JPH0613461A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0613461A JPH0613461A JP4167657A JP16765792A JPH0613461A JP H0613461 A JPH0613461 A JP H0613461A JP 4167657 A JP4167657 A JP 4167657A JP 16765792 A JP16765792 A JP 16765792A JP H0613461 A JPH0613461 A JP H0613461A
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- photoelectric conversion
- passivation film
- conversion device
- forming
- junction
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光電変換素子の高効率化を図る。
【構成】 Ｐ型シリコン基板１から個々の素子を分割す
るためのスクライブ溝８の形成工程を、Ｎ型半導体層２
の形成によるＰＮ接合形成の後で、かつ表面パッシベー
ション膜３形成工程の前に行なう。
るためのスクライブ溝８の形成工程を、Ｎ型半導体層２
の形成によるＰＮ接合形成の後で、かつ表面パッシベー
ション膜３形成工程の前に行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換装置の製造方
法の改良に関するもので、その素子の高効率化を図るも
のである。
法の改良に関するもので、その素子の高効率化を図るも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、小面積のたとえば、４ｃｍ×６
ｃｍ、２ｃｍ×２ｃｍといった大きさの光電変換装置、
たとえば、太陽電池の製造においては、その取扱いのし
やすさから、たとえば、図２（ａ）および（ｂ）に示す
ように、１枚の面積の大きいシリコン基板の上に幾つか
の太陽電池を同時に作り込み、最後にこれを切り出して
２個あるいは９個のような複数の太陽電池を取出すとい
う手法が取られている。
ｃｍ、２ｃｍ×２ｃｍといった大きさの光電変換装置、
たとえば、太陽電池の製造においては、その取扱いのし
やすさから、たとえば、図２（ａ）および（ｂ）に示す
ように、１枚の面積の大きいシリコン基板の上に幾つか
の太陽電池を同時に作り込み、最後にこれを切り出して
２個あるいは９個のような複数の太陽電池を取出すとい
う手法が取られている。
【０００３】上記太陽電池の製造方法の各工程はたとえ
ば、図３（ａ）〜（ｇ）に示される。
ば、図３（ａ）〜（ｇ）に示される。
【０００４】まず、図３（ａ）に示すように、Ｐ型シリ
コン基板１の全面にリンなどを拡散してＮ型半導体層２
を形成する。
コン基板１の全面にリンなどを拡散してＮ型半導体層２
を形成する。
【０００５】次に、同図（ｂ）に示すように、Ｎ型半導
体層２を形成したＰ型シリコン基板１の全面にたとえば
ＳｉＯ2 によるパッシベーション膜３を形成する。その
後、基板の表面側に窒化膜よりなる反射防止膜４を形成
する。
体層２を形成したＰ型シリコン基板１の全面にたとえば
ＳｉＯ2 によるパッシベーション膜３を形成する。その
後、基板の表面側に窒化膜よりなる反射防止膜４を形成
する。
【０００６】次に、同図（ｃ）に示すように、基板の裏
面にＡｌなどを拡散してＢＳＦ層５を形成する。
面にＡｌなどを拡散してＢＳＦ層５を形成する。
【０００７】その後、同図（ｄ）に示すように、表電極
形成部の反射防止膜４およびパッシベーション膜３をパ
ターンエッチングする。
形成部の反射防止膜４およびパッシベーション膜３をパ
ターンエッチングする。
【０００８】次に、同図（ｅ）に示すように、表電極６
および裏電極７を金属蒸着法により形成する。
および裏電極７を金属蒸着法により形成する。
【０００９】次に、同図（ｆ）に示すように、各素子の
境界部にダイサによりスクライブ溝８，８，８を掘る。
その後、溝に従って分割し、個々の素子として完成させ
たのが同図（ｇ）に示される。
境界部にダイサによりスクライブ溝８，８，８を掘る。
その後、溝に従って分割し、個々の素子として完成させ
たのが同図（ｇ）に示される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法による素子においては、以下に述べる問題点を
有している。
製造方法による素子においては、以下に述べる問題点を
有している。
【００１１】各素子の分割は最終工程となるため、図３
（ｇ）に示される素子の側部のＰＮ接合部９は、パッシ
ベーション膜で覆われておらず、このため、この部分で
漏れ電流が生じ、素子特性において、開放電圧を低下さ
せ、ひいては光電変換効率の低下を招いている。
（ｇ）に示される素子の側部のＰＮ接合部９は、パッシ
ベーション膜で覆われておらず、このため、この部分で
漏れ電流が生じ、素子特性において、開放電圧を低下さ
せ、ひいては光電変換効率の低下を招いている。
【００１２】本発明の目的は、光電変換素子を製造する
とき、素子の側部のＰＮ接合部にパッシベーション膜を
形成し、光電変換素子の特性を向上させ高効率化を図る
ことにある。
とき、素子の側部のＰＮ接合部にパッシベーション膜を
形成し、光電変換素子の特性を向上させ高効率化を図る
ことにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換装置の
製造方法においては、素子を分割するためのスクライブ
溝の形成工程を、ＰＮ接合形成工程の後で、かつ、パッ
シベーション膜形成工程の前に行なう。
製造方法においては、素子を分割するためのスクライブ
溝の形成工程を、ＰＮ接合形成工程の後で、かつ、パッ
シベーション膜形成工程の前に行なう。
【００１４】
【作用】素子を分割するためのスクライブ溝の形成工程
を、ＰＮ接合形成工程の後で、かつ、パッシベーション
膜形成工程の前に行なうことによって、素子の側部のＰ
Ｎ接合部にパッシベーション膜を形成することができ、
素子特性の向上を図ることができる。
を、ＰＮ接合形成工程の後で、かつ、パッシベーション
膜形成工程の前に行なうことによって、素子の側部のＰ
Ｎ接合部にパッシベーション膜を形成することができ、
素子特性の向上を図ることができる。
【００１５】
【実施例】図１（ａ）〜（ｇ）は本発明による太陽電池
の製造方法の各工程の略断面図である。
の製造方法の各工程の略断面図である。
【００１６】まず、図１（ａ）に示すように、Ｐ型シリ
コン基板１の全面にリンなどを拡散し、Ｎ型半導体層２
を形成する。これは図３（ａ）と同様である。
コン基板１の全面にリンなどを拡散し、Ｎ型半導体層２
を形成する。これは図３（ａ）と同様である。
【００１７】次に、同図（ｂ）に示すように、Ｐ型シリ
コン基板１の表面の素子境界部となるところに、ダイサ
により基板底部より２００μｍのところまでスクライブ
溝８，８，８を掘る。
コン基板１の表面の素子境界部となるところに、ダイサ
により基板底部より２００μｍのところまでスクライブ
溝８，８，８を掘る。
【００１８】次に、同図（ｃ）に示すように、Ｎ型半導
体層２を形成したＰ型シリコン基板１の全面に、ＳｉＯ
2 よりなるパッシベーション膜３を形成する。その後、
基板の表面側に窒化膜よりなる反射防止膜４を形成す
る。
体層２を形成したＰ型シリコン基板１の全面に、ＳｉＯ
2 よりなるパッシベーション膜３を形成する。その後、
基板の表面側に窒化膜よりなる反射防止膜４を形成す
る。
【００１９】次に、同図（ｄ）に示すように、Ｐ型シリ
コン基板１の裏面にＡｌなどを拡散してＢＳＦ層５を形
成する。
コン基板１の裏面にＡｌなどを拡散してＢＳＦ層５を形
成する。
【００２０】その後、同図（ｅ）に示すように、表電極
形成部の反射防止膜４およびパッシベーション膜３をパ
ターンエッチングする。
形成部の反射防止膜４およびパッシベーション膜３をパ
ターンエッチングする。
【００２１】次に、同図（ｆ）に示すように、表電極６
および裏電極７を金属蒸着法により形成する。
および裏電極７を金属蒸着法により形成する。
【００２２】最後に、スクライブ溝８に従って分割し、
個々の素子として完成させたのが同図（ｇ）に示され
る。
個々の素子として完成させたのが同図（ｇ）に示され
る。
【００２３】図１（ｇ）に示されるように、ＰＮ接合部
９は、パッシベーション膜３によって覆われており、従
来例に比べ、漏れ電流を生じなくなり、したがって、開
放電圧が向上し、光電変換効率が向上する。
９は、パッシベーション膜３によって覆われており、従
来例に比べ、漏れ電流を生じなくなり、したがって、開
放電圧が向上し、光電変換効率が向上する。
【００２４】また、上記の本発明の製造方法において
は、従来例におけるダイサによるスクライブ溝８形成の
工程を、ＰＮ接合形成工程とパッシベーション膜形成工
程の間に移すだけで、何ら工程の複雑化を招くものでは
ない。
は、従来例におけるダイサによるスクライブ溝８形成の
工程を、ＰＮ接合形成工程とパッシベーション膜形成工
程の間に移すだけで、何ら工程の複雑化を招くものでは
ない。
【００２５】以上は１枚の基板から複数の素子を分割し
て取出す場合について述べたが、大きい面積の丸い基板
から四角い素子を１個取出す場合にも、素子の周辺のス
クライブ溝をＰＮ接合工程の後で、かつ、パッシベーシ
ョン膜形成工程の前に行なうことにより、光電変換効率
の向上を図ることができる。
て取出す場合について述べたが、大きい面積の丸い基板
から四角い素子を１個取出す場合にも、素子の周辺のス
クライブ溝をＰＮ接合工程の後で、かつ、パッシベーシ
ョン膜形成工程の前に行なうことにより、光電変換効率
の向上を図ることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、工程の順番を入れ替え
るだけで、何ら工程の複雑化を招くことはない。また、
基板側部のＰＮ接合部にパッシベーション膜を設けるこ
とにより、漏れ電流の発生を抑え、光電変換効率を向上
することができる。
るだけで、何ら工程の複雑化を招くことはない。また、
基板側部のＰＮ接合部にパッシベーション膜を設けるこ
とにより、漏れ電流の発生を抑え、光電変換効率を向上
することができる。
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明による各工程の略断
面図である。
面図である。
【図２】１枚の基板から複数の素子を取出す説明図であ
る。
る。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ従来の製造方法の
各工程の略断面図である。
各工程の略断面図である。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ型半導体層 ３ パッシベーション膜 ４ 反射防止膜 ５ ＢＳＦ層 ６ 表電極 ７ 裏電極 ８ スクライブ溝 ９ ＰＮ接合部
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも１個の光電変換装置が形成さ
れた大きい面積の半導体基板から、小さい面積の光電変
換装置を取出すためのスクライブ溝の形成工程を、ＰＮ
接合形成工程の後で、かつ表面パッシベーション膜形成
工程の前に行なうことを特徴とする光電変換装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4167657A JPH0613461A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4167657A JPH0613461A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613461A true JPH0613461A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15853823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4167657A Withdrawn JPH0613461A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613461A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323617A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Kawai Optical Co Ltd | 光ファイバー用フィルターの製造方法 |
| JP2012060080A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Ulvac Japan Ltd | 結晶太陽電池及びその製造方法 |
| JP2022536034A (ja) * | 2019-06-04 | 2022-08-12 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 太陽電池用基板、太陽電池、および太陽電池の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP4167657A patent/JPH0613461A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323617A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Kawai Optical Co Ltd | 光ファイバー用フィルターの製造方法 |
| JP2012060080A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Ulvac Japan Ltd | 結晶太陽電池及びその製造方法 |
| JP2022536034A (ja) * | 2019-06-04 | 2022-08-12 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 太陽電池用基板、太陽電池、および太陽電池の製造方法 |
| US12062733B2 (en) | 2019-06-04 | 2024-08-13 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Substrate for solar cell, solar cell, and solar cell manufacturing method |
| JP2024152934A (ja) * | 2019-06-04 | 2024-10-25 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 太陽電池および太陽電池用基板 |
| US12446351B2 (en) | 2019-06-04 | 2025-10-14 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Substrate for solar cell, solar cell, and solar cell manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |