JPH06161615A - Battery backup method for memory in high speed actuation information processor and circuit therefor - Google Patents
Battery backup method for memory in high speed actuation information processor and circuit thereforInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速作動情報処理装置におけるメモリのバッ
テリバックアップ方法とその回路において,バッテリの
消費電流を減らすとともに高速処理が可能な回路素子の
選択を可能にしてチップセレクト回路を構成する回路素
子の選択自由度を高めるようにする。
【構成】 情報処理装置に使用されるメモリの電源回路
において,この情報処理装置の主電源回路2を第1のダ
イオード10を経由してメモリを構成する各メモリ素
子,例えばメモリ素子5に接続し,メモリ素子5のバッ
クアップ用バッテリ7から第2のダイオード8を経由し
て上記メモリ素子5に接続し,主電源遮断時にはメモリ
素子5のチップセレクト端子5aに所定の固定電圧を供
給するようにした。また,高速作動情報処理装置におけ
るメモリ素子5のバッテリバックアップ回路において
は,上述の方法を実行するように回路構成を行った。
(57) [Abstract] [Purpose] In a battery backup method for a memory in a high-speed operation information processing device and its circuit, a chip select circuit is configured by reducing the current consumption of the battery and selecting a circuit element capable of high-speed processing. The degree of freedom in selecting circuit elements to be used is increased. [Structure] In a power supply circuit of a memory used in an information processing apparatus, a main power supply circuit 2 of the information processing apparatus is connected to each memory element forming the memory, for example, a memory element 5 via a first diode 10. , The backup battery 7 of the memory element 5 is connected to the memory element 5 via the second diode 8 so that a predetermined fixed voltage is supplied to the chip select terminal 5a of the memory element 5 when the main power supply is cut off. . In addition, in the battery backup circuit of the memory element 5 in the high-speed operation information processing device, the circuit configuration is configured to execute the above method.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は情報処理装置用メモリ
のバッテリバックアップ方法とその回路に係り,特に,
高速に実行される情報処理機能に最適な高速作動情報処
理装置におけるメモリのバッテリバックアップ方法とそ
の回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a battery backup method for an information processing device memory and its circuit, and
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a battery backup method of a memory in a high-speed operation information processing apparatus which is optimal for an information processing function executed at high speed, and a circuit thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】マイクロコンピュ−タ等の情報処理機能
(以下CPUと略称する)とメモリを組み合わせた情報
処理装置においては,上述したメモリに揮発性のメモリ
と不揮発性のメモリとが使用されている。上述した揮発
性のメモリには,電源が遮断された後も記録された情報
が消去されないように,上述した電源とは別の電源とし
て設けたバッテリによってバックアップする手段が採用
される場合がある。また,上述したメモリにメモリ素子
を複数備えている情報処理装置においては,複数の接続
メモリ素子の中からアクセスすべきメモリ素子を選択す
るために,各メモリにはチップセレクト端子を設け,こ
のチップセレクト端子はメインの情報処理用CPU等に
よって指令され制御されるチップセレクト回路に接続さ
れている。メモリに対するCPUからのアクセス時に
は,CPUから入力したアドレス信号に従ってチップセ
レクト回路から出力されるチップセレクト信号によって
指定されたメモリ素子が,指令されたライトまたはリ−
ド動作(指令入力回路は図示せず)を,入力されるアド
レス信号とデ−タ信号によって実行するように構成され
ている。2. Description of the Related Art In an information processing apparatus in which an information processing function (hereinafter abbreviated as CPU) such as a microcomputer and a memory are combined, a volatile memory and a non-volatile memory are used as the above-mentioned memory. There is. The above-mentioned volatile memory may employ a means for backing up by a battery provided as a power source different from the above-mentioned power source so that the recorded information is not erased even after the power source is cut off. In addition, in the information processing apparatus in which the memory includes a plurality of memory elements, each memory is provided with a chip select terminal in order to select a memory element to be accessed from a plurality of connected memory elements. The select terminal is connected to a chip select circuit that is commanded and controlled by the main information processing CPU or the like. When the memory is accessed from the CPU, the memory element designated by the chip select signal output from the chip select circuit according to the address signal input from the CPU causes the memory element designated to write or read.
A mode operation (command input circuit not shown) is executed by an input address signal and data signal.
【0003】上述した従来の回路例を図2によって説明
する。図2は従来の情報処理装置におけるメモリのバッ
テリバックアップ回路例を記すブロック回路図である。
図2においては,本発明に直接関係のない,この情報処
理装置に備えた要素素子や回路の図示は省略している。
また,複数の信号線によって形成される各信号線は1本
で示し,複数のメモリ素子によって構成されるメモリも
説明の便宜上一個のバッテリバックアップの必要な揮発
性メモリ素子で代表して示している(メモリ素子と呼称
する)。図2において,1はCPUであって,主電源回
路2から所定の電圧,例えば5Vが供給されている。C
PU1からアドレス信号線3とデ−タ信号線4がメモリ
素子5に接続されている。前述したようにメモリ素子5
は電源遮断時にバッテリによってバックアップされるメ
モリ素子で,このメモリ素子5は全体で1個のメモリを
構成する複数個のメモリ素子のうちの1つを代表して示
したものである。また,CPU1から出力するアドレス
信号に従ってアクセスすべきメモリ素子を指定するチッ
プセレクト信号を出力するチップセレクト回路6がCP
U1とメモリ素子5との間に設けられている。また,メ
モリ素子5とチップセレクト回路6には,第1のダイオ
−ド9を経由して主電源回路2から,電源遮断時にメモ
リ素子5の動作をバックアップするための電源用バッテ
リ7が第2のダイオ−ド8を経由してそれぞれ接続して
いる。従って,主電源回路2の接続時には主電源回路2
から供給される電流はバッテリ7には流れない。主電源
回路2の遮断時には,直列に接続した第1のダイオ−ド
9によって,バッテリ7から供給される電流が主電源回
路2に逆流しない。また,主電源回路2遮断時には,メ
モリ素子5のチップセレクト端子にはバッテリ7から供
給される電圧によって作動するチップセレクト回路6か
ら出力される所定信号(電圧)が入力され,バッテリ7
から供給される電圧によってメモリ素子5は記録デ−タ
を消去しないで記録を継続する。An example of the above-mentioned conventional circuit will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a block circuit diagram showing an example of a battery battery backup circuit in a conventional information processing apparatus.
In FIG. 2, illustration of element elements and circuits provided in this information processing apparatus, which are not directly related to the present invention, is omitted.
Further, each signal line formed by a plurality of signal lines is shown by one line, and a memory constituted by a plurality of memory devices is also shown as a representative of one volatile memory device requiring battery backup for convenience of description. (It is called a memory element). In FIG. 2, reference numeral 1 is a CPU, which is supplied with a predetermined voltage from the main power supply circuit 2, for example, 5V. C
The address signal line 3 and the data signal line 4 are connected from the PU 1 to the memory element 5. As described above, the memory device 5
Is a memory element that is backed up by a battery when the power is cut off, and this memory element 5 represents one of a plurality of memory elements that constitutes one memory as a whole. Further, the chip select circuit 6 for outputting a chip select signal designating a memory element to be accessed according to the address signal output from the CPU 1 is CP.
It is provided between U1 and the memory element 5. Further, the memory device 5 and the chip select circuit 6 are provided with a second power supply battery 7 for backing up the operation of the memory device 5 from the main power supply circuit 2 via the first diode 9 when the power supply is cut off. , And each of them is connected via a diode 8. Therefore, when connecting the main power supply circuit 2,
The current supplied from does not flow to the battery 7. When the main power supply circuit 2 is cut off, the current supplied from the battery 7 does not flow back to the main power supply circuit 2 by the first diode 9 connected in series. Further, when the main power supply circuit 2 is cut off, a predetermined signal (voltage) output from the chip select circuit 6 that operates by the voltage supplied from the battery 7 is input to the chip select terminal of the memory element 5 and the battery 7
The memory element 5 continues recording without erasing the recording data by the voltage supplied from the memory device.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで,メモリ素子
をバックアップする場合,メモリ素子の消費電流を最少
にし,バックアップ用バッテリの消耗を減らしてバッテ
リの可能作動時間を長くするためには,メモリ素子のチ
ップセレクト端子を,例えば,電源電圧(以下Vccと
略記する)から0.2ボルト低い電圧以上に保持する必
要がある。CPUの動作速度が早くなり,チップセレク
ト回路を高速で作動させるには,チップセレクト回路素
子にはPLD(programable logic device)のような動
作速度の早いIC等の素子またはバイポ−ラのICを使
用する必要がある。しかし,このような動作速度の早い
素子は消費電流が大きく,バックアップ用バッテリのバ
ックアップ可能時間が著しく短くなる。一方,消費電流
の少ないCMOSのIC等は動作速度が遅くアクセス時
間が長くなるという問題がある。また,上述したPLD
等のICは電源を切った時にはセレクト信号出力端子電
圧が(Vcc−0.2)ボルト以下になるので,メモリ
のチップセレクト端子入力電圧が(Vcc−0.2)ボ
ルト以下になってしまう。従って,メモリの消費電流は
減少しない。その対策として図2に示すようにメモリ素
子とともにチップセレクト回路にもバックアップ用のバ
ッテリを電源にするように回路を構成している。By the way, in the case of backing up the memory device, in order to minimize the current consumption of the memory device, reduce the consumption of the backup battery and prolong the possible operating time of the battery, It is necessary to hold the chip select terminal at a voltage lower than the power supply voltage (hereinafter abbreviated as Vcc) by 0.2 V or more. In order to increase the operating speed of the CPU and operate the chip select circuit at high speed, an element such as an IC with a high operating speed such as a PLD (programmable logic device) or a bipolar IC is used for the chip select circuit element. There is a need to. However, such a device having a high operation speed consumes a large amount of current, and the backupable time of the backup battery is significantly shortened. On the other hand, there is a problem that a CMOS IC, which consumes less current, has a slow operation speed and a long access time. In addition, the PLD described above
In such ICs, when the power is turned off, the select signal output terminal voltage becomes (Vcc-0.2) volt or less, so that the memory chip select terminal input voltage becomes (Vcc-0.2) volt or less. Therefore, the current consumption of the memory does not decrease. As a countermeasure against this, as shown in FIG. 2, the circuit is configured such that the backup battery is used as the power source for the chip select circuit as well as the memory element.
【0005】そのために,以下に記すような問題点(課
題)があった。 チップセレクト回路に使用するバッテリバックアップ
が可能な消費電流の少ない回路素子としてのICは,動
作速度の速い上述したPLD等に比べて情報処理時間が
大きく,そのために,CPUのメモリアクセス時間を長
くし,処理速度の高速なCPUを使用してもその高速性
能を発揮できない。従って,チップセレクト回路に使用
する回路素子の動作速度によってCPUからメモリにア
クセスする時間が制限される。 チップセレクト回路に使用する高速なPLD等の回路
素子は消費電流が大きく,バックアップ用バッテリの寿
命がメモリ素子のみに対する電流供給時よりも短くなる
のでバッテリバックアップには適さない。 チップセレクト回路に使用する回路素子には動作速度
が早くて電流消費の少ないIC類を使用する必要がある
ので,チップセレクト回路に使用できるIC等の回路素
子の選択等回路設計が制限される。Therefore, there have been the following problems (problems). An IC as a circuit element with low current consumption that can be backed up by a battery and is used in a chip select circuit has a longer information processing time than the above-described PLD or the like, which has a high operating speed. Therefore, the memory access time of the CPU is lengthened. However, even if a CPU with a high processing speed is used, the high speed performance cannot be exhibited. Therefore, the time required to access the memory from the CPU is limited by the operating speed of the circuit elements used in the chip select circuit. A high-speed circuit element such as a PLD used in the chip select circuit consumes a large amount of current, and the life of the backup battery is shorter than that when supplying current to only the memory element. Therefore, it is not suitable for battery backup. Since it is necessary to use ICs having high operating speed and low current consumption for the circuit elements used in the chip select circuit, circuit design such as selection of circuit elements such as ICs usable in the chip select circuit is limited.
【0006】上記問題点を解決するために,本発明に基
づく高速作動情報処理装置におけるメモリのバッテリバ
ックアップ方法とその回路においては,以下に記す条件
を満足することを目的としている。 チップセレクト回路に対してはバッテリバックアップ
を不要にし,また,チップセレクト回路に使用する回路
素子の消費電流には制限をつけず,高速処理が可能な回
路素子の選択ができるようにしてチップセレクト回路を
構成する回路素子の選択自由度を高める。 バッテリバックアップのためのバッテリがバックアッ
プ対象とする回路素子は,メモリ素子のみとする。 電源電圧遮断時にメモリ素子のチップセレクト端子を
(Vcc−a)ボルト以上にする。ここに記したaボル
トはメモリ素子によって定まる電圧であって,従来の技
術において説明したメモリ素子を対象とする場合は0.
2ボルトである。In order to solve the above problems, it is an object of a memory battery backup method and its circuit in a high-speed operation information processing apparatus according to the present invention to satisfy the following conditions. A battery backup is not required for the chip select circuit, and the current consumption of the circuit elements used in the chip select circuit is not limited so that the circuit element capable of high-speed processing can be selected. The degree of freedom of selection of the circuit elements forming the is increased. The memory device is the only circuit device to be backed up by the battery for battery backup. When the power supply voltage is cut off, the chip select terminal of the memory element is set to (Vcc-a) volt or more. The a volt described here is a voltage determined by the memory element, and when targeting the memory element described in the related art, 0.
It is 2 volts.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,本発明に基づく高速作動情報処理装置におけるメモ
リのバッテリバックアップ方法においては,情報処理装
置に使用されるメモリの電源回路において,この情報処
理装置の主電源を第1のダイオ−ドを経由してメモリに
接続し,メモリのバックアップ用バッテリから第2のダ
イオ−ドを経由して上記メモリに接続し,情報処理装置
不作動時における主電源遮断時にはメモリのチップセレ
クト端子に所定の固定電圧を供給するようにした。ま
た,高速作動情報処理装置におけるメモリのバッテリバ
ックアップ回路においては,上述の方法を実行するよう
に回路構成を行った。In order to solve the above problems, in the battery backup method of the memory in the high speed operation information processing apparatus according to the present invention, this information is stored in the power supply circuit of the memory used in the information processing apparatus. The main power source of the processing device is connected to the memory via the first diode, and the backup battery of the memory is connected to the memory via the second diode to prevent the information processing device from operating. When the main power supply is cut off, a predetermined fixed voltage is supplied to the chip select terminal of the memory. In addition, in the battery backup circuit of the memory in the high-speed operation information processing device, the circuit configuration is configured to execute the above method.
【0008】[0008]
【作用】本発明の高速作動情報処理装置におけるメモリ
のバッテリバックアップ方法およびその回路は上述のよ
うに構成したので,以下に記すような作用が現れる。 バッテリバックアップの対象はメモリのみになり,メ
モリ素子のチップセレクト端子電圧は所定値以上にでき
る。従ってこの情報処理装置の主電源遮断時におけるメ
モリの消費電流は少なくなる。 主電源遮断時におけるメモリの消費電流は少なくなる
のでバッテリバックアップ時には,バックアップ用バッ
テリの消耗が少なくバッテリの寿命が長くなる。 チップセレクト回路に使用する回路素子の消費電流に
は制限をつける必要がなくなったので,チップセレクト
回路を構成する回路素子の選択自由度が高まる。 チップセレクト回路を構成する回路素子の選択でアク
セス時間が短くなる。Since the battery backup method for the memory and the circuit thereof in the high speed operation information processing apparatus of the present invention are constructed as described above, the following operations will appear. Only the memory is targeted for battery backup, and the chip select terminal voltage of the memory element can be set to a predetermined value or higher. Therefore, the current consumption of the memory when the main power supply of the information processing apparatus is cut off is reduced. Since the current consumption of the memory is reduced when the main power is cut off, the backup battery is consumed less and the battery life is extended during battery backup. Since it is no longer necessary to limit the current consumption of the circuit elements used in the chip select circuit, the degree of freedom in selecting the circuit elements forming the chip select circuit is increased. The access time is shortened by selecting the circuit elements forming the chip select circuit.
【0009】[0009]
【実施例】本発明の一実施例を図1によって詳細に説明
する。図1は,本発明に基づく高速作動情報処理装置に
おけるメモリのバッテリバックアップ方法とその回路を
説明するための,要素回路機能を取り出して示した,メ
モリのバッテリバックアップ回路を記すブロック回路図
であって,従来の技術において図2に示した回路要素と
同一又は同質の回路要素は同一の符号を記している。ま
た,本発明に直接関係のない要素素子や回路,および信
号線の図示は省略しており,複数の信号線によって形成
される各信号線は1本で示し,複数のメモリ素子によっ
て構成されるメモリ機能も一個の揮発性メモリ素子で代
表して示している。図1において,1はCPU(マイク
ロコンピュ−タ等の情報処理機能)であって,主電源回
路2から所定の電圧Vcc,例えば5Vが供給されてい
る。CPU1からアドレス信号線3とデ−タ信号線4が
メモリ素子5に接続されている。また,メモリ素子5の
電源端子には,主電源回路2が第1のダイオ−ド10を
経由して接続されている。メモリ素子5はCMOSのS
RAM等,バッテリバックアップ可能なメモリであっ
て,チップセレクト端子電圧を所定電圧以上に保持する
ことによって消費電流を減らすことができるメモリ素子
である。図1においては,前述したように,図2と同
様,複数のメモリ素子のうちの1個を代表して示してい
る。また,CPU1から出力するアドレス信号に従って
アクセスすべきメモリ素子を指定するチップセレクト信
号を出力するチップセレクト回路6がCPU1とメモリ
素子5との間に設けられている。チップセレクト回路6
のチップセレクト信号出力端子6aとメモリ素子5のチ
ップセレクト端子5aとの間には後述するリレ−11の
接点回路11aが直列に接続されている。チップセレク
ト回路6は,PLD等の高速情報処理を実行するCPU
1が必要とする処理速度を備えた回路素子によって構成
されていて,主電源回路2が接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a block circuit diagram showing a battery backup circuit of a memory, showing the function of element circuits, for explaining a battery backup method of a memory and its circuit in a high-speed operation information processing apparatus according to the present invention. In the prior art, the same or similar circuit elements as those shown in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In addition, illustrations of element elements, circuits, and signal lines not directly related to the present invention are omitted, and each signal line formed by a plurality of signal lines is shown by one line and is constituted by a plurality of memory elements. The memory function is also represented by one volatile memory element. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a CPU (information processing function of a microcomputer or the like), which is supplied with a predetermined voltage Vcc, for example 5V, from a main power supply circuit 2. Address signal lines 3 and data signal lines 4 from the CPU 1 are connected to the memory element 5. The main power supply circuit 2 is connected to the power supply terminal of the memory element 5 via the first diode 10. The memory device 5 is a CMOS S
It is a memory such as a RAM that can be backed up by a battery, and is a memory element that can reduce current consumption by holding the chip select terminal voltage at a predetermined voltage or higher. As described above, in FIG. 1, as in the case of FIG. 2, one of the plurality of memory elements is shown as a representative. Further, a chip select circuit 6 for outputting a chip select signal designating a memory element to be accessed according to an address signal output from the CPU 1 is provided between the CPU 1 and the memory element 5. Chip select circuit 6
A contact circuit 11a of a relay 11 to be described later is connected in series between the chip select signal output terminal 6a and the chip select terminal 5a of the memory element 5. The chip select circuit 6 is a CPU that executes high-speed information processing such as PLD.
1 is composed of circuit elements having a processing speed required, and a main power supply circuit 2 is connected.
【0010】また,主電源回路2からの電圧供給遮断時
にメモリ素子5の動作をバックアップするための電源用
バッテリ7が第2のダイオ−ド8を経由してメモリ素子
5に接続している。Gはグランドラインを示している。
主電源回路2とグランドラインGとの間にリレ−11が
接続され,前述したようにリレ−11の接点回路11a
がチップセレクト回路6のチップセレクト出力端子6a
とメモリ素子5のチップセレクト端子5aとの間に接続
されている。また,メモリ素子5のチップセレクト端子
5a回路と,メモリ素子5の電源端子回路部,即ち,第
1のダイオ−ド10と第2のダイオ−ド8およびメモリ
素子5の電源端子とが接続されている回路部との間に,
所定抵抗値の固定抵抗器12が接続されている。A power supply battery 7 for backing up the operation of the memory element 5 when the voltage supply from the main power supply circuit 2 is cut off is connected to the memory element 5 through a second diode 8. G indicates a ground line.
The relay 11 is connected between the main power supply circuit 2 and the ground line G, and the contact circuit 11a of the relay 11 is connected as described above.
Is the chip select output terminal 6a of the chip select circuit 6.
And a chip select terminal 5a of the memory element 5 are connected. Further, the chip select terminal 5a circuit of the memory element 5 and the power supply terminal circuit portion of the memory element 5, that is, the first diode 10, the second diode 8 and the power supply terminal of the memory element 5 are connected. Between the circuit part
A fixed resistor 12 having a predetermined resistance value is connected.
【0011】上述の回路において,主電源回路2が通電
され,CPUが作動中は,主電源回路2によって伝送さ
れる電圧Vccは第1のダイオ−ド10を経由してメモ
リ素子5に供給される。また,リレ−11に電流が流れ
るので,リレ−11の接点回路11aは閉路される。従
って,チップセレクト回路6のチップセレクト信号出力
端子6aはメモリ素子5のチップセレクト端子5aに接
続される。CPU1がメモリ素子5に対して,例えばデ
−タを書き込むためにアクセスをすると(リ−ド/ライ
ト信号線は図示を省略),CPU1から出力されるアド
レス信号線3により伝送されるアドレス信号によってチ
ップセレクト回路6が出力するチップセレクト信号は,
固定抵抗器12の抵抗値が適切に設定してあるので減衰
なしにメモリ素子5のチップセレクト端子5aに入力す
る。従って,チップセレクト回路6が出力するチップセ
レクト信号によって選択されたメモリ素子5の指定アド
レスにデ−タ信号線4に出力されるデ−タが書き込まれ
る。メモリ記録デ−タを読み出す場合も上述と同様にメ
モリ素子5の指定されたアドレスのデ−タがCPUに読
み取られる。この場合,主電源回路2の電圧Vccがバ
ッテリ7の電圧よりも高くても第2のダイオ−ド8によ
ってバッテリ7には主電源回路2から給電されない。In the above circuit, when the main power supply circuit 2 is energized and the CPU is operating, the voltage Vcc transmitted by the main power supply circuit 2 is supplied to the memory element 5 via the first diode 10. It Further, since a current flows through the relay 11, the contact circuit 11a of the relay 11 is closed. Therefore, the chip select signal output terminal 6a of the chip select circuit 6 is connected to the chip select terminal 5a of the memory element 5. When the CPU 1 accesses the memory element 5 to write data (read / write signal line is not shown), the address signal transmitted by the address signal line 3 output from the CPU 1 causes The chip select signal output by the chip select circuit 6 is
Since the resistance value of the fixed resistor 12 is set appropriately, it is input to the chip select terminal 5a of the memory element 5 without attenuation. Therefore, the data output to the data signal line 4 is written in the designated address of the memory element 5 selected by the chip select signal output by the chip select circuit 6. When reading the memory recording data, the data at the designated address of the memory element 5 is read by the CPU as in the above. In this case, even if the voltage Vcc of the main power supply circuit 2 is higher than the voltage of the battery 7, the battery 7 is not supplied with power from the main power supply circuit 2 by the second diode 8.
【0012】上述の回路において,主電源回路2からの
電圧伝送が遮断されると,CPUは電圧が所定値以下に
なる前に所定の処理を完了させる。主電源回路2の電圧
がなくなるので,メモリ素子5にはバッテリ7の電圧が
第2のダイオ−ド8を経由して供給される。バッテリ7
の電圧は第1のダイオ−ド10の働きによって主電源回
路2には供給されない。また,主電源回路2の電圧がな
くなるので,リレ−11に対する印加電圧がなくなる。
従って,リレ−11の接点回路11aは開路されるの
で,メモリ素子5のチップセレクト端子5aには固定抵
抗器12を経由してバッテリ7の電圧が供給される。固
定抵抗器12の抵抗値が適切に設定してあるので,メモ
リ素子5のチップセレクト端子5aには固定抵抗器12
を経由して所定値以上の電圧,例えば(Vcc−0.
2)ボルト以上が供給される。従って,メモリ素子5は
所定の電流値の消費で記憶デ−タの保持を継続する。In the above circuit, when the voltage transmission from the main power supply circuit 2 is cut off, the CPU completes a predetermined process before the voltage becomes a predetermined value or less. Since the voltage of the main power supply circuit 2 disappears, the voltage of the battery 7 is supplied to the memory element 5 via the second diode 8. Battery 7
Is not supplied to the main power supply circuit 2 by the action of the first diode 10. Further, since the voltage of the main power supply circuit 2 disappears, the voltage applied to the relay 11 disappears.
Therefore, the contact circuit 11a of the relay 11 is opened, and the voltage of the battery 7 is supplied to the chip select terminal 5a of the memory element 5 via the fixed resistor 12. Since the resistance value of the fixed resistor 12 is set appropriately, the fixed resistor 12 is connected to the chip select terminal 5a of the memory element 5.
Via a predetermined voltage, for example (Vcc-0.
2) More than a volt is supplied. Therefore, the memory element 5 continues to hold the storage data at the consumption of a predetermined current value.
【0013】上述の説明は本発明の技術思想を実現する
ための基本手法と構成を示したものであって,種々応用
改変することができる。例えば,主電源回路2からの電
流供給がなくなるとリレ−11の接点回路11aを開路
して固定抵抗器12によってメモリ素子5のチップセレ
クト端子5aにバッテリ電圧を供給するようにしたが,
メモリ素子5が,微少な消費電流で記憶デ−タを保持す
る働きを実行するに適した電圧,例えば(Vcc−0.
2)ボルト以上を供給するようにできれば,どのような
回路であっても良い。また,リレ−を機械的な構成のリ
レ−であるように記したが,上述した所定の特性が得ら
れれば,半導体のゲ−ト素子を使用する等,無接点リレ
−素子を使用しても良い。その他,上述の機能を満足す
れば,CPUとメモリとの関係回路に対応して適切な機
能要素による回路を構成すれば良いことは勿論である。The above description shows the basic method and configuration for realizing the technical idea of the present invention, and can be variously applied and modified. For example, when the current supply from the main power supply circuit 2 is stopped, the contact circuit 11a of the relay 11 is opened and the fixed resistor 12 supplies the battery voltage to the chip select terminal 5a of the memory element 5.
The memory element 5 has a voltage suitable for executing the function of holding the memory data with a small current consumption, for example (Vcc-0.
2) Any circuit may be used as long as it can supply more than a volt. Although the relay is described as a relay having a mechanical structure, if the above-mentioned predetermined characteristics are obtained, a contactless relay element such as a semiconductor gate element is used. Is also good. In addition, if the above-mentioned functions are satisfied, it is needless to say that a circuit having appropriate functional elements may be configured corresponding to the circuit related to the CPU and the memory.
【0014】[0014]
【発明の効果】本発明は上述したように構成したので次
に示すような優れた効果を有する。 チップセレクト回路に使用する回路素子の消費電流に
は制限をつける必要がなくなった。従って,チップセレ
クト回路を構成する素子の選択自由度を高めることがで
きた。 バッテリがバックアップ対象とする回路素子はメモリ
素子のみにしたのでバッテリの消費量が少なくなり,バ
ッテリの寿命が長くできた。 電源遮断時にメモリ素子のチップセレクト端子を所定
の固定電圧,例えば(Vcc−0.2)ボルト以上にで
きたので,メモリの電源遮断時のメモリの消費電流を少
なくでき,従って,バックアップ用バッテリを長寿命と
することができる。Since the present invention is constructed as described above, it has the following excellent effects. It is no longer necessary to limit the current consumption of the circuit elements used in the chip select circuit. Therefore, it was possible to increase the degree of freedom in selecting the elements that make up the chip select circuit. Since the battery is the only circuit element to be backed up by the memory element, the battery consumption is reduced and the battery life can be extended. Since the chip select terminal of the memory element can be set to a predetermined fixed voltage, for example, (Vcc-0.2) volt or more when the power is cut off, the current consumption of the memory when the power of the memory is cut off can be reduced. It can have a long life.
【図1】本発明に基づく高速作動情報処理装置における
メモリのバッテリバックアップ方法とその回路の一実施
例を説明する概要構成ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining an embodiment of a battery battery backup method and its circuit in a high-speed operation information processing apparatus according to the present invention.
【図2】従来の情報処理装置におけるメモリのバッテリ
バックアップ方法の一例を示す概要構成ブロック図であ
る。FIG. 2 is a schematic configuration block diagram showing an example of a battery battery backup method in a conventional information processing apparatus.
1:CPU(情報処理装置用情報処理機能) 2:主電源回路 3;アドレス信号線 5:メモリ素子 6:チップセレクト回路 7:バッテリ 8,10:ダイオ−ド 11:リレ− 12:固定抵抗器 1: CPU (information processing function for information processing device) 2: main power supply circuit 3; address signal line 5: memory element 6: chip select circuit 7: battery 8, 10: diode 11: relay 12: fixed resistor
Claims (2)
用されるメモリの電源回路において,当該情報処理装置
の主電源回路を第1のダイオ−ドを経由して該メモリに
接続し,該メモリのバックアップ用バッテリから第2の
ダイオ−ドを経由して上記メモリに接続し,当該情報処
理装置不作動時における主電源遮断時には上記メモリの
チップセレクト端子に所定の固定電圧を供給するように
したことを特徴とする高速作動情報処理装置におけるメ
モリのバッテリバックアップ方法。1. A power supply circuit of a memory used in an information processing apparatus that requires high-speed operation, wherein a main power supply circuit of the information processing apparatus is connected to the memory via a first diode, The memory backup battery is connected to the memory via the second diode, and a predetermined fixed voltage is supplied to the chip select terminal of the memory when the main power is cut off when the information processing apparatus is not operating. A method for backing up a battery of a memory in a high-speed operation information processing device, characterized in that.
用されるメモリの電源回路において,当該情報処理装置
の主電源回路と第1のダイオ−ドとを直列に接続して該
メモリの電源端子に接続し,該メモリのバックアップ用
バッテリから第2のダイオ−ドを介して該メモリの電源
端子に接続し,上記情報処理装置の主電源回路からの電
源供給遮断時には該メモリのチップセレクト端子入力回
路をチップセレクト回路から所定値の電圧供給回路に切
換えるリレ−機能を設けるようにしたことを特徴とする
高速作動情報処理装置におけるメモリのバッテリバック
アップ回路。2. A power supply circuit for a memory used in an information processing apparatus that requires high-speed operation, wherein a main power supply circuit of the information processing apparatus and a first diode are connected in series to each other. Connected to a terminal, connected to a power supply terminal of the memory from a backup battery of the memory through a second diode, and a chip select terminal of the memory when power is cut off from the main power supply circuit of the information processing apparatus. A battery backup circuit for a memory in a high-speed operation information processing apparatus, wherein a relay function for switching an input circuit from a chip select circuit to a voltage supply circuit of a predetermined value is provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337841A JPH06161615A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Battery backup method for memory in high speed actuation information processor and circuit therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337841A JPH06161615A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Battery backup method for memory in high speed actuation information processor and circuit therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06161615A true JPH06161615A (en) | 1994-06-10 |
Family
ID=18312480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337841A Pending JPH06161615A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Battery backup method for memory in high speed actuation information processor and circuit therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06161615A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012071864A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 珠海天威技术开发有限公司 | Chip for consumption material and container for consumption material |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP4337841A patent/JPH06161615A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012071864A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 珠海天威技术开发有限公司 | Chip for consumption material and container for consumption material |
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