JPH06138046A - Foreign matter inspection device - Google Patents
Foreign matter inspection deviceInfo
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- JPH06138046A JPH06138046A JP4291017A JP29101792A JPH06138046A JP H06138046 A JPH06138046 A JP H06138046A JP 4291017 A JP4291017 A JP 4291017A JP 29101792 A JP29101792 A JP 29101792A JP H06138046 A JPH06138046 A JP H06138046A
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- foreign matter
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- light
- vca
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は異物検査装置に関し、特
に半導体露光工程に用いられるレチクルマスク(以下レ
チクルと称する)や、レチクルに装着されるペリクルの
表面上に付着した異物等の欠陥を検出する装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a foreign matter inspection apparatus, and more particularly to detecting defects such as foreign matter adhered to the surface of a reticle mask (hereinafter referred to as a reticle) used in a semiconductor exposure process or a pellicle mounted on the reticle. It is related to the device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の異物検査装置は種々のタ
イプの検査装置があり、例えばスキャンタイプの異物検
査装置が提案されている。このようなスキャンタイプの
異物検査装置は特公昭63−64738号公報に詳しく
開示されているので、ここでは簡単に説明する。この装
置において、レーザ光源等から射出したレーザ光は被検
査物(レチクル等)上を照射する。ガルバノスキャナー
またはポリゴンミラー等のスキャナー及びレチクルを移
動可能なステージによりレチクル上の被検査面を全域に
渡ってレーザ光と被検査面とが相対走査される。走査領
域を異なる方向から見込むように複数の光電検出器が配
置されており、異物からの散乱光とレチクル上に設けら
れた回路パターンからの回折光との性質の違いに基づい
て、異物のみを検出する。すなわち回路パターンからの
回折光は極めて散乱指向性が強いが、異物からの散乱光
は比較的散乱指向性が弱く、ほぼ等方的に散乱する。従
って多方向に配置された光電検出器の全てにおいて、一
定レベル以上の光量が受光されたなら異物とし、光電検
出器のいずれか1つでも一定レベル以下の光量であった
ならばパターンと判定して、異物とパターンを区別して
異物のみを検出する。また、スキャナーによるレーザ光
の走査領域に対する光電検出器の配置が夫々異なるた
め、光電検出器に入射する受光光の立体角が異なる。ま
た、レーザ光と光電検出器とのなす角も夫々異なる。こ
のため、夫々の光電検出器が同じ異物を検出しているに
もかかわらず、夫々の光電検出器からの出力に差が生じ
てしまう。これを補正するため、光電検出器からの出力
の増幅度を変化させるVCA(Voltage Control Anplif
ier )がこの異物検査装置に設けられている。2. Description of the Related Art There are various types of conventional foreign matter inspection apparatuses of this type, and, for example, a scan type foreign matter inspection apparatus has been proposed. Since such a scan type foreign matter inspection apparatus is disclosed in detail in Japanese Patent Publication No. 63-64738, it will be briefly described here. In this apparatus, laser light emitted from a laser light source or the like irradiates an object to be inspected (reticle or the like). The laser beam and the surface to be inspected are relatively scanned over the entire surface to be inspected on the reticle by a scanner such as a galvanometer scanner or a polygon mirror and a stage that can move the reticle. Multiple photoelectric detectors are arranged so that the scanning area can be seen from different directions.Based on the difference in properties between the scattered light from the foreign matter and the diffracted light from the circuit pattern provided on the reticle, only the foreign matter is detected. To detect. That is, the diffracted light from the circuit pattern has a very strong scattering directivity, but the scattered light from the foreign matter has a relatively weak scattering directivity and is scattered isotropically. Therefore, in all of the photoelectric detectors arranged in multiple directions, if a light amount above a certain level is received, it is determined as a foreign substance, and if any one of the photoelectric detectors is below the certain level, it is determined to be a pattern. Then, the foreign matter and the pattern are distinguished and only the foreign matter is detected. Further, since the arrangement of the photoelectric detectors with respect to the scanning region of the laser light by the scanner is different, the solid angle of the received light entering the photoelectric detector is different. Further, the angles formed by the laser beam and the photoelectric detector are also different. Therefore, even though the photoelectric detectors detect the same foreign matter, a difference occurs in the output from the photoelectric detectors. In order to correct this, VCA (Voltage Control Anplif) that changes the amplification of the output from the photoelectric detector
ier) is provided in this foreign matter inspection device.
【0003】また、被検査面に平行な光束を被検査面に
対してほぼ水平に照射し、被検査物を光束の被検査面へ
の入射方向とほぼ垂直な方向に移動することにより被検
査面全体を照射可能とし、被検査面からの側方散乱光を
光電検出器(1次元フォトアレイ)で検出することによ
り異物を検査する装置も知られている。この装置におい
ても、所定レベル以上の散乱光が1次元フォトアレイに
入射したとき異物と判定している。ここで、入射光束の
被検査面上での入射方向(1次元フォトアレイの配列方
向)での強度分布が一定でないため、1次元フォトアレ
イからの光電信号の増幅度、もしくは所定レベルを入射
光の強度分布に応じて変化させている。A light beam parallel to the surface to be inspected is irradiated substantially horizontally to the surface to be inspected, and the object to be inspected is moved in a direction substantially perpendicular to the direction of incidence of the light beam on the surface to be inspected. There is also known an apparatus that inspects a foreign substance by making it possible to irradiate the entire surface and detecting side scattered light from the surface to be inspected with a photoelectric detector (one-dimensional photo array). Also in this apparatus, when scattered light of a predetermined level or more is incident on the one-dimensional photo array, it is determined as a foreign substance. Here, since the intensity distribution of the incident light flux in the incident direction on the surface to be inspected (arrangement direction of the one-dimensional photo array) is not constant, the amplification degree of the photoelectric signal from the one-dimensional photo array or a predetermined level is set as the incident light. Is changed according to the intensity distribution of.
【0004】これらの検査装置においては、異物のみを
検出するために異物からの散乱光と回路パターンからの
回折光との散乱特性の違いを利用している。すなわち回
路パターンからの回折光は極めて散乱指向性が強いが、
異物からの散乱光はほぼ等方的に散乱する。従って、回
折光を避ける位置に光電変換器を配置することにより、
回路パターンからの回折光は光電変換器に入射せず、異
物からの散乱光は光電変換器に入射する。また光電変換
器を複数配置することにより、いずれか1つの光電変換
器には回路パターンからの回折光は入射せず、光電変換
器からの出力の例えば論理積をとることにより、回路パ
ターンと異物を弁別することができる。In these inspection apparatuses, in order to detect only the foreign matter, the difference in the scattering characteristic between the scattered light from the foreign matter and the diffracted light from the circuit pattern is utilized. That is, the diffracted light from the circuit pattern has a very strong scattering directivity,
The scattered light from the foreign matter is isotropically scattered. Therefore, by arranging the photoelectric converter in a position that avoids diffracted light,
The diffracted light from the circuit pattern does not enter the photoelectric converter, and the scattered light from the foreign matter enters the photoelectric converter. In addition, by arranging a plurality of photoelectric converters, the diffracted light from the circuit pattern does not enter any one of the photoelectric converters, and the output from the photoelectric converters, for example, is ANDed to obtain the circuit pattern and the foreign matter. Can be distinguished.
【0005】上記のいずれの方法においても、ノイズ成
分となる散乱光や回折光を考慮して、光電検出器からの
光電信号の大きさと所定レベルとを比較し光電信号の大
きさが所定レベル以上のとき異物であると判断してい
る。この所定レベルと光電信号の大きさとを相対的に調
整することにより、異物の検出感度(管理したい異物サ
イズに合わせた装置のもつ異物検出能力)を調整してい
る。In any of the above methods, the magnitude of the photoelectric signal from the photoelectric detector is compared with a predetermined level in consideration of scattered light or diffracted light which is a noise component, and the magnitude of the photoelectric signal is equal to or higher than the predetermined level. When it is, it is determined to be a foreign substance. By relatively adjusting the predetermined level and the magnitude of the photoelectric signal, the foreign matter detection sensitivity (the foreign matter detection capability of the apparatus according to the foreign matter size to be managed) is adjusted.
【0006】さらに近年レチクルの品種の多様化にとも
ない、管理したい異物サイズのレベルも何段階かに分か
れ、1つの異物検査装置で複数の検出感度に変更できる
ようにとの要求が強くなってきた。かかる要求に対して
は例えば被検査物を照射する光ビームの被検査面上での
ビーム径を変更することが特開昭63−285449号
公報で提案されている。Further, in recent years, with the diversification of reticle varieties, the level of foreign matter size to be managed is divided into several levels, and there is an increasing demand for being able to change a plurality of detection sensitivities with one foreign matter inspection apparatus. . To meet this demand, for example, it is proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-285449 to change the beam diameter of the light beam irradiating the inspection object on the inspection surface.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし上記の如き検出
感度変更時においては以下のような問題点があることが
本発明者により明らかとなった。例えば被検査物上の異
物管理基準(検出感度)が2通りある場合を考える。φ
1μm以上の異物が付着していたら不良と判定する場合
(最小検出感度が1μmである場合)とφ0.5μm以
上の異物が付着していたら不良と判定する場合(最小検
出感度が0.5μmである場合)の2つの検出感度があ
るとする。However, the present inventor has found that the following problems occur when the detection sensitivity is changed as described above. For example, consider a case where there are two foreign matter management standards (detection sensitivities) on the inspection object. φ
If the foreign matter of 1 μm or more is attached, it is judged as defective (the minimum detection sensitivity is 1 μm), and if the foreign matter of φ0.5 μm or more is judged as the defective (minimum detection sensitivity is 0.5 μm, There are two detection sensitivities (in some cases).
【0008】上記2通の場合に対応するため、異物検査
装置の絶対的な検出感度の校正として、夫々の検出感度
基準としてφ1μmポリスチレン真球ビーズとφ0.5
μmポリスチレン真球ビーズの両方で装置の絶対感度校
正を行えばよい。しかしながら、複数の光電検出器を用
いて異物検査を行う場合、φ1μmとφ0.5μmのポ
リスチレン真球ビーズの散乱信号量の比が1つの光電検
出器で10倍あったとしても他の光電検出器では必ずし
も10倍とは限らない。In order to deal with the above two cases, as absolute calibration of the detection sensitivity of the foreign substance inspection apparatus, φ1 μm polystyrene true spherical beads and φ0.5 are used as the respective detection sensitivity standards.
Absolute sensitivity calibration of the device may be performed with both μm polystyrene true spherical beads. However, when a foreign substance inspection is performed using a plurality of photoelectric detectors, even if the ratio of the scattered signal amounts of the polystyrene true spherical beads of φ1 μm and φ0.5 μm is 10 times in one photoelectric detector, the other photoelectric detectors. Then, it is not always 10 times.
【0009】また異なる装置間においても同様にφ1μ
mとφ0.5μmのポリスチレン真球ビーズの散乱信号
量の比が異なる装置間で必ずしも同じとは限らない。さ
らに、光ビームの走査位置に応じたVCAの増幅度特性
もφ1μmとφ0.5μmのときでは変わるのでビーム
径を可変とするだけでは済まない。このようなことがな
ぜ生じるかというと、φ1μmとφ0.5μmのポリス
チレン真球ビーズとでは厳密に散乱特性が同一ではない
からであり、物理現象としてはミー散乱(Mie散乱)現象
と呼ばれ、文献にも明らかにされている。Similarly, even between different devices, φ1μ
It is not always the case that the devices having different ratios of m and the scattered signal amount of the polystyrene true spherical beads of φ0.5 μm are different. Further, since the VCA amplification characteristic according to the scanning position of the light beam changes between φ1 μm and φ0.5 μm, it is not enough to make the beam diameter variable. The reason why such a phenomenon occurs is that the polystyrene true spherical beads of φ1 μm and φ0.5 μm do not have exactly the same scattering characteristics, and the physical phenomenon is called Mie scattering (Mie scattering) phenomenon. It has been clarified in the literature.
【0010】このため従来の技術のように、ただ単にビ
ーム径を変更するだけでは正確に感度変更することがで
きない。また、同様の理由により単純に光電検出器から
の信号の増幅度を変更するだけでは、正確に感度変更す
ることができない。本発明は以上の問題に鑑みてなされ
たもので、感度変更を行った場合でも光電検出器の出力
を正確に補正することを目的とする。Therefore, unlike the prior art, it is not possible to accurately change the sensitivity by simply changing the beam diameter. Further, for the same reason, the sensitivity cannot be accurately changed by simply changing the amplification degree of the signal from the photoelectric detector. The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to accurately correct the output of the photoelectric detector even when the sensitivity is changed.
【0011】また、感度変更を行った場合でも複数の光
電検出器の夫々の出力を正確に補正することを目的とす
る。It is another object of the present invention to accurately correct the outputs of the plurality of photoelectric detectors even when the sensitivity is changed.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、被検査物(10)に光を照射する照射手
段(60)と、被検査物の被検査領域からの光を受光
し、受光光の強度に応じた光電信号を出力する受光手段
(34、32、30)と、光電信号の大きさと所定の基
準値(84)とを比較することにより被検査物上の異物
を検出する異物検査装置において、光電信号の大きさと
所定基準値との相対的な関係で定まる検出感度を少なく
とも2種類有し、検出感度を選択する感度設定手段(9
0)と;検出感度に応じて定まる所定の定数データ(印
加電圧データ、VCAデータ)に基づいて光電信号の大
きさを補正する補正手段と;所定の定数データを記憶す
る記憶手段(89、92)と;感度設定手段による感度
設定に同期して、設定された前記検出感度に対応する定
数データを記憶部から読み出すデータ読みだし手段)9
0、78)とを備えた。In order to solve the above problems, according to the present invention, an irradiation means (60) for irradiating an object to be inspected (10) with light and a light from an area to be inspected of the object to be inspected are received. Then, the light receiving means (34, 32, 30) for outputting a photoelectric signal according to the intensity of the received light is compared with the magnitude of the photoelectric signal and a predetermined reference value (84) to detect a foreign substance on the inspection object. The foreign matter inspection device for detection has at least two types of detection sensitivities determined by the relative relationship between the magnitude of the photoelectric signal and a predetermined reference value, and a sensitivity setting means (9) for selecting the detection sensitivity.
