JPH06101616B2

JPH06101616B2 - 導体回路板の製造方法

Info

Publication number: JPH06101616B2
Application number: JP3762487A
Authority: JP
Inventors: 辰男和田; 慶蔵山下; 輔遠山; 輝昭山本
Original assignee: 名幸電子工業株式会社
Priority date: 1986-02-21
Filing date: 1987-02-20
Publication date: 1994-12-12
Anticipated expiration: 2009-12-12
Also published as: DE3787779D1; DE3787779T2; US4790902A; EP0258451A4; EP0258451A1; EP0258451B1; KR880701066A; JPS62276893A; KR910007473B1; WO1987005182A1; JPS62276894A; JPH0466399B2

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、ICカード、電子機器等に組み込まれる導体
回路板の製造方法に関する。

（従来の技術及びその問題点）近年、ICカード、電子機器等の高性能化、軽薄化等に伴
い、これらの組み込まれる導体回路板は益々回路パター
ンの高密度化、薄膜化の傾向にあり、このような導体回
路板を能率良く、大量に、且つ、高品質で製造する方法
が要請されている。

導体回路板を製造する従来の一般的な方法としては、ガ
ラスエポキシ樹脂等の絶縁基板表面に18μｍ乃至は35μ
ｍ、或いはそれ以上の膜厚を有する銅箔を接着積層し、
この銅箔面にフォトレジスト、印刷レジスト等のレジス
トによりマスキングを施し、導体回路以外の不要部分を
エッチング除去する、所謂エッチング法がある。

この方法は工程上銅張基板の銅箔厚みを薄くするは経済
的に困難で、導体回路板の薄膜化には本質的に不向きで
あるばかりか、銅箔製造後の表面処理、切断、絶縁基板
への積層等の工程時に物理的に加わる引張力、折曲力等
に充分に耐え得るためには銅箔厚さが18μｍ以上のもの
を使用する必要があり、導体回路の高密度化に必要な、
銅箔厚さが５〜10μｍの銅張基板を得ることが困難であ
った。

上述のエッチング法の問題を解決するものとして、所謂
転写法により作製する導体回路板が、例えば、特公昭55
-32239号公報、特公昭57-24080号公報、特公昭57-39318
号公報、特開昭60-147192号公報等により公知である。

特公昭55-32239号公報、特公昭57-24080号公報及び特公
昭57-39318号公報に開示の導体回路板の製造方法（以下
これを「ベルト転写法」という）は、金属製回転ドラム
の外周面又はホリゾンタルメッキ装置の陰極部に摺動す
る薄手の導電性金属帯表面にレジストマスクを施し、こ
の金属帯を陰極としてこれを不溶性の陽極に所定の間隔
を保ちながら送行させ、金属帯と陽極間にメッキ液を高
速で強制的に供給して金属帯表面に導体回路を電解形成
させ、この導体回路に予め接着材が塗布された絶縁基材
を密着させたあと、絶縁基材と導体回路を金属帯から引
き剥がし、必要に応じて導体回路にオーバレイを積層被
覆することにより導体回転板を実現させるものである。
このベルト転写法は高速メッキを行うために従来のエッ
チング法等より導体回路形成速度が著しく早く、且つ、
連続的に導体回路板を作製できる点ですぐれているが、
導体回路を転写した絶縁基材を金属帯から引き剥がす分
離工程時に、導体回路と金属帯表面との密着強度と、レ
ジストと金属帯表面との密着強度の相違等に起因して、
導体回路が絶縁基材側に部分的に転写しないことや、レ
ジストマスク材が絶縁基材に転写したり、転写分離過程
で回路がスイング、デフォルムを起こし、ショート、シ
ワ、折れ、打痕、裂け目等の欠陥が発生するという問題
がある。

又、ベルト転写法は導電性基材として金属帯を使用する
ので、幅広の金属帯を使用すると金属帯が送行中に波打
ち、金属帯と陽極間距離を一定に保つことが難しい。従
って、金属帯上に電解される導体回路の厚みが場所によ
って異なり、微細な回路パターンを有する導体回路では
転写時の寸法安定性に劣り、歩留りが悪いという問題が
ある。このため、ベルト転写法では幅広の金属帯が使用
できず、このため生産性の向上に制限がある。

更に、例えば特公昭57-24080号公報に開示されるよう
に、リールに巻かれたステンレス鋼の金属帯をリールに
巻き取る、所謂リール・ツー・リールの状態で使用する
と、ステンレス板表面に傷、汚れ等の損傷を与えたり、
レジストパターン付与時にパターンに汚れ、傷等を与え
易い。しかも、レジストパターンの汚れ、傷等に対処す
るために作業を中断すると、今度は回路の形成を損なう
等の問題が生じるので、リール・ツー・リール方式では
たとえレジストパターンに汚れ、傷等の損傷が発生して
も容易に作業（ライン）を中断することが難しい。この
結果、不良率の増加、作業性の低下等の問題が生じる。

又、金属帯としてステンレス鋼を使用すると、この金属
帯表面には気孔等の避けられない物理的欠陥や電気化学
的欠陥が存在し、ベルト転写法は、このような欠陥のあ
る金属帯表面上に直接導体回路を電解析出させるので、
導体回路にピンホールが発生し易く、特に銅回路幅100
μｍ以下、回路間隔100μｍ以下等の高密度導体回路板
では重要な問題となる。

更に又、第22図はベルト転写法によるオーバレイ積層工
程時の断面図であり、ベルト転写法により絶縁基材91に
接着される導体回路92は基材91表面上に導体回路92部分
のみが突出した状態で接着されており、このため、オー
バレイフィルム93を導体回路92上から密着させようとし
てもオーバレイフィルム93を導体回路92の外周面に完全
に密着させることが出来ず、オーバレイフィルム93と導
体回路92間に空気層（気泡）94が生じるという問題があ
る。空気層94が介在するとオーバレイ積層工程の加熱時
に導体回路92が高温空気に曝され酸化が生じる。この空
気層（気泡）94を従来法により完全に消失させることは
困難であり、製造コストを上昇させる要因になってい
た。又、空気層94が存在するとこのオーバレイ積層工程
の加熱時に限らず、経時によっても導体回路92の酸化が
生じる。更に、オーバレイ積層工程時には第22図に示す
ように上下のロール95,95により絶縁基材91、導体回路9
2、オーバレイフィルム93を挟んで加熱圧着する。しか
るに、上述した通り、ベルト転写法では絶縁基材91上に
回路92が突出した状態で接着されているので、ローラ95
の押圧により導体回路92が絶縁基材91に対して図中矢印
方向にずれて移動してしまう（スイングしてしまう）と
いう問題があり、寸法安定性が悪かった。

