JPH0612678A

JPH0612678A - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JPH0612678A
Application number: JP4167705A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Takahashi; 義孝高橋
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-06-25
Filing date: 1992-06-25
Publication date: 1994-01-21

Abstract

(57)【要約】【目的】情報記録媒体に対して光束を適正な状態で入
射可能にする。【構成】半導体レーザ１から出射されたレーザビーム
Ｌを、コリメートレンズ２で平行光束にし、この平行光
束をビーム整形プリズム３で断面円形とした後、対物レ
ンズ５で光ディスクＤ上に光スポットとして照射させる
光ピックアップ装置において、前記コリメートレンズ２
をレンズ光軸方向にレンズアクチュエータである電磁コ
イル13によって移動させ、コリメートレンズ２の位置補
正をし、光ディスクＤ上の光スポットを予め定められた
設定状態に維持させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク，光磁気デ
ィスク等の情報記録媒体上に光スポットを照射させて情
報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピックアップ装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図12は従来の光ピックアップ装置におけ
る光学系の一例の構成図であり、１は半導体レーザ(Ｌ
Ｄ)、２はＬＤ１から出射したレーザビームＬを平行光
束にするコリメートレンズ(ＣＬ)、３はＣＬ２からの平
行光束を略円形にするビーム整形プリズム、４はビーム
スプリッタ(ＢＳ)、５はＢＳ４を通過した平行光束を、
公知のように情報の記録，再生，消去のために、光ディ
スクＤ上に光スポットとして集束させる対物レンズ、６
は光ディスクＤ及びＢＳ４で反射された反射光Ｒを集光
する集光レンズ、７は検光子８を介して前記反射光Ｒを
受光して、公知のように各種信号を検出するための受光
素子(ＰＤ)である。

【０００３】ところでＬＤ１から出射するレーザビーム
Ｌは、図13に示したように、出射角が縦横方向で異な
り、ＣＬ２により平行光束とされた後の断面形状が楕円
をしている。この断面楕円の平行光束を前記対物レンズ
で光ディスク上に絞り込むと、その光スポット形状も楕
円となる。

【０００４】そして光スポットの長軸が情報トラック方
向にある時にはジッタの悪化となり、また前記長軸が情
報トラックに対して直交する方向にある時には隣りの情
報トラックからクロストークが発生することになる。

【０００５】そこで上記の問題を解決するためビーム整
形が一般的には行われている。

【０００６】上記の例では、ＣＬ２を出射した断面楕円
の平行光束をビーム整形プリズム３で屈折させ、断面円
形の平行光束にしている。

【０００７】ビーム整形の原理を図14に基づいて説明す
る。すなわち、幅Ｄ_iの光束は、ビーム整形プリズム３
で屈折され、幅Ｄ₀の光束となる。ビーム整形プリズム
３への入射角をθ_iとし、出射角をθ₀とすれば、ビーム
整形の倍率Ｋは、

【０００８】

【数１】Ｋ＝Ｄ₀／Ｄ_i ＝ cosθ₀／cosθ_i となる。この倍率Ｋを光束の縦横において断面形状が円
形になるように設定する。

【０００９】図15は従来の光ピックアップ装置における
光学系の他の例の構成図であり、ビーム整形プリズムを
示していない以外は、図12の例と構成，作用が同一であ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
て、ＬＤは、周囲温度，発光出力の変化により、発光時
の波長が変化するため、図16に示したように、ビーム整
形プリズムにおいて光束の屈折角θ₀が変化θ′するこ
とになる。その結果、図12の光学系では、対物レンズ５
への平行光束の入射角が変化して収差が発生し、ジッタ
の悪化を招く。また光ディスクＤからの反射光Ｒの角度
も変化し、このためＰＤ７への光束の入射位置が変化し
てしまい。検出信号にオフセットが生じる。

【００１１】さらに図12，図15に示した光学系におい
て、ＬＤ１と、ＣＬ２との位置関係が、温度変化，経時
変化等によって変化しても信号検出に悪影響を与える。

【００１２】すなわち図17(a)に示したように、ＬＤ１
とＣＬ２とが設定位置から光軸方向(矢印Ａ方向)にずれ
た場合、ＣＬ２を出射した光束は、平行光束とならず、
集束あるいは発散する。その結果、対物レンズ５によっ
て集光した光スポットに球面収差が発生し、発光スポッ
トが十分絞れなくなったり、ＰＤ７への光束の入射位置
が変化してしまい。検出信号にオフセットが生じる。

【００１３】図17(b)に示したように、ＬＤ１とＣＬ２
とが設定位置から光軸に対して直交する方向(矢印Ｂ方
向)にずれた場合、ＣＬ２を出射した光束は、ＣＬ２の
光軸に対して傾きをもち、対物レンズ５に斜めに入射す
ることになる。その結果、対物レンズ５によって集束し
た光スポットにコマ収差，非点収差が発生し、この場合
も光スポットが十分絞れなくなったり、ＰＤ７への光束
の入射位置が変化してしまい、検出信号にオフセットが
生じる。

【００１４】本発明の目的は、情報記録媒体に対して光
束が適正な状態で入射できるように補正可能な光ピック
アップ装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、半導体レーザからの出射光をコリメートレンズによ
り平行光束とし、この平行光束の断面形状をビーム整形
プリズムで略円形とし、さらに平行光束を対物レンズに
より情報記録媒体上に光スポットとして集束させて、情
報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピックアップ装
置において、本発明の第１の手段は、前記コリメートレ
ンズの位置を、記録，再生、あるいは消去動作中にレン
ズ光軸方向に補正する手段を備えたことを特徴とする。

【００１６】また第２の手段は、上記の光ピックアップ
装置において、前記コリメートレンズの位置を、記録，
再生、あるいは消去中にレンズ光軸に対して直交する方
向に補正する手段を備えたことを特徴とする。

【００１７】また第３の手段は、上記の光ピックアップ
装置において、前記コリメートレンズの位置を、記録，
再生、あるいは消去中にレンズ光軸方向及びレンズ光軸
に対して直交する方向に補正する手段を備えたことを特
徴とする。

【００１８】また第４の手段は、上記の第１，第２，第
３の手段において、位置の補正を、前記ビーム整形プリ
ズムと対物レンズとの間に設置されたビームスプリッタ
で反射した光束を受光する受光素子の出力に基づいて行
うことを特徴とする。

【００１９】また第５の手段は、上記の第４の手段にお
いて、ビームスプリッタと受光素子との間に、光束を受
光素子に集光させる集光レンズを設けたことを特徴とす
る。

【００２０】また第６の手段は、上記の第５の手段にお
いて、受光素子の受光面を、光束の略集光点に設置した
ことを特徴とする。

【００２１】また第７の手段は、上記の第４，第５，第
６の手段において、受光素子の受光面を少なくとも２面
に分割し、各面の出力差に基づいて前記位置の補正を行
うことを特徴とする。

【００２２】また第８の手段は、上記の第４，第５，第
６，第７の手段において、受光素子の出力により半導体
レーザの出射光量を検知して、検知信号に基づいて半導
体レーザの出力制御を行うことを特徴とする。

【００２３】さらに半導体レーザからの出射光をコリメ
ートレンズにより平行光束とし、この平行光束を対物レ
ンズにより情報記録媒体上に光スポットとして集束させ
て、情報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピックア
ップ装置において、本発明の第９の手段は、コリメート
レンズをレンズ光軸方向に移動させるレンズアクチュエ
ータを備え、このレンズアクチュエータに半導体レーザ
を設けたことを特徴とする。

【００２４】また第10の手段は、上記の光ピックアップ
装置において、コリメートレンズをレンズ光軸に対して
直交する方向に移動させるレンズアクチュエータを備
え、このレンズアクチュエータに前記半導体レーザを設
けたことを特徴とする。

【００２５】また第11の手段は、上記の光ピックアップ
装置において、コリメートレンズをレンズ光軸方向及び
レンズ光軸に対して直交する方向に移動させるレンズア
クチュエータを備え、このレンズアクチュエータに半導
体レーザを設けたことを特徴とする。

