JPH0612660B2 - 高電圧イオン打込み装置 - Google Patents
高電圧イオン打込み装置Info
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- JPH0612660B2 JPH0612660B2 JP58226860A JP22686083A JPH0612660B2 JP H0612660 B2 JPH0612660 B2 JP H0612660B2 JP 58226860 A JP58226860 A JP 58226860A JP 22686083 A JP22686083 A JP 22686083A JP H0612660 B2 JPH0612660 B2 JP H0612660B2
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- Japan
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- frequency
- ion
- voltage
- accelerator
- quadrupole accelerator
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H9/00—Linear accelerators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/02—Circuits or systems for supplying or feeding radio-frequency energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/14—Vacuum chambers
- H05H7/18—Cavities; Resonators
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はイオン打込み装置に係り、特に数100ｋｅＶ〜
数ＭｅＶのエネルギーの大電流ビーム打込みに好適な高
電圧イオン打込み装置に関する。
数ＭｅＶのエネルギーの大電流ビーム打込みに好適な高
電圧イオン打込み装置に関する。
従来の工業的に使われているイオン打込み装置で高エネ
ルギイオンを得てこれを基板に打込む場合、イオン源か
ら引出したビームを質量分離器により一旦目的としたイ
オン種に選別した後、これを加速電極リング等を並べた
加速管を使い高エネルギにしていた。この場合、高電圧
印加に伴い、加速電極間の放電やいわゆるコロナ放電が
発生し、実用上達成しうるエネルギーは高々、数１００
ｋｅＶ程度であった。（例えばSpringer Series in Ele
ctrophsics １０巻，“Ion Implantation Techvique
s”，Springer-Verlog社出版，1982年，３５１頁参照）
また、数１００ｋｅＶの桁の加速を行うための加速管の
長さは数ｍにも及び、巨大なイオン打込み装置となって
いた。さらに、従来の加速リングを並べた後段加速管で
は、ビームを中心軸上に集める集束作用がないため、一
般にビームは広がり、ビーム損失や試料基板で小口径ビ
ームが得られなかった。又、質量分離器としては一般に
磁場形質量分離器が使われているが、ビームを中心軸に
集めるには特殊な入出射角度の設定や別の収束レンズ等
を使わなければ、効率より強い収束効果は得られなかっ
た。
ルギイオンを得てこれを基板に打込む場合、イオン源か
ら引出したビームを質量分離器により一旦目的としたイ
オン種に選別した後、これを加速電極リング等を並べた
加速管を使い高エネルギにしていた。この場合、高電圧
印加に伴い、加速電極間の放電やいわゆるコロナ放電が
発生し、実用上達成しうるエネルギーは高々、数１００
ｋｅＶ程度であった。（例えばSpringer Series in Ele
ctrophsics １０巻，“Ion Implantation Techvique
s”，Springer-Verlog社出版，1982年，３５１頁参照）
また、数１００ｋｅＶの桁の加速を行うための加速管の
長さは数ｍにも及び、巨大なイオン打込み装置となって
いた。さらに、従来の加速リングを並べた後段加速管で
は、ビームを中心軸上に集める集束作用がないため、一
般にビームは広がり、ビーム損失や試料基板で小口径ビ
ームが得られなかった。又、質量分離器としては一般に
磁場形質量分離器が使われているが、ビームを中心軸に
集めるには特殊な入出射角度の設定や別の収束レンズ等
を使わなければ、効率より強い収束効果は得られなかっ
た。
本発明の目的は、イオン源から引出されたビームをＲＦ
Ｑなる加速装置を使い、質量分離，加速，収束を同時に
効率良く行い、数１００ｋｅＶ〜数ＭｅＶのイオンビー
ムを使った高電圧イオン打込み装置を提供することにあ
る。
Ｑなる加速装置を使い、質量分離，加速，収束を同時に
効率良く行い、数１００ｋｅＶ〜数ＭｅＶのイオンビー
ムを使った高電圧イオン打込み装置を提供することにあ
る。
本発明は、イオン源と試料基板との間に高周波四重極加
速器を設け、この高周波四重極加速器で質量分離とイオ
ンの加速を同時に行い、以って数１００ｋｅＶ〜数Ｍｅ
Ｖの高エネルギーイオン打込みを実現させるものであ
る。
速器を設け、この高周波四重極加速器で質量分離とイオ
ンの加速を同時に行い、以って数１００ｋｅＶ〜数Ｍｅ
Ｖの高エネルギーイオン打込みを実現させるものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図において、本発明の打込み装置は、イオン源１、高周
波四重極加速器（ＲＦＱ）を内蔵したＲＦＱタンク２、
及び試料基板５を内蔵した打込み室３とからなる。高周
波四重極加速器の構造を第２図に示す。第２図におい
て、ＲＦＱタンク２は波うった形状を持つ四つの電極２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄからなり、相対する２ケの電極の
出っぱった部分では、残りの２組の電極がへこむよう周
期的な波うった形状になっている。このＲＦＱタンク２
は１種の空洞共振器を構成しており、これに数１０〜数
１００ＭHZの周波数をもつ高周波電圧を印加すると、中
心軌道部分に軸方向の加速電界が生じイオンは効率良く
数ＭｅＶまで加速される。第１図において、イオン源か
ら引出されたイオンビームは一般に種々のイオン種を含
むが、ＲＦＱタンク２の波うたせた周期、印加高周波電
圧に応じ、ＲＦＱタンク２内で加速されるものは一種類
のイオンだけであり、他のイオン種は発散して透過でき
ない。又、ＲＦＱは一種の収束レンズを構成しているの
で透過可能なビームは中心軸上に集まる収束作用をうけ
る。即ちＲＦＱタンク２の使用により、質量分離と加
速，収束が同時に可能となる。またイオン源１から出る
ビームは高高数１０ｋｅＶでよいため、イオン源１の直
流高圧電源の負担が軽く済み、また装置も小形化でき
た。第１図の実施例では、イオン種ごとに形状及び高周
波電圧の異なったＲＦＱタンク２をつかい、数ＭｅＶの
Ｂ+，Ｎ+，Ｏ+，Ａｓ+，Ｐ+，Ｈｅ+等のイオンビームを
パルス状に得ることができた。イオン源には、特公昭57
−4056号公報、同57−11094号公報，同57−11093号公
報、及び同57−41059号公報に記載されたマイクロ波イ
オン源を使用した。ビーム電流としては直流換算で数ｍ
Ａの桁のＭｅＶイオンが得られた。
図において、本発明の打込み装置は、イオン源１、高周
波四重極加速器（ＲＦＱ）を内蔵したＲＦＱタンク２、
及び試料基板５を内蔵した打込み室３とからなる。高周
波四重極加速器の構造を第２図に示す。第２図におい
て、ＲＦＱタンク２は波うった形状を持つ四つの電極２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄからなり、相対する２ケの電極の
出っぱった部分では、残りの２組の電極がへこむよう周
期的な波うった形状になっている。このＲＦＱタンク２
は１種の空洞共振器を構成しており、これに数１０〜数
１００ＭHZの周波数をもつ高周波電圧を印加すると、中
心軌道部分に軸方向の加速電界が生じイオンは効率良く
数ＭｅＶまで加速される。第１図において、イオン源か
ら引出されたイオンビームは一般に種々のイオン種を含
むが、ＲＦＱタンク２の波うたせた周期、印加高周波電
圧に応じ、ＲＦＱタンク２内で加速されるものは一種類
のイオンだけであり、他のイオン種は発散して透過でき
ない。又、ＲＦＱは一種の収束レンズを構成しているの
で透過可能なビームは中心軸上に集まる収束作用をうけ
る。即ちＲＦＱタンク２の使用により、質量分離と加
速，収束が同時に可能となる。またイオン源１から出る
ビームは高高数１０ｋｅＶでよいため、イオン源１の直
流高圧電源の負担が軽く済み、また装置も小形化でき
た。第１図の実施例では、イオン種ごとに形状及び高周
波電圧の異なったＲＦＱタンク２をつかい、数ＭｅＶの
Ｂ+，Ｎ+，Ｏ+，Ａｓ+，Ｐ+，Ｈｅ+等のイオンビームを
パルス状に得ることができた。イオン源には、特公昭57
−4056号公報、同57−11094号公報，同57−11093号公
報、及び同57−41059号公報に記載されたマイクロ波イ
オン源を使用した。ビーム電流としては直流換算で数ｍ
Ａの桁のＭｅＶイオンが得られた。
次に第１図では、イオン種及び最終エネルギを変えるた
びにＲＦＱタンク２の構造を変える必要があった。この
ためＲＦＱタンク２として外部共振形ＲＦＱを使ったと
ころ、１つのＲＦＱで種々のイオン種を加速し、基板に
イオン打込みできた。
びにＲＦＱタンク２の構造を変える必要があった。この
ためＲＦＱタンク２として外部共振形ＲＦＱを使ったと
ころ、１つのＲＦＱで種々のイオン種を加速し、基板に
イオン打込みできた。
次に別の実施例を第３図により説明する。第１図の打込
み装置では、ビーム最終エネルギーはイオン種とＲＦＱ
の構造により決まる。このため任意のエネルギーを簡単
に得ることは困難である。第３図ではＲＦＱから出たビ
ーム１′を、これも一種の空洞共振器であるシングルギ
ャップ共振器６に入れ、その印加高周波電圧に応じて発
生する減速電界を使い、打込みエネルギーを可変とした
ものである。これにより、同一のＲＦＱタンク２を使
い、一種類のイオン種については、任意のエネルギーで
イオン打込みが可能となった。
み装置では、ビーム最終エネルギーはイオン種とＲＦＱ
の構造により決まる。このため任意のエネルギーを簡単
に得ることは困難である。第３図ではＲＦＱから出たビ
ーム１′を、これも一種の空洞共振器であるシングルギ
ャップ共振器６に入れ、その印加高周波電圧に応じて発
生する減速電界を使い、打込みエネルギーを可変とした
ものである。これにより、同一のＲＦＱタンク２を使
い、一種類のイオン種については、任意のエネルギーで
イオン打込みが可能となった。
なお、減速のため，シングルギャップの代りに、従来か
ら使われている、円筒リング電極や平板リング電極６′
を複数個並べ、ＲＦＱ側の初段の電極を接地電位とし、
試料側にいくにつれ正の電圧を電極に印加した減速電極
系でも同様な効果が得られた。この実施例を第４図に示
す。
ら使われている、円筒リング電極や平板リング電極６′
を複数個並べ、ＲＦＱ側の初段の電極を接地電位とし、
試料側にいくにつれ正の電圧を電極に印加した減速電極
系でも同様な効果が得られた。この実施例を第４図に示
す。
次に本発明に基づく別の実施例を第５図に示す。一般に
イオン打込みではシリコンウェーハを初めとして各種基
板の全面に所定の量だけ一様にイオン打込みすることが
要求される。第５図では、このため、試料基板５を回転
する円板１３表面に多数枚取付け、ビーム１′に対し半
径方向にも円板１３自身を機械的に移動させ、基板５へ
の均一打込みを行っている。この場合、ＲＦＱを使って
いることに起因する特有な問題がある。即ち、RFQでは
イオン源１から出たビーム１′が直流的であっても、Ｒ
ＦＱ２通過に伴い、塊りとなったパルス状のビームとな
り、そのパルス周期はＲＦＱ２に印加する高周波電圧の
周期に同期する。従って、円板１３回転周波数1とＲ
ＦＱ２印加高周波の周波数2の比が有里数であると、
その値に応じて、照射される場所は回転円板１３上でと
びとびの場所となる。したがって本発明では、回転周波
数1については、とびとびの点群のうち、最近接した
２点間の距離がビーム直径より小さくなるようにし、円
周方向に沿って均一なイオン打込みが行えるようにし
た。第５図の一実施例で、１０は無理数の有限個の桁の
数を発生させる数値発生器であり、エンコーダ８からの
出力と共に、差動増幅器９に入力させる。差動増幅器９
は両者の値の差な応じて電気出力を出し、円板回転モー
タ７の回転数を制御し、両者の差がゼロになるように工
夫されている。
イオン打込みではシリコンウェーハを初めとして各種基
板の全面に所定の量だけ一様にイオン打込みすることが
要求される。第５図では、このため、試料基板５を回転
する円板１３表面に多数枚取付け、ビーム１′に対し半
径方向にも円板１３自身を機械的に移動させ、基板５へ
の均一打込みを行っている。この場合、ＲＦＱを使って
いることに起因する特有な問題がある。即ち、RFQでは
イオン源１から出たビーム１′が直流的であっても、Ｒ
ＦＱ２通過に伴い、塊りとなったパルス状のビームとな
り、そのパルス周期はＲＦＱ２に印加する高周波電圧の
周期に同期する。従って、円板１３回転周波数1とＲ
ＦＱ２印加高周波の周波数2の比が有里数であると、
その値に応じて、照射される場所は回転円板１３上でと
びとびの場所となる。したがって本発明では、回転周波
数1については、とびとびの点群のうち、最近接した
２点間の距離がビーム直径より小さくなるようにし、円
周方向に沿って均一なイオン打込みが行えるようにし
た。第５図の一実施例で、１０は無理数の有限個の桁の
数を発生させる数値発生器であり、エンコーダ８からの
出力と共に、差動増幅器９に入力させる。差動増幅器９
は両者の値の差な応じて電気出力を出し、円板回転モー
タ７の回転数を制御し、両者の差がゼロになるように工
夫されている。
本発明に基づく別の実施例を第６図に示す。第６図では
ＲＦＱ２と打込み基板５の間にビームをＸＹ方向に走査
させるビーム走査電極系１１を設け、基板５での均一打
込みを行った。この場合、第５図で示したようにＸ，Ｙ
方向の走査周波数はＲＦＱ周波数より小さくした。この
場合、基板５上でとびとびの照射点群の二点間の距離は
Ｘ，Ｙ電極電圧及びその周波数に依存する。本実施例で
は、最近接する二点間の照射位置がビーム直径より小さ
くなるようにした。図では電場を使った実施例を示した
が、磁場コイルを使ったＸＹ走査系でも、同様な均一打
込みが実現できた。
ＲＦＱ２と打込み基板５の間にビームをＸＹ方向に走査
させるビーム走査電極系１１を設け、基板５での均一打
込みを行った。この場合、第５図で示したようにＸ，Ｙ
方向の走査周波数はＲＦＱ周波数より小さくした。この
場合、基板５上でとびとびの照射点群の二点間の距離は
Ｘ，Ｙ電極電圧及びその周波数に依存する。本実施例で
は、最近接する二点間の照射位置がビーム直径より小さ
くなるようにした。図では電場を使った実施例を示した
が、磁場コイルを使ったＸＹ走査系でも、同様な均一打
込みが実現できた。
次に、本発明に基づく別の実施例を第７図に示す。第７
図ではイオン源１とＲＦＱタンク２の間にビーム収束用
の二段の磁気四重極レンズ１２ａ，１２ｂをとりつけて
いる。一般に大電流イオン源のビーム断面は長方形断面
である。これに対し、ＲＦＱのビーム通過部は数mm〜数
cmの半径をもつ円形部分である。従って、イオン源から
引出されたビームをビーム損失なく有効に加速するには
ビーム断面をＲＦＱ入射部に合った形状に変換する必要
がある。本実施例では二段の磁気四重極レンズを使い、
大電流ビームが有効にＲＦＱ２に導入され、打込み電流
も１ｍＡ以上に改善された。
図ではイオン源１とＲＦＱタンク２の間にビーム収束用
の二段の磁気四重極レンズ１２ａ，１２ｂをとりつけて
いる。一般に大電流イオン源のビーム断面は長方形断面
である。これに対し、ＲＦＱのビーム通過部は数mm〜数
cmの半径をもつ円形部分である。従って、イオン源から
引出されたビームをビーム損失なく有効に加速するには
ビーム断面をＲＦＱ入射部に合った形状に変換する必要
がある。本実施例では二段の磁気四重極レンズを使い、
大電流ビームが有効にＲＦＱ２に導入され、打込み電流
も１ｍＡ以上に改善された。
以上説明した本発明の高電圧イオン打込み装置によれ
ば、イオン源と試料基板との間に高周波四重極加速器を
設け、この高周波四重極加速器で質量分離とイオンの加
速を同時に行うようにしたものであるから、数１００Ｋ
ｅＶ〜数ＭｅＶ領域の種々の大電流イオンビームを効率
良く打込みすることが可能となり、実用に供し、その効
果は著しく大である。
ば、イオン源と試料基板との間に高周波四重極加速器を
設け、この高周波四重極加速器で質量分離とイオンの加
速を同時に行うようにしたものであるから、数１００Ｋ
ｅＶ〜数ＭｅＶ領域の種々の大電流イオンビームを効率
良く打込みすることが可能となり、実用に供し、その効
果は著しく大である。
第１図は本発明の高電圧イオン打込み装置の一実施例を
示す図、第２図は第１図中に用いられたRFQタンクの詳
細を一部破断して示す斜視図、第３図ないし第７図は本
発明の高電圧イオン打込み装置のそれぞれ別の実施例を
示す図である。 １…イオン源、１′…イオンビーム、２…高周波四重極
加速器、３…打込み室、４…電流測定のためのファラデ
ーカップ、５…打込み試料基板、６…シングルギャップ
共振器、７…回転用モータ、８…エンコーダ、９…差動
増幅器、１０…数値発生器、１１…ビーム走査電極系、
１２…磁気四重極レンズ、６″…減速用電極。
示す図、第２図は第１図中に用いられたRFQタンクの詳
細を一部破断して示す斜視図、第３図ないし第７図は本
発明の高電圧イオン打込み装置のそれぞれ別の実施例を
示す図である。 １…イオン源、１′…イオンビーム、２…高周波四重極
加速器、３…打込み室、４…電流測定のためのファラデ
ーカップ、５…打込み試料基板、６…シングルギャップ
共振器、７…回転用モータ、８…エンコーダ、９…差動
増幅器、１０…数値発生器、１１…ビーム走査電極系、
１２…磁気四重極レンズ、６″…減速用電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小池 英巳 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 斉藤 徳郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 小笹 進 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】イオン源から引出されたイオンをビームを
質量分離し、目的とするイオン試料基板に所定の量だけ
混入させるイオン打込み装置において、 前記イオン源と試料基板との間に高周波四重極加速器を
設け、該高周波四重極加速器で質量分離とイオンの加速
を同時に行うことを特徴とする高電圧イオン打込み装
置。 - 【請求項２】前記高周波四重極加速器と試料基板との間
にイオンの減速を行うシングルギャップ形減速器、もし
くは平板，円筒状の減速用電極系を設け、該シングルギ
ャップ形減速器、もしくは減速用電極系で打込みイオン
のエネルギーを可変としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の高電圧イオン打込み装置。 - 【請求項３】前記試料基板を、回転する円板表面に複数
取付け、かつ、ビームに対し半径方向に円板自身を駆動
せしめ、試料基板全体に均一にイオン打込みを可能とし
た打込み室を設け、前記円板の回転周波数を前記高周波
四重極加速器に印加する高周波電圧の周波数より小さく
し、かつ、その回転周波数については、回転円周方向に
沿って規則的に飛び飛びにビーム照射をうける点群のう
ち、もっとも近接した２点間の距離がビーム直径より小
さくなるように周波数値を選び、以って基板への均一打
込みをできるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項、又は第２項記載の高電圧イオン打込み装置。 - 【請求項４】前記高周波四重極加速器と試料基板との間
に電場、あるいは磁場、あるいはこれらを組合せたビー
ム走査手段を設けると共に、ビーム走査周波数を高周波
四重極加速器に印加する周波数より小さくし、かつ、走
査電圧、及び周波数については、基板上で規則的に飛び
飛びにビーム照射をうける点群のうち、Ｘ，Ｙ方向のも
っとも近接した２点間の距離がビーム直径より小さくな
るように電圧値、及び周波数値を選んだことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項、又は第２項記載の高電圧イオ
ン打込み装置。 - 【請求項５】前記イオン源と高周波四重極加速器との間
に、該イオン源から出たイオンビームを効率良く高周波
四重極加速器内に導入せしめる多段の磁気四重極レンズ
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項、又は
第２項記載の高電圧イオン打込み装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226860A JPH0612660B2 (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 高電圧イオン打込み装置 |
| US06/763,133 US4801847A (en) | 1983-11-28 | 1984-11-22 | Charged particle accelerator using quadrupole electrodes |
| PCT/JP1984/000557 WO1985002489A1 (fr) | 1983-11-28 | 1984-11-22 | Accelerateur de particules quadripolaire |
| DE8484904176T DE3477528D1 (en) | 1983-11-28 | 1984-11-22 | Quadrupole particle accelerator |
| EP84904176A EP0163745B1 (en) | 1983-11-28 | 1984-11-22 | Quadrupole particle accelerator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226860A JPH0612660B2 (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 高電圧イオン打込み装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8209592A Division JP2954536B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 高電圧イオン打込み装置 |
| JP8209591A Division JP2723106B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 高電圧イオン打込み装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121655A JPS60121655A (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0612660B2 true JPH0612660B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=16851700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58226860A Expired - Lifetime JPH0612660B2 (ja) | 1983-11-28 | 1983-12-02 | 高電圧イオン打込み装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612660B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667111C1 (en) * | 1985-05-17 | 2001-04-10 | Eaton Corp Cleveland | Accelerator for ion implantation |
| JP2569812B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1997-01-08 | 株式会社島津製作所 | 高エネルギイオン注入装置 |
| JPH0821355B2 (ja) * | 1992-12-24 | 1996-03-04 | 株式会社日立製作所 | 高エネルギーイオン打ち込み装置 |
| JPH0773041B2 (ja) * | 1993-03-02 | 1995-08-02 | 株式会社日立製作所 | イオン注入装置 |
| JP2613351B2 (ja) * | 1993-04-02 | 1997-05-28 | 株式会社日立製作所 | イオン打ち込み装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834600A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | 株式会社東芝 | 高周波四重極線形加速器 |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP58226860A patent/JPH0612660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121655A (ja) | 1985-06-29 |
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