JPH06164185A - ハイブリッドic - Google Patents
ハイブリッドicInfo
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- JPH06164185A JPH06164185A JP31193492A JP31193492A JPH06164185A JP H06164185 A JPH06164185 A JP H06164185A JP 31193492 A JP31193492 A JP 31193492A JP 31193492 A JP31193492 A JP 31193492A JP H06164185 A JPH06164185 A JP H06164185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- shield layer
- conductive material
- hybrid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハイブリッドICのシールド層6を、ディッ
プコーティングが可能で、かつ十分な導電性及び密着性
があるものとする。 【構成】 まず、シールド層6をなす導電塗料として、
0.05〜0.5重量部のチタネートにより表面被覆し
た、金属銅粉100重量部、レゾール型フェノール樹脂
5〜33重量部、キレート層形成剤0.5〜8重量部、
カップリング剤0.1〜2重量部を配合してなるものと
する。つぎに、電子部品素子2、3を搭載した基板1
を、そのグランドリード端子4aに銅箔導電材7を添え
て、絶縁性樹脂浴に浸漬して上記保護層5を形成し、さ
らに、導電材7を内側に屈曲したのち、基板1を上記導
電塗料浴に浸漬してシールド層6を形成する。グランド
リード端子4aとシールド層6は導電材7を介して電気
的に接続される。
プコーティングが可能で、かつ十分な導電性及び密着性
があるものとする。 【構成】 まず、シールド層6をなす導電塗料として、
0.05〜0.5重量部のチタネートにより表面被覆し
た、金属銅粉100重量部、レゾール型フェノール樹脂
5〜33重量部、キレート層形成剤0.5〜8重量部、
カップリング剤0.1〜2重量部を配合してなるものと
する。つぎに、電子部品素子2、3を搭載した基板1
を、そのグランドリード端子4aに銅箔導電材7を添え
て、絶縁性樹脂浴に浸漬して上記保護層5を形成し、さ
らに、導電材7を内側に屈曲したのち、基板1を上記導
電塗料浴に浸漬してシールド層6を形成する。グランド
リード端子4aとシールド層6は導電材7を介して電気
的に接続される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上の電子部品素
子が絶縁性樹脂の保護層により封止され、その上にシー
ルド層が形成されたハイブリッドICに関するものであ
る。
子が絶縁性樹脂の保護層により封止され、その上にシー
ルド層が形成されたハイブリッドICに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術及びその課題】ハイブリッドICはプリン
ト配線基板上に実装して用いられ、その電子部品素子は
絶縁性樹脂の保護層によって被覆されて、外部環境から
の保護がなされ、さらにその上にシールド層が形成され
て、このハイブリッドICから出る電磁波の外部への影
響及び外部からハイブリッドICへの影響を遮断するよ
うになっている。
ト配線基板上に実装して用いられ、その電子部品素子は
絶縁性樹脂の保護層によって被覆されて、外部環境から
の保護がなされ、さらにその上にシールド層が形成され
て、このハイブリッドICから出る電磁波の外部への影
響及び外部からハイブリッドICへの影響を遮断するよ
うになっている。
【0003】そのシールド層の形成には、金属ケースの
外装を設ける手段と、実開昭61−75192号公報等
に示される導電性物質を塗布する手段とがある。前者は
形状が大型となり高値である。一方、後者はハイブリッ
ドIC全体を小型化し得るとともに製作コストも安価で
あるという利点がある。
外装を設ける手段と、実開昭61−75192号公報等
に示される導電性物質を塗布する手段とがある。前者は
形状が大型となり高値である。一方、後者はハイブリッ
ドIC全体を小型化し得るとともに製作コストも安価で
あるという利点がある。
【0004】しかしながら、上記導電性物質には通常導
電性塗料が使用されるが、従来では銅箔との高い密着性
を維持しつつ十分な導電性を持つなどのシールド効果を
十分に得ることができるものが提案されていないのが実
情である。
電性塗料が使用されるが、従来では銅箔との高い密着性
を維持しつつ十分な導電性を持つなどのシールド効果を
十分に得ることができるものが提案されていないのが実
情である。
【0005】この発明は、上記実情に鑑み、シールド層
を銅箔との密着性を維持しつつ十分な導電性があるもの
とすることを課題とする。
を銅箔との密着性を維持しつつ十分な導電性があるもの
とすることを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明にあっては、基板上に電子部品素子を搭
載し、その上を絶縁性樹脂の保護層で被覆するととも
に、所要数のリード端子をその保護層から突出させ、前
記保護層上に、下記(A)乃至(D)の配合から成る導
電塗料のシールド層を形成し、そのシールド層は前記リ
ード端子のうちのグランドリード端子のみに電気的に接
続した構成としたのである。
めに、この発明にあっては、基板上に電子部品素子を搭
載し、その上を絶縁性樹脂の保護層で被覆するととも
に、所要数のリード端子をその保護層から突出させ、前
記保護層上に、下記(A)乃至(D)の配合から成る導
電塗料のシールド層を形成し、そのシールド層は前記リ
ード端子のうちのグランドリード端子のみに電気的に接
続した構成としたのである。
【0007】記 (A)0.05〜0.5重量部のチタネート、ジルコネ
ート、ステアリン酸、ステアリン酸塩、又はそれらの混
合物により表面被覆した、金属銅粉100重量部 (B)レゾール型フェノール樹脂5〜33重量部 (C)キレート層形成剤0.5〜8重量部 (D)カップリング剤 0.1〜2重量部
。
ート、ステアリン酸、ステアリン酸塩、又はそれらの混
合物により表面被覆した、金属銅粉100重量部 (B)レゾール型フェノール樹脂5〜33重量部 (C)キレート層形成剤0.5〜8重量部 (D)カップリング剤 0.1〜2重量部
。
【0008】上記レゾール型フェノール樹脂は下記のも
のとするとよい。 記 2−1置換体、2,4−2置換体、2,4,6−3置換
体、メチロール基、ジメチレンエーテル、フェニル基の
各赤外線透過率をl,m,n,a,b,cとするとき、
各透過率の間に、 (イ)l/n=0.8〜1.2 (ロ)m/n=0.8〜1.2 (ハ)b/a=0.8〜1.2 (ニ)c/a=1.2〜1.5 なる関係が成り立つレゾール型フェノール樹脂。
のとするとよい。 記 2−1置換体、2,4−2置換体、2,4,6−3置換
体、メチロール基、ジメチレンエーテル、フェニル基の
各赤外線透過率をl,m,n,a,b,cとするとき、
各透過率の間に、 (イ)l/n=0.8〜1.2 (ロ)m/n=0.8〜1.2 (ハ)b/a=0.8〜1.2 (ニ)c/a=1.2〜1.5 なる関係が成り立つレゾール型フェノール樹脂。
【0009】上記保護層及びシールド層は、電子部品素
子を搭載した基板を絶縁性樹脂浴及び導電塗料浴に順次
浸漬するディップコーティングにより形成するとよい。
子を搭載した基板を絶縁性樹脂浴及び導電塗料浴に順次
浸漬するディップコーティングにより形成するとよい。
【0010】基板材料は、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ガラス繊維、セラミックスなどの絶縁材とする。
脂、ガラス繊維、セラミックスなどの絶縁材とする。
【0011】上記金属銅粉は、片状、樹枝状、球状、不
定形状などのいずれの形状であってもよい。粒径は10
0μm以下が好ましく、特に1〜30μmが好ましい。
粒径が1μm未満のものは酸化されやすく、得られる塗
膜(コーティング膜)の導電性が低下するので好ましく
ない。
定形状などのいずれの形状であってもよい。粒径は10
0μm以下が好ましく、特に1〜30μmが好ましい。
粒径が1μm未満のものは酸化されやすく、得られる塗
膜(コーティング膜)の導電性が低下するので好ましく
ない。
【0012】また、金属銅粉は、チタネート、ジルコネ
ート、ステアリン酸、ステアリン酸塩、又はそれらの混
合物(以下、分散性付与剤という)により表面被覆する
ことにより、樹脂混和物中への微細分散が促進され、こ
れにより導電塗料の品質の安定化および導電性の改良を
はかる。この分散性付与剤の添加量は、金属銅粉100
重量部に対して、0.05〜0.5重量部である。分散
性付与剤の添加量が0.05重量部未満のときは、塗膜
の導電性が低下し、0.5重量部を超えるときは、半田
耐熱性が好ましくない。分散性付与剤はそれ自体を単体
で添加してもよく、また、溶液として添加した後、溶剤
を除去してもよい。因みに、この表面処理をすれば、分
散剤の添加が不要となる。
ート、ステアリン酸、ステアリン酸塩、又はそれらの混
合物(以下、分散性付与剤という)により表面被覆する
ことにより、樹脂混和物中への微細分散が促進され、こ
れにより導電塗料の品質の安定化および導電性の改良を
はかる。この分散性付与剤の添加量は、金属銅粉100
重量部に対して、0.05〜0.5重量部である。分散
性付与剤の添加量が0.05重量部未満のときは、塗膜
の導電性が低下し、0.5重量部を超えるときは、半田
耐熱性が好ましくない。分散性付与剤はそれ自体を単体
で添加してもよく、また、溶液として添加した後、溶剤
を除去してもよい。因みに、この表面処理をすれば、分
散剤の添加が不要となる。
【0013】上記レゾール型フェノール樹脂は、その含
有量が5重量部未満では、金属銅粉が十分にバインドさ
れず、得られる塗膜が脆くなり、導電性も悪くなる。ま
た、33重量部をこえると、導電性が低下する。好まし
くは9〜20重量部とする。
有量が5重量部未満では、金属銅粉が十分にバインドさ
れず、得られる塗膜が脆くなり、導電性も悪くなる。ま
た、33重量部をこえると、導電性が低下する。好まし
くは9〜20重量部とする。
【0014】また、その化学量、2−1置換体量をλ、
2,4−2置換体量をμ、2,4,6−3置換体量を
ν、メチロール基量をα、ジメチレンエーテル量をβ、
フェニル基量をγとすると、前記構成のl/n、m/n
が大きいということは、λ/ν、μ/νが小さいという
ことになる。すなわち、2−1置換体量λ、2,4−2
置換体量μに比して、2,4,6−3置換体量νが多い
ということを意味する。また、前記構成のb/a、c/
aが大きいということは、β/α、λ/αが小さいとい
うことになる。すなわち、ジメチレンエーテル量β、フ
ェニル基量λに比して、メチロール基量αが多いという
ことを意味する。
2,4−2置換体量をμ、2,4,6−3置換体量を
ν、メチロール基量をα、ジメチレンエーテル量をβ、
フェニル基量をγとすると、前記構成のl/n、m/n
が大きいということは、λ/ν、μ/νが小さいという
ことになる。すなわち、2−1置換体量λ、2,4−2
置換体量μに比して、2,4,6−3置換体量νが多い
ということを意味する。また、前記構成のb/a、c/
aが大きいということは、β/α、λ/αが小さいとい
うことになる。すなわち、ジメチレンエーテル量β、フ
ェニル基量λに比して、メチロール基量αが多いという
ことを意味する。
【0015】一般に、2,4,6−3置換体量νが大き
くなると、レゾール型フェノール樹脂の架橋密度が大き
くなるため、前記λ/ν、μ/νが小さい方が、すなわ
ち、l/n、m/nが大きい方が塗膜の導電性は良くな
る。しかし、逆に塗膜が硬く、脆くなる傾向を示し、物
理的特性が悪くなる。また、γ/αが大きいと塗膜の導
電性が悪くなる。
くなると、レゾール型フェノール樹脂の架橋密度が大き
くなるため、前記λ/ν、μ/νが小さい方が、すなわ
ち、l/n、m/nが大きい方が塗膜の導電性は良くな
る。しかし、逆に塗膜が硬く、脆くなる傾向を示し、物
理的特性が悪くなる。また、γ/αが大きいと塗膜の導
電性が悪くなる。
【0016】従って、得られる導電塗料において、塗膜
の硬さを適切にし、良好な導電性とするレゾール型フェ
ノール樹脂としては、前記構成に示すl/n、m/n、
b/aがそれぞれ0.8〜1.2、c/aが1.2〜
1.5とするのが適している。
の硬さを適切にし、良好な導電性とするレゾール型フェ
ノール樹脂としては、前記構成に示すl/n、m/n、
b/aがそれぞれ0.8〜1.2、c/aが1.2〜
1.5とするのが適している。
【0017】キレート層形成剤は、モノエタノールアミ
ン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチ
レンジアミン、トリエチレンジアミン、トリエチレンテ
トラミンなどの脂肪族アミンから選ばれる少なくとも1
種である。キレート層形成剤は、金属銅粉の酸化を防止
し、導電性の維持に寄与する。その配合量は、金属銅粉
100重量部に対して0.5〜8重量部である。配合量
が0.5重量部未満であると、塗膜の導電性が低下し、
逆に8重量部を超えた場合にはそれ以上の効果は望めな
い。
ン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチ
レンジアミン、トリエチレンジアミン、トリエチレンテ
トラミンなどの脂肪族アミンから選ばれる少なくとも1
種である。キレート層形成剤は、金属銅粉の酸化を防止
し、導電性の維持に寄与する。その配合量は、金属銅粉
100重量部に対して0.5〜8重量部である。配合量
が0.5重量部未満であると、塗膜の導電性が低下し、
逆に8重量部を超えた場合にはそれ以上の効果は望めな
い。
【0018】カップリング剤は、金属銅粉のバインダー
中における分散性を向上させて導電性の向上に働き、シ
ランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコネ
ート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤
の中から選ばれる少なくとも1種である。その配合量
は、金属銅粉に対して0.1部〜2重量部である。0.
1重量部未満ではその効果は望めず、2重量部をこえる
と、それ以上の効果は望めない。
中における分散性を向上させて導電性の向上に働き、シ
ランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコネ
ート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤
の中から選ばれる少なくとも1種である。その配合量
は、金属銅粉に対して0.1部〜2重量部である。0.
1重量部未満ではその効果は望めず、2重量部をこえる
と、それ以上の効果は望めない。
【0019】なお、導電塗料には、粘度調整をするため
に、通常の有機溶剤を適宜使用することができる。例え
ば、セルソルブアセテート、カルビトール、ブチルカル
ビトール、ブチルセロソルブアセテートなどの公知の溶
剤である。
に、通常の有機溶剤を適宜使用することができる。例え
ば、セルソルブアセテート、カルビトール、ブチルカル
ビトール、ブチルセロソルブアセテートなどの公知の溶
剤である。
【0020】
【作用】このように構成するこの発明に係る導電塗料は
上述の記載から理解できるように、その塗膜は、密着性
の劣化を招くことなく、導電性の高いものとなる。
上述の記載から理解できるように、その塗膜は、密着性
の劣化を招くことなく、導電性の高いものとなる。
【0021】
【実施例】まず、導電塗料は、粒径5〜10μmの比表
面積0.4m2 /g以下、水素還元減量0.25%以下
の樹枝状金属銅粉100重量部を攪拌機に入れて、チタ
ネートを少量ずつ添加しながら攪拌して、チタネートを
金属銅粉の表面に被覆させた。しかるのち、その金属銅
粉に、キレート層形成剤のトリエタノールアミン、赤外
線透過率比(l/n:1.03、m/n:1.02、b
/a:0.96、c/a:1.31)のレゾール型フェ
ノール樹脂をそれぞれ表1に示す割合で配合し、溶剤と
してブチルセロソルブを加え、20分間3軸ロールで定
位置練りし、粘度がリオン社製の測定機VT−04によ
り20〜40Pとなるようにして、導電塗料浴を得た。
面積0.4m2 /g以下、水素還元減量0.25%以下
の樹枝状金属銅粉100重量部を攪拌機に入れて、チタ
ネートを少量ずつ添加しながら攪拌して、チタネートを
金属銅粉の表面に被覆させた。しかるのち、その金属銅
粉に、キレート層形成剤のトリエタノールアミン、赤外
線透過率比(l/n:1.03、m/n:1.02、b
/a:0.96、c/a:1.31)のレゾール型フェ
ノール樹脂をそれぞれ表1に示す割合で配合し、溶剤と
してブチルセロソルブを加え、20分間3軸ロールで定
位置練りし、粘度がリオン社製の測定機VT−04によ
り20〜40Pとなるようにして、導電塗料浴を得た。
【0022】ブチルセロソルブに代えて、ブチルカルビ
トール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルセロソ
ルブアセテート、メチルイソブチルケトン、トルエン、
キシレン等公知のものを使用することができる。
トール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルセロソ
ルブアセテート、メチルイソブチルケトン、トルエン、
キシレン等公知のものを使用することができる。
【0023】
【表1】
【0024】一方、図1に示すように、銅箔回路パター
ンを形成したエポキシ樹脂基板1上に、各種チップ部品
2、抵抗3等の電子部品素子を搭載又は印刷して設ける
とともに、その回路から所要数のリード端子4……、4
aを突出させる。
ンを形成したエポキシ樹脂基板1上に、各種チップ部品
2、抵抗3等の電子部品素子を搭載又は印刷して設ける
とともに、その回路から所要数のリード端子4……、4
aを突出させる。
【0025】その基板1を、グランドリード端子4aの
基部4a′に銅箔の導電材7を添わせてエポキシ樹脂浴
中に浸漬し、所要厚の保護層5を形成する。その浸漬の
際、各リード端子4……、4aの露出部(接続部)ま
で、すなわち、接続部を残して浸漬し、各リード端子4
……間が確実に樹脂で充填被覆されるようにする。これ
は、後述のシールド層6とリード端子4……を短絡させ
ないためである。
基部4a′に銅箔の導電材7を添わせてエポキシ樹脂浴
中に浸漬し、所要厚の保護層5を形成する。その浸漬の
際、各リード端子4……、4aの露出部(接続部)ま
で、すなわち、接続部を残して浸漬し、各リード端子4
……間が確実に樹脂で充填被覆されるようにする。これ
は、後述のシールド層6とリード端子4……を短絡させ
ないためである。
【0026】つづいて、導電材7の突出部分を保護層5
側(内側)に屈曲し、その状態の基板1を、前記導電塗
料浴に浸漬して、所要厚のシールド層6を形成する。そ
の浸漬深さはリード端子4、4a側の保護層5の縁に到
らないようにする。このとき、導電材7上にもシールド
層6が形成され、導電材7を介し、グランドリード端子
4aとシールド層6が電気的に接続される。
側(内側)に屈曲し、その状態の基板1を、前記導電塗
料浴に浸漬して、所要厚のシールド層6を形成する。そ
の浸漬深さはリード端子4、4a側の保護層5の縁に到
らないようにする。このとき、導電材7上にもシールド
層6が形成され、導電材7を介し、グランドリード端子
4aとシールド層6が電気的に接続される。
【0027】この実施例の導電塗料bが優れていること
はつぎの試験によって理解できる。
はつぎの試験によって理解できる。
【0028】すなわち、図2に示すように、ガラスエポ
キシ基板11上に銅箔電極10、10を形成して、その
上を前記保護層5と同一樹脂で被覆し、その上に、表1
の各導電塗料bを80メッシュのテトロンスクリーンを
用い印刷して、幅:5mm、長さ:60mmのパターンを形
成し、100℃で10分間予備乾燥後、160℃で30
分加熱して硬化させた。つぎに、電極10、10間の抵
抗値を4端子法により測定し、単位面積当りの抵抗値を
得た。その結果を表1下欄に示す。
キシ基板11上に銅箔電極10、10を形成して、その
上を前記保護層5と同一樹脂で被覆し、その上に、表1
の各導電塗料bを80メッシュのテトロンスクリーンを
用い印刷して、幅:5mm、長さ:60mmのパターンを形
成し、100℃で10分間予備乾燥後、160℃で30
分加熱して硬化させた。つぎに、電極10、10間の抵
抗値を4端子法により測定し、単位面積当りの抵抗値を
得た。その結果を表1下欄に示す。
【0029】また、グランドリード端子4と同種の金属
プレート上に80メッシュテトロンスクリーンを使用し
て表1の各導電塗料bを印刷し、100℃で10分間仮
乾燥後、160℃で30分加熱し、得られた塗膜をJI
S K5400の碁盤目テープ法により試験し、完全に
剥がれないで残った碁盤目数を目視により調べ、全ての
ます目が剥がれた場合0/100、全てのます目が残っ
た場合100/100として、密着性の評価を行い、結
果を表1下欄に示す。
プレート上に80メッシュテトロンスクリーンを使用し
て表1の各導電塗料bを印刷し、100℃で10分間仮
乾燥後、160℃で30分加熱し、得られた塗膜をJI
S K5400の碁盤目テープ法により試験し、完全に
剥がれないで残った碁盤目数を目視により調べ、全ての
ます目が剥がれた場合0/100、全てのます目が残っ
た場合100/100として、密着性の評価を行い、結
果を表1下欄に示す。
【0030】この結果から明らかなように、実施例1〜
4においては、本発明に係る導電塗料bが特定の配合で
適切に組み合わされており、密着性の劣化を招くことな
く高い導電性を得ている。
4においては、本発明に係る導電塗料bが特定の配合で
適切に組み合わされており、密着性の劣化を招くことな
く高い導電性を得ている。
【0031】これに対して、比較例1はレゾール型フェ
ノール樹脂が多すぎるため、又比較例2はキレート層形
成剤が少ないため、いずれも導電性が悪い。比較例3は
レゾール型フェノール樹脂が少ないため、密着性が悪
い。比較例4はカップリング剤を添加しなかったため、
導電性に問題がある。
ノール樹脂が多すぎるため、又比較例2はキレート層形
成剤が少ないため、いずれも導電性が悪い。比較例3は
レゾール型フェノール樹脂が少ないため、密着性が悪
い。比較例4はカップリング剤を添加しなかったため、
導電性に問題がある。
【0032】
【発明の効果】この発明は以上のように構成したので、
導電性及び密着性の優れたシールド層のハイブリッドI
Cを得ることができる。
導電性及び密着性の優れたシールド層のハイブリッドI
Cを得ることができる。
【図1】aは一実施例の正面図、bは同図のX−X線断
面図
面図
【図2】抵抗値試験片の斜視図
1 基板 2 チップ部品 3 抵抗 4 リード端子 4a グランドリード端子 5 保護層 6 シールド層 7 銅箔導電材 10 銅箔電極 11 ガラスエポキシ基板 b 導電塗料(塗膜)
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に電子部品素子を搭載し、その上
を絶縁性樹脂の保護層で被覆するとともに、所要数のリ
ード端子をその保護層から突出させ、前記保護層上に、
下記(A)乃至(D)の配合から成る導電塗料のシール
ド層を形成し、そのシールド層は前記リード端子のうち
のグランドリード端子のみに電気的に接続して成ること
を特徴とするハイブリッドIC。 記 (A)0.05〜0.5重量部のチタネート、ジルコネ
ート、ステアリン酸、ステアリン酸塩、又はそれらの混
合物により表面被覆した、金属銅粉100重量部(B)
レゾール型フェノール樹脂5〜33重量部 (C)キレート層形成剤0.5〜8重量部 (D)カップリング剤 0.1〜2重量部 - 【請求項2】 上記レゾール型フェノール樹脂を下記の
ものとしたことを特徴とする請求項1記載のハイブリッ
ドIC。 記 2−1置換体、2,4−2置換体、2,4,6−3置換
体、メチロール基、ジメチレンエーテル、フェニル基の
各赤外線透過率をl,m,n,a,b,cとするとき、
各透過率の間に、 (イ)l/n=0.8〜1.2 (ロ)m/n=0.8〜1.2 (ハ)b/a=0.8〜1.2 (ニ)c/a=1.2〜1.5 なる関係が成り立つレゾール型フェノール樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31193492A JPH06164185A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | ハイブリッドic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31193492A JPH06164185A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | ハイブリッドic |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164185A true JPH06164185A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18023196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31193492A Pending JPH06164185A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | ハイブリッドic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06164185A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932927A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-03 | Nec Corporation | High-frequency device package |
| JP2005279172A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Aloka Co Ltd | 超音波診断装置の送受信回路 |
| CN109791920A (zh) * | 2016-08-18 | 2019-05-21 | 原子能和替代能源委员会 | 以最佳密度连接交叉部件的方法 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP31193492A patent/JPH06164185A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932927A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-03 | Nec Corporation | High-frequency device package |
| JP2005279172A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Aloka Co Ltd | 超音波診断装置の送受信回路 |
| CN109791920A (zh) * | 2016-08-18 | 2019-05-21 | 原子能和替代能源委员会 | 以最佳密度连接交叉部件的方法 |
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