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JPH0615629B2 - Plasma processing method - Google Patents

Plasma processing method

Info

Publication number
JPH0615629B2
JPH0615629B2 JP9914386A JP9914386A JPH0615629B2 JP H0615629 B2 JPH0615629 B2 JP H0615629B2 JP 9914386 A JP9914386 A JP 9914386A JP 9914386 A JP9914386 A JP 9914386A JP H0615629 B2 JPH0615629 B2 JP H0615629B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
plasma processing
processed
electromagnetic wave
plasma gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP9914386A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62256841A (en
Inventor
啓二 福原
啓 林
宣隆 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mazda Motor Corp
Original Assignee
Mazda Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mazda Motor Corp filed Critical Mazda Motor Corp
Priority to JP9914386A priority Critical patent/JPH0615629B2/en
Publication of JPS62256841A publication Critical patent/JPS62256841A/en
Publication of JPH0615629B2 publication Critical patent/JPH0615629B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、プラズマ処理方法、特に被処理物に対する処
理の均一化を図ったプラズマ処理方法に関するものであ
る。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plasma processing method, and more particularly to a plasma processing method for achieving uniform processing on an object to be processed.

(従来の技術) PP(ポリプロピレン)、PE(ポリエチレン)等オレ
フィン系樹脂は、耐候性機械的強度、成形性等に比較的
すぐれ、価格的にも非常に安価であることから、日用品
のみならず自動車用部品にも増々採用が増える傾向に有
る。
(Prior Art) Olefin resins such as PP (polypropylene) and PE (polyethylene) are relatively excellent in weather resistance, mechanical strength, moldability, etc. There is a tendency for more and more automobile parts to be used.

反面、オレィン系樹脂は、高結晶,無極性という性格か
ら、表面活性に乏しく、塗装,印刷,接着等いわゆる二
次加工時に接着性が得られず、ネックとなっている。
On the other hand, the olein-based resin has high crystallinity and non-polarity, and thus has poor surface activity, and cannot provide adhesiveness during so-called secondary processing such as painting, printing and adhesion, which is a bottleneck.

これらに活性化を与える方策として、フレーム処理,紫
外線放射処理コロナ放電処理,ラジオ波,マイクロ波を
応用したプラズマ処理等が考えられている。
Flame treatment, ultraviolet radiation treatment, corona discharge treatment, plasma treatment using radio waves and microwaves, and the like are considered as measures to give activation to these.

自動車材料では、上記の物性,コストのバランスから、
特にポリプロピレンの採用が増加し、特にバンパは従来
のスチール,ウレタン等を大きく上回っている。しか
し、バンパもデザインの多様化,空力性能の向上の観点
から、ボディパネルの一部として考えられる様になり、
色も従来の樹脂色(黒が多い)からボディ色と同一に塗
装されることが多くなっている。
In automotive materials, from the balance of the above physical properties and costs,
In particular, the use of polypropylene has increased, and the bumpers in particular have far exceeded conventional steel and urethane. However, the bumper has come to be considered as a part of the body panel from the viewpoint of diversifying design and improving aerodynamic performance.
The color is often the same as the body color, instead of the conventional resin color (mostly black).

そこでバパに塗装を施す場合、一部で上記の改質法が用
いられているものの、大半はボディ色塗装を施すまで
に、塩素化オレフィン等の下塗を予め塗装しているのが
現状である。この下塗工程はバンパの様な大型部品にな
ると、塗装ブース,乾燥炉に大きな面積を必要とし、蒸
気,電力等の動力費は莫大で有り、また、有機溶剤を多
用する事からも、作業環境面で好ましくない。そこで上
記改質法のうちプラズマ処理法が、大型形成品への処理
安定性という観点から適用が検討されている。
Therefore, when applying the coating to Vapa, although the above-mentioned modification method is used in part, most of them are undercoated with a chlorinated olefin or the like before the body color is applied. . When this undercoating process becomes a large part such as a bumper, it requires a large area for a coating booth and a drying furnace, and the power cost of steam, electric power, etc. is enormous. It is not preferable in terms of aspect. Therefore, application of the plasma treatment method among the above-mentioned reforming methods has been studied from the viewpoint of treatment stability for large-sized products.

