JPH0612441B2 - Mask defect repair method - Google Patents
Mask defect repair methodInfo
- Publication number
- JPH0612441B2 JPH0612441B2 JP24560484A JP24560484A JPH0612441B2 JP H0612441 B2 JPH0612441 B2 JP H0612441B2 JP 24560484 A JP24560484 A JP 24560484A JP 24560484 A JP24560484 A JP 24560484A JP H0612441 B2 JPH0612441 B2 JP H0612441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- compound vapor
- ion beam
- compound
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 78
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 42
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 31
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ａ．産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造工程のなかで必要とされるマ
スクおよびレチクル（以下、総称してマスクと言うこと
もある）の白色欠陥の修正方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION a. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for repairing a white defect in a mask and a reticle (hereinafter also collectively referred to as a mask) required in a semiconductor device manufacturing process.
ｂ．従来技術 第２図にマスクリペア装置の概略図を示す。第２図中１
はマスクまたはレチクル、２は高輝度イオン源、３はイ
オンビーム光学系、４はイオンビーム、５は二次荷電粒
子分析装置、６は化合物蒸気吹付け装置、７はＸ−Ｙス
テージ、８は真空容器、９は排気系である。ここで、イ
オンビーム光学系３は、高輝度イオン源２で発生したイ
オンビームを加速してマスクまたはレチクル１上で集束
させる働きをしており、排気系９は真空容器８の内部を
10-6Torr台以下の圧力に保つためのものである。さて、
マスクまたはレチクル上の白点欠陥位置は次の様にして
観察する。すなわち、ハードフオトマスクの白点欠陥を
修正する例においては、マスク上でイオンビーム４を走
査することによって発生する２次イオン等２次荷電粒子
のうちSi +等マスクブランク材及びCr +等マスクブランク
上に描かれたパターン膜材を検出・分析することによ
り、ハードフオトマスク上のパターン形状をＣＲＴ上に
写し出す。そしてＣＲＴ上に写し出されたパターン形状
から白点欠陥位置を発見して次の様な方法で修正する。
すなわち、白点欠陥位置にピレン等の有機化合物蒸気を
化合物蒸気吹付け装置６を用いて吹付けながらイオンビ
ーム４を照射することにより修正する。この様子を示し
た図が第３図である。第３図中、化合物蒸気吹付け装置
は基本的に容器６ａ，化合物蒸気噴出口６ｂ，ヒーター
６ｃによって構成されている。また10は化合物、11は化
合物分子、12は白点欠陥位置、13はマスクリペアによる
パターン膜である。ここで、ハードフオトマスク14上の
白点欠陥位置12に付着した有機化合物分子11はイオンビ
ーム４を照射することにより炭化またはポリマー化する
ことによりマスクリペアによるパターン膜13に変化す
る。b. 2. Related Art FIG. 2 shows a schematic view of a mask repair device. 1 in FIG. 2
Is a mask or reticle, 2 is a high-intensity ion source, 3 is an ion beam optical system, 4 is an ion beam, 5 is a secondary charged particle analyzer, 6 is a compound vapor spraying device, 7 is an XY stage, and 8 is A vacuum container, 9 is an exhaust system. Here, the ion beam optical system 3 has a function of accelerating the ion beam generated by the high-brightness ion source 2 to focus it on the mask or reticle 1, and the exhaust system 9 moves the interior of the vacuum container 8
It is for keeping the pressure below 10 -6 Torr. Now,
The position of the white spot defect on the mask or reticle is observed as follows. That is, in the example of correcting the white spot defect of the hard photomask, among the secondary charged particles such as secondary ions generated by scanning the ion beam 4 on the mask, the mask blank material such as S i + and Cr + By detecting and analyzing the pattern film material drawn on the equal mask blank, the pattern shape on the hard photomask is displayed on the CRT. Then, the white spot defect position is found from the pattern shape projected on the CRT and is corrected by the following method.
That is, correction is performed by irradiating the ion beam 4 while spraying an organic compound vapor such as pyrene on the white spot defect position using the compound vapor spraying device 6. FIG. 3 shows this state. In FIG. 3, the compound vapor spraying device basically comprises a container 6a, a compound vapor jet port 6b, and a heater 6c. Further, 10 is a compound, 11 is a compound molecule, 12 is a white spot defect position, and 13 is a pattern film by mask repair. Here, the organic compound molecules 11 attached to the white spot defect positions 12 on the hard photo mask 14 are carbonized or polymerized by irradiating the ion beam 4 to be changed into a pattern film 13 by mask repair.
尚、従来技術においては、化合物蒸気の吹付け強度は、
修正する白点欠陥の面積によらず一定で、ハードフオト
マスクを使用して露光する時の可視光あるいは紫外光を
遮蔽するに充分な遮光性が得られたところでハードフオ
トマスクの白点欠陥修正が完了していた。In the prior art, the spray strength of the compound vapor is
The white spot defect of the hard photo mask is fixed when the white spot defect is constant regardless of the area to be corrected and sufficient light shielding property is obtained to block visible light or ultraviolet light when using the hard photo mask for exposure. Had been completed.
ｃ．発明が解決しようとする問題点 従来技術においては、白点欠陥の面積が変化すると、照
射するイオンビームの平均照射電流密度（イオンビーム
のプローブ電流と照射面積の比）が変化し、マスクリペ
アにより生成するパターン膜の機械的および化学的性質
または膜生長速度も変化してしまう。すなわち、例えば
１０００μｍ２以上の大面積のマスクリペアによるパタ
ーン膜がその成形位置から脱離することがあり、また、
例えば10μｍ２以下の小面積で照射するイオンビームの
平均照射電流密度が過剰となる領域では、スパツタリン
グ現象が支配的となり、パターン膜形成ができないどこ
ろか、マスク基板またはレチクル基板が削れてしまう。
この様な理由により、従来技術においては、修正する白
点欠陥の面積が限られていた。c. Problems to be Solved by the Invention In the prior art, when the area of the white spot defect changes, the average irradiation current density of the ion beam to be irradiated (the ratio of the probe current of the ion beam to the irradiation area) changes, which causes mask repair. The mechanical and chemical properties of the resulting patterned film or the film growth rate will also change. That is, for example, a pattern film formed by mask repair of a large area of 1000 μm 2 or more may be detached from its molding position.
For example, in a region where the average irradiation current density of the ion beam irradiated in a small area of 10 μm 2 or less is excessive, the spattering phenomenon becomes dominant, and the mask substrate or the reticle substrate is scraped rather than forming the pattern film.
For this reason, the area of the white spot defect to be corrected is limited in the conventional technique.
本発明は、上記の問題点を解決するための方法を提供す
るものである。The present invention provides a method for solving the above problems.
ｄ．問題点を解決しようとする手段 半導体集積回路等を製造するためのマスクまたはレチク
ルの白点欠陥を修正する目的として、液体金属イオン源
等の高輝度イオン源と、これにより放出されるイオンビ
ームを集束させ前記マスクまたはレチクル上を走査させ
るイオンビーム光学系と、前記白点欠陥の位置に化合物
蒸気を供給するための化合物蒸気吹付け装置と、前記イ
オンビームの照射により前記マスクまたはレチクルより
放出される二次荷電粒子を検出・分析するための二次荷
電粒子分析装置と、前記マスクまたはレチクルを移動さ
せるためのＸ−Ｙステーヂを備えたマスクリペア装置に
おいて、前記白点欠陥位置に照射するイオンの単位数に
対して反応させる化合物の分子数の比を適切な範囲に保
つ様に、前記化合物蒸気吹付け装置による化合物蒸気の
白点欠陥位置への供給強度（単位面積・単位時間当りに
供給される化合物分子の数）を制御したことを特徴とす
るマスクリペア装置の化合物蒸気供給方法。d. Means for Solving Problems A high-brightness ion source such as a liquid metal ion source and an ion beam emitted by the same are used for the purpose of correcting white spot defects in a mask or reticle for manufacturing a semiconductor integrated circuit or the like. An ion beam optical system for focusing and scanning on the mask or reticle, a compound vapor spraying device for supplying a compound vapor to the position of the white spot defect, and a beam emitted from the mask or reticle by irradiation of the ion beam. In a mask repair apparatus equipped with a secondary charged particle analyzer for detecting and analyzing secondary charged particles, and an XY stage for moving the mask or reticle. In order to keep the ratio of the number of molecules of the compound to be reacted to the unit number of A method for supplying compound vapor to a mask repair apparatus, characterized in that the supply intensity (the number of compound molecules supplied per unit area / unit time) of the compound vapor to the white spot defect position is controlled.
