JPH06132276A - 半導体膜形成方法 - Google Patents
半導体膜形成方法Info
- Publication number
- JPH06132276A JPH06132276A JP4284350A JP28435092A JPH06132276A JP H06132276 A JPH06132276 A JP H06132276A JP 4284350 A JP4284350 A JP 4284350A JP 28435092 A JP28435092 A JP 28435092A JP H06132276 A JPH06132276 A JP H06132276A
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- JP
- Japan
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- sih
- film
- semiconductor film
- forming
- good
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- Withdrawn
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Classifications
-
- H10P14/69215—
-
- H10P14/6334—
-
- H10P14/6687—
-
- H10P14/6689—
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アスペクト比の高い表面にも、良好な平坦性を
持ちかつ、膜質が良い酸化膜を形成することが可能な半
導体膜形成方法の提供。 【構成】一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （但し、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−，ＣＨ3 −，
Ｃ2 Ｈ5 −，Ｃ3 Ｈ7 −，Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかであ
り、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜４
の整数である）で表わされる有機シラン化合物と酸素を
含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法に
より酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形
成方法。
持ちかつ、膜質が良い酸化膜を形成することが可能な半
導体膜形成方法の提供。 【構成】一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （但し、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−，ＣＨ3 −，
Ｃ2 Ｈ5 −，Ｃ3 Ｈ7 −，Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかであ
り、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜４
の整数である）で表わされる有機シラン化合物と酸素を
含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法に
より酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形
成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の薄膜形成方
法に関するものであり、特に高アスペクト比の段差への
埋め込みと平坦化が可能な層間絶縁膜の製造方法に関す
るものである。
法に関するものであり、特に高アスペクト比の段差への
埋め込みと平坦化が可能な層間絶縁膜の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、デバイスの高集積化、微細化の進
展に伴い、配線の多層化が進んでいる。このような多層
配線構造においては、デバイス表面の高アスペクト比化
が進むため、層間絶縁膜の平坦性が悪化する。しかし、
デバイス作成の観点においてはより高い平坦度が要求さ
れている。
展に伴い、配線の多層化が進んでいる。このような多層
配線構造においては、デバイス表面の高アスペクト比化
が進むため、層間絶縁膜の平坦性が悪化する。しかし、
デバイス作成の観点においてはより高い平坦度が要求さ
れている。
【０００３】従来、絶縁膜形成技術として、シラン−酸
素系常圧ＣＶＤ法が用いられるが、この方法では、オー
バハングのできやすいノンコンフォーマルなステップカ
バレッジを示すため、高アスペクト比の形状には使用で
きず、平坦度も良好とは言えない。
素系常圧ＣＶＤ法が用いられるが、この方法では、オー
バハングのできやすいノンコンフォーマルなステップカ
バレッジを示すため、高アスペクト比の形状には使用で
きず、平坦度も良好とは言えない。
【０００４】これを解決する方法として、無機もしくは
有機ＳＯＧによる塗布法、スパッタエッチ時のファセッ
ティング効果を利用したバイアスＥＣＲ法、犠牲膜を前
面プラズマエッチするエッチバック法等考えられている
が、絶縁膜の膜質、パターン依存性、工程の複雑さ、プ
ラズマによるダメージなどの問題がある。
有機ＳＯＧによる塗布法、スパッタエッチ時のファセッ
ティング効果を利用したバイアスＥＣＲ法、犠牲膜を前
面プラズマエッチするエッチバック法等考えられている
が、絶縁膜の膜質、パターン依存性、工程の複雑さ、プ
ラズマによるダメージなどの問題がある。
【０００５】この平坦性の問題を解決するための手段と
して、特開昭６１−７７６９５号に示されているごとく
有機シラン（ＴＥＯＳ，テトラエトキシシラン）とオゾ
ンを反応させる方法が開発されてきた。この方法によれ
ば、表面反応主体のプロセスであるため反応種が基体表
面を十分マイグレーションし、結果として良好なステッ
プカバレッジを示す。
して、特開昭６１−７７６９５号に示されているごとく
有機シラン（ＴＥＯＳ，テトラエトキシシラン）とオゾ
ンを反応させる方法が開発されてきた。この方法によれ
ば、表面反応主体のプロセスであるため反応種が基体表
面を十分マイグレーションし、結果として良好なステッ
プカバレッジを示す。
【０００６】オゾンとＴＥＯＳを用いる反応はステップ
カバレッジは良いものの、成膜温度が４００℃程度の低
温反応のため膜がポーラスである、また、膜中にＳｉ−
ＯＨ結合が存在する等の欠点がある。これらが水分の吸
収や、ガスの発生による断線不良を引き起こす原因とな
る。また、この反応で形成する酸化膜の膜質はオゾン濃
度に影響を受けるが、肝心なオゾン濃度のコントロール
が困難なため、良好な膜質が得られないという問題もあ
る。
カバレッジは良いものの、成膜温度が４００℃程度の低
温反応のため膜がポーラスである、また、膜中にＳｉ−
ＯＨ結合が存在する等の欠点がある。これらが水分の吸
収や、ガスの発生による断線不良を引き起こす原因とな
る。また、この反応で形成する酸化膜の膜質はオゾン濃
度に影響を受けるが、肝心なオゾン濃度のコントロール
が困難なため、良好な膜質が得られないという問題もあ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、多層
配線形成プロセスにおける絶縁膜の平坦化には多くの障
害が存在し、将来有望であると思われるオゾン−ＴＥＯ
ＳＣＶＤ法においても、膜質が良好でなく、オゾンの取
扱が困難である等の問題点が指摘されている。
配線形成プロセスにおける絶縁膜の平坦化には多くの障
害が存在し、将来有望であると思われるオゾン−ＴＥＯ
ＳＣＶＤ法においても、膜質が良好でなく、オゾンの取
扱が困難である等の問題点が指摘されている。
【０００８】本発明の目的は上記問題点を解決して、ア
スペクト比の高い表面にも、良好な平坦性を持ちかつ、
膜質が良い酸化膜を形成することが可能な半導体膜形成
方法を提供することにある。
スペクト比の高い表面にも、良好な平坦性を持ちかつ、
膜質が良い酸化膜を形成することが可能な半導体膜形成
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記オゾン−ＴＥＯＳＣ
ＶＤ法の問題点は成膜温度が低い点とオゾン濃度のコン
トロールが難しい点である。これは原料にＴＥＯＳを使
用する以上回避不可能の問題と考えられる。なぜなら、
ＴＥＯＳ自体の分解温度が約７００℃と高く、オゾンの
ように反応性の高い化学種でないと低温で反応しないた
めである。低温化のためにプラズマを使用する方法も考
えられているが、プラズマダメージ、ステップカバレッ
ジが悪化する等の問題が発生する。
ＶＤ法の問題点は成膜温度が低い点とオゾン濃度のコン
トロールが難しい点である。これは原料にＴＥＯＳを使
用する以上回避不可能の問題と考えられる。なぜなら、
ＴＥＯＳ自体の分解温度が約７００℃と高く、オゾンの
ように反応性の高い化学種でないと低温で反応しないた
めである。低温化のためにプラズマを使用する方法も考
えられているが、プラズマダメージ、ステップカバレッ
ジが悪化する等の問題が発生する。
【００１０】このような問題を解決するために、本発明
者らが鋭意努力の結果、オゾンのような取扱の難しい化
学種を用いずに、酸素を使用し、やはり低温で酸化膜を
合成することのできる原料ガスを発見した。このガスを
ＴＥＯＳの代わりに用いることにより、アスペクト比の
高い表面にも、良好な平坦性を持ちかつ、膜質が良い酸
化膜を形成することが可能になった。
者らが鋭意努力の結果、オゾンのような取扱の難しい化
学種を用いずに、酸素を使用し、やはり低温で酸化膜を
合成することのできる原料ガスを発見した。このガスを
ＴＥＯＳの代わりに用いることにより、アスペクト比の
高い表面にも、良好な平坦性を持ちかつ、膜質が良い酸
化膜を形成することが可能になった。
【００１１】即ち、本発明は、 一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （但し、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−，ＣＨ3 −，
Ｃ2 Ｈ5 −，Ｃ3 Ｈ7 −，Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかであ
り、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜４
の整数である）で表わされる有機シラン化合物と酸素を
含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法に
より酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形
成方法を提供するものである。
Ｃ2 Ｈ5 −，Ｃ3 Ｈ7 −，Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかであ
り、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜４
の整数である）で表わされる有機シラン化合物と酸素を
含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法に
より酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形
成方法を提供するものである。
【００１２】ここで、有機シラン化合物を２種類以上組
み合わせて用いるのが好ましい。
み合わせて用いるのが好ましい。
【００１３】また、有機シラン化合物としては、トリス
ジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ） 2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビ
スジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）2 Ｓｉ
Ｈ2 、ジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ
3 、トリスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）
3 ＳｉＨ、ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2
Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）
2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリスジプロピルアミノシラン（（Ｃ
3 Ｈ7 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジプロピルアミノシラン
（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジプロピルアミノシ
ラン（（Ｃ3 Ｈ7 ） 2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリスジイソブチ
ルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジ
イソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ
2 、ジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）Ｓ
ｉＨ3 を用いるのが好適である。
ジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ） 2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビ
スジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）2 Ｓｉ
Ｈ2 、ジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ
3 、トリスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）
3 ＳｉＨ、ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2
Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）
2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリスジプロピルアミノシラン（（Ｃ
3 Ｈ7 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジプロピルアミノシラン
（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジプロピルアミノシ
ラン（（Ｃ3 Ｈ7 ） 2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリスジイソブチ
ルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジ
イソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ
2 、ジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）Ｓ
ｉＨ3 を用いるのが好適である。
【００１４】
【発明の作用】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の半導体膜形成法によれば、本原料ガスと酸素を
含む分子を用いることにより、低温合成が可能で、しか
も、オゾンの場合と異なり反応が容易に制御できるた
め、良好な膜質を持つ酸化膜が形成できる。さらに、有
機材料の流動性からステップカバレッジも良好なものが
得られる。
本発明の半導体膜形成法によれば、本原料ガスと酸素を
含む分子を用いることにより、低温合成が可能で、しか
も、オゾンの場合と異なり反応が容易に制御できるた
め、良好な膜質を持つ酸化膜が形成できる。さらに、有
機材料の流動性からステップカバレッジも良好なものが
得られる。
【００１５】本発明の半導体膜形成方法においては、原
料として有機シラン化合物と含酸素化合物を用い、これ
らを原料ガスとして化学気相成長法により酸化珪素膜を
形成する。
料として有機シラン化合物と含酸素化合物を用い、これ
らを原料ガスとして化学気相成長法により酸化珪素膜を
形成する。
【００１６】本発明においては、有機シラン化合物とし
ては、一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （但し、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−，ＣＨ3 −，
Ｃ2 Ｈ5 −，Ｃ3 Ｈ7 −，Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかであ
り、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜４
の整数である）で表される有機化合物を少なくとも１種
用いる。
ては、一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （但し、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−，ＣＨ3 −，
Ｃ2 Ｈ5 −，Ｃ3 Ｈ7 −，Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかであ
り、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜４
の整数である）で表される有機化合物を少なくとも１種
用いる。
【００１７】また、酸素含有化合物としては、酸素のほ
か、Ｎ2 Ｏなどの系に悪影響を与えない酸素含有化合物
であれば、何を用いてもよい。
か、Ｎ2 Ｏなどの系に悪影響を与えない酸素含有化合物
であれば、何を用いてもよい。
【００１８】上記有機シラン化合物としては、有機シラ
ン化合物が、トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）
2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジメチルアミノシラン（（Ｃ
Ｈ3 ）2Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，ジメチルアミノシラン（（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 ，トリスジエチルアミノシラン
（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジエチルアミノシ
ラン（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，ジエチルアミノシ
ラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 ，トリスジプロピル
アミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジプ
ロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，
ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）Ｓｉ
Ｈ3 ，トリスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ 9 ）
2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ
4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，ジイソブチルアミノシラン
（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 を用いるのが好ましい。
ン化合物が、トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）
2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジメチルアミノシラン（（Ｃ
Ｈ3 ）2Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，ジメチルアミノシラン（（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 ，トリスジエチルアミノシラン
（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジエチルアミノシ
ラン（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，ジエチルアミノシ
ラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 ，トリスジプロピル
アミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジプ
ロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，
ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）Ｓｉ
Ｈ3 ，トリスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ 9 ）
2 Ｎ）3 ＳｉＨ，ビスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ
4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 ，ジイソブチルアミノシラン
（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 を用いるのが好ましい。
【００１９】本発明の方法を実施する際にしては、図１
に模式的に示す装置を用いるのが好適である。同図にお
いて、１は原料ガス、２は基板、３はヒータ、４はオイ
ルバス、５は成膜室、６はノズル、７は排気ポンプ、８
はストップバルブ、９はガスラインである。
に模式的に示す装置を用いるのが好適である。同図にお
いて、１は原料ガス、２は基板、３はヒータ、４はオイ
ルバス、５は成膜室、６はノズル、７は排気ポンプ、８
はストップバルブ、９はガスラインである。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００２１】（実施例１）本実施例においては、図１に
示す装置を用いて成膜を行った。原料ガスとしてはトリ
スジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨと
酸素を用いた。実験条件は基板としてステップカバレッ
ジ測定用のＡｌの配線パターン付のＳｉウエハと赤外吸
収スペクトルを測定するためのペアＳｉウエハを用い、
基板温度４００℃、動作圧力１００ｔｏｒｒ、原料ガス
はオイルバスにて７０℃に加熱され、窒素ガス１０ｓｃ
ｃｍによりバブリングされ成膜室に導入した。また、酸
素は５ｓｃｃｍ、バッファガスとして窒素を１００ｓｃ
ｃｍ流した。この条件で成膜した膜の赤外吸収スペクト
ルを図２に示す。この図より、この膜が良質なＳｉＯ 2
膜であることが判る。また、ステップカバレッジも良好
であった。なお、ここでは酸素を含む化合物として酸素
分子を用いたが、もちろん、酸素を含む化合物（例えば
Ｎ2 Ｏなど）であれば使用できる。
示す装置を用いて成膜を行った。原料ガスとしてはトリ
スジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨと
酸素を用いた。実験条件は基板としてステップカバレッ
ジ測定用のＡｌの配線パターン付のＳｉウエハと赤外吸
収スペクトルを測定するためのペアＳｉウエハを用い、
基板温度４００℃、動作圧力１００ｔｏｒｒ、原料ガス
はオイルバスにて７０℃に加熱され、窒素ガス１０ｓｃ
ｃｍによりバブリングされ成膜室に導入した。また、酸
素は５ｓｃｃｍ、バッファガスとして窒素を１００ｓｃ
ｃｍ流した。この条件で成膜した膜の赤外吸収スペクト
ルを図２に示す。この図より、この膜が良質なＳｉＯ 2
膜であることが判る。また、ステップカバレッジも良好
であった。なお、ここでは酸素を含む化合物として酸素
分子を用いたが、もちろん、酸素を含む化合物（例えば
Ｎ2 Ｏなど）であれば使用できる。
【００２２】（実施例２）本実施例においても、図１に
示す装置を用いて成膜を行った。原料ガスとしてはトリ
スジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨと
ビスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ
2 を１：１で混合したものと酸素を用いた。実験条件は
基板としてステップカバレッジ測定用のＡｌの配線パタ
ーン付きのＳｉウエハと赤外吸収スペクトルを測定する
ためのベアＳｉウエハを用い、動作圧力１００ｔｏｒ
ｒ、原料ガスはオイルバスにて７０℃に加熱され、窒素
ガス１０ｓｃｃｍによりバブリングされ成膜室に導入し
た。また、酸素は５ｓｃｃｍ、バッファガスとして窒素
を１００ｓｃｃｍ流した。この条件で成膜した膜の場
合、実施例１と同等の膜質を得るための基板温度は３５
０℃で良いことが判った。より一層の低温化が可能にな
ったといえる。
示す装置を用いて成膜を行った。原料ガスとしてはトリ
スジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨと
ビスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ
2 を１：１で混合したものと酸素を用いた。実験条件は
基板としてステップカバレッジ測定用のＡｌの配線パタ
ーン付きのＳｉウエハと赤外吸収スペクトルを測定する
ためのベアＳｉウエハを用い、動作圧力１００ｔｏｒ
ｒ、原料ガスはオイルバスにて７０℃に加熱され、窒素