前記特開昭60-147192号公報に開示の導体回路板の製造
方法（以下これを「従来転写法」という）は、基板上に
薄膜金属層を施す工程（第23（ａ））と、この薄膜金属
層表面を粗面化する工程（第23図（ｂ））と、薄膜金属
層表面に導体回路を形成する部分を除きメッキレジスト
を形成する工程（第23（ｃ））と、メッキレジストを形
成した薄膜金属層表面にメッキを行って導体回路を形成
する工程（第23（ｄ））と、その後に薄膜金属層、導体
回路及びメッキレジストを共に上記基板から剥離して絶
縁性基材へ転写する工程（第23（ｅ））と、転写された
薄膜金属層をエッチングにより除去する工程（第23図
（ｆ））とからなるもので、この従来転写法は、基板上
に１〜10μｍ程度の薄膜金属層を形成しておき、これを
転写時にメッキレジスト及び導体回路と共に絶縁性基材
に転写することにより、導体回路を容易且つ確実に転写
することが出来る点で前述のベルト転写法より優れてい
る。そして、薄膜金属層表面に塩化第二銅・塩酸混合液
等を使用して化学エッチング法により粗面化するとによ
りレジスト及び導体回路メッキ膜の薄膜金属層への密着
性を良好に保ようにしている。しかしながら、従来転写
法は上述のように基板上に薄膜金属層を形成させた後、
この薄膜金属層表面を粗面化する工程が必須要件であ
り、この粗面化処理に時間が掛かり、生産性の向上に悪
影響を及ぼすと共に、工程簡略化の上で好ましくない。

一方、導体回路と絶縁基板との密着性を向上させるため
には導体回路表面は所定の粗度を有している必要ある。

本発明は上述の種々の問題点を解決するためにてされた
もので、生産性が高く、設備及びその設置面積が最小限
でよく、しかも、高密度の回路パターンの形成が確実、
且つ安定的に実現できる導体回路板の製造方法を提供す
ることを目的とする。

（問題点を解決するための手段及び作用上述の目的を達成するために本発明者等が種々研究を重
ねた結果、少ない生産設備と少ない設置面積で高い生産
性を上げるには、所謂高速メッキ法の採用が必要である
こと、特別な粗面化処理工程を必要とせずに、高速メッ
キ法により所要の粗度のメッキ面を得る電解メッキ条件
を究明し得たこと、所謂単板プレス法により単板の導電
基材に薄膜金属層を介在させて導体回路を形成し、薄膜
金属層及び単板と共に導体回路を絶縁基板に積層転写し
た後、単板及び薄膜金属層を除去すれば導体回路が絶縁
基板に容易且つ確実に転写できること等の認識に基づく
ものである。

即ち、本発明の導体回路板の製造方法は、表面粗度0.08
〜0.23μｍの平板状導電基材を陰極として、該陰極と平
板状陽極を電極間距離３〜30mmだけ離間させ、これらの
電極に対する電解液の接液スピードが2.6〜20.0m/secと
なるように電解液を強制的に供給し、電流密度0.15〜4.
0A/cm²の条件で電解メッキを施して前記導電基材に１〜
５μｍの薄膜金属層を形成する工程と、形成した薄膜金
属層の、導体回路を形成する部分を除く表面にレジスト
マスクを形成する工程と、レジストマスクを形成した薄
膜金属層表面に、銅イオンを含有する電解液を用いて前
記電解メッキ条件と同じ条件で電解メッキを施して導体
回路を形成する工程と、形成した導体回路表面に粗面化
処理を施す工程と、斯く形成させた導体回路を挟んで前
記導電基材に絶縁基材を積層して一体に加熱圧着する工
程と、前記導電基材のみを剥離する工程と、前記薄膜金
属層をエッチング除去する工程とからなることを特徴と
する。

上述の薄膜金属層を単板の導電基材と導体回路間に介在
させたことによる作用として、以下の４点を上げること
が出来る。

（１）薄膜金属層を介在させた導体回路付単板を絶縁基
材に重ね合わせ、プレスで所定時間加圧加温し、固化積
層後分離すると、単板と薄膜金属層が70〜120g/cmのピ
ーリング強度で剥離分離ができ、寸法変化、外観不良の
ない転写積層が容易にできる。

（２）両面多層基板の製造において、両面間の導通を確
保するためにはスルホールメッキが必要であり、このス
ルホールメッキ工程時に本発明の薄膜金属層を介在させ
なければ、スルホールメッキとしては、（ａ）無電解メ
ッキで所要の膜厚のスルホールメッキを施す方法、
（ｂ）0.3〜0.5μｍ程度の厚みの無電解メッキ後電解メ
ッキを施し、所要の膜厚を得る方法等が考えられるが、
（ａ）の全て無電解メッキで形成させる方法によりスル
ホールに25μｍ程度の無電解メッキ膜を堆積させるには
数時間〜10時間のメッキ時間が必要であり、生産性が劣
るばかりか、堆積膜の結晶粒子が粗く、且つ、耐熱性の
点で信頼性に劣る。（ｂ）の無電解メッキ後、電解銅メ
ッキで所要の膜厚を形成させる方法は、基板回路上の、
電気的に独立の島状回路にスルホールメッキを施す場
合、スルホール部分に電解のための電気的導通を与える
ことが困難である。本発明の薄膜金属層は独立回路に電
気的導通を与え、電解銅メッキを可能にする。

（３）単板導電基材（たとえば、ステンレススチール）
の表面には、化学的、物理的に基材表面を充分に研磨を
施しても、基材内部にある非金属介在物、電気化学的欠
陥による基材中の成分が脱落したり、金属間化合物、偏
析、気孔等が残存しており、これらの欠陥を経済的且つ
完全に補うことが出来ない。本発明の薄膜金属層は基材
の上記欠陥を補うことができ、この結果、ピンホールが
発生せず、従って、幅100μｍ以下のファインパターン
の回路基板を容易且つ安価に作製できる。

（４）単板導電基材に薄膜金属層及び銅回路を形成した
後、絶縁基材への転写積層を加熱圧着工程で実施する
が、この際、絶縁基材に塗布又は含浸したＢステージの
樹脂接着剤が溶融且つゲル化過程及び固化過程で単板導
電基材の周縁部表面に流出しようとするが、この薄膜金
属層を単板基材周縁部までの広がりで単板導電基材表面
を全面的に被覆しておくことにより、流出固化した樹脂
が薄膜金属層の表面上に留まり、転写積層分離工程で単
板導電基材を薄膜金属層の境界（界面）から容易に分離
でき、単板導電基材に接着剤が密着・付着することが全
くない利点がある。

次に、第１図ないし第９図に基づき、本発明方法による
導体回路板の製造工程を説明すると、先ず、本発明方法
の実施に使用される導電基材２としては、剛性を有する
単板、例えば、有効寸法最大1220×1020mm、厚み１〜10
mmの範囲の適宜の大きさの平板状導電材からなり、メッ
キ工程で使用する薬品に対する耐薬品性、耐電食性を有
することが望ましく、ステンレススチール板（例えば、
ハードニング処理を施したSUS630が好適である）、ニッ
ケル板、チタン又はチタン合金板、銅又は銅合金板等が
使用される。この導電基材２の表面の汚れ、酸化皮膜を
除去すると共に、該表面に所要の粗度を与える前処理工
程を施す（第１図（ａ））。導電基材２の表面は、0.08
〜0.23μｍの範囲の粗度で研磨するのが望ましい。この
導電基材２の表面粗度は、次工程で導電基材２上に形成
される薄膜金属層（薄銅膜）５の密着強度やピンホール
の発生、更には薄膜金属層５の表面粗度にも影響を与え
る。又、上述の粗度規定範囲は薄膜金属層５の導体回路
６のメッキ等の工程時に無闇に剥離せず、しかも、後述
する導電基材２の剥離工程（第１図（ｈ））において容
易に剥離できる密着性が得られるように設定されたもの
で、導電基材２と薄膜金属層５間の界面８の密着力、及
び後述の薄膜金属層５とレジスト膜７間の界面９（第３
図参照）の密着力に差が生じるように、即ち、界面９と
密着力が界面８の密着力より大となるように設定してあ
る。