ｅ．作用 修正する白点欠陥の面積によらずに生成するパターン膜
の膜質を一定にさせ、さらに、白点欠陥の面積を広範囲
にわたって修正することを可能にしたことを特徴とする
マスクリペア装置の化合物蒸気供給方法である。e. Function A compound of a mask repair device characterized in that the quality of a pattern film to be generated is made constant regardless of the area of the white spot defect to be corrected, and further the area of the white spot defect can be corrected over a wide range. It is a steam supply method.
ｆ．実施例 まず最初に、白点欠陥位置に化合物蒸気を吹付けながら
イオンビーム照射を行なってパターン膜を形成する現象
を、実験結果に基づいて説明する。第４図(a)は、化合
物蒸気の吹付け強度を一定にした時のイオンビームの平
均照射電流密度とパターン膜の膜厚成長速度の関係を示
した図である。ここで使用した化合物種はトリフエニレ
ンで、吹付け強度はヒーターの加熱温度を１１０℃に保
つことにより一定にした、また照射したイオンビームが
ガリウムを20Kevに加速したものである。第４図(a)にお
いてイオンビームの平均照射電流密度が５×10-4A/cm2
以上のときにはイオンビーム照射によるスパツタリング
現象の影響が大きくなり、生成するパターン膜の膜厚の
成長速度が遅い。またイオンビームの平均照射電流密度
が２×10-5A/cm2以下においてはイオンビーム照射が不
足の状態で、充分なパターン膜成長速度が得られない。
次に第４図(b)は、照射するイオンビームの平均照射電
流密度を１×10-4A/cm2で一定にした時の化合物蒸気の
吹付け強度とパターン膜の膜厚成長速度の関係を示した
図である。ここで使用した化合物種や照射したイオンビ
ームの条件は第４図(a)の例と同じである。また、化合
物蒸気の吹付け強度は化合物蒸気吹付け装置の加熱温度
で制御したため、第４図(b)の横軸は加熱温度で表わし
た。第４図(b)において加熱温度が90℃以下においては
化合物蒸気の供給が不足している状態で、イオンビーム
照射によるスパツタリング現象が支配的で、パターン膜
が成長しないどころか基板が削れてしまっている。ま
た、加熱温度が１２０℃以上においては化合物蒸気の供
給が過剰な状態で、生成したパターン膜は50μｍ径のダ
イヤ針による80ｇの引掻き強度以上で基板から脱離した
り80℃の熱濃硫酸により分解してしまい、フオトマスク
のパターン膜材としては不適当なものであった。以上説
明してきた様に、マスクリペアによるパターン膜の形成
条件としては、照射するイオンビームの平均照射電流密
度及び化合物蒸気の供給強度（すなわち白点欠陥位置に
照射するイオンの単位数に対して反応させる化合物の分
子数の比を適当な範囲にする必要がある。ところで、マ
スクまたはレチクルの白点欠陥の面積は数μｍ２から数
千μｍ２に及ぶのに対して照射するイオンビームのプロ
ーブ電流は大きく可変させることは困難である。このた
め修正すべき白点欠陥の面積が大きくなるに従って照射
するイオンビームの平均照射電流密度は小さくなり、生
成するパターン膜の付着強度が弱くなる。また逆に白点
欠陥の面積が小さすぎるとイオンビーム照射によるスパ
ツタリングによってパターン膜の成長速度が遅かったり
パターン膜が成長しなかったりする。以上に説明した様
なパターン膜形成の現象およびイオンビームのプローブ
電流の現状において、本発明による化合物蒸気供給方法
は、修正する白点欠陥の面積によらずに、形成するパタ
ーン膜の膜厚を一定にする方法を提供するものである。
すなわち、白点欠陥の面積が小さくて従来技術ではスパ
ツタリング現象が顕著となる領域では化合物蒸気の供給
強度を強くし、また白点欠陥の面積が大きくて従来技術
では生成するパターン膜の付着強度が不充分であった領
域では化合物蒸気の供給強度を減じることにより、白点
欠陥の面積によらずに一定の膜厚のパターン膜を形成し
てマスクリペアを行なうものである。f. Example First, a phenomenon in which a pattern film is formed by performing ion beam irradiation while spraying a compound vapor at a white spot defect position will be described based on experimental results. FIG. 4 (a) is a diagram showing the relationship between the average irradiation current density of the ion beam and the film thickness growth rate of the pattern film when the spraying intensity of the compound vapor is constant. The compound species used here was triphenylene, and the spraying intensity was made constant by keeping the heating temperature of the heater at 110 ° C., and the ion beam irradiated accelerated gallium to 20 Kev. In Fig. 4 (a), the average irradiation current density of the ion beam is 5 × 10 -4 A / cm 2
In the above case, the effect of the spattering phenomenon due to the irradiation of the ion beam becomes large, and the growth rate of the film thickness of the generated pattern film is slow. Further, when the average irradiation current density of the ion beam is 2 × 10 −5 A / cm 2 or less, the ion beam irradiation is insufficient and a sufficient pattern film growth rate cannot be obtained.
Next, Fig. 4 (b) shows the spraying intensity of the compound vapor and the film thickness growth rate of the patterned film when the average irradiation current density of the ion beam to be irradiated is kept constant at 1 × 10 -4 A / cm 2 . It is the figure which showed the relationship. The compound species used here and the conditions of the irradiated ion beam are the same as in the example of FIG. 4 (a). Further, since the spraying intensity of the compound vapor was controlled by the heating temperature of the compound vapor spraying device, the horizontal axis of FIG. 4 (b) was represented by the heating temperature. In Fig. 4 (b), when the heating temperature is below 90 ° C, the supply of compound vapor is insufficient, and the spattering phenomenon due to ion beam irradiation is dominant, and the substrate is scraped rather than the pattern film growing. There is. When the heating temperature is 120 ° C or higher, the supplied pattern vapor is excessive, and the formed pattern film is detached from the substrate with a scratch strength of 80 g or more by a diamond needle with a diameter of 50 μm or decomposed by hot concentrated sulfuric acid at 80 ° C. Therefore, it was unsuitable as a photomask pattern film material. As described above, the conditions for forming a patterned film by mask repair are as follows: the average irradiation current density of the ion beam to be irradiated and the supply intensity of the compound vapor (that is, the reaction with respect to the unit number of ions irradiated to the white spot defect position). The area ratio of the white spot defects on the mask or reticle ranges from several μm 2 to several thousand μm 2 , while the probe current of the ion beam to be irradiated is required. Therefore, it is difficult to make large changes, and as the area of the white spot defect to be corrected becomes larger, the average irradiation current density of the ion beam to be irradiated becomes smaller and the adhesion strength of the generated pattern film becomes weaker. If the area of the white spot defect is too small, the growth rate of the pattern film may be slow due to the sputtering due to ion beam irradiation, or the pattern film may be slow. Under the present circumstances of the pattern film formation phenomenon and the ion beam probe current as described above, the compound vapor supply method according to the present invention forms a white spot defect regardless of the area to be corrected. It is intended to provide a method for making the film thickness of a pattern film constant.
That is, in the region where the white spot defect area is small and the spattering phenomenon is remarkable in the conventional technique, the supply strength of the compound vapor is increased, and the white spot defect area is large and the adhesion strength of the pattern film generated in the conventional technique is large. In the insufficient area, the supply intensity of the compound vapor is reduced to form a pattern film having a constant film thickness regardless of the area of the white spot defect, and mask repair is performed.
次に本発明の実施例を図に基づいて説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図(a)は化合物蒸気の白点欠陥位置への供給強度を
化合物蒸気吹付け装置による加熱温度によって制御した
実施例で、１はマスクまたはレチクル、２は高輝度イオ
ン源、３はイオンビーム光学系、４はイオンビーム、５
は二次荷電粒子分析装置、６は化合物蒸気吹付け装置、
７はＸ−Ｙステージ，８は真空容器で第２図で示した従
来例と同等のものである。ここで１４はＣＲＴで二次荷
電粒子分析装置５で分析したマスクまたはレチクル１の
表面を写し出すもの、１５は温度コントローラで、化合
物蒸気吹付け装置の温度を制御する。また１６は欠陥修
正領域指示器、１７は修正面積演算器である。この装置
において化合物蒸気の白点欠陥位置への供給強度の制御
は次のようにして行なう。オペレータはＣＲＴ１４に写
し出されたマスクまたはレチクル１のパターン像を観察
することによって白点欠陥位置を発見し、この白点欠陥
を修正する領域を修正領域指示器１６によって指示す
る。指示された領正領域は修正面積演算器１７によって
その面積を計算して、その面積に対する適正な化合物蒸
気供給強度を温度コントローラ１５に指示する。温度コ
ントローラ１５は修正面積演算器１７の指示に従って化
合物蒸気吹付け装置による化合物蒸気供給強度を、化合
物の加熱温度によって制御する。FIG. 1 (a) is an embodiment in which the supply intensity of the compound vapor to the white spot defect position is controlled by the heating temperature by the compound vapor spraying device, 1 is a mask or reticle, 2 is a high-intensity ion source, and 3 is an ion. Beam optics, 4 is ion beam, 5
Is a secondary charged particle analyzer, 6 is a compound vapor spraying device,
Reference numeral 7 is an XY stage, and 8 is a vacuum container, which is equivalent to the conventional example shown in FIG. Here, 14 is a CRT which projects the surface of the mask or reticle 1 analyzed by the secondary charged particle analyzer 5, and 15 is a temperature controller which controls the temperature of the compound vapor spraying device. Reference numeral 16 is a defect correction area indicator, and 17 is a correction area calculator. In this apparatus, the supply intensity of the compound vapor to the white spot defect position is controlled as follows. The operator finds the position of the white spot defect by observing the pattern image of the mask or reticle 1 projected on the CRT 14, and indicates the area for correcting the white spot defect by the correction area indicator 16. The area of the designated area is calculated by the correction area calculator 17 and the temperature controller 15 is instructed of an appropriate compound vapor supply intensity for the area. The temperature controller 15 controls the compound vapor supply intensity by the compound vapor spraying device according to the instruction of the corrected area calculator 17 according to the heating temperature of the compound.
第１図(b)は化合物蒸気の白点欠陥位置への供給強度
を、化合物蒸気吹付け装置の化合物蒸気噴出口と白点欠
陥位置との距離によって制御した実施例で、１はマスク
またはレチクル、２は高輝度イオン源、３はイオンビー
ム光学系、４はイオンビーム、５は二次荷電粒子分析装
置、６は化合物蒸気吹付け装置、７はＸ−Ｙステージ、
８は真空容器、１４はＣＲＴ、１６は欠陥修正領域指示
器で第１図(a)に示したものと同等である。ここで１８
は修正面積演算器、１９は位置調節器で、例えばピエゾ
素子によって化合物蒸気吹付け装置６の化合物蒸気噴出
口と白点欠陥位置との距離を調節する働きをする。また
２０は調節位置コントローラで、位置調節器１９がピエ
ゾ素子のときには安定化高圧電源に相当する。FIG. 1 (b) is an embodiment in which the supply intensity of the compound vapor to the white spot defect position is controlled by the distance between the compound vapor jet port of the compound vapor spraying device and the white spot defect position, and 1 is a mask or reticle. 2 is a high-intensity ion source, 3 is an ion beam optical system, 4 is an ion beam, 5 is a secondary charged particle analyzer, 6 is a compound vapor spraying device, 7 is an XY stage,
Reference numeral 8 is a vacuum container, 14 is a CRT, and 16 is a defect correction area indicator, which is equivalent to that shown in FIG. 1 (a). 18 here
Is a correction area calculator, and 19 is a position adjuster, which functions to adjust the distance between the compound vapor jetting port of the compound vapor spraying device 6 and the white spot defect position by, for example, a piezo element. Reference numeral 20 denotes an adjustment position controller, which corresponds to a stabilized high voltage power source when the position adjuster 19 is a piezo element.
この装置において化合物蒸気の白点欠陥位置への供給強
度の制御は次のようにして行なう。オペレータはＣＲＴ
１４に写し出されたマスクまたはレチクル１のパターン
像を観察することによって白点欠陥位置を発見し、この
白点欠陥を修正する領域を修正領域指示器１６によって
指示する。指示された修正領域は修正面積演算器１８に
よってその面積を計算して、その面積に対する適正な化
合物蒸気供給強度を、調節位置コントローラ２０に指示
して、化合物蒸気噴出口と白点欠陥位置との距離を制御
することによって化合物蒸気の白点欠陥位置への供給強
度を調節する。In this apparatus, the supply intensity of the compound vapor to the white spot defect position is controlled as follows. Operator is a CRT
The white spot defect position is found by observing the pattern image of the mask or reticle 1 projected on 14, and the correction region indicator 16 indicates the region where the white spot defect is corrected. The area of the designated correction area is calculated by the correction area calculator 18, and an appropriate compound vapor supply intensity for the area is instructed to the adjustment position controller 20 so that the compound vapor jet port and the white spot defect position By controlling the distance, the supply intensity of the compound vapor to the white spot defect position is adjusted.
第１図(c)および第５図(a)(b)は化合物蒸気の白点欠陥
位置への供給強度を、化合物蒸気吹付け装置に装着され
たバリアブルリークバルブによって調節した実施例を示
す図である。第１図(c)において、１はマスクまたはレ
チクル、２は高輝度イオン源、３はイオンビーム光学
系、４はイオンビーム、５は２次荷電粒子分析装置、７
はＸ−Ｙステージ、８は真空容器、１４はＣＲＴ、１６
は欠陥修正領域指示器で第１図(a)に示したものと同等
である。ここで２１は修正面積演算器、２２はリーク量
調節器、２３は化合物蒸気吹付け装置である。リーク量
調節器２２と化合物蒸気吹付け装置の構成例は第５図
(a)(b)に示すものである。すなわち第５図(a)において
６ａは容器、６ｃはヒーター、１０は化合物で第３図に
示したものと同等である。バリアブルリークバルブはピ
ン２４および化合物蒸気案内孔端面２５により構成され
てる。ここで化合物蒸気のリーク量の調節は、リーク量
調節器２２によってピン２３と化合物蒸気案内孔端面２
４の間のすきまを変化させることによって行なう。また
第５図(b)において、６ａは容器、６ｃはヒータ、１０
は化合物、２６はノズル、２４はピン、２５は化合物蒸
気案内孔端面、２２はリーク量調節器である。ここで化
合物蒸気のリーク量の調節は、第５図(a)の例と同様に
して行なう。すなわち、リーク量調節器２２によってピ
ン２４と化合物蒸気案内孔端面２５のすきまを変化させ
ることによる。FIGS. 1 (c) and 5 (a) (b) are diagrams showing an example in which the supply intensity of the compound vapor to the white spot defect position is adjusted by a variable leak valve mounted on the compound vapor spraying device. Is. In FIG. 1 (c), 1 is a mask or reticle, 2 is a high-intensity ion source, 3 is an ion beam optical system, 4 is an ion beam, 5 is a secondary charged particle analyzer, 7
Is an XY stage, 8 is a vacuum container, 14 is a CRT, 16
The defect correction area indicator is equivalent to that shown in FIG. 1 (a). Here, 21 is a corrected area calculator, 22 is a leak amount controller, and 23 is a compound vapor spraying device. FIG. 5 shows a configuration example of the leak amount controller 22 and the compound vapor spraying device.
This is shown in (a) and (b). That is, in FIG. 5 (a), 6a is a container, 6c is a heater, and 10 is a compound, which are equivalent to those shown in FIG. The variable leak valve includes a pin 24 and a compound vapor guide hole end surface 25. Here, the amount of leak of the compound vapor is adjusted by the leak amount adjuster 22 and the pin 23 and the end face 2 of the compound vapor guide hole.
This is done by changing the clearance between four. Further, in FIG. 5 (b), 6a is a container, 6c is a heater, 10
Is a compound, 26 is a nozzle, 24 is a pin, 25 is a compound vapor guide hole end face, and 22 is a leak amount regulator. Here, the amount of leak of the compound vapor is adjusted in the same manner as in the example of FIG. 5 (a). That is, the clearance between the pin 24 and the compound vapor guide hole end face 25 is changed by the leak amount adjuster 22.
さて、第１図(c)にもどり、この装置による化合物蒸気
の白点欠陥位置への供給強度の制御は次のようにして行
なう。すなわち、オペレータはＣＲＴ１４に写し出され
たマスクまたはレチクル１のパターン像を観察すること
によって白点欠陥位置を発見し、この白点欠陥を修正す
る領域を修正領域指示器１６によって指示する。指示さ
れた修正領域は修正面積演算器２１によってその面積を
計算して、その面積に対する適正な化合物蒸気供給強度
をリーク量調節器２２によって調節する。Now, returning to FIG. 1 (c), the control of the supply intensity of the compound vapor to the white spot defect position by this device is performed as follows. That is, the operator finds the white spot defect position by observing the pattern image of the mask or reticle 1 projected on the CRT 14, and designates the area for correcting the white spot defect by the correction area indicator 16. The area of the designated correction area is calculated by the correction area calculator 21, and the appropriate compound vapor supply intensity for the area is adjusted by the leak amount adjuster 22.
ｆ．発明の効果 以上説明してきたように本発明によるマスクリペア装置
の化合物蒸気供給方法によると、マスクリペアにより生
成するパターン膜の膜厚がその面積によらずに一定のも
のとなる効果がある。f. EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the compound vapor supply method of the mask repair apparatus of the present invention, there is an effect that the film thickness of the pattern film generated by the mask repair becomes constant regardless of its area.
また、修正できる白点欠陥の面積の範囲も従来技術より
も広くなることも大きな効果である。Further, it is also a great effect that the range of the area of the white spot defect that can be corrected is wider than that of the conventional technique.
第１図(a)(b)(c)は本発明の実施例を示す図、第２図は
マスクリペア装置の概略図、第３図化合物蒸気を化合物
蒸気吹付け装置６を用いて吹付けながらイオンビームを
照射することによって白点欠陥を修正する様子を示す
図、第４図(a)(b)は、化合物蒸気を吹付けながらイオン
ビーム照射を行なってパターン膜を形成する実験の結果
を示す図、第５図(a)(b)は本発明の一実施例であるリー
ク量調節器と化合物蒸気吹付け装置の構成を示す図であ
る。 １……マスクまたはレチクル ２……高輝度イオン源 ３……イオンビーム光学系 ４……イオンビーム ５……２次荷電粒子分析装置 ６……化合物蒸気吹付け装置 ６ａ……容器 ６ｂ……ヒーター ６ｃ……化合物 ７……Ｘ−Ｙステージ ８……真空容器 ９……排気系 １０……化合物 １１……化合物分子 １２……白点欠陥位置 １３……マスクリペアによるパターン膜 １４……ＣＲＴ １５……温度コントローラ １６……欠陥修正領域指示器 １７……修正面積演算器 １８……修正面積演算器 １９……位置調節器 ２０……調節位置コントローラ ２１……修正面積演算器 ２２……リーク量調節器 ２３……化合物蒸気吹付け装置 ２４……ピン ２５……化合物蒸気案内孔端面 ２６……ノズル1 (a) (b) (c) are diagrams showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic view of a mask repair device, and FIG. 3 spraying compound vapor using a compound vapor spraying device 6. Fig. 4 (a) and (b) are diagrams showing how white spot defects are repaired by irradiating with an ion beam, while Fig. 4 (a) and (b) show the results of an experiment of forming a patterned film by irradiating with an ion beam while spraying a compound vapor. FIGS. 5 (a) and 5 (b) are diagrams showing the configurations of a leak amount controller and a compound vapor spraying device according to an embodiment of the present invention. 1 ... Mask or reticle 2 ... High-intensity ion source 3 ... Ion beam optical system 4 ... Ion beam 5 ... Secondary charged particle analyzer 6 ... Compound vapor spraying device 6a ... Container 6b ... Heater 6c ... Compound 7 ... XY stage 8 ... Vacuum container 9 ... Exhaust system 10 ... Compound 11 ... Compound molecule 12 ... White spot defect position 13 ... Pattern film by mask repair 14 ... CRT 15 ...... Temperature controller 16 …… Defect correction area indicator 17 …… Correction area calculator 18 …… Correction area calculator 19 …… Position controller 20 …… Adjustment position controller 21 …… Correction area calculator 22 …… Leak amount Regulator 23 …… Compound vapor spraying device 24 …… Pin 25 …… Compound vapor guide hole end face 26 …… Nozzle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−163505（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−135276（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−70991（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-59-163505 (JP, A) JP-A-53-135276 (JP, A) JP-A-52-70991 (JP, A)
Claims (3)
源から発生したイオンをイオンビーム光学系により集束
イオンビームにそして試料であるマスクの所定領域を走
査させ、二次荷電粒子分析装置により前記集束イオンビ
ームの照射によりマスク表面から発生する二次荷電粒子
を検出し、前記二次荷電粒子分析装置からの信号により
前記マスクの表面をＣＲＴに表示し、前記ＣＲＴの表示
に基づき前記イオンビーム光学系により前記集束イオン
ビームを前記マスクの白色欠陥領域を走査させながら、
化合物蒸気吹付け装置のノズルから前記白色欠陥領域に
化合物蒸気を供給し、前記マスクの白色欠陥位置にパタ
ーン膜を形成することにより前記白色欠陥を修正するマ
スク欠陥修正方法において、 前記マスクの白色欠陥の面積に基づいて、前記化合物蒸
気吹付け装置のノズルからの化合物蒸気の供給強度を制
御することを特徴とするマスク欠陥修正方法。1. An ion source generates ions, the ions generated from the ion source are made into a focused ion beam by an ion beam optical system, and a predetermined region of a mask, which is a sample, is scanned, and a secondary charged particle analyzer is used. Secondary charged particles generated from the mask surface by irradiation of a focused ion beam are detected, the surface of the mask is displayed on a CRT by a signal from the secondary charged particle analyzer, and the ion beam optics is displayed based on the display of the CRT. While scanning the white defect area of the mask with the focused ion beam by the system,
A mask defect repairing method for repairing the white defect by supplying a compound vapor to the white defect region from a nozzle of a compound vapor spraying device and forming a pattern film at a white defect position of the mask, wherein the white defect of the mask The mask defect repairing method is characterized in that the supply intensity of the compound vapor from the nozzle of the compound vapor spraying device is controlled based on the area of the mask defect.
制御は、前記化合物蒸気吹付け装置の化合物への加熱温
度を制御することである特許請求の範囲第１項記載のマ
スク欠陥修正方法。2. The mask defect repairing method according to claim 1, wherein the supply intensity of the compound vapor to the white defect is controlled by controlling a heating temperature of the compound vapor spraying device to the compound. .
制御は、前記化合物蒸気吹付け装置のノズルにバリアブ
ルリークバルブを装着し、このバリアブルリークバルブ
のリーク量を制御することである特許請求の範囲第１項
記載のマスク欠陥修正方法。3. The control of the supply intensity of the compound vapor to the white defect is to mount a variable leak valve on the nozzle of the compound vapor spraying device and control the leak amount of the variable leak valve. 5. A method for repairing a mask defect according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24560484A JPH0612441B2 (en) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | Mask defect repair method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24560484A JPH0612441B2 (en) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | Mask defect repair method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123842A JPS61123842A (en) | 1986-06-11 |
| JPH0612441B2 true JPH0612441B2 (en) | 1994-02-16 |
Family
ID=17136186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24560484A Expired - Lifetime JPH0612441B2 (en) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | Mask defect repair method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612441B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001038602A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Seiko Instruments Inc. | Compound vapor spraying device and focusing ion beam device using it |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS5846055B2 (en) * | 1977-04-30 | 1983-10-14 | 三菱電機株式会社 | Photomask defect repair method |
| JPS59163505A (en) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Hitachi Ltd | Method and device for measuring dimension of fine groove |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24560484A patent/JPH0612441B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001038602A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Seiko Instruments Inc. | Compound vapor spraying device and focusing ion beam device using it |
| JP4350333B2 (en) * | 1999-11-22 | 2009-10-21 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | Compound vapor spraying apparatus and focused ion beam apparatus using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61123842A (en) | 1986-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0165685B1 (en) | Laser-based system for the total repair of photomasks | |
| US4876112A (en) | Process for forming metallic patterned film | |
| KR100493878B1 (en) | Pattern film repair using a gas assisted focused particle beam system | |
| JP4728553B2 (en) | Method and apparatus for modifying a lithographic mask using a charged particle beam system | |
| JP3310136B2 (en) | Charged beam device | |
| US4778693A (en) | Photolithographic mask repair system | |
| JPH0425531B2 (en) | ||
| US4924104A (en) | Ion beam apparatus and method of modifying substrate | |
| JP3489989B2 (en) | Pattern film forming method and focused ion beam processing apparatus used therefor | |
| JPH0612441B2 (en) | Mask defect repair method | |
| JP3044811B2 (en) | Photomask repair equipment | |
| JP2939906B1 (en) | Ion beam processing equipment | |
| JP2981983B2 (en) | Pattern film repair device | |
| JP2003228161A (en) | Method of repairing defect of mask | |
| JPS61123843A (en) | Mask reparing device using convergent ion beams | |
| JP3218024B2 (en) | Method and apparatus for forming metal pattern film | |
| JPS61245164A (en) | Pattern correcting device | |
| JPS6336249A (en) | Photomask correcting system | |
| JPH0553259B2 (en) | ||
| JP2799861B2 (en) | Pattern film correction method | |
| JPS61117546A (en) | Mask retouching device using focused charged particle beam | |
| JPH04251254A (en) | Ion beam processing method | |
| JPH1090876A (en) | Defect repair method and device | |
| JP2747314B2 (en) | Laser processing method and apparatus | |
| JP2561933B2 (en) | Pattern film repair device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |