electron emission) 8. .. Magnet (for forming magnetic filter) 9 ... Noble gas Rg supply source A ... Region in ion source container 1 (positive ionization region by high-speed electrons) B ... In ion source container 1 Area (negative ionization reaction area)
Claims (1)
るイオン源容器と、この容器内に配置され、当該容器壁
体を陽極として中性粒子の正イオン化が可能なエネルギ
の高速電子を放出する電子源を備え、上記イオン源容器
内で、上記高速電子の衝撃による中性粒子の正イオン化
を起点する反応によって生成される負イオンを、引き出
し口を通じて容器外部へと引き出すよう構成されたイオ
ン源において、上記引き出し口と上記電子源との間に、
この電子源からの高速電子のみを反射する磁気フィルタ
を形成して、上記イオン源容器内を磁気的に二つの領域
に分割する磁石と、上記の磁気フィルタによって分割さ
れた二つの領域のうち、上記引き出し口側の領域に、希
ガスリドベルグ原子を存在させるための手段を設けたこ
とを特徴とする負イオン源。1. An ion source container in which neutralized particles to be ionized are introduced, and a high-speed electron having an energy capable of positively ionizing the neutral particles, which is arranged in the container and uses the container wall as an anode. An ion source configured to extract negative ions generated by a reaction originating from positive ionization of neutral particles due to impact of the high-speed electrons in the ion source container to the outside of the container through an extraction port. In the source, between the outlet and the electron source,
Forming a magnetic filter that reflects only high-speed electrons from this electron source, a magnet that magnetically divides the ion source container into two regions, and two regions divided by the magnetic filter, A negative ion source, characterized in that a means for allowing rare gas Rydberg atoms to exist is provided in the region on the extraction port side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335755A JPH06187936A (en) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | Negative ion source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335755A JPH06187936A (en) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | Negative ion source |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187936A true JPH06187936A (en) | 1994-07-08 |
Family
ID=18292103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4335755A Pending JPH06187936A (en) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | Negative ion source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06187936A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102232241A (en) * | 2008-12-04 | 2011-11-02 | 瓦里安半导体设备公司 | Excited gas injection for ion implant control |
-
1992
- 1992-12-16 JP JP4335755A patent/JPH06187936A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102232241A (en) * | 2008-12-04 | 2011-11-02 | 瓦里安半导体设备公司 | Excited gas injection for ion implant control |
| JP2012511104A (en) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | Excitation gas injection for ion implantation control |
| US9018829B2 (en) | 2008-12-04 | 2015-04-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Excited gas injection for ion implant control |
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