導電基材２としてステンレススチール板を使用する場合
には、例えば、導電基材２を硫酸80〜100ml/l、60〜70
℃んの溶液に10〜30分間浸漬してスケール除去を行い、
次いで、水洗後、硝酸60〜100ml/lに酸性フッ化アンモ
ニウム30g/lを加えた、室温の溶液に10〜30分間浸漬し
てスマット除去を行う。次に、水洗後、リン酸ナトリウ
ム20〜50g/lと水酸化ナトリウム50g/lの電解液で、電解
液温度：室温〜40℃、電流値:3〜8A/dm²の電解条件で１
〜２分間陰極電解脱脂を行う。

上述の粗面化処理は化学的に行うものであるが、導電基
材２表面を化学的にクリーニングした後、湿式サンドブ
ラスト（液体ホーニング）等により機械的に粗面化して
もよい。機械的に粗面化する場合には、オシレーション
付のロータリ羽布研磨装置により、例えば、スコッチブ
ライト＃240程度の羽布により重研磨した後、水洗し、
その後、スコッチブライト＃400〜800程度の羽布により
上述し範囲の表面粗度（0.08〜0.23μｍ）になるように
ヘアライン仕上げ加工を施す。

導電基材２としてニッケル板を使用する場合には、例え
ば、リン酸ナトリウム20〜50g/lに水酸化ナトリウム50g
/lを加えた電解液で、電解液温度：室温〜40℃、電流
値:3〜8A/dm²の電解条件で１〜２分間陰極電解脱脂を行
う。そして、水洗後、フッ化水素１〜10g/l、50℃の溶
液、又は、塩酸150ml/l、50℃の溶液に１〜10分間浸漬
して粗面化し、次いで、水洗後40〜60℃で温水洗浄を施
す。

導電基材２としてチタン又チタン合金板を使用する場合
には、例えば、リン酸ナトリウム20〜50g/l、50〜60℃
の溶液に３〜５分間浸漬してアルカリ浸漬脱脂を行う。
次いで、水洗後、25％フッ酸（HF）−75％硝酸（HNO₃）
溶液に浸漬して化学エッチングにより粗面化処理を行
う。

導電基材２として銅又は銅合金板を使用する場合には、
例えば、リン酸ナトリウム20〜50g/lの電解液で、電解
液温度:50〜60℃、電流値:3〜10A/dm²の電解条件で30秒
〜２分間陰極電解脱脂を行う。次いで、水洗後、フッ化
水素１〜10g/l、室温以下の溶液で30秒〜２分間酸洗い
し、水洗する。

次に、前処理を終えた導電基材２を陰極１として、これ
を陽極14に所定の距離３〜30mmだけ離間させて対峙さ
せ、所謂高速メッキにより導電基材２上に薄膜金属層５
を電解析出させる（第１図（ｂ）、及び第２図）。薄膜
金属層５としては銅、ニッケル等が好適であり、これら
の薄膜金属層５を１〜５μｍの厚みで導電基材２表面に
積層させる。

薄膜金属層５として銅を析出させる場合の高速メッキ条
件としては、45〜70℃のメッキ液を陰極表面において乱
流状態、即ち、電極間距離３〜30mm、電極に対する接液
スピードが2.6〜20.0m/secになるように陰極電極を回転
するか、固定電極間に強制的に電解液を供給する。この
とき、メッキ液として、例えば、硫酸銅メッキ液、ピロ
リン酸銅液等を使用し、陰極電流密度0.15〜4.0A/cm²の
電流を印加し、薄膜金属層の堆積速度が25〜100μm/min
となるように設定することが望ましい。

薄膜金属層５としてニッケルを析出させる場合の高速メ
ッキ条件としては、陰極と陽極とを300〜350mmで離間さ
せ、この電極間に40〜48℃のメッキ液を供給してエア撹
拌を行う。このとき、メッキ液として、例えば、硫酸ニ
ッケル、スルファミン酸ニッケル等を使用し、陰極電流
密度2.2〜4.0A/dm²の電流を印加し、薄膜金属層の堆積
速度が0.8〜1.5μm/minとなるように設定することが望
ましい。

尚、薄膜金属層５としてニッケル・リン合金をを用いる
ことも出来、無電解メッキによりニッケル・リン合金を
導電基材表面に析出させる。この場合の無電解ニッケル
メッキ条件としては、35〜55℃のメッキ液を、導電基材
２表面の接液スピードが40〜80mm/secとなるように揺動
をかける。このとき、メッキ液として、例えば、次亜リ
ン酸又はボロン系還元剤を用いた無電解ニッケル液等を
使用し、薄膜金属層の堆積速度が30分間に１〜２μｍと
なるように設定することが望ましい。

高速電解メッキされた薄膜金属層５は、上述した通り所
要の表面粗度を有する導電基材２に電解積層されるので
薄膜金属層５は導電基材２に適度に密着力で密着してお
り、又、その表面粗度は上述したメッキ条件による高速
メッキによって、後述するレジストマスク７と薄膜金属
層５との所望の密着力を得るに好適な範囲内にある。つ
まり、本発明においては、導電基材の表面粗度、メッキ
液の接液スピード及び電解電流密度の各条件を組み合わ
せることにより、薄膜金属層５の表面粗度を好適に制御
することできる。従って、高速メッキにより積層された
薄膜金属層５の表面はメッキ後に特別な表面処理を必要
としない。

又、ステンレススチール板、ニッケル板等からなる導電
基材２には電気化学的欠陥が存在し、こらの欠陥は金属
間化合物、或いは非金属介在物、偏析、気孔等からな
り、これらの欠陥はステンレススチール板の溶製時、圧
延時等に混入生成されるもので、導電基材２の表面処理
だけでは改善し得ないものである。この欠陥は導体回路
６にピンホールを生じさせ原因となるものである。導体
基材２の表面に形成させた薄膜金属層５表面は電気化学
的に平滑であり、この薄膜金属層５上に後述する導体回
路６を形成させることにより、ピンホールの発生が防止
される。

斯く形成された薄膜金属層５の、導体回路６が形成され
る部分を除いた表面に、フォトレジスト法、印刷法等に
よりレジストマスク７が形成される（第１図（ｃ）、第
３図）。レジスト剤としては、前述した通り、導電基材
２及び薄膜金属層５の各表面粗度と相まって、界面９の
密着力を界面８の密着力より相対的に強くすることがで
きるものが選択される。

次に、上述のようにして薄膜金属層５及びレジストマス
ク７を形成させた導電基材２を陰極１として、これを陽
極14に所定の距離（例えば、３〜30mm、好ましくは、11
〜15mm）だけ離間させて対峙させ、高速メッキにより導
体回路６を薄膜金属層５上に銅電鋳する。（第１図
（ｄ）、及び第４図）。この高速メッキの電解液として
は、金属銅濃度0.20〜2.0mol/l、好ましくは、0.35〜0.
98mol/l、及び流砂濃度50〜220g/lを含有する硫酸銅メ
ッキ液でよく、メッキの均一性を確保するために西独国
LPW社製のCUPPORAPID Hs（商品名）を1.5ml/lあて添加
する。又、ピロリン酸銅液等の通常のメッキ液を使用し
てもよい。又、電流密度0.15〜4A/cm²、電極に対する接
液スピード2.6〜20m/sec、電解液温度45〜70℃、好まし
くは60〜65℃となるように夫々設定する。メッキ液温が
45℃未満であると、銅イオンの移動速度が低下するため
電極表面に分極層が生じ易くなり、メッキ堆積速度が低
下する。一方、液温が70℃を越えるとメッキ液23の蒸発
量が多くなり濃度が不安定なると共に、液温高温化によ
る設備的制限が加わる。

電流密と電極に対する接液スヒードとを上述の所定の条
件に設定することにより、薄膜金属層５上のレジストマ
スク７によりマスキングされない部分に、毎分25〜100
μｍの堆積速度で導体回路６を堆積させ、従来のメッキ
法の10〜200倍の高能率で銅電鋳を行うことが出来、実
用上極めて大きな意義を有する。しかも、堆積する銅粒
子を極めて微細にすることができ、導体回路６の伸び率
は抗張力を損なうことなく16〜25％に達する。この伸び
率は通常のメッキ法により形成された導体回路の伸び率
より1.5〜２倍以上であり（圧延アニール銅箔と同等以
上の値であり）、極めて柔らかい銅膜を作製することが
出来る。このように圧延アニール銅箔と同等の性能を有
することから、高折曲性が必要なフレキシブル基板にお
いて特に有効である。又、生成した導体回路６の表面粒
子を、平均粒子径で3.0〜7.5μｍと極めて微細にするこ
とができ、その結果、続く粗面化処理（電解メッキ）工
程において形成される突起状析出物も極めて微細なもの
とすること出来る。更に、導体回路６は電気化学的に平
滑な薄膜金属層５上に積層するので、10μｍ以下の厚さ
でもピンホールが生じない。

銅電鋳工程において、導体回路６が所要の厚み（例え
ば、２μｍ〜300μｍ）に達した時点で通電及びメッキ
液の供給を停止し、水洗後、引き続き導体回路６を粗面
化するための粗面化電解メッキを実施する（第１図
（ｅ））。この粗面化電解メッキ工程における電解条件
は、電流密度が0.25〜0.85A/cm²、電極間距離が26〜50m
m、電極に対する電解液の接液スピードが0.1〜0.8m/sec
となるよに夫々設定する。尚、電解液としては特に限定
されないが、たとえば、硫酸銅（CuSO₄・5H₂O）:80〜150
g/l、硫酸（H₂SO₄）:40〜80g/l、及び硝酸カリウム（KN
O₃）:25〜50g/lよりなる混合溶液等を使用する。

この粗面化処理により導体回路６の粗面上には突起状析
出物が付着形成され、この突起状析出物の平均粒径は１
〜５μｍとなり、後述する絶縁基材10との密着性が極め
て良好となる。

尚、上述した粗面化処理後に更に導体回路６表面にクロ
メート処理を施すと、銅と絶縁基材中の樹脂又は接着剤
との親和性を増大し、ピーリング強度はもとより、導体
回路の耐熱性（例えば、はんだ耐熱性）も15％程度向上
するという利点がある。このクロメート処理は、具体的
には、0.7〜12g/l濃度の重クロム酸カリウム溶液に常温
で５〜45秒間浸漬するか、市販の電解クロメート処理液
にてクロメート処理を施す。

粗面化処理が終了すると、レジストマスク７の除去工程
に進む（第１図（ｆ）、第５図）。このレジストマスク
７の剥離除去には、例えば、カセイソーダ等の溶解液が
使用され、この溶解液中に30〜60秒浸漬してレジストマ
スク７を溶解除去し、水洗、乾燥する。

次いで、薄膜金属層５を介して導電基材２に形成させた
導体回路６を、これらの薄膜金属層５及び導電基材２と
共に絶縁基材10上に積層し、ホットプレスにより加熱圧
着させる（第１図（ｇ）、第６図）。絶縁基材10として
は、有機材料、及び無機材料のいずれのものでもよく、
例えば、ガラス、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、アーラミド樹
脂等の材料を用いることができる。また、鉄、アルミ等
の導電性材料の表面にホーロウを被覆し、又アルミ表面
を酸化するアルマイト処理を施して絶縁した材料でもよ
い。一般には、ガラス布等にエポキシ樹脂を含浸させ、
半硬化状態（Ｂステージ）にあるプリプレグに導体回路
６が没入する状態（第６図に示す状態）に加熱・加圧さ
れ、これと接着される。

この転写工程において、導体回路６は厚手の導電基材２
と一体に絶縁基材10に積層され、加熱圧着されるので、
導体回路６は導電基材２に保持されたまま転写されるこ
とになり、寸法安定性が確保される。又、導電基材２が
転写時の転写治具を兼ねるので特別の治具が不要であ
り、更に、導体回路６と導電基材２との間に薄膜金属層
５が介在し、薄膜金属層５と導体回路６とが強い密着力
で結合しているので導体回路６が転写時にずれて移動す
る（所謂、スイングを起こす）ことがなく、寸法安定性
が良いので微細な導体回路パターンを有する高密度回路
にも適用可能である（例えば、パタン幅数μｍ〜数十μ
ｍが実現出来る）。更に、万一導体回路６にピンホール
があっても導体回路６と導電基材２との間に薄膜金属層
５が密着状態で介在しているので接着剤等がピンホール
を通って導体回路６表面に露出することがない。

次に、絶縁基材10の加熱固化を待って導電基材２を、絶
縁基材10に転写された導体回路６及び薄膜金属層５から
剥離する（第１図（ｈ）、第７図）。このとき、導電基
材２と薄膜金属層５との間の密着力より、薄膜金属層５
と導体回路６の密着力の方が大であり、更に、導体基材
２と薄膜金属層５との間の密着力より、導体回路６と絶
縁基材10の密着力の方が大であるから、導電基材２は薄
膜金属層５との界面８で分離して絶縁基材10側には薄膜
金属層５、及び導体回路６が一体に密着している。

導電基材２と絶縁基材10間に薄膜金属層５が介在される
から、絶縁基材10の接着剤は導電基材２に直接付着する
ことがなく、又、分離が導電基材２と薄膜金属層５間で
生じるから、70〜120g/cmのピーリング強度で導電基材
２を容易に剥離することが出来、導体回路６に不均一な
力が掛からず、転写時の寸法安定性がこの時にも確保さ
れる。

次いで、薄膜金属層５を酸等によりエッチング除去する
（第１図（ｉ）、第８図）。酸によるエッチング除去の
し易さからは薄膜金属層５は銅からなることが望まし
い。そして、導体回路６が露出する側の導絶縁性基材10
に、導体回路６の汚損、ショート等を防止するために厚
み６〜25μｍのオーバレイ被覆を施す。このオーバレイ
被覆としてはフィルムを用いる場合、インクを用いる場
合等があるが、フレキシブルプリント基板には一般にオ
ーバレイフィルムが、リジッド基板にはインクを用いる
のが主体であり、感光性レジストフィルム等を用いても
よい。オーバレイフィルムにより被覆する場合、オーバ
レイフィルム24を積層して加熱ロールにより密着させる
（第１図（ｊ）、第９図）。上述したように導体回路６
は絶縁基材10に没入して、オーバレイフィルム24で被覆
する面は略面一になる、所謂フラッシュ回路となってお
り、このフラッシュ回路にオーバレイ層として特にフィ
ルムを積層し、加熱ロールで圧着しても導体回路６がず
れて移動する心配がなく、又、第18図に示す従来の導体
回路板のようにオーバレイフィルム24と導体回路６間に
空気層（気泡）が介在しないので導体回路６が酸化され
る心配もない。

オーバレイフィルム24の積層を終えた導体回路板は内外
形打ち抜き工程（第１図（ｋ））を経て所定の形状、寸
法に切断され導体回路板が完成する。

尚、導電基材２表面に形成された薄膜金属層５、導体回
路６、及びレジストマスク７が総て剥離されるために、
導電基材２の表面を必要に応じて研磨すれば、この導電
基材２は繰り返し使用することが可能である。

第10図乃至第13図は、レジストマスク７を溶解除去せず
に永久レジストとして使用される導体回路に本発明方法
を適用した場合の製造工程の一部の断面図を示すもので
ある。第10図に示す工程より前工程の断面図は第２図乃
至第４図に示すものと同じであり、製造工程のフローチ
ャートも第１図に示す工程の内、工程（ｆ）を除くもの
と同じであるので、第10図乃至第13図に示すもの以外は
第１図及び第２図乃至第４図を参照して説明する。尚、
第10図乃至第13図において、第２図乃至第９図に示す構
成要素と同じものには同じ符号を付して、それらの詳細
な説明を省略する。

レジストマスク７を永久レジストとして、導体回路６の
形成後にこれを溶解除去しない場合、レジスト剤として
エポキシ系、ポリアミド系等の非導電性合成樹脂が使用
され、第１図（ｅ）に示す銅電鋳により形成された導体
回路６の粗面化処理が終了すると、第１図（ｆ）のレジ
ストマスク７の除去工程を実施せずに第１図（ｇ）の転
写工程を実施する（第10図）。この転写工程では、薄膜
金属層５を介して導電基材２に形成させた導体回路６及
びレジストマスク７を、これらの薄膜金属層５、レジス
トマスク７、及び導電基材２と共に絶縁基材10上に積層
し、ホットプレスにより加熱圧着させる（第１図
（ｇ），第10図）。この場合、隣接する導体回路６間に
はレジストマスク７が介在しており、このレジストナス
ク７と導体回路６の表面は面一に平らになっているから
絶縁基材10として、半硬化状態のプレプレグでなく、セ
ラミック等の絶縁基材を使用しても導体回路６と絶縁機
材10の表面は空気層が介在することなく密着させること
が出来る。この場合、導体回路６及びレジストマスク７
と絶縁基材10間には適宜な接着層が介在される。

次いで、導電基材２を剥離除去する（第１図（ｈ）、第
11図）。このとき、導電基材２と薄膜金属層５との間の
密着力より、薄膜金属層５とレジストマスク７、及び薄
膜金属層５と導体回路６の密着力の方が大であり、更
に、導電基材２と薄膜金属層５との間の密着力より、レ
ジストマスク７と絶縁基材10、及び導体回路６と絶縁基
材10の密着力の方が大であるから、導電基材２は薄膜金
属層５との界面８で分離して絶縁基材10側には薄膜金属
層５、レジストマスク７、及び導体回路６が一体に密着
している。

次に、薄膜金属層５が酸等によりエッチング除去され
（第１図（ｉ）、第12図）、導体回路６及びレジストマ
スク７の表面にオーバレイフィルム24を加熱ロールによ
り密着被覆する（第１図（ｊ）、第13図）。導体回路６
はレジストマスク７を挟んで配設され、これらの表面が
面一になっているので、オーバレイフィルム24と導体回
路６間に空気層（気泡）が介在することがない。又、熱
ロールで加熱加圧する場合でも、導体回路６がずれて移
動することがない。

第14図乃至第17図は第１図（ｂ）及び（ｄ）に示す工程
において、ホリゾンタル型の高速メッキを実施するメッ
キ装置の一例を示し、メッキ装置11のフレーム12の上部
中央に水平に板状不溶性陽極14が設置され、陰極１はこ
の陽極14に平行に対向させて固定される。不溶性陽極14
は第14図〜第16図に示すように大電流を通電するために
２枚の銅板14a、14bが重合され、これらの表面全体に鉛
14cが、肉厚２〜10mm、好ましくは３〜7mmの範囲内で一
様にアセチレントーチ等で被覆して構成される。鉛被覆
14cは、通常、鉛93％、スズ７％の鉛合金を使用する。
極間距離が100μｍ不均一になると、電鋳される銅膜
は、35μｍ銅で数μｍのばらつきが生じ、高電流密度
（0.8〜1.2A/cm²）で長時間（1000時間以上）使用する
場合には、電極の部分的な電解消耗により膜厚のばらつ
きは更に大きくなる。このため、電極の再加工修正によ
り電極間距離を維持する必要がある。鉛被覆の電極に代
えて、チタン板にプラチナ、パラジュウム等の微粉末を
熱解重合性樹脂でペースト状にし、これを粗面化された
チタン板表面に均一に塗布し700〜800℃で焼き付けて不
溶性陽極14としてもよい。このチタン板陽極を使用する
と、電解消耗が極めて少なくなり、長時間に亘り（1000
時間以上）電極の再加工修正の必要がない。

陰極１は、第１図（ｂ）の薄膜金属層形成工程では、工
程（ａ）で研磨された導電基材２の研磨面が、第１図
（ｄ）の導体回路電鋳工程では、薄膜金属層５及びレジ
ストマスク７の形成された導体基材２の面を前記陽極14
側に対向させて取付け固定される。

陰極１と不溶性陽極14間の離間距離は前述した薄膜金属
層５の形成工程及び導体回路６の電鋳工程の夫々に応じ
た最適距離に設定される。

陰極１及び不溶性陽極14間の空隙部13の入口側には高速
流でメッキ液23を圧送するノズル15の一端が接続され、
このノズル15は空隙部13の入口部で17図に示すように不
溶性陽極14の略全幅に臨んで開口しており、ノズル15の
他端は導管16を介してポンプ17に接続されている。ポン
プ17は更に図示しない導管を介してメッキ液貯槽（図示
せず）に接続されている。空隙部13の出口側（ノズル15
を設けた不溶性陽極14の対向辺側）には不溶性陽極14の
略全幅にわたって排液口18が開口しており、この排液繰
口18は導管19を介して前記メッキ液貯槽に接続されてい
る。そして、前記ノズル15及び排液口18はメッキ液23が
空隙部13を一様の速度分布で流れることが出来るよう
に、これらのノズル15及び排液口18の流れ方向の断面形
状変化は滑らかに変化している。ポンプ17から吐出され
たメッキ液23は、導管16、ノズル15、陰極１と不溶性陽
極14との空隙部13、排液口18、導管19を順次通過してメ
ッキ液貯槽に戻され、ここから再びポンプ17により上述
の経路で連続して循環される。

メッキ液23をノズル15から電極間空隙13へ前述した好適
のメッキ液速度で供給すると、陰極１表面近傍でメッキ
液流れは乱流状態になっており、電極表面近傍の金属イ
オン濃度が極度に低下しないように、即ち分極層の生長
を抑えて、高速度でメッキ膜を成長させることが可能と
なる。

本発明におけるメッキ工程では、陰極１と不溶性陽極14
との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性を有す
る給電板20、陽極電源ケーブル21、陰極電源ケーブル22
を介して、前述した所要の高電流が給電されるようにな
っており、不溶性陽極14に対向する陰極１表面及びその
非導電性レジストマスク７でナスキングしない部分に、
毎分25〜100μｍ程度の堆積速度で銅膜を電解析出する
ことができる。

第18図は、本発明方法を実施するバーチカル型のメッキ
装置を示し、第14図乃至第17図に示すメッキ装置11が陰
極１及び陽極14を水平（ホリゾンタル）に配置したのに
対し、第18図に示すメッキ装置25は、陰極１及び不溶性
陽極14が鉛直方向（バーチカル）に配置されている点で
異なる。尚、第18図において、第14図乃至第17図に示す
メッキ装置11の対応するものと実質的に同じ機能を有す
るものには同じ符号付して、それらの詳細な説明を省略
する（以下同様）。

メッキ装置25は、基台26上に固定された架台27と、四辺
形の４隅に配設された（第18図には２本の支柱のみを示
す）30,31と、該支柱30,31から延出させ、上下方向に伸
縮自在のロッド30a,31aに横架支持され、ロッド30a,31a
の伸縮により昇降する上板28と、架台27の上面と上板28
の下面間に垂直且つ平行に対向して挟持固定される高導
電性を有する給電板20及び不溶性陽極14とからなり、給
電板20と陽極14とは所定の電極間距離だけ離間して配置
されている。不溶性陽極14は第14図〜第16図に示す陽極
と同様に、プラチナ等の微粉末でコーティングしたチタ
ン板により大電流を通電可能に構成される。

陰極１は、第１図（ｂ）の薄膜金属層形成工程では、工
程（ａ）で研磨された導電基材２の研磨面が、第１図
（ｄ）の導体回路電鋳工程では、薄膜金属層５及びレジ
ストマスク７の形成された導電基材２の面を前記給電板
20に、図示しない真空チャック等により取り付け固定さ
れる。尚、陰極１の取り付け時には前記上板28を上方に
上昇させて、陰極１を給電板20の陽極14側面に沿って嵌
挿し、前記真空チャック等により固定した後、再び上板
28を下降させて陽極14及び給電板20の上壁に密着させ、
陰極１の装着を完了する。尚、第18図中符号29はシール
用のＯリングである。又、陰極１と不溶性陽極14間の離
間距離は前述した薄膜金属層５の形成工程及び導体回路
６の電鋳工程の夫々に応じた最適距離に設定される。

陰極１及び不溶性陽極14間の空隙部38の入口側には高速
流メッキ液23が流入するランプ部38aが形成され、この
ランプ部38aは空隙部38の入口部で、第17図に示したと
同様に不溶性陽極14の略全幅に臨んで開口しており、ラ
ンプ部38aの空隙部38と反対側は整流装置35、及び導管3
4を介してポンプ17に接続されている。ポンプ17は更に
メッキ液貯槽33に接続されている。空隙部38の出口側
（空隙部38の上部のメッキ液23の排出側）には不溶性陽
極14の略全幅にわたって排液口38bが開口しており、こ
の排液口18は導管40を介して前記メッキ液貯槽33に接続
されている。

整流装置35は、その内部空間がメッキ液23の流れ方向に
装着された２枚の、多数の小孔を有する整流板35a,35b
により小室の区画されており、この整流板35a,35bによ
り、ランプ部38aに流入するメッキ液23の流れを整流し
て空隙部38を下方から上方に向かって流れるメッキ液23
の速度分布を一様にしている。ポンプ17から吐出された
メッキ液23は、導管34、整流装置35、ランプ部38a、陰
極１と不溶性陽極14との空隙部38、排液口38b、導管40
を順次通過してメッキ液貯槽33に戻され、ここから再び
ポンプ17により上述の経路で連続して循環される。

第18図に示すメッキ装置25は、メッキ液23を整流装置35
を介し、更に、下方から上方に向かって電極間空隙部13
に供給するので、メッキ液23は空隙部13において第14図
に示すメッキ装置11より、より均一な乱流速度分布を有
しており、膜厚の一定な導体回路を電鋳するには好都合
である。

第18図に示すメッキ装置においても、陰極１と不溶性陽
極14との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性を
有する給電板20、陽極電源ケーブル21、陰極電源ケーブ
ル22を介して、前述した所要の高電流が給電されるよう
になっており、不溶性陽極14に対向する陰極１表面の非
導電性レジストマスク７でマスキングしない部分に、毎
分25〜100μｍ程度の堆積速度で銅膜を電解析出するこ
とができる。

第19図乃至第21図は、本発明方法を実施する回転式高速
メッキ装置41を示し、メッキ装置41は、フレーム42、該
フレーム42内に配設され不溶性陽極14を載置支持する架
台43、陽極14の上方に配置されるハウジング45、該ハウ
ジング45内に回転可能に収納され陰極を１を掴持する回
転体46、該回転体46を駆動する駆動機構47、フレーム42
の上部に配設されてハウジング45を昇降させる駆動機構
48、メッキ液を貯溜するメッキ液槽33及びメッキ液槽33
のメッキ液を陽極14と回転体46の各対向する端面間に画
成される液密空隙部13内に供給するポンプ17とにより構
成される。

フレーム42は基板42a上に立設された４本の支柱42b.42b
（２本のみ図示）と、これらの各支柱42b,42bの上端面
に載置固定される上板42cとにより構成される。架台43
は基盤42a上に載置され、フレーム42の４本の支柱42bの
略中央に位置している。

不溶性陽極14は正方形状の盤体で架台43上の載置固定さ
れる。この陽極14の略中央には孔14aが穿設されてい
る。この陽極14は例えば、チタン母材にプラチナ、イリ
ジウム等の酸化物を20〜50μの厚みに張った部材で形成
され、メッキ液の組成に変化を与えることなく、また不
純物の混入を防止する不溶性陽極とされている。陽極14
には枠体43aがシール部材43bを介して液密に外嵌されて
いる。この枠体43aの高さは陽極４の厚みの２倍程度あ
り、対向する両側壁の略中央には夫々孔43c,43dが穿設
されている。

ハウジング45は上面視正方形状をなし（第20図）、下部
枠50、中間枠51、上部枠52、上蓋53と、下部枠50と中間
枠51との間に介在されるインナギヤ54、中間枠51と上部
枠52との間に介在される集電用スリップリング55とによ
り構成され、これらは強固に共締固定されて一体に形成
される。ハウジング45の下部枠50の中央には回転体収納
用の大径の孔50aが穿設され、上蓋53の上面両側には夫
々側方に突出する支持部材57,57が固設されている。

回転体46はハウジング45内に収納され、基部46aは当該
ハウジング45の下部枠50の孔50a内に僅かな空隙で回転
可能に収納され、軸46bの上端は軸受59を介して上蓋53
に回転可能に軸支され且つ当該上蓋53の軸孔53aを貫通
して上方に突出している。この状態において回転体46の
基部46aの下端面46cは陽極14の上面14bと所定の距離だ
け離間して平行に対向する。

回転体46の基部46aには第19図及び第21図に示すように
軸方向に平行に且つ周方向に等間隔に孔46bが複数例え
ば４個穿設され、これらの各孔46d内には第２の回転体6
0が回転可能に収納されている。この回転体60は図示し
ない軸受を介して孔46dに僅かなギャップで回転可能に
軸支されている。そして、回転体60の下端面に穿設され
た孔に、チャック機構110により陰極１が掴持・固定さ
れ、図示しない導電部材及びブラシ103を介してスリッ
プリング55に電気的に接続されている。回転体60の上端
面にはギヤ65が固着されており、このギヤ65はハウジン
グ45に設けらえたインナギヤ54と噛合している。

駆動機構47（第19図）の駆動用モータ70はハウジング45
の上蓋53上に載置固定され、該モータ70の回転軸に装着
されたギヤ72は回転体46の軸46bの上端面に螺着固定さ
れたギヤ73と噛合する。

第19図に示すフレーム42の上板42cには駆動機構48の駆
動用モータ80が載置固定され、該モータ80はスクリュウ
シャフト85を駆動すると共にプーリ83、、ベルト87及び
プーリ83を介して被駆動軸であるスクリュウシャフト86
を駆動する。スクリュウシャフト85,86の各自由端はハ
ウジング５の対応する各支持部材57,57の各ネジ孔57a,5
7aに螺合している。

陽極14（第19図）の一側面には電源ケーブル21が固着さ
れ、スリップリング55の上面所定位置には電源ケーブル
22が固着されている。

メッキ液通路（導管）140の一端は陽極14の下方から当
該陽極の孔14aに液密に接続され、他端はポンプ17を介
してメッキ液貯槽33に連通される。通路141、142の各一
方の開口端は夫々陽極14の枠体43aの各孔43c,43dに液密
に接続され、各他端は夫々メッキ液貯槽33に接続されて
いる。

回転式高速メッキ装置41の作用を説明すると、先ず、駆
動機構48のモータ80を駆動してスクリュウシャフト85,8
6を回転させ、ハウジング45を、第19図の２点鎖線で示
す上限位置まで上昇した位置に移動停止させておく。こ
のとき、ハウジング45の下端は枠体43aから抜け出て上
方に位置する。

次いで、回転体46の各第２の回転体60にメッキを施すべ
き導電基材２からなる陰極１を夫々装着する。そして、
駆動機構48のモータ80を駆動して各スクリュウシャフト
85,86を前述とは反対に回転させ、ハウジング45を、第1
9図に実線で示す位置まで移動停止させる。この状態に
おいて、ハウジング45の下端が枠体43a内に液密に嵌合
し、且つ、陽極14の上面14bと各陰極１とは所定の間隔
で平行に対向する。そして、陽極14の上面14bと回転体4
6の下端面46cとの間に画成される液密の空隙部13にメッ
キ液貯槽33からポンプ17、導管140を介して前記空隙部1
3内にメッキ液を供給し、当該空隙部13即ち、陽極14と
陰極１との間にメッキ液を充満させる。この空隙部13内
に供給されたメッキ液は両側から各通路141,142を介し
てメッキ液貯槽33に還流される。

メッキ液の供給開始後、駆動機構47のモータ70を駆動し
て回転体46を例えば第21図に矢印CCで示す反時計方向に
回転させる。この回転体46の回転に伴いインナギヤ54と
噛合するギヤ65を介して第２の各回転体60が夫々第21図
に矢印Ｃで示す時計方向に回転する。これらの各回転体
60は例えば10m/sec〜30m/secの回転速度で回転（自転）
する。かかる速度で回転体60即ち、陰極１がメッキ液中
で回転すると、当該陰極１に接するメッキ液の金属濃度
の分極層が極めて小さくなり、この結果、レイノズル数
Reが2900を超えた（Re＞2900）状態となり、陰極１に接
するメッキ液はどの部分をとってもレイノズル数Reが23
00以上（Re＞2300）となる。

このように陰極１に接するメッキ液の金属濃度分極層を
極めて小さくさせた状態において前記直流電源を投入し
て電源ケーブル21、陽極14、メッキ液、陰極１、カーブ
ンブラシ103、スリップリング55、電源ケーブル22の経
路で所要の直流電流を流し、陰極１の陽極14の上面14b
と対向する端面にメッキを施す。

所定時間の経過後、前記電流の供給を停止し、ポンプ17
を停止させると共に駆動モータ70を停止させて陰極１へ
のメッキを終了させる。この陰極１を回転体60から取り
外す場合には前述した装着の場合と逆の操作を行う。

回転式高速メッキ装置はメッキ液中で陰極を高速回転さ
せて当該メッキ液の金属濃度分極層を極めて小さくする
ようにしているために前記液密空隙部13に供給するメッ
キ液の流速は遅れてもよく、これに伴いポンプの小型
化、電力の節約、及びランニングコストの低減等が図ら
れる。更に従来の如くメッキ液の金属濃度の分極層を極
めて小さくするためのメッキ液の助走距離が不要であ
り、装置の小型化を図ることが出来る等の優れた効果が
ある。

このように本発明方法は上述した第14図乃至第21図に示
す高速メッキ装置により高速メッキを施すので、従来の
メッキ技術の10〜200倍という高能率で銅膜を電解析出
することができ、生産効率が極めて高く、又メッキ液速
度、電流密度等を所定の条件に設定することにより、電
解析出した銅膜の表面粗度や、堆積する結晶粒子径を所
望の値に調整することができる。

尚、本発明方法を実施する高速メッキ装置としては上述
の装置に限定されることはなく、陰極表面近傍でレイノ
ズル数Reが約2300以上の乱流状態が実現出来るメッキ装
置であれがよい。

（実施例）次に、本発明の実施例を説明する。

第１表は、本発明方法及び比較方法により作製された導
体回路板の評価試験結果を示し、導電基材２の表面粗
度、薄膜金属層５の電解条件、導体回路６の電解条件、
導体回路６の粗面化処理条件を種々に変え、転写性、導
体回路６と絶縁基材10間のピーリング強度、導体回路６
の伸び率等の評価試験を行ったものであり、第１表に示
す試験条件以外の条件は、総ての供試回路板で同じであ
り、それらは以下の通りである。尚、ジレストマスクは
導体回路の粗面化処理後に溶解除去した。

導電基材：材質：ハードニング処理を施したステンレススチー
ル単板（SUS630）、表面処理：オシレーション付ロータリ羽布研磨装置を使
用して第１表に示す粗度に研磨、薄膜金属層：材質：銅薄膜（導電基材面に３μｍの膜厚で堆積）電解条件：電極間距離11mm、硫酸180g/lの硫酸銅メッキ
液使用導体回路電鋳：電解条件：電極間距離11mm、硫酸180g/lの硫酸銅メッキ
液使用、堆積膜厚35μｍ（但し、比較例３は９μｍ）、粗面化処理：ノジュラメッキ電解条件：硫酸銅100g/l、硫酸50g/l、硝酸カリウム30g
/lよりなる混合溶液使用、堆積膜厚３μｍ。

絶縁基材：材質：ガラスエポキシＧ−10 第１表において、本発明方法を適用した実施例１〜３は
いずれも、導電基材（単板）２の表面粗度、薄膜金属層
５の電解条件、導体回路６の電解条件、及び導体回路６
の粗面化処理条件がいずれも本発明の規定する条件範囲
内にあり、転写性、導体回路６と絶縁基材10間のピーリ
ング強度、導体回路６の伸び率がいずれも良好であり、
総合評価も良（○）である。

一方、導電基材（単板）２の表面粗度が本発明方法の規
定する下限値を外れる比較例１では、薄膜金属層がその
形成工程中において導電基材（単板）２より剥離（早い
剥がれ）が生じ、上限値を外れる比較例２では、転写工
程時に導電基材（単板）２と薄膜金属層５との密着強度
が大きく（ピーリング値310g/cm）、部分的に薄膜金属
層５が導電基材２側に残留し、回路ずれが生じる。又、
導電基材２の表面粗度が大きいと薄膜金属層２に多数の
ピンホールが発生し、絶縁基材10の積層時に薄膜金属層
のレジストマスク除去部に出来たピンホール内に入り込
んでだ絶縁基材の接着剤が導電基材２の表面に付着する
ため、絶縁基材10と導電基材２とが強く密着してしま
い、転写性が阻害される。尚、100μｍ以下の径のピン
ホールが１dm²当りに１個以上存在するとき、多数のピ
ンホールが発生していると判定した。

導電基材２表面に薄膜金属層５を形成させずに導電基材
２に直接レジストマスク７及び導体回路６を形成させる
と、導体回路（膜厚９μｍ）６にピンホールが発生する
と共に、レジストマスク７と導体回路６とを一体に転写
する場合は、レジストマスク７と導電基材２との密着強
度が大きいため、転写時にレジストマスク７が導電基材
２表面に残留してしまい、又、レジストマスク７を除去
後に導体回路６を転写する場合は、絶縁基材10と導体基
材２とが接着剤により密着してしまい、導電基材２の剥
離が困難になり、何れにしても転写性が著しく阻害され
る（比較例３）。

導体回路６の電解時に電解液の接液スピードが本発明方
法の規定する上限値を超えると電解中にレジストマスク
７剥離し（比較例４）、電流密度が本発明方法の規定す
る上限値を超えると、ノジュラ状メッキ、所謂「メッキ
焼け」が発生し、形成された導体回路６の伸び率も８％
と低く、フレキシブル基板用回路に使用することが出来
ない（比較例５）。

導体回路６表面の粗面化処理における電解メッキ時の電
流密度が本発明方法の規定する下限値を下回ると光沢の
あるメッキ表面となり、粗面化メッキが形成されない
（比較例６）。粗面化が不充分な導体回路６を絶縁基材
10に転写すると、導体回路６と絶縁基材10間のピーリン
グ値は0.7kg/cmとなり、密着強度が不足する。

導電基材２の表面粗度、薄膜金属層５の電解条件、導体
回路６の電解条件、及び導体回路６の粗面化処理条件の
いずれかが本発明の規定する条件範囲をはずれる比較例
１〜６は上述の通りの不都合を有し、総合評価はいずれ
も不可（×）である。

（発明の効果）以上詳述したように、本発明の導体回路板の製造方法に
依れば、表面粗度0.08〜0.23μｍの平板導電基材を陰極
として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３〜30mmだけ
離間させ、これらの電極に対する電解液の接液スピード
が2.6〜20.0m/secとなるように電解液を強制的に供給
し、電流密度0.15〜4.0A/cm²の条件で電解メッキを施し
て前記導電基材に１〜５μｍの薄膜金属層を形成する工
程と、形成した薄膜金属層の、導体回路を形成する部分
を除く表面にレジストマスクを形成する工程と、レジス
トマスクを形成した薄膜金属層表面に、銅イオンを含有
する電解液を用いて前記電解メッキ条件と同じ条件で電
解メッキを施して導体回路を形成する工程と、形成した
導体回路表面に粗面化処理を施す工程と、斯く形成させ
た導体回路を挟んで前記導電基材に絶縁基材を積層して
一体に加熱圧着あする工程と、前記導電基材のみを剥離
する工程と、前記薄膜金属層をエッチング除去する固定
とで構成したので、薄膜金属層及び導体回路のメッキ形
成時間が従来のメッキ方法に比較して著しく短縮され、
生産性が高く、工程も簡略化されるので本発明方法を実
施する導体回路板の製造装置に必要な設備及びその設置
面積が少なくて済む。又、導体回路と導電基材間に薄膜
金属層を介在させるので、メッキ形成される導体回路に
ピンホール等の欠陥が生じ難く、しかも、転写時の転写
が容易で寸法安定性に優れ、微細な回路パターンも安定
して製造出来るので歩留りが向上して品質も向上すると
いう種々の優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る導体回路板の製造方法の製造手
順を示す工程フーロチャート、第２図乃至第９図は、第
１図に示す工程における導体回路板の断面構成図、第10
図乃至第13図は、本発明方法を別の導体回路板の製造に
適用した場合の製造工程における導体回路板の断面構成
図、第14図はホリゾンタル型の高速メッキ装置の構成を
示す正面断面図、第15図は同高速メッキ装置の側面図、
第16図は、第15図に示すXVI-XVI矢線に沿う断面図、第1
7図は、第16図に示すXVII-XVII矢線に沿う断面図、第18
図はバーチカル型の高速メッキ装置の構成を示す正面断
面図、第19図は回転式高速メッキ装置の構成を示す、一
部切欠正面図、第20図は第19図のハウジングの上面図、
第21図は第19図のハウジングの底面図、第22図は、従来
の製造方法で導体回路板を製造する場合におけるオーバ
レイ積層工程時の問題点を説明するための断面図、第23
図は、従来の導体回路板の製造方法の製造手順を示す工
程フーロチャートである。１……陰極、２……導電基材、５……薄膜金属層、６…
…導体回路、７……レジストマスク、10,10a……絶縁基
板、11……ホリゾンタル型高速メッキ装置、14……不溶
性陽極、24……オーバレイ、25……バーチカル型高速メ
ッキ装置、41……回転式高速メッキ装置。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面粗度0.08〜0.23μｍの平板状導電基材
を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３〜30
mmだけ離間させ、これらの電極に対する電解液の接液ス
ピードが2.6〜20.0m/secとなるように電解液を強制的に
供給し、電流密度0.15〜4.0A/cm²の条件で電解メッキを
施して前記導電基材に１〜５μｍの薄膜金属層を形成す
る工程と、形成した薄膜金属層の、導体回路を形成する
部分を除く表面にレジストマスクを形成する工程と、レ
ジストマスクを形成した薄膜金属層表面に、銅イオンを
含有する電解液を用いて前記電解メッキ条件と同じ条件
で電解メッキを施して導体回路を形成する工程と、形成
した導体回路表面に粗面化処理を施す工程と、斯く形成
させた導体回路を挟んで前記導電基材に絶縁基材を積層
して一体に加熱圧着する工程と、前記導電基材のみを剥
離する工程と、前記薄膜金属層をエッチング除去する工
程とからなることを特徴とする導体回路板の製造方法。
【請求項２】前記導体回路表面に、銅イオンと硝酸イオ
ンとを含有する酸性電解液を用い、電流密度0.25〜0.85
A/cm²、前記電極に対する前記酸性電解液の接液スピー
ド0.1〜0.8m/sec、電極間距離26〜50mmの条件で、堆積
膜厚が２〜５μｍになるまで粗面化処理を施すことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の導体回路板の製造
方法。
【請求項３】前記粗面化処理を施した後、更に前記導体
回路表面にクロメート処理を施すことを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の導体回路板の製造方法。
【請求項４】前記陰極及び陽極を共に固定して、これら
の電極間に前記電解液を強制的に供給することを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか記載の
導体回路板の製造方法。
【請求項５】前記陰極を、前記電解液の接液スピードが
得られるように回転させることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第３項のいずれか記載の導体回路板の製
造方法。
【請求項６】前記薄膜金属層のエッチング除去後、前記
導体回路をオーバレイで積層被覆することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の導体回路板の製造方法。
【請求項７】前記絶縁基材の加熱圧着前に前記レジスト
マスクを除去し、前記導体回路、薄膜金属層、及び導電
基材を一体に前記絶縁基材に加熱圧着することを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか記載の
導体回路板の製造方法。
【請求項８】前記導体回路、レジストマスク、薄膜金属
層、及び導電基材を一体に前記絶縁基材に加熱圧着する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項のい
ずれか記載の導体回路板の製造方法。