JPH061370B2 - マスク欠陥検査装置 - Google Patents
マスク欠陥検査装置Info
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- JPH061370B2 JPH061370B2 JP22098083A JP22098083A JPH061370B2 JP H061370 B2 JPH061370 B2 JP H061370B2 JP 22098083 A JP22098083 A JP 22098083A JP 22098083 A JP22098083 A JP 22098083A JP H061370 B2 JPH061370 B2 JP H061370B2
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- mask
- pattern
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体集積回路の製作時に用いられるマスク
の欠陥の有無及びパターンの正否を検査するマスク欠陥
検査装置に関する。
の欠陥の有無及びパターンの正否を検査するマスク欠陥
検査装置に関する。
半導体集積回路の製造等において、パターン転写に供さ
れるフォトマスクにパターン断線等の欠陥が存在する
と、所望する半導体素子を得ることができず、歩留り低
下の要因となる。そこで従来、フォトマスクのパターン
欠陥を検査するマスク欠陥検査装置が用いられている。
この装置は、フォトマスクに光を照射してマスク上に形
成されているパターンに応じた光信号を検出し、該マス
クにパターンを形成する際に用いられた設計データ（例
えばＬＳＩのチップデータ）から得られる信号と上記検
出信号とを比較照合して、マスク上のパターン欠陥の有
無及びパターンの正否を判定するものである。
れるフォトマスクにパターン断線等の欠陥が存在する
と、所望する半導体素子を得ることができず、歩留り低
下の要因となる。そこで従来、フォトマスクのパターン
欠陥を検査するマスク欠陥検査装置が用いられている。
この装置は、フォトマスクに光を照射してマスク上に形
成されているパターンに応じた光信号を検出し、該マス
クにパターンを形成する際に用いられた設計データ（例
えばＬＳＩのチップデータ）から得られる信号と上記検
出信号とを比較照合して、マスク上のパターン欠陥の有
無及びパターンの正否を判定するものである。
ところで、上記の装置を用いてフォトマスクのパターン
を検査する際には、設計データに基づいてフォトマスク
にＬＳＩチップパターンの形成された領域について検査
が行われる。検査の終了したフォトマスクは修正が加え
られた後に、ステッパによりウェハ上のレジスト層に対
する転写露光に使用される。ところが、検査及び修正の
なされたフォトマスクのチップパターンを、半導体ウェ
ハ上に集積回路を構成するチップ単位でステッパにより
転写露光する場合、ここでもしチップパターンの周辺部
にピンホール等の欠陥が発生していると、隣のチップ領
域に周辺領域の欠陥が露光され、これにより欠損チップ
が発生する虞れがあった。
を検査する際には、設計データに基づいてフォトマスク
にＬＳＩチップパターンの形成された領域について検査
が行われる。検査の終了したフォトマスクは修正が加え
られた後に、ステッパによりウェハ上のレジスト層に対
する転写露光に使用される。ところが、検査及び修正の
なされたフォトマスクのチップパターンを、半導体ウェ
ハ上に集積回路を構成するチップ単位でステッパにより
転写露光する場合、ここでもしチップパターンの周辺部
にピンホール等の欠陥が発生していると、隣のチップ領
域に周辺領域の欠陥が露光され、これにより欠損チップ
が発生する虞れがあった。
これを解決するために、周辺領域を人間が顕微鏡により
目視検査することが考えられるが、このような方法でフ
ォトマスクの検査を行う場合、次のような問題を招い
た。すなわち、１つのマスクの検査を行なうにあたりパ
ターンの形成領域と該領域の周辺領域を各々検査してい
るので、検査工程のスループットが著しく低下する。ま
た、上記周辺領域の検査が目視検査であるため、パター
ンの形成領域の検査に比較してその検査精度が低下する
と共に、オペレータのミスによる欠陥の見逃しが発生す
る。さらに、パターン形成領域の検査と周辺領域の検査
との過程で新たな欠陥が発生する等の問題があった。
目視検査することが考えられるが、このような方法でフ
ォトマスクの検査を行う場合、次のような問題を招い
た。すなわち、１つのマスクの検査を行なうにあたりパ
ターンの形成領域と該領域の周辺領域を各々検査してい
るので、検査工程のスループットが著しく低下する。ま
た、上記周辺領域の検査が目視検査であるため、パター
ンの形成領域の検査に比較してその検査精度が低下する
と共に、オペレータのミスによる欠陥の見逃しが発生す
る。さらに、パターン形成領域の検査と周辺領域の検査