【００２６】また第12の手段は、上記の第９，第10，第
11の手段において、コリメートレンズをレンズアクチュ
エータにより任意位置で保持可能にしたことを特徴とす
る。

【００２７】また第13の手段は、上記の第12の手段にお
いて、位置の保持を、前記コリメートレンズと対物レン
ズとの間に設置されたビームスプリッタで反射した光束
を受光する受光素子の出力に基づいて行うことを特徴と
する。

【００２８】また第14の手段は、上記の第13の手段にお
いて、ビームスプリッタと受光素子との間に、光束を受
光素子に集光させる集光レンズを設けたことを特徴とす
る。

【００２９】また第15の手段は、上記の第14の手段にお
いて、受光素子の受光面を、光束の非集光点に設置した
ことを特徴とする。

【００３０】また第16の手段は、上記の第13，第14，第
15の手段において、受光素子の受光面を少なくとも２面
に分割し、各面の出力差に基づいて位置の保持を行うこ
とを特徴とする。

【００３１】また第17の手段は、上記の第13，第14，第
15，第16の手段において、受光素子の出力により半導体
レーザの出射光量を検知して、検知信号に基づいて半導
体レーザの出力制御を行うことを特徴とする。

【００３２】

【作用】上記の第１，第２，第３の手段によれば、コリ
メートレンズを、レンズ光軸方向あるいはレンズ光軸に
対して直交する方向の少なくともいずれか一方において
位置補正できるので、半導体レーザの波長変動や温度・
経時変化による半導体レーザの位置ずれ等により生じる
ビーム整形プリズムの出射角変動あるいは出射光束の非
点収差を取り除ける。

【００３３】また第４の手段によれば、ビーム整形プリ
ズムと対物レンズとの間のビームスプリッタで平行光束
を分岐して、その光束の光学的変化を受光素子で検出す
ることによって、前記出射光束の出射角変動や非点収差
に係る信号が正確に検出される。

【００３４】また第５の手段によれば、集光レンズによ
り光束を受光素子に集光させることによって、効率よく
光を利用でき、しかも受光素子の小型化も図れる。

【００３５】また第６の手段によれば、前記集光レンズ
の略集光点に受光素子を設置することで、小さな集光ス
ポットの変化を検知する高感度の信号検出がなされる。

【００３６】また第７の手段によれば、前記受光素子の
受光面を分割することで、各受光面の出力の差に基づい
て正確に信号検出をすることができる。

【００３７】また第８の手段によれば、前記受光素子の
出力から半導体レーザの出射光量、すなわち出力状態も
検出できるので、その出力に基づいて半導体レーザの出
力制御を行うことができる。

【００３８】さらに第９，第10，第11の手段によれば、
レンズアクチュエータによってコリメートレンズを、レ
ンズ光軸方向あるいはレンズ光軸に対して直交する方向
の少なくともいずれか一方において、半導体レーザに対
して位置調整できるので、平行光束の平行調整や出射角
調整が容易になされる。

【００３９】また第12の手段によれば、レンズアクチュ
エータによってコリメートレンズを任意の位置に保持で
きるので、煩雑で微妙な作業を必要とするレンズのネジ
締めが不要となる。

【００４０】また第13の手段によれば、コリメートレン
ズと対物レンズとの間のビームスプリッタで平行光束を
分岐して、その光束の光学的変化を受光素子で検出する
ことによって、コリメートレンズと半導体レーザとの相
対的位置ずれが検出され、この検出信号によって位置ず
れ補正及び補正後の位置保持がなされる。

【００４１】また第14の手段によれば、集光レンズによ
り光束を受光素子に集光させることによって、効率よく
光を利用でき、しかも受光素子の小型化も図れる。

【００４２】また第15の手段によれば、前記集光レンズ
の非集光点に受光素子を設置することで、大きな集光ス
ポットによる信号検知がなされ、受光素子の位置調整が
容易になる。

【００４３】また第16の手段によれば、前記受光素子の
受光面を分割することで、各受光面の出力の差に基づい
て正確に信号検出をすることができる。

【００４４】また第17の手段によれば、前記受光素子の
出力から半導体レーザの出射光量、すなわち出力状態も
検出できるので、その出力に基づいて半導体レーザの出
力制御を行うことができる。

【００４５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、図12，図15に基づいて説明した部材に対応す
る部材には同一符号を付して詳しい説明を省略する。

【００４６】図１は本発明の第１実施例の構成図であ
り、10はビーム整形プリズム３と対物レンズ５との間に
設置されたビームスプリッタ(ＢＳ)、11はＢＳ10からの
光束を集光レンズ12を介して受光する複数(図では２個
を示した)の光電変換素子からなる受光素子、13はコリ
メートレンズ(ＣＬ)２をレンズ光軸に対して直交する方
向(矢印Ａ方向)に移動させるレンズ駆動用の電磁コイ
ル、14と15は受光素子11に接続された演算増幅器(差)と
演算増幅器(和)、16は演算増幅器(差)14からの信号を受
けて前記電磁コイル13を駆動させるためのＣＬ制御部、
17は演算増幅器(和)15からの信号を受けて半導体レーザ
(ＬＤ)１のパワーをコントロールするＬＤパワー制御部
である。

【００４７】次に上記の第１実施例の作動を説明する。

【００４８】ＬＤ１から出射したレーザビームＬはＣＬ
２で平行光束とされ、ビーム整形プリズム３で断面円形
にビーム整形された後、ＢＳ10によって対物レンズ５方
向へ透過する光束Ｌ₁と反射する光束Ｌ₂とに分けられ
る。透過した光束Ｌ₁は対物レンズ５によって情報記録
媒体である光ディスクＤに光スポットとして集束され
る。一方、反射した光束Ｌ₂は集光レンズ12によって受
光素子11に集光される。

【００４９】光ディスクＤ上の光スポットによって、公
知のように、光ディスクＤに対して情報の記録，再生，
消去が行われ、また光ディスクＤからの反射光Ｒの光学
的変化をＰＤ７で検知することで各種信号が検出され
る。

【００５０】図２(a)〜(c)は前記受光素子11の受光状態
(斜線が照射スポットＳ)の説明図であり、前記ＬＤ１か
ら出射したレーザビームＬの波長が変化すると、ビーム
整形プリズム３での屈折角が変化し、図１に破線で示し
たように光束の光軸が傾き、受光素子11上の照射スポッ
トＳが図２(b)の基準照射位置(初期状態)から図２(a)あ
るいは図２(c)の照射位置へ変化する。

【００５１】図２(a)は波長が短くなった時、図２(c)は
波長が長くなった時の状態であって、本実施例では受光
素子11の受光面が２分割されており、図２(b)の状態で
各受光面α，βの出力差(α−β)がゼロになるようにＣ
Ｌ２を矢印Ａ方向に位置制御することにより、ビーム整
形プリズム３での出射角を常に一定にすることができ
る。

【００５２】具体的には、受光素子11の各受光面α，β
の出力差を演算増幅器(差)14でとり、出力差信号を受け
たＣＬ制御部16により電磁コイル13を駆動してＣＬ２を
矢印Ａ方向に移動させる。

【００５３】また演算増幅器(和)15で受光素子11の出力
和をとることで、ＬＤ１の出射光量の変化、すなわち出
力状態を検知できるので、出力和信号に基づいてＬＤパ
ワー制御部17によりＬＤ１の出力制御が行われる。

【００５４】図３は本発明の第２実施例の構成図であ
り、この第２実施例では、受光素子20の受光面を後述す
るように４分割している点と、ＣＬ制御部21で電磁コイ
ル22によりＣＬ２をレンズ光軸方向(矢印Ｂ方向)に位置
制御する点とが第１実施例と異なっている。

【００５５】上記の第２実施例において、温度変化，経
時変化によりＬＤ１が矢印Ｂ方向に変位してしまうと、
ＣＬ２を出射した後の平行光束の平行度が変化する。そ
の結果、ビーム整形プリズム３を出射した光束は非点収
差をもち、従って、ＢＳ10で反射した光束Ｌ₂も非点収
差をもち、受光素子20上の照射スポットＳの形状が変化
する。すなわち、図４(a)〜(c)に示した前記受光素子20
の受光状態(斜線部分が照射スポットＳ)の説明図のよう
に、図４(b)の円形の基準照射形状(初期状態)から図４
(a)あるいは図４(c)の楕円形の照射形状に変化する。

【００５６】図４(a)はＬＤ１がＣＬ２に対して遠ざか
った時、図４(c)はＬＤ１がＣＬ２に対して近づいた時
の状態であって、第２実施例では、受光素子20の受光面
が４分割(α，β，γ，δ)されているので、図５に示し
た信号検出系の説明図のように、互いに向い合った受光
面(αとγ，βとδ)からの出力和を減算して得た出力信
号をＣＬ制御信号としてＣＬ制御部21に出力するように
している。

【００５７】前記ＣＬ制御信号に基づいて、電磁コイル
22を駆動してＣＬ２を矢印Ｂ方向に移動することで、非
点収差のない照射スポットが常に得られることになる。
また受光素子20の出力の総和を演算増幅器(和)15でとる
ことで、第１実施例と同様にしてＬＤ１の出力制御が行
われる。

【００５８】図６は本発明の第３実施例の信号検出系の
説明図であって、この第３実施例では、前記ＣＬ２を上
記の第１実施例のようにレンズ光軸に対して直交する方
向と、第２実施例のようにレンズ光軸方向との２方向に
位置制御可能にしたものである。

【００５９】図６において、受光面がα，β，γ，δに
４分割された受光素子25における互いに向い合った受光
面(αとγ，βとδ)からの出力和を減算して得た出力信
号をＣＬ２のレンズ光軸方向の制御信号とし、また照射
スポットＳの移動による信号変化を受光面βとδとの出
力差から得て、ＣＬ２のレンズ光軸に対して直交する方
向の制御信号とすることで、上記の２方向におけるＣＬ
２の位置制御が行える。さらに受光素子25の出力の総和
から第１実施例と同様にＬＤの出力制御を行うことがで
きる。

【００６０】図７は本発明の第４実施例の構成図であ
り、30はＣＬ２と対物レンズ５との間に設置されたＢ
Ｓ、31はＢＳ30からの光束を集光レンズ32を介して受光
する複数(図では２個を示した)の光電変換素子からなる
受光素子、33は、ＣＬ２をレンズ光軸方向(矢印Ａ方向)
に移動させ、しかも移動した位置にＣＬ２を保持する電
磁コイル、34と35は受光素子31に接続された演算増幅器
(差)と演算増幅器(和)、36は演算増幅器(差)34からの信
号を受けて前記電磁コイル33を駆動させるためのＣＬ制
御部、37は演算増幅器(和)35からの信号を受けて半導体
レーザ(ＬＤ)１のパワーをコントロールするＬＤパワー
制御部、38はレンズアクチュエータである前記電磁コイ
ル33のアクチュエータ・ハウジングであり、底部にＬＤ
１が固定されている。

【００６１】上記の第４実施例において、ＬＤ１から出
射されるレーザビームによる光ディスクＤへの光スポッ
ト照射、及び各種信号の光学的検出については既述した
方法と同じである。

【００６２】図８(a)〜(c)は前記受光素子31の受光状態
(斜線が照射スポットＳ)の説明図であり、受光素子31
は、第４実施例では中央の円形の受光面αと、その外周
の受光面βとに２分割されており、図８(b)はＣＬ２か
らの出射光が平行の時、図８(a)は前記出射光が発散光
の時、図８(c)は前記出射光が集束光の時の状態であ
る。

【００６３】従って、前記受光面α，βの出力差を演算
増幅器(差)34でとり、ＣＬ位置制御信号としてＣＬ制御
部36にフィードバックして電磁コイル33を駆動させるこ
とで、初期調整位置に対応した差信号(出力差：α−β)
を基準としたＣＬ２のＬＤ１に対するレンズ光軸方向の
位置制御が行われ、しかも制御位置でＣＬ２を保持させ
ておくことができ、ＣＬ２からの出射光を所定の平行状
態に常に維持できる。

【００６４】また受光素子31の出力の総和から第１実施
例と同様にＬＤ１の出力制御を行うことができる。

【００６５】図９は本発明の第５実施例の構成図であ
り、この第５実施例が上記の第４実施例と異なるところ
は、電磁コイル40によってＣＬ２をレンズ光軸に対して
直交する方向(矢印Ｂ方向)に移動させ、しかも移動した
位置にＣＬ２を保持させる点と、後述する受光素子41の
構成である。

【００６６】図10(a)〜(c)は前記受光素子41の受光状態
(斜線が照射スポットＳ)の説明図であり、受光素子41
は、第５実施例では左右一対の受光面α，βに２分割さ
れており、図10(b)はＣＬ２から出射した平行光束がレ
ンズ光軸に対して平行な時、図10(a)，(b)は平行光束が
レンズ光軸に対して左右いずれかに傾いた時の状態であ
る。

【００６７】従って、前記受光面α，βの出力差を演算
増幅器(差)34でとり、ＣＬ位置制御信号としてＣＬ制御
部42にフィードバックして電磁コイル40を駆動させるこ
とで、初期調整位置に対応した差信号(α−β)を基準と
したＣＬ２のＬＤ１に対するレンズ光軸に対して直交す
る方向の位置制御が行われる。

【００６８】図11は本発明の第６実施例の信号検出系の
説明図であって、この第６実施例では、ＬＤ１に対して
ＣＬ２を上記の第４実施例のようにレンズ光軸方向と、
第５実施例のようにレンズ光軸に対して直交する方向と
の２方向に位置制御可能にしたものである。

【００６９】図11において、受光素子45は、受光面が中
央の円形の受光面における２個α，βと、その外周の受
光面における２個γ，δとに４分割されており、各受光
面からの出力に対して、

【００７０】

【数２】（α＋β）−（γ＋δ）の演算をし、得られた差信号(出力差)をレンズ光軸方向
の制御信号とし、また、

【００７１】

【数３】（α＋γ）−（β＋δ）の演算をし、得られた差信号をレンズ光軸に対して直交
する方向の制御信号とすることで、上記の２方向におけ
るＬＤに対する前記ＣＬの位置制御を行える。さらに受
光素子45の出力の総和から第１実施例と同様にＬＤの出
力制御を行うことができる。

【００７２】尚、上述した各実施例において、集光レン
ズ12，32の略集光点に受光素子11，20，25，31，41，45
の受光面を設置すれば、照射スポットが小さくなり、ス
ポットの移動や変形の程度が極端に現われ、信号検出が
感度よくなされることになる。逆に、前記集光レンズの
非集光点に受光素子の受光面を設置すれば、照射スポッ
トが大きくなり、受光素子の位置調整が容易になる。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１，第
２，第３の手段によれば、コリメートレンズをレンズ光
軸方向あるいはレンズ光軸に対して直交する方向の少な
くともいずれか一方において位置補正できるので、半導
体レーザの波長変動や温度・経時変化による半導体レー
ザの位置ずれ等により生じるビーム整形プリズムの出射
角変動あるいは出射光束の非点収差を取り除くことがで
き、また第４の手段によれば、ビーム整形プリズムと対
物レンズとの間のビームスプリッタで平行光束を分岐し
て、その光束の光学的変化を受光素子で検出することに
よって、前記出射光束の出射角変動や非点収差に係る信
号を正確に検出することができ、また第５の手段によれ
ば、集光レンズにより光束を受光素子に集光させること
によって、効率よく光を利用でき、しかも受光素子の小
型化も図れ、また第６の手段によれば、前記集光レンズ
の略集光点に受光素子を設置することで、小さな集光ス
ポットの変化を検知する高感度の信号検出ができ、また
第７の手段によれば、前記受光素子の受光面を分割する
ことで、各受光面の出力の差に基づいて正確に信号検出
をすることができ、また第８の手段によれば、前記受光
素子の出力から半導体レーザの出射光量、すなわち出力
状態も検出できるので、その出力に基づいて半導体レー
ザの出力制御を行うことができ、さらに第９，第10，第
11の手段によれば、レンズアクチュエータによってコリ
メートレンズを、レンズ光軸方向あるいはレンズ光軸に
対して直交する方向の少なくともいずれか一方におい
て、半導体レーザに対して位置調整できるので、平行光
束の平行調整や出射角調整が容易にでき、また第12の手
段によれば、レンズアクチュエータによってコリメート
レンズを任意の位置に保持できるので、煩雑で微妙な作
業を必要とするレンズのネジ締めを不要にでき、また第
13の手段によれば、コリメートレンズと対物レンズとの
間のビームスプリッタで平行光束を分岐して、その光束
の光学的変化を受光素子で検出することによって、コリ
メートレンズと半導体レーザとの相対的位置ずれを検出
でき、この検出信号によって位置ずれ補正及び補正後の
位置保持ができ、また第14の手段によれば、集光レンズ
により光束を受光素子に集光させることによって、効率
よく光を利用でき、しかも受光素子の小型化も図れ、ま
た第15の手段によれば、前記集光レンズの非集光点に受
光素子を設置することで、大きな集光スポットによる信
号検知がなされ、受光素子の位置調整が容易にでき、ま
た第16の手段によれば、前記受光素子の受光面を分割す
ることで、各受光面の出力の差に基づいて正確に信号検
出をすることができ、また第17の手段によれば、前記受
光素子の出力から半導体レーザの出射光量、すなわち出
力状態も検出できるので、その出力に基づいて半導体レ
ーザの出力制御を行うことができる等、情報記録媒体に
対して光束が適正な状態で入射できるように補正が可能
な光ピックアップ装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ピックアップ装置の第１実施例の構
成図である。

【図２】第１実施例の受光素子における受光状態の説明
図である。

【図３】本発明の第２実施例の構成図である。

【図４】第２実施例の受光素子における受光状態の説明
図である。

【図５】第２実施例の信号検出系の説明図である。

【図６】本発明の第３実施例の信号検出系の説明図であ
る。

【図７】本発明の第４実施例の構成図である。

【図８】第４実施例の受光素子における受光状態の説明
図である。

【図９】本発明の第５実施例の構成図である。

【図１０】第５実施例の受光素子における受光状態の説
明図である。

【図１１】本発明の第６実施例の信号検出系の説明図で
ある。

【図１２】従来の光ピックアップ装置における光学系の
一例の構成図である。

【図１３】レーザビーム出射状態の説明図である。

【図１４】ビーム整形の説明図である。

【図１５】従来の光ピックアップ装置における光学系の
他の例の構成図である。

【図１６】ビーム整形プリズムにおける屈折角の変化の
説明図である。

【図１７】ＬＤとＣＬとの相対的位置変化による光束の
変化の説明図である。

【符号の説明】

１…ＬＤ(半導体レーザ)、２…ＣＬ(コリメートレン
ズ)、３…ビーム整形プリズム、５…対物レンズ、
７…ＰＤ(受光素子)、 10，30…ＢＳ(ビームスプリ
ッタ)、 11，20，25，31，41，45…受光素子、 12，3
2…集光レンズ、13，22，33，40…電磁コイル(レンズア
クチュエータ)、 16，21，36，42…ＣＬ制御部、 1
7，37…ＬＤパワー制御部、Ｄ…光ディスク(情報記録
媒体)。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザからの出射光をコリメート
レンズにより平行光束とし、この平行光束の断面形状を
ビーム整形プリズムで略円形とし、さらに平行光束を対
物レンズにより情報記録媒体上に光スポットとして集束
させて、情報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピッ
クアップ装置において、前記コリメートレンズの位置
を、記録，再生、あるいは消去動作中にレンズ光軸方向
に補正する手段を備えたことを特徴とする光ピックアッ
プ装置。
【請求項２】半導体レーザからの出射光をコリメート
レンズにより平行光束とし、この平行光束の断面形状を
ビーム整形プリズムで略円形とし、さらに平行光束を対
物レンズにより情報記録媒体上に光スポットとして集束
させて、情報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピッ
クアップ装置において、前記コリメートレンズの位置
を、記録，再生、あるいは消去中にレンズ光軸に対して
直交する方向に補正する手段を備えたことを特徴とする
光ピックアップ装置。
【請求項３】半導体レーザからの出射光をコリメート
レンズにより平行光束とし、この平行光束の断面形状を
ビーム整形プリズムで略円形とし、さらに平行光束を対
物レンズにより情報記録媒体上に光スポットとして集束
させて、情報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピッ
クアップ装置において、前記コリメートレンズの位置
を、記録，再生、あるいは消去中にレンズ光軸方向及び
レンズ光軸に対して直交する方向に補正する手段を備え
たことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】前記位置の補正を、前記ビーム整形プリ
ズムと対物レンズとの間に設置されたビームスプリッタ
で反射した光束を受光する受光素子の出力に基づいて行
うことを特徴とする請求項１，２又は３の光ピックアッ
プ装置。
【請求項５】前記ビームスプリッタと受光素子との間
に、光束を受光素子に集光させる集光レンズを設けたこ
とを特徴とする請求項４の光ピックアップ装置。
【請求項６】前記受光素子の受光面を、光束の略集光
点に設置したことを特徴とする請求項５の光ピックアッ
プ。
【請求項７】前記受光素子の受光面を少なくとも２面
に分割し、各面の出力差に基づいて前記位置の補正を行
うことを特徴とする請求項４，５又は６の光ピックアッ
プ装置。
【請求項８】前記受光素子の出力により半導体レーザ
の出射光量を検知して、検知信号に基づいて半導体レー
ザの出力制御を行うことを特徴とする請求項４，５，６
又は７の光ピックアップ装置。
【請求項９】半導体レーザからの出射光をコリメート
レンズにより平行光束とし、この平行光束を対物レンズ
により情報記録媒体上に光スポットとして集束させて、
情報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピックアップ
装置において、前記コリメートレンズをレンズ光軸方向
に移動させるレンズアクチュエータを備え、このレンズ
アクチュエータに前記半導体レーザを設けたことを特徴
とする光ピックアップ装置。
【請求項１０】半導体レーザからの出射光をコリメー
トレンズにより平行光束とし、この平行光束を対物レン
ズにより情報記録媒体上に光スポットとして集束させ
て、情報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピックア
ップ装置において、前記コリメートレンズをレンズ光軸
に対して直交する方向に移動させるレンズアクチュエー
タを備え、このレンズアクチュエータに前記半導体レー
ザを設けたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１１】半導体レーザからの出射光をコリメー
トレンズにより平行光束とし、この平行光束を対物レン
ズにより情報記録媒体上に光スポットとして集束させ
て、情報の記録，再生、あるいは消去を行う光ピックア
ップ装置において、前記コリメートレンズをレンズ光軸
方向及びレンズ光軸に対して直交する方向に移動させる
レンズアクチュエータを備え、このレンズアクチュエー
タに前記半導体レーザを設けたことを特徴とする光ピッ
クアップ装置。
【請求項１２】前記コリメートレンズを前記レンズア
クチュエータにより任意位置で保持可能にしたことを特
徴とする請求項９，10又は11の光ピックアップ装置。
【請求項１３】前記位置の保持を、前記コリメートレ
ンズと対物レンズとの間に設置されたビームスプリッタ
で反射した光束を受光する受光素子の出力に基づいて行
うことを特徴とする請求項12の光ピックアップ装置。
【請求項１４】前記ビームスプリッタと受光素子との
間に、光束を受光素子に集光させる集光レンズを設けた
ことを特徴とする請求項13の光ピックアップ装置。
【請求項１５】前記受光素子の受光面を、光束の非集
光点に設置したことを特徴とする請求項14の光ピックア
ップ装置。
【請求項１６】前記受光素子の受光面を少なくとも２
面に分割し、各面の出力差に基づいて前記位置の保持を
行うことを特徴とする請求項13，14又は15の光ピックア
ップ装置。
【請求項１７】前記受光素子の出力により半導体レー
ザの出射光量を検知して、検知信号に基づいて半導体レ
ーザの出力制御を行うことを特徴とする請求項13，14，
15又は16の光ピックアップ装置。