0) ;; correction means for correcting the magnitude of the photoelectric signal based on predetermined constant data (applied voltage data, VCA data) determined according to the detection sensitivity; and storage means (89, 92) for storing the predetermined constant data. ) And; data reading means for reading constant data corresponding to the set detection sensitivity from the storage unit in synchronization with the sensitivity setting by the sensitivity setting means) 9)
0, 78) and.
【0013】[0013]
【作用】本発明においては複数の検出感度の設定を可能
とし、検出感度に関する定数を固定値ではなく、変更可
能な構成としたので、検出感度を変更した場合でも、複
数の検出感度での正確な絶対値校正(VCAデータの補
正、複数の光電検出器間での正確な感度補正等)がで
き、検査装置としての信頼性を高めることができる。In the present invention, a plurality of detection sensitivities can be set, and the constants relating to the detection sensitivities are not fixed values but can be changed. The absolute value calibration (correction of VCA data, accurate sensitivity correction among a plurality of photoelectric detectors, etc.) can be performed, and the reliability of the inspection apparatus can be improved.
【0014】[0014]
【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例に好適な異物検査装置の概
略を示す図である。図1においてレチクル10はステー
ジ12に載置されており、ステージ12は駆動部14に
よりY方向に移動可能である。ステージ12の移動量は
リニアエンコーダ等からなる測長器18により計測可能
である。レチクル10には支持枠22を介してペリクル
20が設けられている。光源(例えばArレーザやHe
−Neレーザ等)60から発せられた光ビームLはエキ
スパンダー1、ガルバノスキャナーまたはポリゴンミラ
ー等のスキャナー28によりX方向に偏向走査され、走
査レンズ(例えばfθレンズ)26によりレチクル10
上に収束した光ビームとなってX方向にほぼ平行な走査
線Sを形成する。X方向の光ビーム走査とそれより遅い
速度でレチクル10を駆動部14によりY方向に移動す
ることでレチクル10の全面の光ビーム走査が可能とな
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an outline of a foreign matter inspection apparatus suitable for an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the reticle 10 is placed on the stage 12, and the stage 12 can be moved in the Y direction by the drive unit 14. The movement amount of the stage 12 can be measured by a length measuring device 18 including a linear encoder or the like. The reticle 10 is provided with a pellicle 20 via a support frame 22. Light source (eg Ar laser or He
(-Ne laser or the like) 60, a light beam L emitted from a reticle 10 is deflected and scanned in the X direction by a scanner 28 such as an expander 1, a galvano scanner or a polygon mirror, and a scanning lens (for example, fθ lens) 26.
The light beam converges upward to form a scanning line S that is substantially parallel to the X direction. By scanning the light beam in the X direction and moving the reticle 10 in the Y direction by the driving unit 14 at a speed slower than that, it is possible to scan the light beam on the entire surface of the reticle 10.
【0015】もしレチクル10の表面上に異物63等の
欠陥が存在している場合は、走査レンズ26を通った光
ビームLにより異物63から散乱光65が発生する。散
乱光65は受光レンズ40、41、42とそれぞれのレ
ンズの後に設けられたフォトマルチプライヤ等の光電検
出器34、32、30により光電検出される。これらの
光電検出器34、32、30の光入射側には、スリット
46、44、42が設けられており、走査線S以外から
の光を遮光する。受光レンズ40、38、36の光軸l
3 、l2 、l1 が走査線Sの中心において交わるように
配置されている。If there is a defect such as the foreign matter 63 on the surface of the reticle 10, the scattered light 65 is generated from the foreign matter 63 by the light beam L passing through the scanning lens 26. The scattered light 65 is photoelectrically detected by the light receiving lenses 40, 41, 42 and photoelectric detectors 34, 32, 30 such as photomultipliers provided after the respective lenses. Slits 46, 44, 42 are provided on the light incident side of these photoelectric detectors 34, 32, 30 to block light from other than the scanning line S. Optical axis l of light-receiving lens 40, 38, 36
3 , l 2 and l 1 are arranged so as to intersect at the center of the scanning line S.
【0016】一方レチクル10の表面上にはウェハへ転
写するための回路パターン64が設けられており、回路
パターン64からは回折光66が生じる。異物のみを検
出するためには、異物からの散乱光65と回路パターン
からの回折光66とを区別して検出する必要がある。そ
のため散乱光65と回折光66との散乱特性の違いを利
用する。すなわち回路パターン64からの回折光66は
極めて散乱指向性が強いが、異物63からの散乱光65
は比較的散乱指向性が弱く、ほぼ等方的に散乱する。従
って多方向に配置された光電検出器34、32、30の
全てにおいて、一定レベル以上の光量が受光されたなら
異物とし、光電検出器34、32、30のいずれか1つ
でも一定レベル以下の光量であったならばパターンと判
定して、異物とパターンを区別して異物のみを検出す
る。On the other hand, a circuit pattern 64 for transferring to the wafer is provided on the surface of the reticle 10, and diffracted light 66 is generated from the circuit pattern 64. In order to detect only the foreign matter, it is necessary to detect the scattered light 65 from the foreign matter and the diffracted light 66 from the circuit pattern separately. Therefore, the difference in the scattering characteristics between the scattered light 65 and the diffracted light 66 is used. That is, the diffracted light 66 from the circuit pattern 64 has a very strong scattering directivity, but the scattered light 65 from the foreign matter 63.
Has a relatively weak scattering directivity and scatters almost isotropically. Therefore, if all the photoelectric detectors 34, 32, 30 arranged in multiple directions receive a light amount above a certain level, it is regarded as a foreign substance, and even one of the photoelectric detectors 34, 32, 30 is below a certain level. If it is the amount of light, it is determined to be a pattern, and the foreign matter and the pattern are distinguished, and only the foreign matter is detected.
【0017】また、本装置ではエキスパンダー1とスキ
ャナー28の間にアパーチャ2を不図示の駆動部により
挿脱可能な構成となっている。異物を低感度に検出する
場合はアパーチャ2を光ビームLの光路中に挿入し、異
物を高感度に検出する場合はアパーチャ2を光ビームL
の光路外に移動する。アパーチャ2の内径はエキスパン
ダー1の光軸と垂直な面内での光ビームLの径より小さ
くなっており、アパーチャ2を光ビームLの光路中に挿
入することによりレチクル10上でのビーム径を大きく
している。Further, in this apparatus, the aperture 2 can be inserted and removed between the expander 1 and the scanner 28 by a drive unit (not shown). The aperture 2 is inserted in the optical path of the light beam L when detecting a foreign matter with low sensitivity, and the aperture 2 is detected when detecting a foreign matter with high sensitivity.
Move out of the optical path. The inner diameter of the aperture 2 is smaller than the diameter of the light beam L in the plane perpendicular to the optical axis of the expander 1. By inserting the aperture 2 in the optical path of the light beam L, the beam diameter on the reticle 10 is changed. Making it big.
【0018】その検出回路のブロック図を図2に示す。
光電検出器34、32、30は受光した光量にほぼ比例
した電気信号S1、S2、S3をそれぞれ出力する。信
号S1、S2、S3はプリアンプ70、71、72によ
り増幅され、信号S4、S5、S6となり、VCA(Vo
ltage ControlAnplifier )73、74、75に入力さ
れる。VCAは入力電圧76に応じて増幅率を変えるこ
とのできる回路である。スキャナー28もまた入力電圧
77によって振れ角が可変である。従ってスキャナー制
御器78によりスキャナー28の制御と同時にVCA7
3、74、75の増幅度の制御ができる。A block diagram of the detection circuit is shown in FIG.
The photoelectric detectors 34, 32 and 30 output electric signals S1, S2 and S3, respectively, which are substantially proportional to the amount of received light. The signals S1, S2, S3 are amplified by the preamplifiers 70, 71, 72 to become signals S4, S5, S6, and VCA (Vo
ltage Control Anplifier) 73, 74, 75. The VCA is a circuit that can change the amplification factor according to the input voltage 76. The scanner 28 also has a variable deflection angle depending on the input voltage 77. Therefore, the scanner controller 78 controls the scanner 28 and the VCA 7 simultaneously.
The amplification degree of 3, 74, 75 can be controlled.
【0019】ここで、光電検出器34、32、30が受
光レンズ40、38、36を介して散乱光を受光すると
き(光学情報を得るとき)に受光レンズ40、38、3
6に入射する光束の主光線がどこに向かっているかによ
って情報量が異なる。例えば光ビームLが走査線S上の
片端61付近を照射しているときと、他端62付近を照
射しているときとでは受光レンズ40、38、36から
光ビームLの照射位置までの距離が変わる。このため、
受光レンズに入射する受光光の立体角が変わり、受光可
能な光量がおのずと変わってくる。また受光レンズの光
軸と光ビームLとの角度も変わり、走査線S上に全く同
じ散乱物体、例えば同じ粒径のポリスチレン真球ビーズ
が並んでいる場合でもX方向の位置に応じて光電信号S
1、S2、S3の出力値は変化する。この変化量を補正
し、光ビームLのX方向の位置によらず常に一定の出力
信号となるようにVCA73、74、75の増幅度を変
化させる。VCA73、74、75の増幅度の変化はス
キャナー制御器78から出力されるX方向の位置に応じ
た電圧信号76に基づいて実行される。Here, when the photoelectric detectors 34, 32, 30 receive scattered light through the light receiving lenses 40, 38, 36 (when obtaining optical information), the light receiving lenses 40, 38, 3 are provided.
The amount of information differs depending on where the principal ray of the light beam incident on 6 is directed. For example, the distance from the light receiving lenses 40, 38, 36 to the irradiation position of the light beam L when the light beam L irradiates the vicinity of one end 61 on the scanning line S and when irradiates the vicinity of the other end 62. Will change. For this reason,
The solid angle of the received light that enters the light receiving lens changes, and the amount of light that can be received naturally changes. Further, the angle between the optical axis of the light receiving lens and the light beam L also changes, and even when completely identical scattering objects, for example, polystyrene true spherical beads of the same particle size are lined up on the scanning line S, the photoelectric signal depends on the position in the X direction. S
The output values of 1, S2 and S3 change. The amount of change is corrected, and the amplification degrees of the VCAs 73, 74, and 75 are changed so that the output signals are always constant regardless of the position of the light beam L in the X direction. The change in the amplification degree of the VCA 73, 74, 75 is executed based on the voltage signal 76 output from the scanner controller 78 according to the position in the X direction.
【0020】次いでVCA73、74、75からの出力
信号S7、S8、S9は比較器80、81、82に入力
される。比較器80、81、82は基準電圧発生部83
により出力される基準電圧84とVCA73、74、7
5からの出力信号S7、S8、S9とを比較する。そし
て、比較器80、81、82は出力信号が基準電圧84
以上であったならデジタル“1”を出力信号S10、S
11、S12として出力し、基準電圧84以下であった
ならデジタル“0”を出力信号S10、S11、S12
として出力する。デジタル出力信号S10、S11、S
12はAND回路85により論理積がとられ、信号S1
0、S11、S12のすべてがデジタル“1”の場合の
ときのみデジタル“1”を出力信号S13として出力す
るが、これが異物ありの検出信号である。Next, the output signals S7, S8 and S9 from the VCAs 73, 74 and 75 are input to the comparators 80, 81 and 82. The comparators 80, 81, 82 are the reference voltage generator 83.
Reference voltage 84 and VCA 73, 74, 7 output by
The output signals from S5, S7, S8 and S9 are compared. The output signals of the comparators 80, 81 and 82 are the reference voltage 84.
If it is above, the digital "1" is output signal S10, S
11 and S12, and if the reference voltage is 84 or less, a digital "0" is output signal S10, S11, S12.
Output as. Digital output signals S10, S11, S
12 is ANDed by the AND circuit 85, and the signal S1
Digital "1" is output as the output signal S13 only when all of 0, S11, and S12 are digital "1". This is the detection signal of presence of foreign matter.
【0021】前述の如くパターン64からの回折光66
は指向性が強いため、回折光66を受光しても光電検出
器34、32、30のうち少なくとも1つは受光光量が
小さい。このため比較器80、81、82のうち少なく
とも1つはデジタル“0”を出力する。従って、AND
回路85からの出力S13はデジタル“0”となり、異
物として誤まって検出されることはない。As described above, the diffracted light 66 from the pattern 64
Has a strong directivity, so that even if the diffracted light 66 is received, at least one of the photoelectric detectors 34, 32, and 30 has a small amount of received light. Therefore, at least one of the comparators 80, 81, 82 outputs a digital "0". Therefore, AND
The output S13 from the circuit 85 becomes a digital "0" and is not erroneously detected as a foreign substance.
【0022】ここで、光電検出器34、32、30にフ
ォトマルを用いたとすると、フォトマルではプリアンプ
70、71、72により増幅度が変えられる。さらにフ
ォトマルの陰極と陽極の間の電圧(以下印加電圧と称
す)を変えることによっても増幅度が変わる。印加電圧
を大きくすると増幅度は印加電圧の7〜8乗に比例して
大きくなる。このため、本実施例では光電検出器として
フォトマルを用い、増幅度変更として印加電圧を変える
こととて、プリアンプ70、71、72で増幅度の微妙
な調整を行うこととする。Here, if a photomultiplier is used for the photoelectric detectors 34, 32 and 30, the amplification degree is changed by the preamplifiers 70, 71 and 72 in the photomultiplier. Further, the amplification degree is also changed by changing the voltage between the cathode and the anode of the Photomul (hereinafter referred to as applied voltage). When the applied voltage is increased, the amplification degree increases in proportion to the 7th to 8th power of the applied voltage. For this reason, in this embodiment, a photomultiplier is used as the photoelectric detector, and the applied voltage is changed as the amplification degree is changed so that the preamplifiers 70, 71, and 72 perform delicate adjustment of the amplification degree.
【0023】光電検出器34、32、30に加える印加
電圧86、87、88は印加電圧記憶部89から出力さ
れる。印加電圧86、87、88の変更で増幅度の切替
えを行う。印加電圧86、87、88の変更で増幅度の
粗い切りかえをやり、VCA73、74、75を制御す
ることによりプリアンプ70、71、72の電流・電圧
変換度変更で増幅度の微妙な調整を行う。プリアンプ7
0、71、72の増幅度の微調整は記憶部79からデー
タをVCA73、74、74に送って行なってもよい
し、記憶部79とは別に記憶部を設けて、直接プリアン
プ70、71、21の増幅度の微調整を行ってもよい。The applied voltages 86, 87, 88 applied to the photoelectric detectors 34, 32, 30 are output from the applied voltage storage unit 89. The amplification degree is switched by changing the applied voltage 86, 87, 88. Rough switching of the amplification degree is performed by changing the applied voltage 86, 87, 88, and the VCA 73, 74, 75 is controlled to finely adjust the amplification degree by changing the current / voltage conversion degree of the preamplifiers 70, 71, 72. . Preamplifier 7
Fine adjustment of the amplification degree of 0, 71, 72 may be performed by sending data from the storage unit 79 to the VCA 73, 74, 74, or by providing a storage unit separate from the storage unit 79 and directly preamplifiers 70, 71 ,. The amplification degree 21 may be finely adjusted.
【0024】前述の如くVCA73、74、75はプリ
アンプ70、71、72の出力S4、S5、S6を入射
ビームLの走査方向(X方向)に応じて異なった増幅度
で増幅する。VCA73、74、75でのX方向に応じ
た増幅度データ76a、76b、76cはスキャナー制
御部78内のVCAデータ記憶部79に格納されてい
る。As described above, the VCAs 73, 74 and 75 amplify the outputs S4, S5 and S6 of the preamplifiers 70, 71 and 72 with different amplification degrees depending on the scanning direction (X direction) of the incident beam L. The amplification degree data 76a, 76b, 76c corresponding to the X direction in the VCAs 73, 74, 75 are stored in the VCA data storage unit 79 in the scanner control unit 78.
【0025】印加電圧記憶部89とVCAデータ記憶部
79に記憶された低・高感度用のデータは感度制御部9
0からどの検出感度に切りかえるかの信号91により、
いずれの感度のデータを用いるかが指定される。信号9
1の指定に応じて印加電圧記憶部89からは所定の印加
電圧86、87、88が、VCAデータ記憶部79から
は所定のVCAデータ76a、76b、76cがそれぞ
れ光電検出器34、32、30とVCA73、74、7
5とに出力される。The low / high sensitivity data stored in the applied voltage storage section 89 and the VCA data storage section 79 is stored in the sensitivity control section 9.
By the signal 91 indicating which detection sensitivity is switched from 0,
Which sensitivity data is used is specified. Signal 9
According to the designation of 1, the predetermined applied voltages 86, 87 and 88 from the applied voltage storage unit 89 and the predetermined VCA data 76a, 76b and 76c from the VCA data storage unit 79 are photoelectric detectors 34, 32 and 30, respectively. And VCA 73, 74, 7
5 is output.
【0026】感度切替えの指示は入力手段92からの信
号93に基づいて行われる。また印加電圧記憶部89と
VCAデータ記憶部79に記憶されているデータは所定
基準(φ0.5μm,φ1μm)の真球ビーズを走査線
S方向に複数個並べて、夫々の基準における光電検出器
34、32、30からの光電信号を検出し、夫々の基準
における印加電圧データとVCAデータとを求め、印加
電圧データは印加電圧記憶部89に記憶し、VCAデー
タはVCAデータ記憶部79に記憶しておく。装置間で
のバラツキが小さい場合には所定の異物検査装置で印加
電圧データとVCAデータを求め、入力手段92により
これらのデータを入力し、印加電圧記憶部89とVCA
データ記憶部79に記憶するようにしてもよい。The instruction to switch the sensitivity is given based on the signal 93 from the input means 92. Further, the data stored in the applied voltage storage unit 89 and the VCA data storage unit 79 is such that a plurality of true spherical beads of a predetermined reference (φ0.5 μm, φ1 μm) are arranged in the scanning line S direction, and the photoelectric detector 34 according to each reference. , 32, 30 to detect the applied voltage data and VCA data for each reference, the applied voltage data is stored in the applied voltage storage unit 89, and the VCA data is stored in the VCA data storage unit 79. Keep it. When the variation between the devices is small, the applied voltage data and the VCA data are obtained by a predetermined foreign matter inspection device, these data are input by the input means 92, and the applied voltage storage unit 89 and the VCA are input.
It may be stored in the data storage unit 79.
【0027】次に本実施例の感度切替えの処理を図3、
図4、図5、図6を用いて説明する。ここでは、切り変
える検出感度は2段階とし、高感度はφ0.5μmポリ
スチレン真球ビーズを基準とし、低感度はφ1μmポリ
スチレン真球ビーズを基準とする。基準という意味は例
えばφ0.5μmポリスチレン真球ビーズがレチクル上
のどこに付着していても、光電検出器34、32、30
からの出力信号を最終的に等しくするということであ
る。具体的には図6に示すようにVCA後の出力S7、
S8、S9が高感度・低感度いずれの切りかえ時におい
ても規定の一定電圧とすることである。従って求められ
るのは図6に示すようにX方向の位置によらず高感度
(φ0.5μmポリスチレン真球ビーズ)のときは1
(V)、低感度(φ1μmポリスチレン真球ビーズ)の
ときも1(V)となるようにすることである。Next, the sensitivity switching process of this embodiment will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS. 4, 5, and 6. Here, the detection sensitivity for switching is set in two stages, high sensitivity is based on φ0.5 μm polystyrene true spherical beads, and low sensitivity is based on φ1 μm polystyrene true spherical beads. The reference means, for example, wherever the 0.5 μm polystyrene true spherical beads are attached on the reticle, the photoelectric detectors 34, 32, 30 are used.
Is to finally equalize the output signals from. Specifically, as shown in FIG. 6, the output S7 after VCA,
S8 and S9 are set to a specified constant voltage in switching between high sensitivity and low sensitivity. Therefore, as shown in FIG. 6, 1 is required for high sensitivity (φ0.5 μm polystyrene true spherical beads) regardless of the position in the X direction.
(V) and 1 (V) even when the sensitivity is low (φ1 μm polystyrene true spherical beads).
【0028】図3は感度1倍の時のプリアンプの出力を
示す図であり、図3(a)はプリアンプ70からの出力
S4を示し、図3(b)はプリアンプ71からの出力S
5を示し、図3(c)はプリアンプ72からの出力S6
を示す。図3(a)〜図3(c)において横軸は光ビー
ムLの位置を示し、縦軸はプリアンプの出力(電圧値)
を示している。FIG. 3 is a diagram showing the output of the preamplifier when the sensitivity is 1 time, FIG. 3A shows the output S4 from the preamplifier 70, and FIG. 3B shows the output S from the preamplifier 71.
3 shows the output S6 from the preamplifier 72.
Indicates. In FIGS. 3A to 3C, the horizontal axis represents the position of the light beam L, and the vertical axis represents the output (voltage value) of the preamplifier.
Is shown.
【0029】図4は光電検出器に加える印加電圧を感度
に応じて変化させたときのプリアンプの出力を示す図で
あり、図4(a)は印加電圧補正後のプリアンプ70か
らの出力S4を示し、図4(b)は印加電圧補正後のプ
リアンプ71からの出力S5を示し、図4(c)は印加
電圧補正後のプリアンプ72からの出力を示す。図4
(a)〜図4(c)において横軸は光ビームLの位置を
示し、縦軸はプリアンプの出力(電圧値)を示す。ここ
で、図3、図4において各々のプリアンプからの出力は
低感度時のプリアンプの出力をS4L、S5L、S6L
で示し、高感度時のプリアンプの出力をS4H、S5
H、S6Hで示す。図4で低感度の時に光電検出器3
4、32に加える印加電圧データ86L、87Lは1/
10倍であり、高感度の時に光電検出器34、32に加
える印加電圧データは86H、87H2倍である。また
低感度の時に光電検出器30に加える印加電圧データ8
8Lは1/8倍であり、高感度の時に光電検出器30に
加える印加電圧データ88Hは1倍である。FIG. 4 is a diagram showing the output of the preamplifier when the applied voltage applied to the photoelectric detector is changed according to the sensitivity. FIG. 4A shows the output S4 from the preamplifier 70 after the applied voltage is corrected. 4 (b) shows the output S5 from the preamplifier 71 after the applied voltage correction, and FIG. 4 (c) shows the output from the preamplifier 72 after the applied voltage correction. Figure 4
4A to 4C, the horizontal axis represents the position of the light beam L, and the vertical axis represents the output (voltage value) of the preamplifier. Here, in FIGS. 3 and 4, the output from each preamplifier is the output of the preamplifier at the time of low sensitivity S4L, S5L, S6L.
, And the output of the preamplifier at high sensitivity is S4H, S5
H and S6H are shown. When the sensitivity is low in Fig. 4, the photoelectric detector 3
Applied voltage data 86L and 87L applied to 4 and 32 are 1 /
It is 10 times, and the applied voltage data applied to the photoelectric detectors 34 and 32 at the time of high sensitivity is 86H and 87H 2 times. In addition, the applied voltage data 8 applied to the photoelectric detector 30 when the sensitivity is low
8L is 1/8 times, and the applied voltage data 88H applied to the photoelectric detector 30 at high sensitivity is 1 time.
【0030】図5はVCAの補正度を感度に応じて変化
させるときのVCAデータを示す図であり、図5(a)
はVCA73に加えるVCAデータ76aを示し、図5
(b)はVCA74に加えるVCAデータ76bを示
し、図5(c)はVCA75に加えるVCAデータ76
cを示す。図4(a)〜図4(c)において横軸は光ビ
ームLの位置を示し、縦軸は補正度(補正係数)を示
す。ここで、図5において低感度時のVCAデータを7
6aL、76bL、76cLで示し、高感度時のVCA
データを76aH、76bH、76cHで示す。FIG. 5 is a diagram showing VCA data when the VCA correction degree is changed according to the sensitivity, and FIG.
Shows VCA data 76a added to VCA 73, and FIG.
5B shows the VCA data 76b added to the VCA 74, and FIG. 5C shows the VCA data 76 added to the VCA 75.
c is shown. In FIGS. 4A to 4C, the horizontal axis represents the position of the light beam L, and the vertical axis represents the correction degree (correction coefficient). Here, in FIG. 5, the VCA data at low sensitivity is 7
VCA at high sensitivity indicated by 6aL, 76bL, 76cL
Data are shown as 76aH, 76bH, 76cH.
【0031】図6は印加電圧及びVCAデータ補正後の
VCAの出力を示す図であり、図6(a)はVCA73
からの出力を示し、図6(b)はVCA74からの出力
を示し、図6(c)はVCA75からの出力を示す。図
6(a)〜図6(c)において横軸は光ビームLの位置
を示し、縦軸はVCA出力(電圧値)を示す。ここで、
図6において低感度時のVCA出力をS7L、S8L、
S9Lで示し、高感度時のVCA出力をS7H、S8
H、S9Hで示す。図6に示すように低感度時のVCA
出力と高感度時のVCA出力は等しいものとなってい
る。FIG. 6 is a diagram showing the output of the VCA after the applied voltage and the VCA data have been corrected. FIG. 6A shows the VCA 73.
6B shows the output from the VCA 74, and FIG. 6C shows the output from the VCA 75. 6A to 6C, the horizontal axis represents the position of the light beam L and the vertical axis represents the VCA output (voltage value). here,
In FIG. 6, the VCA output when the sensitivity is low is S7L, S8L,
Shown by S9L, VCA output at high sensitivity is S7H, S8
H and S9H are shown. As shown in FIG. 6, VCA at low sensitivity
The output and the VCA output at high sensitivity are equal.
【0032】ここで、プリアンプ70からの出力は増幅
度が固定の場合、図3のプリアンプ出力S4、S5、S
6に示すように、φ0.5μm、φ1μmの2つのポリ
スチレン真球ビーズを用いた夫々の場合においてX方向
依存性となる。そしてこの場合φ0.5μmとφ1μm
の2つのポリスチレン真球ビーズは絶対的な検出信号量
も異なればX方向での変化カーブの形状も異なる。そこ
で印加電圧記憶部89とVCAデータ記憶部79では高
・低2つの印加電圧と高・低2つのVCAデータとをそ
れぞれ個別に格納しておく。Here, when the amplification degree of the output from the preamplifier 70 is fixed, the preamplifier outputs S4, S5, S shown in FIG.
As shown in FIG. 6, X direction dependency is obtained in each case where two polystyrene true spherical beads of φ0.5 μm and φ1 μm are used. And in this case φ0.5μm and φ1μm
The two polystyrene true spherical beads of No. 2 differ in the absolute detection signal amount and also in the shape of the change curve in the X direction. Therefore, the applied voltage storage unit 89 and the VCA data storage unit 79 respectively store the high and low applied voltages and the high and low VCA data respectively.
【0033】このように、低・高の2つの感度の夫々に
ついてのデータを記憶するとともに、さらに光電検出器
の本数(3本)分の夫々について低・高感度の2つのデ
ータを格納するため、計6通の印加電圧データ、VCA
データをそれぞれ個別に格納しておく。これらのデータ
は切りかえ制御部90の指示に従い、低感度の指示のあ
ったときは信号86L、87L、88Lを光電検出器3
4、32、30に印加電圧記憶部89から送り、高感度
の指示のあったときはデータ86H、87H、88Hを
光電検出器34、32、30に送る。このときのプリア
ンプ出力S4、S5、S6は図3に示すように、低感度
と高感度とで出力特性が異なるものとなっている。さら
にVCA73、74、75において、X方向に応じて増
幅度(倍率)の変化するデータ76a、76b、76c
をうち指定された感度が低感度か高感度かに応じた最適
なデータを各出力S4、S5、S6に乗ずる。VCAデ
ータ記憶部79には図3に示すVCAデータ76a、7
6b、76c(低・高)が格納されていて、切りかえ制
御器90の指示により低感度指示のあった場合はVCA
データ76aL、76bL、76cLを出力S4、S
5、S6に乗じ高感度指示のあった場合はVCAデータ
76aH、76bH、76cHを出力S4、S5、S6
に乗じる。従って高感度指示のあった状態で、もしφ
0.5μmポリスチレン真球ビーズの付着したレチクル
を本発明に基づいた装置で検査した場合、レチクル上の
X方向の位置によらず常に1(V)の出力信号が出力S
7、S8、S9から得られる。また低感度指示のあった
ときもしφ1μmポリスチレン真球ビーズの付着したレ
チクルを検査した場合も同様に1(V)の出力信号が出
力S7、S8、S9から得られる。In this way, in order to store the data for each of the low sensitivity and the high sensitivity, and to store the two data for the low sensitivity and the high sensitivity for each of the number (3) of photoelectric detectors. , Total 6 applied voltage data, VCA
Store each data individually. These data follow the instruction of the switching control unit 90, and when the instruction of low sensitivity is given, the signals 86L, 87L, 88L are sent to the photoelectric detector 3.
4, 32 and 30 are sent from the applied voltage storage unit 89, and when there is a high sensitivity instruction, data 86H, 87H and 88H are sent to the photoelectric detectors 34, 32 and 30. As shown in FIG. 3, the preamplifier outputs S4, S5, and S6 at this time have different output characteristics between low sensitivity and high sensitivity. Further, in the VCA 73, 74, 75, data 76a, 76b, 76c whose amplification degree (magnification) changes according to the X direction.
Optimal data depending on whether the designated sensitivity is low sensitivity or high sensitivity is multiplied to each output S4, S5, S6. The VCA data storage unit 79 stores the VCA data 76a and 7 shown in FIG.
If 6b and 76c (low / high) are stored and there is a low sensitivity instruction from the switch controller 90, VCA
Outputs data 76aL, 76bL, 76cL S4, S
When there is a high sensitivity instruction by multiplying S5, S6, VCA data 76aH, 76bH, 76cH are output S4, S5, S6.
Get on. Therefore, if there is a high sensitivity indication, if φ
When a reticle having 0.5 μm polystyrene true spherical beads attached is inspected by the apparatus according to the present invention, an output signal of 1 (V) is always output S regardless of the position on the reticle in the X direction.
7, obtained from S8 and S9. Also, when there is a low sensitivity instruction, if a reticle with φ1 μm polystyrene true spherical beads attached is inspected, an output signal of 1 (V) is similarly obtained from the outputs S7, S8, and S9.
【0034】高・低2つの感度切りかえだけでなく、2
つ以上の感度基準を設ける場合は印加電圧記憶部89、
VCAデータ記憶部79に格納するデータを感度切替え
数に応じて格納しておけばよい。またスキャナー制御部
78はスキャナー28の駆動に応じてVCAデータをそ
の都度VCAデータ記憶部79から呼び出す。Not only switching between high and low sensitivity, but also 2
If more than one sensitivity reference is provided, the applied voltage storage unit 89,
The data stored in the VCA data storage unit 79 may be stored according to the number of sensitivity switchings. In addition, the scanner control unit 78 calls the VCA data from the VCA data storage unit 79 each time the scanner 28 is driven.
【0035】本発明の実施例においてはレチクル面の異
物検査を中心に説明したが、ペリクル面の異物検査にお
いてもまったく同様であるばかりでなく、レチクルやマ
スクの回路パターン欠陥を検出する場合にも適用でき
る。レチクル等のパターン欠陥も低・高等複数の感度で
検出することが行なわれる。高感度検出を行なう場合、
パターン欠陥検査装置においては対物レンズを高倍にす
る等の方法が考えられる。このとき対物レンズの開口数
に比例して小さい欠陥まで検出する場合、光量が減った
り、また視野内で明るさが変わって視野周辺が暗くなっ
たりして充分な異物検出ができない場合がある。このよ
うな場合基準となるパターン(例えば故意に作ったピン
ホール欠陥)に対して対物を変えたときの検出感度の絶
対値と視野内均一性を一様にするために、対物レンズを
介して被検査面と共役な位置に設けられたCCD等の撮
像素子の画素に応じて補正するときにも本発明は用いら
れる。In the embodiment of the present invention, the foreign matter inspection on the reticle surface has been mainly described, but not only in the foreign matter inspection on the pellicle surface, but also in the case of detecting the circuit pattern defect of the reticle or the mask. Applicable. Pattern defects such as a reticle are also detected with a plurality of sensitivities such as low and high. When performing high-sensitivity detection,
In the pattern defect inspection apparatus, a method of increasing the magnification of the objective lens can be considered. At this time, when detecting a defect that is small in proportion to the numerical aperture of the objective lens, the amount of light may be reduced, or the brightness may change in the field of view and the periphery of the field of view may become dark, so that sufficient foreign matter detection may not be possible. In such a case, in order to make the absolute value of the detection sensitivity and the uniformity within the visual field uniform when the objective is changed with respect to the reference pattern (for example, a pinhole defect intentionally created), an objective lens is used. The present invention is also used when performing correction according to the pixels of an image pickup device such as a CCD provided at a position conjugate with the surface to be inspected.
【0036】尚、光電変換器はフォトマルに限定されな
い。一般的に光電検出器としては、SPD(シリコンフ
ォトダイオード)等の固定素子とフォトマル(マォトマ
ルチプライヤー)等の光電管に大別される。SPDの場
合はSPD後段に設けられたプリアンプの電流電圧変換
率を変えることにより増幅度が変更できる。勿論本発明
の範囲としてSPDを用いてプリアンプの電流電圧変換
率を変えて増幅度を変更することも含まれる。The photoelectric converter is not limited to the photomultiplier. In general, photoelectric detectors are roughly classified into fixed elements such as SPDs (silicon photodiodes) and photoelectric tubes such as photomultipliers. In the case of SPD, the amplification degree can be changed by changing the current-voltage conversion rate of the preamplifier provided in the latter stage of SPD. Of course, the scope of the present invention also includes using the SPD to change the current-voltage conversion rate of the preamplifier to change the amplification degree.
【0037】また、例えば図1の装置構成でφ0.5μ
mのポリスチレン真球ビーズを検出する能力がある場
合、φ1μmポリスチレン真球ビーズが基準になるよう
に検出感度を落とすことは極めて容易である。しかし逆
にφ1μmポリスチレン真球ビーズが検出可能であるか
らと言って、まったく同じ構成でφ0.5μmポリスチ
レン真球ビーズも検出できるような検出感度を上げるこ
とは容易ではない。なぜならば被検査面がレチクルであ
る場合、レチクル上の回路パターンからの回折光が発生
することは避けることができないからである。すなわち
従来技術の項で既述したように、異物とパターンとを散
乱特性の差で区別するとは言ってもパターンの回折光は
複数の光電検出器のうち1つが光量ゼロなわけではな
く、少ないながらも受光されるため、光電検出器の増幅
度を上げるにともない、図2に反した基準電圧60(検
出したい値)以上となればAND回路37の入力がすべ
てデジタル“1”となって異物ありと誤って判定されて
しまうという問題があるからである。上記問題点解決の
ためには例えば特開昭63−285449に開示された
技術を用いることができる。特開昭63−285449
においてはペリクル付きレチクルのレチクル面とペリク
ル面とで入射ビーム径を変更可能な構成としているが、
1つの検査面(レチクル面またはペリクル面)におい
て、入射ビーム径を変更すれば検出感度は変えられる。
つまり被検査面上での入射ビームのビーム径が小さいほ
ど前記面上での単体面積あたりの光量、すなわち輝度が
大きくなるのでより小さい異物まで検出可能となるので
ある。Further, for example, in the device configuration of FIG.
When it is possible to detect m polystyrene true spherical beads, it is extremely easy to reduce the detection sensitivity so that φ1 μm polystyrene true spherical beads serve as a reference. However, conversely, just because φ1 μm polystyrene true spherical beads can be detected, it is not easy to increase the detection sensitivity such that φ0.5 μm polystyrene true spherical beads can be detected with the same configuration. This is because when the surface to be inspected is a reticle, it is unavoidable that diffracted light is generated from the circuit pattern on the reticle. That is, as already described in the section of the prior art, even though the foreign matter and the pattern are distinguished from each other by the difference in the scattering characteristic, the diffracted light of the pattern does not mean that one of the plurality of photoelectric detectors has a light amount of zero and is small. However, since the light is received, the input of the AND circuit 37 becomes all digital "1" if the reference voltage 60 (value to be detected) contrary to FIG. This is because there is a problem that it is erroneously determined to be true. To solve the above-mentioned problems, for example, the technique disclosed in JP-A-63-285449 can be used. JP-A-63-285449
In the above, the incident beam diameter can be changed between the reticle surface and the pellicle surface of the reticle with a pellicle.
The detection sensitivity can be changed by changing the incident beam diameter on one inspection surface (reticle surface or pellicle surface).
That is, as the beam diameter of the incident beam on the surface to be inspected is smaller, the amount of light per unit area on the surface, that is, the brightness is larger, so that smaller foreign matter can be detected.
【0038】異物検査装置はもともと小さい異物を検出
可能て能力を有していることを前提としているため、前
述の実施例では光電検出器以降の増幅度を切り換えるこ
とについて説明したが、感度変更手段として上記ビーム
径変更方法を用いてもよい。Since the foreign matter inspection apparatus is originally assumed to be capable of detecting a small foreign matter, it has been described in the above embodiment that the amplification degree after the photoelectric detector is switched. Alternatively, the beam diameter changing method may be used.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上の様に本発明によれば検出感度を切
りかえても、光電検出器の出力を正確に補正することが
でき被検査面内での感度均一性が保たれるので装置とし
ての信頼性が向上する。また、そのおのおのの感度にお
いて基準絶対信号量と被検査面内均一性とを保ことがで
きる。As described above, according to the present invention, even if the detection sensitivity is switched, the output of the photoelectric detector can be accurately corrected and the sensitivity uniformity in the surface to be inspected can be maintained. Improves reliability. In addition, the reference absolute signal amount and the in-plane uniformity of the inspected surface can be maintained for each sensitivity.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明の一実施例による異物検査装置の概略を
示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a foreign matter inspection device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1の装置の信号処理を示すブロック図であ
る。2 is a block diagram showing signal processing of the apparatus of FIG. 1. FIG.
【図3】印加電圧データ1倍の時のプリアンプ出力を感
度別に示す図である。FIG. 3 is a diagram showing preamplifier output for each sensitivity when the applied voltage data is 1 time.
【図4】印加電圧補正後のプリアンプ出力を感度別に示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing preamplifier output after correction of applied voltage for each sensitivity.
【図5】VCAデータを感度別に示す図である。FIG. 5 is a diagram showing VCA data by sensitivity.
【図6】補正後のVCA出力を感度別に示す図である。FIG. 6 is a diagram showing corrected VCA output for each sensitivity.
【符号の説明】 34、32、30…光電変換器 70、71、72…プリアンプ 73、74、75…VCA 80、81、82…比較器 85…AND回路 78…スキャナー制御器 79…VCAデータ記憶部 89…印加電圧記憶部 90…切替え制御器 92…入力手段[Explanation of reference numerals] 34, 32, 30 ... Photoelectric converters 70, 71, 72 ... Preamplifiers 73, 74, 75 ... VCA 80, 81, 82 ... Comparator 85 ... AND circuit 78 ... Scanner controller 79 ... VCA data storage Unit 89 ... Applied voltage storage unit 90 ... Switching controller 92 ... Input means
Claims (6)
被検査物の被検査領域からの光を受光し、受光光の強度
に応じた光電信号を出力する受光手段と、前記光電信号
の大きさと所定基準値とを比較することにより前記被検
査物上の異物を検出する異物検査装置において、 前記光電信号の大きさと前記所定基準値との相対的な関
係で定まる検出感度を少なくとも2種類有し、該検出感
度を選択する感度設定手段と;前記検出感度に応じて定
まる所定の定数データに基づいて前記光電信号の大きさ
を補正する補正手段と;前記所定の定数データを記憶す
る記憶手段と;前記感度設定手段による感度設定に同期
して、設定された前記検出感度に対応する前記定数デー
タを前記記憶部から読み出すデータ読みだし手段とを有
することを特徴とする異物検査装置。1. An irradiation unit for irradiating an object to be inspected with light, a light receiving unit for receiving light from an inspected region of the object to be inspected, and outputting a photoelectric signal according to the intensity of the received light, and the photoelectric device. In a foreign matter inspection device for detecting a foreign matter on the object to be inspected by comparing a signal magnitude and a predetermined reference value, at least a detection sensitivity determined by a relative relationship between the magnitude of the photoelectric signal and the predetermined reference value. Sensitivity setting means having two types and selecting the detection sensitivity; correction means for correcting the magnitude of the photoelectric signal based on predetermined constant data determined according to the detection sensitivity; and storing the predetermined constant data And a data reading unit that reads out the constant data corresponding to the set detection sensitivity from the storage unit in synchronization with the sensitivity setting by the sensitivity setting unit. Inspection equipment.
記異物の付着位置によらずに前記光電信号の大きさが一
定となるように、前記光電信号の大きさを補正するデー
タであることを特徴とする請求項1記載の異物検査装
置。2. The constant data is data for correcting the magnitude of the photoelectric signal so that the magnitude of the photoelectric signal is constant irrespective of the position where the foreign matter is attached in the inspection area. The foreign matter inspection device according to claim 1, wherein
前記定数データは夫々の光電信号の大きさが各検出感度
において等しくなるように調整するデータであることを
特徴とする請求項1記載の異物検査装置。3. The light receiving means comprises a plurality of light receiving means,
The foreign matter inspection apparatus according to claim 1, wherein the constant data is data for adjusting the magnitudes of photoelectric signals to be equal in each detection sensitivity.
を可変とすることを特徴とする請求項1記載の異物検査
装置。4. The foreign matter inspection apparatus according to claim 1, wherein the sensitivity setting means makes the magnitude of the photoelectric signal variable.
ることを特徴とする請求項1記載の異物検査装置。5. The foreign matter inspection apparatus according to claim 1, wherein the sensitivity setting means makes the reference value variable.
を集光する集光手段を有し、前記感度設定手段は前記集
光された光のスポットサイズを可変とすることを特徴と
する請求項1記載の異物検査装置。6. The irradiation means has a condensing means for condensing the light incident on the inspection object, and the sensitivity setting means makes the spot size of the condensed light variable. The foreign matter inspection device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291017A JPH06138046A (en) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | Foreign matter inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291017A JPH06138046A (en) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | Foreign matter inspection device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138046A true JPH06138046A (en) | 1994-05-20 |
Family
ID=17763381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4291017A Pending JPH06138046A (en) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | Foreign matter inspection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06138046A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008164497A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Horiba Ltd | Defect inspection equipment |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP4291017A patent/JPH06138046A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008164497A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Horiba Ltd | Defect inspection equipment |
| US7733476B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-06-08 | Horiba, Ltd. | Defect inspection apparatus and method |
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