JPH06177073A - Etching apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関し、特にエッチング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly to an etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来技術】半導体デバイスの高集積化に伴い、ウエハ
ー上のパーティクルを減少させることが重要になってき
ている。これを実現するために気相洗浄法が検討されて
いる。特にＨＦ(フッ化水素)ガスエッチングは、ウエハ
ー上の自然酸化膜を除去しクリーンな表面を得る技術と
して積極的に検討され、いくつかのエッチング方法とそ
の装置構物が提案されている。2. Description of the Related Art As semiconductor devices become highly integrated, it is becoming important to reduce particles on a wafer. A vapor-phase cleaning method has been studied to achieve this. In particular, HF (hydrogen fluoride) gas etching has been positively studied as a technique for removing a natural oxide film on a wafer to obtain a clean surface, and several etching methods and apparatus structures thereof have been proposed.
【０００３】図２は従来のＨＦガスエッチング装置(３
０)を示す。このエッチング装置(３０)の端部に設けら
れた開口部(３４)には装置の内部と外部を遮断するため
の密閉ドア(３５)が取り付けられている。ウエハー(３
２)はこの密閉ドア(３５)を開け、装置外に設けられた
ウエハー搬送装置(図示せず)によって装置内のウエハー
テーブル(３３)に置かれる。ウエハーテーブル上に置か
れるこのウエハーの数は通常は一枚である。この時、装
置内部雰囲気は窒素ガス等の不活性ガスが充填された常
圧状態である。FIG. 2 shows a conventional HF gas etching apparatus (3
0) is shown. A hermetic door (35) for blocking the inside and the outside of the apparatus is attached to the opening (34) provided at the end of the etching apparatus (30). Wafer (3
2) opens this closed door 35 and is placed on the wafer table 33 in the apparatus by a wafer transfer device (not shown) provided outside the apparatus. The number of this wafer placed on the wafer table is usually one. At this time, the atmosphere inside the apparatus is in a normal pressure state filled with an inert gas such as nitrogen gas.
【０００４】ウエハーに配置後、ドアが閉められ、次に
エッチングガスがエッチングガス導入口よりその流量制
御されながら導入され、エッチングが開始される。エッ
チングガスは装置内部を通ってエッチングに寄与した
後、ベントラインから押し出され、排気される。従っ
て、エッチング圧力はほとんど常圧である。After the wafer is placed on the wafer, the door is closed, and then the etching gas is introduced from the etching gas introduction port while controlling the flow rate thereof to start the etching. After the etching gas contributes to etching through the inside of the apparatus, it is pushed out from the vent line and exhausted. Therefore, the etching pressure is almost normal pressure.
【０００５】エッチング時間は典型的には数秒から数十
秒である。エッチング終了後、エッチングガスの導入は
停止され、窒素(Ｎ2)ガス等の不活性ガスが導入され、
装置内がパージされる。パージ終了後、ドアが再び開け
られウエハーは装置外に取り出される。このように、従
来の装置では、ウエハーのエッチング、搬送はすべて常
圧下でなされる。The etching time is typically several seconds to several tens of seconds. After the etching is completed, the introduction of the etching gas is stopped and the inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas is introduced.
The inside of the device is purged. After the purging is completed, the door is opened again and the wafer is taken out of the apparatus. As described above, in the conventional apparatus, the etching and the transportation of the wafer are all performed under normal pressure.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】こうした常圧下でのエ
ッチングでは、エッチングガス導入直前の窒素ガス雰囲
気状態の装置雰囲気中に、エッチングガスを導入し、ベ
ントラインから押し出し、排気するので、エッチングガ
スの流量を制御しても装置内のエッチングガス分圧が大
きく変動する。そのためエッチングガス分圧を正確に把
握することはできず、エッチングレート(速度)を正確に
制御することが非常に困難であった。その結果、除去す
べき酸化物層が残存したり、酸化工程で意図的に付着し
た酸化物層が除去される等の問題が生じていた。In such etching under normal pressure, the etching gas is introduced, extruded from the vent line and evacuated into the nitrogen gas atmosphere immediately before the introduction of the etching gas. Even if the flow rate is controlled, the etching gas partial pressure in the apparatus fluctuates greatly. Therefore, the etching gas partial pressure cannot be accurately grasped, and it is very difficult to accurately control the etching rate (speed). As a result, the oxide layer to be removed remains, and the oxide layer intentionally attached in the oxidation step is removed.
【０００７】また、こうしたエッチングプロセスは、表
面がクリーン化されたウエハー上に連続的に、非常に均
一な信頼性のある薄い窒化膜や酸化膜等をつくる前処理
として行われる場合があるが、その窒化膜や酸化膜をつ
くるための減圧ＣＶＤ装置や熱酸化装置の多くはウエハ
ーを１００枚程度一括して処理できるバッチタイプのも
のである。前処理装置としてのエッチング装置にも十分
なスループットが要求されるが、従来装置のような一枚
もしくは数枚程度の処理では、その要求にこたえられな
い。さらに、エッチング終了後のパージに要する時間
は、実際のエッチング時間の数倍を必要とし、スループ
ット低下の大きな原因となっている。Further, such an etching process may be carried out as a pretreatment for continuously forming a very uniform and reliable thin nitride film or oxide film on a wafer whose surface is cleaned, Most of the low pressure CVD apparatus and the thermal oxidation apparatus for forming the nitride film and the oxide film are batch type ones capable of collectively processing about 100 wafers. Sufficient throughput is required for an etching apparatus as a pretreatment apparatus, but the demand cannot be met with the processing of one or several sheets as in the conventional apparatus. Furthermore, the time required for purging after the completion of etching requires several times the actual etching time, which is a major cause of a decrease in throughput.
【０００８】さらにまた、エッチング、薄膜形成等の連
続プロセスを可能にする装置(ロードロック装置、マル
チチャンバーシステム等)では、ウエハーの再汚染を防
ぐために、搬送雰囲気における水分や酸素の分圧を下げ
ることが要求される。一方、窒素ガスでパージされたと
きの雰囲気の圧力は常圧で、窒素ガスの純度に依存した
限度以下でしか不純物濃度を下げられない。そのため、
搬送雰囲気を真空状態にする真空ロードロック方式が求
められてはいるが、従来型エッチング装置では対応でき
ない。Furthermore, in a device (load lock device, multi-chamber system, etc.) that enables continuous processes such as etching and thin film formation, the partial pressure of water and oxygen in the transfer atmosphere is lowered in order to prevent recontamination of the wafer. Is required. On the other hand, the pressure of the atmosphere when purged with nitrogen gas is normal pressure, and the impurity concentration can be lowered only below the limit depending on the purity of nitrogen gas. for that reason,
A vacuum load lock system is required to bring the transfer atmosphere into a vacuum state, but the conventional etching system cannot handle it.
【０００９】そこで、本発明の目的は、反応室内に導入
されるエッチングガスの分圧を管理して、エッチング処
理するエッチング装置を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide an etching apparatus for controlling the partial pressure of the etching gas introduced into the reaction chamber and performing the etching process.
【００１０】本発明の他の目的は、反応室に複数の非処
理物を配置してエッチング処理する上記エッチング装置
を提供することである。Another object of the present invention is to provide the above-mentioned etching apparatus in which a plurality of non-processed objects are arranged in a reaction chamber to perform etching processing.
【００１１】さらに、本発明の他の目的は、真空ロード
ロック式の上記エッチング装置を提供することである。Still another object of the present invention is to provide the above vacuum load lock type etching apparatus.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のエッチング装置は、非処理物を収納し、エッチング
ガスで処理するための反応室と、反応室を排気するため
の反応室に連結された排気手段と、反応室内の圧力を検
知するセンサー手段とから構成される。An etching apparatus of the present invention which achieves the above object is connected to a reaction chamber for accommodating a non-processed object and processing with an etching gas, and a reaction chamber for exhausting the reaction chamber. And a sensor means for detecting the pressure in the reaction chamber.
【００１３】本発明の他のエッチング装置は、エッチン
グガスにより処理を行う反応室と、反応室内の圧力を検
知するセンサー手段と、反応室を排気する排気手段と、
反応室に隣接配置され、非処理物の非処理物を支持する
支持手段に非処理物を移載する搬送室と、支持手段を搬
送室から反応室へ移動させる移動手段と、反応室と前記
搬送室を気密に分離させる手段とから構成される。この
搬送室を真空排気するときは、真空ロードロック方式と
なる。Another etching apparatus of the present invention comprises a reaction chamber for processing with an etching gas, a sensor means for detecting the pressure in the reaction chamber, an exhaust means for exhausting the reaction chamber,
A transfer chamber, which is disposed adjacent to the reaction chamber, transfers the non-processed material to a support means that supports the non-processed material, a moving means that moves the support means from the transfer chamber to the reaction chamber, the reaction chamber, and And a means for airtightly separating the transfer chamber. When the transfer chamber is evacuated, a vacuum load lock system is used.
【００１４】これら装置は、支持手段が複数の非処理物
を支持することで、バッチ処理することができる。In these apparatuses, the supporting means can support a plurality of non-processed objects to perform batch processing.
【００１５】本発明のエッチング装置は、反応室を排気
した後、あるいは排気しながら、エッチングガスが反応
室に導入され、センサー手段によりガス圧を検知するこ
とでエッチングガスの導入量が管理される。エッチング
処理の反応室の圧力は１×１０-3Ｔｏｒｒから１００Ｔ
ｏｒｒの範囲が好適である。In the etching apparatus of the present invention, the etching gas is introduced into the reaction chamber after the reaction chamber is evacuated or while being evacuated, and the amount of the etching gas introduced is controlled by detecting the gas pressure by the sensor means. . The pressure of the etching reaction chamber is from 1 × 10 −3 Torr to 100T.
A range of orr is preferred.
【００１６】[0016]
【作用】真空排気された反応室にエッチングガスを導入
し、その圧力を検知することで反応室内へのエッチング
ガスの分圧を制御し、結果として、エッチング速度を制
御する。The etching gas is introduced into the reaction chamber that has been evacuated, and the pressure of the etching gas is detected to control the partial pressure of the etching gas into the reaction chamber. As a result, the etching rate is controlled.
【００１７】また、反応室にエッチングガスを導入しな
がら、かつその圧力を制御しながら真空排気することで
も、同様にエッチング速度を制御できる。The etching rate can be controlled in the same manner by evacuating the chamber while introducing the etching gas and controlling the pressure of the etching gas.
【００１８】反応室に一度に多くの非処理物を配置で
き、これによりパッチタイプのエッチング処理がなされ
る。A large number of non-processed objects can be placed in the reaction chamber at one time, which allows a patch type etching process.
【００１９】また、搬送室を有するエッチング装置にお
いて、搬送室を真空排気することで、真空ロードロック
方式となる。In an etching apparatus having a transfer chamber, the transfer chamber is evacuated to a vacuum load lock system.
【００２０】[0020]
【実施例】図１に本発明のエッチング装置の実施例を示
す。エッチング装置は、反応室(１)、搬送室(２)、ガス
供給系、真空排気系等から構成される。搬送室(２)内部
には、その側壁にそって垂直にボールネジ(１３)が回転
自在に取り付けられている。そのボールネジ(１３)に対
し移動体(１４)が水平に螺合している。ボールネジ(１
３)の下端は搬送室(２)から気密に外に突き出し、その
外部に設置されれたモーター(１５)と連結されている。
したがって、モーター(１５)の回転に従い、ボールネジ
(１３)が回転し、それにともない移動体(１４)が昇降す
る。FIG. 1 shows an embodiment of the etching apparatus of the present invention. The etching apparatus comprises a reaction chamber (1), a transfer chamber (2), a gas supply system, a vacuum exhaust system and the like. Inside the transfer chamber (2), a ball screw (13) is rotatably attached vertically along the side wall thereof. The moving body (14) is horizontally engaged with the ball screw (13). Ball screw (1
The lower end of 3) protrudes airtightly from the transfer chamber 2 and is connected to a motor 15 installed outside the transfer chamber 2.
Therefore, following the rotation of the motor (15), the ball screw
(13) rotates, and the moving body (14) moves up and down accordingly.
【００２１】その移動体(１４)上にはフランジ（８）が
あり、さらにその上にウエハーボート(５)が設置されて
いる。移動体(１４)の昇降によってウエハーボート
（５）は搬送室内を上下移動する。A flange (8) is provided on the moving body (14), and a wafer boat (5) is installed on the flange (8). The wafer boat (5) moves up and down in the transfer chamber by moving the moving body (14) up and down.
【００２２】ウエハー(６)は、搬送室に設けられた開口
部(１６)から、装置外に設けられたウエハー搬送機構
(図示せず)によってウエハーボート(５)に搬送される
（図１ｂを参照）。搬送室開口部(１６)にはゲートバル
ブ(１７)が置かれ、外部と分離される。ウエハーを保持
したウエハーボート(５)は、ポールネジ(１３)、移動体
(１４)およびモーター（１５)から成る移動機構によっ
て反応室へ移動し、ウエハーボート(５)が反応室の所定
位置に移動したときフランジ上に設けたＯリング等のシ
ール材が反応室ベースプレート(７)と接触し反応室(１)
と搬送室(２)とを分離し移動機構は停止する（図１ａを
参照）。これらの搬送、移動工程は真空状態でも、常圧
状態でも可能である。常圧状態での搬送、移動の場合、
ウエハーが反応室へ完全に収納された後、反応室(１)は
その内部を真空排気するために設けられた真空排気装置
(１８ａ)により真空排気される。真空状態での搬送、移
動を行う場合もまた、当真空排気装置は作動していても
よい。The wafer (6) is transferred from the opening (16) provided in the transfer chamber to a wafer transfer mechanism provided outside the apparatus.
The wafer boat (5) is carried by a wafer (not shown) (see FIG. 1b). A gate valve (17) is placed in the transfer chamber opening (16) to separate it from the outside. The wafer boat (5) holding the wafer has a pole screw (13) and a moving body.
When the wafer boat (5) is moved to a predetermined position in the reaction chamber by a moving mechanism composed of (14) and a motor (15), a sealing material such as an O-ring provided on the flange causes a reaction chamber base plate ( 7) in contact with the reaction chamber (1)
And the transfer chamber (2) are separated and the moving mechanism is stopped (see FIG. 1a). These carrying and moving steps can be performed in a vacuum state or a normal pressure state. When carrying or moving under normal pressure,
After the wafer is completely stored in the reaction chamber, the reaction chamber (1) is provided with a vacuum pumping device for vacuuming the inside.
It is evacuated by (18a). The vacuum evacuation device may also be operating when carrying and moving in a vacuum state.
【００２３】一実施例として、ウエハーが配置された反
応室(１)内が所定の圧力に到達したとき、真空排気装置
(１８ａ)に連通するバルブ(１７)を閉じて反応室(１)を
密閉状態とする。そこにエッチングガスをガス導入口
(１０)から導入するが、ガスの導入量は反応室内の圧力
を検知することで知ることができるので圧力を検知しな
がら、ガスを所定量となるまで導入する。このとき、反
応室内の圧力は、１０-3Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの
範囲にすることが望ましい。ここで、エッチングガスは
ＦＨ(フッ化水素)、またはＦＨ／Ｈ2Ｏである。As an example, when the inside of the reaction chamber (1) in which the wafer is placed reaches a predetermined pressure, a vacuum exhaust device is used.
The valve (17) communicating with (18a) is closed to seal the reaction chamber (1). Etching gas there gas inlet
Although it is introduced from (10), since the amount of gas introduced can be known by detecting the pressure in the reaction chamber, the gas is introduced until the amount reaches a predetermined amount while detecting the pressure. At this time, the pressure in the reaction chamber is preferably in the range of 10 −3 Torr to 100 Torr. Here, the etching gas is FH (hydrogen fluoride) or FH / H 2 O.
【００２４】このようにして、エッチングは、反応室の
密閉後、エッチングガス分圧を管理して行われる。エッ
チングは数分間で終了する。終了後、閉めてあった真空
排気装置(１８ａ)につながるバルブ(１７)を再び開けて
反応室内を真空排気する。In this way, etching is performed by controlling the partial pressure of etching gas after the reaction chamber is sealed. The etching is completed in a few minutes. After the completion, the valve (17) connected to the closed vacuum exhaust device (18a) is opened again to evacuate the reaction chamber.
【００２５】他の実施例として、ウエハーが配置された
反応室(１)内に真空排気装置(１８ａ)により排気しなが
ら上記エッチングガスを導入する。導入されたエッチン
グガスは、反応室内部の仕切管(４)内部を通って、仕切
管上部の開口部から仕切管と反応室容器(３)内側との間
を通り、反応室容器(３)に設けられた排気口(１１)から
排気される。反応室(１)内の圧力を監視する圧力センサ
ー(図示せず)と排気装置の排気能力を調整する手段、例
えばコンダクタンス可変バルブ(図示せず)とによって、
反応室内の圧力は所定の圧力に制御される。それは概し
て１００Ｔｏｒｒ以下である。導入されるエッチングガ
ス流量と反応室圧力によってエッチングガス分圧は管理
される。エッチング終了後、エッチングガスの導入は停
止され反応室は前述の実施例と同様に真空排気される。In another embodiment, the etching gas is introduced into the reaction chamber (1) in which the wafer is placed while exhausting it by the vacuum exhaust device (18a). The introduced etching gas passes through the inside of the partition tube (4) inside the reaction chamber, passes through the opening of the upper part of the partition tube between the partition tube and the inside of the reaction chamber container (3), and passes through the reaction chamber container (3). The gas is exhausted from an exhaust port (11) provided in By a pressure sensor (not shown) for monitoring the pressure in the reaction chamber (1) and a means for adjusting the exhaust capacity of the exhaust device, for example, a conductance variable valve (not shown),
The pressure in the reaction chamber is controlled to a predetermined pressure. It is generally below 100 Torr. The etching gas partial pressure is controlled by the introduced etching gas flow rate and the reaction chamber pressure. After the etching is completed, the introduction of the etching gas is stopped, and the reaction chamber is evacuated as in the above-described embodiment.
【００２６】いずれの場合も、エッチングガス量は常圧
の場合に比べ著しく少ないので、エッチング終了後短時
間で残留エッチングガス濃度を低減できる。In any case, the amount of etching gas is remarkably smaller than that under normal pressure, so that the residual etching gas concentration can be reduced in a short time after the completion of etching.
【００２７】移動機構によってウエハーボードは搬送室
に降ろされ、ウエハーは順次装置外へ取り出される。The wafer board is lowered into the transfer chamber by the moving mechanism, and the wafers are sequentially taken out of the apparatus.
【００２８】図１のエッチング装置では搬送室専用の排
気装置を例示するが、これは反応室用排気装置や、開口
部(１６)につながるウエハー搬送装置を収納した別室を
排気する排気装置で兼用することも可能である。後者の
場合、ゲートバルブ(１７)は不要である。In the etching apparatus of FIG. 1, an exhaust device dedicated to the transfer chamber is shown as an example, but it is also used as an exhaust device for the reaction chamber and an exhaust device for exhausting a separate chamber accommodating the wafer transfer device connected to the opening (16). It is also possible to do so. In the latter case, the gate valve (17) is unnecessary.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように、本発明のエッチング装置
は、真空排気された反応室にエッチングガスを導入する
ので、その圧力を検知することで反応室内へのエッチン
グガス量を管理することができ、これによりエッチング
速度を制御でき、かくして所望のエッチング処理をなす
ことができる。As described above, in the etching apparatus of the present invention, the etching gas is introduced into the reaction chamber which is evacuated, so that the amount of the etching gas in the reaction chamber can be controlled by detecting the pressure. This allows the etching rate to be controlled and thus the desired etching process to be performed.
【００３０】同様の効果が、反応室にエッチングガスを
導入しながら、かつその圧力を制御しながら真空排気す
ることでも得ることができる。The same effect can be obtained by evacuating the chamber while introducing the etching gas and controlling the pressure of the etching gas.
【００３１】また、反応室内の微量のエッチングガスし
かなく、そのためエッチング処理後に反応室をパージす
るパージ時間が著しく短くなり、次のステップに速やか
に移行できる。また、反応室と搬送室から成るエッチン
グ装置では、反応室と搬送室とが完全に分離されている
のでエッチングガスが搬送室内に入り込まず、搬送機構
やゲートバルブをエッチングガスによる腐食から保護で
きる。Further, since there is only a small amount of etching gas in the reaction chamber, the purging time for purging the reaction chamber after the etching process is remarkably shortened, and the next step can be swiftly performed. Further, in the etching apparatus including the reaction chamber and the transfer chamber, the reaction chamber and the transfer chamber are completely separated, so that the etching gas does not enter the transfer chamber and the transfer mechanism and the gate valve can be protected from corrosion by the etching gas.
【００３２】さらに、反応室は一度に多くの非処理物を
配置できるので、パッチタイプのエッチング処理をする
ことができるので、エッチング処理を前処理とし、窒化
膜、酸化膜を形成する、バッチタイプの減圧ＣＶＤ装
置、熱酸化装置に適応し、したがって、さらにスループ
ットを著しく増加させることができる。Furthermore, since a large number of non-processed objects can be placed in the reaction chamber at the same time, a patch type etching process can be performed. Therefore, the etching process is a pre-treatment, and a nitride film and an oxide film are formed. It can be applied to the low pressure CVD apparatus and the thermal oxidation apparatus, and thus the throughput can be remarkably increased.
【００３３】さらにまた、本発明のエッチング装置は、
搬送室をも真空排気する排気装置を設けることで、真空
搬送式ロードロックシステム、マルチチャンバーシステ
ムに対応させることができる。Furthermore, the etching apparatus of the present invention is
By providing an exhaust device for evacuating the transfer chamber as well, it is possible to support a vacuum transfer type load lock system and a multi-chamber system.
【図１】図１ａは、本発明の、ウエハーを反応室に配置
した状態のエッチング装置の部分断面略示図であり、図
１ｂはウエハーボートが搬送室にある状態のエッチング
装置の部分略示図である。FIG. 1a is a partial schematic cross-sectional view of an etching apparatus according to the present invention in which a wafer is placed in a reaction chamber, and FIG. 1b is a partial schematic view of an etching apparatus in which a wafer boat is in a transfer chamber. It is a figure.
【図２】従来のエッチング装置の断面略示図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a conventional etching apparatus.
１ 反応室 ２ 搬送室 ３ 反応室容器 ４ 仕切管 ５ ウエハーボート ６ ウエハー ７ 反応室ベースプレート ８ フランジ ９ 搬送室容器 １０ ガス導入口 １１ 真空排気口 １２ 真空排気口 １３ ポールネジ １４ 移動体 １５ モーター １６ 開口部 １７ ゲートバルブ １８ａ、１８ｂ 真空排気装置 ３１ 反応室容器 ３２ ウエハー ３３ ウエハーテーブル ３４ 開口部 ３５ 密閉ドア(ゲートバルブ） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction chamber 2 Transfer chamber 3 Reaction chamber container 4 Partition tube 5 Wafer boat 6 Wafer 7 Reaction chamber base plate 8 Flange 9 Transfer chamber container 10 Gas inlet 11 Vacuum exhaust port 12 Vacuum exhaust port 13 Pole screw 14 Moving body 15 Motor 16 Opening 17 Gate Valves 18a, 18b Vacuum Evacuation Device 31 Reaction Chamber Container 32 Wafer 33 Wafer Table 34 Opening 35 Sealed Door (Gate Valve)
Claims (8)
応室と、 該反応室を排気するための、反応室に連結された排気手
段と、 前記反応室内の圧力を検知するセンサー手段と、から成
り、 前記反応室を排気した後、あるいは排気しながら、エッ
チングガスを前記反応室に導入し、前記センサー手段に
より反応室内の圧力を検知することでエッチングガスの
分圧を管理して、エッチング処理することを特徴とする
エッチング装置。1. An etching apparatus comprising: a reaction chamber for accommodating a non-processed object and treating with an etching gas; exhaust means connected to the reaction chamber for exhausting the reaction chamber; A sensor means for detecting the pressure in the chamber, and after the reaction chamber is exhausted or while being exhausted, an etching gas is introduced into the reaction chamber, and the pressure in the reaction chamber is detected by the sensor means for etching. An etching apparatus which controls etching by controlling partial pressure of gas.
て、 エッチングガスが、フッ化水素ガス、または水分を含む
フッ化水素ガスであることを特徴とするエッチング装
置。2. The etching apparatus according to claim 1, wherein the etching gas is hydrogen fluoride gas or hydrogen fluoride gas containing water.
て、 前記排気手段により前記反応室の圧力が１×１０-3Ｔｏ
ｒｒから１００Ｔｏｒｒの範囲に制御されることを特徴
とするエッチング装置。3. The etching apparatus according to claim 1, wherein the pressure of the reaction chamber is 1 × 10 −3 To by the exhaust unit.
An etching apparatus which is controlled in the range of rr to 100 Torr.
を排気する排気手段と該反応室に隣接配置され、非処理
物の非処理物を支持する支持手段に非処理物を移載する
搬送室と、 前記支持手段を搬送室から反応室へ移動させる移動手段
と前記反応室と前記搬送室を気密に分離させる手段と、
から成り、 前記反応室を排気した後、あるいは排気しながら、エッ
チングガスを前記反応室に導入し、前記反応室内の圧力
を検知することでエッチングガスの分圧を管理して、エ
ッチング処理することを特徴とするエッチング装置。4. An etching apparatus comprising: a reaction chamber for processing with an etching gas; a sensor means for detecting the pressure in the reaction chamber; an exhaust means for exhausting the reaction chamber; and a reaction chamber disposed adjacent to the reaction chamber. A transfer chamber that transfers the non-processed material to a support unit that supports the non-processed product, a moving unit that moves the support unit from the transfer chamber to the reaction chamber, and the reaction chamber and the transfer chamber that are airtightly separated from each other. Means and
After the reaction chamber is evacuated or while being evacuated, an etching gas is introduced into the reaction chamber, the partial pressure of the etching gas is controlled by detecting the pressure in the reaction chamber, and the etching treatment is performed. Etching equipment characterized by.
て、 前記支持手段が、複数の非処理物をバッチ処理するため
に、複数の非処理物を支持することを特徴とするエッチ
ング装置。5. The etching apparatus according to claim 4, wherein the supporting unit supports a plurality of non-processed objects in order to batch-process the plurality of non-processed objects.
て、 さらに、搬送室を真空排気するための排気手段を有する
ことを特徴とするエッチング装置。6. The etching apparatus according to claim 4, further comprising an evacuation unit for evacuating the transfer chamber.
て、 エッチングガスが、フッ化水素ガス、または水分を含む
フッ化水素ガスであることを特徴とするエッチング装
置。7. The etching apparatus according to claim 4, wherein the etching gas is hydrogen fluoride gas or hydrogen fluoride gas containing water.
て、 前記排気手段により反応室の圧力が１×１０-3Ｔｏｒｒ
から１００Ｔｏｒｒの範囲に制御されることを特徴とす
るエッチング装置。8. The etching apparatus according to claim 4, wherein the pressure of the reaction chamber is 1 × 10 −3 Torr by the exhaust unit.
To 100 Torr, the etching apparatus is controlled.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35114092A JPH06177073A (en) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | Etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35114092A JPH06177073A (en) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | Etching apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177073A true JPH06177073A (en) | 1994-06-24 |
Family
ID=18415321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35114092A Pending JPH06177073A (en) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | Etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177073A (en) |
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