との過程で新たな欠陥が発生する等の問題があった。
本発明の目的は、パターン形成領域と該領域の周辺領域
との検査を同一工程で行うことができ、マスクに対する
信頼性の向上及び検査工程におけるスループットの向上
をはかり得るマスク欠陥検査装置を提供することにあ
る。
との検査を同一工程で行うことができ、マスクに対する
信頼性の向上及び検査工程におけるスループットの向上
をはかり得るマスク欠陥検査装置を提供することにあ
る。
本発明の骨子は、マスクの検査を行なうに際してマスク
にパターンを形成する際に用いられる設計データに、該
データによりパターンが形成された領域の周辺領域のデ
ータを付加したデータに基づいて走査信号を発生する基
準信号発生部を設け、上記設計データ及び周辺領域デー
タからなるデータを基にパターンが形成された領域と該
領域の周辺領域の検査を同時に行うことにある。
にパターンを形成する際に用いられる設計データに、該
データによりパターンが形成された領域の周辺領域のデ
ータを付加したデータに基づいて走査信号を発生する基
準信号発生部を設け、上記設計データ及び周辺領域デー
タからなるデータを基にパターンが形成された領域と該
領域の周辺領域の検査を同時に行うことにある。
すなわち本発明は、マスクの欠陥の有無及びパターンの
正否等を検査するマスク欠陥検査装置において、パター
ン転写に供されるマスクを載置しＸ方向及び該方向に略
直交するＹ方向に移動せられるテーブルと、このテーブ
ルの位置を測定する位置測定部と、上記テーブル上のマ
スクに光を照射する光照射部と、上記光の照射及びマス
ク上での光照射位置の移動により得られる上記マスク上
に形成された被検査パターン及び該パターンの周辺領域
に対応する走査信号を検出する信号検出部と、上記被検
査パターンの設計データ及び該パターン周辺部のデータ
を前記位置測定部による測定位置に対応させて得られる
基準信号を発生する基準信号発生部と、上記走査信号と
基準信号とを比較照合してマスク上の欠陥パターン部を
検出する判定部とを具備したもので、基準信号発生部
は、集積回路パターンの存在しない周辺領域に対応した
基準信号として、遮光部若しくは光透過部に対応した信
号を発生するものであることを特徴とする。
正否等を検査するマスク欠陥検査装置において、パター
ン転写に供されるマスクを載置しＸ方向及び該方向に略
直交するＹ方向に移動せられるテーブルと、このテーブ
ルの位置を測定する位置測定部と、上記テーブル上のマ
スクに光を照射する光照射部と、上記光の照射及びマス
ク上での光照射位置の移動により得られる上記マスク上
に形成された被検査パターン及び該パターンの周辺領域
に対応する走査信号を検出する信号検出部と、上記被検
査パターンの設計データ及び該パターン周辺部のデータ
を前記位置測定部による測定位置に対応させて得られる
基準信号を発生する基準信号発生部と、上記走査信号と
基準信号とを比較照合してマスク上の欠陥パターン部を
検出する判定部とを具備したもので、基準信号発生部
は、集積回路パターンの存在しない周辺領域に対応した
基準信号として、遮光部若しくは光透過部に対応した信
号を発生するものであることを特徴とする。
本発明によれば、１枚のフォトマスクを検査するに際し
て設計データに基づいてパターンの形成された領域と該
領域の周辺領域の検査を１つの工程で行うことができる
ので、検査工程のスループット向上をはかり得る。しか
も、従来の２つの検査の間に発生するホコリ・ゴミの付
着を防止することができる。また、人間が行うべき周辺
領域の目視検査を省くことにより検査の自動化を行なう
ことができ、更に１枚のマスクにおける欠陥の検出精度
を統一することができる、そして、上記周辺領域に存在
する欠陥について見逃しが皆無となり、以上の結果とし
て検査のスループットの向上及びフォトマスクに対する
信頼性の向上をはかり得る。
て設計データに基づいてパターンの形成された領域と該
領域の周辺領域の検査を１つの工程で行うことができる
ので、検査工程のスループット向上をはかり得る。しか
も、従来の２つの検査の間に発生するホコリ・ゴミの付
着を防止することができる。また、人間が行うべき周辺
領域の目視検査を省くことにより検査の自動化を行なう
ことができ、更に１枚のマスクにおける欠陥の検出精度
を統一することができる、そして、上記周辺領域に存在
する欠陥について見逃しが皆無となり、以上の結果とし
て検査のスループットの向上及びフォトマスクに対する
信頼性の向上をはかり得る。
第１図(a)は設計データ（例えばチップデータ）に応じ
たパターンを示す平面図、同図(b)は欠陥の存在する実
際の被検査パターンを示す平面図であり、図中１は正規
のパターン、２は白系欠陥、３は黒系欠陥を示してい
る。
たパターンを示す平面図、同図(b)は欠陥の存在する実
際の被検査パターンを示す平面図であり、図中１は正規
のパターン、２は白系欠陥、３は黒系欠陥を示してい
る。
第２図は本発明の一実施例に係わるマスク欠陥検査装置
の概略構成を示すブロック図である。図中１１はガラス
基板上にクロム薄膜パターンを形成したフォトマスク１
２を載置する試料台であり、この試料台１１は計算機１
３から指令を受けたステージ駆動制御部１４によりＸ方
向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動
されるものとなっている。そして、試料台１１の移動位
置は、例えばレーザ干渉計からなるステージ位置測定部
１５により測定されるものとなっている。
の概略構成を示すブロック図である。図中１１はガラス
基板上にクロム薄膜パターンを形成したフォトマスク１
２を載置する試料台であり、この試料台１１は計算機１
３から指令を受けたステージ駆動制御部１４によりＸ方
向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動
されるものとなっている。そして、試料台１１の移動位
置は、例えばレーザ干渉計からなるステージ位置測定部
１５により測定されるものとなっている。
一方、試料台１１の上方には、光源（光照射部）１６が
配置されている。光源１６からの光は、試料台１１上に
載置されるフォトマスク１２上にスポット照射され、そ
の透過光が信号検出部１７の受光面に照射される。この
信号検出部１７は、例えば複数の光センサを一方向に配
列してなるものである。ここで、上記光照射と共に試料
台１１を連続移動させることにより、信号検出部１７で
はフォトマスク１２の被検査パターン及び該パターンの
周辺領域に対応した走査信号（第１の走査信号）が検出
される。そして、この検出走査信号は、基準信号発生部
１８により発生される基準走査信号（第２の走査信号）
と共に、欠陥判定部１９に供給されるものとなってい
る。
配置されている。光源１６からの光は、試料台１１上に
載置されるフォトマスク１２上にスポット照射され、そ
の透過光が信号検出部１７の受光面に照射される。この
信号検出部１７は、例えば複数の光センサを一方向に配
列してなるものである。ここで、上記光照射と共に試料
台１１を連続移動させることにより、信号検出部１７で
はフォトマスク１２の被検査パターン及び該パターンの
周辺領域に対応した走査信号（第１の走査信号）が検出
される。そして、この検出走査信号は、基準信号発生部
１８により発生される基準走査信号（第２の走査信号）
と共に、欠陥判定部１９に供給されるものとなってい
る。
ここで、基準信号発生部１８は第３図に示す如く設計デ
ータバッファ３１、第１バッファ３２、第２バッファ３
３、第３バッファ３４、第４バッファ３５、付加データ
指定バッファ３６、データ展開部３７及びドットデータ
バッファ３８等から構成されている。また、前記計算機
１３から送信される設計データは第４図(a)に示す領域
４１に対応しており、同図(b)は基準信号発生部１８に
おいてデータの付加される領域４２を示しており、同図
(c)は本装置により検査される領域４３を示している。
そして、検査に際しては上記領域４３を仮想的に短冊状
に分割した第５図に示す如き領域（以下フレームと呼称
する）毎にテーブルを連続移動させて検査を行なうもの
となっている。
ータバッファ３１、第１バッファ３２、第２バッファ３
３、第３バッファ３４、第４バッファ３５、付加データ
指定バッファ３６、データ展開部３７及びドットデータ
バッファ３８等から構成されている。また、前記計算機
１３から送信される設計データは第４図(a)に示す領域
４１に対応しており、同図(b)は基準信号発生部１８に
おいてデータの付加される領域４２を示しており、同図
(c)は本装置により検査される領域４３を示している。
そして、検査に際しては上記領域４３を仮想的に短冊状
に分割した第５図に示す如き領域（以下フレームと呼称
する）毎にテーブルを連続移動させて検査を行なうもの
となっている。
つまり、基準信号発生部１８においてはフレーム単位で
の検査に際して前記計算機１３から送出される設計デー
タを一時的に設計データバッファ３１に記憶させ、この
データがデータ展開部３７へ送出される。データ展開部
３７では第１バッファ３２に設定される検査開始位置、
第２バッファ３２に設定される検査終了位置、第３バッ
ファ３４に設定される設計データ開始位置、第４バッフ
ァ３５に設定される設計データ終了位置を基に、第６図
に示す如く検査開始位置と設計データ開始位置との間の
領域については付加データ指定バッファ３６の指定に基
づいて“０”（黒）データまたは“１”（白）データが
発生され、設計データ終了位置と検査終了位置の間の領
域についても同様に“０”データまたは“１”データが
発生される。さらに、設計データ開始位置と設計データ
終了位置の間の領域については、上記設計データバッフ
ァ３１から送出される設計データに基づいてデータが展
開されてドットデータに変換され、ドットデータバッフ
ァ３８を介して欠陥判定部１９に送出されるものとなっ
ている。
の検査に際して前記計算機１３から送出される設計デー
タを一時的に設計データバッファ３１に記憶させ、この
データがデータ展開部３７へ送出される。データ展開部
３７では第１バッファ３２に設定される検査開始位置、
第２バッファ３２に設定される検査終了位置、第３バッ
ファ３４に設定される設計データ開始位置、第４バッフ
ァ３５に設定される設計データ終了位置を基に、第６図
に示す如く検査開始位置と設計データ開始位置との間の
領域については付加データ指定バッファ３６の指定に基
づいて“０”（黒）データまたは“１”（白）データが
発生され、設計データ終了位置と検査終了位置の間の領
域についても同様に“０”データまたは“１”データが
発生される。さらに、設計データ開始位置と設計データ
終了位置の間の領域については、上記設計データバッフ
ァ３１から送出される設計データに基づいてデータが展
開されてドットデータに変換され、ドットデータバッフ
ァ３８を介して欠陥判定部１９に送出されるものとなっ
ている。
なお、上記の説明から判るように、第４図(b)に示す領
域４２よりも更に外側の領域の検査は行わないが、この
領域は転写時にフォトマスク１２を支持する支持部材等
により隠れるので、検査する必要がないのである。
域４２よりも更に外側の領域の検査は行わないが、この
領域は転写時にフォトマスク１２を支持する支持部材等
により隠れるので、検査する必要がないのである。
第７図は基準信号発生部１８で発生されるドットデータ
の一例を示す図であり、同図(a)が計算機１３から送出
される設計データを示す概念図、同図(b)が基準信号発
生部１８で発生されるデータの概念図であり、同図(c)
はそれに対応したマスクパターンを示す図である。ま
た、フレーム検査において設計データの存在しないフレ
ームについては、前記基準信号発生部１８の第４バッフ
ァ３５に設定される設計データ終了位置を第３データバ
ッファ３４に設定される設計データ開始位置と同じにす
ることにより、該フレームの基準走査信号（第２の走査
信号）は全て“１”若しくは“０”の付加データとなる
ものとなっている。
の一例を示す図であり、同図(a)が計算機１３から送出
される設計データを示す概念図、同図(b)が基準信号発
生部１８で発生されるデータの概念図であり、同図(c)
はそれに対応したマスクパターンを示す図である。ま
た、フレーム検査において設計データの存在しないフレ
ームについては、前記基準信号発生部１８の第４バッフ
ァ３５に設定される設計データ終了位置を第３データバ
ッファ３４に設定される設計データ開始位置と同じにす
ることにより、該フレームの基準走査信号（第２の走査
信号）は全て“１”若しくは“０”の付加データとなる
ものとなっている。
かくして、本実施例によれば、基準信号発生部１８から
発生される基準走査信号（第２の走査信号）と、信号検
出部１７で得られるフォトマスク１２に形成されたパタ
ーン及び該パターン周辺領域に対応する処の検出走査信
号（第１の走査信号）とを欠陥判定部１９においてテー
ブル１１の位置に同期させて双方の信号を順次比較照合
することにより、マスク１２に形成されたパターンの欠
陥検査及び該パターン周辺領域の検査を同時に行なうこ
とができる。本実施例の装置を用いることにより、周辺
領域を目視検査する方法に比べると、検査に要する時間
を1/3以下に短縮することができ、このため検査スルー
プットの向上をはかり得ると共に、パターン周辺領域の
検査精度をも充分高めることができた。つまり、本発明
はフォトマスク１２に対する信頼性を向上させると共
に、検査時間を大幅に短縮し得る等の利点がある。
発生される基準走査信号（第２の走査信号）と、信号検
出部１７で得られるフォトマスク１２に形成されたパタ
ーン及び該パターン周辺領域に対応する処の検出走査信
号（第１の走査信号）とを欠陥判定部１９においてテー
ブル１１の位置に同期させて双方の信号を順次比較照合
することにより、マスク１２に形成されたパターンの欠
陥検査及び該パターン周辺領域の検査を同時に行なうこ
とができる。本実施例の装置を用いることにより、周辺
領域を目視検査する方法に比べると、検査に要する時間
を1/3以下に短縮することができ、このため検査スルー
プットの向上をはかり得ると共に、パターン周辺領域の
検査精度をも充分高めることができた。つまり、本発明
はフォトマスク１２に対する信頼性を向上させると共
に、検査時間を大幅に短縮し得る等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記周辺領域に対応する付加
データを付加する手段としては、設計データそのものに
計算機によりデータを付加するようにしてもよい。これ
は、基準データ（第２の走査信号）をソフト的に設計デ
ータ＋周辺部データとすることに他ならないが、この場
合基準データ自体が増大し、さらにマスクが代わる毎に
基準データを代える必要があり、その信号処理等が煩雑
になるが、フォトマスクに対する信頼性の向上及び検査
時間の短縮と云う点では十分な効果が得られる。また、
フォトマスクの透過光を検出する代りに、フォトマスク
からの反射光を検出して適用できるのも勿論のことであ
る。さらに、フォトマスクに限らず、Ｘ線マスクや電子
線マスク等に適用できるのも勿論のことである。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記周辺領域に対応する付加
データを付加する手段としては、設計データそのものに
計算機によりデータを付加するようにしてもよい。これ
は、基準データ（第２の走査信号）をソフト的に設計デ
ータ＋周辺部データとすることに他ならないが、この場
合基準データ自体が増大し、さらにマスクが代わる毎に
基準データを代える必要があり、その信号処理等が煩雑
になるが、フォトマスクに対する信頼性の向上及び検査
時間の短縮と云う点では十分な効果が得られる。また、
フォトマスクの透過光を検出する代りに、フォトマスク
からの反射光を検出して適用できるのも勿論のことであ
る。さらに、フォトマスクに限らず、Ｘ線マスクや電子
線マスク等に適用できるのも勿論のことである。
第１図(a)は設計データに対応したパターンを示す平面
図、同図(b)はフォトマスク上の種々の欠陥の存在する
被検査パターンを示す平面図、第２図は本発明の一実施
例に係わるマスク欠陥検査装置の概略構成を示すブロッ
ク図、第３図は上記装置の要部構成を具体化して示すブ
ロック図、第４図(a)は設計データに対応した領域を示
すマスク平面図、同図(b)は検査を行なう設計データの
周辺領域を示すマスク平面図、同図(c)は本装置により
検査される領域を示すマスク平面図、第５図はフレーム
単位での設計データ領域と付加データ領域を示す平面
図、第６図は比較される走査信号の概略を説明するため
の模式図、第７図(a)は設計データの一例を示す図、同
図(b)は周辺データが付加された第２の走査信号の一例
を示す図、同図(c)は信号検出部で得る第１の走査信号
に対応したフォトマスクのパターンの一例を示す図であ
る。 １…正規のパターン、２…白系欠陥、３…黒系欠陥、１
１…試料台、１２…フォトマスク、１３…計算機、１４
…ステージ駆動制御部、１５…ステージ位置測定部、１
６…光源、１７…信号検出部、１８…基準信号発生部、
１９…欠陥判定部、３１…設計データバッファ、３２…
第１バッファ、３３…第２バッファ、３４……第３バッ
ファ、３５…第４バッファ、３６…付加データ指定バッ
ファ、３７…データ展開部、３８…ドットデータバッフ
ァ、４１…設計データ領域、４２…付加データ領域、４
３…検査領域。
図、同図(b)はフォトマスク上の種々の欠陥の存在する
被検査パターンを示す平面図、第２図は本発明の一実施
例に係わるマスク欠陥検査装置の概略構成を示すブロッ
ク図、第３図は上記装置の要部構成を具体化して示すブ
ロック図、第４図(a)は設計データに対応した領域を示
すマスク平面図、同図(b)は検査を行なう設計データの
周辺領域を示すマスク平面図、同図(c)は本装置により
検査される領域を示すマスク平面図、第５図はフレーム
単位での設計データ領域と付加データ領域を示す平面
図、第６図は比較される走査信号の概略を説明するため
の模式図、第７図(a)は設計データの一例を示す図、同
図(b)は周辺データが付加された第２の走査信号の一例
を示す図、同図(c)は信号検出部で得る第１の走査信号
に対応したフォトマスクのパターンの一例を示す図であ
る。 １…正規のパターン、２…白系欠陥、３…黒系欠陥、１
１…試料台、１２…フォトマスク、１３…計算機、１４
…ステージ駆動制御部、１５…ステージ位置測定部、１
６…光源、１７…信号検出部、１８…基準信号発生部、
１９…欠陥判定部、３１…設計データバッファ、３２…
第１バッファ、３３…第２バッファ、３４……第３バッ
ファ、３５…第４バッファ、３６…付加データ指定バッ
ファ、３７…データ展開部、３８…ドットデータバッフ
ァ、４１…設計データ領域、４２…付加データ領域、４
３…検査領域。
Claims (3)
- 【請求項１】集積回路のパターンの転写に供されるマス
クを載置しＸ方向及び該方向に略直交するＹ方向に移動
せられるテーブルと、このテーブルの移動位置を測定す
る位置測定部と、上記テーブル上のマスクに光を照射す
る光照射部と、上記光の照射及びマスク上での光照射位
置の移動により得られる上記マスク上の集積回路パター
ン形成領域及び該パターン形成領域の周辺の集積回路パ
ターンの存在しない領域に対応する走査信号を発生する
信号検出部と、上記集積回路パターン形成領域の設計デ
ータ及び集積回路パターンの存在しない周辺領域のデー
タを前記位置測定部による測定位置に対応させて基準信
号を発生する基準信号発生部と、上記走査信号と基準信
号とを比較照合してマスク上の欠陥パターン部を検出す
る欠陥判定部とを具備し、前記基準信号発生部は、前記
集積回路パターンの存在しない周辺領域に対応した基準
信号として、遮光部若しくは光透過部に対応した信号を
発生するものであることを特徴とするマスク欠陥検査装
置。 - 【請求項２】前記信号検出部は、複数の光センサを一方
向に配列してなるものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のマスク欠陥検査装置。 - 【請求項３】前記基準信号発生部は、前記マスクにパタ
ーンを形成する際に用いられる設計データを記憶する設
計データバッファ、検査開始位置と検査終了位置及び設
計データ開始位置と設計データ終了位置をそれぞれ設定
せられる第１乃至第４バッファ、上記設計データの付加
が“１”データか“０”データかを指定する付加データ
指定バッファ、上記の各設定された値に基づいて上記設
計データ及び該領域の周辺領域のデータをドットデータ
に展開するデータ展開部、この展開されたドットデータ
を一時的に保持するドットデータバッファからなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマ
スク欠陥検査装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22098083A JPH061370B2 (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | マスク欠陥検査装置 |
| EP84308134A EP0143004B1 (en) | 1983-11-24 | 1984-11-23 | Apparatus for inspecting mask used for manufacturing integrated circuits |
| DE8484308134T DE3485684D1 (de) | 1983-11-24 | 1984-11-23 | Vorrichtung fuer die kontrolle von masken fuer die herstellung von integrierten schaltungen. |
| US06/674,652 US4623256A (en) | 1983-11-24 | 1984-11-26 | Apparatus for inspecting mask used for manufacturing integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22098083A JPH061370B2 (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | マスク欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113426A JPS60113426A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH061370B2 true JPH061370B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16759577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22098083A Expired - Lifetime JPH061370B2 (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | マスク欠陥検査装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4623256A (ja) |
| EP (1) | EP0143004B1 (ja) |
| JP (1) | JPH061370B2 (ja) |
| DE (1) | DE3485684D1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2152658A (en) * | 1984-01-09 | 1985-08-07 | Philips Electronic Associated | Object sorting system |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0143004A3 (en) | 1987-12-16 |
| DE3485684D1 (de) | 1992-06-04 |
| EP0143004A2 (en) | 1985-05-29 |
| JPS60113426A (ja) | 1985-06-19 |
| EP0143004B1 (en) | 1992-04-29 |
| US4623256A (en) | 1986-11-18 |
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