JPH06124946A - 平坦化絶縁膜の形成方法 - Google Patents
平坦化絶縁膜の形成方法Info
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- JPH06124946A JPH06124946A JP27470392A JP27470392A JPH06124946A JP H06124946 A JPH06124946 A JP H06124946A JP 27470392 A JP27470392 A JP 27470392A JP 27470392 A JP27470392 A JP 27470392A JP H06124946 A JPH06124946 A JP H06124946A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリッシュプロセスによる低パーティクルな
平坦化絶縁膜の形成方法を提供する。 【構成】 スラリー２６に用いるシリカ微粒子表面に疎
水処理層を形成する。疎水処理方法は、疎水溶媒（オル
トキシレン）中で熱還流を行い、トリメチルエトキシシ
ランを添加してシリカ微粒子表面に疎水基（アルキル
基）を結合させる。このように、疎水性を有するシリカ
微粒子で研磨するため、乾燥時に基板上に微粒子が固着
するのを防止する。
平坦化絶縁膜の形成方法を提供する。 【構成】 スラリー２６に用いるシリカ微粒子表面に疎
水処理層を形成する。疎水処理方法は、疎水溶媒（オル
トキシレン）中で熱還流を行い、トリメチルエトキシシ
ランを添加してシリカ微粒子表面に疎水基（アルキル
基）を結合させる。このように、疎水性を有するシリカ
微粒子で研磨するため、乾燥時に基板上に微粒子が固着
するのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野に
適用されるトレンチアイソレイションの形成方法や配線
層間膜の平坦化方法に関し、特に所謂ポリッシャーによ
り形成される平坦化絶縁膜の形成を良好に行うことに利
用できる。
適用されるトレンチアイソレイションの形成方法や配線
層間膜の平坦化方法に関し、特に所謂ポリッシャーによ
り形成される平坦化絶縁膜の形成を良好に行うことに利
用できる。
【０００２】
【従来の技術】ポリッシュ技術の適用分野は広く、例え
ば半導体装置製造の際に、半導体基板等の基体上に生じ
た凹凸を平坦化するために利用することが出来る（例え
ば、特開昭６０−３９８３５号参照）。
ば半導体装置製造の際に、半導体基板等の基体上に生じ
た凹凸を平坦化するために利用することが出来る（例え
ば、特開昭６０−３９８３５号参照）。
【０００３】一方、半導体装置の分野ではデバイス大容
量化が進んでいるが、チップ面積をなるべく小さくして
大容量化を図るためには多層配線技術が必要である。そ
して、この多層配線の技術においては、多層配線の段切
れを防止するため下地の平坦化が重要である。下地に凹
凸があると、これにより生ずる段差上で配線が切れる所
謂段切れが発生するからである。この平坦化を良好に行
うには、初期工程からの平坦化が重要となる。
量化が進んでいるが、チップ面積をなるべく小さくして
大容量化を図るためには多層配線技術が必要である。そ
して、この多層配線の技術においては、多層配線の段切
れを防止するため下地の平坦化が重要である。下地に凹
凸があると、これにより生ずる段差上で配線が切れる所
謂段切れが発生するからである。この平坦化を良好に行
うには、初期工程からの平坦化が重要となる。
【０００４】このため例えば、平坦なトレンチアイソレ
ーション等が考えられている。トレンチアイソレーショ
ンとは、半導体基板に形成した溝（トレンチ）に絶縁を
埋め込んで、素子分離を行うものであり、これは微細に
形成されるので有利であるが、溝の埋め込み後は、溝以
外に堆積した埋め込み材料から成る凸部を除去して平坦
化する必要がある。この平坦なトレンチアイソレーショ
ンを形成する方法として図３に示す方法がある。
ーション等が考えられている。トレンチアイソレーショ
ンとは、半導体基板に形成した溝（トレンチ）に絶縁を
埋め込んで、素子分離を行うものであり、これは微細に
形成されるので有利であるが、溝の埋め込み後は、溝以
外に堆積した埋め込み材料から成る凸部を除去して平坦
化する必要がある。この平坦なトレンチアイソレーショ
ンを形成する方法として図３に示す方法がある。
【０００５】この方法においては、図３（Ａ）に示され
るようにシリコン等からなる半導体基板１上に薄いシリ
コン酸化膜２及び薄いシリコンナイトライド膜３を形成
した後レジストプロセスを用いてエッチングにより溝５
を形成した後、熱酸化により内壁酸化膜４を形成する。
るようにシリコン等からなる半導体基板１上に薄いシリ
コン酸化膜２及び薄いシリコンナイトライド膜３を形成
した後レジストプロセスを用いてエッチングにより溝５
を形成した後、熱酸化により内壁酸化膜４を形成する。
【０００６】次いで、図３（Ｂ）に示したように層間膜
６を有機金属化合物（ここではＴＥＯＳを使用）のプラ
ズマ反応により酸化シリコン膜で形成する。
６を有機金属化合物（ここではＴＥＯＳを使用）のプラ
ズマ反応により酸化シリコン膜で形成する。
【０００７】この後、溝５上部にある余分な層間膜６を
ポリッシュより除去して図４（Ｃ）のように平坦化す
る。図３（Ａ）ではポリッシュストッパ層としてシリコ
ンナトライドを用いたが、埋め込み材料がＳｉＯ2であ
れば、例えばこれによりポリッシュ速度の遅い層を用い
ればよい。
ポリッシュより除去して図４（Ｃ）のように平坦化す
る。図３（Ａ）ではポリッシュストッパ層としてシリコ
ンナトライドを用いたが、埋め込み材料がＳｉＯ2であ
れば、例えばこれによりポリッシュ速度の遅い層を用い
ればよい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、ポリッシュ時に使用するスラリーは
一般に粒径１０ｎｍ程度のヒュウムドシリカをＫＯＨ溶
液に分散したものが使用されており、そのコロイダルシ
リカは、弱塩基性のＫＯＨ溶液中で表面層が溶解してシ
リカゾルの形になっており、除去が困難な事が知られて
いる。このため、ポリッシュ後のスラリー除去工程では
各種の工夫が行われている。
来技術においては、ポリッシュ時に使用するスラリーは
一般に粒径１０ｎｍ程度のヒュウムドシリカをＫＯＨ溶
液に分散したものが使用されており、そのコロイダルシ
リカは、弱塩基性のＫＯＨ溶液中で表面層が溶解してシ
リカゾルの形になっており、除去が困難な事が知られて
いる。このため、ポリッシュ後のスラリー除去工程では
各種の工夫が行われている。
【０００９】例えば、ポリッシュ後に一度スラリーをウ
ェハ上で乾燥してしまうと前述のメカニズムで固着して
除去が非常に困難になる。そのためウェハを水に浸漬し
た状態で保存しておき、両面スクライブ洗浄を行うこと
により、パーティクルを除去する方法が提案されてい
る。
ェハ上で乾燥してしまうと前述のメカニズムで固着して
除去が非常に困難になる。そのためウェハを水に浸漬し
た状態で保存しておき、両面スクライブ洗浄を行うこと
により、パーティクルを除去する方法が提案されてい
る。
【００１０】しかし、この除去方法を用いても完全に除
去できないため、ＨＦ溶液によるウェットエッチングを
併用しなければならない。更に、トレンチプロセスにウ
ェットエッチングプロセスが併用した場合には、エッチ
ング量によってはトレンチに埋め込んだ酸化膜がエッチ
ングされてしまうなどの問題がある。
去できないため、ＨＦ溶液によるウェットエッチングを
併用しなければならない。更に、トレンチプロセスにウ
ェットエッチングプロセスが併用した場合には、エッチ
ング量によってはトレンチに埋め込んだ酸化膜がエッチ
ングされてしまうなどの問題がある。
【００１１】従って、ポリッシュ後のスラリー除去が効
率的に行えるポリッシュ技術が切望されている。
率的に行えるポリッシュ技術が切望されている。
【００１２】本発明は、このような従来技術の問題点に
着目して創案されたものであって、ポリッシュプロセス
による低パーティクルな平坦化絶縁膜の形成方法を得ん
とするものである。
着目して創案されたものであって、ポリッシュプロセス
による低パーティクルな平坦化絶縁膜の形成方法を得ん
とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
段差を有する基板上に酸化膜を形成した後、前記段差を
埋める絶縁膜を全面に形成し、表面に疎水処理層が形成
された微粒子をスラリーとして用いて前記絶縁膜を研磨
することを、その解決手段としている。
段差を有する基板上に酸化膜を形成した後、前記段差を
埋める絶縁膜を全面に形成し、表面に疎水処理層が形成
された微粒子をスラリーとして用いて前記絶縁膜を研磨
することを、その解決手段としている。
【００１４】請求項２記載の発明は、疎水処理層が疎水
基（アルキル基，ハロゲン等）を有すことを特徴として
いる。
基（アルキル基，ハロゲン等）を有すことを特徴として
いる。
【００１５】請求項３記載の発明は、疎水処理層を、疎
水溶液中で還流処理方法を用いた所謂溶液反応プロセス
により形成したことを特徴としている。
水溶液中で還流処理方法を用いた所謂溶液反応プロセス
により形成したことを特徴としている。
【００１６】
【作用】請求項１及び２記載の発明においては、微細粒
子をスラリーに用いて絶縁膜を研磨することにより、絶
縁膜は平坦化される。微細粒子は、表面に疎水処理層が
形成されているため、乾燥時に基板表面に固着すること
が防止される。
子をスラリーに用いて絶縁膜を研磨することにより、絶
縁膜は平坦化される。微細粒子は、表面に疎水処理層が
形成されているため、乾燥時に基板表面に固着すること
が防止される。
【００１７】請求項３記載の発明においては、疎水処理
層が、疎水溶液中で還流処理方法（溶液反応法）により
形成されているため、微細粒子表面に化学結合して設け
られている。このため、研磨に対しても疎水処理層が耐
久性を有し、安定したスラリーとなる。
層が、疎水溶液中で還流処理方法（溶液反応法）により
形成されているため、微細粒子表面に化学結合して設け
られている。このため、研磨に対しても疎水処理層が耐
久性を有し、安定したスラリーとなる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の平坦化絶縁膜の形成方法の実
施例について説明する。ここで、実際の表面処理プロセ
スの説明に先立ち、まず本発明を実施するために使用し
た溶液反応装置の構成例及び処理方法について、図２を
参考にしながら説明する。なお、ここでは溶液反応装置
としてシリカの反応処理を取り上げるがシリカ粒子の載
置の構成及び方法については、特に限定されるものでは
ない。
施例について説明する。ここで、実際の表面処理プロセ
スの説明に先立ち、まず本発明を実施するために使用し
た溶液反応装置の構成例及び処理方法について、図２を
参考にしながら説明する。なお、ここでは溶液反応装置
としてシリカの反応処理を取り上げるがシリカ粒子の載
置の構成及び方法については、特に限定されるものでは
ない。
【００１９】反応溶液槽１１の側壁部に必要な有機金属
化合物（例えばトリメチルエトチシシラン；（ＣＨ3）3
ＳｉＯＣ2Ｈ5）を矢印Ｂ１の方向から導入するための導
入管２２及び溶媒を矢印Ｂ２の方向から導入するための
導入管２３が設けられている。また、他の側壁部には、
溶液反応処理時にシリカ粒子上の表面吸着水及び副反応
生成物等を分離するトラップ１４及び溶媒還流を可能に
するための冷却配管１５が埋設されており、装置外部に
設置されたチラー１６等の冷却設備から冷媒を導入して
図中矢印Ｃ１方向に循環されるようになっている。反応
溶液槽１１の内部には、被処理部品であるシリカ粒子を
載置する載置台１７が収容されている。反応溶液槽１１
内には、溶液を加熱するためのヒータ１８が埋設されて
いる。更に、トラップ１４には、溶液反応室の圧力を制
御可能なように排気装置１９が接続されている。
化合物（例えばトリメチルエトチシシラン；（ＣＨ3）3
ＳｉＯＣ2Ｈ5）を矢印Ｂ１の方向から導入するための導
入管２２及び溶媒を矢印Ｂ２の方向から導入するための
導入管２３が設けられている。また、他の側壁部には、
溶液反応処理時にシリカ粒子上の表面吸着水及び副反応
生成物等を分離するトラップ１４及び溶媒還流を可能に
するための冷却配管１５が埋設されており、装置外部に
設置されたチラー１６等の冷却設備から冷媒を導入して
図中矢印Ｃ１方向に循環されるようになっている。反応
溶液槽１１の内部には、被処理部品であるシリカ粒子を
載置する載置台１７が収容されている。反応溶液槽１１
内には、溶液を加熱するためのヒータ１８が埋設されて
いる。更に、トラップ１４には、溶液反応室の圧力を制
御可能なように排気装置１９が接続されている。
【００２０】次に、実際のポリッシュプロセスの説明に
先立ち、まず本発明を実施するために使用したポリッシ
ュ装置の構成例、及び処理方法について図２を参照しな
がら説明する。
先立ち、まず本発明を実施するために使用したポリッシ
ュ装置の構成例、及び処理方法について図２を参照しな
がら説明する。
【００２１】なお、ここでは上記ポリッシュ装置とし
て、枚葉式のポリッシャー装置を取り上げるが、ウェハ
載置の構成や使用方法の工夫については、特に限定され
るものではない。
て、枚葉式のポリッシャー装置を取り上げるが、ウェハ
載置の構成や使用方法の工夫については、特に限定され
るものではない。
【００２２】図１に示すように、ウェハ２１はウェハ保
持試料台（キャリア）２２に真空チャック方式により固
定される。一方、研磨プレート（プラテン）２３上には
パッド２４が固定されており、スラリー導入管２５から
スラリー２６が供給される。ポリッシュ処理中は、上部
の試料台回転軸２７、及び研磨プレート回転軸２８を回
転することにより、ウェハ面内のポリッシュの均一性を
確保している。
持試料台（キャリア）２２に真空チャック方式により固
定される。一方、研磨プレート（プラテン）２３上には
パッド２４が固定されており、スラリー導入管２５から
スラリー２６が供給される。ポリッシュ処理中は、上部
の試料台回転軸２７、及び研磨プレート回転軸２８を回
転することにより、ウェハ面内のポリッシュの均一性を
確保している。
【００２３】なお、ポリッシュ時のウェハの押しつけ圧
力については、ウェハ保持試料（キャリア）２２に加え
る力を制御することにより行う。また、研磨プレート
（プラテン）２３内にはプレートの温度を制御できるよ
うにヒータ２９が埋設されている。
力については、ウェハ保持試料（キャリア）２２に加え
る力を制御することにより行う。また、研磨プレート
（プラテン）２３内にはプレートの温度を制御できるよ
うにヒータ２９が埋設されている。
【００２４】次に、ポリッシュ装置を用いた平坦化方法
について、実際のプロセス例について説明する。
について、実際のプロセス例について説明する。
【００２５】（実施例１）本実施例では、スラリーとし
てトリメチルエトキシシランを用いて表面処理層を形成
したシリカを用いた。
てトリメチルエトキシシランを用いて表面処理層を形成
したシリカを用いた。
【００２６】以下、スラリーに用いているシリカの表面
処理方法について説明する。
処理方法について説明する。
【００２７】シリカ微粒子を図２の載置台１７上にセッ
トし、疎水性溶媒、例えばオルトキシレン（o-xylene;
沸点１４５℃）を、反応容器内にシリカ微粒子が浸漬す
る程度導入する。この時、ヒータ１８により溶媒の温度
を沸点である１４５℃に保持する。これによりシリカ微
粒子表面に吸着した水分は添加した溶媒と共に蒸発し、
前述の冷却配管１５で液化する。この場合、オルトキシ
レンと相溶しない吸着水は比重差によりトラップ１４に
分離される。
トし、疎水性溶媒、例えばオルトキシレン（o-xylene;
沸点１４５℃）を、反応容器内にシリカ微粒子が浸漬す
る程度導入する。この時、ヒータ１８により溶媒の温度
を沸点である１４５℃に保持する。これによりシリカ微
粒子表面に吸着した水分は添加した溶媒と共に蒸発し、
前述の冷却配管１５で液化する。この場合、オルトキシ
レンと相溶しない吸着水は比重差によりトラップ１４に
分離される。
【００２８】この状態で、吸着水が脱離するまで１時間
還流する。なお、表面吸着水が残留している場合には、
次の表面処理層の形成時に添加するトリメチルエトキシ
シラン等の有機金属アルコキシドが溶液中で反応してし
まうため、表面疎水処理層が安定に形成できない等の弊
害が発生してしまう。
還流する。なお、表面吸着水が残留している場合には、
次の表面処理層の形成時に添加するトリメチルエトキシ
シラン等の有機金属アルコキシドが溶液中で反応してし
まうため、表面疎水処理層が安定に形成できない等の弊
害が発生してしまう。
【００２９】次に、トラップ１４にある吸着水をドレイ
ンより除去した後、トリメチルエトキシシランを添加
し、１４６℃で還流することにより表面疎水処理層を形
成する。溶媒としては、疎水溶媒でしかも反応生成物の
アルコール及び表面吸着水より沸点の高い溶媒を選択す
ればよい。例えばオルトキシレンの他にはシクロオクタ
ノンなどが考えられる。
ンより除去した後、トリメチルエトキシシランを添加
し、１４６℃で還流することにより表面疎水処理層を形
成する。溶媒としては、疎水溶媒でしかも反応生成物の
アルコール及び表面吸着水より沸点の高い溶媒を選択す
ればよい。例えばオルトキシレンの他にはシクロオクタ
ノンなどが考えられる。
【００３０】次に、本微粒子を用いたポリッシュプロセ
スについて再度図３を用いて説明する。
スについて再度図３を用いて説明する。
【００３１】本実施例は、トレンチアイソレーションに
より平坦化した場合である。図３（Ａ）に示されるよう
に、シリコン等からなる半導体基板１上に、薄いシリコ
ン酸化膜２及び薄いシリコンナイトライド膜３を形成し
た後、レジストプロセスを用いてエッチングにより溝５
を形成した後、熱酸化により内壁酸化膜４を形成したウ
ェハを用意する。
より平坦化した場合である。図３（Ａ）に示されるよう
に、シリコン等からなる半導体基板１上に、薄いシリコ
ン酸化膜２及び薄いシリコンナイトライド膜３を形成し
た後、レジストプロセスを用いてエッチングにより溝５
を形成した後、熱酸化により内壁酸化膜４を形成したウ
ェハを用意する。
【００３２】次いで、図３（Ｂ）に示したように、層間
膜６を形成する。層間膜６は、有機金属化合物（ここで
はＴＥＯＳを使用）とオゾンとの反応により酸化シリコ
ンで形成される。
膜６を形成する。層間膜６は、有機金属化合物（ここで
はＴＥＯＳを使用）とオゾンとの反応により酸化シリコ
ンで形成される。
【００３３】以下に層間膜６の形成条件を示す。
【００３４】 ・ＴＥＯＳガス流量………１０００sccm（Ｈｅバブリン
グ） ・Ｏ3ガス流量 ……………２０００sccm ・圧力 ……………７９８００Ｐａ（６００Ｔor
r） ・温度 ……………３９０℃ 次いで、余分な層間膜６をシリカ微細粒子のポリッシュ
により除去する。このポリッシュの条件は以下に示す通
りである。
グ） ・Ｏ3ガス流量 ……………２０００sccm ・圧力 ……………７９８００Ｐａ（６００Ｔor
r） ・温度 ……………３９０℃ 次いで、余分な層間膜６をシリカ微細粒子のポリッシュ
により除去する。このポリッシュの条件は以下に示す通
りである。
【００３５】 ・研磨プレート２３の回転数…………３７rpm ・ウェハ保持試料台２２の回転数……１７rpm ・研磨圧力調整 ………………５．５×１０3Ｐ
ａ ・スラリー流量 ………………２２５ml/min ・スラリー成分 ………………表面処理済シリカ ＫＯＨ 水 次に、ポリッシュ後に、水洗することでスラリー粒子を
除去する。シリカ微粒子は表面での溶解反応が起きてい
ないことや、被研磨面の水酸基との水素結合が発生して
いないことから容易に除去できる。
ａ ・スラリー流量 ………………２２５ml/min ・スラリー成分 ………………表面処理済シリカ ＫＯＨ 水 次に、ポリッシュ後に、水洗することでスラリー粒子を
除去する。シリカ微粒子は表面での溶解反応が起きてい
ないことや、被研磨面の水酸基との水素結合が発生して
いないことから容易に除去できる。
【００３６】又、層間膜６の形成には、有機金属化合物
にはテトラエトキシシランを用いたが、絶縁膜が形成可
能である有機金属アルコキシドに適宜変更可能である。
例えば、ＴＰＯＳ（tetra proppoxy silane),ＴＭＣＴ
Ｓ(tetra methyl cyclo tetrasiloxane)等でも可能であ
る。
にはテトラエトキシシランを用いたが、絶縁膜が形成可
能である有機金属アルコキシドに適宜変更可能である。
例えば、ＴＰＯＳ（tetra proppoxy silane),ＴＭＣＴ
Ｓ(tetra methyl cyclo tetrasiloxane)等でも可能であ
る。
【００３７】（実施例２）本実施例は、スラリーにトリ
フロロメチルシランを表面処理したものを用いた。トリ
フロロメトキシシランを用いることで、シリカ粒子の撥
水性を向上させることができる。
フロロメチルシランを表面処理したものを用いた。トリ
フロロメトキシシランを用いることで、シリカ粒子の撥
水性を向上させることができる。
【００３８】なお、シリカ粒子の表面処理及びポリッシ
ュ方法は実施例１と同様な条件で行われた。本実施例の
ように、トリフロロメトキシシランで表面処理した場合
は、粒子の撥水性がさらに高く洗浄時間を短縮すること
ができる。
ュ方法は実施例１と同様な条件で行われた。本実施例の
ように、トリフロロメトキシシランで表面処理した場合
は、粒子の撥水性がさらに高く洗浄時間を短縮すること
ができる。
【００３９】以上、実施例について説明したが、本発明
は、これらに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。
は、これらに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。
【００４０】例えば、上記実施例においては、微粒子が
シリカ粒子であるが、他の材料例えばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＣ
等で形成しても勿論よい。
シリカ粒子であるが、他の材料例えばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＣ
等で形成しても勿論よい。
【００４１】また、上記実施例は、トレンチアイソレー
ションの形成に、本発明を適用して説明したが、他の絶
縁膜の平坦化に適用し得ることは言うまでもない。
ションの形成に、本発明を適用して説明したが、他の絶
縁膜の平坦化に適用し得ることは言うまでもない。
【００４２】さらに、上記実施例においては、微粒子表
面にアルキル基を結合させたが、ハロゲン置換換したア
ルキル基等の疎水基を含有するものでもよい。
面にアルキル基を結合させたが、ハロゲン置換換したア
ルキル基等の疎水基を含有するものでもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１〜３記載の発明によれば、スラリーに用いる微粒子
が、乾燥時に基板上に固着するのを防止できる効果があ
る。このため、ポリッシュプロセスによる低パーティク
ルな平坦化絶縁膜が得られる効果がある。
１〜３記載の発明によれば、スラリーに用いる微粒子
が、乾燥時に基板上に固着するのを防止できる効果があ
る。このため、ポリッシュプロセスによる低パーティク
ルな平坦化絶縁膜が得られる効果がある。
【図１】本発明の実施例に用いたポリッシュ装置の説明
図。
図。
【図２】本発明の実施例に用いた溶液反応装置の説明
図。
図。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は平坦絶縁膜の形成工程を示す
断面図。
断面図。
１…基板 ５…溝 ６…層間膜 ２６…スラリー
Claims (3)
- 【請求項１】 段差を有する基板上に酸化膜を形成した
後、前記段差を埋める絶縁膜を全面に形成し、表面に疎
水処理層が形成された微粒子をスラリーとして用いて前
記絶縁膜を研磨することを特徴とする平坦化絶縁膜の形
成方法。 - 【請求項２】 前記疎水処理層は、疎水基を有する請求
項１記載の平坦化絶縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記疎水処理層は、疎水溶液中で還流処
理方法を用いて形成する請求項１記載の平坦化絶縁膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470392A JP3309442B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470392A JP3309442B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124946A true JPH06124946A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3309442B2 JP3309442B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=17545387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27470392A Expired - Fee Related JP3309442B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3309442B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010004982A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 산화막 연마용 슬러리 제조 방법 |
| JP2003257903A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 研磨剤の製造方法 |
| JP2008199036A (ja) * | 2001-10-31 | 2008-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨液及び研磨方法 |
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1992
- 1992-10-14 JP JP27470392A patent/JP3309442B2/ja not_active Expired - Fee Related
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