JPH061699A - 炭化ケイ素単結晶製造装置 - Google Patents
炭化ケイ素単結晶製造装置Info
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- JPH061699A JPH061699A JP18474992A JP18474992A JPH061699A JP H061699 A JPH061699 A JP H061699A JP 18474992 A JP18474992 A JP 18474992A JP 18474992 A JP18474992 A JP 18474992A JP H061699 A JPH061699 A JP H061699A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の炭化ケイ素焼結体を順次切り換えなが
ら昇華源とすることにより、昇華蒸気を連続的に発生さ
せ、安定した条件下で高品質の炭化ケイ素単結晶を製造
する。 【構成】 複数の炭化ケイ素焼結体１１，１２を、原料
ホルダー２０の孔部２１，２２にそれぞれ収容する。原
料ホルダー２０は、種結晶を底部に取り付けたルツボ３
０にあっては、ルツボ３０の側壁３２上端に接する状態
でスライドし、炭化ケイ素焼結体１１の昇華面を種結晶
に対向させる。ヒータ５０，５１による加熱で炭化ケイ
素焼結体１１の昇華が進行する。昇華が終了するころ、
原料ホルダー２０をスライドさせて、新しい炭化ケイ素
焼結体１２をルツボ３０内に引き込み、昇華を継続させ
る。 【効果】 連続した昇華により結晶成長条件が安定化
し、品質が一定した長尺の単結晶１５が得られる。ま
た、焼結体残渣が単結晶に混入することがないので、得
られた単結晶１５の品質が向上する。
ら昇華源とすることにより、昇華蒸気を連続的に発生さ
せ、安定した条件下で高品質の炭化ケイ素単結晶を製造
する。 【構成】 複数の炭化ケイ素焼結体１１，１２を、原料
ホルダー２０の孔部２１，２２にそれぞれ収容する。原
料ホルダー２０は、種結晶を底部に取り付けたルツボ３
０にあっては、ルツボ３０の側壁３２上端に接する状態
でスライドし、炭化ケイ素焼結体１１の昇華面を種結晶
に対向させる。ヒータ５０，５１による加熱で炭化ケイ
素焼結体１１の昇華が進行する。昇華が終了するころ、
原料ホルダー２０をスライドさせて、新しい炭化ケイ素
焼結体１２をルツボ３０内に引き込み、昇華を継続させ
る。 【効果】 連続した昇華により結晶成長条件が安定化
し、品質が一定した長尺の単結晶１５が得られる。ま
た、焼結体残渣が単結晶に混入することがないので、得
られた単結晶１５の品質が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化ケイ素原料の昇華
を連続化させ、安定した品質をもつ長尺の炭化ケイ素単
結晶を製造する装置に関する。
を連続化させ、安定した品質をもつ長尺の炭化ケイ素単
結晶を製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素単結晶は、炭化ケイ素粉末を
原料として使用する昇華法で通常作製されている。炭化
ケイ素粉末は、種結晶と共にルツボに収容され、不活性
雰囲気中で２０００〜２４００℃の温度に加熱される。
加熱により炭化ケイ素粉末から昇華した蒸気が種結晶に
接触し、結晶方位を揃えた単結晶が種結晶の上に成長す
る。
原料として使用する昇華法で通常作製されている。炭化
ケイ素粉末は、種結晶と共にルツボに収容され、不活性
雰囲気中で２０００〜２４００℃の温度に加熱される。
加熱により炭化ケイ素粉末から昇華した蒸気が種結晶に
接触し、結晶方位を揃えた単結晶が種結晶の上に成長す
る。
【０００３】ルツボには、黒鉛製のものが従来から使用
されている。黒鉛製ルツボの下部又は上部に２０〜３０
ｇ程度の炭化ケイ素粉末を入れ、反対側に種結晶を配置
させる。たとえば図１に示すようにルツボ１の上部に炭
化ケイ素粉末２を入れる場合、ルツボ１の内部を多孔質
の黒鉛板３で仕切り、ルツボ１の底部に種結晶４を配置
する。そして、ルツボ１を取り巻くヒータ５によって所
定の温度勾配で炭化ケイ素粉末２を加熱昇華させ、種結
晶の上に単結晶４を成長させる。ヒータ５としては、抵
抗加熱方式，高周波誘導加熱方式等が採用されている。
また、ルツボの下部に炭化ケイ素粉末を入れる場合、ル
ツボの上蓋に種結晶を張り付けることもある。
されている。黒鉛製ルツボの下部又は上部に２０〜３０
ｇ程度の炭化ケイ素粉末を入れ、反対側に種結晶を配置
させる。たとえば図１に示すようにルツボ１の上部に炭
化ケイ素粉末２を入れる場合、ルツボ１の内部を多孔質
の黒鉛板３で仕切り、ルツボ１の底部に種結晶４を配置
する。そして、ルツボ１を取り巻くヒータ５によって所
定の温度勾配で炭化ケイ素粉末２を加熱昇華させ、種結
晶の上に単結晶４を成長させる。ヒータ５としては、抵
抗加熱方式，高周波誘導加熱方式等が採用されている。
また、ルツボの下部に炭化ケイ素粉末を入れる場合、ル
ツボの上蓋に種結晶を張り付けることもある。
【０００４】この条件下でルツボを圧力７６０トール以
下の不活性ガス雰囲気中にセットし、種結晶側が原料側
よりも低くなる温度勾配をつけて全体を２０００〜２４
００℃の高温雰囲気に維持する。これにより、原料であ
る炭化ケイ素粉末が昇華し、Ｓｉ，Ｓｉ2 Ｃ，ＳｉＣ
2 ，ＳｉＣ等の蒸気が種結晶に降り注ぐ。これら蒸気か
ら約０．５〜２ｍｍ／時の成長速度で、炭化ケイ素単結
晶が種結晶の表面に成長する。結晶成長工程が終了した
とき、原料としてルツボに収容された炭化ケイ素粉末が
結晶成長の時間内で全量昇華する量に予め設定されてい
ると、大部分の炭化ケイ素が昇華し消費される。そし
て、ルツボの内部に、煤状の炭素が残留する。
下の不活性ガス雰囲気中にセットし、種結晶側が原料側
よりも低くなる温度勾配をつけて全体を２０００〜２４
００℃の高温雰囲気に維持する。これにより、原料であ
る炭化ケイ素粉末が昇華し、Ｓｉ，Ｓｉ2 Ｃ，ＳｉＣ
2 ，ＳｉＣ等の蒸気が種結晶に降り注ぐ。これら蒸気か
ら約０．５〜２ｍｍ／時の成長速度で、炭化ケイ素単結
晶が種結晶の表面に成長する。結晶成長工程が終了した
とき、原料としてルツボに収容された炭化ケイ素粉末が
結晶成長の時間内で全量昇華する量に予め設定されてい
ると、大部分の炭化ケイ素が昇華し消費される。そし
て、ルツボの内部に、煤状の炭素が残留する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】炭化ケイ素の昇華反応
は、ルツボに収容される炭化ケイ素粉末の量に比例した
多量の昇華ガスを発生させるものではない。ルツボに収
容された炭化ケイ素粉末の量が昇華の条件を超えると
き、原料粉末層の内部に未分解の炭化ケイ素が凝固体と
なって残留し易い。残留した炭化ケイ素は、後続する昇
華反応を抑制し、蒸気の発生を妨げる原因となる。その
ため、製造装置によって定まる温度分布，圧力等の特性
や制御可能な範囲の条件に応じて、結晶成長の一工程が
決定される。このことから、安定した条件下で連続的に
単結晶を成長させる上で、結晶成長時に原料の昇華条件
を同一に設定することが必要とされる。
は、ルツボに収容される炭化ケイ素粉末の量に比例した
多量の昇華ガスを発生させるものではない。ルツボに収
容された炭化ケイ素粉末の量が昇華の条件を超えると
き、原料粉末層の内部に未分解の炭化ケイ素が凝固体と
なって残留し易い。残留した炭化ケイ素は、後続する昇
華反応を抑制し、蒸気の発生を妨げる原因となる。その
ため、製造装置によって定まる温度分布，圧力等の特性
や制御可能な範囲の条件に応じて、結晶成長の一工程が
決定される。このことから、安定した条件下で連続的に
単結晶を成長させる上で、結晶成長時に原料の昇華条件
を同一に設定することが必要とされる。
【０００６】昇華条件を連続的に且つ同一に維持するた
め、原料である炭化ケイ素粉末を連続供給する方法が考
えられる。しかし、炭化ケイ素の昇華後に煤状炭素等が
ルツボ内に残留することから、炭化ケイ素粉末を長時間
にわたり連続して供給することはできない。また、原料
を連続供給する構造では、開口部が生じることが避けら
れない、開口部は、昇華蒸気が外部に漏れないことが要
求されるルツボ構造には不向きであることは勿論、ルツ
ボ周辺に発生した昇華蒸気の流れを乱す原因にもなる。
め、原料である炭化ケイ素粉末を連続供給する方法が考
えられる。しかし、炭化ケイ素の昇華後に煤状炭素等が
ルツボ内に残留することから、炭化ケイ素粉末を長時間
にわたり連続して供給することはできない。また、原料
を連続供給する構造では、開口部が生じることが避けら
れない、開口部は、昇華蒸気が外部に漏れないことが要
求されるルツボ構造には不向きであることは勿論、ルツ
ボ周辺に発生した昇華蒸気の流れを乱す原因にもなる。
【０００７】本発明は、このような問題を解消すべく案
出されたものであり、昇華の進行に応じて複数の炭化ケ
イ素焼結体を間欠的にルツボ内に順次送り込むことによ
り、昇華蒸気の発生を連続化させると共に、安定した条
件下で炭化ケイ素単結晶を成長させることを目的とす
る。
出されたものであり、昇華の進行に応じて複数の炭化ケ
イ素焼結体を間欠的にルツボ内に順次送り込むことによ
り、昇華蒸気の発生を連続化させると共に、安定した条
件下で炭化ケイ素単結晶を成長させることを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の炭化ケイ素単結
晶製造装置は、その目的を達成するため、種結晶を一側
に取り付けたルツボと、複数の炭化ケイ素焼結体を収容
し、前記ルツボ内に引き込まれた前記炭化ケイ素焼結体
の昇華面が前記種結晶に対向するように、前記ルツボの
他側で移動可能に設けられた原料ホルダーと、前記ルツ
ボの外周を取り巻くヒータとを備え、前記原料ホルダー
の移動によって前記炭化ケイ素焼結体が前記ルツボ内に
順次引き入れられることを特徴とする。
晶製造装置は、その目的を達成するため、種結晶を一側
に取り付けたルツボと、複数の炭化ケイ素焼結体を収容
し、前記ルツボ内に引き込まれた前記炭化ケイ素焼結体
の昇華面が前記種結晶に対向するように、前記ルツボの
他側で移動可能に設けられた原料ホルダーと、前記ルツ
ボの外周を取り巻くヒータとを備え、前記原料ホルダー
の移動によって前記炭化ケイ素焼結体が前記ルツボ内に
順次引き入れられることを特徴とする。
【０００９】
【作 用】本発明においては、昇華原料として炭化ケイ
素焼結体を複数用意する。この焼結体は、通常のセラミ
ックス焼結体を得る方法と同様な焼結法によって製造さ
れる。或いは、図２に示すように、円筒状の容積をもっ
た黒鉛製容器６に炭化ケイ素粉末７を収容し、不活性ガ
ス雰囲気中で５００〜１０００℃に加熱することによっ
て円板状の焼結体を得ることもできる。複数の炭化ケイ
素焼結体１１，１２は、図３に示すように原料ホルダー
２０に形成されている孔部２１，２２にそれぞれ収容さ
れ、昇華位置で炭化ケイ素焼結体１１がルツボ３０内の
結晶成長面に対向するように、断熱ライニングが施され
たチャンバー４０内にセットされる。原料ホルダー２０
は、矢印Ｄで示すようにチャンバー４０内をスライドす
る。
素焼結体を複数用意する。この焼結体は、通常のセラミ
ックス焼結体を得る方法と同様な焼結法によって製造さ
れる。或いは、図２に示すように、円筒状の容積をもっ
た黒鉛製容器６に炭化ケイ素粉末７を収容し、不活性ガ
ス雰囲気中で５００〜１０００℃に加熱することによっ
て円板状の焼結体を得ることもできる。複数の炭化ケイ
素焼結体１１，１２は、図３に示すように原料ホルダー
２０に形成されている孔部２１，２２にそれぞれ収容さ
れ、昇華位置で炭化ケイ素焼結体１１がルツボ３０内の
結晶成長面に対向するように、断熱ライニングが施され
たチャンバー４０内にセットされる。原料ホルダー２０
は、矢印Ｄで示すようにチャンバー４０内をスライドす
る。
【００１０】ルツボ３０は、多孔質黒鉛板３１が装着さ
れる段部が上端に形成された側壁３２をもっている。多
孔質黒鉛板３１は、炭化ケイ素焼結体１１が昇華してい
るとき或いは昇華終了時に焼結体残渣が結晶成長面に落
下することを防止する。また、昇華位置にある原料ホル
ダー２０の孔部２１は、上蓋３３で閉塞されている。原
料ホルダー２０は、昇華蒸気１３がルツボ３０の外部に
漏出しないように、側壁３１の上端に接触して或いは少
なくとも極めて近接した位置に配置される。
れる段部が上端に形成された側壁３２をもっている。多
孔質黒鉛板３１は、炭化ケイ素焼結体１１が昇華してい
るとき或いは昇華終了時に焼結体残渣が結晶成長面に落
下することを防止する。また、昇華位置にある原料ホル
ダー２０の孔部２１は、上蓋３３で閉塞されている。原
料ホルダー２０は、昇華蒸気１３がルツボ３０の外部に
漏出しないように、側壁３１の上端に接触して或いは少
なくとも極めて近接した位置に配置される。
【００１１】ルツボ３０の外周は、円筒状のヒータ５０
で取り囲まれている。昇華位置にある炭化ケイ素焼結体
１１の上方にも、ヒータ５１が配置されている。ヒータ
５０は、上下方向に複数のブロックに区分されており、
それぞれのブロックごとに供給される電流を制御するこ
とによってルツボ３０の内部に垂直方向に関して所定の
温度勾配を付けている。具体的には、炭化ケイ素焼結体
１１側を高温とし、種結晶側を低温に設定する。
で取り囲まれている。昇華位置にある炭化ケイ素焼結体
１１の上方にも、ヒータ５１が配置されている。ヒータ
５０は、上下方向に複数のブロックに区分されており、
それぞれのブロックごとに供給される電流を制御するこ
とによってルツボ３０の内部に垂直方向に関して所定の
温度勾配を付けている。具体的には、炭化ケイ素焼結体
１１側を高温とし、種結晶側を低温に設定する。
【００１２】排気口４１を介してチャンバー４０内を排
気し、給気口４２から不活性ガスをチャンバー４０に導
入する。排気及び給気を繰り返すことによりチャンバー
４０内をクリーニングし、炭化ケイ素の昇華及び結晶成
長に適した不活性ガス雰囲気に調整する。次いで、ヒー
タ５０，５１によって炭化ケイ素焼結体１１を加熱し、
昇華蒸気１３を発生させる。昇華蒸気１３は、多孔質黒
鉛板３１を透過してルツボ３０内を流下し、ルツボ３０
の底部に配置した種結晶の上に成長して単結晶１５とな
る。
気し、給気口４２から不活性ガスをチャンバー４０に導
入する。排気及び給気を繰り返すことによりチャンバー
４０内をクリーニングし、炭化ケイ素の昇華及び結晶成
長に適した不活性ガス雰囲気に調整する。次いで、ヒー
タ５０，５１によって炭化ケイ素焼結体１１を加熱し、
昇華蒸気１３を発生させる。昇華蒸気１３は、多孔質黒
鉛板３１を透過してルツボ３０内を流下し、ルツボ３０
の底部に配置した種結晶の上に成長して単結晶１５とな
る。
【００１３】炭化ケイ素焼結体１１の主成分の昇華が終
了するころ、原料ホルダー２０をスライドさせて次の炭
化ケイ素焼結体１２をルツボ３０内に引き入れる。この
とき、昇華し終った炭化ケイ素焼結体１１の残渣は、原
料ホルダー２０の移動と共にルツボ３０の外部に排出さ
れる。引き入れられた炭化ケイ素焼結体１２は、すでに
高温状態となっているので、すぐに昇華を開始する。そ
して、一定時間にわたり、昇華蒸気１３を発生させる。
このように、複数の炭化ケイ素焼結体１１，１２を一定
の時間間隔をおいて連続的にルツボ３０に導入すること
により、昇華蒸気１３が定常的に得られる。その結果、
結晶成長が安定した条件下で行われ、一定した品質をも
つ単結晶１５が得られる。
了するころ、原料ホルダー２０をスライドさせて次の炭
化ケイ素焼結体１２をルツボ３０内に引き入れる。この
とき、昇華し終った炭化ケイ素焼結体１１の残渣は、原
料ホルダー２０の移動と共にルツボ３０の外部に排出さ
れる。引き入れられた炭化ケイ素焼結体１２は、すでに
高温状態となっているので、すぐに昇華を開始する。そ
して、一定時間にわたり、昇華蒸気１３を発生させる。
このように、複数の炭化ケイ素焼結体１１，１２を一定
の時間間隔をおいて連続的にルツボ３０に導入すること
により、昇華蒸気１３が定常的に得られる。その結果、
結晶成長が安定した条件下で行われ、一定した品質をも
つ単結晶１５が得られる。
【００１４】種結晶と炭化ケイ素焼結体との位置関係
は、図４に示すように逆転させることも可能である。こ
の場合、ルツボ３０の上部に種結晶を取り付け、複数の
炭化ケイ素焼結体１１，１２を収容した原料ホルダー３
０を下部に配置する。原料ホルダー３０は、図３の場合
と同様に、炭化ケイ素焼結体１１の昇華が終了するこ
ろ、矢印Ｄで示す方向にスライドされる。この位置関係
では、炭化ケイ素焼結体１１の残渣が原料ホルダー３０
に留まるため、多孔質黒鉛板３１を省略することができ
る。また、炭化ケイ素焼結体１１，１２は、原料ホルダ
ー２０に形成した凹部２３，２４に収容される。
は、図４に示すように逆転させることも可能である。こ
の場合、ルツボ３０の上部に種結晶を取り付け、複数の
炭化ケイ素焼結体１１，１２を収容した原料ホルダー３
０を下部に配置する。原料ホルダー３０は、図３の場合
と同様に、炭化ケイ素焼結体１１の昇華が終了するこ
ろ、矢印Ｄで示す方向にスライドされる。この位置関係
では、炭化ケイ素焼結体１１の残渣が原料ホルダー３０
に留まるため、多孔質黒鉛板３１を省略することができ
る。また、炭化ケイ素焼結体１１，１２は、原料ホルダ
ー２０に形成した凹部２３，２４に収容される。
【００１５】図３及び図４の例では、スライド式の原料
ホルダー３０を採用している。しかし、本発明はこれに
拘束されるものではなく、複数の炭化ケイ素焼結体を間
欠的にルツボ内に導入するものである限り、他の形式の
原料ホルダーを採用することも可能である。たとえば、
炭化ケイ素焼結体を収容する複数の孔部又は凹部を同心
円状に形成した回転円板を組み込み、昇華による炭化ケ
イ素焼結体の消耗に伴って回転円板を間欠的に回転させ
てもよい。
ホルダー３０を採用している。しかし、本発明はこれに
拘束されるものではなく、複数の炭化ケイ素焼結体を間
欠的にルツボ内に導入するものである限り、他の形式の
原料ホルダーを採用することも可能である。たとえば、
炭化ケイ素焼結体を収容する複数の孔部又は凹部を同心
円状に形成した回転円板を組み込み、昇華による炭化ケ
イ素焼結体の消耗に伴って回転円板を間欠的に回転させ
てもよい。
【００１６】
【実施例】炭化ケイ素粉末５０ｇを直径２５ｍｍの黒鉛
製円筒容器に収容し、不活性ガス雰囲気中で１０００〜
１５００℃の温度に約１時間加熱焼結し、直径２５ｍｍ
及び厚さ１０ｍｍの円柱状炭化ケイ素焼結体を得た。ル
ツボ３０として、内径２５ｍｍの黒鉛製ルツボを使用し
た。ルツボ３０は、下蓋の台座３４に種結晶を載せ、側
壁３２の上端に多孔質黒鉛板３１を装着させた。そし
て、孔部２１，２２に炭化ケイ素焼結体１１，１２を収
容した原料ホルダー２０を、ルツボ３０の上部にスライ
ド可能に配置した。炭化ケイ素焼結体１１，１２は、周
辺が原料ホルダー２０の肩部で支持され、ルツボ３０内
に引き込まれた状態では多孔質黒鉛板３１及び上蓋３３
で閉じられた空間内にセットされる。
製円筒容器に収容し、不活性ガス雰囲気中で１０００〜
１５００℃の温度に約１時間加熱焼結し、直径２５ｍｍ
及び厚さ１０ｍｍの円柱状炭化ケイ素焼結体を得た。ル
ツボ３０として、内径２５ｍｍの黒鉛製ルツボを使用し
た。ルツボ３０は、下蓋の台座３４に種結晶を載せ、側
壁３２の上端に多孔質黒鉛板３１を装着させた。そし
て、孔部２１，２２に炭化ケイ素焼結体１１，１２を収
容した原料ホルダー２０を、ルツボ３０の上部にスライ
ド可能に配置した。炭化ケイ素焼結体１１，１２は、周
辺が原料ホルダー２０の肩部で支持され、ルツボ３０内
に引き込まれた状態では多孔質黒鉛板３１及び上蓋３３
で閉じられた空間内にセットされる。
【００１７】炭化ケイ素焼結体１１をルツボ３０内に引
き入れた状態で不活性ガスをチャンバー４０に導入し、
ヒータ５０，５１によって炭化ケイ素焼結体１１及びル
ツボ３０を加熱した。ルツボ３０が２０００〜２４００
℃に達したとき、炭化ケイ素焼結体１１の昇華が開始し
た。昇華蒸気１３は、多孔質黒鉛板３１を透過して種結
晶に降り注ぎ、単結晶１５として成長した。昇華を３時
間継続させた後、原料ホルダー２０を矢印Ｄ方向にスラ
イドさせ、新しい炭化ケイ素焼結体１２をルツボ３０内
に引き入れた。この時点から更に３時間かけて昇華を継
続させ、結晶成長を行った。炭化ケイ素焼結体１１から
約３ｍｍの結晶成長がみられ、更に炭化ケイ素焼結体１
２を昇華させた後では約６ｍｍの結晶成長が確認され
た。このことから、炭化ケイ素焼結体１個当り約３ｍｍ
の結晶成長が行われていることが判る。また、得られた
単結晶は、炭化ケイ素焼結体１１から炭化ケイ素焼結体
１２に昇華原料を切り換えたことに起因する影響がみら
れず、均一で安定した品質をもっていた。
き入れた状態で不活性ガスをチャンバー４０に導入し、
ヒータ５０，５１によって炭化ケイ素焼結体１１及びル
ツボ３０を加熱した。ルツボ３０が２０００〜２４００
℃に達したとき、炭化ケイ素焼結体１１の昇華が開始し
た。昇華蒸気１３は、多孔質黒鉛板３１を透過して種結
晶に降り注ぎ、単結晶１５として成長した。昇華を３時
間継続させた後、原料ホルダー２０を矢印Ｄ方向にスラ
イドさせ、新しい炭化ケイ素焼結体１２をルツボ３０内
に引き入れた。この時点から更に３時間かけて昇華を継
続させ、結晶成長を行った。炭化ケイ素焼結体１１から
約３ｍｍの結晶成長がみられ、更に炭化ケイ素焼結体１
２を昇華させた後では約６ｍｍの結晶成長が確認され
た。このことから、炭化ケイ素焼結体１個当り約３ｍｍ
の結晶成長が行われていることが判る。また、得られた
単結晶は、炭化ケイ素焼結体１１から炭化ケイ素焼結体
１２に昇華原料を切り換えたことに起因する影響がみら
れず、均一で安定した品質をもっていた。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、複数の炭化ケイ素焼結体を順次ルツボ内に送り込
み、昇華を連続化させている。そのため、結晶成長面に
は同じ条件の下で昇華蒸気が連続的に降り注ぎ、結晶成
長が連続的に行われ、長尺の単結晶が製造される。しか
も、常に新鮮な原料が供給されることから、従来のよう
な残渣が製品単結晶に混入することが防止され、良質の
炭化ケイ素単結晶が得られる。
は、複数の炭化ケイ素焼結体を順次ルツボ内に送り込
み、昇華を連続化させている。そのため、結晶成長面に
は同じ条件の下で昇華蒸気が連続的に降り注ぎ、結晶成
長が連続的に行われ、長尺の単結晶が製造される。しか
も、常に新鮮な原料が供給されることから、従来のよう
な残渣が製品単結晶に混入することが防止され、良質の
炭化ケイ素単結晶が得られる。
【図１】 従来の炭化ケイ素粉末を原料とした単結晶製
造装置
造装置
【図２】 炭化ケイ素粉末を焼結体とする一例
【図３】 本発明に従ってルツボの上下に炭化ケイ素焼
結体及び種結晶をそれぞれ配置した単結晶製造装置
結体及び種結晶をそれぞれ配置した単結晶製造装置
【図４】 本発明に従ってルツボの上下に種結晶及び炭
化ケイ素焼結体をそれぞれ配置した単結晶製造装置
化ケイ素焼結体をそれぞれ配置した単結晶製造装置
【符号の説明】 １１，１２ 炭化ケイ素焼結体 １３ 昇華蒸気
１５ 単結晶 ２０ 原料ホルダー ２１，２２ 炭化ケイ素焼結体を収容するための孔部 ２３，２４ 凹部 ３０ ルツボ
３１ 多孔質黒鉛板 ３２ 側壁 ３３ 上蓋 ３４ 台座
４０ チャンバー ５０，５１ ヒータ
１５ 単結晶 ２０ 原料ホルダー ２１，２２ 炭化ケイ素焼結体を収容するための孔部 ２３，２４ 凹部 ３０ ルツボ
３１ 多孔質黒鉛板 ３２ 側壁 ３３ 上蓋 ３４ 台座
４０ チャンバー ５０，５１ ヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】 種結晶を一側に取り付けたルツボと、複
数の炭化ケイ素焼結体を収容し、前記ルツボ内に引き込
まれた前記炭化ケイ素焼結体の昇華面が前記種結晶に対
向するように、前記ルツボの他側で移動可能に設けられ
た原料ホルダーと、前記ルツボの外周を取り巻くヒータ
とを備え、前記原料ホルダーの移動によって前記炭化ケ
イ素焼結体が前記ルツボ内に順次引き入れられることを
特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18474992A JPH061699A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 炭化ケイ素単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18474992A JPH061699A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 炭化ケイ素単結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH061699A true JPH061699A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=16158674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18474992A Withdrawn JPH061699A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 炭化ケイ素単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061699A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003527295A (ja) * | 2000-03-13 | 2003-09-16 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 炭化ケイ素の大型単結晶を作るための軸芯勾配輸送装置及び方法 |
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| CN118127609A (zh) * | 2024-03-07 | 2024-06-04 | 安徽昱升光电科技有限公司 | 一种晶体生长装置 |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP18474992A patent/JPH061699A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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