(発明が解決しようとする問題点) ところがこのプラズマ処理も、表面改質に寄与する酸
素,窒素等の励起されたガスを該成形品に均一に接触さ
せることが難しく、プラズマガスが接触しにくいコーナ
部等の処理が不十分となりやすく、塗料剥離等不具合の
原因ともなる。そこで処理時間を長くする等の対策を施
しているのが現状であるが、サイクルタイムの延長とな
り、生産上好ましくない。特にライン等に設置した場合
は他工程とのバランスがとれず、大きな問題となる。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、被処理物に対する処理の均一化を図ることのできる
プラズマ処理方法を提供しようとするものである。
(Problems to be solved by the invention) However, even in this plasma treatment, it is difficult to uniformly bring an excited gas such as oxygen or nitrogen, which contributes to surface modification, to the molded product, and it is difficult for the plasma gas to come into contact with the molded product. The processing at the corners and the like tends to be inadequate, causing problems such as paint peeling. Therefore, at present, measures such as lengthening the processing time are taken, but the cycle time is extended, which is not preferable for production. Especially when it is installed on a line, etc., it cannot be balanced with other processes, which is a big problem.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a plasma processing method capable of achieving uniform processing on an object to be processed.

(問題点を解決するための手段) 本発明におけるプラズマ処理方法は、プラズマガスを生
成する電磁波発振器の出力調整により処理の均一化を図
るようにしたものである。すなわち、複数の導入口にそ
れぞれ設けられた電磁波発振器により生成されたプラズ
マガスを、前記複数の導入口から導入して、これら各導
入口に対応した複数の排出口に向けてプラズマ処理室内
を流下させることにより、該プラズマ処理室内の被処理
物にプラズマ処理を施す方法であって前記複数の電磁波
発振器のうち、前記被処理物の被処理面のうちプラズマ
ガスの流下方向に沿った表面を多く有する被処理面部分
を処理するプラズマガスが導入される導入口に設けらた
電磁波発振器の出力を、他の電磁波発振器の出力よりも
高く設定したことを特徴とするものである。
(Means for Solving Problems) The plasma processing method according to the present invention is intended to make the processing uniform by adjusting the output of an electromagnetic wave oscillator that generates plasma gas. That is, a plasma gas generated by an electromagnetic wave oscillator provided in each of the plurality of inlets is introduced from the plurality of inlets and flows down into the plasma processing chamber toward a plurality of outlets corresponding to each of the inlets. By performing the plasma treatment on the object to be processed in the plasma processing chamber, a plurality of surfaces of the surface to be processed of the plurality of electromagnetic wave oscillators along the flow-down direction of the plasma gas are increased. It is characterized in that the output of the electromagnetic wave oscillator provided at the inlet for introducing the plasma gas for processing the surface to be processed is set to be higher than the output of other electromagnetic wave oscillators.

(作 用) 上記構成により、プラズマガスが接触しにくい被処理面
部分を処理するプラズマガスが濃度が相対的に高くなる
ため、被処理面各部における単位面積当りの処理ガス量
が均一化され、被処理面全体に均一なプラズマ処理が施
されることとなる。
(Operation) With the above configuration, the concentration of the plasma gas for treating the surface to be treated, which is less likely to come into contact with the plasma gas, is relatively high, so that the amount of treatment gas per unit area in each portion of the surface to be treated is made uniform, A uniform plasma treatment is applied to the entire surface to be treated.

(発明の効果) したがって本発明によれば、被処理物が複雑な被処理面
形状を有するものであっても、均一なプラズマ処理を施
すことが可能となり、処理時間が短縮されるため、サイ
クルタイムを短くすることができ、他工程との同期化を
図ることも可能となり、ライン化が容易となる。また、
後工程で塗装処理を施した場合には、均質な塗膜を形成
させることが可能となる。
(Effect of the invention) Therefore, according to the present invention, even if the object to be processed has a complicated surface shape to be processed, uniform plasma processing can be performed, and the processing time is shortened. The time can be shortened, synchronization with other processes can be achieved, and line production becomes easy. Also,
When a coating process is applied in a later step, it becomes possible to form a uniform coating film.

(実施例) 以下添付図面を参照して本発明の一実施例について詳述
する。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

第1図は、本実施例によるプラズマ処理方法に使用する
プラズマ処理装置を示す側断面図である。
FIG. 1 is a side sectional view showing a plasma processing apparatus used in the plasma processing method according to this embodiment.

プラズマ処理室1は、円筒チャンバ2と、その両端部に
開閉自在に設けられた入口側扉3および出口側扉4から
構成されていて、プラズマ処理室1内には、被処理物た
るワーク5がネットコンベヤ6に載置されている。円筒
チャンバ2の上端部には、円筒チャンバ2の長手方向に
沿って3基のプラズマ発生炉7が所定間隔を置いて配設
されている。各プラズマ発生炉7は、プラズマ処理室1
内にプラズマガスを導入する導入口たるシャワー管8,
スリースタブチューナ9および電磁波発振器10を備えて
なり、処理ガス供給源11から導入側流量調整弁12を通し
て供給される酸素等のガスをプラズマ化してシャワー管
8からプラズマ処理室1内に導入するようになってい
る。
The plasma processing chamber 1 is composed of a cylindrical chamber 2 and an inlet-side door 3 and an outlet-side door 4 which are openably and closably provided at both ends thereof. Are placed on the net conveyor 6. At the upper end of the cylindrical chamber 2, three plasma generation furnaces 7 are arranged at predetermined intervals along the longitudinal direction of the cylindrical chamber 2. Each plasma generation furnace 7 has a plasma processing chamber 1
Shower tube 8, which is an inlet for introducing plasma gas into the inside,
A stab tuner 9 and an electromagnetic wave oscillator 10 are provided so that a gas such as oxygen supplied from the processing gas supply source 11 through the introduction side flow rate adjusting valve 12 is turned into plasma and introduced into the plasma processing chamber 1 from the shower tube 8. It has become.

円筒チャンバ2の下端部には、上記プラズマ発生炉7の
各シャワー管8と対応して3箇所に排出口13が形成され
ている。これを各排出口13は、それぞれ各排出側流量調
整弁14を介してメカニカルブースタポンプ15およびロー
タリポンプ16に連通していて、メカニカルブースタポン
プ15にはバイパス弁17が介在するバイパス流路が併設さ
れている。
At the lower end of the cylindrical chamber 2, discharge ports 13 are formed at three locations corresponding to the shower tubes 8 of the plasma generation furnace 7. Each discharge port 13 communicates with the mechanical booster pump 15 and the rotary pump 16 via each discharge side flow rate adjusting valve 14, and the mechanical booster pump 15 is provided with a bypass flow passage in which a bypass valve 17 is interposed. Has been done.

プラズマ処理をワーク5に施す際には、プラズマ処理室
1内は0.5Torr程度まで減圧されるが、20Torr程度にな
るまではバイパス弁17が開放されてロータリポンプ16の
みにより排気がなされ、それ以上の減圧は、バイパス弁
17を閉じてメカニカルブースタポンプ15およびロータリ
ポンプ16を直結し、これら双方により行うことになって
いる。このときプラズマ処理室1内の気密性を維持する
ため、円筒チャンバ2と入口側扉3および出口側扉4と
の間には、それぞれシリコンゴムシール18が介装されて
いる。
When the plasma processing is performed on the work 5, the pressure inside the plasma processing chamber 1 is reduced to about 0.5 Torr, but the bypass valve 17 is opened and exhausted only by the rotary pump 16 until it reaches about 20 Torr. The decompression of the bypass valve
The mechanical booster pump 15 and the rotary pump 16 are directly connected to each other by closing 17 and both of them are to be used. At this time, in order to maintain the airtightness inside the plasma processing chamber 1, silicon rubber seals 18 are respectively interposed between the cylindrical chamber 2 and the inlet side door 3 and the outlet side door 4.

プラズマ処理室1内が所定の真空度まで減圧されると、
各プラズマ発生路7で電磁波発振器10により生成された
プラズマガスが、各シャパー管8からプラズマ室1内に
導入され、プラズマ室1内を各排出口13に向かって流下
し、その際ワーク5に対するプラズマ処理がなされる。
このとき、各シャワー管8から導入されたプラズマガス
は、それぞれ最も流れやすい方向に流れて各排出口13か
ら排出されることとなる。
When the inside of the plasma processing chamber 1 is depressurized to a predetermined degree of vacuum,
The plasma gas generated by the electromagnetic wave oscillator 10 in each plasma generation path 7 is introduced into the plasma chamber 1 from each chaper pipe 8 and flows down in the plasma chamber 1 toward each discharge port 13, and at that time to the work 5. Plasma treatment is performed.
At this time, the plasma gas introduced from each shower tube 8 flows in the direction in which it flows most easily and is discharged from each discharge port 13.

したがって、被処理物が第1図に示すようなバンパ形状
をしたワーク5であるときには、ワーク5の被処理面の
うち、上面部5aのようにシャワー管8から排出口13への
プラズマガス流下方向に対して略直交する表面を有する
被処理面部分は、プラズマガス処理がされやすく処理時
間が短くて済むが、一方、左右の側面部5bのように、プ
ラズマガスの流下方向に沿った表面を多く有する被処理
面部分は短時間ではプラズマ処理がされにくい。このた
め、ワーク5の被処理面全体をプラズマ処理するには長
時間を要することとなる。
Therefore, when the object to be processed is the work 5 having the bumper shape as shown in FIG. 1, the plasma gas flows from the shower tube 8 to the discharge port 13 like the upper surface 5a of the surface to be processed of the work 5. The surface portion to be processed having a surface substantially orthogonal to the direction is easily subjected to plasma gas processing, and the processing time is short, however, like the side surface portions 5b on the left and right, the surface along the flow direction of the plasma gas. It is difficult to perform plasma treatment on the surface portion having many defects in a short time. Therefore, it takes a long time to perform plasma processing on the entire surface to be processed of the work 5.

そこで、本実施例によるプラズマ処理方法は、プラズマ
処理室1内におけるプラズマガスの濃度分布を被処理物
の形状に応じて調整するようにしたものである。具体的
には、3基のプラズマガス発生炉7の各電磁波発振器10
相互間における出力を調整することにより、各シャワー
管8からのプラズマガス排出量の調整がなされ、これに
よりプラズマ処理室1内におけるプラズマガスの濃度分
布の調整がなされる。例えば、第1図に示すような形状
のワーク5に対しては、3基のプラズマガス発生炉7の
電磁波発振器10のうち、中央の発生炉7の電磁波発振器
10の出力に対して、左右両側の発生炉7の電磁波発振器
10の出力を高く設定することにより、ワーク5の被処理
面のうち、プラズマガスの流下方向に沿った表面を多く
有する左右の側面部5bを処理するプラズマガスの濃度を
相対的に高くし、これにより被処理面各部におけるプラ
ズマ処理の均一化を図ることができる。
Therefore, in the plasma processing method according to the present embodiment, the concentration distribution of the plasma gas in the plasma processing chamber 1 is adjusted according to the shape of the object to be processed. Specifically, each electromagnetic wave oscillator 10 of the three plasma gas generating furnaces 7
The discharge amount of plasma gas from each shower tube 8 is adjusted by adjusting the mutual output, and thereby the concentration distribution of plasma gas in the plasma processing chamber 1 is adjusted. For example, for the work 5 having the shape as shown in FIG. 1, among the electromagnetic wave oscillators 10 of the three plasma gas generating furnaces 7, the electromagnetic wave oscillator of the central generating furnace 7 is used.
For the output of 10, the electromagnetic wave oscillators of the generator 7 on both the left and right sides
By setting the output of 10 to be high, the concentration of the plasma gas for processing the left and right side surfaces 5b having many surfaces along the flow direction of the plasma gas among the processed surfaces of the work 5 is relatively high, As a result, it is possible to make the plasma processing uniform in each part of the surface to be processed.

被処理物がバンパ形状をしていても、側面部の長さが短
く、ワーク5の側面部5bのようにプラズマガスの流下方
向に沿って表面を多く有するものでなければ、各プラズ
マ発生炉7の電磁波発振器10の出力を同一に設定するよ
うにしてもよい。
Even if the object to be processed has a bumper shape, the length of the side surface portion is short, and unless the surface side surface portion 5b of the work 5 has a large number of surfaces along the flowing direction of the plasma gas, each plasma generation furnace The outputs of the electromagnetic wave oscillator 10 of 7 may be set to be the same.

第2図は、ワーク5に対するプラズマ処理の均一化を図
るために、3基のを調整する制御機構を示す図である。
FIG. 2 is a view showing a control mechanism for adjusting the three units in order to make the plasma treatment of the work 5 uniform.

ワーク5は、コンベヤ19からネットコンヤ6を経てコン
ベヤ20へ移送され、ネットコンベヤ6に載置された状態
で上記プラズマ処理がなされるわけであるが、処理前の
ステーション、すなわちコンベヤ19に載置された状態に
おいて、ワーク形状認識手段(CCD)21により予めワ
ーク5の被処理面の形状が認識されるようになってい
る。このワーク形状認識手段21からの出力信号に基づい
てCPU22により各電磁波発振器10の出力の設定がなさ
れることとなる。
The work 5 is transferred from the conveyor 19 to the conveyor 20 via the net conveyor 6 and is subjected to the above plasma treatment while being placed on the net conveyor 6, but is placed on the station before the treatment, that is, the conveyor 19. In this state, the work shape recognition means (CCD) 21 previously recognizes the shape of the surface to be processed of the work 5. Based on the output signal from the work shape recognition means 21, the CPU 22 sets the output of each electromagnetic wave oscillator 10.

上記のような制御機構を設けることにより、プラズマ処
理の自動化、ライン化が可能となり、また多種類のワー
クを同一ライン上で処理することが可能となり、しかも
他工程との同期化も容易となる。
By providing the control mechanism as described above, it is possible to automate and process plasma processing, and it is possible to process many kinds of works on the same line, and it is easy to synchronize with other processes. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明によるプラズマ処理方法に使用されるプ
ラズマ処理装置の一例を示す側断面図、 第2図は該プラズマ処理方法においてプラズマガスの濃
度調整を行うための出力制御機構を示す図である。 1……プラズマ処理室 5……ワーク 7……プラズマ発生炉 8……シャワー管 10……電磁波発振器 13……排出口
FIG. 1 is a side sectional view showing an example of a plasma processing apparatus used in a plasma processing method according to the present invention, and FIG. 2 is a view showing an output control mechanism for adjusting the concentration of plasma gas in the plasma processing method. is there. 1 ... Plasma processing chamber 5 ... Work 7 ... Plasma generation furnace 8 ... Shower tube 10 ... Electromagnetic wave oscillator 13 ... Discharge port

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の導入口にそれぞれ設けられた電磁波
発振器により生成されたプラズマガスを、前記複数の導
入口から導入して、これら各導入口に対応した複数の排
出口に向けてプラズマ処理室内を流下させることによ
り、該プラズマ処理室内の被処理物にプラズマ処理を施
す方法であって、 前記複数の電磁波発振器のうち、前記被処理物の被処理
面のうちプラズマガスの流下方向に沿った表面を多く有
する被処理面部分を処理するプラズマガスが導入される
導入口に設けられた電磁波発振器の出力を、他の電磁波
発振器の出力よりも高く設定したことを特徴とするプラ
ズマ処理方法。
1. Plasma treatment is performed by introducing a plasma gas generated by an electromagnetic wave oscillator provided in each of the plurality of inlets from the plurality of inlets and toward a plurality of outlets corresponding to each of the inlets. A method of subjecting an object to be processed in the plasma processing chamber to plasma processing by flowing down the inside of the chamber, wherein the plurality of electromagnetic wave oscillators are arranged along a flow direction of a plasma gas on a surface to be processed of the object to be processed. A plasma processing method characterized in that the output of an electromagnetic wave oscillator provided at an inlet for introducing a plasma gas for processing a surface to be processed having a large number of surfaces is set to be higher than the outputs of other electromagnetic wave oscillators.
JP9914386A 1986-04-28 1986-04-28 Plasma processing method Expired - Lifetime JPH0615629B2 (en)

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