ガス１０ｓｃｃｍによりバブリングされ成膜室に導入し
た。また、酸素は５ｓｃｃｍ、バッファガスとして窒素
を１００ｓｃｃｍ流した。この条件で成膜した膜の場
合、実施例１と同等の膜質を得るための基板温度は３５
０℃で良いことが判った。より一層の低温化が可能にな
ったといえる。
【００２３】（比較例）本発明の効果を明確にするた
め、比較例として従来からステップカバレッジが良いと
されているオゾン−ＴＥＯＳによる酸化膜の合成を行っ
た。原料ガスとしてはテトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）とオゾン（Ｏ3 ）を用いた。実験条件は基板として
Ａｌの配線パターン付のＳｉと赤外吸収スペクトルを測
定するためのベアＳｉウエハを用い、基板温度４００
℃、動作圧力は１気圧、ＴＥＯＳはオイルバスにて６５
℃に加熱され、窒素ガス１００ｓｃｃｍによりバブリン
グされ成膜室に導入した。また、オゾンはオゾナイザー
（約４％がオゾンになる）により供給され、その時の酸
素の流量は７．５ＳＬＭとした。またバッファガスとし
て窒素を３５ＳＬＭ流した。この条件で成膜した膜の赤
外吸収スペクトルを図３に示す。この図より、この膜が
ＯＨ基を多量に含むＳｉＯ2 膜であり、膜として問題が
あることが判る。
め、比較例として従来からステップカバレッジが良いと
されているオゾン−ＴＥＯＳによる酸化膜の合成を行っ
た。原料ガスとしてはテトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）とオゾン（Ｏ3 ）を用いた。実験条件は基板として
Ａｌの配線パターン付のＳｉと赤外吸収スペクトルを測
定するためのベアＳｉウエハを用い、基板温度４００
℃、動作圧力は１気圧、ＴＥＯＳはオイルバスにて６５
℃に加熱され、窒素ガス１００ｓｃｃｍによりバブリン
グされ成膜室に導入した。また、オゾンはオゾナイザー
（約４％がオゾンになる）により供給され、その時の酸
素の流量は７．５ＳＬＭとした。またバッファガスとし
て窒素を３５ＳＬＭ流した。この条件で成膜した膜の赤
外吸収スペクトルを図３に示す。この図より、この膜が
ＯＨ基を多量に含むＳｉＯ2 膜であり、膜として問題が
あることが判る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、成膜温度は低温（４０
０℃以下）のままで、ステップカバレッジが良好で、平
坦性も高く、しかも膜質の良い酸化膜が形成できる。
０℃以下）のままで、ステップカバレッジが良好で、平
坦性も高く、しかも膜質の良い酸化膜が形成できる。
【図１】 本発明の実施例で用いた成膜装置の概略図で
ある。
ある。
【図２】 本発明により形成した実施例１での膜の赤外
吸収スペクトル図である。
吸収スペクトル図である。
【図３】 従来の方法より形成した比較例での膜の赤外
吸収スペクトル図である。
吸収スペクトル図である。
１ 原料ガス ２ 基板 ３ ヒータ ４ オイルバス ５ 成膜室 ６ ノズル ７ 排気ポンプ ８ ストップバルブ ９ ガスライン
Claims (3)
- 【請求項１】一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （但し、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−，ＣＨ3 −，
Ｃ2 Ｈ5 −，Ｃ3 Ｈ7 −，Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかであ
り、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜４
の整数である）で表わされる有機シラン化合物と酸素を
含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法に
より酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形
成方法。 - 【請求項２】有機シラン化合物を２種類以上組み合わせ
て用いる請求項１に記載の半導体膜形成方法。 - 【請求項３】有機シラン化合物が、 トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 Ｓｉ
Ｈ、 ビスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ
2 、 ジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、 トリスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）3 Ｓ
ｉＨ、 ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）2 Ｓｉ
Ｈ2 、 ジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、 トリスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）3
ＳｉＨ、 ビスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）2 Ｓ
ｉＨ2 、 ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）Ｓｉ
Ｈ3 、 トリスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）
3 ＳｉＨ、 ビスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2
ＳｉＨ2 、 ジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）ＳｉＨ
3である請求項１または２に記載の半導体膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284350A JPH06132276A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 半導体膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284350A JPH06132276A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 半導体膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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